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TECHNISCHES GEBIET
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Die vorliegende Anmeldung betrifft ein Gebiet der Anzeigetechnik und insbesondere eine Anzeigetafel, eine Anzeigevorrichtung und ein Verfahren zum Antreiben der Anzeigevorrichtung.
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HINTERGRUND
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Mit der Entwicklung der Anzeigetechnik haben sich Flüssigkristallanzeigevorrichtungen (LCD-Vorrichtungen), engl. Liquid Crystal Display – LCD, weit verbreitet, wobei die Anzeigewirkung der LCD-Vorrichtungen kontinuierlich verbessert wird.
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Normalerweise muss in der LCD-Vorrichtung die Polarität einer Spannungsdifferenz, die an die Flüssigkristallmoleküle angelegt wird, periodisch invertiert werden, um zu verhindern, dass das Flüssigkristallmaterial aufgrund der Polarisation des Flüssigkristallmaterials dauerhaft zerstört wird, und ferner den Nachbildeffekt zu verhindern. Die üblichen Polaritätsumkehrungsverfahren umfassen ein Einzelbildumkehrungsverfahren, ein Bildpunktumkehrungsverfahren, ein Spaltenumkehrungsverfahren, ein Reihenumkehrungsverfahren, ein Doppelspaltenumkehrungsverfahren und ein Doppelbildpunktumkehrungsverfahren. Aus den oben genannten Umkehrungsverfahren ist das Einzelbildumkehrungsverfahren hinsichtlich eines minimalen Leistungsverbrauchs vorteilhaft, ist jedoch anfällig für ein Flimmerphänomen. Das Bildpunktumkehrungsverfahren ist aufgrund des maximalen Leistungsverbrauchs unvorteilhaft, hat jedoch den besten Anzeigeeffekt, und das Spaltenumkehrungsverfahren, das Reihenumkehrungsverfahren, das Doppelspaltenumkehrungsverfahren und das Doppelbildpunktumkehrungsverfahren verursachen einen Leistungsverbrauch, der zwischen dem Leistungsverbrauch des Bildpunktumkehrungsverfahrens und dem Leistungsverbrauch des Einzelbildumkehrungsverfahrens liegt.
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Auf der Grundlage der Eigenheiten der oben genannten Umkehrungsverfahren wird im Stand der Technik die Spaltenumkehrung oder Reihenumkehrung im Allgemeinen zur Implementierung des Bildpunktumkehrungsverfahrens angewendet, um den durch die Polaritätsumkehrung hervorgerufenen Leistungsverbrauch zu verringern. 1 ist eine schematische Strukturdarstellung einer Pixelstruktur aus dem Stand der Technik. Wie in 1 gezeigt, weist die Pixelstruktur, bei der die Bildpunktumkehrung durch die Spaltenumkehrung implementiert ist, mehrere Datenleitungen 11, mehrere Abtastleitungen 12, mehrere Pixeleinheiten 13, die durch Überschneidung der mehreren Datenleitungen 11 mit den mehreren Abtastleitungen 12 gebildet sind, und einen Dünnschichttransistor 14 sowie eine Pixelelektrode 15 auf, die in jeder der Pixeleinheiten 13 liegt. Eine Gate-Elektrode jedes Dünnschichttransistors 14 ist mit der Abtastleitung 12 unter dem Dünnschichttransistor 14 elektrisch verbunden, und eine Drain-Elektrode jedes Dünnschichttransistors 14 ist mit der Pixelelektrode 15 der Pixeleinheit 13, die den Dünnschichttransistor 14 aufweist, elektrisch verbunden. Für zwei beliebige benachbarte Reihen der Pixeleinheiten 13 sind die Source-Elektroden der Dünnschichttransistoren 14 aus einer der beiden benachbarten Reihen der Pixeleinheiten 13 auf der linken Seite davon mit den Datenleitungen 11 elektrisch verbunden, und die Source-Elektroden der Dünnschichttransistoren 14 aus der anderen der beiden benachbarten Reihen der Pixeleinheiten 13 sind auf der rechten Seite davon mit den Datenleitungen 11 elektrisch verbunden. Das heißt, die Dünnschichttransistoren 14 der ungeradzahligen Reihen von Pixeleinheiten 13 und die Dünnschichttransistoren 14 der geradzahligen Reihen von Pixeleinheiten 13 sind jeweils auf unterschiedlichen Seiten mit den Datenleitungen 11 verbunden.
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Wenn bei der oben beschriebenen Pixelstruktur die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode eines Dünnschichttransistors 14 während der Herstellung des Dünnschichttransistors 14 in Bezug auf die Gate-Elektrode des Dünnschichttransistors 14 nicht genau ausgerichtet werden, werden jedoch beispielsweise die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode in Bezug auf die gewünschten Positionen nach links oder rechts abgelenkt, wobei dann ein Überlappungsbereich zwischen der Drain-Elektrode und der Gate-Elektrode eines Dünnschichttransistors 14 aus der ungeradzahligen Reihe nicht mit einem Überlappungsbereich zwischen der Drain-Elektrode und der Gate-Elektrode eines Dünnschichttransistors 14 aus der geradzahligen Reihe übereinstimmt, so dass die durch die Drain-Elektrode und die Gate-Elektrode des Dünnschichttransistors 14 aus der ungeradzahligen Reihe gebildete Kapazität nicht mit der durch die Drain-Elektrode und die Gate-Elektrode des Dünnschichttransistors 14 aus der geradzahligen Reihe gebildeten Kapazität übereinstimmt. Wenn von den Abtastleitungen 11 angelegte Abtastsignale nach unten gezogen werden, werden folglich Spannungen der Pixelelektroden 15 aus der ungeradzahligen Reihe im Vergleich zu Spannungen der Pixelelektroden 15 aus der geradzahligen Reihe um einen anderen Betrag nach unten gezogen. Dementsprechend unterscheidet sich die Kompensationsspannung der gemeinsamen Elektrode, die für die Pixelelektrode 15 aus der ungeradzahligen Reihe benötigt wird, von derjenigen, die für die Pixelelektrode 15 aus der geradzahligen Reihe benötigt wird. Da die gemeinsame Elektrode planar ist, d.h. die gleiche gemeinsame Spannung an der gemeinsamen Elektrode, die über verschiedene Pixelelektroden 15 liegt, angelegt wird, kann die gemeinsame Elektrode die Spannungen der Pixelelektroden 15 aus den ungeradzahligen Reihen oder aus den geradzahligen Reihen nicht vollständig kompensieren, wodurch in der Pixelstruktur Querstreifen und das Flimmern erzeugt werden.
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KURZZUSAMMENFASSUNG
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Mit Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung werden eine Anzeigetafel, eine Anzeigevorrichtung und ein Verfahren zum Antreiben der Anzeigevorrichtung bereitgestellt, um die Querstreifen und das Flimmern in der Pixelstruktur zu vermeiden, die aufgrund der ungenauen Ausrichtung der Position des Dünnschichttransistors in der Pixelstruktur erzeugt werden, in der im Stand der Technik die Bildpunktumkehrung durch die Spaltenumkehrung erreicht wird.
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In einem ersten Aspekt wird mit Ausführungsformen der Offenbarung eine Anzeigetafel bereitgestellt, wobei die Anzeigetafel eine Pixelstruktur aufweist und die Pixelstruktur Folgendes aufweist:
mehrere Datenleitungen und mehrere Abtastleitungen, und
mehrere Pixeleinheiten, die durch Überschneidung der mehreren Datenleitungen mit den mehreren Abtastleitungen gebildet sind, wobei eine Pixeleinheit einer der mehreren Datenleitungen und einer der mehreren Abtastleitungen entspricht
und jede der Pixeleinheiten eine Pixelelektrode und einen Dünnschichttransistor darin aufweist,
wobei in einer von zwei benachbarten Reihen von Pixeleinheiten der Dünnschichttransistor einer Pixeleinheit in einer Reihe mit einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit in der gleichen Reihe elektrisch verbunden ist, die angrenzend auf einer ersten Seite der Pixeleinheit angeordnet ist, die den Dünnschichttransistor aufweist, und in der anderen der beiden benachbarten Reihen von Pixeleinheiten ein Dünnschichttransistor einer Pixeleinheit in einer Reihe mit einer Pixelelektrode der Pixeleinheit elektrisch verbunden ist oder der Dünnschichttransistor der Pixeleinheit in der Reihe mit einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit in der gleichen Reihe elektrisch verbunden ist, die angrenzend auf einer zweiten Seite der Pixeleinheit angeordnet ist, die den Dünnschichttransistor aufweist,
und wobei die erste Seite des Dünnschichttransistors gegenüber der zweiten Seite des Dünnschichttransistors angeordnet ist.
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In einem zweiten Aspekt wird mit Ausführungsformen der Offenbarung ein Arraysubstrat mit der Pixelstruktur des oben genannten ersten Beispiels bereitgestellt.
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In einem dritten Aspekt wird mit Ausführungsformen der Offenbarung eine Anzeigevorrichtung mit der Anzeigetafel des oben genannten ersten Beispiels bereitgestellt.
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In einem vierten Aspekt wird mit Ausführungsformen der Offenbarung ein Verfahren zum Antreiben der Anzeigevorrichtung bereitgestellt, wobei das Antriebsverfahren von der Anzeigevorrichtung aus dem vierten Beispiel ausgeführt wird und Folgendes umfasst:
sequentielles Einschalten von durch jede Abtastleitung gesteuerten Pixeleinheiten durch die entsprechenden Abtastleitungen, wobei die Pixeleinheit eine Pixelelektrode und einen Dünnschichttransistor aufweist und in einer von zwei benachbarten Reihen von Pixeleinheiten ein Dünnschichttransistor einer Pixeleinheit in einer Reihe mit einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit in der gleichen Reihe elektrisch verbunden ist, die angrenzend auf einer ersten Seite der Pixeleinheit angeordnet ist, die den Dünnschichttransistor aufweist, und in der anderen der beiden benachbarten Reihen von Pixeleinheiten ein Dünnschichttransistor einer Pixeleinheit in einer Reihe mit einer Pixelelektrode der Pixeleinheit elektrisch verbunden ist oder ein Dünnschichttransistor einer Pixeleinheit in einer Reihe mit einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit in der gleichen Reihe elektrisch verbunden ist, die angrenzend auf einer zweiten Seite der Pixeleinheit angeordnet ist, die den Dünnschichttransistor aufweist, und wobei die erste Seite des Dünnschichttransistors gegenüber der zweiten Seite des Dünnschichttransistors angeordnet ist;
Anlegen von ersten Datensignalen an die eingeschalteten Pixeleinheiten durch ungeradzahlige Gruppen von Datenleitungen und Anlegen von zweiten Datensignalen an die eingeschalteten Pixeleinheiten durch geradzahlige Gruppen von Datenleitungen, wobei die Polarität des zweiten Datensignals zur Polarität des ersten Datensignals umgekehrt ist und jede Gruppe von Datenleitungen mindestens eine Datenleitung umfasst.
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Gemäß der Pixelstruktur, dem Arraysubstrat, der Anzeigetafel, der Anzeigevorrichtung und dem Verfahren zum Antreiben der Anzeige ist zumindest in einigen Ausführungsformen der Offenbarung in einer von zwei benachbarten Reihen von Pixeleinheiten der Dünnschichttransistor jeder Pixeleinheit mit der Pixelelektrode einer Pixeleinheit elektrisch verbunden, die angrenzend auf einer ersten Seite des Dünnschichttransistors liegt, und in der anderen der beiden benachbarten Reihen von Pixeleinheiten ist der Dünnschichttransistor jeder Pixeleinheit mit der Pixelelektrode der Pixeleinheit elektrisch verbunden oder der Dünnschichttransistor jeder Pixeleinheit in einer Spalte mit der Pixelelektrode einer Pixeleinheit elektrisch verbunden, die angrenzend auf einer zweiten Seite des Dünnschichttransistors liegt, wodurch die Pixelstruktur eine Bildpunktumkehrung durch eine Spaltenumkehrung erreichen kann oder eine Zweibildpunktumkehrung durch eine Doppelspaltenumkehrungen erreichen kann, wodurch der niedrige Leistungsverbrauch bei der Polaritätsumkehrung gewährleistet ist. Zusätzlich sind auch bei einer ungenauen Ausrichtung der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode in Bezug auf die Gate-Elektrode während der Herstellung des Dünnschichttransistors der niedrigere Spannungsgrad der Pixelelektroden der ungeradzahligen Reihen und der der Pixelelektroden der geradzahligen Reihen identisch, wenn die von den Abtastleitungen angelegten Abtastsignale gesenkt werden. Dementsprechend entspricht die Kompensationsspannung der gemeinsamen Elektrode, die für die Pixelelektroden der ungeradzahligen Reihen benötigt wird, derjenigen, die für die Pixelelektroden der geradzahligen Reihen benötigt wird, d.h. die Spannung der Pixelelektroden der ungeradzahligen Reihen und der geradzahligen Reihen kann durch die gemeinsame Elektrode vollständig kompensiert werden, so dass die Streifen oder das Flimmern verhindern werden können, die aufgrund der unvollständigen Kompensation der Spannung der Pixelelektrode der ungeradzahligen Reihen und der geradzahligen Reihen durch die gemeinsame Elektrode erzeugt werden, wodurch der Anzeigeeffekt der Pixelstruktur verbessert wird.
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Während zahlreiche Ausführungsformen offenbart sind, ergeben sich für den Fachmann noch weitere Ausführungsformen der Offenbarung aus der nachfolgenden ausführlichen Beschreibung, die beispielhafte Ausführungsformen der Offenbarung zeigt und beschreibt. Dementsprechend sind die Zeichnungen und die ausführliche Beschreibung als beispielhaft und nicht einschränkend anzusehen.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Weitere Merkmale, Gegenstände und Vorteile der Offenbarung ergeben sich aus der nachfolgenden ausführlichen Beschreibung von Ausführungsformen mit Bezug auf die nachfolgenden beigefügten Zeichnungen. Darin zeigen:
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1 eine schematische Darstellung des Aufbaus einer Pixelstruktur aus dem Stand der Technik,
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2A eine schematische Darstellung des Aufbaus einer Pixelstruktur gemäß Ausführungsformen der Offenbarung,
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2B eine schematische Darstellung des Aufbaus der Pixelstruktur aus 2A, bei der die Bildpunktumkehrung durch Spaltenumkehrung erhalten wird,
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2C eine schematische Darstellung des Aufbaus einer weiteren Pixelstruktur gemäß Ausführungsformen der Offenbarung,
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3A eine schematische Darstellung des Aufbaus einer weiteren Pixelstruktur gemäß Ausführungsformen der Offenbarung,
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3B eine schematische Darstellung des Aufbaus einer weiteren Pixelstruktur gemäß Ausführungsformen der Offenbarung,
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4A eine schematische Darstellung des Aufbaus einer weiteren Pixelstruktur gemäß Ausführungsformen der Offenbarung,
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4B eine schematische Darstellung des Aufbaus der Pixelstruktur aus 4A, bei der die Zweibildpunktumkehrung durch Doppelspaltenumkehrung erhalten wird,
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4C eine schematische Darstellung des Aufbaus einer weiteren Pixelstruktur gemäß Ausführungsformen der Offenbarung,
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5A eine schematische Darstellung des Aufbaus einer weiteren Pixelstruktur gemäß Ausführungsformen der Offenbarung,
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5B eine schematische Darstellung des Aufbaus einer weiteren Pixelstruktur gemäß Ausführungsformen der Offenbarung,
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6 eine schematische Darstellung des Aufbaus eines Arraysubstrats gemäß Ausführungsformen der Offenbarung,
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7 eine schematische Darstellung des Aufbaus einer Anzeigetafel gemäß Ausführungsformen der Offenbarung,
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8 eine schematische Darstellung des Aufbaus einer Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der Offenbarung,
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9 ein schematisches Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Antreiben der Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der Offenbarung,
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10A bis 10C schematische Darstellungen der Polaritätsumkehrung gemäß Ausführungsformen der Offenbarung entsprechend Schritten zum Erreichen der Bildpunktumkehrung durch Spaltenumkehrung,
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11A bis 11B schematische Darstellungen der Polaritätsumkehrung der Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der Offenbarung, und
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12A bis 12D schematische Darstellungen der Polaritätsumkehrung der weiteren Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der Offenbarung.
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Obwohl die Offenbarung für zahlreiche Änderungen und alternative Formen offen ist, sind in den Zeichnungen besondere Ausführungsformen beispielhaft gezeigt und nachfolgend ausführlich beschrieben. Es wird jedoch nicht beabsichtigt, die Offenbarung auf die beschriebenen besonderen Ausführungsformen zu beschränken. Im Gegenteil, die Offenbarung soll alle Änderungen, gleichwertigen Elemente und Alternativen umfassen, die in den von den beigefügten Ansprüchen definierten Umfang der Offenbarung fallen.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
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Die vorliegende Offenbarung wird nachfolgend weiter zusammen mit den beigefügten Zeichnungen und Ausführungsformen näher erläutert. Es ist zu verstehen, dass hier beschriebene besondere Ausführungsformen lediglich dazu dienen, die Offenbarung zu erläutern und nicht die Offenbarung einzuschränken. Es sei zusätzlich angemerkt, dass für eine leichtere Beschreibung lediglich Teile des mit der vorliegenden Offenbarung zusammenhängenden Inhalts und nicht der gesamte Inhalt in den beigefügten Zeichnungen veranschaulicht ist.
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Mit Ausführungsformen der Offenbarung wird eine Pixelstruktur bereitgestellt. 2A ist eine schematische Darstellung des Aufbaus einer Pixelstruktur gemäß Ausführungsformen der Offenbarung. Wie in 2A gezeigt, weist die Pixelstruktur mehrere Datenleitungen 21, mehrere Abtastleitungen 22 und mehrere Pixeleinheiten 23 auf, die durch Überschneidung der mehreren Datenleitungen 21 mit den mehreren Abtastleitungen 22 gebildet sind, wobei eine Pixeleinheit 23 einer der mehreren Datenleitungen 21 und einer der mehreren Abtastleitungen 21 entspricht und jede Pixeleinheit 23 eine Pixelelektrode 25 sowie einen Dünnschichttransistor 24 darin aufweist, wobei in einer von zwei benachbarten Reihen von Pixeleinheiten 23, wie etwa eine in 2A gezeigte ungeradzahlige Reihe von Pixeleinheiten 23, ein Dünnschichttransistor 24 einer Pixeleinheit 23 in einer Reihe mit einer Pixelelektrode 25 einer Pixeleinheit in der gleichen Reihe elektrisch verbunden ist, die angrenzend auf einer ersten Seite (wie etwa die rechte Seite in 2A) der Pixeleinheit angeordnet ist, die den Dünnschichttransistor 24 aufweist, und in der anderen der beiden benachbarten Reihen von Pixeleinheiten 23, wie etwa eine geradzahlige Reihe in 2A, ein Dünnschichttransistor 24 einer Pixeleinheit 23 in einer Reihe mit einer Pixelelektrode 25 der Pixeleinheit 23 elektrisch verbunden ist.
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Es sei angemerkt, dass die Anzeige der Pixeleinheit durch die Pixelelektrode der Pixeleinheit und den Dünnschichttransistor implementiert ist, welcher mit der Pixelelektrode elektrisch verbunden und dazu ausgelegt ist, diese zu steuern. Der Dünnschichttransistor steuert die Pixelelektrode und steuert somit die Pixeleinheit, die die Pixelelektrode aufweist. Die Abtastleitung, die mit der Gate-Elektrode des Dünnschichttransistors elektrisch verbunden ist, kann den Dünnschichttransistor ein- oder ausschalten. Die mit der Source-Elektrode des Dünnschichttransistors elektrisch verbundene Abtastleitung kann ein Datensignal für die Pixelelektrode bereitstellen, die mit dem Dünnschichttransistor elektrisch verbunden ist, wenn der Dünnschichttransistor eingeschaltet ist. Auf dieser Grundlage entspricht jede solcher Pixeleinheiten 23 einer der Datenleitungen 21 und einer der Abtastleitungen 22. Die Datenleitung 21, die der Pixeleinheit 23 entspricht, ist insbesondere diejenige, die zur Steuerung der Pixeleinheit 23 mit dem Dünnschichttransistor 24 elektrisch verbunden ist, und die Abtastleitung 22, die der Pixeleinheit 23 entspricht, ist diejenige, die zur Steuerung der Pixeleinheit 23 mit dem Dünnschichttransistor 24 elektrisch verbunden ist.
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Wenn, wie in 2B gezeigt, die Polaritätsoffenbarung bei der obigen Pixelstruktur durch eine Spaltenumkehrung implementiert ist, sind die Polaritäten der Datensignale, die an die Pixeleinheiten 23 angelegt werden, die von zwei beliebigen benachbarten Abtastleitungen 22 (die zwei benachbarten Spalten von Pixeleinheiten entsprechen) gesteuert werden, zueinander umgekehrt. Die Polarität des Datensignals wird durch eine Spannungsdifferenz zwischen der Spannung des Datensignals und der gemeinsamen Spannung bestimmt. Wenn die Spannungsdifferenz größer 0 ist, ist die Polarität des Datensignals positiv und in 2B mit „+“ angegeben, und wenn die Spannungsdifferenz weniger als 0 beträgt, ist die Polarität des Datensignals negativ und in 2B mit „–“ angegeben. In 2B ist in einer von zwei benachbarten Reihen von Pixeleinheiten, wie etwa eine ungeradzahlige Reihe von Pixeleinheiten in 2B, ein Dünnschichttransistor 24 jeder Pixeleinheit 23 in einer Spalte mit einer Pixelelektrode 25 einer Pixeleinheit 23 elektrisch verbunden, die angrenzend auf einer ersten Seite (etwa die rechte Seite in 2B) des Dünnschichttransistors 24 angeordnet ist, und in der anderen der beiden benachbarten Reihen von Pixeleinheiten 23, wie etwa eine geradzahlige Reihe von Pixeleinheiten in 2B, ist ein Dünnschichttransistor 24 jeder Pixeleinheit 23 mit einer Pixelelektrode 25 der Pixeleinheit 23 elektrisch verbunden. Somit liefert in einer Spalte von Pixeleinheiten 23 die Datenleitung 21 auf einer ersten Seite einer Pixeleinheit 23 aus jeder geradzahligen Reihe von Pixeleinheiten ein Datensignal für die Pixeleinheit 23, und die Datenleitung 21 auf einer zweiten Seite einer Pixeleinheit 23 aus jeder ungeradzahligen Reihe von Pixeleinheiten 23 liefert ein Datensignal für die Pixeleinheit 23. Somit ist in einer Spalte von Pixeleinheiten 23 die Polarität des Datensignals, das von einer Pixeleinheit 23 aus der ungeradzahligen Reihe von Pixeleinheiten erhalten wird, umgekehrt zur Polarität des Datensignals, das von einer Pixeleinheit 23 aus der geradzahligen Reihe von Pixeleinheiten erhalten wird, und in einer Reihe von Pixeleinheiten ist die Polarität des Datensignals, das von einer Pixeleinheit 23 aus einer von zwei benachbarten Spalten von Pixeleinheiten erhalten wird, umgekehrt zur Polarität des Datensignals, das von einer Pixeleinheit 23 aus der anderen der beiden benachbarten Spalten von Pixeleinheiten erhalten wird. Wie oben beschrieben, wird eine Bildpunktumkehrung bei der in 2A gezeigten Pixelstruktur durch eine Spaltenumkehrung erhalten, wodurch der niedrige Leistungsverbrauch der Polaritätsumkehrung ähnlich wie im Stand der Technik ermöglicht wird. Es sei angemerkt, dass bei der oben genannten Polaritätsumkehrung zwei Einzelbilder als Polaritätsumkehrung-Antriebsperiode verwendet werden können oder alternativ vier Einzelbilder oder eine größere gerade Anzahl von Einzelbildern als Polaritätsumkehrung-Antriebsperiode verwendet werden können. Vorzugsweise werden zwei Einzelbilder als Polaritätsumkehrung-Antriebsperiode verwendet.
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Da alle Dünnschichttransistoren 24 mit den Datenleitungen elektrisch verbunden sind, die auf der gleichen Seite des Dünnschichttransistors 24 liegen (zum Beispiel auf der in 2A gezeigten linken Seite), entspricht auch bei einer ungenauen Positionierung der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode des Dünnschichttransistors 24 in Bezug auf die Gate-Elektrode während der Herstellung des Dünnschichttransistors 24 der Überlappungsbereich zwischen der Drain-Elektrode und der Gate-Elektrode des Dünnschichttransistors 24 aus den ungeradzahligen Reihen von Dünnschichttransistoren 24 dem Überlappungsbereich zwischen der Drain-Elektrode und der Gate-Elektrode des Dünnschichttransistors 24 aus den geradzahligen Reihen von Dünnschichttransistoren 24, so dass die Kapazität, die von der Drain-Elektrode und der Gate-Elektrode der Dünnschichttransistoren 24 aus den ungeradzahligen Reihen von Dünnschichttransistoren 24 gebildet wird, der Kapazität entspricht, die durch die Drain-Elektrode und die Gate-Elektrode des Dünnschichttransistors 24 aus den geradzahligen Reihen von Dünnschichttransistoren 24 gebildet wird. In diesen Fällen, wenn die durch die Abtastleitungen 22 angelegten Abtastsignale nach unten gezogen werden, werden die Spannungen der Pixelelektroden 25 aus den ungeradzahligen Reihen von Pixeleinheiten um den gleichen Betrag nach unten gezogen wie die Spannungen der Pixelelektroden 25 aus den geradzahligen Reihen von Pixeleinheiten, und dementsprechend entspricht die Kompensationsspannung der gemeinsamen Elektrode, die für die Pixelelektrode 25 aus den ungeradzahligen Reihen benötigt wird, derjenigen, die für die Pixelelektrode 25 aus den geradzahligen Reihen benötigt wird. Da die Spannungen der Pixelelektroden 25 der ungeradzahligen und der geradzahligen Reihen im Vergleich zum Stand der Technik von einer gemeinsamen Elektrode vollständig kompensiert werden können, ist es möglich, Querstreifen und das Flimmern zu verhindern, die aufgrund der unvollständigen Kompensation der Spannungen der Pixelelektroden 25 aus den ungeradzahligen Reihen und aus den geradzahligen Reihen durch die gemeinsame Elektrode erzeugt werden, wodurch der Anzeigeeffekt der Pixelstruktur verbessert wird.
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In 2A ist in einer ungeradzahligen Reihe von Pixeleinheiten ein Dünnschichttransistor 24 einer Pixeleinheit 23 in einer Reihe mit einer Pixelelektrode 25 einer Pixeleinheit 23 in der gleichen Reihe elektrisch verbunden, die angrenzend auf der rechten Seite der Pixeleinheit 23 mit dem Dünnschichttransistor 24 liegt, und in einer geradzahligen Reihe von Pixeleinheiten ist ein Dünnschichttransistor 24 einer Pixeleinheit 23 in einer Reihe mit einer Pixelelektrode 25 der Pixeleinheit elektrisch verbunden. Bei der in 2C gezeigten Pixelstruktur ist es darüber hinaus auch möglich, dass in einer ungeradzahligen Reihe von Pixeleinheiten ein Dünnschichttransistor 24 jeder Pixeleinheit 23 in einer Spalte mit einer Pixelelektrode 25 einer Pixeleinheit elektrisch verbunden ist, die angrenzend auf einer linken Seite des Dünnschichttransistor 24 liegt, und in einer geradzahligen Reihe von Pixeleinheiten ein Dünnschichttransistor 24 jeder Pixeleinheit 23 mit einer Pixelelektrode 25 der Pixeleinheit elektrisch verbunden ist, so dass bei der Pixelstruktur, wie insbesondere in 2B gezeigt, eine Bildpunktumkehrung durch eine Spaltenumkehrung erreicht wird, was hier nicht ausführlich beschrieben wird.
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Zusätzlich zu den in den 2A und 2C gezeigten Pixelstrukturen ist es bei einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung mit Bezug auf 3A in der Pixelstruktur auch möglich, dass in einer geradzahligen Reihe von Pixeleinheiten ein Dünnschichttransistor 24 jeder Pixeleinheit 23 in einer Spalte mit einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit elektrisch verbunden ist, die angrenzend auf einer rechten Seite des Dünnschichttransistors 24 liegt, und in einer ungeradzahligen Reihe von Pixeleinheiten ein Dünnschichttransistor 24 jeder Pixeleinheit 23 mit einer Pixelelektrode 25 der Pixeleinheit 23 elektrisch verbunden ist. Oder alternativ, mit Bezug auf 3B, ist es bei der Pixelstruktur auch möglich, dass in einer geradzahligen Reihe von Pixeleinheiten ein Dünnschichttransistor 24 jeder Pixeleinheit 23 in einer Spalte mit einer Pixelelektrode 25 einer Pixeleinheit elektrisch verbunden ist, die angrenzend auf einer linken Seite des Dünnschichttransistors 24 liegt, und dass in einer ungeradzahligen Reihe von Pixeleinheiten ein Dünnschichttransistor 24 jeder Pixeleinheit 23 mit einer Pixelelektrode 25 der Pixeleinheit 23 elektrisch verbunden ist. Es sei angemerkt, dass bei den Pixelstrukturen aus den 3A und 3B ebenso eine Bildpunktumkehrung durch eine Spaltenumkehrung erreicht werden kann, wie insbesondere in 2B gezeigt, was hier nicht ausführlich beschrieben wird.
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Gemäß Ausführungsformen der Offenbarung können bei der Pixelstruktur, bei der eine Bildpunktumkehrung durch eine Spaltenumkehrung erreicht wird, die Querstreifen und das Flimmern verhindert werden, die aufgrund von falschen Positionen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode in Bezug auf die Gate-Elektrode während der Herstellung des Dünnschichttransistors erzeugt werden, während dabei der relativ niedrige Leistungsverbrauch der Polaritätsumkehrung gewährleistet ist. Darüber hinaus kann eine ähnliche Wirkung bei der Pixelstruktur erhalten werden, bei der eine Zweipunktumkehrung durch eine Zweispaltenumkehrung erreicht wird, wobei damit zusammenhängende Ausführungsformen nachfolgend beschrieben sind.
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Mit Bezug auf 4A ist in einer ungeradzahligen Reihe von Pixeleinheiten ein Dünnschichttransistor 24 jeder Pixeleinheit 23 in einer Spalte mit einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit elektrisch verbunden, die angrenzend auf einer ersten Seite (d.h. auf der rechten Seite in 4A) des Dünnschichttransistors 24 liegt, und in einer geradzahligen Reihe von Pixeleinheiten ist ein Dünnschichttransistor jeder Pixeleinheit 23 in einer Spalte mit einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit elektrisch verbunden, die angrenzend auf einer zweiten Seite (d.h. auf der linken Seite in 4A) des Dünnschichttransistors 24 liegt, wobei eine benachbarte Spalte auf der ersten Seite des Dünnschichttransistors 24 gegenüber einer benachbarten Spalte auf der zweiten Seite des Dünnschichttransistors 24 angeordnet ist.
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Wenn die Polaritätsumkehrung bei der Pixelstruktur aus 4A durch eine Doppelspaltenumkehrung erreicht wird, werden zwei benachbarte Datenleitungen als Gruppe von Datenleitungen zur Bereitstellung von Datensignalen mit der gleichen Polarität definiert, wobei zwei benachbarte Gruppen von Datenleitungen Datensignale mit umgekehrten Polaritäten bereitstellen, wie in 4B gezeigt. In 4B ist in einer ungeradzahligen Reihe von Pixeleinheiten ein Dünnschichttransistor 24 jeder Pixeleinheit 23 in einer Spalte mit einer Pixelelektrode 25 einer Pixeleinheit elektrisch verbunden, die angrenzend auf einer ersten Seite (d.h. auf der rechten Seite in 4B) des Dünnschichttransistors 24 liegt, und in einer geradzahligen Reihe von Pixeleinheiten ist ein Dünnschichttransistor 24 jeder Pixeleinheit 23 in einer Spalte mit einer Pixelelektrode 25 einer Pixeleinheit elektrisch verbunden, die angrenzend auf einer zweiten Seite (d.h. auf der linken Seite in 4B) des Dünnschichttransistors 24 liegt. In diesem Fall, mit Bezug auf drei Datenleitungen aus sieben nacheinander von links nach rechts angeordneten Datenleitungen, wie in 4B gezeigt (in der die ausgelassenen Datenleitungen nicht berücksichtigt sind), die jeweils Datensignale mit den Polaritäten „+“, „–“ und „–“ bereitstellen, leitet in jeder von zwei Spalten von Pixeleinheiten aus drei solchen Datenleitungen die Datenleitung 21, die angrenzend auf der linken Seite einer Pixeleinheit 23 aus einer ungeradzahligen Reihe von Pixeleinheiten angeordnet ist, ein Datensignal mit der Polarität „+“ zur Pixeleinheit 23, und die Datenleitung 23, die angrenzend auf der rechten Seite einer Pixeleinheit 23 aus einer geradzahligen Reihe von Pixeleinheiten angeordnet ist, leitet ein Datensignal mit der Polarität „–“ zur Pixeleinheit 23 leitet. Das heißt, dass bei den obigen zwei benachbarten Spalten von Pixeleinheiten die Polarität des Datensignals, das eine Pixeleinheit 23 auf jeder ungeradzahligen Reihe von Pixeleinheiten erhält, zu dem Datensignal umgekehrt ist, das eine Pixeleinheit 23 aus jeder geradzahligen Reihe von Pixeleinheiten erhält. Ebenso wird mit Bezug auf drei Datenleitungen aus sieben nacheinander von links nach rechts angeordneten Datenleitungen, wie in 4B gezeigt, die jeweils Datensignale mit den Polaritäten „–“, +“ und „+“ bereitstellen, in jeder von zwei Spalten von Pixeleinheiten aus drei solchen Datenleitungen ein Datensignal mit der Polarität „–“ zur Pixeleinheit 23 in jeder ungeradzahligen Reihe von Pixeleinheiten geleitet und ein Datensignal mit der Polarität „+“ zur Pixeleinheit 23 in jeder geradzahligen Reihe von Pixeleinheiten geleitet. Wie oben beschrieben, kann bei der Pixelstruktur aus 4A die Zweibildpunktumkehrung durch die Doppelspaltenumkehrung erreicht werden, wodurch der niedrige Leistungsverbrauch der Polaritätsumkehrung ähnlich wie beim Stand der Technik ermöglicht wird. Es sei angemerkt, dass bei der oben genannten Polaritätsumkehrung als Polaritätsumkehrung-Antriebsperiode zwei Einzelbilder oder alternativ auch vier Einzelbilder oder eine größere gerade Anzahl von Einzelbildern als Polaritätsumkehrung-Antriebsperiode verwendet werden können. Vorzugsweise werden zwei Einzelbilder als Polaritätsumkehrung-Antriebsperiode verwendet.
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Da außerdem jeder Dünnschichttransistor 24 mit den Datenleitungen elektrisch verbunden ist, die auf der gleichen Seite des Dünnschichttransistors 24 liegen (zum Beispiel auf der in 4A gezeigten linken Seite), entspricht auch bei einer ungenauen Positionierung der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode des Dünnschichttransistors 24 in Bezug auf die Gate-Elektrode während der Herstellung des Dünnschichttransistors 24 der Überlappungsbereich zwischen der Drain-Elektrode und der Gate-Elektrode des Dünnschichttransistors 24 aus den ungeradzahligen Reihen von Dünnschichttransistoren 24 dem Überlappungsbereich zwischen der Drain-Elektrode und der Gate-Elektrode des Dünnschichttransistors 24 aus den geradzahligen Reihen von Dünnschichttransistoren 24, so dass die Kapazität, die von der Drain-Elektrode und der Gate-Elektrode der Dünnschichttransistoren 24 aus den ungeradzahligen Reihen von Dünnschichttransistoren 24 gebildet wird, der Kapazität entspricht, die durch die Drain-Elektrode und die Gate-Elektrode des Dünnschichttransistors 24 aus den geradzahligen Reihen von Dünnschichttransistoren 24 gebildet wird. In solchen Fällen, wenn die durch die Abtastleitungen 22 angelegten Abtastsignale nach unten gezogen werden, werden die Spannungen der Pixelelektroden 25 aus den ungeradzahligen Reihen von Pixeleinheiten um den gleichen Betrag nach unten gezogen wie die Spannungen der Pixelelektroden 25 aus den geradzahligen Reihen von Pixeleinheiten, und dementsprechend entspricht die Kompensationsspannung der gemeinsamen Elektrode, die für die Pixelelektrode 25 aus den ungeradzahligen Reihen benötigt wird, derjenigen, die für die Pixelelektrode 25 aus den geradzahligen Reihen benötigt wird. Da die Spannungen der Pixelelektroden 25 der ungeradzahligen und der geradzahligen Reihen im Vergleich zum Stand der Technik von der gemeinsamen Elektrode vollständig kompensiert werden können, ist es möglich, Querstreifen und das Flimmern zu verhindern, die aufgrund der unvollständigen Kompensation der Spannungen der Pixelelektroden 25 aus den ungeradzahligen Reihen und aus den geradzahligen Reihen durch die gemeinsame Elektrode erzeugt werden, wodurch der Anzeigeeffekt der Pixelstruktur verbessert wird.
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4A zeigt lediglich ein spezielles Beispiel für die Pixelstruktur, bei der die Zweibildpunktumkehrung durch eine Zweispaltenumkehrung erhalten wird. Bei einem weiteren Beispiel, wie in 4C gezeigt, ist es bei der Pixelstruktur möglich, dass in einer geradzahligen Reihe von Pixeleinheiten ein Dünnschichttransistor 24 jeder Pixeleinheit 23 in einer Spalte mit einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit elektrisch verbunden ist, die angrenzend auf einer rechten Seite des Dünnschichttransistors 24 liegt, und dass in einer ungeradzahligen Reihe von Pixeleinheiten ein Dünnschichttransistor 24 jeder Pixeleinheit 23 in einer Spalte mit einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit elektrisch verbunden ist, die auf einer linken Seite des Dünnschichttransistors 24 liegt.
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Bei Ausführungsformen der Offenbarung ist die Source-Elektrode des Dünnschichttransistors mit der Datenleitung elektrisch verbunden, die der Pixeleinheit entspricht, die die mit dem Dünnschichttransistor elektrisch verbundene Pixelelektrode aufweist, und eine Gate-Elektrode des Dünnschichttransistors ist mit der Abtastleitung elektrisch verbunden, die der Pixeleinheit entspricht, die die mit dem Dünnschichttransistor elektrisch verbundene Pixelelektrode aufweist. Wie in 2A gezeigt, ist beispielsweise die Gate-Elektrode jedes Dünnschichttransistors 24 mit der Abtastleitung 22 elektrisch verbunden, die angrenzend unter dem Dünnschichttransistor 24 liegt, d.h. die der Pixeleinheit 23 entsprechende Abtastleitung 22 ist angrenzend unter der Pixeleinheit 23 angeordnet. Die Source-Elektrode des Dünnschichttransistors 24 ist mit der Datenleitung 21 elektrisch verbunden, die angrenzend auf der linken Seite der Pixeleinheit 23 mit dem Dünnschichttransistor 24 angeordnet ist. In einer ungeradzahligen Reihe von Pixeleinheiten entspricht die Datenleitung 21 einer Pixeleinheit 23, die angrenzend auf der rechten Seite des Dünnschichttransistors 24 angeordnet ist, der mit der Datenleitung 21 elektrisch verbunden ist, und ist dazu ausgelegt, ein Datensignal zur Pixeleinheit 23 zu leiten. In einer geradzahligen Reihe von Pixeleinheiten entspricht die Datenleitung 21 einer Pixeleinheit 23 mit dem Dünnschichttransistor 24, der mit der Datenleitung 21 elektrisch verbunden ist, und ist dazu ausgelegt, ein Datensignal zur Pixeleinheit 23 zu leiten. Bei der Beschreibung für die Arten der Verbindung zwischen den Dünnschichttransistoren 24 und den Datenleitungen 21 und zwischen den Dünnschichttransistoren 24 und den Abtastleitungen 22 aus den 2C, 3A, 3B, 4A und 4C kann auf die oben erwähnte dazugehörige Beschreibung von 2A verwiesen werden, was hier nicht erneut beschrieben wird.
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Bei den obigen Ausführungsformen ist lediglich gezeigt, dass jeder Dünnschichttransistor 24 mit der Datenleitung 21 elektrisch verbunden ist, die angrenzend auf der linken Seite des Dünnschichttransistors 24 liegt. Es ist jedoch auch möglich, dass jeder Dünnschichttransistor 24 mit der Datenleitung 21 elektrisch verbunden ist, die angrenzend auf der rechten Seite des Dünnschichttransistors 24 liegt, was hier nicht beschränkt wird.
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Bei den obigen Ausführungsformen sind die Pixeleinheiten 23 in der Pixelstruktur als Matrix angeordnet. Alternativ können die Pixeleinheiten 23 auch versetzt zueinander angeordnet sein. Hinsichtlich der Beschreibung des Falls, bei dem in der Pixelstruktur, die durch die versetzt angeordnete Pixeleinheit 23 gebildet ist, eine Bildpunktumkehrung durch eine Zweispaltenumkehrung erhalten wird, kann auf die 2A bis 2C, 3A, 3B und 4A bis 4C und deren dazugehörige Beschreibung verwiesen werden, was hier nicht erneut beschrieben wird.
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Mit Bezug auf die 2A, 3A, 4A und 4C überlappt sich ferner in der gleichen Reihe die Pixelelektrode 25, die mit dem Dünnschichttransistor 24 einer Pixeleinheit 23 elektrisch verbunden ist, der auf der linken Seite der Pixelelektrode 25 liegt, zum Teil mit der Datenleitung 21, die angrenzend auf der linken Seite der Pixelelektrode 25 liegt, oder mit Bezug auf die 2C, 3B, 4A und 4C schneidet in der gleichen Reihe die Pixelelektrode 25, die mit dem Dünnschichttransistor 24 einer Pixeleinheit 23 elektrisch verbunden ist, der auf der rechten Seite der Pixelelektrode 25 liegt, teilweise die Datenleitung 21, die angrenzend auf der rechten Seite der Pixelelektrode 25 liegt.
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Auf der Grundlage der oben beschriebenen Pixelstruktur weist eine Pixelstruktur bei einigen Ausführungsformen eine gemeinsame Elektrode 26 auf, wie in 5A gezeigt ist. Die gemeinsame Elektrode 26 liegt zwischen der Pixelelektrode 25 und einer Filmschicht, in der die Source-Elektrode 242 und die Drain-Elektrode 243 des mit der Pixelelektrode 25 elektrisch verbundenen Dünnschichttransistors 24 liegen, wobei die gemeinsame Elektrode 26 durch eine zweite Isolierschicht 272 von der Pixelelektrode 25 und der Filmschicht isoliert ist. Wie in 5A gezeigt, ist die Gate-Elektrode 241 darüber hinaus mit einer ersten Isolierschicht 271 bedeckt, liegt eine aktive Schicht 244 auf der ersten Isolierschicht 271, sind die Source-Elektrode 242 und die Drain-Elektrode 243 auf zwei lateralen Seiten der aktiven Schicht 244 angeordnet und beide mit der aktiven Schicht 244 elektrisch verbunden, sind die Source-Elektrode 242, die Drain-Elektrode 243 und die aktive Schicht 244 über die erste Isolierschicht 271 von der Gate-Elektrode 241 isoliert, ist die Drain-Elektrode 243 mit der Pixelelektrode 25 elektrisch verbunden und ist die gemeinsame Elektrode 26 über eine dritte Isolierschicht 273 von der Pixelelektrode 25 isoliert.
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In der gleichen Reihe von Pixeleinheiten 23 überlappt sich die Pixelelektrode 25, die mit dem Dünnschichttransistor 24 einer Pixeleinheit elektrisch verbunden ist, der angrenzend auf der ersten Seite der Pixelelektrode 25 liegt, zum Teil mit der Datenleitung, die angrenzend auf der ersten Seite der Pixelelektrode 25 liegt, oder in der gleichen Reihe von Pixeleinheiten 23 überlappt sich die Pixelelektrode 25, die mit dem Dünnschichttransistor 24 einer Pixeleinheit elektrisch verbunden ist, der angrenzend auf der zweiten Seite der Pixelelektrode 25 liegt, zum Teil mit der Datenleitung 21, die angrenzend auf der zweiten Seite der Pixelelektrode 25 liegt. Die Beeinflussung des elektrischen Signals wird im Betrieb am Überlappungsbereich erzeugt. Daher ist die gemeinsame Elektrode 26 zwischen der Source-Elektrode 242 und einer Drain-Elektrode 243 des Dünnschichttransistors 24 angeordnet, so dass die gemeinsame Elektrode 26 die Funktion einer Abschirmung des elektrischen Signals am Überlappungsbereich innehat.
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Bei oben beschriebenen Ausführungsformen der Pixelstruktur hat die Pixelelektrode 25 eine Struktur mit Schlitzen, während für die gemeinsame Elektrode eine vollständig planare Struktur verwendet wird. Bei anderen Ausführungsformen der Pixelstruktur kann jedoch für die gemeinsame Elektrode auch eine Struktur mit Schlitzen verwendet werden, während für die Pixelelektrode eine vollständig planare Struktur innerhalb der Pixeleinheit verwendet wird. Mit Bezug auf 5B kann in diesem Fall die gemeinsame Elektrode 26 auf der Pixelelektrode 25 angeordnet und über die dritte Isolierschicht 273 von der Pixelelektrode 25 isoliert sein.
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Es sei angemerkt, dass ein besonderes Beispiel der Anordnung der Gate-Elektrode 241, wie in den 5A und 5B gezeigt ist, bei der die Gate-Elektrode 241 des Dünnschichttransistors 24 unter der Source-Elektrode 242 und der Drain-Elektrode 243 liegt, exemplarisch ist. Bei anderen Beispielen kann die Gate-Elektrode 241 jedoch alternativ über der Source-Elektrode 242 und der Drain-Elektrode 243 liegen, wobei deren Art und Weise der Anordnung hier nicht beschränkt ist.
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Bei Ausführungsformen der Offenbarung wird ein Arraysubstrat bereitgestellt. 6 ist eine schematische Darstellung des Aufbaus des Arraysubstrats gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Mit Bezug auf 6 weist das Arraysubstrat ein Glassubstrat 31 und eine Pixelstruktur 32 auf, bei der es sich um die Pixelstruktur gemäß den obigen Ausführungsformen handeln kann.
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Bei Ausführungsformen der Offenbarung wird eine Anzeigetafel bereitgestellt. 7 ist eine schematische Darstellung des Aufbaus einer Anzeigetafel gemäß Ausführungsformen der Offenbarung. Mit Bezug auf 7 weist die Anzeigetafel ein Arraysubstrat 41, ein Farbfiltersubstrat 42, das gegenüber dem Arraysubstrat 41 angeordnet ist, und eine Flüssigkristallschicht 43 auf, die zwischen dem Arraysubstrat 41 und dem Farbfiltersubstrat 42 liegt. Die Flüssigkristallschicht 43 ist aus Flüssigkristallmolekülen 431 gebildet. Bei dem Arraysubstrat 41 kann es sich um das Arraysubstrat gemäß den obigen Ausführungsformen handeln.
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Es sei angemerkt, dass die obige Anzeigetafel in Abhängigkeit von den Anforderungen bei der Herstellung eine Berührungserfassungsfunktion haben kann oder nicht. Die Berührungserfassungsfunktion kann eine elektromagnetische Berührungserfassungsfunktion, eine kapazitive Berührungserfassungsfunktion oder eine elektromagnetisch und kapazitiv integrierte Berührungserfassungsfunktion sein.
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Bei Ausführungsformen der Offenbarung wird eine Anzeigevorrichtung 50 bereitgestellt. 8 ist eine schematische Darstellung des Aufbaus einer Anzeigevorrichtung 50. Mit Bezug auf 8 weist die Anzeigevorrichtung 50 eine Anzeigetafel 51 und ferner eine Treiberschaltung sowie andere Vorrichtungen zur Unterstützung des normalen Betriebs der Anzeigevorrichtung 50 auf. Die Anzeigetafel 51 ist die Anzeigetafel gemäß den obigen Ausführungsformen. Bei der Anzeigevorrichtung 50 kann es sich um ein Mobiltelefon, ein Laptop-Computer, ein Notebook, ein Tablet-Computer oder ein elektronisches Papier handeln.
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Bei Ausführungsformen der Offenbarung wird ein Verfahren zum Antreiben der Anzeigevorrichtung bereitgestellt, das durch die Anzeigevorrichtung gemäß den obigen Ausführungsformen implementiert ist. 9 ist ein schematisches Flussdiagramm des Verfahrens zum Antreiben einer Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der Offenbarung. Mit Bezug auf 9 umfasst das Verfahren zum Antreiben der Anzeigevorrichtung die nachfolgenden Schritte 601 bis 602.
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In Schritt 601 schaltet jede Abtastleitung sequentiell eine durch die Abtastleitung gesteuerte Pixeleinheit ein, wobei die Pixeleinheit eine Pixelelektrode und einen Dünnschichttransistor aufweist und in einer von zwei benachbarten Reihen von Pixeleinheiten der Dünnschichttransistor jeder Pixeleinheit in einer Spalte mit einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit elektrisch verbunden ist, die angrenzend auf einer ersten Seite des Dünnschichttransistors angeordnet ist, und in der anderen der beiden benachbarten Reihen von Pixeleinheiten der Dünnschichttransistor jeder Pixeleinheit mit der Pixelelektrode der Pixeleinheit elektrisch verbunden ist oder der Dünnschichttransistor jeder Pixeleinheit in einer Spalte mit der Pixelelektrode einer Pixeleinheit elektrisch verbunden ist, die angrenzend auf einer zweiten Seite des Dünnschichttransistors liegt, und eine benachbarte Spalte auf der ersten Seite des Dünnschichttransistors liegt gegenüber einer benachbarten Spalte auf der zweiten Seite des Dünnschichttransistors.
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In Schritt 602 werden durch ungeradzahlige Gruppen von Datenleitungen erste Datensignale an die eingeschalteten Pixeleinheiten angelegt und zweite Datensignale durch geradzahlige Gruppen von Datenleitungen an die eingeschalteten Pixeleinheiten angelegt, wobei die Polarität des zweiten Datensignals zur Polarität des ersten Datensignals umgekehrt ist und jede Gruppe von Datenleitungen mindestens eine Datenleitung umfasst.
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Es sei angemerkt, dass die Polarität des Datensignals durch die Spannungsdifferenz zwischen den Spannungen des Datensignals und der gemeinsamen Spannung bestimmt wird. Wenn die Spannungsdifferenz größer „0“ ist, ist die Polarität des Datensignals positiv und wird üblicherweise mit „+“ angegeben, und wenn die Spannungsdifferenz weniger als „0“ beträgt, ist die Polarität des Datensignals negativ und wird üblicherweise mit „–“ angegeben. Die Tatsache, dass die Polarität eines zweiten Datensignals zur Polarität eines ersten Datensignals umgekehrt ist, bedeutet somit insbesondere, dass wenn die Polarität des ersten Datensignals positiv ist, die Polarität des zweiten Datensignals negativ ist, oder wenn die Polarität des ersten Datensignals negativ ist, die Polarität des zweiten Datensignals positiv ist.
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Bei einigen Ausführungsformen der Offenbarung umfasst jede Gruppe von Datenleitungen eine Datenleitung oder zwei Datenleitungen.
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Da gemäß Ausführungsformen der Offenbarung bei dem Verfahren zum Antreiben der Anzeigevorrichtung die Anzeigevorrichtung die Pixelstruktur aus den obigen Ausführungsformen verwendet, kann innerhalb eines Einzelbilds durch das Antreiben der Anzeigevorrichtung mit den Schritten 601 bis 602 die Bildpunktumkehrung durch die Reihenumkehrung (was dem Fall entspricht, bei dem jede Gruppe von Datenleitungen ein Datenleitung umfasst) oder die Zweibildpunktumkehrung durch die Zweispaltenumkehrung (was dem Fall entspricht, bei dem jede Gruppe von Datenleitungen zwei Datenleitungen umfasst) erreicht werden. Anschließend wird beispielhaft die Bildpunktumkehrung innerhalb eines Einzelbildes durch Antreiben der Anzeigevorrichtung mit den Schritten 601 bis 602 durch die Reihenumkehrung erreicht. Hinsichtlich der Beschreibung des Falls, bei dem innerhalb eines Einzelbilds durch das Antreiben der Anzeigevorrichtung mit den Schritten 601 bis 602 die Zweibildpunktumkehrung durch die Zweispaltenumkehrung erreicht wird, kann auf die Beschreibung des Falls verwiesen werden, bei dem die Bildpunktumkehrung durch die Spaltenumkehrung erreicht wird, oder auf die Beschreibung des dazugehörigen Prinzips bezüglich der obigen Pixelstruktur, bei der die Zweibildpunktumkehrung durch Zweispaltenumkehrung erreicht wird, was hier nicht erneut beschrieben wird.
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Die in 2A gezeigte Pixelstruktur wird zum Beispiel dazu verwendet, das Prinzip weiter zu erläutern, das zur Implementierung der Bildpunktumkehrung durch die Spaltenumkehrung bei der Anzeigevorrichtung verwendet wird, welche mit den Schritten 601 bis 602 angetrieben wird. Unter der Voraussetzung, dass die Pixeleinheit sieben Spalten von Datenleitungen und sieben Reihen von Abtastleitungen aufweist, umfasst das Antriebsverfahren die nachfolgenden Schritte ein bis drei.
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In Schritt eins werden die von der ersten Abtastleitungsreihe gesteuerten Pixeleinheiten eingeschaltet, und ein erstes Datensignal mit negativer Polarität „–“ wird von ungeradzahligen Spalten von Datenleitungen an die eingeschalteten Pixeleinheiten angelegt, und ein zweites Datensignal mit positiver Polarität „+“ wird von geradzahligen Spalten von Datenleitungen an die eingeschalteten Pixeleinheiten angelegt.
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Mit Bezug auf 10A werden die durch die erste Abtastleitungsreihe S1 gesteuerten Pixeleinheiten von der ersten Abtastleitungsreihe S1 eingeschaltet, und anschließend wird das erste Datensignal mit negativer Polarität „–“ von den ungeradzahligen Spalten von Datenleitungen D1, D3, D5 und D7 an die eingeschalteten Pixeleinheiten angelegt, wobei das zweite Datensignal mit positiver Polarität „+“ von den geradzahligen Spalten von Datenleitungen D2, D4 und D6 an die eingeschalteten Pixeleinheiten angelegt wird. Wie in 2A gezeigt, da in einer Reihe von Pixeleinheiten eine Pixelelektrode jeder Pixeleinheit in einer Spalte mit einem Dünnschichttransistor einer Pixeleinheit elektrisch verbunden ist, der angrenzend auf der linken Seite der Pixeleinheit liegt, und der Dünnschichttransistor mit der Datenleitung elektrisch verbunden ist, die angrenzend auf der linken Seite des Dünnschichttransistors liegt, werden das Datensignal mit positiver Polarität „+“ und das Datensignal mit negativer Polarität „–“ sequentiell und abwechselnd von der linken Seite zur rechten Seite von den Pixeleinheiten der ersten Reihe von Pixeleinheiten erhalten, nachdem das erste Datensignal und das zweite Datensignal an die Pixeleinheiten aus der ersten Reihe von Pixeleinheiten angelegt wurden, wie in 10A gezeigt.
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In Schritt zwei werden die von der ersten Abtastleitungsreihe eingeschalteten Pixeleinheiten ausgeschaltet, und anschließend werden die von einer zweiten Abtastleitungsreihe gesteuerten Pixeleinheiten von der zweiten Abtastleitungsreihe eingeschaltet, und ein erstes Datensignal mit Polarität „–“ wird durch ungeradzahlige Spalten von Datenleitungen an die eingeschalteten Pixeleinheiten und ein zweites Datensignal mit Polarität „+“ durch geradzahlige Spalten von Datenleitungen an die eingeschalteten Pixeleinheiten angelegt.
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Mit Bezug auf 10B werden die durch die erste Abtastleitungsreihe S1 eingeschalteten Pixeleinheiten ausgeschaltet, die von der zweiten Abtastleitungsreihe S2 gesteuerten Pixeleinheiten werden von der zweiten Abtastleitungsreihe S2 eingeschaltet, und anschließend wird das erste Datensignal mit negativer Polarität „–“ durch die ungeradzahligen Spalten von Datenleitungen D1, D3, D5 und D7 an die eingeschalteten Pixeleinheiten angelegt und das zweite Datensignal mit positiver Polarität „+“ durch die geradzahligen Spalten von Datenleitungen D2, D4 und D6 an die eingeschalteten Pixeleinheiten angelegt. Wie in 2A gezeigt, da in einer Reihe von Pixeleinheiten eine Pixelelektrode jeder Pixeleinheit in einer Spalte mit dem Dünnschichttransistor einer Pixeleinheit elektrisch verbunden ist und der Dünnschichttransistor mit der Datenleitung elektrisch verbunden ist, die angrenzend auf der linken Seite des Dünnschichttransistors liegt, werden in einer Reihe von Pixeleinheiten das Datensignal mit positiver Polarität „+“ und das Datensignal mit negativer Polarität „–“ sequentiell und abwechselnd von der linken Seite zur rechten Seite von den Pixeleinheiten der zweiten Reihe von Pixeleinheiten erhalten, nachdem das erste Datensignal und das zweite Datensignal an die Pixeleinheiten aus der zweiten Reihe von Pixeleinheiten angelegt wurden, wie in 10B gezeigt.
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In Schritt drei werden die von der zweiten Abtastleitungsreihe eingeschalteten Pixeleinheiten ausgeschaltet, und anschließend werden die von einer dritten Abtastleitungsreihe gesteuerten Pixeleinheiten von der dritten Abtastleitungsreihe eingeschaltet, und das erste Datensignal mit negativer Polarität „–“ wird durch die ungeradzahligen Spalten von Datenleitungen an die eingeschalteten Pixeleinheiten und das zweites Datensignal mit positiver Polarität „+“ durch die geradzahligen Spalten von Datenleitungen an die eingeschalteten Pixeleinheiten angelegt, und so weiter, bis die verbleibenden Abtastleitungsreihen in der oben genannten Weise bearbeitet wurden.
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Mit Bezug auf 10C werden die durch die zweite Abtastleitungsreihe S2 eingeschalteten Pixeleinheiten ausgeschaltet und dann die von einer dritten Abtastleitungsreihe S3 gesteuerten Pixeleinheiten durch die dritte Abtastleitungsreihe S3 eingeschaltet, und das erste Datensignal mit negativer Polarität „–“ wird durch die ungeradzahligen Spalten von Datenleitungen D1, D3, D5 und D7 an die eingeschalteten Pixeleinheiten angelegt und das zweite Datensignal mit positiver Polarität „+“ durch die geradzahligen Spalten von Datenleitungen D2, D4 und D6 an die eingeschalteten Pixeleinheiten angelegt, und so weiter, bis die verbleibenden Abtastleitungsreihen S4–S7 in der oben genannte Weise bearbeitet wurden. Bei den übrigen Pixeleinheiten entspricht die Polarität des an die ungeradzahligen Reihen von Pixeleinheiten angelegten Datensignals der Polarität des Datensignals, das an die erste Reihe von Pixeleinheiten angelegt wird, wobei hier auf die dazugehörige Beschreibung von Schritt eins verwiesen werden kann. Die Polarität des Datensignals, das an die geradzahligen Reihen von Pixeleinheiten angelegt wird, entspricht der Polarität des Datensignals, das an die zweite Reihe von Pixeleinheiten angelegt wird, wobei auf die dazugehörige Beschreibung von Schritt zwei verwiesen werden kann. Darüber hinaus zeigt 10C die Polarität des Datensignals, das innerhalb eines Einzelbilds an jede Pixeleinheit angelegt wird. Wie aus 10C ersichtlich ist, kann bei der Anzeigevorrichtung, bei der die Pixelstruktur aus 2A verwendet wird, die Bildpunktumkehrung mit den Schritten eins bis drei durch die Spaltenumkehrung implementiert werden.
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Bei einigen Ausführungsformen entspricht ein Amplitudenwert der Polarität des ersten Datensignals (d.h. ein absoluter Wert einer Spannungsdifferenz zwischen der Spannung des ersten Datensignals und der gemeinsamen Spannung) dem Amplitudenwert der Polarität des zweiten Datensignals (d.h. einem absoluten Wert einer Spannungsdifferenz zwischen der Spannung des zweiten Datensignals und der gemeinsamen Spannung). Wenn die Spannung des ersten Datensignals zum Beispiel 10 V und die gemeinsame Spannung 6 V beträgt, sollte die Spannung des zweiten Datensignals 2 V betragen, so dass die Spannungsdifferenz zwischen der Spannung des ersten Datensignals und der gemeinsamen Spannung 4V beträgt und die Spannungsdifferenz zwischen der Spannung des zweiten Datensignals und der gemeinsamen Spannung –4 V beträgt. Somit ist die Polarität des ersten Datensignals umgekehrt zur Polarität des zweiten Datensignals, und der Amplitudenwert der Polarität des ersten Datensignals entspricht dem Amplitudenwert der Polarität des zweiten Datensignals.
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Bei einigen Ausführungsformen wird das Verfahren zum Antreiben der Anzeigevorrichtung vorzugsweise in einer Polaritätsumkehrung-Antriebsperiode mit zwei Einzelbildern durchgeführt. 11A zeigt die Polaritätsverteilung der Datensignale, wenn bei der Anzeigevorrichtung die Bildpunktumkehrung beim Anzeigen des ersten Einzelbildes durch Reihenumkehrung implementiert wird. 11B zeigt die Polaritätsverteilung der Datensignale, wenn bei der Anzeigevorrichtung die Bildpunktumkehrung beim Anzeigen des zweiten Einzelbilds durch Reihenumkehrung implementiert wird. Aus den 11A und 11B ist ersichtlich, dass die Polarität jedes Bildpunkts (entspricht einer Pixeleinheit) beim Anzeigen des ersten Einzelbilds zur Polarität des gleichen Bildpunkts beim Anzeigen des zweiten Einzelbilds umgekehrt ist, d.h. die Polarität des Datensignals beim Anzeigen des zweiten Einzelbilds ist im Vergleich zu derjenigen beim Anzeigen des ersten Einzelbilds umgekehrt. Das bedeutet, dass das Verfahren zum Antreiben der Anzeigevorrichtung in einer Polaritätsumkehrung-Antriebsperiode mit zwei Einzelbildern durchgeführt wird.
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Zusätzlich zu einer Polaritätsumkehrung-Antriebsperiode mit zwei Einzelbildern kann das Verfahren zum Antreiben der Anzeigevorrichtung in einer Polaritätsumkehrung-Antriebsperiode mit vier Einzelbildern oder mit einer größeren geraden Anzahl an Einzelbildern ausgeführt werden. Die 12A bis 12D zeigen zum Beispiel, dass das Verfahren zum Antreiben der Anzeigevorrichtung in einer Polaritätsumkehrung-Antriebsperiode mit vier Einzelbildern ausgeführt wird. Aus den 11A, 11B und 12A bis 12D ist jedoch ersichtlich, dass im Fall einer Ausführung des Verfahrens zum Antreiben der Anzeigevorrichtung in einer Polaritätsumkehrung-Antriebsperiode mit zwei Einzelbildern die Polaritätsumkehrungsfrequenz erhöht ist, wodurch die Möglichkeit verringert wird, dass das Flüssigkristallmaterial aufgrund der Polarisation des Flüssigkristallmaterials dauerhaft beschädigt wird, so dass das Flüssigkristallmaterial besser geschützt wird.
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Gemäß der Pixelstruktur, dem Arraysubstrat, der Anzeigetafel, der Anzeigevorrichtung und dem Verfahren zum Antreiben der Anzeigevorrichtung, die oben beschrieben sind, ist in einer von zwei benachbarten Reihen von Pixeleinheiten der Dünnschichttransistor jeder Pixeleinheit mit der Pixelelektrode einer Pixeleinheit elektrisch verbunden, die angrenzend auf einer ersten Seite des Dünnschichttransistors liegt, und in der anderen der beiden benachbarten Reihen von Pixeleinheiten ist der Dünnschichttransistor jeder Pixeleinheit mit der Pixelelektrode der Pixeleinheit elektrisch verbunden oder der Dünnschichttransistor jeder Pixeleinheit in einer Spalte mit der Pixelelektrode einer Pixeleinheit elektrisch verbunden, die angrenzend auf einer zweiten Seite des Dünnschichttransistors liegt, wodurch die Pixelstruktur eine Bildpunktumkehrung durch Spaltenumkehrung erreichen kann oder eine Zweibildpunktumkehrung durch eine Doppelspaltenumkehrung erreichen kann, wodurch der niedrige Leistungsverbrauch bei der Polaritätsumkehrung gewährleistet ist. Zusätzlich sind auch bei einer ungenauen Ausrichtung der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode in Bezug auf die Gate-Elektrode während der Herstellung des Dünnschichttransistors der gesenkte Spannungsgrad der Pixelelektroden in den ungeradzahligen Reihen und der der Pixelelektroden in den geradzahligen Reihen identisch, wenn die von den Abtastleitungen angelegten Abtastsignale gesenkt werden. Dementsprechend entspricht die Kompensationsspannung der gemeinsamen Elektrode, die für die Pixelelektroden aus den ungeradzahligen Reihen benötigt wird, derjenigen, die für die Pixelelektroden aus den geradzahligen Reihen benötigt wird, d.h. die Spannung der Pixelelektroden der ungeradzahligen Reihen und der geradzahligen Reihen können durch eine gemeinsame Elektrode vollständig kompensiert werden, so dass die Querstreifen oder das Flimmern verhindern werden können, die aufgrund der unvollständigen Kompensation der Spannung der Pixelelektrode aus den ungeradzahligen Reihen und aus den geradzahligen Reihen durch die gemeinsame Elektrode erzeugt werden, wodurch der Anzeigeeffekt der Pixelstruktur verbessert wird.
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Es ist für den Fachmann zu verstehen, dass die vorliegende Offenbarung nicht auf die hier beschriebenen besonderen Ausführungsformen beschränkt ist. Der Fachmann kann zahlreiche offensichtliche Änderungen, Anpassungen und Alternativen durchführen, ohne von dem Umfang der Offenbarung abzuweichen. Auch wenn die Offenbarung durch die obigen Ausführungsformen ausführlich veranschaulicht ist, ist somit die Offenbarung nicht auf die obigen Ausführungsformen beschränkt und kann ferner noch weitere gleichwertige Ausführungsformen umfassen, ohne von der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.
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Es können zahlreiche Änderungen und Zusätze bei den erläuterten beispielhaften Ausführungsformen vorgenommen werden, ohne von dem Umfang der Offenbarung abzuweichen. Während die oben beschriebenen Ausführungsformen sich auf besondere Merkmale beziehen, umfasst der Umfang der vorliegenden Offenbarung zum Beispiel auch Ausführungsformen mit anderen Merkmalskombinationen und Ausführungsformen, die nicht alle beschriebenen Merkmale aufweisen. Dementsprechend soll der Umfang der Offenbarung alle derartigen Alternativen, Änderungen und Varianten, die in den Umfang der Ansprüche fallen, sowie alle gleichwertigen Elemente davon umfassen.
