KR20150020706A - Pin형 유기 발광 다이오드 - Google Patents

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KR20150020706A
KR20150020706A KR20157001298A KR20157001298A KR20150020706A KR 20150020706 A KR20150020706 A KR 20150020706A KR 20157001298 A KR20157001298 A KR 20157001298A KR 20157001298 A KR20157001298 A KR 20157001298A KR 20150020706 A KR20150020706 A KR 20150020706A
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모하메드 칼리파
아킴 수크리
엘렌 크로아렉
브뤼노 뒤쎄르-비달레
삘립쁘 따이유삐에르
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애스트론 피암 세이프티
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Abstract

하기의 순서로 적층제를 포함하는, PIN형 유기 발광 다이오드(OLED):
- 제1전극형태의 제1전극(2, 8),
- 제1형태의 전하 운반체의 제1전달층(3,7),
- 발광층(5),
- 제2형태의 전하 운반체의 제2전달층(3,7), 및
- 제2전극형태의 제2전극(2,8).
여기서, 상기 전달층(3,7) 중 하나 이상은 2 이상의 기초 전달층(31-3n,71-7n)을 포함함.
본 발명에 따르면, 동일한 전달층(3,7)의 각 기초 전달층(31-3n,71-7n)은 전극(2,8)에 인접한 기초 전달층(31,71)으로부터 기초 전달층(31-3n,71-7n)이 멀어질수록, 접촉된 인접한 기초 전달층에 비해 감소된 전하 운반체의 이동성, 및 이에 따라 감소된 전도도를 갖고, 동일한 전달층의 기초 전달층은 동일한 도판트 농도를 갖는다.

Description

PIN형 유기 발광 다이오드{P-I-N-TYPE ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE}
본 발명의 기술분야는 유기 발광 다이오드, 소위 OLED의 분야이다.
이러한 유기 발광 다이오드에서, 전극으로부터의 전하 운반체, 캐소드로부터의 전자 또는 애노드로부터의 정공(positive hole)의 주입은 이들 전극 사이에 전압을 인가하는 효과 하에서 수행된다. 다른 성질의 전하 운반체, 즉 전자 및 정공은 엑시톤(exciton)을 형성하기 위해 유기 이미터(emitter)를 포함하는 발광층(emission layer) 또는 활성층(active layer)에서 짝지어 진다. 방사성 재조합(radiative recombination)이 빛을 방출한다.
상기와 같이 작동하는 유기 발광 다이오드에 있어서, 에너지 효율의 개선이 소비되는 전력을 감소시키는 것 및 생성되는 광출력을 증가시키는 것 모두에 대해 요구된다.
OLED의 에너지 효율을 개선시키기 위해, 첫째로 전하 운반체의 주입을 개선할 필요가 있다. 이는 전극과의 계면의 에너지 장벽이 문제된다.
두번째로, 발광층으로 상기 전하 운반체의 전달을 개선할 필요가 있다. 이는 유기 물질의 낮은 전기 전도도가 문제된다.
US 7074500은 전극과 발광층 사이에 배치된 올바르게 도핑된 전달층은 주입 문제 및 전달 문제를 모두 해결할 수 있다는 점을 개시한다. 이와 같은 OLED는 PIN으로 지칭된다. 문자 P는 전자 수용체에 의해 도핑된 정공용 전달층을 지칭한다. 문자 N은 전자 공여체에 의해 도핑된 전자용 전달층을 지칭한다. 문자 I는 발광층을 지칭한다.
그러나, 이와 같은 도핑은 도핑된 전달층의 전기 전도도를 증가시킨다. 이와 같은 구조에서, OLED가 전도성이 되는 때에 OLED의 저항률은 크게 감소한다. OLED에서 사용되는 투명전극의 저항률은 온(on) 모드의 PIN OLED보다 항상 크고, 이는 1 cm2 초과의 넓은 OLED 표면적에 걸쳐 주입의 불균형을 일으킨다.
이는 투명전극 표면적의 증가가 상기 전극의 전기 접촉으로부터 멀어짐에 따라 OLED의 전압 강하를 일으키기 때문이다. 이와 같은 OLED 표면에서의 전압 강하는 OLED의 표면 전부에 걸친 휘도(luminance)의 균일성이 떨어지게 한다. 이와 같은 균일성은 OLED의 표면적이 클수록, 낮아진다. 이와 같이 OLED의 넓은 표면에 걸친 전압의 열악한 분산은 표면 전부에 걸친 열적 분산을 열악하게 하여, 이는 OLED의 사용수명을 단축시킨다.
균일성의 문제를 해결하기 위해, 2 이상의 OLED를 중첩시키는 탠덤(tandem) 구조를 제조하는 것이 알려져 있다. 이는 전류를 감소시키고, 빛의 효율을 증가시킬 수 있게 한다. 그러나, 이와 같은 탠덤 구조는 적어도 두배가 되는 재료 및 제조 비용 때문에 과도하게 높은 비용을 야기한다.
문헌 WO-A1 2007071450은 복수의 적층(stack)된 OLED를 개시한다.
균일성의 문제를 해결하기 위해, 비도핑된 또는 III형의 전달층을 제조하는 것도 알려져 있다. 낮은 전도도 때문에, 이는 매우 높은 작업 전압을 요구한다. 결과적으로, 빛의 효율은 낮아진다.
문헌 DE 102008 051　132 A1은 연속되는 복수의 기초 전달층을 포함하는 하나 이상의 전달층을 갖는 PIN OLED로서, 상기 기초 전달층의 전도도가 상기 전달층과 연관된 전극으로부터 멀어질수록 감소하는 PIN OLED를 개시한다. 이는 기초 전달층에서 도판트(dopant)의 농도를 감소시키거나, 및/또는 도판트를 변화시킴으로써 수득된다.
그러나, 이와 같은 방법의 사용은 제한되는데, 이는 상대적으로 낮은 특정 도핑 한계값을 넘어서면 전기 전도도가 빠르게 포화되기 때문이다. 따라서, 동일한 전달층의 기초층 내의 도판트 농도에 변화를 줌으로써 전도도를 최적으로 조절하기 위해, 도판트 포화에 대응하는 최대 농도 미만으로 유지하면서 기초층 내의 도판트 농도를 정밀하게 조절할 필요가 있다.
그러나, 이와 같은 최대 농도는 상대적으로 낮고, 흔히 도판트에 대해 10% 내지 25%에 불과하다. 따라서, 도판트 농도의 변화 범위는 상대적으로 좁고, OLED 제조 시스템에서 제어하기 어려운 낮은 농도에 대응한다.
본 발명의 과제는 PIN형 OLED에 있어서 상기한 바와 같은 약점을 방지하면서, 기초층의 방향으로 하나 이상의 전달층의 전기전도도를 감소시키는 것이다.
본 발명의 대상은 하기의 순서로 적층제를 포함하는, PIN형 유기 발광 다이오드(OLED)이다:
- 전자 및 정공의 전하 운반체 중 제1형태를 주입할 수 있는 애노드 및 캐소드 중 제1전극형태의 제1전극;
- 상기 제1형태의 전하 운반체에 따라 p 및 n 중 제1형태의 도판트에 의해 도핑된, 제1형태의 전하 운반체의 제1전달층;
- 발광층,
- 상기 제1형태의 도판트와 상이한 제2형태의 도판트에 의해 도핑된, 상기 제1형태의 전하 운반체와 상이한, 제2형태의 전하 운반체의 제2전달층; 및
- 제2형태의 전하 운반체를 주입할 수 있는, 상기 제1전극형태와 상이한, 제2전극형태의 제2전극;
여기서, 상기 전달층 중 하나 이상은 2 이상의 기초 전달층(31-3n,71-7n)을 포함하고; 기초 전달층이 인접한 전극에서 멀어질수록, 동일한 전달층의 각 기초 전달층은 인접한 기초 전달층에 비해 상기 전달층에 대응하는 전하 운반체의 감소된 이동성, 및 이에 따라 감소된 전도도를 갖고; 동일한 전달층의 기초 전달층은 동일한 도판트 농도를 가짐.
본 발명의 기술적 의의는 전하 운반체의 이동성에 영향을 주는 것만으로, 하나 이상의 전달층의 전도도를 감소시키는 것이다.
이는 전하 운반체의 전도도는 전하 운반체의 이동성 및 전하 운반체의 밀도의 곱이기 때문이다. 도핑은, 전하 운반체의 이동성은 변화하지 않은 채로 남겨둔 채 전하 운반체의 밀도가 증가하게 한다.
종래 기술에 따르면, 전도도의 감소는 전하 운반체의 밀도를 변화시킴으로써 수득되었고, 이는 상기한 바와 같은 약점을 야기하였다.
이 부분에 대해, WO 2007071450 A1은 전극에서부터 시작하여 전도도가 증가하도록 물질이 선택된 적층된 복수의 OLED를 개시하고 있는데, 이는 본 발명의 해결책과 반대로 작용한다.
본 발명은 반대의 절차를 이용하는데, 이는 연관된 전극으로부터 멀어짐에 따라 기초 전달층의 전하 운반체 밀도를 감소시킴으로써 이에 영향을 주는 것이 아니라, 전하 운반체의 이동성에 영향을 주는 것으로 구성된다.
기초 전달층의 전하 운반체의 이동성을 연관된 전극에 대한 상기 층의 거리에 따라 감소시키는 변화는 종래 기술에 따라 전하 운반체의 수를 변화시키는 경우와 같이 감소된 농도 범위로 도판트의 농도를 조절하는 것보다 훨씬 용이하다. 이와 같은 전하 운반체의 이동성의 변화는 예를 들어 전극에서 가장 먼 기초 전달층의 물질이 가장 낮은 전하 운반체 이동성을 갖도록, 기초 전달층의 기초 물질을 인접한 층의 물질과 다르게 변화시키는 것에 의해 수행될 수 있다.
이는 제조방법의 제한요소인 기초 전달층의 도판트의 농도를 변화시킬 필요없이 수행될 수 있다. 이와 달이, 본 발명은 동일한 도판트 농도로 도핑된 상이한 전하 운반체 이동성을 가지는 다양한 전달 물질을 사용하는 것을 제안한다.
전달층은 일 형태의 전하를 전달하는 기능을 수행할 수 있는 층을 의미한다. 층이 다수의 기초 전달층을 포함하는 경우, 이들은 OLED의 두께를 따라 서로 접촉하면서 이어진다. 따라서, 전달층은 기초층의 적층체이다.
유리하게는, 기초 전달층을 도핑하기 위해 사용되는 p-형 도판트는 유기 또는 무기 도판트이고, 4 eV 초과의 LUMO 또는 전도대 레벨(conduction band level)을 갖는다.
유리하게는, 상기 LUMO 또는 전도대 레벨 4.8 eV 초과이다.
유리하게는, 기초 전달층을 도핑하기 위해 사용되는 n-형 도판트는 4 eV 미만의 HOMO 또는 가전자대 레벨(valency band level)을 갖는 유기 또는 무기 도판트이다.
유리하게는, 상기 HOMO 또는 가전자대 레벨은 3 eV 미만이다.
PIN형 발광다이오드는 하기를 더 포함한다:
- 상기 제1전달층과 상기 발광층 사이에 배치되는, 제2형태의 전하 운반체를 차단하기 위한 제1층, 및
- 상기 발광층과 상기 제2전달층 사이에 배치되는, 제1형태의 전하 운반체를 차단하기 위한 제2층.
유리하게는, 인접한 전극으로부터 가장 가까운 기초 전달층의 이동성은 10-3 cm2/Vs 이상이다.
유리하게는, 인접한 전극으로부터 가장 가까운 기초 전달층의 전도도는 10-5 S/cm 이상이다.
유리하게는, 기초 전달층과 인접한 전극에서 가장 먼 인접한 기초 전달층 사이의 이동성의 감소율은 10배 이상이다.
유리하게는, 전달층의 총 두께는 100 nm 이상이다.
유리하게는, 전달층의 총 두께는 200 nm 이상이다.
유리하게는, 인접한 전극에서 가장 먼 기초 전달층의 두께는 30 nm 이하이다.
유리하게는, 전달층의 총두께를 주로 차지하도록, 인접한 전극에서 가장 먼 기초 전달층의 두께가 최대이다.
유리하게는, 제1전달층 및 제2전달층은 동일한 수의 기초 전달층을 포함하고, 여기서 모두 제1전달층에 속하는 기초 전달층과 인접한 기초 전달층 사이의 전도도의 감소는 제2전달층에 속하는 대칭되는 기초 전달층들 사이의 전도도의 감소와 실질적으로 동일하다.
유리하게는, PIN 발광 다이오드는 하기의 3개의 층 중에서 선택되는 2 이상의 기초 전달층을 포함하는 정공 전달층을 갖는다:
- TPD 기초 전달층,
- TPB 기초 전달층,
- MTDATA 기초 전달층.
유리하게는, PIN 발광 다이오드는 하기 4개의 층에서 선택되는 2 이상의 기초 전달층을 포함하는 전자 전달층을 갖는다:
- TPBI 기초 전달층,
- Bphen 기초 전달층,
- BAlq 기초 전달층, 및
- Alq3 기초 전달층.
- 도 1은 본 발명에 따른 OLED의 단면도를 나타낸다.
- 도 2는 본 발명에 따른 OLED의 상대적 에너지 레벨의 도표를 나타낸다.
- 도 3a는 기초 전달층을 통한 이동성에 대한 곡선을 나타낸다.
- 도 3b는 기초 전달층을 통한 전도도에 대한 곡선을 나타낸다.
- 도 4는 상이한 수의 기초 전달층을 갖는 본 발명에 따른 OLED의 구현예에 대한 비교 전류/전압 도표를 나타낸다.
본 발명의 다른 특징, 자세한 사항 및 이점은 도면을 참조하여 하기의 상세한 설명으로부터 더욱 분명하게 나타날 것이다.
도 1은 PIN형의 유기 발광 다이오드 OLED를 나타낸다. 이와 같은 OLED는 두 전극(2,8) 사이의 중앙에 배치된 발광층(5) 또는 활성층을 포함하는 적층체를 특징으로 한다. 상기 발광층(5)은 EML로도 지칭된다. 두 전극 캐소드(8) 및 애노드(2) 사이에 전압을 가하면, OLED로 각 전하 운반체가 주입된다. 전하 운반체에는 두 종류가 있다: 캐소드(8)로부터 방출되는 음전하의 전자 및 애노드(2)로부터 방출되는 양전하의 정곡. 상기 전하 운반체 각각은 서로 만날때까지(이상적으로는 상기 발광층(5)에서) OLED 내에서 반대 방향으로 이동한다. 이들은 상이한 운반체 둘씩, 즉 전자와 정공이 짝을 지어 엑시톤을 형성한다. 상기 엑시톤은 활성층(5)에서 형성되는 경우에 상기 활성층(5)의 특별한 화학조성 때문에 발광(9)을 일으키는 광자를 생성하는 방사성 재조합을 야기한다. 상기 발광(9)은 하향 발광식 OLED의 경우에 유리하게는 모두 반투명한 애노드(2) 및 기판(1)를 통해 확산된다.
상기 적층체는 통상적으로 기판(1) 상에 배치되고, 상기 적층체의 구성요소는 주변환경의 공격, 특히 공기에 의한 산화, 습기 등으로부터 캡슐화(encapsulation)(미도시)에 의해 포괄적으로 보호된다.
적색광을 방출할 수 있는 활성층(5)은 특히 4-(디시아노메틸렌)-2-t-부틸-6(1,1,7,7-테트라메틸줄올리딜-9-에닐)-4H-피란(DCJTB)와 같은 적색 유기 이미터에 의해 1%의 농도로 도핑된 Alq3 층에 의해 구형될 수 있다. 이와 같은 발광층(5)은 통상적으로 20 nm의 두께를 갖는다. 상기 층은 본 발명에서 기재된 다른 층 모두와 마찬가지로 통상적으로 10-5 mtorr 미만의 진공에서 열증착(thermal evaporation)에 의해 알려진 방식으로 제조될 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명은 특히 PIN형 OLED에 관한 것이다. PIN형이란 절연층(PIN 중 I), 여기서는 발광층(EML)(5)를 p형의 도핑된 전달층(3)(PIN 중 P) 및 n형의 도핑된 전달층(7)(PIN 중 N)으로 둘러쌈으로써 제조되는 OLED를 지칭한다.
PIN형 OLED는 통상적으로 하기의 구성요소를 하기의 순서로 연속적으로 적층된 형태로 포함한다:
- 애노드(EA)(2),
- 정공 전달층(HTL)(3),
- 발광층(EML)(5),
- 전자 전달층(ETL)(7), 및
- 캐소드(EK)(8).
따라서, 상기 적층체는 전극(2,8), 제1형태의 전하 운반체를 위한 제1전달층(3,7), 발광층(5), 제2형태의 전하 운반체를 위한 제2전달층(3,7) 및 제2전극(2,8)을 대칭적으로 포함한다.
각 전극(2,8)은 상이한 형태의 전하 운반체를 주입할 수 있다. 애노드(2)는 정공을 주입한다. 캐소드(8)는 전자를 주입한다. 애노드(2)는 통상적으로 인듐 주석 산화물, 소위 ITO으로부터 120 nm의 두께로 제조된다. 캐소드(8)는 통상적으로 알루미늄으로부터 100 nm의 두께로 제조된다.
전달층(3,7)은 전극(2,8)에 인접하고, p형 또는 n형일 수 있는 도판트에 의해 도핑된다. 전달층(3,7)은 일 형태의 전하 운반체의 전달을 촉진하기 위해 도핑된다. 상기 형태의 전하 운반체는 이에 인접한 전극(2,8)에 의해 주입된 전하 운반체의 형태이다. p-형 도핑은 전자-수용체 도판트를 포함하고, 이에 따라 정공의 전달을 촉진한다. n-형 도핑은 전자-공여체 도판트를 포함하고, 이에 따라 전자의 전달을 촉진한다. 정공을 주입하는 애노드(2)에 인접한 전달층(3)은 정공 전달층(3)이고, p-형 도핑된다. 상기 정공 전달층(3)은 영문 Hole Transfer Layer로부터 HTL로도 지칭된다. 전자를 주입하는 캐소드(8)에 인접한 전달층(7)은 전자 전달층(7)이고, n-형 도핑된다. 상기 전자 전달층(7)은 영문 Electron Transfer Layer로부터 ETL로도 지칭된다.
본 발명의 중요한 특징에 따른 본 출원의 도면들을 참조하면, 하나 이상의 전달층(3,7)은 2 이상의 층에 의해 제조된다. 이와 같이 전달층(3,7)을 구성하는 층 각각은 이제부터 기초 전달층(31,32,33,3i,3n,71,72,73,7i,7n)으로 지칭된다. 이와 같은 기초 전달층(31-3n,71-7n)은 유리하게는 인접한 기초 전달층에 대해 인접한 전극으로부터 기초 전달층(31-3n,71-7n)이 멀어짐에 따라 인접한 기초 전달층 보다 감소된 이동성을 갖는다. 따라서, "부모" 전달층(3,7)의 인접한 전극(2,8)에서 가장 가까운 기초 전달층(31,71)은 가장 높은 이동성을 갖는다. 그 다음, 기초 전달층(31-3n,71-7n)이 전극(2,8)에서 멀어지고 발광층(5)에 가까워질수록 감소한다.
두 전달층(3,7) 중 하나 이상은 이와 같이 기초 전달층(31-3n,71-7n)에 의해 제조된다. 다른 전달층(3,7)은 종래 기술에 따라 하나의 두꺼운 층으로 제조될 수 있다. 그러나, 전극(2,8)으로부터의 거리에 따라 이동성이 감소되는 구현예는 유리하게는 두 전달층(3,7)에 적용된다.
기초 전달층(31-3n,71-7n)을 위해 사용되는 도판트는 기초 전달층 마다 상이하지는 않다. 그러나, 동일한 형태의 전달층(3,7)의 기초 전달층(31-3n,71-7n) 모두는 유리하게는 동일한 형태의 전하 운반체의 전달을 촉진한다. 따라서, 동일한 "부모" 전달층(3,7)의 기초 전달층 모두는 유리하게는 단일 전달층을 제조하기 위해 사용될 수 있었던 도판트의 형태에 따라 p 또는 n 중 동일한 형태의 도판트에 의해 도핑된다. 도판트의 농도는 모든 전달층에서 일정하다.
예를 들어, p-도핑된 HTL 전공 전달층의 경우, 기초 정공-전달층(31-3n)은 2,7-비스[N,N-비스(4-메톡시-페닐)아미노]-9,9-스피로비플루오렌(MeO-스피로-TPD); 프탈로시아닌(CuPc); 4,4',4"-트리스-(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민(m-MTDATA); 2,2',7,7'-테트라(N,N-디-톨릴)아미노-스피로-비플루오렌(스피로-TTB); 4,4'-비스-[N-(나프틸)-N-페닐-아미노]비페닐(α-NPD); N,N'-비스(나프틸)N,N'-디페닐-1,1'-비페닐-4,4'-디아민(NPB); N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸-페닐)-1,1'비페닐-4,4'디아민(TPD)에 의해 제조될 수 있다.
예를 들어, 전자를 위한 기초 전달(층71-7n)은 N-아릴벤즈이미다졸 트리머(TPBI); 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(Bphen); 비스(2-메틸-8-퀴놀리네이트)-4-페닐페놀레이트 알루미늄(BAlq); 트리스-(8-히드록시퀴놀린) 알루미늄(Alq3)에 의해 제조될 수 있다.
산업적 제조를 간소화하기 위한 유리한 구현예에 따르면, 각 기초 전달층(31-3n,71-7n)은 동일한 도판트 농도로 도핑된다. 이는 기초 전달층(31-3n,71-7n)의 제조방법을 크게 간소화한다.
이에 따라, 전달층(3,7)은 상기 전달층의 깊이에 따라 가변적인 전기 전도도를 갖도록 수득된다. 이때, 전기 전도도 곡석은 통상적으로 도 3b에 도시된 바와 같이 계단 형태를 갖는데, 상기 도면은 X-충 상에 표시된 기초 전달층(31-3n,71-7n)의 함수로서 Y-축 상에서 전기 전도로(지멘스/센티미터 또는 S/cm로 표현됨)를 나타내는 곡선(10)을 나타낸다.
주어진 도판트 조성에 대해, 기초 전달층(31-3n,71-7n)의 전도도는 이동성의 증가함수이다.
p-형 도판트는 정공의 이동을 촉진하고, 정공 전달층(HTL)(3)에 속하는 기초 전달층(31-3n)을 도핑하기 위해 사용된다. 상기 구성요소는 유기, 무기 또는 금속성일 수 있다. 유리하게는, 본 발명에 따르면 이와 같은 기초 전달층(31-3n)을 도핑하기 위해 사용되는 임의의 p-형 도판트는 4 eV 초과의 LUMO 레벨을 갖는다. 이는 유리하게는 전자가 전달층에서 p 도판트로 전달될 수 있게 한다.
이상적으로는, LUMO 레벨은 4.8 eV 초과이다.
유사한 방식으로, n-형 도판트는 전자의 이동을 촉진하고, 전자 전달층(ETL)(7)에 속하는 기초 전달층(71-7n)을 도핑하기 위해 사용된다. 상기 구성요소는 유기, 무기 또는 금속성일 수 있다. 유리하게는, 본 발명에 따르면 이와 같은 기초 전달층(71-7n)을 도핑하기 위해 사용되는 임의의 n-형 유기 도판트는 4 eV 미만의 HOMO 레벨을 갖는다. 이는 유리하게는 n-도판트 전자가 전달층으로 전달될 수 있게 한다.
이상적으로는, 상기 HOMO 레벨은 3 eV 미만이다.
LUMO 및 HOMO 레벨은 유기 도판트에만 적용된다. 무기 도판트의 경우, LUMO라는 용어를 "전도대(conduction band)"로 대체하고, HOMO라는 용어를 "가전자대(valency band)"로 대체하여야 한다.
p-형 금속성 도판트의 경우, 금속 출력량(output work)은 유리하게는 4 eV 초과이다. 이상적으로는, 출력량은 4.7 eV 초과이다. n-형 금속성 도판트의 경우, 금속 출력량은 유리하게는 4 eV 미만이다. 이상적으로는, 출력량은 3 eV 미만이다.
문헌은 HUMO 및 LUMO 값의 수많은 표시(indication)를 제공한다. 또한, 상기 값들은 순환 전압 전류법(cyclic voltammetry)에 의해, 및 물질의 흡수도를 측정함으로써 측정될 수 있다.
최적의 구현예에 따르면, PIN형 OLED에 하나 이상의 차단층(blocking layer)(4,6)을 부가할 수 있다. 차단층(4,6)은 일 형태의 전하 운반체를 차단/지연시킬 수 있는 층이다. 전하 운반체의 형태는 사용되는 도판트의 형태에 의해 결정된다. 일 형태의 전하 운반체에 대한 차단층(4,6)은 유리하게는 발광층(5)에 인접하여 상기 형태의 전하 운반체를 주입하는 전극(2,8)의 반대쪽에 배치된다.
따라서, 정공-차단층(6)은 유리하게는 발광층(EML)(5)에 인접하여 상기 발광층(EML)(5)에 대해 상기 정공을 주입하는 애노드(2)의 반대쪽에 배치된다. 정공-차단층(6)은 영문 Hole-Blocking Layer로부터 HBL로도 지칭된다. 정공-차단층(6)은 유리하게는 전자 전달층(ETL)(7)과 발광층(EML)(5) 사이에 배치된다.
따라서, 전자-차단층(4)은 유리하게는 발광층(EML)(5)에 인접하여 상기 발광층(EML)(5)에 대해 상기 전자를 주입하는 캐소드(8)의 반대쪽에 배치된다. 전자-차단층(4)은 영문 Electron-Blocking Layer로부터 EBL로도 지칭된다. 따라서, 전자-차단층(4)은 유리하게는 정공 전달층(HTL)(3)과 발광층(EML)(5) 사이에 배치된다.
이와 같이 일 형태의 전하 운반체를 주입하는 전극(2,8)의 반대쪽에 배치되어, 상기 형태의 전하 운반체를 차단할 수 있는 차단층(4,6)은 상기 전하 운반체가 발광층(EML)(5)을 떠나는 것을 방지한다. 따라서, 상기 차단층 또는 차단층들(4,6)은 전하 운반체, 및 이에 따라 엑시톤을 발광층(EML)(5)에 가두는 효과를 일으킨다. 이는 동일한 수의 주입된 전하 운반체에 대해 더 많은 광자를 생성함으로써 외부 광효율(external light efficiency)을 개선시키는 효과를 갖는다.
차단층(4,6)은 인접한 발광층(EML)(5)에 따른 에너지 레벨을 갖는다.
예를 들어, 전자-차단층(EBL)(4)은 N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸-페닐)-1,1'비페닐-4,4'디아민(TPD)에 의해 10 nm의 표시 두께로 제조될 수 있다.
예를 들어, 정공-차단층(HBL)(6)은 벤즈이미다졸일-벤젠(TPBi)에 의해 10 nm의 표시 두께로 제조될 수 있다.
전달층(3,7)에는 다수의 기초 전달층(31-3n,71-7n)이 있다. 상기 기초 전달층 중 하나이고 인접한 전극(2,8)에서 가장 가까운 기초 전달층(31,71)은 특정 역할을 만족한다. 상기 제1 기초 전달층(31,71)은 10-3 cm2/Vs 이상의 이동성을 갖는다. 상기 이동성은 높은 도핑에 의해 기초 전달층(31,71)과의 계면에서 10-5 S/cm 이상의 전도도를 도입하고, 전극(2,8)은 에너지 장벽을 크게 감소시킨다. 이와 같은 감소는 유리하게는 전하 운반체를 효과적으로 주입할 수 있게 한다. 이는 유리하게는 발광층(5)의 간격(interval)과 동일한 수준의 임계 전압(threshold voltage)을 보존할 수 있게 한다. 이는 도 2의 에너지 도표에서 특히 뚜렷하게 나타난다.
이어지는 기초 전달층(32-3n,72-7n)의 이동성은 이어지는 기초 전달층(32-3n,72-7n) 각각이 전하 운반체의 만족스러운 전달을 보정하면서도, 덜 높은 것으로 측정된다.
다시 유리하게는, 기초 전달층(31-3n,71-7n)과 인접한 전극(2,8)에서 더 멀리 있는 인접한 기초 전달층 사이의 이동성 및 이에 따라 전도도의 감소율은 10배 이상이다.
따라서, 모든 전달층의 도판트 농도는 유리하게는 일정하다. 유기 도판트의 경우, 도판트 농도는 1% 초과, 이상적으로는 6%이다. 무기 도판트의 경우, 도판트 농도는 5% 초과, 이상적으로는 15%이다. 금속성 도판트의 경우, 도판트 농도는 10% 초과, 이상적으로는 50%이다.
따라서, 이동성 및 이에 따라 전도도는 기초 전달층(31-3n,71-7n)에서 더 중앙에 있는 이의 이웃으로 갈수록 감소한다. 도 3a를 참조하면, 전극(2,8)에서 가장 가까운 기초 전달층(31,71)이 10-3 cm2/Vs의 전기 이동성을 갖는 경우, 이어지는 기초 전달층(32,72)은 10-4 cm2/Vs의 전기 이동성을 갖는다.
도 3b를 참조하면, 전극(2,8)에서 가장 가까운 기초 전달층(31,71)이 10-5 S/cm의 전기 전도도를 갖는 경우, 이어지는 기초 전달층(32,72)는 10-6 S/cm의 전기 전도도를 갖는다.
전달층(3,7)은 이에 인접한 전극(2,8)을 평평하게 하는 기능도 갖는다. 이는 적어도 애노드(2)에 적용될 수 있다.
이는 OLED가 제조되는 경우에 기초 기판(1)이 어떠한 먼지로부터도 완전하게 깨끗해야 하기 때문이다. 깨끗한 구역에서 작업하기 위한 모든 노력에도 불구하고, 이와 같은 목적은 달성하기 어렵다. 또한, 전극(2,8)은 바로 이의 구현을 통해 다양한 층에 대해 예상되는 상대적인 두께와 비교하여 무시할 수 없는 피크를 갖는 가파르게 경사진 표면 형태(topography)를 갖는다. 이와 같은 거칠음, 먼지 및 피크를 극복하기 위해, 전달층(3,7)은 전체적으로 상기 거칠음을 모두 덮어 평평하게 하도록 하는 두께를 가져야 한다. 이와 같은 평탄화를 달성하기 위해, 전달층의 총 두께는 100 nm 이상이어야 한다.
OLED 매트릭스를 구현함에 따른 치수의 증가에 따라, 상기 거칠음의 평균 높이는 증가한다. 전달층(3,7)에 있어서 150 nm의 두께는 더 큰 치수를 갖는 매트릭스를 구현할 수 있게 한다. 매트릭스 표면적이 증가함에 따라, 상기 거칠음의 평균 높이는 포화가 일어나는 한계값에 도달할 때까지 계속 증가한다. 따라서, 이상적으로 200 nm의 전달층(3,7)의 총 두께는 큰 치수의 매트릭스를 포함하여 만족스러운 평탄화를 구현할 수 있게 하는 것으로 나타났다.
평탄화가 전달층(3,7)의 총 두께, 즉 구성 기초 전달층(31-3n,71-7n)의 두께의 합에 의해 달성된다는 점이 중요하다.
따라서, 종래 기술은 100 내지 200의 큰 두께 및 10-6 S/cm 초과의 높은 전도도를 갖는 평탄화 전달층을 요구하였다. 이는 전하 운반체의 높은 이동성을 요구한다. 다른 한편, 본 발명에 따른 전기 이동성의 감소는 개별적으로 첫째로 전극(2,8)과의 필요한 높은 전도도, 및 두번째로 다른 기초 전달층(32-3n,72-7n)에 의해 평탄화를 구현하기에 충분히 큰 전달층(3,7)의 총 두께를 수득할 수 있게 한다. 그럼에도 불구하고, 이들의 더 낮은 이동성 때문에, 기초 전달층(31-3n,71-7n)에서 전기 전도도의 점진적인 감소는 종래 기술에 따른 단일 전달층에 의해 수득되는 것과 매우 유사한 에너지 효율 레벨 및 넓은 표면을 갖는 OLED 상에서 우수한 균질성과 같은 전기 및 광 성능을 보장한다.
높은 이동성 및 이에 따라 높은 전기 전도도를 갖는 동안 이의 주입 기능을 달성하기 위해, 전극(2,8)에 인접한 제1 기초 전달층(31,71)은 10 nm 이상의 두께만을 요구한다. 이상적으로는, 이와 같은 제1 기초 전달층(31,71)은 30 nm의 최대 두께를 갖는다. 다른 기초 전달층(32-3n,72-7n)은 어떠한 두께도 가질 수 있다. 이들은 기초 전달층의 수, 전달층(3,7)의 총 두께 및 이어지는 기초 전달층이 필요로 하는 전기 이동성의 변화에 의존한다.
또한 유리하게는 및 상호보완적으로, 평탄화 기능을 만족하기 위해 전달층(3,7)의 총 두께를 제조하는 것은 기초 전달층(3n,7n), 또는 주로 전극(2,8)에서 가장 먼 마지막 멀고 발광층(5)에서 가장 가까운 기초 전달층에 의해 달성될 수 있다.
따라서, 정공-전달층(3)(도시되었으나, 비제한적임)은 하기의 세 기초 전달층(31-33)을 포함할 수 있다:
- 30 nm의 두께를 갖는 F4-TCNQ 도판트에 의해 3%로 도핑된 제1 TPD 기초 전달층(31);
- 20 nm의 두께를 갖는 F4-TCNQ 도판트에 의해 3%로 도핑된 제2 TPB 기초 전달층(32); 및
- 110 nm의 두께를 갖는 F4-TCNQ 도판트에 의해 3%로 도핑된 제3 MTDATA 기초 전달층(32).
따라서, 마지막 기초 전달층(33)이 정공 전달층의 150 nm의 두께에 주로 기여하는 것으로 나타났다.
TPD, TPB 및 MTDATA 층들의 고유 이동성은 각각 약 10-3 cm2/Vs, 10-4 /Vs, 10-5 cm2/Vs 이다. 이는 상기 물질을 3% F4TCNQ에 의해 도핑함으로써, TPD, TPB 및 MTDATA 층들의 전도도가 각각 약 10-5 cm2/Vs, 10-6 cm2/Vs, 10-7 cm2/Vs이기 때문이다.
전극(2,8)에 인접한 기초 전달층(31,71)에서 상기 전극(2,8)에서 가장 멀고 발광층(5) 또는 차단층(4,6)에 인접한 기초 전달층까지 감소하는 도 3b의 전도도 곡선(10)은 어떠한 형태도 가질 수 있다. 그러나, 도시된 곡선(10)과 같이 규칙적인 기하급수적으로, 규칙적인 감소, 즉 로그-선형 또는 이와 동등한 것이, 전하 운반체의 전달을 촉진하고, 최적임을 입증하는 것으로 나타났다.
유사하게, 정공-전달층(HTL)(3) 및 전자-전달층(ETL)(7)의 기초 전달층 각각의 수는 상이하다. 동일한 수의 기초 전달층에 의해서도, 발광층의 양쪽에 상이한 전도도 변화 대칭을 가질 수 있다.
그러나, 전기 전도도 곡선(10)의 대칭이 OLED의 성능을 개선한다는 점에서 유리한 것으로 보인다. 따라서, 제1전달층(3,7) 및 제2전달층(3,7)을 동일한 수의 기초 전달층으로 세분함으로써 제조하는 것이 유리하다.
또한, 모두 제1전달층에 속하는 하나의 기초 전달층과 인접한 기초 전달층 사이의 전도도의 감소는 제2전달층에 속하는 대응하는 기초 전달층들 사이의 전도도의 감소와 실질적으로 동일한 것이 유리하다.
도 4를 참고하면, 기초 전달층(31-3n,71-7n)의 수의 영향이 나타난다. 도 4는 OLED의 세 구현예에 대해 적용된 전압에 따른 mA/cm2 단위의 전류 밀도 도표를 나타낸다. 곡선(11)은 전달층(3,7)이 단일 기초 전달층을 포함하는 PIN-형 OLED의 특이적인 곡선을 나타낸다. 곡선(12)는 전달층(3,7)이 두 기초 전달층을 포함하는 PIN-형 OLED의 특이적인 곡선을 나타낸다. 곡선(13)는 전달층(3,7)이 세 기초 전달층을 포함하는 PIN-형 OLED의 특이적인 곡선을 나타낸다. 각 구현예에서, 전극(2,8)에 인접한 기초 전달층(31,71)은 10-5 S/cm의 전도도를 갖는다. 이어지는 기초 전달층(32-3n,72-7n)은 각각 발광층(5)에서의 거리에 따라 10-6 내지 10-7 S/cm의 전도도를 갖는다.
곡선(11) 내지 곡선(13)의 비교는 모든 OLED가 약 2.5 V의 동일한 임계 전압을 가진다는 것을 나타낸다. 이는 제1 기초 전달층(31,71)의 도핑에 직접적으로 연관되는데, 임계 전압이 주로 제1 기초 전달층(31,71)과 전극(2,8) 사이의 계면에 위치되는 주입 장벽에 의해 제어되기 때문이다.
통상적으로 애노드(2)를 위해 인듐 주석 산화물(소위 ITO)로부터 제조되는 전극(2,8)의 제한된 전도도에 부가된 양의 바이어싱(positive biasing)에서의 PIN-형 적층체의 낮은 저항은 전극(2,8)을 통한 높은 전압 강하를 일으킨다. 이는 대형 크기의 매트릭스 배열에서 OLED 간의 빛의 높은 디스패리티(disparity)를 일으킨다. 종래 기술에 따르면, 1 cm2의 매우 제한된 표면적에 대해 70%를 초과하지 않는 균일도(uniformity)(총 표면에 걸친 최대 휘도에 대한 최소 휘도의 비로 정의됨)를 수득할 수 있다. 더 큰 표면에 대해서는, 균일도가 빠르게 약 40% 떨어진다.
또한, 곡선(11) 내지 곡선(13)의 비교는 특히 곡선(11) 내지 곡선(13)의 기울기가 기초 전달층의 수에 따라 실질적으로 감소한다는 점을 나타낸다. 이와 같은 감소는 50 cm2 초과의 확장된 표면적에 대해 휘도의 균일성을 촉진한다. 종래 기술을 나타내는 곡선(11)의 기초 전달층을 갖는 장비에 대해서 균일성은 40%에 불과하다. 곡선(12)의 2개의 층을 갖는 장비는 55%의 균일성을 관찰할 수 있게 한다. 곡선(13)의 3개의 층을 갖는 장비는 80%의 균일성을 관찰할 수 있게 한다.
본 발명의 하나 이상의 바람직한 구현예가 여기에 기재되어 있지만, 본 발명은 상기 구현예에 제한되는 것이 아니고 하기 청구범위의 범위 내에서 변형이 가해질 수 있다는 점이 분명하게 이해되어야 한다.

Claims (16)

  1. PIN형 유기 발광 다이오드(OLED)로서,
    - 전자 및 정공의 전하 운반체 중 제1형태를 주입할 수 있는 애노드(2) 및 캐소드(8) 중 제1전극형태의 제1전극(2,8);
    - 상기 제1형태의 전하 운반체에 따라 p 및 n 중 제1형태의 도판트에 의해 도핑된, 제1형태의 전하 운반체의 제1전달층(3,7);
    - 발광층(5),
    - 상기 제1형태의 도판트와 상이한 제2형태의 도판트에 의해 도핑된, 상기 제1형태의 전하 운반체와 상이한, 제2형태의 전하 운반체의 제2전달층(3,7); 및
    - 상기 제2형태의 전하 운반체를 주입할 수 있는, 상기 제1전극형태와 상이한, 제2전극형태의 제2전극(2,8);을 순서대로 포함하는 적층제를 포함하고,
    상기 전달층(3,7) 중 하나 이상은 2 이상의 기초 전달층(31-3n,71-7n)을 포함하며,
    전극(2,8)에 인접한 기초 전달층(31,71)에서 기초 전달층(31-3n,71-7n)이 멀어질수록, 동일한 전달층(3,7)의 각 기초 전달층(31-3n,71-7n)은 접촉된 인접한 기초 전달층에 비해 상기 전달층에 대응하는 전하 운반체의 감소된 이동성, 및 이에 따라 감소된 전도도를 갖고, 동일한 전달층의 기초 전달층은 동일한 도판트 농도를 가지는 것을 특징으로 하는 PIN형 유기 발광 다이오드(OLED).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기초 전달층(31-3n)을 도핑하기 위해 사용되는 p-형 도판트는 유기 또는 무기 도판트이고, 4 eV 초과의 LUMO 또는 전도대 레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 PIN형 유기 발광 다이오드(OLED).
  3. 제2항에 있어서,
    상기 LUMO 또는 전도대 레벨은 4.8 eV 초과인 것을 특징으로 하는 PIN형 유기 발광 다이오드(OLED).
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    기초 전달층(71-7n)을 도핑하기 위해 사용되는 n-형 도판트는 유기 또는 무기 도판트이고, 4 eV 미만의 HOMO 또는 가전자대 레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 PIN형 유기 발광 다이오드(OLED).
  5. 제4항에 있어서,
    상기 HOMO 또는 가전자대 레벨은 3 eV 미만인 것을 특징으로 하는 PIN형 유기 발광 다이오드(OLED).
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    - 상기 제1전달층과 상기 발광층 사이에 배치되는, 제2형태의 전하 운반체를 차단하기 위한 제1층; 및
    - 상기 발광층과 상기 제2전달층 사이에 배치되는, 제1형태의 전하 운반체를 차단하기 위한 제2층;을
    더 포함하는 것을 특징으로 하는 PIN형 유기 발광 다이오드(OLED).
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    인접한 전극(2,8)에 가장 가까운 기초 전달층(31,71)의 이동성은 10-3 cm2/Vs 이상인 것을 특징으로 하는 PIN형 유기 발광 다이오드(OLED).
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    인접한 전극(2,8)에 가장 가까운 기초 전달층(31,71)의 전도도는 10-5 S/cm 이상인 것을 특징으로 하는 PIN형 유기 발광 다이오드(OLED).
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    기초 전달층(31-3n,71-7n)과 인접한 전극(2,8)에서 가장 먼 인접한 기초 전달층(31-3n,71-7n) 사이의 감소율은 10배 이상인 것을 특징으로 하는 PIN형 유기 발광 다이오드(OLED).
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    전달층(3,7)의 총 두께는 100 nm 이상인 것을 특징으로 하는 PIN형 유기 발광 다이오드(OLED).
  11. 제10항에 있어서,
    전달층(3,7)의 총 두께는 200 nm 이상인 것을 특징으로 하는 PIN형 유기 발광 다이오드(OLED).
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    인접한 전극(2,8)에 가장 가까운 기초 전달층(31,71)의 두께는 30 nm 이하인 것을 특징으로 하는 PIN형 유기 발광 다이오드(OLED).
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    전달층(3,7)의 총 두께를 주로 차지하도록, 인접한 전극(2,8)에서 가장 먼 기초 전달층(3n,7n)의 두께가 최대인 것을 특징으로 하는 PIN형 유기 발광 다이오드(OLED).
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1전달층(3,7) 및 제2전달층(3,7)은 동일한 수의 기초 전달층(31-3n,71-7n)을 포함하고, 상기 제1전달층(3,7)에 속하는 기초 전달층(31-3n,71-7n)과 인접한 기초 전달층 사이의 전도도의 감소는 상기 제2전달층(3,7)에 속하는 대칭되는 기초 전달층들 사이의 전도도의 감소와 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 PIN형 유기 발광 다이오드(OLED).
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    - TPD 기초 전달층(31-3n);
    - TPB 기초 전달층(31-3n); 및
    - MTDATA 기초 전달층(31-3n); 중 2 이상의 기초 전달층(31-3n)를 포함하는 정공-전달층을 갖는 것을 특징으로 하는 PIN형 유기 발광 다이오드(OLED).
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    - TPBI 기초 전달층(71-7n);
    - Bphen 기초 전달층(71-7n);
    - BAlq 기초 전달층(71-7n); 및
    - Alq3 기초 전달층(71-7n); 중 2 이상의 기초 전달층(71-7n)을 포함하는 전자-전달층을 갖는 것을 특징으로 하는 PIN형 유기 발광 다이오드(OLED).
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CN104241540A (zh) * 2014-09-04 2014-12-24 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置
CN104409649B (zh) * 2014-11-20 2016-08-24 天津理工大学 一种低压有机发光二极管及其制备方法
CN109216565B (zh) 2017-06-30 2021-05-18 昆山国显光电有限公司 有机电致发光器件及其制备方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000017911A1 (en) 1998-09-24 2000-03-30 Fed Corporation Active matrix organic light emitting diode with doped organic layer having increased thickness
DE10058578C2 (de) 2000-11-20 2002-11-28 Univ Dresden Tech Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
DE10261609B4 (de) * 2002-12-20 2007-05-03 Novaled Ag Lichtemittierende Anordnung
JP2008509565A (ja) * 2004-08-13 2008-03-27 ノヴァレッド・アクチエンゲゼルシャフト 発光成分用積層体
US7629741B2 (en) * 2005-05-06 2009-12-08 Eastman Kodak Company OLED electron-injecting layer
WO2007071450A1 (en) * 2005-12-23 2007-06-28 Novaled Ag Electronic device with a layer structure of organic layers
GB0617723D0 (en) 2006-09-08 2006-10-18 Cambridge Display Tech Ltd Conductive polymer compositions in opto-electrical devices
US8729596B2 (en) * 2009-08-24 2014-05-20 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent element, organic electroluminescent display device, organic electroluminescent illuminating device, and method for manufacturing organic electroluminescent element
TW201228066A (en) * 2010-12-31 2012-07-01 Au Optronics Corp Organic electroluminescent device
KR101908385B1 (ko) * 2012-03-02 2018-10-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자

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