CN111816690B - 显示器件及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示器件及显示装置，属于显示设备技术领域，其旨在减轻显示器件的横向串扰的问题。显示器件包括相对设置的阳极层和阴极层，以及设置于阳极层和阴极层之间的发光层，发光层包括间隔设置的蓝色发光像素、红色发光像素和绿色发光像素；阳极层和/或阴极层与发光层之间设置有电荷产生层，且电荷产生层与红色发光像素、绿色发光像素中的至少一者相对。本发明提供的显示器件及显示装置，由于电荷产生层的注入势垒较大，从而增大了红色发光像素和绿色发光像素的驱动电压，以使红色发光像素、绿色发光像素与蓝色发光像素的驱动电压差异减小，可减轻显示器件的横向串扰的现象。

Description

显示器件及显示装置
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域，尤其涉及一种显示器件及显示装置。
背景技术
有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED) 是一种利用电激发荧光体或磷光体有机化合物实现发光的器件；采用OLED 制成的显示器件具有自发光、响应快等诸多优点，因而在显示领域具有较大的应用前景。
OLED显示器件包括衬底以及设置在衬底上的红色(R)发光像素、绿色(G)发光像素及蓝色(B)发光像素，其中，红色发光像素的驱动电压VR、绿色发光像素的驱动电压VG分别小于蓝色发光像素的驱动电压VB；由于在点亮蓝色发光像素时，在蓝光发光像素与红色发光像素之间存在横向漏电流，以及在蓝色发光像素与绿色发光像素之间存在横向漏电流，横向漏电流引起红色发光像素、绿色发光像素发光，从而OLED显示器件出现横向串扰的现象。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示器件及显示装置，能够增大红色发光像素、绿色发光像素的驱动电压，可减轻显示器件的横向串扰的现象。
为了实现上述目的，本发明实施例采用如下技术方案：
第一方面，本发明实施例提供了一种显示器件，包括：相对设置的阳极层、阴极层以及设置于所述阳极层和所述阴极层之间的发光层，所述发光层包括间隔设置的蓝色发光像素、红色发光像素和绿色发光像素；所述红色发光像素和所述绿色发光像素中的至少一个发光像素所对应的所述阳极层和/或所述阴极层之间设有电荷产生层。
在一种可选实施例中，所述电荷产生层包括设置于所述发光层与所述阳极层之间的第一电荷产生层；和/或，设置于所述发光层与所述阴极层之间的第二电荷产生层；所述第一电荷产生层包括电子掺杂层和第一空穴注入层，所述电子掺杂层位于所述绿色发光像素和/或所述红色发光像素与所述阳极层之间；所述第二电荷产生层包括空穴掺杂层和第一电子注入层，所述空穴掺杂层位于所述绿色发光像素和/或所述红色发光像素与所述阴极层之间。
在一种可选实施例中，所述电子掺杂层与所述阳极层之间设置有第一缓冲层，所述第一空穴注入层位于所述电子掺杂层远离所述阳极层的一侧；所述空穴掺杂层与所述阴极层之间设置有第二缓冲层，所述第一电子注入层位于所述空穴掺杂层远离所述阴极层的一侧；优选的，所述电子掺杂层包括电子传输材料及掺杂剂；所述电子传输材料为4,7-二苯基-1,10菲罗啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、苝苯并代菲二萘嵌苯4,5-苯并菲中的一种或者上述组合；所述掺杂剂为碳酸锂、锂、镁、铯、镱、8- 羟基喹啉-铝、8-羟基喹啉-锂中的一种或者上述组合。
在一种可选实施例中，所述第一缓冲层位于所述绿色发光像素与所述阳极层之间。
在一种可选实施例中，所述第二缓冲层位于所述绿色发光像素与所述阴极层之间。
在一种可选实施例中，所述第一空穴注入层与所述发光层之间设置有第二空穴注入层；所述第一空穴注入层的HOMO能级大于所述第二空穴注入层的HOMO能级，且所述第二空穴注入层位于所述蓝色发光像素、所述红色发光像素、所述绿色发光像素中的至少一个发光像素与所述第一空穴注入层之间。
在一种可选实施例中，所述第二空穴注入层位于所述绿色发光像素与所述第一空穴注入层之间。
在一种可选实施例中，所述第一电子注入层与所述发光层之间设置有第二电子注入层；所述第一电子注入层的LUMO能级小于所述第二电子注入层的LUMO能级，且所述第二电子注入层位于所述蓝色发光像素、所述红色发光像素、所述绿色发光像素中的至少一个发光像素与所述第一电子注入层之间。
在一种可选实施例中，所述第二电子注入层位于所述绿色发光像素与所述第一电子注入层之间。
第二方面，本发明实施例提供了一种显示装置，其包括第一方面所述的显示器件。
本发明实施例提供的显示器件及显示装置具有以下优点；
本发明实施例提供的显示器件及显示装置，显示器件包括衬底，衬底设置有阳极层、阴极层以及位于阳极层和阴极层之间的蓝色发光像素、绿色发光像素和红色发光像素；红色发光像素、绿色发光像素中的至少一者与其所对应的阳极层和阴极层之间设置有电荷产生层，即此电荷产生层可位于红色发光像素与阴极层和/或阳极层之间，以及电荷产生层可位于绿色发光像素与阴极层和/或阳极层之间。
与相关技术中阳极层和/或阴极层与红色发光像素、绿色发光像素之间未设置有电荷产生层相比，由于电荷产生层的注入势垒较大，因此，可增大绿色发光像素和/或红色发光像素的驱动电压，使蓝色发光像素与绿色发光像素、红色发光像素的驱动电压之间差异减小，可减轻在点亮蓝色发光像素时，显示器件产生的横向串扰的现象。
除了上面所描述的本发明解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外，本发明提供的显示器件及显示装置所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有益效果，将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对本发明实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一部分实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例一提供的电荷产生层的布置示意图；
图2为本发明实施例一提供的电子掺杂层的布置示意图一；
图3为本发明实施例一提供的电子掺杂层的布置示意图二；
图4为本发明实施例一提供的空穴掺杂层的布置示意图一；
图5为本发明实施例一提供的空穴掺杂层的布置示意图二；
图6为本发明实施例二提供的第一缓冲层布置示意图一；
图7为本发明实施例二提供的第一缓冲层的布置示意图二；
图8为本发明实施例二提供的第二缓冲层的布置示意图一；
图9为本发明实施例二提供的第二缓冲层的布置示意图二；
图10为本发明实施例三提供的第二空穴注入层的布置示意图一；
图11为本发明实施例三提供的第二空穴注入层的布置示意图二；
图12为本发明实施例三提供的第二电子注入层的布置示意图一；
图13为本发明实施例提三供的第二电子注入层的布置示意图二；
图14为本发明实施例四提供的空穴传输层、电子传输层、阻挡层的布置示意图；
图15为本发明实施例四提供的阳极层的结构示意图。
附图标记说明：
10-衬底； 20-阳极层；
21-第一导电膜层； 22-金属导电层；
23-第二导电膜层； 30-第一电荷产生层；
31-电子掺杂层； 32-第一空穴注入层；
33-第二空穴注入层； 40-发光层；
41-蓝色发光像素； 42-绿色发光像素；
43-红色发光像素； 50-第二电荷产生层；
51-空穴掺杂层； 52-第一电子注入层；
53-第二电子注入层； 60-阴极层；
70-第一缓冲层； 80-第二缓冲层；
90-空穴传输层； 100-电子传输层；
110-封装层； 421-第一电子阻挡层；
431-第二电子阻挡层。
具体实施方式
相关技术中，OLED显示器件包括衬底以及设置在衬底上的红色(R) 发光像素、绿色(G)发光像素以及蓝色(B)发光像素，其中，R、G发光像素的驱动电压VR、VG小于B发光像素的驱动电压VB；由于在点亮B发光像素时，在B发光像素与R发光像素之间存在横向漏电流，以及B发光像素与 G发光像素之间存在横向漏电流，横向漏电流可引起R、G发光像素发光，从而OLED显示器件出现横向串扰现象。
为解决上述问题，本发明实施例提供了一种显示器件及显示装置，其包括设置在阳极层和阴极层之间的发光层，发光层包括间隔设置的蓝色发光像素、绿色发光像素和红色发光像素；阳极层和/或阴极层与发光层之间设置有电荷产生层，且电荷产生层与红色发光像素、绿色发光像素中的至少一者相对；由于电荷产生层的注入势垒较大，从而增大了红色发光像素和绿色发光像素的驱动电压，以使红色发光像素、绿色发光像素与蓝色发光像素的驱动电压之间的差异减小，可减轻在点亮蓝色发光像素时，显示器件出现的横向串扰的现象。
为了使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本发明保护的范围。
实施例一
如图1所示，本发明实施例提供的显示器件可以是OLED显示器件，显示器件包括衬底10以及形成在衬底10上的阳极层20和阴极层60，阳极层 20和阴极层60之间设置有发光层40，发光层40包括间隔设置的蓝色发光像素41、绿色发光像素42和红色发光像素43；发光层40可包括多个蓝色发光像素41、多个绿色发光像素42、多个红色发光像素43，其中，多个蓝色发光像素41、多个绿色发光像素42以及多个红色发光像素43可呈行或列分布，本实施例对于发光像素的个数不做具体限定。
发光层40与阳极层20之间设置有电荷产生层；和/或，发光层40与阴极层60之间设置有电荷产生层。为便于描述，本实施例可将设置在发光层 40与阳极层20之间的电荷产生层定义为第一电荷产生层30，将设置在发光层40与阴极层60之间的电荷产生层定义为第二电荷产生层50；上述电荷产生层可仅与绿色发光像素42相对；或者，电荷产生层可仅与红色发光像素43相对，或者电荷产生层同时与红色发光像素43、绿色发光像素42相对。
本发明实施例在发光层40与阴极层60之间设置有与绿色发光像素42和 /或红色发光像素43相对的电荷产生层。当电荷产生层位于阳极层与发光层之间时，电荷产生层包括电子掺杂层31(n型掺杂层)与第一空穴注入层32 (p型掺杂层)，电子掺杂层31与第一空穴注入层32接触时，第一空穴注入层32的HOMO能级与电子掺杂层31的LUMO能级发生能带弯曲，在外加电场作用下，电子便从第一空穴注入层32的HOMO能级注入到电子掺杂层31的LUMO能级上，即第一空穴注入层32上产生空穴。由于电子需要克服从第一空穴注入层32的HOMO能级到电子掺杂层31的LUMO能级之间的势垒，从而产生注入损耗，降低了第一空穴注入层32中的空穴，使器件的电压升高。
同样的，当电荷产生层位于阴极层与发光层之间时，电荷产生层包括第一电子注入层52(n型掺杂层)与空穴掺杂层51(p型掺杂层)，在外加电场作用下，电子便从空穴掺杂层51的HOMO能级注入到第一电子注入层52 的LUMO能级上，但是电子需要克服从空穴掺杂层51的HOMO能级到第一电子注入层52的LUMO能级之间的势垒，从而产生注入损耗，降低了注入至器件中的电子，使器件的电压升高。
因此，本发明实施例在红色发光像素43和绿色发光像素42中的至少一个发光像素所对应的阳极层和/或阴极层之间设有电荷产生层，即可以为：阳极层20和/或阴极层60与绿色发光像素42之间设置有电荷产生层，以及阳极层20和/或阴极层60与红色发光像素43之间设置有电荷产生层，能够增大绿色发光像素42和红色发光像素43的驱动电压，以使绿色发光像素42、红色发光像素43与蓝色发光像素41的之间的驱动电压差异减少，进而在点亮蓝色发光像素41时，可避免产生的横向漏电流而点亮绿色发光像素42、红色发光像素43，以减轻OLED显示器件的横向串扰现象。也可以为：阳极层20和/或阴极层60与绿色发光像素42之间设置有电荷产生层，能够增大绿色发光像素42的驱动电压，以使绿色发光像素42与蓝色发光像素41的之间的驱动电压差异减少，进而在点亮蓝色发光像素41时，可避免产生的横向漏电流而点亮绿色发光像素42，以减轻OLED显示器件的横向串扰现象。也可以为：阳极层和/或阴极层与红色发光像素之间设置有电荷产生层，能够增大红色发光像素43的驱动电压，以使红色发光像素43与蓝色发光像素41的之间的驱动电压差异减少，进而在点亮蓝色发光像素41时，可避免产生的横向漏电流而点亮红色发光像素43，以减轻OLED显示器件的横向串扰现象。
具体地，本发明实施例提供的衬底10可以是任何可以作为OLED显示器件的衬底；例如，衬底10可以为透明的玻璃基板或者透明的塑料基板，并且衬底10需具有优异的透明度和表面平滑度。
阳极层20包括多个呈阵列分布的阳极，并且多个阳极分别与发光层40 中的多个蓝色发光像素41、多个绿色发光像素42以及多个红色发光像素43 一一对应，阳极层20的制作材料可以是具有高功函数的金属氧化物制作，其包括但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)或者具有高导电率的任何适合的透明材料制作；也可以是金属氧化物与金属的叠层结构，如ITO/AG/ITO。可理解的是，本实施例可对阳极层 20进行刻蚀并形成多个阳极。
阴极层60可以是整层结构，并与发光层40相对设置；阴极层60的制作材料可以采用低功函数金属材料或者合金材料，其包括但不限于锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)或者铝锂合金(Al-Li)。阴极层60作为显示器件的阴极，在阳极和阴极施加电压形成电场后，阳极注入的空穴和阴极注入的电子进入到发光层40的复合区形成激子，激子辐射跃迁发射光子从而形成电致发光。第一电荷产生层30包括电子掺杂层31和第一空穴注入层32，电子掺杂层31位于第一空穴注入层32远离发光层40的一侧，电子掺杂层31可位于阳极层20朝向发光层40的表面上，部分第一空穴注入层32覆盖电子掺杂层 31，部分第一空穴注入层32覆盖在阳极层20上。
第一空穴注入层32的制作材料可以是具有较高迁移率的空穴材料，空穴注入层的制作材料的迁移率可以大于或等于10-3cm2/VS；空穴注入层的制作材料包括聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺掺杂三氧化钼 (NPB:MoO3)、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺掺杂氯化铁 (NPB:FeCl3)、4，4'-二(9-咔唑)联苯的任意一种。
电子掺杂层31包括电子传输材料和掺杂剂；其中，在阳极层20的表面制备电子掺杂层31过程中，需要将掺杂剂与电子传输材料通过蒸镀工艺形成在阳极层20的表面上。上述电子传输材料具有较高的迁移率，电子传输材料的迁移率可以大于或等于10-4cm2/VS。
例如，电子传输材料包括但不限于4,7-二苯基-1,菲罗啉(Bphen)、1,3,5- 三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、苝苯并代菲二萘嵌苯4,5-苯并菲 (PTCAD)，或者电子传输材料可以是上述材料中的组合；掺杂剂可以为碳酸锂(Li2CO3)、锂(Li)、镁(Mg)、铯(Cs)、镱(Yb)、8-羟基喹啉-铝(Alq3)、 8-羟基喹啉-锂(Liq)中一种或两种及以上的组合。可以理解的是，制备电子掺杂层31的过程中，上述电子传输材料和上述掺杂剂可以任意组合使用，本实施例对此不加以限制。
如图2和图3所示，上述电子掺杂层31可与绿色发光像素42和/或红色发光像素43相对；即电子掺杂层31可位于绿色发光像素42与阳极层20之间；或者，电子掺杂层31位于红色发光像素43与阳极层20之间，或者，电子掺杂层31位于阳极层20与红色发光像素43、绿色发光像素42之间。
参阅图2，由于电子掺杂层31与第一空穴注入层32形成的第一电荷产生层30，电子掺杂层与第一空穴注入层32接触时，第一空穴注入层32的 HOMO能级与电子掺杂层31的LUMO能级发生能带弯曲，在外加电场作用下，电子便从第一空穴注入层32的HOMO能级注入到电子掺杂层31的 LUMO能级上；由于电子需要克服从第一空穴注入层32的HOMO能级到电子掺杂层31的LUMO能级之间的势垒，从而产生空穴注入损耗，降低了第一空穴注入层32中的空穴，使电子掺杂层31所对的发光像素的驱动电压升高。即当电子掺杂层31仅与绿色发光像素42相对时，电子掺杂层31与第一空穴注入层32形成的第一电荷产生层30，可增大绿色发光像素42的驱动电压，以使绿色发光像素42的驱动电压与蓝色发光像素41的驱动电压差异减小，进而在点亮蓝色发光像素41时，可避免绿色发光像素42发光而引起横向串扰的现象。
参阅图3，当电子掺杂层31仅与红色发光像素43相对时，电子掺杂层 31与第一空穴注入层32形成的第一电荷产生层30，同理，由于电子需要克服从第一空穴注入层32的HOMO能级到电子掺杂层31的LUMO能级之间的势垒，从而产生空穴注入损耗，降低了第一空穴注入层32中的空穴，使电子掺杂层31所相对的发光像素的驱动电压升高；即增大红色发光像素43的驱动电压，以使红色发光像素43的驱动电压与蓝色发光像素41的驱动电压差异性减小，进而在点亮蓝色发光像素41时，可避免红色发光像素43发光而引起横向串扰的现象。
参阅图1，进一步的，本发明实施例可优选地将电子掺杂层31同时与红色发光像素43、绿色发光像素42相对，可增大红色发光像素43的驱动电压、绿色发光像素42的驱动电压，以使红色发光像素43、绿色发光像素42与蓝色发光像素41的驱动电压趋于一致；当点亮蓝色发光像素41 时，可避免红色发光像素43、绿色发光像素42发光，可显著减轻横向串扰现象。
本发明实施例以在绿色发光像素42与阳极层20之间设置电子掺杂层31 为例，通过实验数据对其提升绿色发光像素42的驱动电压进行说明。
参阅图表1：本发明实施例中绿色发光像素42与阳极层20之间设置有电子掺杂层31，电子掺杂层31与第一空穴注入层32之间形成第一电荷产生层30，与相关技术中未设置有电子掺杂层的显示器件相比，本发明实施例在绿色发光像素42与阳极层20之间设置有电子掺杂层31，可以提高绿色发光像素42的驱动电压，并且绿色发光像素42的发光效率不受影响。可理解的是，对于设置在红色发光像素43与阳极层20之间的电子掺杂层31，可以提高红色发光像素43的驱动电压，并且红色发光像素43的发光效率不受影响，此处不再列举图表进行说明。
表1
Figure BDA0002655515340000091
在上述实施例的基础上，本发明实施例提供的显示器件还包括设置在阴极层60与发光层40之间的第二电荷产生层50，其结构如图4和图5 所示。第二电荷产生层50包括空穴掺杂层51和第一电子注入层52，空穴掺杂层51位于第一电子注入层52远离发光层40的一侧，空穴掺杂层51 可设置在阴极层60朝向发光层40的表面上，且部分第一电子注入层52覆盖阴极层60，部分第一电子注入才能够覆盖空穴掺杂层51。
第一电子注入层52的制作材料可以是3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1':3',1”-三联苯]-3,3”-二基]二吡啶掺杂Li2CO3，三羟基喹啉铝掺杂Li2CO3等；或者第一电子注入层52的制作材料还可以是包括氟化锂(LiF)、8-羟基喹啉-锂中的任意一种或组合，以及采用碱金属、碱金属氧化物、或者其他的碱金属氟化物；其中，碱金属氧化物包括但不限于氧化锂(Li2O)、氧化锂硼(LiBO2)、硅氧化钾(K2SiO3)、碳酸铯(Cs2CO3) 等；碱金属氟化物包括氟化钠(NaF)等。
空穴掺杂层51的制作材料可参照上述第一空穴注入层32的制作材料，此处不再赘述；其中，空穴掺杂层51可与绿色发光像素42和/或红色发光像素43相对，即空穴掺杂层51可仅与绿色发光像素42相对；或者，空穴掺杂层51可仅与红色发光像素43相对；或者，空穴掺杂层51 与绿色发光像素42、红色发光像素43均相对设置。
参阅图4，由于空穴掺杂层51与第一电子注入层52形成的第二电荷产生层50，在外加电场作用下，电子便从空穴掺杂层51的HOMO能级注入到第一电子注入层的LUMO能级上，但是电子需要克服从空穴掺杂层 51的HOMO能级到电子注入层的LUMO能级之间的势垒，从而产生注入损耗，降低了注入至器件中的电子，使空穴掺杂层51所对的发光像素驱动电压升高。即即当空穴掺杂层51与绿色发光像素42相对时，可增大绿色发光像素42的驱动电压，以使绿色发光像素42的驱动电压与蓝色发光像素41的驱动电压的差异减小，进而在点亮蓝色发光像素41时，可避免绿色发光像素42发光而引起横向串扰的现象。
参阅图5，当空穴掺杂层51与红色发光像素43相对时，可增大红色发光像素43的驱动电压，以使红色发光像素43的驱动电压与蓝色发光像素41的驱动电压趋于一致，进而在点亮蓝色发光像素41时，可避免红色发光像素43发光而引起横向串扰的现象。
参阅图1，本实施例可优选地将空穴掺杂层51同时与红色发光像素 43、绿色发光像素42相对设置，可分别增大绿色发光像素42的驱动电压、红色发光像素43的驱动电压，以使红色发光像素43、绿色发光像素42 与蓝色发光像素41的驱动电压趋于一致；当点亮蓝色发光像素41时，可避免红色发光像素43、绿色发光像素42发光，可显著减轻横向串扰现象。
可以理解的是，本实施例中阳极层20与发光层40之间设置有第一电荷产生层30，且阴极层60与发光层40之间设置有第二电荷产生层50；上述第一电荷产生层30的多种不同布置方案可与第二电荷产生层50的多种不同布置方案任意组合，能够减轻在点亮蓝色发光像素41时的横向串扰现象即可，对于具体组合方式此处不再赘述。
实施例二
在实施例一的基础上，进一步改进，具体如图6所示；本申请实施例在第一电荷产生层30和阳极层20之间设置有第一缓冲层70，第一缓冲层 70与第一电荷产生层30中的电子掺杂层31相对设置，换言之，第一缓冲层70可同时与发光层40中绿色发光像素42、红色发光像素43相对设置。
具体地，在阳极层20朝向发光层40的表面蒸镀形成第一缓冲层70，第一缓冲层70的制作材料可以是镱(Yb)、氟化锂(LiF)、8-羟基喹啉 -锂(Liq)等材料。若第一缓冲层70采用无机材料制作，则其厚度可以是5至15nm，若第一缓冲层70采用有机材料制作，则其厚度可以是50nm。
第一缓冲层70可以调整电子掺杂层31(n型掺杂层)与第一空穴注入层32(p型掺杂层)两者之间的费米能级，可使电子掺杂层31与第一空穴注入层32的费米能级更加接近，从而降低电子从第一空穴注入层32 到电子掺杂层31的注入势垒，降低了注入损耗，从而提高器件中的空穴电流，降低了第一缓冲层70所对应的发光像素的驱动电压，以调整其对应发光像素的驱动电压的增加幅度，使其减缓增大。
如图7所示，进一步的，第一缓冲层70可设置在电子掺杂层31与阳极层20之间，且第一缓冲层70与绿色发光像素42相对。此时，与红色发光像素43相对的电子掺杂层31与阳极层20之间未设置有缓冲层；进而可利用第一缓冲层70可减缓绿色发光像素42的驱动电压的增大，以使红色发光像素43的驱动电压的增幅大于绿色发光像素42的驱动电压的增幅，从而使红色发光像素43以及绿色发光像素42的驱动电压接近，进而可显著减轻在点亮蓝色发光像素41时，引起的显示器件的横向串扰现象。
如图8所示，可以在实施例一的基础上和/或上述实施例二的基础上进一步改进，具体为：第二电荷产生层50和阴极层60之间设置有第二缓冲层80，第二缓冲层80与第二电荷产生层50中的空穴掺杂层51相对，换言之，第二缓冲层80可同时与发光层40中的绿色发光像素42、红色发光像素43相对。
第二缓冲层80可采用蒸镀工艺形成在空穴掺杂层51的上方，第二缓冲层80的制作材料可以是氧化钼(MoO3),第二缓冲层80可以调整空穴掺杂层(P型掺杂层)51与第一电子注入层52(n型掺杂层)两者之间的费米能级，可使空穴掺杂层51与第一电子注入层52的费米能级更加接近，从而降低电子从空穴掺杂层51到第一电子注入层52的注入势垒，降了注入损耗，从而提高器件中的电子电流，降低了第一缓冲层80所对应的发光像素的驱动电压，以调整其所对应的发光像素的驱动电压的增加幅度，使其减缓增大。
如图9所示，进一步的，第二缓冲层80可设置在电子掺杂层31与阴极层60之间，且第二缓冲层80与绿色发光像素42相对；与红色发光像素43相对的电子掺杂层31与阳极层20之间未设置有缓冲层。如此设置，可使红色发光像素43的驱动电压的增幅大于绿色发光像素42的驱动电压的增幅，从而使红色发光像素43以及绿色发光像素42的驱动电压接近，进而可显著减轻在点亮蓝色发光像素41时，引起的显示器件的横向串扰现象。
可理解的是，在绿色发光像素42与阳极层20之间设置有第一缓冲层 70，且在绿色发光像素42与阴极层60之间设置有第二缓冲层80，可利用设置在绿色发光像素42与阳极层20、阴极层60之间的缓冲层，调整绿色发光像素42的驱动电压，可明显降低绿色发光像素42的电压增加幅度，可使蓝色发光像素41、红色发光像素43以及绿色发光像素42的驱动电压更为接近。
实施例三
如图10所示，本实施例可以在上述实施例一和/或实施例二的基础上进一步改进，具体为:本实施例中第一空穴注入层32与发光层40之间还设置有第二空穴注入层33，即第二空穴注入层33位于第一空穴注入层32 远离阳极层20的一侧，第二空穴注入层33可与蓝色发光像素41、红色发光像素43、绿色发光像素42中的至少一者相对。
由于第一空穴注入层32的HOMO能级较第二空穴注入层33中的 HOMO能级浅，也就是说第一空穴注入层32的HOMO能级大于第二空穴注入层33的HOMO能级，且第二空穴注入层33的电子迁移率大于第一空穴注入层32的电子迁移率，可以降低空穴传输的电阻，进而降低空穴注入损耗，可提升器件的空穴电流，从而可降低第二空穴注入层33所对应的发光像素的驱动电压的增加幅度，以减缓其所对应发光像素的驱动电压的增加。
当第二空穴注入层33与蓝色发光像素41相对时，可以降低蓝色发光像素41的驱动电压，进而可缩小蓝色发光像素41与绿色发光像素42、红色发光像素43之间的驱动电压的压差，使各发光像素的驱动电压差异减小，减轻显示器件的横向串扰现象。当第二空穴注入层33分别与红色发光像素43、绿色发光像素42相对时，可调整红色发光像素43、绿色发光像素42的驱动电压的增加幅度，以使红色发光像素43、绿色发光像素42 的驱动电压接近。
可理解的是，第一空穴注入层32的制作材料可以是N,N'-二苯基 -N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺掺杂三氧化钼(NPB:MoO3)、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺掺杂氯化铁(NPB:FeCl3)；第二空穴注入层33可以是2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)。
如图11所示，进一步的，第二空穴注入层33设置在绿色发光像素42 和第一空穴注入层32之间，即第二空穴注入层33仅与绿色发光像素42 相对设置；如此设置，通过第二空穴注入层33对绿色发光像素42的驱动电压的增加幅度进行调整，以使绿色发光像素42的驱动电压的增加幅度小于红色发光像素43的驱动电压的增加幅度，由于红色发光像素43所需的驱动电压的增加幅度大于绿色发光像素42所需的驱动电压的增加幅度，进而以使红色发光像素43的驱动电压与绿色发光像素42的驱动电压差异减小，进而可显著减轻在点亮蓝色发光像素41时，引起的显示器件的横向串扰现象。
如图12所示，本实施例可以在上述任意一个实施例的基础上进一步开发，也可以单独实施，具体为：本实施例中第一电子注入层52与发光层40之间还设置有第二电子注入层53，即第二电子注入层53位于第一电子注入层52远离阴极层60的一侧，第二电子注入层53可与蓝色发光像素41、红色发光像素43、绿色发光像素42中的至少一者相对。
由于第一电子注入层52的LOMO能级较第二电子注入层53中的 LOMO能级低，也就是说第一电子注入层52的LOMO能级小于第二电子注入层53的LOMO能级，且第二电子注入层53的电子迁移率大于第一电子注入层52的电子迁移率，可以降低电子传输的电阻，进而降低电子注入损耗，可提升器件的电子电流，从而可降低第二电子注入层53所对应的发光像素的驱动电压的增加幅度，以减缓其所对应发光像素的驱动电压的增加。
当第二空电子注入层53与蓝色发光像素41相对时，可以降低蓝色发光像素41的驱动电压，进而可缩小蓝色发光像素41与绿色发光像素42、红色发光像素43之间的驱动电压的压差，使各发光像素的驱动电压接近，减轻显示器件的横向串扰现象。当第二电子注入层53分别与红色发光像素43、绿色发光像素42相对时，以调整红色发光像素43、绿色发光像素42的驱动电压的增加幅度，以使红色发光像素43、绿色发光像素42的驱动电压差异性减小，减轻显示器件的横向串扰现象。
可理解的是，第一电子注入层52的制作材料可以是3,3'-[5'-[3-(3- 吡啶基)苯基][1,1':3',1”-三联苯]-3,3”-二基]二吡啶掺杂Li2CO3，三羟基喹啉铝掺杂Li2CO3等；第二电子注入层53的制作材料可以是4,7-二苯基-1,-菲罗啉掺杂Li，4,7-二苯基-1,-菲罗啉掺杂Yb，2,9-二甲基-4,7-联苯-1,-邻二氮杂菲掺杂Li，2,9-二甲基-4,7-联苯-1,-邻二氮杂菲掺杂Li2CO3。
如图13所示，进一步的，第二电子注入层53设置在绿色发光像素42和第一电子注入层52之间，即第二电子注入层53仅与绿色发光像素42相对设置；如此设置，通过第二电子注入层53对绿色发光像素42的驱动电压的增加幅度进行调整，以使绿色发光像素42的驱动电压的增加幅度小于红色发光像素43的驱动电压的增加幅度，进而以使红色发光像素43的驱动电压与绿色发光像素42的驱动电压接近，进而可显著减轻在点亮蓝色发光像素41时，引起的显示器件的横向串扰现象。
可理解的是，在绿色发光像素42与第一空穴注入层32之间设置有第二空穴注入层33，且在绿色发光像素42与第一电子注入层52之间设置有第二电子注入层53，可明显降低绿色发光像素42的电压增加幅度，可使红色发光像素43的驱动电压以及绿色发光像素42的驱动电压更为接近，以使蓝光发光像素的驱动电压、红色发光像素43的驱动电压和绿色发光像素42的驱动电压趋于一致，进而可显著减轻在点亮蓝色发光像素41时，引起的显示器件的横向串扰现象。
实施例四
如图14所示，本实施例提供的显示器件还包括空穴传输层90，空穴传输层90可设置在第一空穴注入层32与发光层40之间，空穴传输层90的空穴传输材料可采用芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、三芳胺聚合物以及咔唑聚合物制成；空穴传输层90可将空穴传输至发光层40。
发光层40和阴极层60之间设置有电子传输层100，其中，电子传输层 100可位于发光层40与第一电子注入层52之间。制作电子传输层100的电子传输材料包括：4,7-二苯基-1,-邻二氮杂菲、2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,- 菲罗啉、4,7-二苯基-1,-菲啰啉、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,-邻二氮杂菲以及8-羟基喹啉铝中的任意一种；电子传输材料还可以包括掺杂材料,掺杂材料包括碱金属及碱金属化合物，例如Cs、Li、LiCO3或者8-羟基喹啉锂(Liq)等材料。
本发明实施例提供的显示器件包括电子阻挡层，电子阻挡层包括第一电子阻挡层421、第二电子阻挡层431，第一电子阻挡层421设置在绿色发光像素42和空穴传输层90之间，且第一电子阻挡层421与绿色发光像素42相对；第二电子阻挡层431设置在红色发光像素43和空穴传输层90之间，且第二电子阻挡层431与红色发光像素43相对。
制作电子阻挡层的电子阻挡材料包括4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、 4-[1-[4-[二(4-甲基苯基)氨基]苯基]环己基]-N-(3-甲基苯基)-N-(4-甲基苯基)苯胺、1,3-双(9H-咔唑-9-基)苯的任意一种或组合；电子阻挡层可将阴极注入的电子更多地限制在绿色发光像素42、红色发光像素43，并与阳极注入的空穴复合形成激子，以增加绿色发光像素42和红色发光像素43中复合的电子和空穴对的数量，从而提升绿色发光像素42和红色发光像素43的发光效率。
同时，在绿色发光像素42、红色发光像素43的下方分别设置有第一电子阻挡层421、第二电子阻挡层431，以增大光线在微腔的传播路径，从而调整发光层40发出的光线的波长，可使绿色发光像素42、红色发光像素43发出与其相适配的波长的光，以提升发光像素的发光效率。可理解的是，本实施例中还可在蓝色发光像素41与空穴传输层90之间设置有电子阻挡层，用于增强蓝色发光像素41的发光效率。
本发明实施例提供的显示器件还可设置有空穴阻挡层，空穴阻挡层设置在发光层40与电子传输层100之间；空穴阻挡层形成在发光层40上，对于制作空穴阻挡层的空穴阻挡材料能够传输电子，空穴阻挡材料包括但不限于双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1，O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(Balq)、1，3，5-三(1- 苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)；空穴阻挡层可使阳极注入的空穴更多地限制在发光层40，可增加发光层40中的复合的电子和空穴对的数量，从而提升发光层40的发光效率。
如图15所示，本发明实施例提供的阳极层20可以是复合结构层，阳极层20可包括多个导电层；例如，阳极层20包括第一导电膜层21、第二导电膜层23以及金属导电层22；其中，金属导电层22设置在第一导电膜层21 和第二导电膜层23之间，金属导电层22可以是银材料制作而成银膜，第一导电膜层21和第二导电膜层23可分别采用氧化烟锡(ITO)制作。
可理解的是，对阳极层20进行刻蚀形成的阳极也包括多个导电层，即阳极包括第一导电膜层21、第二导电膜层23以及金属导电层22。本实施例中阳极层20采用多层结构，位于衬底10上的阳极层20可以作为OLED显示器件的底部全反射电极，由于微腔效应，可使发光材料的发射光谱与微腔谐振波长相匹配，发光层40的自发辐射得到增强，提升OLED显示器件的发光效率。在上述实施例的基础上，本发明实施例提供的显示器件还包括封装层110，封装层110设置在阴极层60上。封装层110包括透明的有机膜层和无机膜层，有机膜层的成膜材质包括聚苯二甲酸乙二醇脂(PEN)、聚对苯二甲酸二醇脂(PET)、聚酰亚胺(PI)及聚对二甲苯中的一种或者几种，有机膜层主要起到界面平坦作用，无机膜层的成膜材质为氧化铝(Al2O3)或者氮化硅(SiNx)，无机膜层具有双重作用，其不仅能够阻挡外界水汽、氧气进入显示器件内部，还可以起到隔热作用。
在上述实施例的基础上，本发明实施例还提供了一种显示装置，其包括上述实施中的显示器件，其在阳极层20和/或阴极层60与发光层40之间设置有电荷产生层，且电荷产生层与红色发光像素43、绿色发光像素 42中的至少一者相对；由于电荷产生层中的注入势垒较大，从而增大了红色发光像素43和绿色发光像素42的驱动电压，以使红色发光像素43、绿色发光像素42与蓝色发光像素41的驱动电压之间的差异减小，可减轻在点亮蓝色发光像素41时，显示器件出现的横向串扰的现象。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种显示器件，其特征在于，包括：相对设置的阳极层、阴极层以及设置于所述阳极层和所述阴极层之间的发光层，所述发光层包括间隔设置的蓝色发光像素、红色发光像素和绿色发光像素；
所述红色发光像素和所述绿色发光像素中的至少一个发光像素所对应的所述阳极层和/或所述阴极层之间设有电荷产生层；
所述电荷产生层包括设置于所述发光层与所述阳极层之间的第一电荷产生层；和/或，设置于所述发光层与所述阴极层之间的第二电荷产生层；
所述第一电荷产生层包括电子掺杂层和第一空穴注入层，所述电子掺杂层位于所述绿色发光像素和/或所述红色发光像素与所述阳极层之间；
所述第二电荷产生层包括空穴掺杂层和第一电子注入层，所述空穴掺杂层位于所述绿色发光像素和/或所述红色发光像素与所述阴极层之间；
所述电子掺杂层与所述阳极层之间设置有第一缓冲层，所述第一空穴注入层位于所述电子掺杂层远离所述阳极层的一侧；
所述空穴掺杂层与所述阴极层之间设置有第二缓冲层，所述第一电子注入层位于所述空穴掺杂层远离所述阴极层的一侧。
2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述电子掺杂层包括电子传输材料及掺杂剂；
所述电子传输材料为4,7-二苯基-1,10菲罗啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、苝苯并代菲二萘嵌苯4,5-苯并菲中的一种或者两种及以上的组合；
所述掺杂剂为碳酸锂、锂、镁、铯、镱、8-羟基喹啉-铝、8-羟基喹啉-锂中的一种或者两种及以上的组合。
3.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，所述第一缓冲层位于所述绿色发光像素与所述阳极层之间。
4.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，所述第二缓冲层位于所述绿色发光像素与所述阴极层之间。
5.根据权利要求1至4任一项所述的显示器件，其特征在于，所述第一空穴注入层与所述发光层之间设置有第二空穴注入层；
所述第一空穴注入层的HOMO能级大于所述第二空穴注入层的HOMO能级，且所述第二空穴注入层位于所述蓝色发光像素、所述红色发光像素、所述绿色发光像素中的至少一个发光像素与所述第一空穴注入层之间。
6.根据权利要求5所述的显示器件，其特征在于，所述第二空穴注入层位于所述绿色发光像素与所述第一空穴注入层之间。
7.根据权利要求1至4任一项所述的显示器件，其特征在于，所述第一电子注入层与所述发光层之间设置有第二电子注入层；
所述第一电子注入层的LUMO能级小于所述第二电子注入层的LUMO能级，且所述第二电子注入层位于所述蓝色发光像素、所述红色发光像素、所述绿色发光像素中的至少一个发光像素与所述第一电子注入层之间。
8.根据权利要求7所述的显示器件，其特征在于，所述第二电子注入层位于所述绿色发光像素与所述第一电子注入层之间。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如上述权利要求1-8任一项所述的显示器件。
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