DE102016215715A1

DE102016215715A1 - Pixelstruktur, Verfahren zum Herstellen derselben und Anzeigebedienfeld

Info

Publication number: DE102016215715A1
Application number: DE102016215715.9A
Authority: DE
Inventors: Zhiyong XIONG; Liujing FAN
Original assignee: Tianma Microelectronics Co Ltd; Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd
Current assignee: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd Cn; Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd Shangh Cn; Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date: 2015-12-30
Filing date: 2016-08-22
Publication date: 2017-07-06
Also published as: US20170194386A1; US9972662B2; CN105428391A; CN105428391B

Abstract

Eine Pixelstruktur, ein Verfahren zum Herstellen derselben und ein Anzeigebedienfeld (2000) sind vorgesehen. Die Pixelstruktur umfasst folgende Merkmale: ein Substrat (1), eine Anodenschicht (2), eine erste zusätzliche lichtemittierenden Schicht (3), eine lichtemittierende Schicht (4), eine Kathodenschicht (5) und zumindest eine erste resistive Struktur (6). Die lichtemittierende Schicht (4) umfasst zumindest einen ersten lichtemittierenden Abschnitt (41) und einen zweiten lichtemittierenden Abschnitt (42), wobei der erste lichtemittierende Abschnitt (41) einem ersten Teilpixel entspricht, der zweite lichtemittierende Abschnitt (42) einem zweiten Teilpixel entspricht und eine Einschaltspannung des ersten Teilpixels größer ist als die des zweiten Teilpixels. Die zumindest eine erste resistive Struktur (6) ist zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht (3) und der Kathodenschicht (5) angeordnet und in einer zu dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt (42) senkrechten Richtung angeordnet, überlappt zumindest teilweise mit dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt (42) und überlappt nicht mit dem ersten lichtemittierenden Abschnitt (41).

Description

Gebiet
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf das Gebiet der Anzeigetechnologie und insbesondere auf eine Pixelstruktur, ein Verfahren zum Herstellen der Pixelstruktur und ein Anzeigebedienfeld, das die Pixelstruktur umfasst.
Hintergrund
Gegenwärtig umfasst eine OLED-Anzeigevorrichtung (Organic Light-Emitting Diode, organische lichtemittierende Diode) im Allgemeinen mehrere Teilpixel, und Beleuchtungsfarben benachbarter Teilpixel sind unterschiedlich. Beispielsweise umfasst eine OLED-Anzeigevorrichtung des Standes der Technik mehrere rote Teilpixel, grüne Teilpixel und blaue Teilpixel, die regelmäßig angeordnet sind, um die Anzeige unterschiedlicher Farben umzusetzen.
Wie in 1 gezeigt ist, umfasst eine OLED-Anzeigevorrichtung des Standes der Technik im Allgemeinen folgende Merkmale: ein Substrat 01; eine Anodenschicht 02 auf einer Oberfläche des Substrats 01, wobei die Anodenschicht 02 aus mehreren Anodenabschnitten besteht; eine zusätzliche lichtemittierende Schicht, die auf einer Oberfläche der Anodenschicht 02 angeordnet ist und die Anodenschicht 02 und das Substrat 01 bedeckt; eine lichtemittierende Schicht 04 auf einer Oberfläche der zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 03, wobei die lichtemittierende Schicht einen rotlichtemittierenden Abschnitt 041, einen grünlichtemittierenden Abschnitt 042 und einen blaulichtemittierenden Abschnitt 043 umfasst, die lichtemittierenden Abschnitte eine Eins-zu-eins-Entsprechung mit den Anodenabschnitten aufweisen und die lichtemittierenden Abschnitte unterschiedlicher Farben Teilpixeln unterschiedlicher Farben entsprechen, um die Anzeige unterschiedlicher Farben umzusetzen; und eine Kathodenschicht 05 auf einer Oberfläche der lichtemittierenden Schicht 04.
Es ist jedoch eine Farbübersprechenerscheinung vorhanden, wenn die obige OLED-Anzeigevorrichtung eine reine Farbe anzeigt, das heißt, wenn die OLED-Anzeigevorrichtung ein reines rotes Bild anzeigt, erscheint in dem Anzeigebild nicht nur Rot, sondern außerdem eine Farbe eines Teilpixels, das zu dem roten Teilpixel benachbart ist, wie z. B. Grün oder Blau, was eine Anzeigequalität der OLED-Anzeigevorrichtung reduziert.
Kurzdarstellung
Um das oben genannte technische Problem zu lösen, sind eine Pixelstruktur, ein Verfahren zum Herstellen der Pixelstruktur und ein Anzeigebedienfeld, das die Pixelstruktur umfasst, gemäß Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung vorgesehen, um die Farbübersprechenerscheinung für das Anzeigebedienfeld beim Anzeigen zu verringern und eine Anzeigequalität des Anzeigebedienfelds zu verbessern.
Um das oben genannte Problem zu lösen, sind die folgenden technischen Lösungen gemäß den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung vorgesehen.
Eine Pixelstruktur ist vorgesehen, die folgende Merkmale umfasst:
ein Substrat;
eine Anodenschicht auf einer Oberfläche des Substrats;
eine erste zusätzliche lichtemittierende Schicht auf einer Oberfläche der Anodenschicht, wobei die Anodenschicht durch die erste zusätzliche lichtemittierende Schicht, die durchgehend ist, vollständig bedeckt ist;
eine lichtemittierende Schicht auf einer Oberfläche der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht, wobei die lichtemittierende Schicht zumindest einen ersten lichtemittierenden Abschnitt und einen zweiten lichtemittierenden Abschnitt umfasst, der erste lichtemittierende Abschnitt einem ersten Teilpixel entspricht, der zweite lichtemittierende Abschnitt einem zweiten Teilpixel entspricht und eine Einschaltspannung des ersten Teilpixels größer ist als die des zweiten Teilpixels;
eine Kathodenschicht auf einer Oberfläche der lichtemittierenden Schicht, wobei die lichtemittierende Schicht durch die Kathodenschicht bedeckt ist; und
zumindest eine erste resistive Struktur in einem Zwischenraum zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht und der Kathodenschicht, wobei die zumindest eine erste resistive Struktur in einer zu dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt senkrechten Richtung angeordnet ist, zumindest teilweise mit dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt überlappt und nicht mit dem ersten lichtemittierenden Abschnitt überlappt, und ein Absolutwert einer Differenz zwischen einer Summe von Widerstandswerten der zumindest einen ersten resistiven Struktur und des zweiten lichtemittierenden Abschnitts und einem Widerstandswert des ersten lichtemittierenden Abschnitts kleiner ist als ein erster vorbestimmter Wert.
Ein Verfahren zum Herstellen einer Pixelstruktur ist vorgesehen, das auf die obige Pixelstruktur angewandt wird, und das Verfahren umfasst folgende Schritte:
Bereitstellen eines Substrats;
Bilden einer Anodenschicht auf einer Oberfläche des Substrats;
Bilden einer ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht auf einer Oberfläche der Anodenschicht, wobei die Anodenschicht durch die erste zusätzliche lichtemittierende Schicht, die durchgehend ist, vollständig bedeckt ist;
Bilden einer lichtemittierenden Schicht und zumindest einer ersten resistiven Struktur auf einer Oberfläche der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht, wobei die lichtemittierende Schicht zumindest einen ersten lichtemittierenden Abschnitt, der einem ersten Teilpixel entspricht, und einen zweiten lichtemittierenden Abschnitt umfasst, der einem zweiten Teilpixel entspricht, eine Einschaltspannung des ersten Teilpixels größer ist als die des zweiten Teilpixels, die zumindest eine erste resistive Struktur in einer zu dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt senkrechten Richtung angeordnet ist, zumindest teilweise mit dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt überlappt und nicht mit dem ersten lichtemittierenden Abschnitt überlappt, und ein Absolutwert einer Differenz zwischen einer Summe von Widerstandswerten der zumindest einen ersten resistiven Struktur und des zweiten lichtemittierenden Abschnitts und einem Widerstandswert des ersten lichtemittierenden Abschnitts kleiner ist als ein erster vorbestimmter Wert; und
Bilden einer Kathodenschicht an einer Seite der lichtemittierenden Schicht, die von der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht abgewandt ist, wobei die lichtemittierende Schicht und die zumindest eine erste resistive Struktur durch die Kathodenschicht bedeckt sind.
Ein Anzeigebedienfeld, das die oben beschriebene Pixelstruktur umfasst, ist vorgesehen.
Im Vergleich zu dem Stand der Technik weisen die oben beschriebenen technischen Lösungen die folgenden Vorteile auf.
Die Pixelstruktur gemäß den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung umfasst ein Substrat, eine Anodenschicht, eine erste zusätzliche lichtemittierende Schicht, eine lichtemittierende Schicht und eine Kathodenschicht, und umfasst ferner zumindest eine erste resistive Struktur. Die lichtemittierende Schicht umfasst zumindest einen ersten lichtemittierenden Abschnitt und einen zweiten lichtemittierenden Abschnitt, wobei der erste lichtemittierende Abschnitt einem ersten Teilpixel entspricht, der zweite lichtemittierende Abschnitt einem zweiten Teilpixel entspricht und eine Einschaltspannung des ersten Teilpixels größer ist als die des zweiten Teilpixels. Die zumindest eine erste resistive Struktur ist in einem Zwischenraum zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht und der Kathodenschicht angeordnet und in einer zu dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt senkrechten Richtung angeordnet, überlappt zumindest teilweise mit dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt und überlappt nicht mit dem ersten lichtemittierenden Abschnitt, und ein Absolutwert einer Differenz zwischen einer Summe von Widerstandswerten der zumindest einen ersten resistiven Struktur und des zweiten lichtemittierenden Abschnitts und einem Widerstandswert des ersten lichtemittierenden Abschnitts ist kleiner als ein erster vorbestimmter Wert, wodurch die Einschaltspannung des zweiten Teilpixels erhöht wird. In diesem Fall, wenn das erste Teilpixel angezeigt wird und das zweite Teilpixel nicht angezeigt wird, obwohl Löcher in einem Bereich der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht unter dem ersten lichtemittierenden Abschnitt zu einem Bereich der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht unter dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt durch die erste zusätzliche lichtemittierende Schicht transportiert werden, wird eine Spannungsdifferenz zwischen zwei Enden des zweiten lichtemittierenden Abschnitts gebildet, die Spannungsdifferenz ist jedoch kleiner als die Einschaltspannung des zweiten Teilpixels, um sicherzustellen, dass das zweite Teilpixel nicht angezeigt wird, wenn das erste Teilpixel angezeigt wird, wodurch die Farbübersprechenerscheinung des Anzeigebedienfelds beim Anzeigen verringert und eine Anzeigequalität des Anzeigebedienfelds verbessert ist.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Die in den Beschreibungen der Ausführungsbeispiele oder dem Stand der Technik zu verwendenden Zeichnungen werden wie folgt kurz beschrieben, so dass die technischen Lösungen gemäß den Ausführungsbeispielen der Offenbarung oder gemäß dem Stand der Technik verständlicher werden. Es ist offensichtlich, dass die Zeichnungen in den folgenden Beschreibungen nur einige Ausführungsbeispiele der Offenbarung veranschaulichen. Andere Zeichnungen können auf der Basis dieser Zeichnungen von Fachleuten ohne schöpferische Tätigkeit abgeleitet werden.
1 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Anzeigevorrichtung des Standes der Technik;
2 ist ein schematisches Diagramm von Strom-Spannung-Kurven eines roten Teilpixels, eines blauen Teilpixels und eines grünen Teilpixels in einer Anzeigevorrichtung des Standes der Technik;
3 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Pixelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
4 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Pixelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
5 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Pixelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
6 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Pixelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
7 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Pixelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
8 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Pixelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
9 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Pixelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
10 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Pixelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
11 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Pixelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
12 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Pixelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
13 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Pixelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
14 ist eine Draufsicht der Anordnung von lichtemittierenden Abschnitten in einer Pixelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
15 ist eine Draufsicht der Anordnung von lichtemittierenden Abschnitten in einer Pixelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
16 ist eine Draufsicht der Anordnung von lichtemittierenden Abschnitten in einer Pixelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
17 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Pixelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
18 ist ein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer Pixelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
19 ist ein Flussdiagramm von Schritt 4 eines Verfahrens zum Herstellen einer Pixelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung; und
20 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Anzeigenebene gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
Ausführliche Beschreibung
Wie in dem Hintergrund beschrieben ist, liegt eine Farbübersprechenerscheinung vor, wenn eine OLED-Anzeigevorrichtung des Standes der Technik eine reine Farbe darstellt, d. h., wenn die OLED-Anzeigevorrichtung ein reines rotes Bild anzeigt, erscheint in dem Anzeigebild nicht nur Rot, sondern außerdem eine Farbe eines Teilpixels, das zu dem roten Teilpixel benachbart ist, wie z. B. Grün oder Blau, was eine Anzeigequalität der OLED-Anzeigevorrichtung reduziert.
Der Erfinder hat durch Forschungsarbeiten herausgefunden, dass dies daran liegt, dass die zusätzliche lichtemittierende Schicht 03, die den lichtemittierenden Abschnitten der lichtemittierenden Schicht entspricht, eine integrierte zusätzliche lichtemittierende Schicht ist, wenn das rote Teilpixel angezeigt wird und das grüne Teilpixel nicht angezeigt wird, werden Löcher in einem Bereich der zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 03 unter dem roten lichtemittierenden Abschnitt 041 zu einem Bereich der zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 03 unter dem grünen lichtemittierenden Abschnitt 042 durch die zusätzliche lichtemittierende Schicht 03 transportiert, wobei eine Spannungsdifferenz zwischen zwei Enden des grünen lichtemittierenden Abschnitts gebildet wird. Wie in 2 gezeigt ist, ist eine Kurve a eine Strom-Spannung-Kurve des roten Teilpixels, eine Kurve b ist eine Strom-Spannung-Kurve des grünen Teilpixels und eine Kurve c ist eine Strom-Spannung-Kurve des blauen Teilpixels. Wie in 2 gesehen werden kann, ist eine Einschaltspannung des grünen Teilpixels, das dem grünen lichtemittierenden Abschnitt 042 entspricht, kleiner als eine Einschaltspannung des roten Teilpixels, das dem roten lichtemittierenden Abschnitt 041 entspricht, wobei in diesem Fall, wenn das rote Teilpixel angezeigt wird und das grüne Teilpixel nicht angezeigt wird, Löcher in einem Bereich unter dem roten lichtemittierenden Abschnitt 041 zu einem Bereich unter dem grünen lichtemittierenden Abschnitt 042 durch die zusätzliche lichtemittierende Schicht 03 transportiert werden, was bewirkt, dass eine Spannungsdifferenz zwischen dem Bereich der zusätzlichen lichtemittierenden Schicht unter dem grünen lichtemittierenden Abschnitt 042 und einer Kathode über dem grünen lichtemittierenden Abschnitt 042 größer ist als die Einschaltspannung des grünen Teilpixels. Daher wird das grüne Teilpixel auch angezeigt, das grüne Teilpixel kann sogar angezeigt werden, bevor das rote Teilpixel angezeigt wird, was eine Farbübersprechenerscheinung zur Folge hat.
In Anbetracht des oben Genannten sind eine Pixelstruktur und ein Anzeigebedienfeld, das die Pixelstruktur umfasst, gemäß den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung vorgesehen. Die Pixelstruktur umfasst ein Substrat, eine Anodenschicht, eine erste zusätzliche lichtemittierende Schicht, eine lichtemittierende Schicht und eine Kathodenschicht, und umfasst ferner zumindest eine erste resistive Struktur. Die lichtemittierende Schicht umfasst zumindest einen ersten lichtemittierenden Abschnitt und einen zweiten lichtemittierenden Abschnitt, und die zumindest eine erste resistive Struktur ist in einem Zwischenraum zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht und der Kathodenschicht angeordnet und in einer zu dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt senkrechten Richtung angeordnet, wodurch eine Einschaltspannung des zweiten Teilpixels erhöht ist. In diesem Fall ist es sichergestellt, dass das zweite Teilpixel nicht angezeigt wird, wodurch die Farbübersprechenerscheinung des Anzeigebedienfelds beim Anzeigen verringert und eine Anzeigequalität des Anzeigebedienfelds verbessert wird.
Die technischen Lösungen gemäß den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung werden nachfolgend in Verbindung mit den Zeichnungen deutlich und vollständig beschrieben. Es ist offensichtlich, dass die beschriebenen Ausführungsbeispiele nur einige und nicht alle Ausführungsbeispiele gemäß der vorliegenden Offenbarung sind. Alle weiteren Ausführungsbeispiele, die von Fachleuten auf der Basis der Ausführungsbeispiele der vorliegenden Offenbarung ohne schöpferische Tätigkeit abgeleitet werden, fallen in den Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung.
Die folgenden Beschreibungen umfassen Einzelheiten zum besseren Verständnis der Offenbarung, wobei die Offenbarung auch auf andere Arten, die sich von den hierin beschriebenen unterscheiden, implementiert werden kann. Fachleute können Erweiterungen vornehmen, ohne von dem Wesen der Offenbarung abzuweichen, und somit ist die Offenbarung nicht auf die hiernach offenbarten spezifischen Ausführungsbeispiele beschränkt.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist eine Pixelstruktur vorgesehen. Wie in 3 gezeigt ist, umfasst die Pixelstruktur folgende Merkmale:
ein Substrat 1;
eine Anodenschicht 2 auf einer Oberfläche des Substrats;
eine erste zusätzliche lichtemittierende Schicht 3 auf einer Oberfläche der Anodenschicht 2, wobei die Anodenschicht 2 durch die erste zusätzliche lichtemittierende Schicht 3, die durchgehend ist, vollständig bedeckt ist;
eine lichtemittierende Schicht 4 auf einer Oberfläche der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 3, wobei die lichtemittierende Schicht 4 zumindest einen ersten lichtemittierenden Abschnitt 41 und einen zweiten lichtemittierenden Abschnitt 42 umfasst, der erste lichtemittierende Abschnitt 41 einem ersten Teilpixel entspricht, der zweite lichtemittierende Abschnitt 42 einem zweiten Teilpixel entspricht und eine Einschaltspannung des ersten Teilpixels größer ist als die des zweiten Teilpixels;
eine Kathodenschicht 5 auf einer Oberfläche der lichtemittierenden Schicht 4, wobei die lichtemittierende Schicht 4 durch die Kathodenschicht 5 bedeckt ist; und
zumindest eine erste resistive Struktur 6 in einem Zwischenraum zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 3 und der Kathodenschicht 5, wobei die erste resistive Struktur in einer zu dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt 42 senkrechten Richtung angeordnet ist, zumindest teilweise mit dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt 42 überlappt und nicht mit dem ersten lichtemittierenden Abschnitt 41 überlappt, und ein Absolutwert einer Differenz zwischen einer Summe von Widerstandswerten der zumindest einen ersten resistiven Struktur 6 und des zweiten lichtemittierenden Abschnitts 42 und einem Widerstandswert des ersten lichtemittierenden Abschnitts 41 kleiner ist als ein erster vorbestimmter Wert.
Es ist zu beachten, dass die erste zusätzliche lichtemittierende Schicht 3 bei dem Ausführungsbeispiel der Offenbarung eine Lochtransportschicht, eine Lochinjektionsschicht oder eine Pufferschicht ist, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist, solange die erste zusätzliche lichtemittierende Schicht 3 Löcher transportieren kann.
Wie aus dem oben Genannten ersichtlich ist, ist die zumindest eine erste resistive Struktur 6 dem zweiten Teilpixel in der Pixelstruktur gemäß dem Ausführungsbeispiel der Offenbarung hinzugefügt, um einen Widerstandswert des zweiten Teilpixels zu erhöhen, wodurch die Einschaltspannung des zweiten Teilpixels erhöht ist. In diesem Fall, wenn das erste Teilpixel angezeigt wird und das zweite Teilpixel nicht angezeigt wird, obwohl Löcher in einem Bereich der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 3 unter dem ersten lichtemittierenden Abschnitt 41 zu einem Bereich der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 3 unter dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt 42 transportiert werden, wird eine Spannungsdifferenz zwischen zwei Enden des zweiten lichtemittierenden Abschnitts 42 gebildet, die Spannungsdifferenz ist jedoch kleiner als die Einschaltspannung des zweiten Teilpixels, um sicherzustellen, dass das zweite Teilpixel nicht angezeigt wird, wodurch die Farbübersprechenerscheinung zwischen dem ersten Teilpixel und dem zweiten Teilpixel verringert wird, wenn das Anzeigebedienfeld ein Bild anzeigt, und eine Anzeigequalität des Anzeigebedienfelds verbessert wird.
Basierend auf dem obigen Ausführungsbeispiel ist ein orthogonaler Vorsprung der zumindest einen ersten resistiven Struktur 6 auf dem Substrat 1 bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung durch einen orthogonalen Vorsprung des zweiten lichtemittierenden Abschnitts 42 auf dem Substrat 1 vollständig bedeckt, wie in 4 gezeigt ist. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist ein orthogonaler Vorsprung des zweiten lichtemittierenden Abschnitts 42 auf dem Substrat 1 durch einen orthogonalen Vorsprung der zumindest einen ersten resistiven Struktur 6 auf dem Substrat 1 vollständig bedeckt. Vorzugsweise überlappt ein orthogonaler Vorsprung der zumindest einen ersten resistiven Struktur 6 auf dem Substrat 1 genau mit einem orthogonalen Vorsprung des zweiten lichtemittierenden Abschnitts 42 auf dem Substrat 1, wie in 3 gezeigt ist, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist, solange die zumindest eine erste resistive Struktur 6 in einer zu dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt 42 senkrechten Richtung angeordnet ist, zumindest teilweise mit dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt 42 überlappt und nicht mit dem ersten lichtemittierenden Abschnitt 41 überlappt.
Basierend auf einem der obigen Ausführungsbeispiele ist die zumindest eine erste resistive Struktur 6 bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 3 und der lichtemittierenden Schicht 4 angeordnet, wie in 1 bis 5 gezeigt ist. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist die zumindest eine erste resistive Struktur 6 zwischen der lichtemittierenden Schicht 4 und der Kathodenschicht 5 angeordnet, wie in 6 gezeigt ist, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist, solange die zumindest eine erste resistive Struktur 6 in dem Zwischenraum zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 3 und der Kathodenschicht 5 angeordnet ist.
Basierend auf den obigen Ausführungsbeispielen ist eine zweite zusätzliche lichtemittierende Schicht 7 bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung zwischen der Kathodenschicht 5 und der lichtemittierenden Schicht 4 angeordnet, wie in 7 gezeigt ist. Bei dem Ausführungsbeispiel kann, in einem Fall, dass die zumindest eine erste resistive Struktur 6 zwischen der lichtemittierenden Schicht 4 und der Kathodenschicht 5 angeordnet ist, die zumindest eine erste resistive Struktur 6 je nach Anwendungsfall zwischen der lichtemittierenden Schicht 4 und der zweiten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 7 angeordnet sein, was in 7 gezeigt ist, oder kann zwischen der zweiten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 7 und der Kathodenschicht 5 angeordnet sein, wie in 8 gezeigt ist, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist.
Es ist zu beachten, dass die zweite zusätzliche lichtemittierende Schicht 7 bei dem obigen Ausführungsbeispiel aus einer Einzelschichtstruktur oder aus einer Mehrschichtstapelstruktur bestehen kann. In einem Fall, dass die zweite zusätzliche lichtemittierende Schicht 7 aus der Mehrschichtstapelstruktur besteht, d. h., die zweite zusätzliche lichtemittierende Schicht 7 mehrere gestapelte zweite zusätzliche lichtemittierende Teilschichten umfasst, kann die zumindest eine erste resistive Struktur 6 zwischen zwei beliebigen benachbarten zweiten zusätzlichen lichtemittierenden Teilschichten angeordnet sein, wie in 9 gezeigt ist.
Basierend auf einem der obigen Ausführungsbeispiele ist zumindest eine dritte zusätzliche lichtemittierende Schicht 8 bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 3 und der lichtemittierenden Schicht 4 angeordnet. Zumindest eine der zumindest einen dritten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 8 umfasst mehrere nicht durchgehende zusätzliche lichtemittierende Abschnitte, der erste lichtemittierende Abschnitt 41 ist durch einen Teil der mehreren zusätzlichen lichtemittierenden Abschnitte bedeckt und der zweite lichtemittierende Abschnitt 42 ist durch einen Teil der mehreren zusätzlichen lichtemittierenden Abschnitte bedeckt. Es ist zu beachten, dass die dritte zusätzliche lichtemittierende Schicht bei dem Ausführungsbeispiel der Offenbarung je nach Anwendungsfall eine Lochtransportschicht, eine Lochinjektionsschicht oder eine Pufferschicht sein kann, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist.
Basierend auf dem obigen Ausführungsbeispiel kann bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung, in einem Fall, dass die zumindest eine erste resistive Struktur 6 zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 3 und der lichtemittierenden Schicht 4 angeordnet ist, die zumindest eine erste resistive Struktur 6 je nach Anwendungsfall zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 3 und der zumindest einen dritten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 8 angeordnet sein, wie in 11 gezeigt ist, oder kann zwischen der zumindest einen dritten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 8 und der lichtemittierenden Schicht 4 angeordnet sein, wie in 12 gezeigt ist, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist.
Basierend auf dem obigen Ausführungsbeispiel sind mehrere dritte zusätzliche lichtemittierende Schichten 8 bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 3 und der lichtemittierenden Schicht 4 angeordnet. Bei dem Ausführungsbeispiel kann die zumindest eine erste resistive Struktur 6 je nach Anwendungsfall zwischen zwei beliebigen benachbarten dritten zusätzlichen lichtemittierenden Schichten 8 angeordnet sein, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist.
Es ist zu beachten, dass basierend auf einem der obigen Ausführungsbeispiele die Pixelstruktur bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung mehrere erste resistive Strukturen 6 umfassen kann; in einem Fall, dass die Pixelstruktur mehrere erste resistive Strukturen 6 umfasst, können unterschiedliche erste resistive Strukturen 6 je nach Anwendungsfall zwischen zwei vollständig gleichen Schichten angeordnet sein oder zwischen zwei unvollständig gleichen Schichten angeordnet sein, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist.
Basierend auf einem der obigen Ausführungsbeispiele ist der erste vorbestimmte Wert bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Offenbarung kleiner als oder gleich groß wie eine Differenz zwischen dem Widerstandswert des zweiten lichtemittierenden Abschnitts 42 und dem Widerstandswert des ersten lichtemittierenden Abschnitts 41. Vorzugsweise ist der erste vorbestimmte Wert gleich groß wie eine Differenz zwischen dem Widerstandswert des zweiten lichtemittierenden Abschnitts 42 und dem Widerstandswert des ersten lichtemittierenden Abschnitts 41, in diesem Fall ist die Einschaltspannung des ersten Teilpixels gleich groß wie die Einschaltspannung des zweiten Teilpixels, um die Farbübersprechenerscheinung der Pixelstruktur bei Betrieb maximal zu verringern und eine Anzeigequalität der Pixelstruktur zu verbessern.
Basierend auf einem der obigen Ausführungsbeispiele kann die zumindest eine erste resistive Struktur 6 bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung aus einem organischen leitfähigen Material oder einem anorganischen leitfähigen Material hergestellt sein, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist, solange das Material ein leitfähiges Material ist und einen gewissen Widerstandswert aufweist. In einem Fall, dass die zumindest eine erste resistive Struktur 6 aus einem anorganischen leitfähigen Material besteht, kann das anorganische Material je nach Anwendungsfall aus einer Gruppe ausgewählt sein, die aus Aluminium, Silber, Molybdän oder entsprechenden Oxiden, wie beispielsweise Aluminiumoxid, Silberoxid oder Molybdänoxid besteht, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist.
Basierend auf dem obigen Ausführungsbeispiel weist die zumindest eine resistive Struktur 6 bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung eine Dicke in einem Bereich von 5 nm bis einschließlich 30 nm auf, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist und von einem spezifischen Widerstandswert der zumindest einen ersten resistiven Struktur 6 abhängt.
Basierend auf einem der obigen Ausführungsbeispiele ist der erste lichtemittierende Abschnitt 41 bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung ein rotlichtemittierender Abschnitt und der zweite lichtemittierende Abschnitt 42 ist ein grünlichtemittierender Abschnitt. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist der erste lichtemittierende Abschnitt 41 ein blaulichtemittierender Abschnitt und der zweite lichtemittierende Abschnitt 42 ist ein grünlichtemittierender Abschnitt. Bei anderen Ausführungsbeispielen der Offenbarung können der erste lichtemittierende Abschnitt 41 und der zweite lichtemittierende Abschnitt 42 lichtemittierende Abschnitte anderer Farben sein, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist, solange eine Einschaltspannung eines Teilpixels, das dem ersten lichtemittierenden Abschnitt 41 entspricht, größer ist als die eines Teilpixels, das dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt 42 entspricht.
Basierend auf einem der obigen Ausführungsbeispiele umfasst die lichtemittierende Schicht 4 bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung ferner einen dritten lichtemittierenden Abschnitt 43, der dritte lichtemittierende Abschnitt 43 entspricht einem dritten Teilpixel und eine Einschaltspannung des dritten Teilpixels ist größer als die des zweiten Teilpixels und ist nicht größer als die Einschaltspannung des ersten Teilpixels.
Basierend auf dem obigen Ausführungsbeispiel umfasst die Pixelstruktur bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung mehrere erste lichtemittierende Abschnitte, mehrere zweite lichtemittierende Abschnitt und mehrere dritte lichtemittierende Abschnitte. Die mehreren ersten lichtemittierenden Abschnitte, die mehreren zweiten lichtemittierenden Abschnitte und die mehreren dritten lichtemittierenden Abschnitte sind entlang einer vorbestimmten Richtung regelmäßig angeordnet. Es ist zu beachten, dass die vorbestimmte Richtung bei dem Ausführungsbeispiel der Offenbarung je nach Anwendungsfall eine Reihenrichtung sein kann, wie in 14 gezeigt ist, eine Spaltenrichtung sein kann, wie in 15 gezeigt ist, oder sowohl eine Reihenrichtung als auch eine Spaltenrichtung umfassen kann, wie in 16 gezeigt ist, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist.
Basierend auf dem obigen Ausführungsbeispiel ist eine Einschaltspannung des dritten Teilpixels bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung kleiner als die des ersten Teilpixels. Bei dem Ausführungsbeispiel kann in einem Fall, dass das erste Teilpixel, das dem ersten lichtemittierenden Abschnitt entspricht, und das dritte Teilpixel, das dem dritten lichtemittierenden Abschnitt entspricht, benachbart sind, eine Farbübersprechenerscheinung zwischen dem ersten Teilpixel und dem dritten Teilpixel vorliegen.
Basierend auf dem obigen Ausführungsbeispiel umfasst die Pixelstruktur bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Offenbarung, wie in 17 gezeigt ist, somit ferner folgende Merkmale: zumindest eine zweite resistive Struktur 9 in dem Zwischenraum zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 3 und der Kathodenschicht 5, die zweite resistive Struktur 9 in einer zu dem dritten lichtemittierenden Abschnitt 43 senkrechten Richtung angeordnet, überlappt zumindest teilweise mit dem dritten lichtemittierenden Abschnitt 43 und überlappt nicht mit dem ersten lichtemittierenden Abschnitt 41 oder dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt 42, und ein Absolutwert einer Differenz zwischen einer Summe von Widerstandswerten des dritten lichtemittierenden Abschnitts 43 und der zumindest einen zweiten resistiven Struktur 9 und des Widerstands des ersten lichtemittierenden Abschnitts 41 kleiner ist als ein zweiter vorbestimmter Wert.
Die zumindest eine zweite resistive Struktur 9 ist zu dem dritten Teilpixel in der Pixelstruktur gemäß dem Ausführungsbeispiel der Offenbarung hinzugefügt, um einen Widerstandswert des dritten Teilpixels zu erhöhen, wodurch die Einschaltspannung des dritten Teilpixels erhöht ist. In diesem Fall, wenn das erste Teilpixel angezeigt wird und das dritte Teilpixel nicht angezeigt wird, obwohl Löcher in einem Bereich der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 3 unter dem ersten lichtemittierenden Abschnitt 41 zu einem Bereich der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 3 unter dem dritten lichtemittierenden Abschnitt 43 transportiert werden, wird eine Spannungsdifferenz zwischen zwei Enden des dritten lichtemittierenden Abschnitts 43 gebildet, die Spannungsdifferenz ist jedoch kleiner als die Einschaltspannung des dritten Teilpixels, um sicherzustellen, dass das dritte Teilpixel nicht angezeigt wird, wodurch die Farbübersprechenerscheinung zwischen dem ersten Teilpixel und dem dritten Teilpixel verringert wird, wenn das Anzeigebedienfeld ein Bild anzeigt, und eine Anzeigequalität des Anzeigebedienfelds verbessert wird.
Basierend auf dem obigen Ausführungsbeispiel ist der zweite vorbestimmte Wert bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung kleiner als oder gleich groß wie eine Differenz zwischen dem Widerstandswert des dritten lichtemittierenden Abschnitts 43 und dem des ersten lichtemittierenden Abschnitts 41.
Vorzugsweise ist der zweite vorbestimmte Wert gleich groß wie eine Differenz zwischen dem Widerstandswert des dritten lichtemittierenden Abschnitts 43 und dem Widerstandswert des ersten lichtemittierenden Abschnitts 41, in diesem Fall ist die Einschaltspannung des ersten Teilpixels gleich groß wie die Einschaltspannung des dritten Teilpixels, um die Farbübersprechenerscheinung zwischen dem ersten Teilpixel und dem dritten Teilpixel der Pixelstruktur bei Betrieb maximal zu verringern und eine Anzeigequalität der Pixelstruktur zu verbessern.
Ähnlich dazu kann in einem Fall, dass das zweite Teilpixel, das dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt entspricht, und das dritte Teilpixel, das dem dritten lichtemittierenden Abschnitt entspricht, benachbart sind, eine Farbübersprechenerscheinung zwischen dem zweiten Teilpixel und dem dritten Teilpixel vorliegen. Basierend auf dem obigen Ausführungsbeispiel ist eine Summe von Widerstandswerten des zweiten lichtemittierenden Abschnitts und der zumindest einen ersten resistiven Struktur bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung kleiner als ein Widerstandswert des ersten lichtemittierenden Abschnitts, und eine Summe von Widerstandswerten des dritten lichtemittierenden Abschnitts und der zumindest einen zweiten resistiven Struktur ist kleiner als der Widerstandswert des ersten lichtemittierenden Abschnitts; in diesem Fall ist eine Differenz zwischen der Einschaltspannung des zweiten Teilpixels und der Einschaltspannung des dritten Teilpixels reduziert, während eine Differenz zwischen der Einschaltspannung des ersten Teilpixels und der Einschaltspannung des zweiten Teilpixels und eine Differenz zwischen der Einschaltspannung des ersten Teilpixels und der Einschaltspannung des dritten Teilpixels reduziert sind, wodurch die Farbübersprechenerscheinung zwischen dem zweiten Teilpixel und dem dritten Teilpixel, die benachbart sind, wenn das Anzeigebedienfeld ein Bild anzeigt, verringert wird, und eine Anzeigequalität des Anzeigebedienfelds verbessert wird.
Basierend auf dem obigen Ausführungsbeispiel ist der erste vorbestimmte Wert bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung gleich groß wie die Differenz zwischen dem Widerstandswert des zweiten lichtemittierenden Abschnitts 42 und dem Widerstandswert des ersten lichtemittierenden Abschnitts 41, und der zweite vorbestimmte Wert ist gleich groß wie die Differenz zwischen dem Widerstandswert des dritten lichtemittierenden Abschnitts 43 und dem Widerstandswert des ersten lichtemittierenden Abschnitts 41; in diesem Fall ist die Einschaltspannung des ersten Teilpixels gleich groß wie die Einschaltspannung des zweiten Teilpixels und die Einschaltspannung des ersten Teilpixels ist gleich groß wie die Einschaltspannung des dritten Teilpixels, das heißt, dass die Einschaltspannungen des ersten Teilpixels, des zweiten Teilpixels und des dritten Teilpixels gleich oder im Wesentlichen gleich sind, wodurch die Farbübersprechenerscheinung zwischen benachbarten Teilpixeln der Pixelstruktur bei Betrieb maximal verringert wird und eine Anzeigequalität der Pixelstruktur verbessert wird.
Basierend auf dem obigen Ausführungsbeispiel ist ein orthogonaler Vorsprung der zumindest einen zweiten resistiven Struktur 9 auf dem Substrat 1 bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung durch einen orthogonalen Vorsprung des dritten lichtemittierenden Abschnitts 43 auf dem Substrat 1 vollständig bedeckt. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist ein orthogonaler Vorsprung des dritten lichtemittierenden Abschnitts 43 auf dem Substrat 1 durch einen orthogonalen Vorsprung der zumindest einen zweiten resistiven Struktur 9 auf dem Substrat 1 vollständig bedeckt. Vorzugsweise überlappt ein orthogonaler Vorsprung der zumindest einen zweiten resistiven Struktur 9 auf dem Substrat 1 genau mit einem orthogonalen Vorsprung des dritten lichtemittierenden Abschnitts 43 auf dem Substrat 1, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist, solange die zumindest eine zweite resistive Struktur 9 in einer zu dem dritten lichtemittierenden Abschnitt 43 senkrechten Richtung angeordnet ist, zumindest teilweise mit dem dritten lichtemittierenden Abschnitt 43 überlappt und nicht mit dem ersten lichtemittierenden Abschnitt 41 oder dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt 42 überlappt.
Basierend auf einem der obigen Ausführungsbeispiele ist die zumindest eine zweite resistive Struktur 9 bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 3 und der lichtemittierenden Schicht 4 angeordnet. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist die zumindest eine zweite resistive Struktur 9 zwischen der lichtemittierenden Schicht 4 und der Kathodenschicht 5 angeordnet, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist, solange die zumindest eine zweite resistive Struktur 9 in dem Zwischenraum zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 3 und der Kathodenschicht 5 angeordnet ist.
Basierend auf dem obigen Ausführungsbeispiel kann bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung in einem Fall, dass eine zweite zusätzliche lichtemittierende Schicht 7 zwischen der Kathodenschicht 5 und der lichtemittierenden Schicht 4 angeordnet ist und die zumindest eine zweite resistive Struktur 9 zwischen der lichtemittierenden Schicht 4 und der Kathodenschicht 5 angeordnet ist, die zumindest eine zweite resistive Struktur 9 je nach Anwendungsfall zwischen der lichtemittierenden Schicht 4 und der zweiten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 7 angeordnet sein, oder kann zwischen der zweiten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 7 und der Kathodenschicht 5 angeordnet sein, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist.
Es ist zu beachten, dass die zweite zusätzliche lichtemittierende Schicht 7 bei dem obigen Ausführungsbeispiel aus einer Einzelschichtstruktur oder aus einer Mehrschichtstapelstruktur bestehen kann. In einem Fall, dass die zweite zusätzliche lichtemittierende Schicht 7 aus der Mehrschichtstapelstruktur besteht, d. h., die zweite zusätzliche lichtemittierende Schicht 7 mehrere gestapelte zweite zusätzliche lichtemittierende Teilschichten umfasst, kann die zumindest eine zweite resistive Struktur 9 zwischen zwei beliebigen benachbarten zweiten zusätzlichen lichtemittierenden Teilschichten angeordnet sein.
Basierend auf einem der obigen Ausführungsbeispiele ist zumindest eine dritte zusätzliche lichtemittierende Schicht 8 bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 3 und der lichtemittierenden Schicht 4 angeordnet. Zumindest eine der zumindest einen dritten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 8 umfasst mehrere nicht durchgehende zusätzliche lichtemittierende Abschnitte, der erste lichtemittierende Abschnitt 41 ist durch einen Teil der mehreren zusätzlichen lichtemittierenden Abschnitte bedeckt, der zweite lichtemittierende Abschnitt 42 ist durch einen Teil der mehreren zusätzlichen lichtemittierenden Abschnitte bedeckt und der dritte lichtemittierende Abschnitt 43 ist durch einen Teil der mehreren zusätzlichen lichtemittierenden Abschnitte bedeckt.
Basierend auf dem obigen Ausführungsbeispiel kann bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung, in einem Fall, dass die zumindest eine zweite resistive Struktur 9 zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 3 und der lichtemittierenden Schicht 4 angeordnet ist, die zumindest eine zweite resistive Struktur 9 je nach Anwendungsfall zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 3 und der zumindest einen dritten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 8 angeordnet sein oder kann zwischen der zumindest einen dritten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 8 und der lichtemittierenden Schicht 4 angeordnet sein, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist.
Basierend auf dem obigen Ausführungsbeispiel sind mehrere dritte zusätzliche lichtemittierende Schichten 8 bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 3 und der lichtemittierenden Schicht 4 angeordnet.
Bei dem Ausführungsbeispiel kann die zumindest eine zweite resistive Struktur 9 je nach Anwendungsfall zwischen zwei beliebigen benachbarten dritten zusätzlichen lichtemittierenden Schichten 8 angeordnet sein, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist.
Es ist zu beachten, dass basierend auf einem der obigen Ausführungsbeispiele die Pixelstruktur bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung mehrere zweite resistive Strukturen 9 umfassen kann; in einem Fall, dass die Pixelstruktur mehrere zweite resistive Strukturen 9 umfasst, können unterschiedliche zweite resistive Strukturen 9 je nach Anwendungsfall zwischen zwei vollständig gleichen Schichten angeordnet sein oder zwischen zwei unvollständig gleichen Schichten angeordnet sein, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist.
Es ist außerdem zu beachten, dass die zumindest eine zweite resistive Struktur 9 und die zumindest eine erste resistive Struktur 6 bei einem der obigen Ausführungsbeispiele zwischen zwei vollständig gleichen Schichten oder zwischen zwei unvollständig gleichen Schichten angeordnet sein kann, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist.
Basierend auf einem der obigen Ausführungsbeispiele kann die zumindest eine zweite resistive Struktur 9 bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung aus einem organischen leitfähigen Material oder einem anorganischen leitfähigen Material hergestellt sein, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist, solange das Material ein leitfähiges Material ist und einen gewissen Widerstandswert aufweist. In einem Fall, dass die zumindest eine zweite resistive Struktur 9 aus einem anorganischen leitfähigen Material besteht, kann das anorganische Material je nach Anwendungsfall aus einer Gruppe ausgewählt sein, die aus Aluminium, Silber, Molybdän oder entsprechenden Oxiden, wie beispielsweise Aluminiumoxid, Silberoxid oder Molybdänoxid besteht, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist.
Basierend auf einem der obigen Ausführungsbeispiele ist der erste lichtemittierende Abschnitt 41 bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung ein rotlichtemittierender Abschnitt, der zweite lichtemittierende Abschnitt 42 ist ein grünlichtemittierender Abschnitt und der dritte lichtemittierende Abschnitt 43 ist ein blaulichtemittierender Abschnitt, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist.
Es ist zu beachten, dass die Pixelstruktur gemäß den Ausführungsbeispielen der Offenbarung bei einem der obigen Ausführungsbeispiele mit Hilfe eines Beispiels beschrieben wird, bei dem die Pixelstruktur drei Teilpixel des ersten Teilpixels, des zweiten Teilpixels und des dritten Teilpixels bei der vorliegenden Offenbarung umfasst, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist. Bei anderen Ausführungsbeispielen der Offenbarung kann die Pixelstruktur ferner gegebenenfalls andere Teilpixel umfassen und demgemäß kann die Pixelstruktur je nach Anwendungsfall ferner lichtemittierende Abschnitte umfassen, die den anderen Teilpixeln entsprechen.
Demgemäß ist ferner ein Anzeigebedienfeld 2000, wie in 20 gezeigt ist, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung vorgesehen, und das Anzeigebedienfeld 2000 umfasst die Pixelstruktur gemäß einem der obigen Ausführungsbeispiele.
Zusammengefasst ist bei der Pixelstruktur und dem Anzeigebedienfeld gemäß den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung zumindest eine erste resistive Struktur 6 in dem Zwischenraum zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 3 und der Kathodenschicht 5 angeordnet und in der zu dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt 42 senkrechten Richtung angeordnet, um den Widerstandswert des zweiten Teilpixels, das dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt 42 entspricht, durch die zumindest eine erste resistive Struktur 6 einzustellen, wodurch die Einschaltspannung des zweiten Teilpixels erhöht wird. In diesem Fall sind die Einschaltspannungen des zweiten Teilpixels und des ersten Teilpixels im Wesentlichen gleich, um die Farbübersprechenerscheinung zwischen dem ersten Teilpixel und dem zweiten Teilpixel zu verringern, wenn das Anzeigebedienfeld ein Bild anzeigt, und um die Anzeigequalität des Anzeigebedienfelds zu verbessern.
Außerdem kann in einem Fall, dass die Pixelstruktur und das Anzeigebedienfeld, das die Pixelstruktur umfasst, einen dritten lichtemittierenden Abschnitt 43 umfassen und die Einschaltspannung des dritten Teilpixels, das dem dritten lichtemittierenden Abschnitt 43 entspricht, sich von der Einschaltspannung des Teilpixels, das dem ersten lichtemittierenden Abschnitt 41 entspricht, unterscheidet, zumindest eine zweite resistive Struktur 9 in dem Zwischenraum zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht 3 und der Kathodenschicht 5 angeordnet sein und in der zu dem dritten lichtemittierenden Abschnitt 43 senkrechten Richtung angeordnet sein, um den Widerstandswert des dritten Teilpixels, das dem dritten lichtemittierenden Abschnitt 43 entspricht, durch die zumindest eine zweite resistive Struktur 9 einzustellen, wodurch die Einschaltspannung des dritten Teilpixels erhöht wird. In diesem Fall sind die Einschaltspannungen des dritten Teilpixels und des ersten Teilpixels im Wesentlichen gleich, um die Farbübersprechenerscheinung zwischen dem ersten Teilpixel und dem dritten Teilpixel zu verringern, wenn das Anzeigebedienfeld ein Bild anzeigt, und um die Anzeigequalität des Anzeigebedienfelds zu erhöhen.
Ferner können bei der Pixelstruktur und dem Anzeigebedienfeld, das die Pixelstruktur umfasst, gemäß den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung die Widerstände der zumindest einen ersten resistiven Struktur 6 und der zumindest einen zweiten resistiven Struktur 9 eingestellt werden, um die Einschaltspannungen des ersten Teilpixels, des zweiten Teilpixels und des dritten Teilpixels im Wesentlichen anzugleichen, wodurch die Farbübersprechenerscheinung zwischen zwei beliebigen benachbarten Teilpixeln des ersten Teilpixels, des zweiten Teilpixels und des dritten Teilpixels verringert wird, und die Anzeigequalität des Anzeigebedienfelds maximal verbessert wird.
Ferner ist ein Verfahren zum Herstellen einer Pixelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung vorgesehen, das auf die Pixelstruktur gemäß einem der obigen Ausführungsbeispiele angewandt wird. Wie in 18 gezeigt ist, umfasst das Verfahren folgende Schritte:
S1, Bereitstellen eines Substrats;
S2, Bilden einer Anodenschicht auf einer Oberfläche des Substrats;
S3, Bilden einer ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht auf einer Oberfläche der Anodenschicht, wobei die Anodenschicht durch die erste zusätzliche lichtemittierende Schicht, die durchgehend ist, vollständig bedeckt ist;
S4, Bilden einer lichtemittierenden Schicht und zumindest einer ersten resistiven Struktur auf einer Oberfläche der ersten zusätzlichen Schicht, wobei die lichtemittierende Schicht zumindest einen ersten lichtemittierenden Abschnitt, der einem ersten Teilpixel entspricht, und einen zweiten lichtemittierenden Abschnitt umfasst, der einem zweiten Teilpixel entspricht, eine Einschaltspannung des ersten Teilpixels größer ist als die des zweiten Teilpixels, die zumindest eine erste resistive Struktur in einer zu dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt senkrechten Richtung angeordnet ist, zumindest teilweise mit dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt überlappt und nicht mit dem ersten lichtemittierenden Abschnitt überlappt, und ein Absolutwert einer Differenz zwischen einer Summe von Widerstandswerten der zumindest einen ersten resistiven Struktur und des zweiten lichtemittierenden Abschnitts und einem Widerstandswert des ersten lichtemittierenden Abschnitts kleiner ist als ein erster vorbestimmter Wert; und
S5, Bilden einer Kathodenschicht an einer Seite der lichtemittierenden Schicht, die von der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht abgewandt ist, wobei die lichtemittierende Schicht und die zumindest eine erste resistive Struktur durch die Kathodenschicht bedeckt sind.
Basierend auf dem obigen Ausführungsbeispiel umfasst das Bilden einer lichtemittierenden Schicht und zumindest einer ersten resistiven Struktur auf einer Oberfläche der ersten zusätzlichen Schicht, wobei die lichtemittierende Schicht zumindest einen ersten lichtemittierenden Abschnitt, der einem ersten Teilpixel entspricht, und einen zweiten lichtemittierenden Abschnitt umfasst, der einem zweiten Teilpixel entspricht, wie in 19 gezeigt ist, bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung die folgenden Schritte:
S41, Bereitstellen einer ersten Maske auf der Oberfläche der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht;
S42, Bilden des ersten lichtemittierenden Abschnitts auf einem Teil der Oberfläche der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht, mit der ersten Maske als eine Maske;
S43, Entfernen der ersten Maske und Bereitstellen einer zweiten Maske auf Oberflächen des ersten lichtemittierenden Abschnitts und der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht; und
S44, Bilden des zweiten lichtemittierenden Abschnitts und der zumindest einen ersten resistiven Struktur, die auf einem Teil der Oberfläche der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht überlappen, mit der zweiten Maske als eine Maske.
Wie aus dem oben Genannten ersichtlich ist, wird eine Maske bei dem Ausführungsbeispiel der Offenbarung verwendet, um den zweiten lichtemittierenden Abschnitt und die zumindest eine erste resistive Struktur zu bilden, wodurch der Prozess zum Herstellen der Pixelstruktur vereinfacht und die Effizienz des Herstellens der Pixelstruktur verbessert wird. Es ist zu beachten, dass in dem Fall, dass eine Maske verwendet wird, um den zweiten lichtemittierenden Abschnitt und die zumindest eine erste resistive Struktur zu bilden, je nach Anwendungsfall ein Prozess zum Bilden der zumindest einen ersten resistiven Struktur vorzugsweise ein Verdampfungsprozess, ein Tintenstrahlprozess oder ein Beschichtungsprozess sein kann, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist.
Basierend auf dem obigen Ausführungsbeispiel umfasst das Bilden des zweiten lichtemittierenden Abschnitts und der zumindest einen ersten resistiven Struktur, die auf einem Teil der Oberfläche der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht überlappen, mit der zweiten Maske als eine Maske bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung ein aufeinanderfolgendes Bilden des zweiten lichtemittierenden Abschnitts und der zumindest einen ersten resistiven Struktur auf einem Teil der Oberfläche der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht mit der zweiten Maske als eine Maske, das heißt, die zumindest eine erste resistive Struktur ist zwischen dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt und der Kathodenschicht angeordnet. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel der Offenbarung umfasst das Bilden des zweiten lichtemittierenden Abschnitts und der zumindest einen ersten resistiven Struktur, die auf einem Teil der Oberfläche der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht überlappen, mit der zweiten Maske als eine Maske je nach Anwendungsfall ein aufeinanderfolgendes Bilden der zumindest einen ersten resistiven Struktur und des zweiten lichtemittierenden Abschnitts auf einem Teil der Oberfläche der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht mit der zweiten Maske als eine Maske, das heißt, die zumindest eine erste resistive Struktur ist zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht und dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt angeordnet, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist.
Basierend auf einem der obigen Ausführungsbeispiele umfasst das Verfahren bei einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung in einem Fall, dass die Pixelstruktur einen dritten lichtemittierenden Abschnitt umfasst, ferner folgende Schritte: Bilden des dritten lichtemittierenden Abschnitts und zumindest einer zweiten resistiven Struktur auf einer Oberfläche der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht, die dem ersten lichtemittierenden Abschnitt zugewandt ist, wobei die zumindest eine zweite resistive Struktur in einer zu dem dritten lichtemittierenden Abschnitt senkrechten Richtung angeordnet ist, zumindest teilweise mit dem dritten lichtemittierenden Abschnitt überlappt und nicht mit dem ersten lichtemittierenden Abschnitt oder dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt überlappt, und ein Absolutwert einer Differenz zwischen einer Summe von Widerstandswerten des dritten lichtemittierenden Abschnitts und der zumindest einen zweiten resistiven Struktur und dem Widerstandswert des ersten lichtemittierenden Abschnitts kleiner ist als ein zweiter vorbestimmter Wert.
Es ist zu beachten, dass bei dem obigen Ausführungsbeispiel eine Maske verwendet werden kann, um die zumindest eine zweite resistive Struktur und den dritten lichtemittierenden Abschnitt zu bilden, um den Prozess zum Herstellen der Pixelstruktur weiter zu vereinfachen und die Effizienz des Herstellens der Pixelstruktur zu verbessern. In einem Fall, dass eine Maske verwendet wird, um den dritten lichtemittierenden Abschnitt und die zumindest eine zweite resistive Struktur zu bilden, kann die zumindest eine zweite resistive Struktur je nach Anwendungsfall vorzugsweise durch einen Verdampfungsprozess, einen Tintenstrahlprozess oder einem Beschichtungsprozess gebildet werden, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist.
Es ist außerdem zu beachten, dass die zumindest eine zweite resistive Struktur bei dem obigen Ausführungsbeispiel je nach Anwendungsfall zwischen dem dritten lichtemittierenden Abschnitt und der Kathodenschicht angeordnet sein kann oder zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht und dem dritten lichtemittierenden Abschnitt angeordnet sein kann, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist.
Basierend auf einem der obigen Ausführungsbeispiele ist die Pixelstruktur bei einem Verfahren gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung nicht darauf beschränkt, nur drei lichtemittierende Abschnitte des ersten lichtemittierenden Abschnitts, des zweiten lichtemittierenden Abschnitts und des dritten lichtemittierenden Abschnitts zu umfassen. Bei anderen Ausführungsbeispielen der Offenbarung kann die Pixelstruktur je nach Anwendungsfall andere lichtemittierende Abschnitte umfassen, was bei der Offenbarung nicht beschränkt ist.
Wie aus dem oben Genannten ersichtlich ist, ist bei der Pixelstruktur, die mit dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der Offenbarung hergestellt ist, zumindest eine erste resistive Struktur in dem Zwischenraum zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht und der Kathodenschicht angeordnet und in der zu dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt senkrechten Richtung angeordnet, um den Widerstandswert des zweiten Teilpixels, das dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt entspricht, durch die zumindest eine erste resistive Struktur einzustellen, wodurch die Einschaltspannung des zweiten Teilpixels erhöht ist. In diesem Fall sind die Einschaltspannungen des zweiten Teilpixels und des ersten Teilpixels im Wesentlichen gleich, um die Farbübersprechenerscheinung zwischen dem ersten Teilpixel und dem zweiten Teilpixel zu erleichtern, wenn das Anzeigebedienfeld ein Bild anzeigt, und um die Anzeigequalität des Anzeigebedienfelds zu verbessern.
Außerdem kann in einem Fall, dass die Pixelstruktur einen dritten lichtemittierenden Abschnitt umfasst und die Einschaltspannung des dritten Teilpixels, das dem dritten lichtemittierenden Abschnitt entspricht, sich von der Einschaltspannung des Teilpixels, das dem ersten lichtemittierenden Abschnitt entspricht, unterscheidet, bei der Pixelstruktur, die mit dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der Offenbarung hergestellt ist, zumindest eine zweite resistive Struktur in dem Zwischenraum zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht und der Kathodenschicht angeordnet sein und in der zu dem dritten lichtemittierenden Abschnitt senkrechten Richtung angeordnet sein, um den Widerstandswert des dritten Teilpixels, das dem dritten lichtemittierenden Abschnitt entspricht, durch die zumindest eine zweite resistive Struktur einzustellen, wodurch die Einschaltspannung des dritten Teilpixels erhöht ist. In diesem Fall sind die Einschaltspannungen des dritten Teilpixels und des ersten Teilpixels im Wesentlichen gleich, um das Farbübersprechen zwischen dem ersten Teilpixel und dem dritten Teilpixel zu erleichtern, wenn das Anzeigebedienfeld ein Bild anzeigt, und um die Anzeigequalität des Anzeigebedienfelds zu verbessern.
Ferner können bei der Pixelstruktur, die mit dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der Offenbarung hergestellt ist, die Widerstände der zumindest einen ersten resistiven Struktur und der zumindest einen zweiten resistiven Struktur eingestellt werden, um die Einschaltspannungen des ersten Teilpixels, des zweiten Teilpixels und des dritten Teilpixels im Wesentlichen anzugleichen, wodurch die Farbübersprechenerscheinung zwischen zwei beliebigen benachbarten Teilpixeln des ersten Teilpixels, des zweiten Teilpixels und des dritten Teilpixels erleichtert wird, und die Anzeigequalität des Anzeigebedienfelds maximal verbessert wird.
Die Absätze in der Beschreibung sind auf fortschreitende Art und Weise beschrieben, Unterschiede zu den anderen Absätzen sind in jedem Absatz hervorgehoben und es kann bezüglich gleicher oder ähnlicher Teile in den Absätzen aufeinander verwiesen werden.
Die obigen Beschreibungen ermöglichen es Fachleuten, die Offenbarung zu verwirklichen oder zu verwenden. Verschiedene Modifizierungen der Ausführungsbeispiele gemäß der vorliegenden Offenbarung sind Fachleuten ersichtlich und hierin definierte allgemeine Prinzipien können bei anderen Ausführungsbeispielen implementiert werden, ohne von dem Schutzbereich der Offenbarung abzuweichen. Daher ist die vorliegende Offenbarung nicht auf diese hierin offenbarten Ausführungsbeispiele beschränkt, sondern sollte dem größtmöglichen Schutzumfang gemäß den hierin offenbarten Prinzipien und neuartigen Charakteristika entsprechen.

Claims

Eine Pixelstruktur, die folgende Merkmale aufweist: ein Substrat (1), eine Anodenschicht (2) auf einer Oberfläche des Substrats (1); eine erste zusätzliche lichtemittierende Schicht (3) auf einer Oberfläche der Anodenschicht (2), wobei die Anodenschicht (2) durch die erste zusätzliche lichtemittierende Schicht (3), die durchgehend ist, vollständig bedeckt ist; eine lichtemittierende Schicht (4) auf einer Oberfläche der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht (3), wobei die lichtemittierende Schicht (4) zumindest einen ersten lichtemittierenden Abschnitt (41) und einen zweiten lichtemittierenden Abschnitt (42) aufweist, der erste lichtemittierende Abschnitt (41) einem ersten Teilpixel entspricht, der zweite lichtemittierende Abschnitt (42) einem zweiten Teilpixel entspricht und eine Einschaltspannung des ersten Teilpixels größer ist als eine Einschaltspannung des zweiten Teilpixels; eine Kathodenschicht (5) auf einer Oberfläche der lichtemittierenden Schicht (4), wobei die lichtemittierende Schicht (4) durch die Kathodenschicht (5) bedeckt ist; und zumindest eine erste resistive Struktur (6) in einem Zwischenraum zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht (3) und der Kathodenschicht (5), wobei die zumindest eine erste resistive Struktur (6) in einer zu dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt (42) senkrechten Richtung angeordnet ist, zumindest teilweise mit dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt (42) überlappt und nicht mit dem ersten lichtemittierenden Abschnitt (41) überlappt, und ein Absolutwert einer Differenz zwischen einer Summe von Widerstandswerten der zumindest einen ersten resistiven Struktur (6) und des zweiten lichtemittierenden Abschnitts (42) und einem Widerstandswert des ersten lichtemittierenden Abschnitts (41) kleiner ist als ein erster vorbestimmter Wert.
Die Pixelstruktur gemäß Anspruch 1, bei der ein orthogonaler Vorsprung des zweiten lichtemittierenden Abschnitts (42) auf das Substrat (1) durch einen orthogonalen Vorsprung der zumindest einen ersten resistiven Struktur (6) auf das Substrat (1) vollständig bedeckt ist, oder ein orthogonaler Vorsprung der zumindest einen ersten resistiven Struktur (6) auf das Substrat (1) durch einen orthogonalen Vorsprung des zweiten lichtemittierenden Abschnitts (42) auf das Substrat (1) vollständig bedeckt ist.
Die Pixelstruktur gemäß Anspruch 1, bei der die zumindest eine erste resistive Struktur (6) zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht (3) und der lichtemittierenden Schicht (4) angeordnet ist, oder die zumindest eine erste resistive Struktur (6) zwischen der lichtemittierenden Schicht (4) und der Kathodenschicht (5) angeordnet ist.
Die Pixelstruktur gemäß Anspruch 3, bei der eine zweite zusätzliche lichtemittierende Schicht (7) zwischen der Kathodenschicht (5) und der lichtemittierenden Schicht (4) angeordnet ist.
Die Pixelstruktur gemäß Anspruch 3, bei der zumindest eine dritte zusätzliche lichtemittierende Schicht (8) zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht (3) und der lichtemittierenden Schicht (4) angeordnet ist, zumindest eine der zumindest einen dritten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht (8) eine Mehrzahl nicht durchgehenden zusätzlichen lichtemittierenden Abschnitten aufweist, der erste lichtemittierende Abschnitt (41) durch einen Teil der Mehrzahl von zusätzlichen lichtemittierenden Abschnitten bedeckt ist und der zweite lichtemittierende Abschnitt (42) durch einen Teil der Mehrzahl von zusätzlichen lichtemittierenden Abschnitten bedeckt ist.
Die Pixelstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der der erste vorbestimmte Wert kleiner als oder gleich groß wie eine Differenz zwischen dem Widerstandswert des zweiten lichtemittierenden Abschnitts (42) und dem Widerstandswert des ersten lichtemittierenden Abschnitts (41) ist.
Die Pixelstruktur gemäß Anspruch 6, bei der die zumindest eine erste resistive Struktur (6) aus einem organischen leitfähigen Material oder einem anorganischen leitfähigen Material hergestellt ist, wobei das anorganische leitfähige Material aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Aluminium, Silber, Molybdän, Aluminiumoxid, Silberoxid oder Molybdänoxid besteht.
Die Pixelstruktur gemäß Anspruch 6, bei der die zumindest eine erste resistive Struktur (6) eine Dicke in einem Bereich von 5 nm bis einschließlich 30 nm aufweisen.
Die Pixelstruktur gemäß Anspruch 1, bei der die lichtemittierende Schicht (4) ferner einen dritten lichtemittierenden Abschnitt (43) aufweist, der dritte lichtemittierende Abschnitt (43) einem dritten Teilpixel entspricht und eine Einschaltspannung des dritten Teilpixels größer ist als die Einschaltspannung des zweiten Teilpixels und nicht größer ist als die Einschaltspannung des ersten Teilpixels; die Pixelstruktur weist ferner zumindest eine zweite resistive Struktur (9) in dem Zwischenraum zwischen der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht (3) und der Kathodenschicht (5) auf, wobei die zumindest eine zweite resistive Struktur (9) in einer zu dem dritten lichtemittierenden Abschnitt (43) senkrechten Richtung angeordnet ist, zumindest teilweise mit dem dritten lichtemittierenden Abschnitt (43) überlappt und nicht mit dem ersten lichtemittierenden Abschnitt (41) oder dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt (42) überlappt, und ein Absolutwert einer Differenz zwischen einer Summe von Widerstandswerten des dritten lichtemittierenden Abschnitts (43) und der zumindest einen zweiten resistiven Struktur (9) und dem Widerstandswert des ersten lichtemittierenden Abschnitts (41) kleiner ist als ein zweiter vorbestimmter Wert.
Die Pixelstruktur gemäß Anspruch 9, bei der der zweite vorbestimmte Wert kleiner als oder gleich groß wie eine Differenz zwischen dem Widerstandswert des dritten lichtemittierenden Abschnitts (43) und dem Widerstandswert des ersten lichtemittierenden Abschnitts (41) ist.
Ein Verfahren zum Herstellen einer Pixelstruktur, das auf die Pixelstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10 angewandt wird, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Bereitstellen des Substrats; Bilden einer Anodenschicht auf einer Oberfläche des Substrats; Bilden der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht auf einer Oberfläche der Anodenschicht, wobei die Anodenschicht durch die erste zusätzliche lichtemittierende Schicht, die durchgehend ist, vollständig bedeckt ist; Bilden der lichtemittierenden Schicht und der zumindest einen ersten resistiven Struktur auf einer Oberfläche der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht, wobei die lichtemittierende Schicht zumindest den ersten lichtemittierenden Abschnitt, der einem ersten Teilpixel entspricht, und einen zweiten lichtemittierenden Abschnitt aufweist, der einem zweiten Teilpixel entspricht, eine Einschaltspannung des ersten Teilpixels größer ist als eine Einschaltspannung des zweiten Teilpixels, die zumindest eine erste resistive Struktur in einer zu dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt senkrechten Richtung angeordnet ist, zumindest teilweise mit dem zweiten lichtemittierenden Abschnitt überlappt und nicht mit dem ersten lichtemittierenden Abschnitt überlappt, und ein Absolutwert einer Differenz zwischen einer Summe von Widerstandswerten der zumindest einen ersten resistiven Struktur und des zweiten lichtemittierenden Abschnitts und einem Widerstandswert des ersten lichtemittierenden Abschnitts kleiner ist als ein erster vorbestimmter Wert; und Bilden der Kathodenschicht an einer Seite der lichtemittierenden Schicht, die von der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht abgewandt ist, wobei die lichtemittierende Schicht und die zumindest eine erste resistive Struktur durch die Kathodenschicht bedeckt sind.
Das Verfahren gemäß Anspruch 11, bei dem das Bilden der lichtemittierenden Schicht und der zumindest einen ersten resistiven Struktur auf einer Oberfläche der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht folgende Schritte aufweist: Bereitstellen einer ersten Maske auf der Oberfläche der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht; Bilden des ersten lichtemittierenden Abschnitts auf einem Teil der Oberfläche der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht, mit der ersten Maske als eine Maske; Entfernen der ersten Maske und Bereitstellen einer zweiten Maske auf Oberflächen des ersten lichtemittierenden Abschnitts und der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht; und Bilden des zweiten lichtemittierenden Abschnitts und der zumindest einen ersten resistiven Struktur, die auf einem Teil der Oberfläche der ersten zusätzlichen lichtemittierenden Schicht überlappt sind, mit der zweiten Maske als eine Maske.
Ein Anzeigebedienfeld (2000), das die Pixelstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10 aufweist.