DE102016213581A1 - Anzeigebedienfelder und Verfahren zum Herstellen derselben - Google Patents

Anzeigebedienfelder und Verfahren zum Herstellen derselben Download PDF

Info

Publication number
DE102016213581A1
DE102016213581A1 DE102016213581.3A DE102016213581A DE102016213581A1 DE 102016213581 A1 DE102016213581 A1 DE 102016213581A1 DE 102016213581 A DE102016213581 A DE 102016213581A DE 102016213581 A1 DE102016213581 A1 DE 102016213581A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
protective layer
tft array
display panel
layer
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102016213581.3A
Other languages
English (en)
Inventor
Congyi SU
Junxiong Fang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd Cn
Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd Shangh Cn
Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Tianma Microelectronics Co Ltd
Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianma Microelectronics Co Ltd, Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd filed Critical Tianma Microelectronics Co Ltd
Publication of DE102016213581A1 publication Critical patent/DE102016213581A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/831—Aging
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

Vorgesehen sind ein Anzeigebedienfeld und ein Verfahren zum Herstellen desselben. Das Anzeigebedienfeld umfasst folgende Merkmale: ein TFT Arraysubstrat; ein OLED-Array, das auf dem TFT-Arraysubstrat angeordnet ist; eine Gehäuseschicht, die das OLED-Array bedeckt, wobei sich in einer ersten Richtung ein erster Vorsprung des OLED-Arrays auf dem TFT-Arraysubstrat in einem zweiten Vorsprung der Gehäuseschicht auf dem TFT-Arraysubstrat befindet und ein erster Abstand zwischen einem Rand des ersten Vorsprungs und dem des zweiten Vorsprungs vorhanden ist; eine obere Schutzschicht, die die Gehäuseschicht bedeckt, wobei sich in der ersten Richtung der zweite Vorsprung in einem dritten Vorsprung der oberen Schutzschicht auf dem TFT-Arraysubstrat befindet und ein zweiter Abstand zwischen dem Rand des zweiten Vorsprungs und dem des dritten Vorsprungs vorhanden ist; und eine untere Schutzschicht, die an einer Seite des TFT-Arraysubstrats weg von dem OLED-Array angeordnet ist, wobei die erste Richtung senkrecht zu dem TFT-Arraysubstrat ist. Die Abdichtwirkung des Gehäuseschutzes für das Anzeigebedienfeld ist gut, was eine Lebensdauer des Anzeigebedienfeldes verlängert.

Description

  • Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf das technische Gebiet einer Anzeigevorrichtung und insbesondere auf ein Anzeigebedienfeld und ein Verfahren zum Herstellen desselben.
  • Hintergrund
  • Mit der konstanten Entwicklung in Wissenschaft und Technik werden immer mehr elektronische Anzeigevorrichtungen weit verbreitet im täglichen Leben und bei der Arbeit der Menschen verwendet, was große Annehmlichkeiten im täglichen Leben sowie bei der Arbeit der Menschen ermöglicht und wodurch die Anzeigevorrichtungen heutzutage zu unentbehrlichen und wichtigen Werkzeugen im täglichen Leben und bei der Arbeit der Menschen geworden sind.
  • Die Hauptkomponente der elektronischen Anzeigevorrichtung ist ein Anzeigebedienfeld, und ein OLED(Organic Light Emitting Diode, organische lichtemittierende Diode)-Anzeigebedienfeld ist aufgrund von Vorteilen wie z. B. einem weiten Betrachtungswinkel, einer gleichmäßigen Bildqualität, einer schnellen Antwortgeschwindigkeit, einer farbigen Anzeige und eines einfachen Prozesses heutzutage eines der marktbestimmenden Anzeigebedienfelder geworden.
  • Es ist notwendig, das OLED-Anzeigebedienfeld durch Häusen zu schützen, um ein Altern einer Funktionsschicht zu vermeiden, das durch ein Eindringen von Dampf verursacht wird. Das Schutzgehäuse eines Anzeigebedienfeldes des Standes der Technik weist jedoch eine schlechte Abdichtwirkung auf, und das Anzeigebedienfeld des Standes der Technik weist eine kurze Lebensdauer auf.
  • Kurzdarstellung
  • Um das obige Problem anzugehen, sind gemäß der vorliegenden Offenbarung ein Anzeigebedienfeld und ein Verfahren zum Herstellen desselben vorgesehen, das die Abdichtwirkung des Gehäuseschutzes des Anzeigebedienfeldes verbessert und die Lebensdauer des Anzeigebedienfeldes verlängert.
  • Um das obige Problem anzugehen, sind gemäß der vorliegenden Offenbarung die folgenden technischen Lösungen vorgesehen.
  • Es ist ein Anzeigebedienfeld vorgesehen, das folgende Merkmale umfasst:
    ein Dünnfilmtransistor(TFT, thin film transistor)-Arraysubstrat;
    ein Organische-Lichtemittierende-Diode(OLED, organic light emitting diode)-Array, wobei das OLED-Array auf dem TFT-Arraysubstrat angeordnet ist;
    eine Gehäuseschicht, die das OLED-Array bedeckt, wobei sich in einer ersten Richtung ein erster Vorsprung des OLED-Arrays auf dem TFT-Arraysubstrat in einem zweiten Vorsprung der Gehäuseschicht auf dem TFT-Arraysubstrat befindet und ein erster Abstand zwischen einem Rand des ersten Vorsprungs und dem des zweiten Vorsprungs vorhanden ist;
    eine obere Schutzschicht, die die Gehäuseschicht bedeckt, wobei sich in der ersten Richtung der zweite Vorsprung in einem dritten Vorsprung der oberen Schutzschicht auf dem TFT-Arraysubstrat befindet und ein zweiter Abstand zwischen dem Rand des zweiten Vorsprungs und dem des dritten Vorsprungs vorhanden ist; und
    eine untere Schutzschicht, die an einer Seite des TFT-Arraysubstrats weg von dem OLED-Array angeordnet ist,
    wobei die erste Richtung senkrecht zu dem TFT-Arraysubstrat ist.
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung ist ferner ein Verfahren zum Herstellen eines Anzeigebedienfeldes vorgesehen, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst:
    Bereitstellen eines TFT-Arraysubstrats;
    Bilden eines OLED-Arrays auf einer Oberfläche des TFT-Arraysubstrats;
    Bilden einer Gehäuseschicht auf einer Oberfläche des OLED-Arrays, wobei die Gehäuseschicht das OLED-Array bedeckt, sich in einer ersten Richtung ein erster Vorsprung des OLEDs auf dem TFT-Arraysubstrat in einem zweiten Vorsprung der Gehäuseschicht auf dem TFT-Arraysubstrat befindet und ein erster Abstand zwischen einem Rand des ersten Vorsprungs und dem des zweiten Vorsprungs vorhanden ist, wobei die erste Richtung senkrecht zu dem TFT-Arraysubstrat ist; und
    Bilden einer oberen Schutzschicht auf einer Oberfläche der Gehäuseschicht und Bilden einer unteren Schutzschicht an einer Seite des TFT-Arraysubstrats weg von dem OLED-Array, wobei sich in der ersten Richtung der zweite Vorsprung in einem dritten Vorsprung der oberen Schutzschicht auf dem TFT-Arraysubstrat befindet und ein zweiter Abstand zwischen dem Rand des zweiten Vorsprungs und dem des dritten Vorsprungs vorhanden ist.
  • Gemäß den obigen Beschreibungen umfasst das Anzeigebedienfeld gemäß der vorliegenden Offenbarung folgende Merkmale: ein TFT-Arraysubstrat; ein OLED-Array, das auf dem TFT-Arraysubstrat angeordnet ist; eine Gehäuseschicht, die das OLED-Array bedeckt, wobei sich in einer ersten Richtung ein erster Vorsprung des OLED-Arrays auf dem TFT-Arraysubstrat in einem zweiten Vorsprung der Gehäuseschicht auf dem TFT-Arraysubstrat befindet und ein erster Abstand zwischen einem Rand des ersten Vorsprungs und dem des zweiten Vorsprungs vorhanden ist; eine obere Schutzschicht, die die Gehäuseschicht bedeckt, wobei sich in der ersten Richtung der zweite Vorsprung in einem dritten Vorsprung der oberen Schutzschicht auf dem TFT-Arraysubstrat befindet und ein zweiter Abstand zwischen dem Rand des zweiten Vorsprungs und dem des dritten Vorsprungs vorhanden ist; und eine untere Schutzschicht, die an einer Seite des TFT-Arraysubstrats weg von dem OLED-Array angeordnet ist, wobei die erste Richtung senkrecht zu dem TFT-Arraysubstrat ist.
  • Bei dem Anzeigebedienfeld gemäß den Ausführungsbeispielen der Offenbarung sind der erste Abstand und der zweite Abstand vorhanden. Der erste Abstand kann effektiv verhindern, dass Dampf durch einen Raum zwischen der Gehäuseschicht und dem OLED-Array eindringt, und der zweite Abstand kann effektiv verhindern, dass Dampf durch einen Raum zwischen der oberen Schutzschicht und der Gehäuseschicht eindringt, so dass ein Altern des Anzeigebedienfeldes, das durch Eindringen von Dampf verursacht wird, effektiv verhindert wird, und der Gehäuseschutz des Anzeigebedienfeldes eine gute Abdichtwirkung aufweist, die die Lebensdauer des Anzeigebedienfeldes verlängert.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • Um technische Lösungen gemäß den Ausführungsbeispielen der Offenbarung oder des Standes der Technik genauer zu veranschaulichen, werden die Zeichnungen gemäß den Ausführungsbeispielen der Offenbarung im Folgenden kurz beschrieben. Es ist offensichtlich, dass die Zeichnungen nur einige Ausführungsbeispiele der vorliegenden Offenbarung sind und dass andere Zeichnungen gemäß diesen Zeichnungen von Fachleuten ohne schöpferische Tätigkeit erhalten werden können.
  • 1 ist ein schematisches Strukturdiagramm eines Anzeigebedienfeldes gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
  • 2 ist ein schematisches Strukturdiagramm eines Anzeigebedienfeldes gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
  • 3 ist ein schematisches Strukturdiagramm eines Anzeigebedienfeldes gemäß noch einem anderen Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
  • 4 ist ein schematisches Strukturdiagramm eines Anzeigebedienfeldes gemäß noch einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung; und
  • 5 ist ein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen eines Anzeigebedienfeldes gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
  • Ausführliche Beschreibung
  • Die technischen Lösungen gemäß den Ausführungsbeispielen der Offenbarung sind in Verbindung mit den Zeichnungen klar und umfassend beschrieben. Es ist offensichtlich, dass die beschriebenen Ausführungsbeispiele lediglich einige und nicht alle Ausführungsbeispiele der Offenbarung sind. Alle weiteren Ausführungsbeispiele, die von Fachleuten auf der Basis der Ausführungsbeispiele der vorliegenden Offenbarung ohne schöpferische Tätigkeit erhalten werden, fallen in den Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung.
  • Wie unter Hintergrund beschrieben ist, weist ein Gehäuse eines OLED-Anzeigebedienfeldes des Standes der Technik eine schlechte Abdichtwirkung auf, wobei Dampf ohne Weiteres eindringen kann, was Probleme wie Feuchtigkeitsaltern und Oxidationsaltern einer Funktionsschicht des Anzeigebedienfeldes zur Folge hat, was eine kurze Lebensdauer des Anzeigebedienfeldes verursacht.
  • Um die obigen Probleme anzugehen, ist gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ein Anzeigebedienfeld vorgesehen, wie in 1 gezeigt ist.
  • Es wird Bezug genommen auf 1, die ein schematisches Strukturdiagramm eines Anzeigebedienfeldes gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist. Das Anzeigebedienfeld umfasst folgende Merkmale: ein TFT-Arraysubstrat 11; ein OLED-Array 12, wobei das OLED-Array 12 auf dem TFT-Arraysubstrat 11 angeordnet ist; eine Gehäuseschicht 13, wobei die Gehäuseschicht 13 das OLED-Array 12 bedeckt; eine obere Schutzschicht 14, wobei die obere Schutzschicht 14 die Gehäuseschicht 13 bedeckt; und eine untere Schutzschicht 15, wobei die Schutzschicht 15 an einer Seite des TFT-Arraysubstrats 11 weg von dem OLED-Array angeordnet ist.
  • In einer ersten Richtung X befindet sich ein erster Vorsprung des OLED-Arrays 12 auf dem TFT-Arraysubstrat in einem zweiten Vorsprung der Gehäuseschicht 13 auf dem TFT-Arraysubstrat 11, wobei ein erster Abstand e zwischen einem Rand des ersten Vorsprungs und dem des zweiten Vorsprungs vorhanden ist. In der ersten Richtung X befindet sich der zweite Vorsprung in einem dritten Vorsprung der oberen Schutzschicht 14 auf dem TFT-Arraysubstrat 11 und ein zweiter Abstand d ist zwischen dem Rand des zweiten Vorsprungs und dem des dritten Vorsprungs vorhanden. Die erste Richtung X ist senkrecht zu dem TFT-Arraysubstrat 11.
  • Bei dem Anzeigebedienfeld gemäß dem Ausführungsbeispiel der Offenbarung sind der erste Abstand und der zweite Abstand vorhanden. Der erste Abstand kann effektiv verhindern, dass Dampf durch einen Raum zwischen der Gehäuseschicht und dem OLED-Array eindringt, und der zweite Abstand kann effektiv verhindern, dass Dampf durch einen Raum zwischen der oberen Schutzschicht und der Gehäuseschicht eindringt, so dass Feuchtigkeitsaltern und Oxidationsaltern des Anzeigebedienfeldes, die durch Eindringen eines Dampfes verursacht werden, effektiv verhindert werden, und die Gehäuseschicht des Anzeigebedienfeldes eine gute Abdichtwirkung aufweist, was die Lebensdauer des Anzeigebedienfeldes verlängert.
  • Wie in 1 gezeigt ist, kann bei anderen Ausführungsbeispielen gemäß der Offenbarung das TFT-Arraysubstrat 11 folgende Merkmale umfassen: ein Substrat 112 und ein TFT-Array 111, das auf einer Oberfläche des Substrats 112 angeordnet ist, wobei das TFT-Array 111 an einer Seite des Substrats 112 angeordnet ist, die dem OLED-Array 12 zugewandt ist.
  • In der ersten Richtung X befindet sich ein vierter Vorsprung des TFT-Arrays 111 auf der unteren Schutzschicht 15 in einem fünften Vorsprung des Substrats 112 auf der unteren Schutzschicht 15 und ein dritter Abstand b ist zwischen einem Rand des vierten Vorsprungs und dem des fünften Vorsprungs vorhanden. Es ist ein vierter Abstand a zwischen dem Rand des vierten Vorsprungs und dem der unteren Schutzschicht 15 vorhanden. Der vierte Vorsprung und der fünfte Vorsprung befinden sich beide auf der unteren Schutzschicht 15.
  • In der ersten Richtung X ist ein fünfter Abstand c zwischen einem Rand eines sechsten Vorsprungs der oberen Schutzschicht 14 auf dem Substrat 112 an Rand der TFT-Arrayschicht 11 vorhanden. Der sechste Vorsprung befindet sich auf dem TFT-Array 11.
  • Es ist zu beachten, dass bei den Ausführungsbeispielen gemäß der vorliegenden Offenbarung ein Abstand zwischen Rändern von zwei Vorsprüngen der Minimalabstand zwischen den Rändern der zwei Vorsprünge ist.
  • Der dritte Abstand b kann effektiv verhindern, dass Dampf durch einen Raum zwischen dem Substrat 112 und dem TFT-Array 111 eindringt. Der vierte Abstand a kann effektiv verhindern, dass Dampf durch einen Raum zwischen dem Substrat 112 und der unteren Schutzschicht 15 eindringt. Der fünfte Abstand c kann effektiv verhindern, dass Dampf durch einen Raum zwischen der oberen Schutzschicht 14 und der Gehäuseschicht 13 oder zwischen der oberen Schutzschicht und dem TFT-Array 111 eindringt. Somit kann ein Altern des Anzeigebedienfeldes aufgrund eines Eindringens von Dampf effektiv verhindert werden, und die Gehäuseschicht des Anzeigebedienfeldes weist eine gute Abdichtwirkung auf, was die Lebensdauer des Anzeigebedienfeldes verlängert.
  • Bei dem Anzeigebedienfeld gemäß dem Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist eine Echelonschutzstruktur so angeordnet, dass ein Eindringen von Dampf durch einen Raum zwischen zwei strukturellen Schichten effektiv verhindert wird und Feuchtigkeitsaltern und Oxidationsaltern des Anzeigebedienfeldes vermieden werden, was die Lebensdauer des Anzeigebedienfeldes effektiv verlängert.
  • Optional ist der erste Abstand e größer als 0,3 mm; der zweite Abstand d ist größer als 0,2 mm; der dritte Abstand b ist größer als 0,1 mm; der vierte Abstand a ist größer als 0,1; und der fünfte Abstand c ist größer als 0,1 mm. Durch ein Gestalten des Anzeigebedienfelds mit diesen Abständen kann das Eindringen von Dampf durch einen Raum zwischen zwei entsprechenden strukturellen Schichten effektiv verhindert werden und die Wirkung des Abdichtschutzes kann verbessert werden.
  • Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß der vorliegenden Offenbarung ist die obere Schutzschicht 14 mit der Gehäuseschicht 13 und dem TFT-Array 111 durch eine obere Klebemittelschicht 16 verbunden; und die untere Schutzschicht 15 ist mit dem Substrat 112 durch eine untere Klebemittelschicht 17 verbunden. In der ersten Richtung X ist ein Rand der oberen Klebemittelschicht 16 bündig mit dem der oberen Schutzschicht 14 und ein Rand der unteren Klebemittelschicht 17 ist bündig mit dem der unteren Schutzschicht 15.
  • Es wird Bezug genommen auf 2, die ein schematisches Strukturdiagramm eines Anzeigebedienfeldes gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist. Neben den Strukturen des Anzeigebedienfeldes, das in 1 gezeigt ist, umfasst das Anzeigebedienfeld, das in 2 gezeigt ist, ferner eine erste laterale Schutzschicht 21.
  • Die erste laterale Schutzschicht 21 bedeckt einen Abschnitt des TFT-Arrays 111, der nicht durch die obere Schutzschicht bedeckt ist, bedeckt einen Abschnitt des Substrats 112, der nicht durch das TFT-Array bedeckt ist, und bedeckt zumindest einen Abschnitt der unteren Schutzschicht 15, der nicht durch das Substrat 112 bedeckt ist.
  • Bei dem in 2 gezeigten Ausführungsbeispiel kann das Eindringen von Dampf durch einen Raum zwischen zwei strukturellen Schichten ferner durch Anordnen der ersten lateralen Schutzschicht 21 verhindert werden, was ferner die Abdichtschutzwirkung des Anzeigebedienfeldes verbessert, ein Feuchtigkeitsaltern und Oxidationsaltern der strukturellen Schichten des Anzeigebedienfeldes besser vermeidet und ferner die Lebensdauer des Anzeigebedienfeldes verlängert.
  • Es wird Bezug genommen auf 3, die ein schematisches Strukturdiagramm eines Anzeigebedienfeldes gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist. Neben den Strukturen des Anzeigebedienfeldes, das in 2 gezeigt ist, umfasst das Anzeigebedienfeld, das in 3 gezeigt ist, ferner eine zweite laterale Schutzschicht 31. Die zweite laterale Schutzschicht 31 bedeckt die erste laterale Schutzschicht 21.
  • Bei dem in 3 gezeigten Ausführungsbeispiel kann das Eindringen von Dampf durch einen Raum zwischen zwei strukturellen Schichten ferner durch die zweite laterale Schutzschicht 31 verhindert werden, die ferner die Abdichtschutzwirkung des Anzeigebedienfeldes verbessert, ein Feuchtigkeitsaltern und Oxidationsaltern der strukturellen Schichten des Anzeigebedienfeldes besser vermeidet und ferner die Lebensdauer des Anzeigebedienfeldes verlängert.
  • Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß der vorliegenden Offenbarung kann die zweite laterale Schutzschicht 22 ein Al2O3-Film sein, der dicker als 0,03 mm ist, und die erste laterale Schutzschicht 21 kann ein Dichtungsmittel sein.
  • Es wird Bezug genommen auf 4, die ein schematisches Strukturdiagramm eines Anzeigebedienfeldes gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist. Um bei dem in 4 gezeigten Ausführungsbeispiel eine gute Gehäuseschutzwirkung zu erzielen und das Eindringen von Dampf effektiver zu verhindern, ist die erste laterale Schutzschicht 21 angeordnet, um eine Schnittstelle zwischen der oberen Klebemittelschicht 16 und der oberen Schutzschicht 14 zu bedecken; und die zweite laterale Schutzschicht 31 ist angeordnet, um eine Schnittstelle zwischen der unteren Klebemittelschicht 17 und der unteren Schutzschicht 15 zu bedecken, einen Kantenabschnitt einer Oberfläche der unteren Schutzschicht 15 weg von der unteren Klebemittelschicht 17 zu bedecken, der eine vorbestimmte Breite L2 aufweist, und einen Kantenabschnitt einer Oberfläche der oberen Schutzschicht 14 weg von der oberen Klebemittelschicht 16 zu bedecken, der eine vorbestimmte Breite L1 aufweist.
  • Optional sind die vorbestimmte Breite L1 und die vorbestimmte Breite L2 beide größer als 0,1 mm und kleiner als der vierte Abstand a.
  • Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß der vorliegenden Offenbarung ist das Substrat 112 ein flexibles Substrat. Das flexible Substrat kann ein Kunststoffsubstrat sein, so dass das Anzeigebedienfeld gebogen werden kann, und kann verwendet werden, um ein biegbares Anzeigebedienfeld herzustellen.
  • Gemäß den obigen Beschreibungen weist das Anzeigebedienfeld gemäß dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung eine gute Gehäuseschutzwirkung auf, was ein Eindringen von Dampf effektiv verhindern, Feuchtigkeitsaltern und Oxidationsaltern der strukturellen Schichten verhindern und die Lebensdauer des Anzeigebedienfeldes effektiv verlängern kann.
  • Basierend auf den Ausführungsbeispielen des Anzeigebedienfeldes, wie in 5 gezeigt ist, ist ein Verfahren zum Herstellen eines Anzeigebedienfeldes gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung vorgesehen.
  • Es wird Bezug genommen auf 5, die ein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen eines Anzeigebedienfeldes gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist. Das Verfahren umfasst Schritte S11 bis S14.
  • Schritt S11 umfasst ein Bereitstellen eines TFT-Arraysubstrats.
  • Die Struktur des TFT-Arraysubstrats kann sich auf die vorhergehenden Ausführungsbeispiele beziehen, was ein Substrat und ein TFT-Array umfasst, das auf einer Oberfläche des Substrats angeordnet ist. Ein dritter Abstand b kann zwischen dem TFT-Array und einem Rand des Substrats angeordnet sein.
  • Schritt S12 umfasst ein Bilden eines OLED-Arrays auf einer Oberfläche des TFT-Arraysubstrats.
  • Das OLED-Array kann auf der Oberfläche des TFT-Arraysubstrats durch einen Verdampfungsprozess gebildet werden. Das TFT-Array befindet sich zwischen dem OLED-Array und dem Substrat.
  • Schritt S13 umfasst ein Bilden einer Gehäuseschicht auf einer Oberfläche des OLED-Arrays.
  • Die Gehäuseschicht wird durch einen Filmhäusenprozess gebildet und die Gehäuseschicht kann eine Mehrschichtstruktur sein, die mehrere abwechselnd verteilte organische Schichten und anorganische Schichten umfasst.
  • Die Gehäuseschicht bedeckt das OLED-Array; in einer ersten Richtung befindet sich ein erster Vorsprung des OLED-Arrays auf dem TFT-Arraysubstrat in einem zweiten Vorsprung der Gehäuseschicht auf dem TFT-Arraysubstrat und ein erster Abstand ist zwischen einem Rand des ersten Vorsprungs und dem des zweiten Vorsprungs vorhanden, wobei die erste Richtung senkrecht zu dem TFT Arraysubstrat ist.
  • Schritt S14 umfasst ein Bilden einer oberen Schutzschicht auf einer Oberfläche der Gehäuseschicht und Bilden einer unteren Schutzschicht an einer Seite des TFT-Arraysubstrats weg von dem OLED-Array.
  • In der ersten Richtung befindet sich der zweite Vorsprung in einem dritten Vorsprung der oberen Schutzschicht auf dem TFT Arraysubstrat und ein zweiter Abstand ist zwischen dem Rand des zweiten Vorsprungs und dem des dritten Vorsprungs vorhanden.
  • Um die Gehäuseschutzwirkung zu verbessern, umfasst das Verfahren ferner folgenden Schritt: ein Bilden einer ersten lateralen Schutzschicht, wobei die erste laterale Schutzschicht einen Abschnitt des TFT-Arrays bedeckt, der nicht durch die obere Schutzschicht bedeckt ist, einen Abschnitt des Substrats bedeckt, der nicht durch das TFT-Array bedeckt ist, und zumindest einen Abschnitt der unteren Schutzschicht bedeckt, der nicht durch das Substrat bedeckt ist.
  • Um die Gehäuseschutzwirkung zu verbessern, umfasst das Verfahren ferner ein Bilden einer zweiten lateralen Schutzschicht, wobei die zweite laterale Schutzschicht die erste laterale Schutzschicht bedeckt.
  • Ein Diagramm einer endgültigen Struktur des Anzeigebedienfeldes, das durch das Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der Offenbarung hergestellt wird, kann sich auf das Anzeigebedienfeld, das in 1 bis 4 gezeigt ist, beziehen.
  • Es ist zu beachten, dass das Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der Offenbarung verwendet wird, um das Anzeigebedienfeld gemäß den Ausführungsbeispielen herzustellen, Strukturdiagramme des Anzeigebedienfeldes können sich auf die Zeichnungen der Ausführungsbeispiele des Anzeigebedienfeldes beziehen und ein Ausführungsbeispiel kann sich auf andere Ausführungsbeispiele für die gleichen oder ähnliche Teile beziehen, die hierin nicht beschrieben werden.
  • Das Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der Offenbarung kann verwendet werden, um das Anzeigebedienfeld gemäß den vorhergehenden Ausführungsbeispielen herzustellen, und das Anzeigebedienfeld weist eine gute Gehäuseschutzwirkung und eine lange Lebensdauer auf.
  • Die Beschreibung der hierin offenbarten Ausführungsbeispiele ermöglicht es Fachleuten, die vorliegende Offenbarung zu verwirklichen oder zu verwenden. Verschiedene Modifizierungen der Ausführungsbeispiele sind Fachleuten ersichtlich und hierin definierte allgemeine Prinzipien können bei anderen Ausführungsbeispielen verwirklicht werden, ohne von der Wesensart oder dem Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Daher ist die vorliegende Offenbarung nicht auf die hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt, sondern entspricht dem größtmöglichen Schutzumfang gemäß den hierin offenbarten Prinzipien und neuartigen Merkmale.

Claims (12)

  1. Ein Anzeigebedienfeld, das folgende Merkmale aufweist: ein Dünnfilmtransistor, TFT,-Arraysubstrat (11); ein Organische-Lichtemittierende-Diode, OLED,-Array (12), wobei das OLED-Array (12) auf dem TFT-Arraysubstrat (11) angeordnet ist; eine Gehäuseschicht (13), die das OLED-Array (12) bedeckt, wobei sich in einer ersten Richtung ein erster Vorsprung des OLED-Arrays (12) auf dem TFT-Arraysubstrat (11) in einem zweiten Vorsprung der Gehäuseschicht (13) auf dem TFT-Arraysubstrat (11) befindet und ein erster Abstand (e) zwischen einem Rand des ersten Vorsprungs und dem des zweiten Vorsprungs vorhanden ist; eine obere Schutzschicht (14), die die Gehäuseschicht (13) bedeckt, wobei sich in der ersten Richtung der zweite Vorsprung in einem dritten Vorsprung der oberen Schutzschicht (14) auf dem TFT-Arraysubstrat (11) befindet und ein zweiter Abstand (d) zwischen dem Rand des zweiten Vorsprungs und dem des dritten Vorsprungs vorhanden ist; und eine untere Schutzschicht (15), die an einer Seite des TFT-Arraysubstrats (11) weg von dem OLED-Array angeordnet ist, wobei die erste Richtung senkrecht zu dem TFT-Arraysubstrat ist.
  2. Das Anzeigebedienfeld gemäß Anspruch 1, bei dem das TFT-Arraysubstrat (11) ein Substrat (112) und ein TFT-Array (111) aufweist, das auf einer Oberfläche des Substrats (112) angeordnet ist, wobei das TFT-Array (111) an einer Seite des Substrats (112) angeordnet ist, die dem OLED-Array (12) zugewandt ist, wobei, sich in der ersten Richtung ein vierter Vorsprung des TFT-Arrays (111) auf der unteren Schutzschicht (15) in einem fünften Vorsprung des Substrats (112) auf der unteren Schutzschicht (15) befindet, ein dritter Abstand (b) zwischen einem Rand des vierten Vorsprungs und dem des fünften Vorsprungs vorhanden ist, ein vierter Abstand (a) zwischen dem Rand des vierten Vorsprungs und dem der unteren Schutzschicht (15) vorhanden ist, und in der ersten Richtung ein fünfter Abstand (c) zwischen einem Rand eines sechsten Vorsprungs der oberen Schutzschicht (14) auf dem Substrat (112) und einem Rand der TFT-Arrayschicht (11) vorhanden ist.
  3. Das Anzeigebedienfeld gemäß Anspruch 2, bei dem der erste Abstand (e) größer als 0,3 mm ist, der zweite Abstand (d) größer als 0,2 mm ist, der dritte Abstand (b) größer als 0,1 mm ist, der vierte Abstand (a) größer als 0,1 ist und der fünfte Abstand (c) größer als 0,1 mm ist.
  4. Das Anzeigebedienfeld gemäß Anspruch 2, das ferner eine erste laterale Schutzschicht (21) aufweist, wobei die erste laterale Schutzschicht (21) einen Abschnitt des TFT-Arrays (111) bedeckt, der nicht durch die obere Schutzschicht bedeckt ist, einen Abschnitt des Substrats (112) bedeckt, der nicht durch das TFT-Array (11) bedeckt ist, und zumindest einen Abschnitt der unteren Schutzschicht (15) bedeckt, der nicht durch das Substrat (112) bedeckt ist.
  5. Das Anzeigebedienfeld gemäß Anspruch 4, das ferner eine zweite laterale Schutzschicht (31) aufweist, wobei die zweite laterale Schutzschicht (31) die erste laterale Schutzschicht (21) bedeckt.
  6. Das Anzeigebedienfeld gemäß Anspruch 5, bei dem die zweite laterale Schutzschicht (22) ein Al2O3-Film ist und der Al2O3-Film dicker als 0,03 mm ist.
  7. Das Anzeigebedienfeld gemäß Anspruch 5, bei dem die obere Schutzschicht (14) mit der Gehäuseschicht (13) und dem TFT-Array (111) durch eine obere Klebemittelschicht (16) verbunden ist und die untere Schutzschicht (15) mit dem Substrat (112) durch eine untere Klebemittelschicht (17) verbunden ist, wobei in der ersten Richtung ein Rand der oberen Klebemittelschicht (16) bündig mit dem der oberen Schutzschicht (14) ist und ein Rand der unteren Klebemittelschicht (15) bündig mit dem der unteren Schutzschicht (17) ist.
  8. Das Anzeigebedienfeld gemäß Anspruch 7, bei dem die erste laterale Schutzschicht (21) eine Grenzfläche zwischen der oberen Klebemittelschicht (16) und der oberen Schutzschicht (14) bedeckt, und die zweite laterale Schutzschicht (31) eine Grenzfläche zwischen der unteren Klebemittelschicht (17) und der unteren Schutzschicht (15) bedeckt, einen Kantenabschnitt einer Oberfläche der unteren Schutzschicht (15) weg von der unteren Klebemittelschicht (17) bedeckt, der eine vorbestimmte Breite (L2) aufweist, und einen Kantenabschnitt einer Oberfläche der oberen Schutzschicht (14) weg von der oberen Klebemittelschicht (16) bedeckt, der eine vorbestimmte Breite (L1) aufweist.
  9. Das Anzeigebedienfeld gemäß Anspruch 8, bei dem die vorbestimmten Breiten größer als 0,1 mm und kleiner als der vierte Abstand (a) sind.
  10. Das Anzeigebedienfeld gemäß Anspruch 4, bei dem die erste laterale Schutzschicht ein Dichtungsmittel ist.
  11. Das Anzeigebedienfeld gemäß Anspruch 2, bei dem das Substrat (112) ein flexibles Substrat ist.
  12. Ein Verfahren zum Herstellen des Anzeigebedienfeldes gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, das folgende Schritte aufweist: Bereitstellen eines TFT Arraysubstrats; Bilden eines OLED-Arrays auf einer Oberfläche des TFT-Arraysubstrats; Bilden einer Gehäuseschicht auf einer Oberfläche des OLED-Arrays, wobei die Gehäuseschicht das OLED-Array bedeckt; sich in einer ersten Richtung ein erster Vorsprung des OLEDs auf dem TFT-Arraysubstrat in einem zweiten Vorsprung der Gehäuseschicht auf dem TFT-Arraysubstrat befindet; und ein erster Abstand zwischen einem Rand des ersten Vorsprungs und dem des zweiten Vorsprungs vorhanden ist, wobei die erste Richtung senkrecht zu dem TFT-Arraysubstrat ist; und Bilden einer oberen Schutzschicht auf einer Oberfläche der Gehäuseschicht und Bilden einer unteren Schutzschicht an einer Seite des TFT-Arraysubstrats weg von dem OLED-Array, wobei sich in der ersten Richtung der zweite Vorsprung in einem dritten Vorsprung der oberen Schutzschicht auf dem TFT-Arraysubstrat befindet und ein zweiter Abstand zwischen dem Rand des zweiten Vorsprungs und dem des dritten Vorsprungs vorhanden ist.
DE102016213581.3A 2015-11-30 2016-07-25 Anzeigebedienfelder und Verfahren zum Herstellen derselben Pending DE102016213581A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510862357.5 2015-11-30
CN201510862357.5A CN105304686B (zh) 2015-11-30 2015-11-30 一种显示面板及其制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102016213581A1 true DE102016213581A1 (de) 2017-06-01

Family

ID=55201711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102016213581.3A Pending DE102016213581A1 (de) 2015-11-30 2016-07-25 Anzeigebedienfelder und Verfahren zum Herstellen derselben

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10559638B2 (de)
CN (2) CN105304686B (de)
DE (1) DE102016213581A1 (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN206179906U (zh) * 2016-12-01 2017-05-17 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置
CN108110145B (zh) * 2017-12-15 2024-05-28 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及封装方法、显示装置
US10490777B2 (en) 2018-01-31 2019-11-26 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED display and manufacturing method thereof
CN108288640B (zh) * 2018-01-31 2020-04-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示器及其制作方法
CN108337342A (zh) * 2018-05-14 2018-07-27 维沃移动通信有限公司 一种显示屏及移动终端
CN109103217B (zh) * 2018-07-30 2021-06-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled面板以及显示装置
CN109301083B (zh) * 2018-09-17 2020-02-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled封装结构的保护膜、oled封装结构及制备方法
CN209167757U (zh) * 2019-01-29 2019-07-26 合肥鑫晟光电科技有限公司 覆晶薄膜及显示装置
CN110112192B (zh) * 2019-04-29 2021-07-13 云谷（固安）科技有限公司 一种有机发光显示模组及电子设备
CN110165077A (zh) * 2019-05-28 2019-08-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板及其封装方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6605826B2 (en) * 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
CN1617636A (zh) * 2003-11-12 2005-05-18 铼宝科技股份有限公司 具有疏水层的有机发光面板
US7619258B2 (en) * 2004-03-16 2009-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2006222071A (ja) * 2005-01-17 2006-08-24 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
JP4776393B2 (ja) * 2006-02-20 2011-09-21 株式会社 日立ディスプレイズ 有機ｅｌ表示装置
KR100796129B1 (ko) * 2007-01-30 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
TWI403999B (zh) 2010-03-23 2013-08-01 Au Optronics Corp 可撓式顯示器之封裝結構
KR101931174B1 (ko) * 2012-03-22 2019-03-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
CN104064674A (zh) * 2013-03-21 2014-09-24 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件
KR102093393B1 (ko) 2013-08-14 2020-03-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN105304686A (zh) 2016-02-03
US10559638B2 (en) 2020-02-11
CN109192880A (zh) 2019-01-11
US20170154938A1 (en) 2017-06-01
CN109192880B (zh) 2020-09-22
CN105304686B (zh) 2018-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102016213581A1 (de) Anzeigebedienfelder und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102016212922B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Arraysubstrats
DE102017103426B4 (de) Arraysubstrat und Anzeigefeld
DE102016102102B4 (de) Berührungsgesteuerte Anzeigevorrichtung und Herstellverfahren derselben
DE102016104003B4 (de) Array-Substrat, Berührungsanzeigefeld und Anzeigegerät
DE102015216823B4 (de) Arraysubstrat, Anzeigebedienfeld und Anzeigevorrichtung
DE102016114670B4 (de) Packungsstruktur und Packungsverfahren für Arraysubstrat und Anzeigefeld
DE102015216549B4 (de) Arraysubstrat, Verfahren zur Herstellung desselben und Anzeigevorrichtung
DE102014108184B4 (de) Array-Substrat, Anzeigefeld und Display
DE102018122734A1 (de) Organisches lichtemittierendes anzeigepanel, verfahren zur herstellung organischen lichtemittierenden anzeigepanels und organische lichtemittierende anzeigevorrichtung
DE102018000290B4 (de) Displaytafel und Displayvorrichtung
DE102019122832A1 (de) Anzeigevorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102015121828A1 (de) Anzeigefeld, Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung des Anzeigefelds
DE102015113060A1 (de) Anordnungssubstrat, berührungsempfindliches anzeigefeld und berührungsempfindliche anzeigevorrichtung
DE102015220154A1 (de) Arraysubstrat und Flüssigkristallanzeigevorrichtung
DE102014107823A1 (de) Anzeigevorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102016203356B4 (de) Berührungsanzeigebedienfeldstruktur, Verfahren zum Bilden derselben und Berührungsanzeigevorrichtung
DE102016112586B4 (de) Anzeigegerät, Herstellverfahren und Anzeigevorrichtung
DE102014211119A1 (de) Berührungsanzeigepaneel und Anzeigevorrichtung mit diesem
DE102014104242A1 (de) Tft-array-substrat und herstellungsverfahren sowie anzeigevorrichtung
DE102015218247A1 (de) Arraysubstrat, Bildungsverfahren für dasselbe und Anzeigevorrichtung
DE102014107983B4 (de) Array-Substrat, dessen Herstellungsverfahren und Flüssigkristalldisplay
DE102017101239A1 (de) Arraysubstrat und Anzeigevorrichtung
DE102015215300B4 (de) Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102015226569A1 (de) Arraysubstrat und Anzeigefeld

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: WUHAN TIANMA MICROELECTRONICS CO., LTD. SHANGH, CN

Free format text: FORMER OWNERS: SHANGHAI TIANMA AM-OLED CO., LTD., SHANGHAI, CN; TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO., LTD., SHENZHEN, CN

Owner name: WUHAN TIANMA MICROELECTRONICS CO., LTD., CN

Free format text: FORMER OWNERS: SHANGHAI TIANMA AM-OLED CO., LTD., SHANGHAI, CN; TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO., LTD., SHENZHEN, CN

Owner name: TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO., LTD., CN

Free format text: FORMER OWNERS: SHANGHAI TIANMA AM-OLED CO., LTD., SHANGHAI, CN; TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO., LTD., SHENZHEN, CN

R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0027280000

Ipc: H10K0019000000