DE102010030742B4 - Phasenwechselspeicher in einem doppelreihigen Speichermodul - Google Patents
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Abstract
Description
- ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
- Erfindungsgebiet:
- Der hierin offenbarte Gegenstand betrifft das Verwalten einer Speichereinheit.
- Informationen:
- Speichereinheiten werden in vielen Arten von Elektronikeinrichtungen, wie beispielsweise Computern, Mobiltelefonen, PDAs, Dataloggern, Spielen und Navigationsgeräten, verwendet. Unter solchen Elektronikeinrichtungen können verschiedene Arten von Speichereinheiten verwendet werden, wie etwa NAND- oder NOR-Flash, SRAM, DRAM und Phasenwechsel, um nur einige Beispiele zu nennen. Entsprechend den Steigerungen bei der Arbeitsgeschwindigkeit und den Cacheleitungsgrößen können Speichereinheiten in einer doppelreihigen Speichermodulkonfiguration (DIMM – Dual Inline Memory Module) verpackt sein. Beispielsweise kann ein derartiges DIMM, das als ein Hauptspeicher in einer Rechenplattform verwendet werden kann, eine Reihe von parallel auf dem DIMM montierten DRAM-Speichermodulen umfassen. Dementsprechend kann eine Lese-/Schreibanforderung an das DIMM über parallele DRAM-Module aufgeteilt werden, so daß individuelle DRAM-Module eine Teilmenge der Gesamtcacheleitungsanforderung liefern. Solche DRAM-Einheiten weisen in der Regel spezielle intrinsische Parameter auf, die mit der Lese-/Schreib-Zeitsteuerung, der Speicherseitengröße und/oder dem Adressierungsprotokoll assoziiert sind, um nur einige Beispiele zu nennen.
- Aus der Patentschrift
US 6,765,812 B2 ist ein erweitertes Speichermodul mit DRAM und Flash-Speichern bekannt. - In der Patentschrift
US 6,000,006 A wird ein Flash-Speicher beschrieben, dessen logische Adressen in einem RAM den physikalischen Adressen zugeordnet werden. - Aus der Patentanmeldung
US 2008/0094808 A1 - KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
- Unter Bezugnahme auf die folgenden Figuren werden Ausführungsformen beschrieben, wobei sich in den verschiedenen Figuren gleiche Bezugszahlen auf gleiche Teile beziehen, sofern nicht etwas anderes angegeben ist.
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1 ist ein schematisches Diagramm einer Speicherkonfiguration gemäß dem Stand der Technik. -
2 ist ein schematisches Diagramm einer Speicherkonfiguration gemäß einer weiteren Ausführungsform. -
3 ist ein Zeitsteuerdiagramm eines Speichersteuerprozesses gemäß einer Ausführungsform. -
4 ist ein Flußdiagramm eines Speichersteuerprozesses gemäß einer Ausführungsform. -
5 ist eine schematische Ansicht eines Rechensystems und einer Speichereinheit gemäß einer Ausführungsform. - AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
- Bei einer Ausführungsform kann eine Speichereinheit ein doppelreihiges Speichermodul (DIMM – Dual Inline Memory Module) umfassen, das Phasenwechselspeichermodule (PCM – Phase Change Memory) enthält. Solche PCM-Module können parallel auf einem DIMM montiert und mit diesem elektronisch verbunden sein. Bei einer Implementierung kann ein derartiges DIMM, das beispielsweise mindestens einen Abschnitt eines Hauptspeichers eines Rechensystems umfassen kann, einen Speicherbus zum Kommunizieren mit einem Speichercontroller enthalten. Durch einen derartigen Speicherbus kann ein Rechensystem mittels eines Speichercontrollers auf PCM-Module auf einem DIMM zugreifen.
- Bei einer Ausführungsform kann ein DIMM dafür ausgelegt sein, mindestens teilweise auf der Basis von dynamischen RAM-Modulen (DRAM module – Dynamic Random Access Memory Module) elektronisch zu arbeiten. Beispielsweise kann ein DIMM ein oder mehrere DRAM-Stecksockel umfassen, um ein oder mehrere PCM-Module aufzunehmen. Als ein weiteres Beispiel können ein oder mehrere PCM-Module DRAM-Modusregister und/oder eine DRAM-Schnittstelle mit für ein DRAM ausgelegte Verbindungen umfassen. PCM-Module können in ein derartiges DIMM integriert werden, indem entsprechende Prozesse und/oder Parameter auf Speicherebene und/oder Systemebene verwendet werden, wie unten noch ausführlicher beschrieben ist. Beispielsweise kann ein Rechensystem ein BIOS (Basic Input/Output System) umfassen, das Parameter speichert, die PCM-Modulen entsprechen. Solche Parameter können beispielsweise Werte für Zeitsteuerung, Latenzzeiten und/oder Größe von PCM-Modulen umfassen. Bei einer bestimmten Implementierung braucht ein BIOS bei einem Systembootvorgang keine PCM-Module zu testen. Ein derartiges BIOS kann einen Low-Level-Driver enthalten, der konfiguriert ist, PCM-Module zu handhaben. Außerdem kann ein derartiges BIOS einen ausführbaren Code enthalten, um eine PCM-Modulidentifikation (ID) zu lesen und auf eine PCM-Modulkonfiguration zu reagieren. Als ein weiteres Beispiel können PCM-Module mit einer additiven Latenzzeit assoziiert sein, wodurch eine beispielsweise von einem Speichercontroller generierte Spaltenadresse an einen DIMM geliefert werden kann, unmittelbar nachdem der DIMM eine Zeilenadresse empfängt. Eine derartige additive Latenzzeit kann in ein Zeitsteuerverfahren von PCM-Modulen eingeführt werden, so daß konsekutive Lesebefehle, die an das PCM gerichtet sind, einander ohne Verzögerung und ohne das Einführen von Zeitsteuerlücken in ausgegebene Daten folgen, als Beispiel.
- Im Allgemeinen können Schreib- oder Programmierprozesse verwendet werden, um Informationen in Speichereinheiten zu speichern, während ein Leseprozeß verwendet werden kann, um gespeicherte Informationen abzurufen. Gespeicherte Informationen können aus einem Teil oder aus einer ganzen Speichereinheit gelöscht und/oder neue Informationen können in einen Teil oder eine ganze Speichereinheit geschrieben werden. Relativ große Anzahlen von solchen Programmier-Lösch- und/oder Programmier-Reprogrammmier-Zyklen können die physische Integrität eines PCM verschlechtern. Beispielsweise kann durch Tausende von solchen Programmier-Lösch-Zyklen, die einem DIMM auferlegt werden, das PCM enthält, die Zuverlässigkeit des DIMM reduziert werden. Wenn ein derartiger PCM-Speicher verwendet wird, kann es nützlich sein, die Häufigkeit des Auftretens von Programmier-Lösch-Zyklen oder das „Cycling“ zu begrenzen und/oder zu reduzieren, dem ein PCM-Speicher ansonsten ausgesetzt sein kann. Dementsprechend kann bei einer Ausführungsform eine Technik zum Verwalten des Cycling von PCM-Modulen auf einem DIMM das Zwischenspeichern von Schreibdaten umfassen. Insbesondere kann eine Speichereinheit, wie etwa ein DRAM-Cache-Speicher, dazu verwendet werden, Schreibdaten zwischenzuspeichern, welchen bestimmten Adressen eines PCM-DIMM entsprechen. Eine Speichergröße eines derartigen DRAM-Cache-Speichers kann mindestens teilweise auf der Basis von Eigenschaften von PCM-Modulen gewählt werden, die ein PCM-DIMM umfassen. Zu solchen Eigenschaften kann beispielsweise die PCM-DIMM-Größe zählen. Solche Eigenschaften können beispielsweise Cycling-Spezifikationen von PCM, PCM-Ausfallrate, PCM-Schreibgeschwindigkeit, Schreibbenutzungsmodell eines ein PCM-DIMM enthaltenden Systems und/oder PCM-Schreibabnutzungsausgleichstechniken („Write Wear“), die verwendet werden, beinhalten. Als ein bestimmtes Beispiel kann eine Größe eines derartigen DRAM-Cache-Speichers im Bereich von etwa 100 KB bis zu mehreren Dutzenden Megabyte an RAM liegen.
- Bei einer Implementierung kann ein PCM-DIMM PCM-Module enthalten, die in einem Baustein gestapelt sind, mit mehreren Speicherchips pro Baustein. Beispielsweise kann ein derartiger Baustein zwei, vier oder acht Chips pro Baustein enthalten, wobei ein, zwei, vier oder acht I/O-Pins bereitgestellt werden. Als Beispiel kann ein Ergebnis einer derartigen Implementierung sein, daß ein zusätzlicher PCM verwendet werden kann, ohne die Ausgangstreiber zusätzlich zu belasten. Falls außerdem ein PCM in einem DIMM mit einer kleineren Anzahl von Bänken (Partitionen) als der eines DRAM verwendet wird, können Bankadreßbits verwendet werden, um auf mehrere Bänke über mehrere PCM-Bauelemente hinweg zuzugreifen, wie unten noch ausführlicher erläutert wird.
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1 ist ein schematisches Diagramm eines DRAM-DIMM100 , das gemäß einer Ausführungsform mehrere DRAM-Module umfaßt, einschließlich DRAM110 , DRAM120 und DRAM130 , die in der Figur gezeigt sind. Wenngleich acht DRAM-Module in einer bestimmten Ausführungsform enthalten sein können, kann ein DRAM-DIMM eine beliebige Anzahl an DRAM-Modulen enthalten. Beispielsweise kann ein neuntes DRAM-Modul vorliegen, um für eine Fehlerkorrektur zu sorgen. Individuelle DRAM-Module können eine Matrix von adressierbaren Speicherzellen umfassen, auf die zugegriffen wird, indem zuerst eine Zeilenadresse spezifiziert wird, wonach eine Spaltenadresse spezifiziert wird. Der Blockpfeil150 stellt einen Adreßbus dar, durch den ein nicht gezeigter Speichercontroller eine Lese-/Schreibadresse an das DRAM-DIMM100 liefern kann. Bei einer bestimmten Implementierung kann ein derartiger Adreßbus sechzehn Bit breit sein. Der Blockpfeil160 stellt einen Datenbus dar, durch den parallele Daten von/zu DRAM-Modulen Lesedaten geliefert oder Schreibdaten empfangen werden können, und zwar zu/von dem Speichercontroller und/oder einem anderen Abschnitt eines nicht gezeigten Rechensystems. Bei einer bestimmten Implementierung kann ein derartiger Datenbus vierundsechzig Bit breit sein, um acht parallel geschaltete Acht-Bit-DRAM-Module zu berücksichtigen. Um eine bestimmte Stelle auf dem DRAM-DIMM100 zu adressieren, kann ein Aktivieren-Befehl, welcher unten eingehender erörtert wird, von einer Zeilenadresse begleitet sein, die den DRAM-Modulen110 bis130 beispielsweise durch einen Speichercontroller geliefert wird, und zwar auf einem durch Blockpfeile140 dargestellten Bus. Ein derartiger Zeilenadressbus140 kann parallel zu individuellen DRAM-Modulen verbunden sein. Nach dem Bereitstellen einer Zeilenadresse kann ein Speichercontroller einen Lese-/Schreibbefehl generieren, der von einer Spaltenadresse begleitet wird, die an die individuellen DRAM-Module über einen Bus geliefert wird, der von Blockpfeilen170 dargestellt wird. Natürlich sind solche Merkmale und Details eines DRAM-DIMM lediglich Beispiele. -
2 ist eine Diagrammansicht eines PCM-DIMM200 , das gemäß einer Ausführungsform mehrere PCM-Module umfaßt, einschließlich PCM214 , PCM218 , PCM224 und PCM228 . Das PCM-DIMM200 kann dafür ausgelegt sein, mindestens teilweise auf der Basis von DRAM-Modulen elektronisch zu arbeiten. In einem derartigen Fall kann mehr als ein PCM-Modul anstelle eines DRAM-Moduls verwendet werden, und zwar mindestens teilweise in Abhängigkeit von der Anzahl von Speicherbänken in individuellen PCM-Modulen. Dementsprechend kann das PCM-DIMM200 einen Speicherort210 umfassen, wo PCM214 und/oder PCM218 anstelle eines DRAM-Moduls verwendet werden, und einen Speicherort220 , wo PCM224 und/oder PCM228 anstelle eines anderen DRAM-Moduls verwendet werden können. Hier bezieht sich ein Speicherort auf eine Stelle eines PCM-DIMM200 , wo elektronische Verbindungen zwischen PCM-DIMM200 und einem DRAM- oder PCM-Modulen hergestellt werden können. Bei einer besonderen Implementierung kann ein PCM-Modul mehr elektronische Verbindungen als ein DRAM-Modul beinhalten. Beispielsweise kann das PCM-DIMM200 PCM-Module enthalten, die vier Bänke und Drei-Bit-Bankadressen (die in der Lage sind, bis zu acht Bänke zu adressieren) aufweisen; dann kann auf jeweils zwei PCM-Einheiten mit vier Bankadressen zugegriffen werden. Dementsprechend kann bei einer besonderen Implementierung ein PCM-DIMM mit Bankadreßbits versehen werden, die mehreren Speicherbänken über mehrere PCM-Einheiten hinweg entsprechen. Natürlich können solche Speicherorte mehr oder weniger als die Anzahl von PCM-Modulen enthalten, die in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel gezeigt und beschrieben sind. Analog kann das PCM-DIMM200 mehr oder weniger als die Anzahl von solchen Speicherorten enthalten, die in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel gezeigt und beschrieben sind. - Ähnlich zu den oben beschriebenen DRAM-Modulen können individuelle PCM-Module eine Matrix von adressierbaren Speicherzellen umfassen, auf die zugegriffen werden kann, indem zuerst eine Zeilenadresse spezifiziert wird, wonach eine Spaltenadresse spezifiziert wird. Der Blockpfeil
240 stellt einen Adreßbus dar, durch den ein nicht gezeigter Speichercontroller eine Lese-/Schreibadresse an das PCM-DIMM200 liefern kann. Bei einer bestimmten Implementierung kann ein derartiger Adreßbus beispielsweise sechzehn Bit breit sein. Der Blockpfeil250 stellt einen Datenbus dar, durch den parallele Daten von/zu PCM-Modulen Lesedaten liefern oder Schreibdaten empfangen können, und zwar zu/von dem Speichercontroller und/oder einem anderen Abschnitt eines nicht gezeigten Rechensystems. Bei einer bestimmten Implementierung kann ein derartiger Datenbus vierundsechzig Bit breit sein, um acht parallele Gruppen von PCM-Modulen zu berücksichtigen, wobei jede Gruppe acht parallel geschaltete Bit aufweist. Um eine bestimmte Stelle auf dem PCM-DIMM200 zu adressieren, kann ein Aktivieren-Befehl, welcher unten eingehender beschrieben wird, von einer Zeilenadresse begleitet sein, die den PCM-Modulen214 bis228 beispielsweise durch einen Speichercontroller geliefert wird, und zwar auf einem durch Blockpfeile230 dargestellten Bus. Ein derartiger Adreßbus230 kann parallel zu individuellen PCM-Modulen verbunden sein. Nach dem Bereitstellen einer Zeilenadresse kann ein Speichercontroller einen Lese-/Schreibbefehl generieren, der von einer Spaltenadresse begleitet wird, die an die individuellen Speicherorte210 bis220 über einen Bus230 geliefert wird. Eine derartige Spaltenadresse, die von einem Lese-/Schreibbefehl begleitet ist, kann auch an individuelle PCM-Module214 bis228 über einen durch Blockpfeile260 dargestellten Bus geliefert werden. Natürlich sind solche Merkmale und Details eines PCM-DIMM lediglich Beispiele. -
3 ist ein Zeitsteuerdiagramm eines Speichersteuerprozesses300 , und4 ist ein Flußdiagramm eines Speichersteuerprozesses400 gemäß einer Ausführungsform. Das folgende beschreibende Beispiel basiert auf dem Speichersteuerprozeß300 und dem Speichersteuerprozeß400 , umfassend den gleichen Prozeß. Wie in3 gezeigt, kann ein Taktsignal305 eine Zeitsteuerung von Speicherprozessen bilden. Als Beispiel kann bei Block410 ein Speichercontroller einen Aktivieren-Befehl310 erteilen, um eine Seite oder Speicherbank eines PCM-Moduls, wie etwa des in2 gezeigten PCM-Moduls214 , zu öffnen. Während einer derartigen Aktivieren-Phase kann ein PCM-Modul eine Zeilenadresse315 von einem Speichercontroller empfangen, wie in Block420 . Bei den Blöcken430 und440 kann ein Speichercontroller eine Lese-Anweisung320 und eine Spaltenadresse325 ausgeben, wodurch eine Speicheradresse (Zeile und Spalte) von einer oder mehreren Speicherzellen geliefert wird, von wo Daten ausgelesen werden sollen. Bei einer bestimmten Implementierung kann eine additive Latenzzeit verwendet werden, um die Speicherprozeßplanung zu verbessern: Eine Zeilenadresse und eine Spaltenadresse können Rücken an Rücken ausgegeben werden, wodurch beispielsweise Zeitsteuerlücken in ausgegebenen Daten vermieden werden. Solche Zeitsteuerlücken können jedoch bei einigen Anwendungen wünschenswert sein. Beispielsweise, wenngleich in3 nicht gezeigt, können zwischen dem Aktivieren-Befehl310 und der Leseanweisung320 ein oder mehrere Taktzyklen vorliegen. Im einzelnen kann unter Verwendung der CAS-Latenzzeit (CAS – Column Address Strobe) und/oder der additiven Latenzzeit eine Leseanweisung unmittelbar nach einem Aktivieren-Befehl ausgegeben werden. Eine derartige Leseanweisung braucht nicht intern mit einer vorbestimmten Anzahl von Taktzyklen verzögert zu werden (deshalb additive Latenzzeit), bevor sie ausgeführt wird. Weil ein derartiger Zeitsteuerprozeß ohne die Notwendigkeit für einen zusätzlichen Befehl ausgeführt wird, kann eine Kollision unter Speicheranweisungen vermieden werden. - Wenngleich nicht für eine oder mehrere hierin beschriebene Ausführungsformen benötigt, kann ein Wert für additive Latenzzeit in einem Modusregister des PCM-Moduls gespeichert sein. Dementsprechend läuft bei Block
450 eine Periode tCCD ab, bevor eine andere Leseanweisung330 ausgegeben wird, bei Block460 . Gleichzeitig kann eine weitere Spaltenadresse wie bei Block470 , ausgegeben werden. Nach einer oder mehreren Latenzzeiten, wie beispielsweise Leselatenzzeit und Spaltenadressierungslatenzzeit, können sich Daten340 von der Leseanweisung320 und Daten350 von der Leseanweisung330 ergeben. Bei einer Implementierung kann sich ein Prozeß des Bereitstellens von Spaltenadressen und des Lesens eines Speichers bei den entsprechenden Adressen so lange wiederholen, bis beispielsweise eine letzte Spalte der geöffneten Seite erreicht wird, wie bei Block480 geprüft wird. In einem derartigen Fall kann ein weiterer Aktivieren-Befehl von einem Speichercontroller ausgegeben werden, um eine weitere Seite zu öffnen. Wie oben angegeben, können PCM-Module in ein DIMM integriert sein, das dafür ausgelegt ist, mindestens teilweise auf DRAM-Modulen basierend elektronisch zu arbeiten. Um solche PCM-Module zu berücksichtigen, können entsprechende Prozesse und/oder Parameter auf Speicherebene und/oder Systemebene implementiert werden. Beispielsweise kann auf Systemebene ein BIOS Parameter aus einem oder mehreren Modusregistern abrufen, die in PCM-Modulen oder einem anderen Speicher gespeichert sind. Solche Parameter, die Werte für Leselatenzzeit, Schreiblatenzzeit, CAS-Latenzzeit, die Zeit vom internen Lesebefehl zu den ersten Daten, die Verzögerung beim Aktivieren zum internen Lesen/Schreiben und/oder additive Verzögerung umfassen, um nur einige Beispiele zu nennen, können den PCM-Modulen entsprechen. -
5 ist ein schematisches Diagramm, das ein Ausführungsbeispiel eines Rechensystems500 mit einer Speichereinheit510 darstellt. Eine Recheneinrichtung504 kann repräsentativ sein für eine beliebige Einrichtung, ein beliebiges Gerät oder eine beliebige Maschine, die konfiguriert werden können, um die Speichereinheit510 zu verwalten. Die Speichereinheit510 kann einen Speichercontroller515 und einen Speicher522 enthalten. Als Beispiel, kann die Recheneinrichtung504 folgendes beinhalten: eine oder mehrere Recheneinrichtungen und/oder -plattformen, wie zum Beispiel einen Desktop-Computer, einen Laptop-Computer, eine Workstation, eine Server-Einrichtung oder dergleichen; ein oder mehrere persönliche Rechen- oder Kommunikationseinrichtungen oder -geräte wie etwa zum Beispiel einen Personal Digital Assistant, eine mobile Kommunikationseinrichtung oder dergleichen; ein Rechensystem und/oder assoziierte Service-Provider-Fähigkeit, wie etwa zum Beispiel einen Provider/ein System für Datenbank- oder Datenbankspeicherungsdienst und/oder eine beliebige Kombination davon. - Es ist zu erkennen, daß alle oder ein Teil der im System
500 gezeigten verschiedenen Einrichtungen und der Prozesse und Verfahren, wie hierin weiter beschrieben, implementiert werden können, wobei Hardware, Firmware, Software oder eine beliebige Kombination davon verwendet wird oder enthalten sein kann. Deshalb kann beispielhaft die Recheneinrichtung504 mindestens eine Verarbeitungseinheit520 enthalten, die durch einen Bus540 und einen Host oder Speichercontroller515 operativ an den Speicher522 gekoppelt ist. Die Verarbeitungseinheit520 ist repräsentativ für eine oder mehrere Schaltungen, die konfiguriert werden können, um mindestens einen Abschnitt einer Datenrechenprozedur oder eines Datenrechenprozesses auszuführen. Als Beispielkann die Verarbeitungseinheit520 einen oder mehrere Prozessoren, Controller, Mikroprozessoren, Mikrocontroller, applikationsspezifische integrierte Schaltungen, Digitalsignalprozessoren, programmierbare Logikbauelemente, feldprogrammierbare Gatearrays und dergleichen oder eine beliebige Kombination davon enthalten. Als Beispiel kann die Verarbeitungseinheit520 mit dem Speichercontroller515 kommunizieren, um speicherbetreffende Operationen wie etwa Lesen, Schreiben und/oder Löschen sowie oben erörterte Speicherpartitionsprozesse zu verarbeiten. Die Verarbeitungseinheit520 kann ein Betriebssystem enthalten, das dafür ausgelegt ist, mit dem Speichercontroller515 zu kommunizieren. Ein derartiges Betriebssystem kann beispielsweise Befehle generieren, die über den Bus540 an den Speichercontroller515 gesendet werden können. Solche Befehle können beispielsweise Lese-/Schreibanweisungen enthalten. Die Recheneinrichtung504 kann ein BIOS (Basic Input/Output System) umfassen, das Parameter speichert, die PCM-Modulen entsprechen, die mit einer additiven Latenzzeit assoziiert sein können, die es einer, beispielsweise vom Speichercontroller515 generierten, Spaltenadresse ermöglicht, an einen DIMM geliefert zu werden, unmittelbar nachdem der DIMM eine Zeilenadresse empfängt. - Der Speicher
522 ist repräsentativ für einen beliebigen Datenspeicherungsmechanismus. Der Speicher522 kann beispielsweise einen Primärspeicher524 und/oder einen Sekundärspeicher526 enthalten. Bei einer besonderen Ausführungsform kann der Speicher522 ein PCM-DIMM umfassen, wie oben beschrieben. Insbesondere kann der Primärspeicher524 beispielsweise einen Direktzugriffsspeicher, einen Festwertspeicher usw. enthalten. Wenngleich der Primärspeicher524 bei diesem Beispiel als von der Verarbeitungseinheit520 getrennt dargestellt ist, versteht sich, daß er ganz oder teilweise innerhalb der Verarbeitungseinheit520 vorgesehen oder anderweitig an gleicher Stelle angeordnet und/oder gekoppelt sein kann. - Gemäß einer Ausführungsform können ein oder mehrere Abschnitte des Speichers
522 Signale speichern, die repräsentativ sind für Daten und/oder Informationen, wie durch einen bestimmten Zustand des Speichers522 ausgedrückt. Beispielsweise kann ein Elektroniksignal, das Daten und/oder Informationen repräsentiert, in einem Abschnitt des Speichers522 „gespeichert“ werden, indem der Zustand von solchen Abschnitten des Speichers522 beeinflußt oder geändert wird, um Daten und/oder Informationen als binäre Informationen (zum Beispiel Einsen und Nullen) darstellen. Als solches stellt eine derartige Änderung des Zustands des Abschnitts des Speichers, um ein Daten und/oder Informationen repräsentierendes Signal zu speichern, eine Transformation des Speichers522 in einen anderen Zustand oder eine andere Sache dar. - Der Sekundärspeicher
526 kann beispielsweise die gleiche oder eine ähnliche Art von Speicher wie Primärspeicher und/oder ein oder mehrere Datenspeicherungseinrichtungen oder -systeme enthalten, wie beispielsweise ein Diskettenlaufwerk, ein Laufwerk für optische Platten, ein Bandlaufwerk, ein Festkörperspeicherlaufwerk usw. Bei bestimmten Implementierungen kann der Sekundärspeicher526 operativ rezeptiv oder anderweitig konfigurierbar sein, um an ein computerlesbares Medium528 koppeln zu können. Das computerlesbare Medium528 kann beispielsweise ein beliebiges Medium beinhalten, das Daten, Code und/oder Anweisungen für eines oder mehrere der Einrichtungen im System500 führen oder diese zugänglich machen kann. - Die Recheneinrichtung
504 kann beispielsweise einen Eingang/Ausgang532 enthalten. Der Eingang/Ausgang532 ist repräsentativ für eine oder mehrere Einrichtungen oder Merkmale, die konfiguriert werden können, um menschliche und/oder maschinelle Eingaben anzunehmen oder anderweitig einzuführen, und/oder eine oder mehrere Einrichtungen oder Merkmale, die konfiguriert werden können, um menschliche und/oder maschinelle Ausgaben zu liefern oder anderweitig bereitzustellen. Als Beispielkann die Eingabe-/Ausgabeeinrichtung532 operativ konfiguriertes Display, einen Lautsprecher, eine Tastatur, eine Maus, einen Trackball, einen Touchscreen, einen Datenport usw. enthalten.
Claims (15)
- System, umfassend: Ein doppelreihiges Speichermodul (DIMM – Dual Inline Memory Module) (
200 ), das ein Phasenwechselspeicher-Modul (PCM-Modul – Phase Change Memory Module) (214 ) und ein DRAM – Modul (218 ) umfaßt; einen Speicherbus (240 ,250 ), um elektronisch mit dem System zu verbinden, wobei das PCM-Modul (214 ) elektronisch parallel zum Speicherbus (240 ,250 ) gekoppelt ist; einen dynamischen RAM-Cache-Speicher (DRAM – Dynamic Random Access Memory), um Schreibdaten des PCM-Modules (214 ) zwischenzuspeichern, welche bestimmten Adressen des DIMM (200 ) entsprechen, um die Häufigkeit des Auftretens von Programmier-Lösch-Zyklen des PCM-Moduls (214 ) zu begrenzen und/oder zu reduzieren; und einen Speicher, um ein BIOS (Basic Input/Output System) zu speichern, welches Parameter enthält, die dem PCM-Modul (214 ) entsprechen. - System nach Anspruch 1, wobei die Parameter einen Wert für additive Latenzzeit des PCM-Moduls (
214 ) oder eine CAS-Latenzzeit (Column Address Strobe) enthalten. - System nach Anspruch 1, wobei das PCM-Modul (
214 ) mit einer additiven Latenzzeit assoziiert ist, die es ermöglicht, daß eine Spaltenadresse an das DIMM (200 ) geliefert wird, unmittelbar nachdem eine Zeilenadresse an das DIMM (200 ) geliefert wird. - System nach Anspruch 1, wobei Bankadreßbits mehreren Speicherbänken über mehrere des einen oder der mehreren PCM-Module entsprechen.
- System nach Anspruch 1, wobei das DIMM (
200 ) einen Hauptspeicher des Systems umfaßt. - System nach Anspruch 1, wobei das PCM-Modul (
214 ) ein DRAM-Modusregister (Dynamic Random Access Memory) und/oder eine DRAM-Schnittstelle umfaßt. - Verfahren, umfassend: Liefern (
410 ) einer Aktivieren-Anweisung an ein doppelreihiges Speichermodul (DIMM – Dual Inline Memory Module), das ein Phasenwechselspeicher-Modul (PCM -Phase Change Memory) und ein DRAM – Modul enthält; Liefern (420 ) einer Zeilenadresse an das PCM-Modul; Liefern (440 ) von mehreren Spaltenadressen, bevor eine nachfolgende Zeilenadresse an das PCM-Modul geliefert wird; und Zwischenspeichern von Schreibdaten, welche bestimmten Adressen des DIMM entsprechen, in einem DRAM-Cache-Speicher, um die Häufigkeit des Auftretens von Programmier-Lösch-Zyklen des PCM-Moduls zu begrenzen und/oder zu reduzieren. - Verfahren nach Anspruch 7, weiterhin umfassend: das Liefern (
440 ) von einer der mehreren Spaltenadressen an das DIMM, unmittelbar nach dem Liefern einer Zeilenadresse an das DIMM. - Verfahren nach Anspruch 7, weiterhin umfassend: Speichern von Parametern, welche dem PCM-Modul entsprechen, in einem BIOS (Basic Input/Output System) einer Rechenplattform.
- Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Parameter einen Wert für additive Latenzzeit des PCM-Moduls enthalten.
- Verfahren nach Anspruch 7, weiterhin umfassend: Wählen einer Speichergröße für den DRAM-Cache-Speicher, mindestens teilweise auf der Basis von Eigenschaften des PCM-Moduls.
- Verfahren nach Anspruch 7, weiterhin umfassend: Zugreifen auf mehrere Speicherbänke über das PCM-Modul unter Verwendung von Bankadreßbits.
- Verfahren nach Anspruch 9, wobei das DIMM einen Hauptspeicher der Rechenplattform umfaßt.
- Speichereinheit umfassend: ein doppelreihiges Speichermodul (DIMM – Dual Inline Memory Module) (
200 ), das dafür ausgelegt ist, mindestens teilweise auf der Basis von DRAM-Modulen elektronisch zu arbeiten, wobei das DIMM (200 ) ein Phasenwechselspeichermodul (PCM) (214 ) und ein DRAM-Modul (218 ) umfaßt; und einen DRAM-Cache-Speicher zum Zwischenspeichern von Schreibdaten, die bestimmten Adressen des DIMM (200 ) entsprechen, um die Häufigkeit des Auftretens von Programmier-Lösch-Zyklen des PCM-Moduls (214 ) zu begrenzen und/oder zu reduzieren. - Speichereinheit nach Anspruch 14, weiterhin umfassend: einen Speicherbus (
240 ,260 ) zum elektronischen Verbinden mit einem Rechensystem (500 ), wobei die PCM-Module elektronisch parallel zu dem Speicherbus gekoppelt sind und wobei das Rechensystem ein BIOS umfaßt, das den PCM-Modulen entsprechende Parameter speichert.
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DE102010030742.4A Active DE102010030742B4 (de) | 2009-07-16 | 2010-06-30 | Phasenwechselspeicher in einem doppelreihigen Speichermodul |
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Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9342453B2 (en) | 2011-09-30 | 2016-05-17 | Intel Corporation | Memory channel that supports near memory and far memory access |
EP3346386B1 (de) | 2011-09-30 | 2020-01-22 | Intel Corporation | Nichtflüchtiger direktzugriffsspeicher (nvram) als ersatz für herkömmlichen massenspeicher |
EP3451176B1 (de) | 2011-09-30 | 2023-05-24 | Intel Corporation | Vorrichtung und verfahren zur implementierung einer mehrstufigen speicherhierarchie mit verschiedenen betriebsmodi |
US9600416B2 (en) | 2011-09-30 | 2017-03-21 | Intel Corporation | Apparatus and method for implementing a multi-level memory hierarchy |
EP2761467B1 (de) | 2011-09-30 | 2019-10-23 | Intel Corporation | Erzeugung von speicherzugriffssignalen auf basis einer statistischen verwendungsverfolgung |
EP2761480A4 (de) * | 2011-09-30 | 2015-06-24 | Intel Corp | Vorrichtung und verfahren zur implementierung einer mehrstufigen speicherhierarchie über gemeinsame speicherkanäle |
WO2013048491A1 (en) | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Intel Corporation | Apparatus, method and system that stores bios in non-volatile random access memory |
CN102521142B (zh) * | 2011-12-13 | 2015-05-13 | 曙光信息产业(北京)有限公司 | 一种提高大容量、多内存设备访问效率的方法 |
US9280497B2 (en) * | 2012-12-21 | 2016-03-08 | Dell Products Lp | Systems and methods for support of non-volatile memory on a DDR memory channel |
CN105808455B (zh) * | 2014-12-31 | 2020-04-28 | 华为技术有限公司 | 访问内存的方法、存储级内存及计算机系统 |
KR102408613B1 (ko) * | 2015-08-27 | 2022-06-15 | 삼성전자주식회사 | 메모리 모듈의 동작 방법, 및 메모리 모듈을 제어하는 프로세서의 동작 방법, 및 사용자 시스템 |
US10095618B2 (en) | 2015-11-25 | 2018-10-09 | Intel Corporation | Memory card with volatile and non volatile memory space having multiple usage model configurations |
US9747041B2 (en) | 2015-12-23 | 2017-08-29 | Intel Corporation | Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device |
US10007606B2 (en) | 2016-03-30 | 2018-06-26 | Intel Corporation | Implementation of reserved cache slots in computing system having inclusive/non inclusive tracking and two level system memory |
US10185619B2 (en) | 2016-03-31 | 2019-01-22 | Intel Corporation | Handling of error prone cache line slots of memory side cache of multi-level system memory |
US10120806B2 (en) | 2016-06-27 | 2018-11-06 | Intel Corporation | Multi-level system memory with near memory scrubbing based on predicted far memory idle time |
US10193248B2 (en) | 2016-08-31 | 2019-01-29 | Crystal Group, Inc. | System and method for retaining memory modules |
CN106328183B (zh) * | 2016-09-23 | 2018-08-31 | 山东师范大学 | 一种改进的存储器系统及方法 |
US10915453B2 (en) | 2016-12-29 | 2021-02-09 | Intel Corporation | Multi level system memory having different caching structures and memory controller that supports concurrent look-up into the different caching structures |
US10445261B2 (en) | 2016-12-30 | 2019-10-15 | Intel Corporation | System memory having point-to-point link that transports compressed traffic |
KR20180127707A (ko) * | 2017-05-22 | 2018-11-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 모듈 및 이의 동작 방법 |
US10304814B2 (en) | 2017-06-30 | 2019-05-28 | Intel Corporation | I/O layout footprint for multiple 1LM/2LM configurations |
US11188467B2 (en) | 2017-09-28 | 2021-11-30 | Intel Corporation | Multi-level system memory with near memory capable of storing compressed cache lines |
US10860244B2 (en) | 2017-12-26 | 2020-12-08 | Intel Corporation | Method and apparatus for multi-level memory early page demotion |
KR102505913B1 (ko) | 2018-04-04 | 2023-03-07 | 삼성전자주식회사 | 메모리 모듈 및 메모리 모듈을 포함하는 메모리 시스템 |
US10990463B2 (en) | 2018-03-27 | 2021-04-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory module and memory system including the same |
US10734756B2 (en) | 2018-08-10 | 2020-08-04 | Crystal Group Inc. | DIMM/expansion card retention method for highly kinematic environments |
US11307977B2 (en) * | 2018-09-27 | 2022-04-19 | Intel Corporation | Technologies for direct matrix read and write operations |
US11055228B2 (en) | 2019-01-31 | 2021-07-06 | Intel Corporation | Caching bypass mechanism for a multi-level memory |
US11093323B2 (en) * | 2019-04-15 | 2021-08-17 | Nvidia Corporation | Performant inline ECC architecture for DRAM controller |
US11823767B2 (en) | 2021-04-01 | 2023-11-21 | Micron Technology, Inc. | Dynamic random access memory speed bin compatibility |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6000006A (en) | 1997-08-25 | 1999-12-07 | Bit Microsystems, Inc. | Unified re-map and cache-index table with dual write-counters for wear-leveling of non-volatile flash RAM mass storage |
US6765812B2 (en) | 2001-01-17 | 2004-07-20 | Honeywell International Inc. | Enhanced memory module architecture |
US20080094808A1 (en) | 2006-10-23 | 2008-04-24 | Ruban Kanapathippillai | Methods and apparatus of dual inline memory modules for flash memory |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06215589A (ja) | 1993-01-18 | 1994-08-05 | Hitachi Ltd | 半導体メモリ |
IN188196B (de) * | 1995-05-15 | 2002-08-31 | Silicon Graphics Inc | |
US5758056A (en) * | 1996-02-08 | 1998-05-26 | Barr; Robert C. | Memory system having defective address identification and replacement |
US6603757B1 (en) * | 1999-04-14 | 2003-08-05 | Excel Switching Corporation | Voice-data access concentrator for node in an expandable telecommunications system |
JP4143287B2 (ja) * | 2001-11-08 | 2008-09-03 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体記憶装置とそのデータ読み出し制御方法 |
US6909656B2 (en) * | 2002-01-04 | 2005-06-21 | Micron Technology, Inc. | PCRAM rewrite prevention |
US7336098B2 (en) * | 2004-06-30 | 2008-02-26 | Intel Corporation | High speed memory modules utilizing on-pin capacitors |
US7224595B2 (en) * | 2004-07-30 | 2007-05-29 | International Business Machines Corporation | 276-Pin buffered memory module with enhanced fault tolerance |
TWI273435B (en) * | 2004-12-28 | 2007-02-11 | Inventec Corp | Access control method for dynamic random access memory module |
CN100437532C (zh) * | 2004-12-30 | 2008-11-26 | 英业达股份有限公司 | 动态随机存取存储器的存取控制方法 |
JP4428284B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2010-03-10 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体記憶装置およびその書込み方法 |
US8244971B2 (en) * | 2006-07-31 | 2012-08-14 | Google Inc. | Memory circuit system and method |
JP2008544437A (ja) * | 2005-06-24 | 2008-12-04 | メタラム インコーポレイテッド | 一体化されたメモリコア及びメモリインターフェース回路 |
KR100671747B1 (ko) * | 2006-01-04 | 2007-01-19 | 삼성전자주식회사 | 개선된 애디티브 레이턴시를 가진 메모리 시스템 및제어방법 |
JP5669338B2 (ja) * | 2007-04-26 | 2015-02-12 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
US8209479B2 (en) * | 2007-07-18 | 2012-06-26 | Google Inc. | Memory circuit system and method |
JP5049733B2 (ja) | 2007-10-17 | 2012-10-17 | 株式会社東芝 | 情報処理システム |
JP4234766B1 (ja) * | 2007-10-31 | 2009-03-04 | 株式会社東芝 | 電子機器およびその制御方法 |
WO2010016817A1 (en) * | 2008-08-08 | 2010-02-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Independently controllable and reconfigurable virtual memory devices in memory modules that are pin-compatible with standard memory modules |
US8225031B2 (en) * | 2008-10-30 | 2012-07-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memory module including environmental optimization |
US8694737B2 (en) * | 2010-06-09 | 2014-04-08 | Micron Technology, Inc. | Persistent memory for processor main memory |
US8688899B2 (en) * | 2010-09-28 | 2014-04-01 | Fusion-Io, Inc. | Apparatus, system, and method for an interface between a memory controller and a non-volatile memory controller using a command protocol |
-
2009
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-
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-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6000006A (en) | 1997-08-25 | 1999-12-07 | Bit Microsystems, Inc. | Unified re-map and cache-index table with dual write-counters for wear-leveling of non-volatile flash RAM mass storage |
US6765812B2 (en) | 2001-01-17 | 2004-07-20 | Honeywell International Inc. | Enhanced memory module architecture |
US20080094808A1 (en) | 2006-10-23 | 2008-04-24 | Ruban Kanapathippillai | Methods and apparatus of dual inline memory modules for flash memory |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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