DE102011013228A1 - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements für 3D-Integration - Google Patents

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Abstract

Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes, wird ein Substrat (1) aus Halbleitermaterial mit einer Hauptseite (2) bereitgestellt. Ein Leiterbereich (23) aus strukturierten Metallebenen (3) wird in einem Zwischenmetalldielektrikum (8) über der Hauptseite hergestellt. Darauf werden eine erste Stoppschicht (13) und eine zweite Stoppschicht (15) aus einem Material, das bezüglich der ersten Stoppschicht selektiv entfernt werden kann, aufgebracht. Danach wird an dem Leiterbereich ein Handling-Wafer (16) angebracht. Die zweite Stoppschicht kann hierbei insbesondere als Verbindungsschicht verwendet werden. Die zweite Stoppschicht wird auf diese Weise zwischen dem Handling-Wafer und dem Leiterbereich angeordnet. Eine Durchkontaktierung (17) zu einer der Metallebenen wird durch das Substrat hindurch hergestellt. Dann wird der Handling-Wafer entfernt, und dieser Verfahrensschritt endet auf der zweiten Stoppschicht. Die zweite Stoppschicht wird selektiv zu der ersten Stoppschicht entfernt.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelemente mit Durchkontaktierung im Substrat für 3D-Integration.
  • Bei der 3D-Integration werden Stapel von Halbleiterchips gebildet, in denen jeweils Schaltungskomponenten ausgebildet und mit Verdrahtungen versehen sind. Zur Herstellung der elektrischen Verbindungen zwischen den einander gegenüberliegenden Seiten der Chips werden in den Halbleitersubstraten Durchkontaktierungen hergestellt. Zu diesem Zweck werden von der Rückseite her Öffnungen in das Substrat geätzt. Hierfür wird das Substrat mit der Oberseite auf einem Handling-Wafer befestigt, der nur zeitweilig verwendet wird, um das Substrat während der Rückseitenprozessierung leichter handhaben zu können. Der Handling-Wafer wird nach der Herstellung der Durchkontaktierung durch Rückschleifen, insbesondere mittels CMP (chemical mechanical polishing) und/oder Rückätzen entfernt. Hierbei tritt das Problem auf, dass das Rückschleifen oder Rückätzen des Handling-Wafers in einer Weise erfolgen muss, mit der sichergestellt wird, dass die oberseitige Verdrahtung des Halbleiterbauelements nicht beschädigt wird und insbesondere die Anschlusskontaktflächen ohne Beschädigung freigelegt werden können. Ein weiteres Problem bei herkömmlichen Wafer-Bond-Prozessen ergibt sich aus dem Umstand, dass die Verbindungsschicht zwischen dem zu bearbeitenden Substrat und dem Handling-Wafer ein organisches Material ist, das nur Prozesstemperaturen bis typisch etwa 200°C erlaubt.
  • In der US2009/0155959A1 ist ein Herstellungsverfahren beschrieben, bei dem ein passives Bauelement auf einer Isolationsschicht auf der Oberseite eines Substrats angebracht wird. Das Substrat wird durch Rückschleifen und anschließendes Nassätzen, Trockenätzen oder CMP entfernt.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelemente anzugeben, das eine Rückseitenprozessierung ohne Gefahr einer Beschädigung der oberseitigen Anschlusskontaktflächen ermöglicht.
  • Diese Aufgabe wird mit dem Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Ausgestaltungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Bei dem Verfahren werden zwei Stoppschichten verwenden. Das Rückschleifen oder Rückätzen des Handling-Wafers endet auf der oberen Stoppschicht. Die obere Stoppschicht wird dann selektiv bezüglich der unteren Stoppschicht entfernt, wobei die Anschlusspads einer oberen Metallisierungsebene freigelegt werden.
  • Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes, wird ein Substrat aus Halbleitermaterial mit einer Hauptseite bereitgestellt. Ein Leiterbereich aus strukturierten Metallebenen wird in einem Zwischenmetalldielektrikum über der Hauptseite hergestellt. Darauf werden eine erste Stoppschicht und eine zweite Stoppschicht aus einem Material, das bezüglich der ersten Stoppschicht selektiv entfernt werden kann, aufgebracht. Danach wird an dem Leiterbereich ein Handling-Wafer angebracht. Die zweite Stoppschicht kann hierbei insbesondere als Verbindungsschicht verwendet werden. Die zweite Stoppschicht wird auf diese Weise zwischen dem Handling-Wafer und dem Leiterbereich angeordnet. Dann werden weitere Verfahrensschritte von einer der Hauptseite gegenüberliegenden Seite des Substrates her durchgeführt, womit insbesondere eine Durchkontaktierung zu einer der Metallebenen durch das Substrat hindurch hergestellt werden kann. Dann wird der Handling-Wafer entfernt, und dieser Verfahrensschritt endet auf der zweiten Stoppschicht. Die zweite Stoppschicht wird selektiv zu der ersten Stoppschicht entfernt.
  • Bei einer Ausführungsform des Verfahrens wird mindestens eine Ausrichtungsmarke in den Metallebenen ausgebildet. Die erste Stoppschicht wird zumindest im Bereich der Ausrichtungsmarke entfernt, bevor die zweite Stoppschicht aufgebracht wird.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird mindestens eine von der Hauptseite des Substrates abgewandte Anschlusskontaktfläche an einer der Metallebenen vorgesehen. Die erste Stoppschicht wird nach dem Entfernen der zweiten Stoppschicht von der Anschlusskontaktfläche entfernt.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird, bevor die zweite Stoppschicht aufgebracht wird, die erste Stoppschicht von der Anschlusskontaktfläche entfernt, hierbei eine Öffnung über der Anschlusskontaktfläche gebildet und ein Seitenwandspacer in der Öffnung angeordnet.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird die erste Stoppschicht aus einem für eine Antireflexschicht vorgesehenen Material aufgebracht.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird die Metallebene, die in einem größten Abstand von der Hauptseite des Substrates angeordnet ist, auf der von der Hauptseite abgewandten Seite mit einer Antireflexschicht versehen, und die erste Stoppschicht wird aus dem gleichen Material wie die Antireflexschicht hergestellt.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird die erste Stoppschicht aus TiN aufgebracht.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird die erste Stoppschicht aus Wolfram aufgebracht.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird die zweite Stoppschicht aus einem Oxid des Halbleitermaterials hergestellt.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Aufbringen der ersten Stoppschicht eine Passivierungsschicht aus einem Oxid, Nitrid oder Oxinitrid des Halbleitermaterials oder aus einer Folge von Schichten mindestens zweier dieser Materialien auf den Leiterbereich aufgebracht.
  • Es folgt eine genauere Beschreibung von Beispielen des Verfahrens anhand der beigefügten Figuren.
  • Die 1 zeigt einen Querschnitt durch ein mit einer Verdrahtung versehenes Halbleiterbauelement.
  • Die 2 zeigt einen Querschnitt gemäß 1 nach dem Freilegen von Anschlusspads.
  • Die 3 zeigt einen Querschnitt gemäß 2 nach dem Aufbringen und Strukturieren einer ersten Stoppschicht.
  • Die 4 zeigt einen Querschnitt gemäß 3 nach dem Anbringen eines Handling-Wafers.
  • Die 5 zeigt einen Querschnitt gemäß 4 nach dem Herstellen einer Durchkontaktierung im Substrat.
  • Die 6 zeigt einen Querschnitt gemäß 5 nach dem Entfernen des Handling-Wafers und dem Freilegen der Anschlusspads.
  • Die 7 zeigt einen Querschnitt gemäß 1 für eine alternative Ausführungsform.
  • Die 8 zeigt einen Querschnitt gemäß 7 nach dem Freilegen der Anschlusspads.
  • Die 9 zeigt einen Querschnitt gemäß 8 nach dem Aufbringen einer Spacer-Schicht.
  • Die 10 zeigt einen Querschnitt gemäß 9 nach dem Anbringen des Handling-Wafers.
  • Die 11 zeigt einen Querschnitt gemäß 10 nach dem Herstellen einer Durchkontaktierung im Substrat.
  • Die 12 zeigt einen Querschnitt gemäß 11 nach dem Entfernen des Handling-Wafers und dem Freilegen der Anschlusspads.
  • Die 1 zeigt einen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement mit einem Substrat 1 aus Halbleitermaterial, in dem ein aktiver Bereich 24 ausgebildet ist. Das Halbleitermaterial kann zum Beispiel Silizium sein. Der aktive Bereich 24 kann zum Beispiel Komponenten einer CMOS-Schaltung enthalten. Über der Hauptseite 2 des Substrats 1 ist eine Verdrahtung vorhanden, die durch Metallebenen 3, zum Beispiel aus Aluminium, in einem Zwischenmetalldielektrikum 8 gebildet ist. Die Metallebenen 3 sind in Leiterbahnen strukturiert und untereinander durch vertikale leitende Verbindungen 4 (Vias) verbunden. Auf diese Weise ist ein Leiterbereich 23 über der Hauptseite 2 des Substrates 1 gebildet. Ausrichtungsmarken 5 (Alignment-Marken), die nicht für die elektrische Verbindung, sondern für eine Positionsbestimmung in späteren Prozessschritten vorgesehen werden, können in mindestens einer der Metallebenen 3 innerhalb des Leiterbereiches 23 ausgebildet sein.
  • In einer der Metallebenen 3, in diesem Beispiel in der obersten Metallebene, sind Anschlusskontaktflächen 6 angeordnet. Die oberste Metallebene 3 kann auf der Oberseite mit einer Antireflexschicht 7, zum Beispiel aus TiN, versehen sein. Eine derartige Antireflexschicht 7 erleichtert die fotolithographische Strukturierung der Metallebene 3.
  • Auf der Oberseite des Leiterbereichs 23 kann eine Passivierungsschicht 9 angeordnet sein, die zum Beispiel ein Nitrid des Halbleitermaterials sein kann. Die Passivierungsschicht 9 kann statt dessen ein Oxid oder Oxinitrid des Halbleitermaterials sein oder Schichten aus mindestens zwei verschiedenen dieser Materialien umfassen.
  • Die 2 zeigt einen Querschnitt gemäß 1, nachdem auf der Oberseite eine Maskenschicht 11 aufgebracht und zum Ausätzen von Öffnungen 12 in der Passivierungsschicht 9 und dem Zwischenmetalldielektrikum 8 verwendet worden ist. Die Öffnungen 12 sind über den Ausrichtungsmarken 5 und über den Anschlusskontaktflächen 6 gebildet worden. In dem dargestellten Beispiel wurde das Material der Antireflexschicht 7 auf den Anschlusskontaktflächen 6 vollständig entfernt, so dass das Metall, zum Beispiel Aluminium, der Anschlusskontaktflächen 6 freigelegt ist. Statt dessen kann das Material der Antireflexschicht 7 aber auch zumindest teilweise auf den Anschlusskontaktflächen 6 belassen werden. Die Maskenschicht 11 wird nach dem Herstellen der Öffnungen 12 entfernt.
  • Die 3 zeigt einen Querschnitt gemäß 2 nach dem ganzflächigen Aufbringen einer Isolationsschicht 10, zum Beispiel aus einem Oxid des Halbleitermaterials, und einer ersten Stoppschicht 13 auf der Isolationsschicht 10. Die Isolationsschicht 10 kann statt dessen weggelassen werden, und die erste Stoppschicht 13 wird in diesem Fall direkt auf der Passivierungsschicht 9 aufgebracht. Die erste Stoppschicht 13 kann zum Beispiel aus dem gleichen Material wie die Antireflexschicht 7 sein, also insbesondere aus TiN. Statt dessen kann die erste Stoppschicht 13 eine Metallschicht sein, zum Beispiel eine Schicht aus Wolfram. Eine darauf aufgebrachte weitere Maskenschicht 14 wird dazu verwendet, die erste Stoppschicht 13 im Bereich über den Ausrichtungsmarken 5 zu entfernen, was durch die gestrichelten Konturen angedeutet ist. Die weitere Maskenschicht 14 wird danach entfernt.
  • Die 4 zeigt einen Querschnitt gemäß 3 nach dem Aufbringen einer zweiten Stoppschicht 15 und dem Anbringen eines Handling-Wafers 16, so dass die zweite Stoppschicht 15 zwischen dem Leiterbereich 23 und dem Handling-Wafer 16 angeordnet ist. Die zweite Stoppschicht 15 füllt die Öffnungen 12 und wird vor dem Anbringen des Handling-Wafers 16 vorzugsweise eingeebnet, was zum Beispiel mit CMP (chemical mechanical polishing) geschehen kann. Die zweite Stoppschicht 15 kann insbesondere ein Oxid des Halbleitermaterials sein. Der Handling-Wafer 16 kann zum Beispiel ein Siliziumsubstrat sein, insbesondere, wenn das Substrat 1 ein Siliziumsubstrat ist. Die zweite Stoppschicht 15 kann in diesem Fall insbesondere ein Oxid des Siliziums sein. Die zweite Stoppschicht 15 kann unmittelbar als Verbindungsschicht verwendet werden, und der Handling-Wafer 16 wird in diesem Fall direkt mit der zweiten Stoppschicht 15 verbunden. Es kann statt dessen zusätzlich eine Verbindungsschicht, die ebenfalls ein Oxid des Halbleitermaterials sein kann, auf der Oberseite aufgebracht werden, bevor der Handling-Wafer 16 angebracht wird. Eine solche Verbindungsschicht wird hier als Anteil der zweiten Stoppschicht 15 aufgefasst.
  • Die in der 4 im Querschnitt dargestellte Anordnung kann jetzt von der Rückseite des Substrats 1 her, das heißt, von derjenigen Seite des Substrats 1, die der Hauptseite 2 gegenüberliegt, weiter prozessiert werden. Zu diesem Zweck können die Positionen der Ausrichtungsmarken 5 auf den Handling-Wafer 16 übertragen werden. Da die erste Stoppschicht 13 über den Ausrichtungsmarken 5 entfernt wurde, können die Positionen der Ausrichtungsmarken 5 von der Seite des Handling-Wafers 16 her mittels Infrarotstrahlung erfasst werden, auch wenn die erste Stoppschicht 13 aus einem für Infrarotstrahlung undurchlässigen Material besteht.
  • Die 5 zeigt einen Querschnitt gemäß 4 nach dem Herstellen einer rückseitigen Durchkontaktierung 17 im Substrat 1. Während der Herstellung der Durchkontaktierung 17 dient der Handling-Wafer 16 zur leichteren Handhabung des Bauelements. Die Durchkontaktierung 17 ist im Wesentlichen durch eine Metallschicht gebildet, die in einer Öffnung im Substrat 1 angeordnet und vorzugsweise durch einen Seitenwandspacer 18 von dem Halbleitermaterial des Substrats 1 elektrisch isoliert ist. Die Durchkontaktierung 17 bildet auf einer Kontaktfläche einer der Metallebenen 3 einen Rückseitenkontakt 19. Mit der Durchkontaktierung 17 ist es möglich, die Komponenten des aktiven Bereichs 24 von der Rückseite des Substrats 1 her elektrisch anzuschließen. Außerdem ist es möglich, das auf diese Weise hergestellte Halbleiterbauelement in einem Chipstapel für 3D-Integration zu verwenden.
  • Nach dem Beenden der Rückseitenprozessierung wird der Handling-Wafer 16 entfernt, was zum Beispiel in einer an sich bekannten Weise durch Rückschleifen und/oder Rückätzen geschehen kann. Es ist insbesondere möglich, einen hauptsächlichen Anteil des Handling-Wafers 16 durch Rückschleifen und anschließend das restliche Material des Handling-Wafers 16 durch Ätzen zu entfernen. Das Rückätzen kann zum Beispiel nasschemisch oder gegebenenfalls auch durch Einsatz von HF erfolgen. Das Entfernen des Handling-Wafers endet auf der zweiten Stoppschicht 15.
  • Die 6 zeigt einen Querschnitt gemäß 5 nach dem Entfernen der zweiten Stoppschicht 15, was selektiv bezüglich des Materials der ersten Stoppschicht 13 geschieht. Beim Entfernen der zweiten Stoppschicht 15 bleibt daher das Metall der Anschlusskontaktflächen 6 geschützt. Nach dem Entfernen der zweiten Stoppschicht 15 kann die erste Stoppschicht 13 ebenfalls zumindest teilweise entfernt werden. Gegebenenfalls wird dann noch das restliche Material der Isolationsschicht 10 entfernt. Von der ersten Stoppschicht 13 können Seitenwandspacer wie in der 6 dargestellt stehen bleiben. Unter den Seitenwandspacern befinden sich gegebenenfalls noch restliche Anteile der Isolationsschicht 10. Die Anschlusskontaktflächen 6 sind nun freigelegt und können kontaktiert werden.
  • Die 7 zeigt einen Querschnitt gemäß 1 für eine alternative Ausführungsform des Verfahrens. Die der zuvor beschriebenen Ausführungsform entsprechenden Komponenten sind mit denselben Bezugszeichen versehen, und die obige Beschreibung gilt entsprechend auch für das alternative Ausführungsbeispiel. Die erste Stoppschicht 13 wird im Unterschied zu dem zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel hier ganzflächig auf die Passivierungsschicht 9 aufgebracht. Die erste Stoppschicht 13 kann beispielsweise insbesondere TiN oder Wolfram sein. Eine dünne Hilfsschicht 20, zum Beispiel ein Oxid des Halbleitermaterials, kann zur Verbesserung eines nachfolgenden Ätzschrittes vorgesehen werden. Diese Hilfsschicht 20 kann aber auch weggelassen sein. Unter Verwendung einer Maskenschicht 11 werden Öffnungen über den Ausrichtungsmarken 5 und über den Anschlusskontaktflächen 6 hergestellt.
  • Die 8 zeigt einen Querschnitt gemäß 7 nach dem Herstellen der Öffnungen 12 über den Anschlusskontaktflächen 6 und gegebenenfalls auch über den Ausrichtungsmarken 5. Auf den Anschlusskontaktflächen 6 ist eine Antireflexschicht 7, zum Beispiel aus TiN, aufgebracht. Es ist bei diesem Ausführungsbeispiel von Vorteil, wenn die Antireflexschicht 7 dicker ist, als für die Funktion als Antireflexschicht 7 erforderlich wäre, und wenn zumindest ein restlicher Schichtanteil der Antireflexschicht 7 nach dem Herstellen der Öffnungen 12 auf den Anschlusskontaktflächen 6 verbleibt. Die Antireflexschicht 7 kann statt dessen aber auch von den Anschlusskontaktflächen 6 entfernt werden. Die Maskenschicht 11 wird nach dem Herstellen der Öffnungen 12 entfernt.
  • Die 9 zeigt einen Querschnitt gemäß 8 nach einem ganzflächigen Aufbringen einer Spacerschicht 21, die zur Herstellung von Seitenwandspacern vorgesehen ist und insbesondere zum Beispiel aus dem gleichen Material sein kann wie die erste Stoppschicht 13. Die Spacerschicht 21 kann zum Beispiel TiN sein.
  • Die 10 zeigt einen Querschnitt gemäß 9 nach dem anisotropen Rückätzen der Spacerschicht 9 zu den Seitenwandspacern 22 und dem Aufbringen der zweiten Stoppschicht 15. Die dünne Hilfsschicht 20 ist dafür vorgesehen, beim Ätzen der Seitenwandspacer 22 als Stoppschicht zu fungieren, um die Schichtdicke der ersten Stoppschicht 13 zu erhalten. Die zweite Stoppschicht 15 wird entsprechend dem zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel planarisiert, und der Handling-Wafer 16 wird darauf angebracht.
  • Die 11 zeigt einen Querschnitt gemäß 10 nach dem Herstellen der Durchkontaktierung 17 mit dem Seitenwandspacer 18 und dem Rückseitenkontakt 19, wie in dem entsprechenden Querschnitt der 5.
  • Die 12 zeigt einen Querschnitt gemäß 11 nach dem Entfernen des Handling-Wafers 16 und dem selektiven Entfernen der zweiten Stoppschicht 15 bezüglich der ersten Stoppschicht 13. Die Seitenwandspacer 22 schützen das Material der Passivierungsschicht 9 beim Entfernen der zweiten Stoppschicht 15. Auf diese Weise wird verhindert, dass die Passivierungsschicht 9 seitlich unter der ersten Stoppschicht 13 ausgeätzt wird (Unterätzung). Nachdem die zweite Stoppschicht 15 und die Hilfsschicht 20 entfernt worden sind, können die erste Stoppschicht 13 und gegebenenfalls das Material der Antireflexschicht 7 soweit entfernt werden, dass die Anschlusskontaktflächen 6 freigelegt sind.
  • Das in der 12 gezeigte Ergebnis des Ausführungsbeispiels des Verfahrens gemäß den 7 bis 12 entspricht im Wesentlichen dem Querschnitt der 6. Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß den 7 bis 12 wird jedoch im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel gemäß den 1 bis 6 nur eine Maskenschicht 11 benötigt.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Substrat
    2
    Hauptseite
    3
    Metallebene
    4
    vertikale leitende Verbindung
    5
    Ausrichtungsmarke
    6
    Anschlusskontaktfläche
    7
    Antireflexschicht
    8
    Zwischenmetalldielektrikum
    9
    Passivierungsschicht
    10
    Isolationsschicht
    11
    Maskenschicht
    12
    Öffnung
    13
    erste Stoppschicht
    14
    Maskenschicht
    15
    zweite Stoppschicht
    16
    Handling-Wafer
    17
    Durchkontaktierung
    18
    Seitenwandspacer
    19
    Rückseitenkontakt
    20
    Hilfsschicht
    21
    Spacerschicht
    22
    Seitenwandspacer
    23
    Leiterbereich
    24
    aktiver Bereich
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 2009/0155959 A1 [0003]

Claims (10)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes, bei dem – ein Substrat (1) aus Halbleitermaterial mit einer Hauptseite (2) bereitgestellt wird, – ein Leiterbereich (23) aus strukturierten Metallebenen (3) in einem Zwischenmetalldielektrikum (8) über der Hauptseite (2) hergestellt wird, – ein Handling-Wafer (16) an dem Leiterbereich (23) angebracht wird, – weitere Verfahrensschritte von einer der Hauptseite (2) gegenüberliegenden Seite des Substrates (1) her durchgeführt werden und – der Handling-Wafer (16) entfernt wird, dadurch gekennzeichnet, dass – vor dem Anbringen des Handling-Wafers (16) eine erste Stoppschicht (13) aufgebracht wird, – eine zweite Stoppschicht (15) aus einem Material, das bezüglich der ersten Stoppschicht (13) selektiv entfernt werden kann, zwischen dem Handling-Wafer (16) und dem Leiterbereich (23) angeordnet wird, – das Entfernen des Handling-Wafers (16) auf der zweiten Stoppschicht (15) endet und – die zweite Stoppschicht (15) selektiv zu der ersten Stoppschicht (13) entfernt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem mindestens eine Ausrichtungsmarke (5) in den Metallebenen (3) ausgebildet wird und die erste Stoppschicht (13) zumindest im Bereich der Ausrichtungsmarke (5) entfernt wird, bevor die zweite Stoppschicht (15) aufgebracht wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem mindestens eine von der Hauptseite (2) des Substrates (1) abgewandte Anschlusskontaktfläche (6) an einer der Metallebenen (3) vorgesehen wird und die erste Stoppschicht (13) nach dem Entfernen der zweiten Stoppschicht (15) von der Anschlusskontaktfläche (6) entfernt wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem mindestens eine von der Hauptseite (2) des Substrates (1) abgewandte Anschlusskontaktfläche (6) an einer der Metallebenen (3) vorgesehen wird und, bevor die zweite Stoppschicht (15) aufgebracht wird, die erste Stoppschicht (13) von der Anschlusskontaktfläche (6) entfernt wird, hierbei eine Öffnung (12) über der Anschlusskontaktfläche (6) gebildet wird und ein Seitenwandspacer (22) in der Öffnung (12) angeordnet wird.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die erste Stoppschicht (13) aus einem für eine Antireflexschicht vorgesehenen Material aufgebracht wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem zumindest eine Metallebene (3), die in einem größten Abstand von der Hauptseite (2) des Substrates (1) angeordnet ist, auf der von der Hauptseite (2) abgewandten Seite mit einer Antireflexschicht (7) versehen wird und die erste Stoppschicht (13) aus dem gleichen Material wie die Antireflexschicht (7) hergestellt wird.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die erste Stoppschicht (13) aus TiN aufgebracht wird.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die erste Stoppschicht (13) aus Wolfram aufgebracht wird.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem die zweite Stoppschicht (15) aus einem Oxid des Halbleitermaterials hergestellt wird.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem vor dem Aufbringen der ersten Stoppschicht (13) eine Passivierungsschicht (9) aus einem Oxid, Nitrid oder Oxinitrid des Halbleitermaterials oder aus einer Folge von Schichten mindestens zweier dieser Materialien auf den Leiterbereich (23) aufgebracht wird.
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