DE102012105599B4

DE102012105599B4 - Verfahren zum Anbringen einer Metallfläche an einem Träger, Verfahren zum Anbringen eines Chips an einem Chipträger, Chip-Einhäusungsmodul und Einhäusungsmodul

Info

Publication number: DE102012105599B4
Application number: DE102012105599.8A
Authority: DE
Inventors: Khalil Hosseini; Franz-Peter Kalz; Joachim Mahler; Manfred Mengel
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2011-06-27
Filing date: 2012-06-27
Publication date: 2020-10-22
Anticipated expiration: 2032-06-28
Also published as: US20120327614A1; DE102012105599A1; CN102856218A; CN102856218B; US8912450B2

Abstract

Verfahren (100) zum Anbringen einer Metallfläche (202) an einem Träger (206), wobei das Verfahren (100) aufweist:Ausbilden (110) einer ersten Polymerschicht (204) über der Metallfläche (202);Ausbilden (120) einer zweiten Polymerschicht (208) über einer Fläche (222) des Trägers (206); undIn-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht (204) mit der zweiten Polymerschicht (208), so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur (214) von der ersten Polymerschicht (204) und der zweiten Polymerschicht (208) in einem Kontaktflächenbereich zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird (130), wobei das In-physischen-Kontakt-Bringen derart erfolgt, dass die durchdringende Polymerstruktur und/oder sich verteilende Polymerstruktur (214) ein physikalisches Netzwerk von der ersten Polymerschicht in der zweiten Polymerschicht oder von der zweiten Polymerschicht in der ersten Polymerschicht aufweist, wobei das physikalische Netzwerk eine nicht-chemische Bindung von Molekülen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht aufweist.

Description

Verschiedene Ausführungsformen betreffen allgemein ein Verfahren zum Anbringen einer Metallfläche bzw. einer Metalloberfläche, im Folgenden kurz Metallfläche genannt, an einem Träger, ein Verfahren zum Anbringen eines Chips an einem Chipträger, ein Chip-Einhäusungsmodul und ein Einhäusungsmodul.
Diese Erfindung betrifft allgemein das Herstellen einer zuverlässigen und stabilen Verbindung zwischen einem Chip und einem Chipträger und dem Aufrechterhalten einer stabilen Verbindung mit einer Chip-Einkapselungsschicht. Viele verschiedene Verfahren zum Verbinden eines Chips mit einer Einkapselungsschicht sind bekannt, beispielsweise aus US 4 232 086 A , EP 0 173 379 A1 , WO 2004/022 314 A1 , US 2011/0 026 232 A1 , US 3 436 468 A . Dennoch sind nicht viele Verfahren zum zuverlässigen Verbinden eines Chips mit einem Chipträger bekannt. Bislang basierten Versuche, die Adhäsion eines Chips an einem Chipträger zu verbessern, auf der Veränderung der Oberfläche des Chipträgers. Trotzdem besteht noch immer ein Problem in der Herstellung einer stabilen Chipverbindung, insbesondere wenn Haftmittel, z.B. Klebepasten oder Kleber verwendet werden.
Eine Ausführungsform ist ein Verfahren zum Anbringen einer Metallfläche an einem Träger, wobei das Verfahren aufweist: Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Metallfläche; Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über einer Fläche des Trägers; und In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht, so dass zumindest eine von einer durchdringenden (bzw. zwischen etwas ein- oder durchdringenden, im Folgenden kurz „durchdringenden“ genannt) Polymerstruktur und einer sich verteilenden (bzw. einer sich zwischen etwas verteilenden oder ausbreitenden, im Folgenden kurz „sich verteilenden“ genannt) Polymerstruktur von der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht in einem Kontaktflächenbereich zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird, wobei das In-physischen-Kontakt-Bringen derart erfolgt, dass die durchdringende Polymerstruktur und/oder sich verteilende Polymerstruktur ein physikalisches Netzwerk von der ersten Polymerschicht in der zweiten Polymerschicht oder von der zweiten Polymerschicht in der ersten Polymerschicht aufweist, wobei das physikalische Netzwerk eine nicht-chemische Bindung von Molekülen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht aufweist.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Metallfläche auf Ausbilden einer ersten Polymerschicht, welche eine Dicke aufweist, die in einem Bereich von 100 nm bis 5 µm liegt, und wobei das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über der Fläche des Trägers aufweist Ausbilden einer zweiten Polymerschicht, welche eine Dicke aufweist, die in einem Bereich von 100 nm bis 5 µm liegt.
Gemäß einer Ausführungsform wird die erste Polymerschicht an der Metallfläche angebracht.
Gemäß einer Ausführungsform erfolgt das In-physischen-Kontakt-Bringen derart, dass die durchdringende und sich verteilende Polymerstruktur eine verschränkte Grenzfläche aufweist mit einer Dicke in einem Bereich von 2 nm bis 500 nm.
Gemäß einer Ausführungsform weist zumindest ein Material von der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht eine niedrige Viskosität aufweist, beispielsweise in einem Bereich von 0,5 Pa·s bis 500 Pa·s.
Gemäß einer Ausführungsform weist zumindest ein Material von der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht eine hohe Viskosität auf, beispielsweise in einem Bereich von 500 Pa·s bis 5000 Pa·s.
Gemäß einer Ausführungsform sind das Material der ersten Polymerschicht und das Material der zweiten Polymerschicht derart zueinander ausgewählt und das In-physischen-Kontakt-Bringen erfolgt derart, dass kleinere Moleküle der ersten Polymerschicht in die Lücken zwischen größeren Molekülen der zweiten Polymerschicht eindringen; und/oder dass kleinere Moleküle der zweiten Polymerschicht in die Lücken zwischen größeren Molekülen der ersten Polymerschicht eindringen.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Metallfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über einer Fläche des Trägers auf Ausbilden einer ersten und zweiten Polymerschicht, wobei zumindest eine von der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht zumindest eines von einem elektrisch leitenden Polymer, einem Metall, einem amorphen Material und einem niederkristallinen Material aufweist.
Eine Ausführungsform ist ein Verfahren zum Anbringen eines Chips an einem Chipträger, wobei das Verfahren aufweist: Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche; Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über einer Fläche des Chipträgers; und das In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht, so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur von der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht in einem Kontaktflächenbereich zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird, wobei das In-physischen-Kontakt-Bringen derart erfolgt, dass die durchdringende Polymerstruktur und/oder sich verteilende Polymerstruktur ein physikalisches Netzwerk von der ersten Polymerschicht in der zweiten Polymerschicht oder von der zweiten Polymerschicht in der ersten Polymerschicht aufweist, wobei das physikalische Netzwerk eine nicht-chemische Bindung von Molekülen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht aufweist.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche auf Ausbilden einer ersten Polymerschicht, welche eine Dicke aufweist, die in einem Bereich von 100 nm bis 5 µm liegt.
Gemäß einer Ausführungsform erfolgt das In-physischen-Kontakt-Bringen derart, dass die durchdringende und sich verteilende Polymerstruktur eine verschränkte Grenzfläche aufweist mit einer Dicke in einem Bereich von 2 nm bis 500 nm.
Gemäß einer Ausführungsform weist zumindest ein Material von der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht eine niedrige Viskosität auf, beispielsweise in einem Bereich von 0,5 Pa·s bis 500 Pa·s
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über einer Fläche des Chipträgers auf Ausbilden einer ersten und zweiten Polymerschicht, wobei mindestens eine von der ersten und der zweiten Polymerschicht mindestens eines aus der folgenden Gruppe von Materialien aufweist: Polyimide, Polyimid-Vorstufen, Duroplaste, Epoxide und Acrylate und ihre Vorstufen, Thermoplaste, Polyetherketone, Polyamidimide, Polyetherimide, Polysulphone, Polyphenylensulfide, Polyethersulfone, flüssigkristalline Polymere.
Gemäß einer Ausführungsform weist zumindest ein Material von der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht eine hohe Viskosität auf, beispielsweise in einem Bereich von 500 Pa·s bis 5000 Pa·s.
Gemäß einer Ausführungsform weist das In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht, so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird, auf Erhitzen der ersten und zweiten Polymerschicht in einem gewöhnlichen Verfahren.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über der Fläche des Chipträgers auf Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über der Fläche des Chipträgers, aufweisend eine gedruckte Leiterplatte.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über der Fläche des Chipträgers auf Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über der Fläche des Chipträgers, aufweisend einen weiteren Chip.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über der Fläche des Chipträgers auf Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über der Fläche des Chipträgers, aufweisend einen Halbleiterwafer.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über der Fläche des Chipträgers auf Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über der Fläche des Chipträgers, aufweisend einen Leiterrahmen.
Eine Ausführungsform ist ein Einhäusungsmodul, aufweisend: eine Metallfläche und einen Träger; eine erste Polymerschicht, welche über der Metallfläche ausgebildet ist; eine zweite Polymerschicht, welche über einer Fläche des Trägers ausgebildet ist; und zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur, welche von der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht in einem Kontaktflächenbereich zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet ist, wobei die durchdringende Polymerstruktur und/oder sich verteilende Polymerstruktur ein physikalisches Netzwerk von der ersten Polymerschicht in der zweiten Polymerschicht oder von der zweiten Polymerschicht in der ersten Polymerschicht aufweist, wobei das physikalische Netzwerk eine nicht-chemische Bindung von Molekülen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht aufweist.
Gemäß einer Ausführungsform weist der Träger eine gedruckte Leiterplatte auf.
Gemäß einer Ausführungsform weist der Träger einen weiteren Chip auf.
Eine Ausführungsform ist ein Chip-Einhäusungsmodul, aufweisend: einen Chip und einen Chipträger; eine erste Polymerschicht, welche über der Chipfläche ausgebildet ist; eine zweite Polymerschicht, welche über einer Fläche des Chipträgers ausgebildet ist; und zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur, welche von der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht in einem Kontaktflächenbereich zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet ist, wobei die durchdringende Polymerstruktur und/oder sich verteilende Polymerstruktur ein physikalisches Netzwerk von der ersten Polymerschicht in der zweiten Polymerschicht oder von der zweiten Polymerschicht in der ersten Polymerschicht aufweist, wobei das physikalische Netzwerk eine nicht-chemische Bindung von Molekülen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht aufweist.
Gemäß einer Ausführungsform weist zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur die erste Polymerschicht und die zweite Polymerschicht auf.
Gemäß einer Ausführungsform weist der Träger einen Leiterrahmen auf.
In den Zeichnungen bezeichnen gleiche Bezugszeichen grundsätzlich über verschiedene Darstellungen hinweg die gleichen Teile. Die Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgerecht, da der Schwerpunkt im Allgemeinen darauf liegt, das Prinzip der Erfindung zu verdeutlichen. In der nachfolgenden Beschreibung sind verschiedene Ausführungsformen der Erfindung mit Bezug auf die folgenden Zeichnungen beschrieben, wobei

1 ein Verfahren zum Anbringen einer Fläche, z.B. einer Metallfläche, an einem Träger gemäß einer Ausführungsform zeigt;
2A bis 2G ein Verfahren zum Anbringen einer Fläche, z.B. einer Metallfläche, an einem Träger gemäß einer Ausführungsform zeigen;
3 ein Verfahren zum Anbringen eines Chips an einem Chipträger gemäß einer Ausführungsform zeigt;
4A bis 4B ein Einhäusungsmodul gemäß einer Ausführungsform zeigen;
5A bis 5B ein Chip-Einhäusungsmodul gemäß einer Ausführungsform zeigen;
6 ein Ultraschallbild einer Einkapselungs-Polyimidschicht auf einer Chipfläche zeigt.

Die folgende detaillierte Beschreibung nimmt Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, die bestimmte Details und Ausführungsformen, in welchen die Erfindung ausgeführt werden kann, veranschaulichen.
Das Wort „beispielhaft“ ist hierin zu verstehen als „als Vorbild, Beispiel oder Veranschaulichung dienend“. Jegliche Ausführungsform oder Ausgestaltung, die hierin als „beispielhaft“ beschrieben ist, sollte nicht notwendigerweise als bevorzugt oder vorteilhaft gegenüber anderen Ausführungsformen oder Ausgestaltungen gedeutet werden.
Indem eine dünne Polymerschicht über einem Chipträger und über einer Chip-Rückseite aufgebracht wird, kann es möglich sein, sowohl eine stabile Chip-Anbringung, als auch eine stabile Verbindung der einkapselnden Schicht mit dem Chipträger zu erzeugen.
Das Wort „über“, welches hierin verwendet wird um zu beschreiben, dass eine Schicht „über“ einer Seite oder Fläche ausgebildet wird, kann so zu verstehen sein, dass die Schicht „direkt auf“, z.B. in direktem Kontakt mit der jeweiligen Seite oder Fläche ausgebildet wird. Das Wort „über“, welches hierin verwendet wird um zu beschreiben, dass eine Schicht „über“ einer Seite oder Fläche ausgebildet wird, kann so zu verstehen sein, dass die Schicht „indirekt auf“ der jeweiligen Seite oder Fläche ausgebildet wird, wobei eine oder mehr zusätzliche Schichten zwischen der jeweiligen Seite oder Fläche und der ausgebildeten Schicht angeordnet sind.
1 zeigt ein Verfahren 100 zum Anbringen einer Metallfläche an einem Träger, wobei das Verfahren aufweist: Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Metallfläche (in 110); Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über einer Fläche des Trägers (in 120); und In-Physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht, so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird (in 130).
2A bis 2G zeigen ein Verfahren 100 zum Anbringen einer Fläche 202, z.B. einer Metallfläche 202, an einem Träger 206 gemäß verschiedener Ausführungsformen.
2A zeigt eine Veranschaulichung 200 gemäß einem Verfahren 100, wobei das Verfahren 100 aufweist ein Ausbilden einer ersten Polymerschicht 204 über einer Fläche 202, z.B. einer Metallfläche 202 (wie in 110). Die Fläche 202, z.B. die Metallfläche 202, kann eine Fläche einer Struktur 212 sein, z.B. ein Chip. 2B zeigt eine Veranschaulichung 210 gemäß einem Verfahren 100, wobei das Verfahren 100 aufweist ein Ausbilden einer zweiten Polymerschicht 208 über einer Fläche 222 eines Trägers 206 (wie in 120). Die erste Polymerschicht 204 und die zweite Polymerschicht 208 können jeweils über ihren jeweiligen Flächen 202, bzw. 222 durch Ablagerungsverfahren, z.B. Rotationsbeschichten, Kathodenzerstäubungsbeschichten (aus dem Englischen und hierin im Folgenden auch „Sputtern“ genannt) und chemische Gasphasenabscheidung, ausgebildet sein. Polymerschichtdicken von zumindest 1 µm können durch Rotationsbeschichten erzielt werden. Polymerschichtdicken von zumindest 100 nm und bis zu 5 µm können durch Sputtern oder chemische Gasphasenabscheidung CVD (abgeleitet vom englischen Begriff „chemical vapor deposition“) erzielt werden.
Die erste Polymerschicht 204 kann eine Dicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 100 µm, z.B. in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 50 µm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 µm bis ungefähr 10 µm. Die zweite Polymerschicht 208 kann eine Dicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 100 µm, z.B. in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 50 µm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 µm bis ungefähr 10 µm. Die erste Polymerschicht 204 (oder die zweite Polymerschicht 208) kann eine Dicke aufweisen, die kleiner ist als die zweite Polymerschicht 208 (oder die erste Polymerschicht 204). Die erste Polymerschicht 204 (oder die zweite Polymerschicht 208) kann eine Dicke von weniger als ungefähr 10 µm aufweisen, wobei die zweite Polymerschicht 208 (oder die erste Polymerschicht 204) eine Dicke von weniger als ungefähr 100 µm aufweisen kann.
2C zeigt eine Veranschaulichung 220 gemäß einem Verfahren 100, wobei das Verfahren 100 aufweisen kann das In-Physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht 204 mit der zweiten Polymerschicht 208. Zumindest einer von einem Druckprozess und einem Temperaturprozess, z.B. Heizen, kann angewandt werden, um die Fläche 202, z.B. die Metallfläche 202, mit dem Träger 206 zu verbinden. Durch die Anwendung von Druck können die erste Polymerschicht, die über der Fläche 202 ausgebildet ist, und die zweite Polymerschicht 208, die über dem Träger 206 ausgebildet ist, zueinander gedrückt werden. Die erste Polymerschicht 204 und die zweite Polymerschicht 208 können sich ineinander hinein ausbreiten, bzw. verteilen, um eine kohäsive, stabile Verbindung miteinander auszubilden. Druckwerte in einem Bereich von ungefähr 0.1 N/mm² bis ungefähr 10 N/mm², z.B. in einem Bereich von ungefähr 0.5 N/mm² bis ungefähr 8 N/mm², z.B. in einem Bereich von ungefähr 1 N/mm² bis ungefähr 5 N/mm² können auf die Fläche 202 und den Träger 206 angewandt werden. Die erste Polymerschicht 204 und die zweite Polymerschicht 208 kann erhitzt werden auf Temperaturen in einem Bereich von ungefähr 100°C bis ungefähr 250°C, z.B. in einem Bereich von ungefähr 120°C bis ungefähr 230°C, z.B. in einem Bereich von ungefähr 150°C bis ungefähr 200°C.
Die stabile Verbindung zwischen der ersten Polymerschicht 204 und der zweiten Polymerschicht 208 beruht auf dem Ausbilden von zumindest einer von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur 214. Die maximale Verarbeitungstemperatur kann bei ungefähr 400°C liegen. In verschiedenen Ausführungsformen kann die maximale Verarbeitungstemperatur gleich oder kleiner als 250°C sein. Folglich kann durch Verwenden des Verfahrens 100 eine niedrigere Verarbeitungstemperatur erzielt werden als Temperaturen, die für gewöhnliche Adhäsionsverfahren, z.B. Löten, verwendet werden. Durch zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur 214 kann Polymer-zu-Polymer-Verbindungstechnologie verwendet werden, um eine stabile Verbindung zwischen der Fläche 202 der Struktur 212 und der Fläche 222 des Trägers 206 auszubilden.
Die erste Polymerschicht 204 kann gemäß den Eigenschaften der Struktur 212 gewählt und optimiert werden, z.B. aus den Polymergruppen der Polyimide, Polyimid-Vorstufen, Duroplaste wie Epoxide und Acrylate und ihre Vorstufen, z.B. bestimmte Thermoplaste wie Polyetherketone, Polyamidimide, Polyetherimide, Polysulphone, Polyphenylensulfide, Polyethersulfone, flüssigkristalline Polymere und Mischungen aus diesen Polymeren.
Die zweite Polymerschicht 208 kann gemäß den Eigenschaften des Trägers 206 gewählt und optimiert werden, z.B. aus den Polymergruppen der Polyimide, Polyimid-Vorstufen, anderen Duroplasten wie Epoxide und Acrylate und ihre Vorstufen, z.B. bestimmte Thermoplaste wie Polyetherketone, Polyamidimide, Polyetherimide, Polysulphone, Polyphenylensulfide, Polyethersulfone, flüssigkristalline Polymere und Mischungen aus diesen Polymeren.
Zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur 214 kann zwischen der ersten Polymerschicht 204 und der zweiten Polymerschicht 208, wie anhand der Veranschaulichung 230 in 2D dargestellt, ausgebildet sein. Zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur 214 kann aufweisen die erste Polymerschicht 204 und die zweite Polymerschicht 208, wobei zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur 214 eine physikalische Mischung aus Material von einer ersten Polymerschicht 204 und einer zweiten Polymerschicht 208 aufweisen kann. Zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur 214 kann aufweisen die nicht-chemische Bindung von Molekülen der ersten Polymerschicht 204 und der zweiten Polymerschicht 208. Zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur 214 kann aufweisen ein physikalisches Netzwerk von einer von der ersten Polymerschicht 204 und der zweiten Polymerschicht 208 in der anderen von der ersten Polymerschicht 204 und der zweiten Polymerschicht 208. Zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur 214 kann aufweisen eine physikalische Verschränkung von einer von der ersten Polymerschicht 204 und der zweiten Polymerschicht 208 in der anderen von der ersten Polymerschicht 204 und der zweiten Polymerschicht 208 nahe dem Oberflächenbereich beider Polymere. Der Bereich von zumindest einem von Durchdringen und Verteilen, also die Dicke von zumindest einer von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur 214 kann in einem Bereich von ungefähr 2 nm bis ungefähr 500 nm, z.B. in einem Bereich von 5 nm bis ungefähr 400 nm, z.B. in einem Bereich von 10 nm bis ungefähr 100 nm liegen. Zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur 214 kann aufweisen die erste Polymerschicht 204 und die zweite Polymerschicht 208. Die erste Polymerschicht 204 und die zweite Polymerschicht 208 können jeweils zumindest eines aus der folgenden Gruppe von Materialien aufweisen: Polyimide, Polyimid-Vorstufen, andere Duroplaste wie Epoxide und Acrylate und ihre Vorstufen, z.B. bestimmte Thermoplaste wie Polyetherketone, Polyamidimide, Polyetherimide, Polysulphone, Polyphenylensulfide, Polyethersulfone, flüssigkristalline Polymere und Mischungen aus diesen Polymeren. Die erste Polymerschicht 204 und die zweite Polymerschicht 208 können bis zu hohen Temperaturen stabil sein, z.B. bis hinauf zu ungefähr 300°C und können auf jeder ihrer jeweiligen Flächen 202, 222 amorphe Eigenschaften aufweisen. Die erste Polymerschicht 204 und die zweite Polymerschicht 208 können aus demselben Material ausgebildet sein. Es kann der ersten Polymerschicht 204 und der zweiten Polymerschicht 208 auch möglich sein, verschiedene Materialien aufzuweisen, welche frei gewählt werden können.
2E zeigt die Darstellung 240, wobei eine Einkapselungsschicht 224 zumindest teilweise über einer Struktur 212, z.B. einem Chip, ausgebildet sein kann, und zumindest teilweise über einem Träger 206 ausgebildet sein kann. Die Einkapselungsschicht kann zumindest teilweise über der zweiten Polymerschicht 208 ausgebildet sein und kann sich mit der zweiten Polymerschicht 208 verteilen, um eine stabile Verbindung mit dem Träger 206 auszubilden.
Gemäß einer Ausführungsform kann zumindest eine von der ersten Polymerschicht 204 und der zweiten Polymerschicht 208 ein amorphes Material aufweisen.
Gemäß einer Ausführungsform kann zumindest eine von der ersten Polymerschicht 204 und der zweiten Polymerschicht 208 ein niederkristallines Material aufweisen.
Gemäß einer Ausführungsform kann zumindest eine von der ersten Polymerschicht 204 und der zweiten Polymerschicht 208 ein Material niedriger Viskosität aufweisen. In verschiedenen Ausführungsformen kann ein Material niedriger Viskosität ein Material aufweisen, dessen Viskosität in einem Bereich von ungefähr 500 bis ungefähr 0.5 Pa·s liegt, z.B. eine Viskosität in einem Bereich von ungefähr 100 bis 1 Pa·s, z.B. eine Viskosität in einem Bereich von ungefähr 50 bis 2 Pa·s. In verschiedenen Ausführungsformen kann ein Material niedriger Viskosität ein Material mit z.B. 5 Pa·s aufweisen.
Gemäß einer Ausführungsform kann zumindest eine von der ersten Polymerschicht 204 und der zweiten Polymerschicht 208 ein Material hoher Viskosität aufweisen. In verschiedenen Ausführungsformen kann ein Material hoher Viskosität ein Material aufweisen, dessen Viskosität in einem Bereich von ungefähr 5000 bis ungefähr 500 Pa·s liegt, z.B. eine Viskosität in einem Bereich von ungefähr 1000 bis ungefähr 500 Pa·s. In verschiedenen Ausführungsformen kann ein Material hoher Viskosität ein Material mit z.B. ungefähr 1000 Pa·s aufweisen, z.B. in einem Bereich von ungefähr 5000 bis ungefähr 500 Pa·s, z.B. eine Viskosität in einem Bereich von ungefähr 2000 bis ungefähr 1000 Pa·s, z.B. eine Viskosität in einem Bereich von ungefähr 1000 bis ungefähr 500 Pa·s. Bei verschiedenen Ausführungsformen kann ein Material hoher Viskosität ein Material von z.B. 500 Pa·s aufweisen.
Gemäß einer Ausführungsform kann zumindest eine von der ersten Polymerschicht 204 und der zweiten Polymerschicht 208 ein elektrisch leidendes Polymer aufweisen. Zumindest eine von der ersten Polymerschicht 204 und der zweiten Polymerschicht 208 ein Metall aufweisen. 2F zeigt eine Darstellung 250, wobei zumindest eine von der ersten Polymerschicht 204 und der zweiten Polymerschicht 208 dicht mit Metallpartikeln, z.B. Silber, gefüllt sein kann.
2G zeigt eine Illustration 260, bei der eine Polymer-zu-Polymer-Verbindungstechnologie verwendet werden kann, um eine stabile Verbindung zu erzeugen. Die Polymer-zu-Polymer-Verbindung, z.B. die Verbindung der ersten Polymerschicht 204 zur zweiten Polymerschicht 208, kann zwischen der Struktur 212, z.B. einem Chip, und dem Träger 206, z.B. einem Chipträger, angewandt bzw. angebracht werden. Die erste Polymerschicht 204 kann an der Fläche 202, z.B. der Metallfläche 202 angebracht werden, wobei die Fläche 202 zumindest einen Teil einer Chiprückseite ausbilden kann. Gemäß einer Ausführungsform kann die erste Polymerschicht 204 ein organisches Polymer aufweisen, z.B. aushärtende Epoxid-Abdruckmasse. Die zweite Polymerschicht 208 kann ein Polyimid aufweisen. Zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur 214 kann eine verschränkte Grenzschicht aufweisen, die ein Volumen aufweist, z.B. eine Dicke, die in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 50 nm liegt, z.B. in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 40 nm, z.B. in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 30 nm. Gemäß einer Ausführungsform kann die erste Polymerschicht 204 (oder die zweite Polymerschicht 208) aus kleineren Molekülen 216 ausgebildet sein als den Molekülen 218, die die zweite Polymerschicht 208 (oder die erste Polymerschicht 204) ausbilden. Kleinere Moleküle 216 können Monomerketten 228 aufweisen. Kleinere Moleküle 216 können Oligomerketten 226 aufweisen. Kleinere Moleküle 216 der ersten Polymerschicht 204 (oder der zweiten Polymerschicht 208) können zumindest eines von durchdringen der oder sich verteilen in die zweite/n Polymerschicht 208 (oder die erste Polymerschicht 204), z.B. können kleinere Moleküle 216 der ersten Polymerschicht 204 (oder der zweiten Polymerschicht 208) in die Lücken zwischen größeren Molekülen 218 der zweiten Polymerschicht 208 (oder der ersten Polymerschicht 204) eindringen und dadurch die erste Polymerschicht 204 und die zweite Polymerschicht 208 mechanisch verbinden. Zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur 214 kann in einem Grenzflächenbereich bzw. Kontaktflächenbereich zwischen der ersten Polymerschicht 204 und der zweiten Polymerschicht 208 ausgebildet sein.
Es wird Bezug auf die grundlegenden Funktionalitäten der Merkmale gemäß 1 und 2 genommen, welche für alle unten beschriebenen verschiedenen Ausführungsformen gültig sind. Identische Merkmale zu den in 2A bis 2G beschriebenen sind mit denselben Bezugszeichen gekennzeichnet.
Gemäß einer Ausführungsform kann ein Träger 206 einen Chipträger 306 aufweisen. Eine Struktur 212 kann einen Chip 312 aufweisen, z.B. einen Halbleiterchip 312. Der Chipträger 306 kann zumindest eines der folgenden aufweisen: eine gedruckte Leiterplatte, einen weiteren Chip, einen Halbleiterwafer und einen Leiterrahmen (Leadframe). 3 beschreibt ein Verfahren 300 zum Anbringen des Chips 312 am Chipträger 30. Das Verfahren 300 kann aufweisen: Ausbilden einer ersten Polymerschicht über einer Chipfläche (bei 310); Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über einer Fläche des Chipträgers (bei 320); und In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht, so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird (bei 330). Die Grundfunktionalitäten der Merkmale des Trägers 206 sind anwendbar auf den Chipträger 306; die Grundfunktionalitäten des Chipträgers 306 und des Chips 312 sowie die der Merkmale, die mit Bezug auf 1 und 2 beschrieben wurden, sind auf das Verfahren 300 und auf alle verschiedenen Ausführungsformen anwendbar und werden unten ausführlicher beschrieben.
4A zeigt eine Darstellung 400 eines Einhäusungsmoduls 410 aufweisend: eine Metallfläche 202 und einen Träger 206; eine erste Polymerschicht 204, welche über der Metallfläche 202 ausgebildet ist; eine zweite Polymerschicht 208, welche über einer Fläche des Trägers 206 ausgebildet ist; und zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur 214, welche zwischen der ersten Polymerschicht 204 und der zweiten Polymerschicht 208 ausgebildet ist. 4B zeigt das Einhäusungsmodul 430, eine weitere Ausführungsform des Einhäusungsmoduls 410, wobei die erste 204 (oder zweite 208) Polymerschicht aus kleineren Molekülen 216 gebildet sein kann als den Molekülen 218, welche die zweite 208 (oder erste 204) Polymerschicht ausbilden. In dem Fall aus 4B ist die Polymerschicht 204 so dargestellt, dass sie aus kleineren Molekülen 216 ausgebildet ist als den Molekülen 218, welche die zweite Polymerschicht 208 ausbilden. Die kleineren Moleküle 216 können eine Mischung von Monomerketten 228 und Oligomerketten 226 aufweisen. Die kleineren Moleküle 216 können zumindest eines von Monomerketten 228 und Oligomerketten 226 aufweisen.
5 zeigt eine Darstellung 500 eines Einhäusungsmoduls 510 aufweisend: einen Chip 312 und einen Chipträger 306; eine erste Polymerschicht 204, welche über einer Fläche 202 des Chips 312 ausgebildet ist; eine zweite Polymerschicht 208, welche über einer Fläche 222 des Chipträgers 306 ausgebildet ist; und zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur 214, welche zwischen der ersten Polymerschicht 204 und der zweiten Polymerschicht 208 ausgebildet ist. 5B zeigt das Chip-Einhäusungsmodul 530, eine weitere Ausführungsform des Chip-Einhäusungsmoduls 510, wobei die erste 204 (oder zweite 208) Polymerschicht aus kleineren Molekülen 216 gebildet sein kann als den Molekülen 218, welche die zweite 208 (oder erste 204) Polymerschicht ausbilden. In dem Fall von 5B ist die Polymerschicht 204 so dargestellt, dass sie aus kleineren Molekülen 216 ausgebildet ist als den Molekülen 218, welche die zweite Polymerschicht 208 ausbilden. Die kleineren Moleküle 216 können eine Mischung von Monomerketten 228 und Oligomerketten 226 aufweisen. Gemäß einer Ausführungsform kann zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur 214 eine Unter-Kugel (Underbump)-Metallisierung für den Chip 312 aufweisen. Das Chip-Einhäusungsmodul 510 kann ein Flip-Chip-(deutsch:

umgedrehter-Chip-)Einhäusungsmodul aufweisen. Der Chip 312 kann einen Flip-Chip aufweisen.

6 zeigt eine Darstellung 600 eines Ultraschallbildes einer Einkapselungs-Polyimidschicht über einer obersten Fläche (Chipvorderseite), welches unter Verwendung eines rasternden Akustikmikroskops gewonnen wurde. Ein Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL, abgeleitet vom englischen Begriff „moisture sensitivity level“) 1/3 × 260° IR-Reflow & 1000 TC (-65°C/+150°C). Mindestens eines der Verfahren 100 und Verfahren 300 kann angewandt werden, um eine stabile Verbindung zu erzeugen, frei von Delamination zwischen einem Chip und einem Chipträger und der Einkapselungsschicht und dem Chipträger. Diese Ultraschallbilder beweisen die Fähigkeit zur Hochleistung solcher durchdringenden Netzwerke bezüglich Adhäsion nach hoher Belastung in Halbleitergehäusen.
Ein Verfahren zum Anbringen einer Metallfläche an einem Träger wird offenbart, wobei das Verfahren aufweist: Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Metallfläche; Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über einer Fläche des Trägers; und das In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht, so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur von der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird. Das In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht erfolgt so, dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur von der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht in einem Kontaktflächenbereich zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird, wobei das In-physischen-Kontakt-Bringen derart erfolgt, dass die durchdringende Polymerstruktur und/oder sich verteilende Polymerstruktur ein physikalisches Netzwerk von der ersten Polymerschicht in der zweiten Polymerschicht oder von der zweiten Polymerschicht in der ersten Polymerschicht aufweist, wobei das physikalische Netzwerk eine nicht-chemische Bindung von Molekülen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht aufweist.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Metallfläche auf Ausbilden einer ersten Polymerschicht, welche eine Dicke aufweist, die in einem Bereich von 100 nm bis 5 µm liegt.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über der Fläche des Trägers auf Ausbilden einer zweiten Polymerschicht, welche eine Dicke aufweist, die in einem Bereich von 100 nm bis 5 µm liegt.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Metallfläche und Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über einer Fläche des Trägers auf Ausbilden einer ersten (oder zweiten) Polymerschicht, welche eine Dicke aufweist, die kleiner ist als die der zweiten (oder ersten) Polymerschicht.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Metallfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über einer Fläche des Trägers auf Ausbilden einer ersten (oder zweiten) Polymerschicht aus kleineren Molekülen als denjenigen, welche die zweite (oder erste) Polymerschicht ausbilden.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten (oder zweiten) Polymerschicht aus kleineren Molekülen als den Molekülen, welche die zweite (oder erste) Polymerschicht ausbilden auf Ausbilden einer ersten (oder zweiten) Polymerschicht aus kleineren Molekülen, welche zumindest eines von Monomerketten und Oligomerketten aufweisen.
Gemäß einer Ausführungsform weist das In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht, so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird, auf In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht, so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur durch die kleineren Moleküle der ersten (oder zweiten) Polymerschicht, welche die zweite (oder erste) Polymerschicht durchdringen und/oder sich darin verteilen, ausgebildet wird.
Gemäß einer Ausführungsform weist das In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht, so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird, auf In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht, so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur in einem Grenzflächenbereich zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird.
Gemäß einer Ausführungsform weist das In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht, so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird, auf In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht, so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur aufweisend die erste Polymerschicht und die zweite Polymerschicht zwischen der ersten und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Metallfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über einer Fläche des Trägers auf Ausbilden einer ersten und zweiten Polymerschicht, jeweils aufweisend mindestens eines aus der folgenden Gruppe von Materialien: Polyimide, Polyimid-Vorstufen, Duroplaste, Epoxide und Acrylate und ihre Vorstufen, Thermoplaste, Polyetherketone, Polyamidimide, Polyetherimide, Polysulphone, Polyphenylensulfide, Polyethersulfone, flüssigkristalline Polymere.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Metallfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über einer Fläche des Trägers auf Ausbilden einer ersten und zweiten Polymerschicht, wobei zumindest eine von der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht zumindest eines von einem elektrisch leitenden Polymer, einem Metall, einem amorphen Material und einem niederkristallinen Material aufweist.
Ein Verfahren zum Anbringen eines Chips an einem Chipträger wird offenbart, wobei das Verfahren aufweist: Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche; Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über einer Fläche des Chipträgers; und das In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht, so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird. Das In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht erfolgt so, dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur von der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht in einem Kontaktflächenbereich zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird, wobei das In-physischen-Kontakt-Bringen derart erfolgt, dass die durchdringende Polymerstruktur und/oder sich verteilende Polymerstruktur ein physikalisches Netzwerk von der ersten Polymerschicht in der zweiten Polymerschicht oder von der zweiten Polymerschicht in der ersten Polymerschicht aufweist, wobei das physikalische Netzwerk eine nicht-chemische Bindung von Molekülen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht aufweist.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche auf Ausbilden einer ersten Polymerschicht, welche eine Dicke aufweist, die in einem Bereich von 100 nm bis 5 µm liegt.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über der Fläche des Chipträgers auf Ausbilden einer zweiten Polymerschicht, welche eine Dicke aufweist, die in einem Bereich von 100 nm bis 5 µm liegt.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über einer Fläche des Chipträgers auf Ausbilden einer ersten (oder zweiten) Polymerschicht, welche eine Dicke aufweist, die kleiner ist als die der zweiten (oder ersten) Polymerschicht.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über einer Fläche des Chipträgers auf Ausbilden einer ersten (oder zweiten) Polymerschicht aus kleineren Molekülen als denjenigen, welche die zweite (oder erste) Polymerschicht ausbilden.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten (oder zweiten) Polymerschicht aus kleineren Molekülen als den Molekülen, welche die zweite (oder erste) Polymerschicht ausbilden auf Ausbilden einer ersten (oder zweiten) Polymerschicht aus kleineren Molekülen, welche zumindest eines von Monomerketten und Oligomerketten aufweisen.
Gemäß einer Ausführungsform weist das In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht, so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird, auf In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht, so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur durch die kleineren Moleküle der ersten (oder zweiten) Polymerschicht, welche die zweite (oder erste) Polymerschicht durchdringen und/oder sich darin verteilen, ausgebildet wird.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Metallfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über einer Fläche des Trägers auf Ausbilden einer auf Ausbilden einer ersten (oder zweiten) Polymerschicht aus kleineren Molekülen als den Molekülen, welche die zweite (oder erste) Polymerschicht ausbilden, wobei die kleineren Moleküle zumindest eines von Monomerketten und Oligomerketten aufweisen.
Gemäß einer Ausführungsform weist das In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht, so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird, auf In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht, so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur durch kleinere Moleküle der ersten (oder zweiten) Polymerschicht, welche die zweite (oder erste) Polymerschicht durchdringen und/oder sich darin verteilen, ausgebildet wird.
Gemäß einer Ausführungsform weist das In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht, so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird, auf In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht, so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur in einem Grenzflächenbereich zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über einer Fläche des Chipträgers auf Ausbilden einer ersten und zweiten Polymerschicht, wobei mindestens eine von der ersten und der zweiten Polymerschicht mindestens eines aus der folgenden Gruppe von Materialien aufweist: Polyimide, Polyimid-Vorstufen, Duroplaste, Epoxide und Acrylate und ihre Vorstufen, Thermoplaste, Polyetherketone, Polyamidimide, Polyetherimide, Polysulphone, Polyphenylensulfide, Polyethersulfone, flüssigkristalline Polymere.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über einer Fläche des Chipträgers auf Ausbilden einer ersten und zweiten Polymerschicht, wobei zumindest eine von der ersten und der zweiten Polymerschicht ein elektrisch leitendes Polymer aufweist. Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über einer Fläche des Chipträgers auf Ausbilden einer ersten und zweiten Polymerschicht, wobei zumindest eine von der ersten und der zweiten Polymerschicht ein Metall, z.B. Silber aufweist.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über einer Fläche des Chipträgers auf Ausbilden einer ersten und zweiten Polymerschicht, wobei zumindest eine von der ersten und der zweiten Polymerschicht ein amorphes Material aufweist.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über einer Fläche des Chipträgers auf Ausbilden einer ersten und zweiten Polymerschicht, wobei zumindest eine von der ersten und der zweiten Polymerschicht ein niederkristallines Material aufweist.
Gemäß einer Ausführungsform weist das In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht, so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird, auf In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht, so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur aufweisend die erste Polymerschicht und die zweite Polymerschicht zwischen der ersten und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird.
Gemäß einer Ausführungsform weist das In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht mit der zweiten Polymerschicht, so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird, auf Erhitzen der ersten und zweiten Polymerschicht in einem gewöhnlichen Verfahren.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über der Fläche des Chipträgers auf Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über der Fläche des Chipträgers, aufweisend eine gedruckte Leiterplatte.
Gemäß einer Ausführungsformweist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über der Fläche des Chipträgers auf Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über der Fläche des Chipträgers, aufweisend einen weiteren Chip.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über der Fläche des Chipträgers auf Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über der Fläche des Chipträgers, aufweisend einen Halbleiterwafer.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über der Fläche des Chipträgers auf: Ausbilden einer ersten Polymerschicht über der Chipfläche und Ausbilden einer zweiten Polymerschicht über der Fläche des Chipträgers, aufweisend einen Leiterrahmen.
Ein Einhäusungsmodul wird offenbart, wobei das Einhäusungsmodul aufweist: eine Metallfläche und einen Träger; eine erste Polymerschicht, welche über der Metallfläche ausgebildet ist; eine zweite Polymerschicht, welche über einer Fläche des Trägers ausgebildet ist; und zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur, welche zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet ist. Die zumindest eine von der durchdringenden Polymerstruktur und der sich verteilenden Polymerstruktur, welche von der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht in einem Kontaktflächenbereich zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet ist, weist ein physikalisches Netzwerk von der ersten Polymerschicht in der zweiten Polymerschicht oder von der zweiten Polymerschicht in der ersten Polymerschicht auf, wobei das physikalische Netzwerk eine nicht-chemische Bindung von Molekülen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht aufweist.
Gemäß einer Ausführungsform weist die erste Polymerschicht über der Metallfläche eine Dicke auf, die in einem Bereich von 100 nm bis 5 µm liegt.
Gemäß einer Ausführungsform weist die zweite Polymerschicht über der Fläche des Trägers eine Dicke auf, die in einem Bereich von 100 nm bis 5 µm liegt.
Gemäß einer Ausführungsform weist die erste (oder zweite) Polymerschicht eine Dicke auf, die kleiner ist als die der zweiten (oder ersten) Polymerschicht.
Gemäß einer Ausführungsform ist die erste (oder zweite) Polymerschicht aus kleineren Molekülen als den Molekülen ausgebildet, aus denen die zweite (oder erste) Polymerschicht ausgebildet ist.
Gemäß einer Ausführungsform weisen die kleineren Moleküle mindestens eines von Monomerketten und Oligomerketten auf.
Gemäß einer Ausführungsform weist die durchdringende Polymerstruktur kleinere Moleküle der ersten (oder zweiten) Polymerschicht auf, welche die zweite (oder erste) Polymerschicht durchdringen.
Gemäß einer Ausführungsform ist die erste durchdringende Polymerstruktur in einem Grenzflächenbereich zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet.
Gemäß einer Ausführungsform weist zumindest eine von der ersten und zweiten Polymerschicht mindestens eines aus der folgenden Gruppe von Materialien auf: Polyimide, Polyimid-Vorstufen, Duroplaste, Epoxide und Acrylate und ihre Vorstufen, Thermoplaste, Polyetherketone, Polyamidimide, Polyetherimide, Polysulphone, Polyphenylensulfide, Polyethersulfone, flüssigkristalline Polymere.
Gemäß einer Ausführungsform weist zumindest eine von der ersten und zweiten Polymerschicht ein elektrisch leitendes Polymer auf.
Gemäß einer Ausführungsform weist zumindest eine von der ersten und zweiten Polymerschicht ein Metall auf, z.B. Silber.
Gemäß einer Ausführungsform weist zumindest eine von der ersten und zweiten Polymerschicht ein amorphes Material auf.
Gemäß einer Ausführungsform weist zumindest eine von der ersten und zweiten Polymerschicht ein niederkristallines Material auf.
Gemäß einer Ausführungsform weist zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur die erste Polymerschicht und die zweite Polymerschicht auf.
Gemäß einer Ausführungsform weist der Träger eine gedruckte Leiterplatte auf.
Gemäß einer Ausführungsform weist der Träger einen weiteren Chip auf.
Gemäß einer Ausführungsform weist der Träger einen Halbleiterwafer auf.
Gemäß einer Ausführungsform weist der Träger einen Leiterrahmen auf.
Ein Chip-Einhäusungsmodul wird offenbart, wobei das Chip-Einhäusungsmodul aufweist: einen Chip und einen Chipträger; eine erste Polymerschicht, welche über der Chipfläche ausgebildet ist; eine zweite Polymerschicht, welche über einer Fläche des Chipträgers ausgebildet ist; und zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur, welche zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet ist. Die zumindest eine von der durchdringenden Polymerstruktur und der sich verteilenden Polymerstruktur, welche von der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht in einem Kontaktflächenbereich zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet ist, weist ein physikalisches Netzwerk von der ersten Polymerschicht in der zweiten Polymerschicht oder von der zweiten Polymerschicht in der ersten Polymerschicht auf, wobei das physikalische Netzwerk eine nicht-chemische Bindung von Molekülen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht aufweist.
Gemäß einer Ausführungsform weist die erste Polymerschicht über der Chipfläche eine Dicke auf, die in einem Bereich von 100 nm bis 5 µm liegt.
Gemäß einer Ausführungsform weist die zweite Polymerschicht über der Fläche des Chipträgers eine Dicke auf, die in einem Bereich von 100 nm bis 5 µm liegt.
Gemäß einer Ausführungsform weist die erste (oder zweite) Polymerschicht eine Dicke auf, die kleiner ist als die der zweiten (oder ersten) Polymerschicht.
Gemäß einer Ausführungsform ist die erste (oder zweite) Polymerschicht aus kleineren Molekülen als den Molekülen ausgebildet, aus denen die zweite (oder erste) Polymerschicht ausgebildet ist.
Gemäß einer Ausführungsform weisen die kleineren Moleküle mindestens eines von Monomerketten und Oligomerketten auf.
Gemäß einer Ausführungsform weist die durchdringende Polymerstruktur kleinere Moleküle der ersten (oder zweiten) Polymerschicht auf, welche die zweite (oder erste) Polymerschicht durchdringen.
Gemäß einer Ausführungsform ist die erste durchdringende Polymerstruktur in einem Grenzflächenbereich zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet.
Gemäß einer Ausführungsform weist zumindest eine von der ersten und zweiten Polymerschicht mindestens eines aus der folgenden Gruppe von Materialien auf: Polyimide, Polyimid-Vorstufen, Duroplaste, Epoxide und Acrylate und ihre Vorstufen, Thermoplaste, Polyetherketone, Polyamidimide, Polyetherimide, Polysulphone, Polyphenylensulfide, Polyethersulfone, flüssigkristalline Polymere.
Gemäß einer Ausführungsform weist zumindest eine von der ersten und zweiten Polymerschicht ein elektrisch leitendes Polymer auf.
Gemäß einer Ausführungsform weist zumindest eine von der ersten und zweiten Polymerschicht ein Metall auf, z.B. Silber.
Gemäß einer Ausführungsform weist zumindest eine von der ersten und zweiten Polymerschicht ein amorphes Material auf.
Gemäß einer Ausführungsform weist zumindest eine von der ersten und zweiten Polymerschicht ein niederkristallines Material auf.
Gemäß einer Ausführungsform weist zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur die erste Polymerschicht und die zweite Polymerschicht auf.
Gemäß einer Ausführungsform weist der Chipträger eine gedruckte Leiterplatte auf.
Gemäß einer Ausführungsform weist der Chipträger einen weiteren Chip auf.
Gemäß einer Ausführungsform weist der Chipträger einen Halbleiterwafer auf.
Gemäß einer Ausführungsform weist der Chipträger einen Leiterrahmen auf.
Obwohl die Erfindung insbesondere mit Bezug auf bestimmte Ausführungsformen gezeigt und beschrieben wurde, sollte vom Fachmann zu verstehen sein, dass verschiedene Änderungen bezüglich Form und Einzelheit darin vorgenommen werden können, ohne vom durch die angehängten Ansprüche definierten Schutzumfang abzuweichen. Der Schutzumfang der Erfindung ist demzufolge durch die angehängten Ansprüche angegeben, und sämtliche Änderungen, die eine Entsprechung in den Ansprüchen haben, sollen dementsprechend eingeschlossen sein.

Claims

Verfahren (100) zum Anbringen einer Metallfläche (202) an einem Träger (206), wobei das Verfahren (100) aufweist: Ausbilden (110) einer ersten Polymerschicht (204) über der Metallfläche (202); Ausbilden (120) einer zweiten Polymerschicht (208) über einer Fläche (222) des Trägers (206); und In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht (204) mit der zweiten Polymerschicht (208), so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur (214) von der ersten Polymerschicht (204) und der zweiten Polymerschicht (208) in einem Kontaktflächenbereich zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird (130), wobei das In-physischen-Kontakt-Bringen derart erfolgt, dass die durchdringende Polymerstruktur und/oder sich verteilende Polymerstruktur (214) ein physikalisches Netzwerk von der ersten Polymerschicht in der zweiten Polymerschicht oder von der zweiten Polymerschicht in der ersten Polymerschicht aufweist, wobei das physikalische Netzwerk eine nicht-chemische Bindung von Molekülen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht aufweist.
Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Ausbilden einer ersten Polymerschicht (204) über der Metallfläche (202) aufweist Ausbilden einer ersten Polymerschicht (204), welche eine Dicke aufweist, die in einem Bereich von 100 nm bis 5 µm liegt, und wobei das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht (208) über der Fläche (222) des Trägers (206) aufweist Ausbilden einer zweiten Polymerschicht (208), welche eine Dicke aufweist, die in einem Bereich von 100 nm bis 5 µm liegt.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Polymerschicht (204) an der Metallfläche (202) angebracht wird.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das In-physischen-Kontakt-Bringen derart erfolgt, dass die Dicke von zumindest einer von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur 2 nm bis 500 nm beträgt.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zumindest ein Material von der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht eine niedrige Viskosität aufweist, vorzugsweise in einem Bereich von 0,5 Pa·s bis 500 Pa·s.
Verfahren gemäß Anspruch 5, wobei zumindest ein Material von der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht eine hohe Viskosität aufweist, vorzugsweise in einem Bereich von 500 Pa·s bis 5000 Pa·s.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 5 oder 6, wobei das Material der ersten Polymerschicht und das Material der zweiten Polymerschicht derart zueinander ausgewählt sind und das In-physischen-Kontakt-Bringen derart erfolgt, dass kleinere Moleküle der ersten Polymerschicht in die Lücken zwischen größeren Molekülen der zweiten Polymerschicht eindringen; und/oder dass kleinere Moleküle der zweiten Polymerschicht in die Lücken zwischen größeren Molekülen der ersten Polymerschicht eindringen.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Ausbilden einer ersten Polymerschicht (204) über der Metallfläche (202) und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht (208) über einer Fläche (222) des Trägers (206) aufweist Ausbilden einer ersten (204) und zweiten Polymerschicht (208), wobei zumindest eine von der ersten Polymerschicht (204) und der zweiten Polymerschicht (208) zumindest eines von einem elektrisch leitenden Polymer, einem Metall, einem amorphen Material und einem niederkristallinen Material aufweist.
Verfahren zum Anbringen eines Chips an einem Chipträger, wobei das Verfahren aufweist: Ausbilden einer ersten Polymerschicht (204) über der Chipfläche; Ausbilden einer zweiten Polymerschicht (208) über einer Fläche (222) des Chipträgers (206); und In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht (204) mit der zweiten Polymerschicht (208), so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur (214) von der ersten Polymerschicht (204) und der zweiten Polymerschicht (208) in einem Kontaktflächenbereich zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird, wobei das In-physischen-Kontakt-Bringen derart erfolgt, dass die durchdringende Polymerstruktur und/oder sich verteilende Polymerstruktur (214) ein physikalisches Netzwerk von der ersten Polymerschicht in der zweiten Polymerschicht oder von der zweiten Polymerschicht in der ersten Polymerschicht aufweist, wobei das physikalische Netzwerk eine nicht-chemische Bindung von Molekülen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht aufweist.
Verfahren gemäß Anspruch 9, wobei das Ausbilden einer ersten Polymerschicht (204) über der Chipfläche aufweist Ausbilden einer ersten Polymerschicht (204), welche eine Dicke aufweist, die in einem Bereich von 100 nm bis 5 µm liegt.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 oder 10, wobei das In-physischen-Kontakt-Bringen derart erfolgt, dass die Dicke von zumindest einer von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur 2 nm bis 500 nm beträgt.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei zumindest ein Material von der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht eine niedrige Viskosität aufweist, vorzugsweise in einem Bereich von 0,5 Pa·s bis 500 Pa·s.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 bis 12, wobei das Ausbilden einer ersten Polymerschicht (204) über der Chipfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht (208) über einer Fläche (222) des Chipträgers (206) aufweist Ausbilden einer ersten und zweiten Polymerschicht (208), wobei mindestens eine von der ersten und der zweiten Polymerschicht (208) mindestens eines aus der folgenden Gruppe von Materialien aufweist: Polyimide, Polyimid-Vorstufen, Duroplaste, Epoxide und Acrylate und ihre Vorstufen, Thermoplaste, Polyetherketone, Polyamidimide, Polyetherimide, Polysulphone, Polyphenylensulfide, Polyethersulfone, flüssigkristalline Polymere.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 bis 13, wobei zumindest ein Material von der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht eine hohe Viskosität aufweist, vorzugsweise in einem Bereich von 500 Pa·s bis 5000 Pa·s.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 bis 14, wobei das In-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht (204) mit der zweiten Polymerschicht (208), so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur (214) zwischen der ersten Polymerschicht (204) und der zweiten Polymerschicht (208) ausgebildet wird, darüber hinaus aufweist Erhitzen der ersten (204) und zweiten Polymerschicht (208) in einem gewöhnlichen Verfahren.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 bis 15, wobei das Ausbilden einer ersten Polymerschicht (204) über der Chipfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht (208) über der Fläche (222) des Chipträgers (206) aufweist Ausbilden einer ersten Polymerschicht (204) über der Chipfläche und Ausbilden einer zweiten Polymerschicht (208) über der Fläche (222) des Chipträgers (206), aufweisend eine gedruckte Leiterplatte.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 bis 16, wobei das Ausbilden einer ersten Polymerschicht (204) über der Chipfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht (208) über einer Fläche (222) des Chipträgers (206) aufweist Ausbilden einer ersten Polymerschicht (204) über der Chipfläche und Ausbilden einer zweiten Polymerschicht (208) über der Fläche (222) des Chipträgers (206), aufweisend einen weiteren Chip.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 bis 17, wobei das Ausbilden einer ersten Polymerschicht (204) über der Chipfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht (208) über der Fläche (222) des Chipträgers (206) aufweist Ausbilden einer ersten Polymerschicht (204) über der Chipfläche und Ausbilden einer zweiten Polymerschicht (208) über der Fläche (222) des Chipträgers (206), aufweisend einen Halbleiterwafer.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 bis 18, wobei das Ausbilden einer ersten Polymerschicht (204) über der Chipfläche und das Ausbilden einer zweiten Polymerschicht (208) über der Fläche (222) des Chipträgers (206) aufweist Ausbilden einer ersten Polymerschicht (204) über der Chipfläche und Ausbilden einer zweiten Polymerschicht (208) über der Fläche (222) des Chipträgers (206), aufweisend einen Leiterrahmen.
Einhäusungsmodul aufweisend: eine Metallfläche (202) und einen Träger (206); eine erste Polymerschicht (204), welche über der Metallfläche (202) ausgebildet ist; eine zweite Polymerschicht (208), welche über einer Fläche (222) des Trägers (206) ausgebildet ist; und zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur (214), welche von der ersten Polymerschicht (204) und der zweiten Polymerschicht (208) in einem Kontaktflächenbereich zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet ist, wobei die durchdringende Polymerstruktur und/oder sich verteilende Polymerstruktur (214) ein physikalisches Netzwerk von der ersten Polymerschicht in der zweiten Polymerschicht oder von der zweiten Polymerschicht in der ersten Polymerschicht aufweist, wobei das physikalische Netzwerk eine nicht-chemische Bindung von Molekülen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht aufweist.
Einhäusungsmodul gemäß Anspruch 20, wobei der Träger eine gedruckte Leiterplatte aufweist.
Einhäusungsmodul gemäß einem der Ansprüche 20 oder 21, wobei der Träger einen weiteren Chip aufweist.
Chip-Einhäusungsmodul aufweisend: einen Chip und einen Chipträger (206); eine erste Polymerschicht (204), welche über einer Chipfläche ausgebildet ist; eine zweite Polymerschicht (208), welche über einer Fläche (222) des Chipträgers (206) ausgebildet ist; und eine durchdringende Polymerstruktur oder eine sich verteilenden Polymerstruktur (214), welche von der ersten Polymerschicht (204) und der zweiten Polymerschicht (208) in einem Kontaktflächenbereich zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet ist, wobei die durchdringende Polymerstruktur und/oder sich verteilende Polymerstruktur (214) ein physikalisches Netzwerk von der ersten Polymerschicht in der zweiten Polymerschicht oder von der zweiten Polymerschicht in der ersten Polymerschicht aufweist, wobei das physikalische Netzwerk eine nicht-chemische Bindung von Molekülen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht aufweist.
Chip-Einhäusungsmodul gemäß Anspruch 23, wobei zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur (214) die erste Polymerschicht (204) und die zweite Polymerschicht (208) aufweist.
Chip-Einhäusungsmodul gemäß einem der Ansprüche 23 oder 24, wobei der Chipträger einen Leiterrahmen aufweist.