DE102010029156B4

DE102010029156B4 - Hochfrequenz-Schaltmodul

Info

Publication number: DE102010029156B4
Application number: DE102010029156.0A
Authority: DE
Inventors: Takanori Uejima; Hisanori MURASE; Ken Tonegawa
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2009-05-26
Filing date: 2010-05-20
Publication date: 2019-01-31
Anticipated expiration: 2030-05-21
Also published as: US20100304693A1; JP2011097557A; DE102010029156A1; CN106209155A; JP5625453B2; US8401492B2; CN101902241A

Abstract

Hochfrequenz-Schaltmodul (1; 1'), das folgende Merkmale aufweist:eine laminierte Schaltungskomponente (11), die mit einer Antennenelektrode, die mit einer einzelnen Antenne verbunden ist, und einer Mehrzahl von Kommunikationselektroden, die mit einer Mehrzahl von Hochfrequenz-Kommunikationschaltungen zum Senden, Empfangen oder Senden und Empfangen mehrerer Arten von Kommunikationssignalen verbunden sind, versehen ist und mit einem Anschlussbereich versehen ist, der gebildet ist, um daran eine Schalt-IC zu befestigen; undeine Schalt-IC (10; 10'), die an der laminierten Schaltungskomponente befestigt ist und mit einem gemeinsamen Anschluss (P(ANT0)), der durch die laminierte Schaltungskomponente mit der Antenne verbunden ist, und einer Mehrzahl von Kommunikationsschaltungsanschlüssen (P(RF1)-P(RF9)), die durch die laminierte Schaltungskomponente mit der Mehrzahl von Hochfrequenz-Kommunikationschaltungen verbunden sind, versehen ist,wobei die Schalt-IC mit Schaltschaltungen (SW1-SW9) zwischen den Kommunikationsschaltungsanschlüssen (P(RF1)-P(RF9)) und dem gemeinsamen Anschluss (P(ANT0)) versehen ist und alle Schaltschaltungen (SW1-SW9) den gleichen Widerstand gegenüber einer Sendeleistung aufweisen, die zu dem Zeitpunkt des Sendens angelegt wird,wobei die Schaltschaltungen (SW1-SW9) zwischen dem gemeinsamen Anschluss (P(ANT0)) und der einer Mehrzahl von Kommunikationsschaltungsanschlüssen (P(RF1)-P(RF9)) die gleiche Struktur aufweisen, so dass die gleichen elektrischen Charakteristika zu erhalten, wenn ein beliebiger der Kommunikationsschaltungsanschlüsse (P(RF1)-P(RF9)) ausgewählt wird,wobei jede der Schaltschaltungen (SW1-SW9) eine gleiche Anzahl von FETs (FET11-FET1m) aufweist, die fortlaufend zwischen den gemeinsamen Anschluss (P(ANT0)) und einen der Kommunikationsschaltungsanschlüssen (P(RF1)-P(RF9)) geschaltet sind,wobei die Anzahl von FETs in den Schaltschaltungen (SW1-SW9) basierend auf einem oberen Grenzpegel einer gemäß unterschiedlichen Kommunikationssystemen zu übertragenen Leistung gewählt, so dass alle Kommunikationsschaltungsanschlüssen (P(RF1)-P(RF9)) zum Senden, zum Empfangen oder zum Senden/Empfangen gemäß den unterschiedlichen Kommunikationssystemen eine ausreichende Leistungsbeständigkeit zu besitzen, undwobei die laminierte Schaltungskomponente (11) mit einer Phaseneinstellschaltung (20; 20') versehen ist, die einen Induktor aufweist, der aus einzelnen Komponenten, die an der laminierten Schaltungskomponente befestigt sind, oder Elektrodenstrukturen gebildet ist, die zwischen laminierten isolierenden Schichten gebildet sind, und die Phaseneinstellschaltung zwischen der Antennenelektrode und dem gemeinsamen (P(ANT0)) Anschluss vorgesehen ist.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Hochfrequenz-Schaltmodul, das mehrere Arten von Hochfrequenzsignalen schaltet, um die Signale zu senden und zu empfangen.
Bisher wurden Hochfrequenz-Schaltmodule verschiedentlich entworfen, um eine Mehrzahl von Kommunikationssignalen mit einzelnen Frequenzbändern durch eine Antenne zu senden und zu empfangen. In der japanischen, ungeprüften Patentanmeldung mit der Veröffentlichungsnummer 2003-87150 z. B. ist ein zusammengesetztes Hochfrequenz-Schaltmodul offenbart, das eine SPnT-Typ-Schalt-IC (n ist eine positive Zahl) und einen laminierten Körper, auf dem die Schalt-IC befestigt ist, aufweist. Weitere Hochfrequenz-Schaltmodule werden in der US 2009/0017772 A1 , der EP 1 427 114 A9 oder der US 2008/0266199 A1 beschrieben.
Da derartige Hochfrequenz-Schaltmodule für Funkkommunikationsgeräte, wie z. B. Mobiltelefone, verwendet werden, ist es notwendig, die Leistung des Sendesignals in einem derartigen Gerät anzuheben. So ist es notwendig, die Leistungsbeständigkeit bzw. den -widerstand einer Schaltung auf der Sendeseite anzuheben. Da das Empfangssignal, das durch eine Antenne empfangen wird, einen niedrigeren Signalpegel als denjenigen des Sendesignals aufweist, ist es nicht notwendig, die Leistungsbeständigkeit so stark anzuheben wie bei der Schaltung auf der Sendeseite. Hinsichtlich eines Kommunikationssystems gibt es Fälle, in denen ein Anschluss für sowohl Sendung als auch Empfang verwendet wird. In derartigen Fällen jedoch ist eine derart hohe Leistungsbeständigkeit wie bei einer Schaltung auf der Sendeseite, die nur zum Senden verwendet wird, nicht notwendig.
Aus diesem Grund weisen bei der bestehenden Schalt-IC eine Sendeschaltschaltung, die einen Antennenanschluss (gemeinsamen Anschluss) und einen Sendeanschluss miteinander verbindet, eine Empfangsschaltschaltung, die einen Antennenanschluss (gemeinsamen Anschluss) und einen Empfangsanschluss miteinander verbindet, und eine Sende- und Empfangsschaltschaltung zum Senden und Empfang gemäß Spezifizierungen von Funkkommunikationsgeräten, wie z. B. Mobiltelefonen, unterschiedliche Strukturen auf. Bei einer derartigen Konfiguration ist für einen externen Verbindungsanschluss der Schalt-IC eine Verwendung als ein beliebiger Antennenanschluss (gemeinsamer Anschluss), Sendeanschluss, Empfangsanschluss oder Sende- und Empfangsanschluss vorbestimmt.
In jüngster Zeit ist es mit kleiner werdenden Mobiltelefonen notwendig, die Größe von Hochfrequenz-Schaltmodulen zu reduzieren. Unterdessen müssen Mobiltelefone gemäß Spezifizierungen mit einem Mehrbandsystem versehen sein, um verschiedenen Kommunikationssystemen, wie z. B. GSM, WCDMA und UMTS, gewachsen zu sein, und müssen mit einem Sendeanschluss und einem Empfangsanschluss, oder einem Sende- und Empfangsanschluss für alle Kommunikationssysteme versehen sein.
Aus diesem Grund werden Entwurf und Herstellung von Schalt-ICs individuell durchgeführt, wann immer Spezifizierungen verändert werden, wobei so bisher hohe Kosten und große Mengen an Zeit verschwendet wurden. Zusätzlich müssen für den laminierten Körper, auf dem die Schalt-IC befestigt ist, Veränderungen an dem Entwurf der Befestigungsoberfläche, damit einhergehende Veränderungen des Entwurfs der inneren Struktur derselben und eine Herstellung des laminierten Körpers basierend auf derartigen Entwurfsveränderungen mit einer sich verändernden Schalt-IC durchgeführt werden. Hohe Kosten und große Mengen an Zeit gehen bisher an diesen Punkten verloren.
Folglich besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein Hochfrequenz-Schaltmodul zu schaffen, bei dem Kosten und Zeit, die für Entwurf und Herstellung der Schalt-IC erforderlich sind, reduziert werden können und Kosten und Zeit, die für Entwurf und Herstellung des laminierten Körpers, auf dem die Schalt-IC befestigt ist, erforderlich sind, ebenso drastisch reduziert werden können, selbst wenn verschiedene Spezifizierungen von Funkkommunikationsgeräten, wie z. B. Mobiltelefonen, die mit dem Hochfrequenz-Schaltmodul versehen sind, vorliegen.
Diese Aufgabe wird durch ein Hochfrequenz-Schaltmodul gemäß Anspruch 1 gelöst.
Erfindungsgemäß kann, da alle Schaltschaltungen Sendesignale senden können, die gleiche Schalt-IC für Kommunikationssysteme mit unterschiedlichen Spezifizierungen verwendet werden. Da die Zahlen von Stufen der Halbleiterschaltelemente aller Schaltschaltungen gleich sind, können alle Schaltschaltungen Sendesignale senden, wodurch die Struktur der Schalt-IC realisiert wird. Da die Phaseneinstellschaltung zwischen der Antennenelektrode der laminierten Schaltungskomponente und der Gemeinsamer-Anschluss-Anschlussbereichselektrode der Schalt-IC vorgesehen ist, können Phasen für Sendesignale, Empfangssignale und Sende- und Empfangssignale aller Kommunikationssysteme eingestellt werden, die durch das Hochfrequenz-Schaltmodul gehandhabt werden, selbst wenn die Schalt-IC verwendet wird. Zusätzlich wird eine Ausrichtung von Übertragungsleitungen zur Reduzierung von Übertragungsverlust verbessert.
Bei dem Hochfrequenz-Schaltmodul gemäß den bevorzugten Ausführungsbeispielen der Erfindung sind die Kommunikationsschaltungsanschlüsse, die eine Mehrzahl von Sende- und Empfangsanschlüssen und Nur-Empfang-Anschlüsse umfassen, an einem Außenrand auf einer Hauptfläche der Schalt-IC angeordnet. Zusätzlich sind die Sende- und Empfangsanschlüsse und die Nur-Empfang-Anschlüsse in der Anordnungsrichtung abwechselnd vorgesehen.
Bei dieser Konfiguration ist die Mehrzahl der Sende- und Empfangsanschlüsse nicht nahe beieinander und so ist es möglich, eine Trennung zwischen den Sende- und Empfangsanschlüssen zu verbessern.
Das Hochfrequenz-Schaltmodul gemäß den bevorzugten Ausführungsbeispielen der Erfindung umfasst ferner einen Induktor, bei dem ein Ende mit dem gemeinsamen Anschluss verbunden ist und das andere Ende mit einer Masseelektrode verbunden ist.
Bei dieser Konfiguration werden, da die Masse nur durch den Induktor mit dem Anschluss der Schalt-IC verbunden ist, elektrische Ladungen, die sich in der Schalt-IC sammeln, durch den Induktor schnell zu der Masse entladen.
Der Induktor, der die Phaseneinstellschaltung des Hochfrequenz-Schaltmoduls gemäß den bevorzugten Ausführungsbeispielen der Erfindung bildet, umfasst einen Serieninduktor, der in Serie zwischen die Antennenelektrode und den gemeinsamen Anschluss geschaltet ist, und einen Nebenschlussinduktor, bei dem ein Ende mit dem gemeinsamen Anschluss auf der Seite des gemeinsamen Anschlusses des Serieninduktors verbunden ist und das andere Ende mit der Masseelektrode verbunden ist.
Bei dieser Konfiguration werden, da der Nebenschlussinduktor, der die Phaseneinstellschaltung bildet, die Schalt-IC direkt mit der Masse verbindet, die elektrischen Ladungen, die sich in der Schalt-IC sammeln, durch den Nebenschlussinduktor schnell entladen. Entsprechend weist die Phaseneinstellschaltung die Phaseneinstellfunktion und eine Funktion eines schnellen Entladens statischer Elektrizität (Funktion als ESD-Schutzvorrichtung) auf.
Die Schalt-IC des Hochfrequenz-Schaltmoduls gemäß den bevorzugten Ausführungsbeispielen der Erfindung ist aus einem rechteckigen Parallelepiped, das in der Draufsicht rechteckig ist, gebildet. Die Mehrzahl von Kommunikationsschaltungsanschlüssen ist nahe an einer anderen Seite als der Seite, an der der gemeinsame Anschluss der Schalt-IC vorgesehen ist, gebildet.
Bei dieser Konfiguration ist die spezifische Konfiguration einer Anordnung der Anschlüsse der Schalt-IC beschrieben. Bei einer derartigen Konfiguration wird eine Trennung zwischen den Kommunikationsschaltungsanschlüssen, die zur Eingabe und Ausgabe von Sendesignalen, Empfangssignalen und Sende- und Empfangssignalen verwendet werden, und dem gemeinsamen Anschluss, der für Senden und Empfang zu der Antenne verwendet wird, gesichert.
Die Schalt-IC des Hochfrequenz-Schaltmoduls gemäß den bevorzugten Ausführungsbeispielen der Erfindung ist mit einem Treiberleistungsversorgungsanschluss zum Versorgen mit elektrischer Leistung versehen und der Treiberleistungsversorgungsanschluss ist nahe bei einer anderen Seite als der Seite, an der die Mehrzahl von Kommunikationsschaltungsanschlüssen der Schalt-IC vorgesehen ist, gebildet.
Bei dieser Konfiguration ist auch die spezifische Konfiguration einer Anordnung der Anschlüsse der Schalt-IC beschrieben. Bei einer derartigen Konfiguration ist eine Trennung zwischen den Kommunikationsschaltungsanschlüssen, die verwendet werden, um Sendesignale, Empfangssignale und Sende- und Empfangssignale einzugeben und auszugeben, und dem Treiberleistungsversorgungsanschluss gesichert.
Die laminierte Schaltungskomponente des Hochfrequenz-Schaltmoduls gemäß den bevorzugten Ausführungsbeispielen der Erfindung ist mit einer Mehrzahl von Verbindungsschaltungen versehen, die die Kommunikationsschaltungsanschlüsse der Schalt-IC elektrisch mit den Kommunikationselektroden, die mit dem Kommunikationsschaltungsanschluss verbunden werden sollen, durch ein Durchgangsloch, das durch die isolierenden Schichten und die Schaltungselektrodenstrukturen gebildet ist, die zwischen den laminierten isolierenden Schichten gebildet sind, verbinden, und die Mehrzahl von Verbindungsschaltungen ist mit der gleichen elektrischen Länge gebildet.
Bei dieser Konfiguration ist die spezifische innere Schaltungskonfiguration der laminierten Schaltungskomponente (laminierter Körper), auf der die Schalt-IC befestigt ist, beschrieben. Da die Verbindungsschaltungen zwischen den Kommunikationsschaltungsanschlüssen der Schalt-IC und den Kommunikationselektroden, die mit den Kommunikationsschaltungsanschlüssen verbunden sind, die gleiche elektrische Länge besitzen, ist es möglich, in dem Fall des gleichen Kommunikationssignals die gleichen Übertragungscharakteristika zu erhalten, unabhängig davon, welcher Anschluss ausgewählt wird.
Die laminierte Schaltungskomponente des Hochfrequenz-Schaltmoduls gemäß den bevorzugten Ausführungsbeispielen der Erfindung ist mit einer Mehrzahl von Verbindungsschaltungen versehen, die die Kommunikationsschaltungsanschlüsse der Schalt-IC elektrisch mit den Kommunikationselektroden, die mit dem Kommunikationsschaltungsanschluss verbunden werden sollen, durch ein Durchgangsloch, das durch die isolierenden Schichten und die Schaltungselektrodenstrukturen gebildet ist, die zwischen den laminierten isolierenden Schichten gebildet sind, verbinden, eine Filterschaltung mit einem vorbestimmten Durchlassband ist in eine spezifische Verbindungsschaltung der Verbindungsschaltungen eingefügt und die Filterschaltung umfasst einen Induktor und einen Kondensator, die aus Elektrodenstrukturen, die zwischen den laminierten isolierenden Schichten gebildet sind, oder einzelnen Komponenten, die auf der laminierten Schaltungskomponente befestigt sind, gebildet sind.
Bei dieser Konfiguration ist es möglich, eine Filterschaltung durch einzelne Komponenten, die auf der laminierten Schaltungskomponente oder der internen Elektrode der laminierten Schaltungskomponente befestigt sind, je nachdem, wie dies bei einer derartigen Konfiguration notwendig ist, zu bilden. Entsprechend ist es, wenn der Übertragungsweg durch die Filterschaltung in den Übertragungsweg des Sendesignals ausgewählt ist, möglich, die Harmonischen des Sendesignals, die von der Sendesignalerzeugungsseite weiter als das Hochfrequenz-Schaltmodul herrühren, durch das Hochfrequenz-Schaltmodul zu dämpfen. In diesem Fall ist es, da die Anschlussstruktur der Schalt-IC, die oben beschrieben wurde, verwendet wird, möglich, den Freiheitsgrad bei einem Entwurf der internen Elektrodenstrukturen der laminierten Schaltungskomponente, die die Filterschaltung bilden, zu verbessern. Dies bedeutet, dass es selbst in dem Fall eines Hochfrequenz-Schaltmoduls mit hervorragenden Harmonische-Charakteristika möglich ist, den Freiheitsgrad für einen Entwurf zu verbessern.
Gemäß einigen Ausführungsbeispielen der Erfindung kann das Hochfrequenz-Schaltmodul aus einer Art von Schalt-IC für eine Mehrzahl von Kommunikationssystemen mit unterschiedlichen Spezifizierungen gebildet sein. Entsprechend ist es nicht notwendig, für jede Spezifizierung eine neue Schalt-IC zu entwerfen, und es ist möglich, den Entwurf des laminierten Körpers zu vereinfachen. Deshalb ist es möglich, Kosten und Zeit, die zur Herstellung des Hochfrequenz-Schaltmoduls für die Mehrzahl von Kommunikationssystemen erforderlich sind, zu reduzieren, und es ist möglich, mehrere Arten von Hochfrequenz-Schaltmodulen effizient zu entwerfen und herzustellen.
Weitere Merkmale, Elemente, Charakteristika und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen besser ersichtlich werden. Es zeigen:

1A eine perspektivische Ansicht, die ein äußeres Erscheinungsbild eines Hochfrequenz-Schaltmoduls gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellt;
1B ein Blockdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration des Hochfrequenz-Schaltmoduls gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellt;
2A ein Diagramm, das eine interne Schaltungskonfiguration einer Schalt-IC gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellt;
2B ein Diagramm, das eine Anordnung von Toren der Schalt-IC gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellt;
3 ein Laminierungsdiagramm, das eine laminierte Schaltungskomponente gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellt;
4 ein Blockdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration eines Hochfrequenz-Schaltmoduls gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel darstellt;
5 ein Laminierungsdiagramm, das eine laminierte Schaltungskomponente, die das Hochfrequenz-Schaltmodul gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel bildet, darstellt; und
6 ein Diagramm zum Erläutern einer Verbindungsbeziehung zwischen Kommunikationstoren der Schalt-IC und externen Elektroden der laminierten Schaltungskomponente.

Ein Hochfrequenz-Schaltmodul gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. 1A ist eine perspektivische Ansicht, die ein äußeres Erscheinungsbild eines Hochfrequenz-Schaltmoduls 1 darstellt, und 1B ist ein Blockdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel darstellt.
2A ist ein Diagramm, das eine interne Schaltungskonfiguration einer Schalt-IC 10 darstellt, und 2B ist ein Diagramm, das eine Anordnung von Toren darstellt 3 ist ein Laminierungsdiagramm, das eine laminierte Schaltungskomponente 11 darstellt.
Wie in 1A gezeigt ist, ist das Hochfrequenz-Schaltmodul 1 mit einer laminierten Schaltungskomponente 11 mit einer äußeren Form eines im Wesentlichen rechteckigen Parallelepipeds, einer Schalt-IC 10, die auf der oberen Oberfläche der laminierten Schaltungskomponente 11 befestigt ist, und Induktoren AL1 und AL2 als einzelnen Komponenten, die auf der oberen Oberfläche der laminierten Schaltungskomponente 11 befestigt sind, versehen.
Obwohl die spezifische Konfiguration der laminierten Schaltungskomponente 11 unter Bezugnahme auf 3 später beschrieben werden wird, ist die laminierte Schaltungskomponente 11 kurz gesagt aus einem laminierten Körper gebildet, der durch Laminieren einer Mehrzahl organischer Schichten, wie z. B. aus Keramik und Harz, gebildet ist. Die laminierte Schaltungskomponente 11 ist durch Bilden von Elektroden in der inneren Schicht zwischen den organischen Schichten und auf der oberen Oberfläche und unteren Oberfläche des laminierten Körpers mit vorbestimmten Strukturen mit anderen Schaltungsstrukturen, wie in 1B gezeigt, als der Schalt-IC 10 und den Induktoren AL1 und AL2 des Hochfrequenz-Schaltmoduls 1 versehen.
Wie in 1B gezeigt ist, ist das Hochfrequenz-Schaltmodul 1 mit Tiefpassfiltern 30A und 30B, die der „Filterschaltung“ der Erfindung entsprechen, und einem Antennenkondensator AC versehen, sowie mit der Schalt-IC 10 und der Phaseneinstellschaltung 20, die aus den Induktoren AL1 und AL2 gebildet ist.
Das Hochfrequenz-Schaltmodul 1 ist mit einer Mehrzahl externer Verbindungselektroden P_M versehen. Die Mehrzahl externer Verbindungselektroden P_M wird verwendet, um an einer Schaltungsplatine einer Rückende-Schaltung befestigt zu sein, auf der das Hochfrequenz-Schaltmodul 1 befestigt ist. In der folgenden Beschreibung werden aus Bequemlichkeit der Beschreibung die externen Verbindungselektroden P_M als Hochfrequenz-Schaltmodul 1 „Elektroden“ genannt und Befestigungselektroden P_IC der Schalt-IC 10 werden „Tore“ genannt.
Die Mehrzahl externer Verbindungselektroden P_M umfasst eine externe Antennenelektrode P_M (ANT0), die einer „Antennenelektrode“ der Erfindung entspricht, externe Sendeelektroden P_M (TxLB) und P_M (TxHB), die einer „Kommunikationselektrode“ der Erfindung entsprechen, externe Empfangselektroden P_M (Rx1), P_M (Rx2), P_M (Rx3) und P_M (Rx4), externe Sende- und Empfangselektroden P_M (UM1), P_M (UM2) und P_M (UM3), eine externe Treiberspannungseingangselektrode P_M (Vd) zum Eingeben einer Treiberspannung und externe Steuerspannungseingangselektroden P_M (Vc1), P_M (Vc2), P_M (Vc3) und P_M (Vc4) zum Eingeben eines Steuerspannungssignals. Eine Masseelektrode zum Erden ist vorgesehen, obwohl sie in 1A nicht gezeigt ist.
Die externe Antennenelektrode P_M (ANT0), die mit einer Antenne ANT als Hochfrequenz-Schaltmodul 1 verbunden ist, ist mit dem Antennentor P_IC (ANT0) der Schalt-IC 10 durch die Phaseneinstellschaltung 20 verbunden.
Die Phaseneinstellschaltung 20 weist die Induktoren AL1 und AL2 auf und der Induktor AL1 ist in Serie zwischen die externe Antennenelektrode P_M (ANT0) und das Antennentor P_IC (ANT0) geschaltet. Der Induktor AL2 ist zwischen die Seite des Induktors AL1, die nahe an der externen Antennenelektrode P_M (ANT0) ist, und die Masse geschaltet. Der Antennenkondensator AC ist zwischen die Seite des Induktors AL1, die nahe an der externen Antennenelektrode P_M (ANT0) ist, und die Masse geschaltet.
Die externe Sendeelektrode P_M (TxLB) als Hochfrequenz-Schaltmodul 1 ist mit dem Kommunikationstor P_IC (RF1) der Schalt-IC 10 durch das Tiefpassfilter 30A verbunden.
Das Tiefpassfilter 30A umfasst Induktoren GLt1 und GLt2 und Kondensatoren GCu1, GCu2, GCu3, GCc1 und GCc2.
Die Induktoren GLt1 und GLt2 sind in Serie zwischen die externe Sendeelektrode P_M (TxLB) und das Kommunikationstor P_IC (RF1) geschaltet. Der Induktor GLt1 ist parallel zu dem Kondensator GCc1 geschaltet und der Induktor GLt2 ist parallel zu dem Kondensator GCc2 geschaltet. Der Kondensator GCu1 ist zwischen die Seite des Induktors GLt1, die nahe an dem Kommunikationstor P_IC (RF1) ist, und die Masse geschaltet. Der Kondensator GCu2 ist zwischen den Verbindungspunkt der Induktoren GLt1 und GLt2 und die Masse geschaltet. Der Kondensator GCu3 ist zwischen die Seite des Induktors GLt2, die nahe an der externen Sendeelektrode P_M (TxLB) ist, und die Masse geschaltet.
Die Werte der Induktoren und Kondensatoren, die das Tiefpassfilter 30A bilden, sind gesetzt, um ein Frequenzband des Sendesignals, das von der externen Sendeelektrode P_M (TxLB) eingegeben wird, durchzulassen und Charakteristika eines Dämpfens eines Harmonische-Bands des Sendesignals zu sein. Ein Frequenzband des Sendesignals für GSM850 oder GSM900 z. B. ist als das Durchlassband gesetzt und ein Band einer doppelten Harmonischen und dreifachen Harmonischen ist als ein Dämpfungsband gesetzt.
Die externe Sendeelektrode P_M (TxHB) als Hochfrequenz-Schaltmodul 1 ist durch das Tiefpassfilter 30B mit dem Kommunikationstor P_IC (RF2) der Schalt-IC 10 verbunden.
Das Tiefpassfilter 30B umfasst Induktoren DLt1 und DLt2 und Kondensatoren DCu2, DCu3 und DCc2.
Die Induktoren DLt1 und DLt2 sind in Serie zwischen die externe Sendeelektrode P_M (TxHB) und das Kommunikationstor P_IC (RF2) geschaltet Der Induktor DLt2 ist parallel zu dem Kondensator DCc2 geschaltet Der Kondensator DCu2 ist zwischen den Verbindungspunkt der Induktoren DLt1 und DLt2 und die Masse geschaltet. Der Kondensator DCu3 ist zwischen die Seite des Induktors DLt2, die nahe an der externen Sendeelektrode P_M (TxHB) ist, und die Masse geschaltet.
Die Werte der Induktoren und Kondensatoren, die das Tiefpassfilter 30B bilden, sind gesetzt, um ein Frequenzband des Sendesignals, das von der externen Sendeelektrode P_M (TxHB) eingegeben wird, durchzulassen und um Charakteristika eines Dämpfens eines Harmonische-Bands des Sendesignals zu sein. Ein Frequenzband des Sendesignals für GSM1800 oder GSM1900 z. B. ist als das Durchlassband gesetzt und ein Band einer doppelten Harmonischen oder dreifachen Harmonischen ist als ein Dämpfungsband gesetzt.
Die externen Empfangselektroden P_M (Rx1), P_M (Rx2), P_M (Rx3) und P_M (Rx4) als Hochfrequenz-Schaltmodul 1 sind mit den Kommunikationstoren P_IC (RF3), P_IC (RF4), P_IC (RF5) bzw. P_IC (RF6) der Schalt-IC 10 verbunden. Die externen Empfangselektroden P_M (Rx1), P_M (Rx2), P_M (Rx3) und P_M (Rx4) sind mit einer Empfangsschaltung (nicht gezeigt) für Kommunikationssignale verbunden. Die externen Empfangselektroden P_M (Rx1), P_M (Rx2), P_M (Rx3) und P_M (Rx4) z. B. sind mit einer Empfangsschaltung, die für GSM850, GSM900, GSM1800 und GSM1900 gebildet ist, verbunden.
Die externen Sende- und Empfangselektroden P_M (UM1), P_M (UM2) und P_M (UM3) als Hochfrequenz-Schaltmodul 1 sind mit den Kommunikationstoren P_IC (RF7), P_IC (RF8) bzw. P_IC (RF9) der Schalt-IC 10 verbunden. Die externen Sende- und Empfangselektroden P_M (UM1), P_M (UM2) und P_M (UM3) sind mit Sende- und Empfangsschaltungen (nicht gezeigt) für Kommunikationssignale verbunden. Die externen Sende- und Empfangselektroden P_M (UM1), P_M (UM2) und P_M (UM3) z. B. sind mit den Sende- und Empfangsschaltungen für UMTS und der Sende- und Empfangsschaltung für WCDMA verbunden.
Die externe Treiberspannungseingangselektrode P_M (Vd) als Hochfrequenz-Schaltmodul 1 ist mit dem Treiberspannungseingangstor P_IC (Vd) der Schalt-IC 10 verbunden.
Die externen Steuerspannungseingangselektroden P_M (Vc1), P_M (Vc2), P_M (Vc3) und P_M (Vc4) als Hochfrequenz-Schaltmodul 1 sind mit den Steuerspannungseingangstoren P_IC (Vc1), P_IC (Vc2), P_IC (Vc3) bzw. P_IC (Vc4) der Schalt-IC 10 verbunden.
Die Schalt-IC 10 ist eine so genannte SP9T-Typ-FET-Schalt-IC, die in einer in der Draufsicht im Wesentlichen rechteckigen Form gebildet ist, wird durch eine Treiberspannung Vdd getrieben und besitzt eine Funktion eines selektiven Verbindens eines beliebigen der Kommunikationstore P_IC (RF1) bis P_IC (RF9), einem „Kommunikationsschaltungsanschluss“ der Erfindung entsprechend, mit dem Antennentor P_IC (ANT0), einem „gemeinsamen Anschluss“ der Erfindung entsprechend, gemäß der Kombination der Steuerspannungssignale Vc1 bis Vc4. Bei dem Ausführungsbeispiel dient der SP9T-Typ als Beispiel, die Konfiguration der Erfindung kann jedoch auf den SPnT-Typ angewendet werden (n ist eine positive Zahl von 2 oder größer).
Die Schalt-IC 10 besitzt eine Konfiguration, die in 2A gezeigt ist, und ist mit einer Schaltsteuereinheit 101 und FET-Schaltschaltungen SW1 bis SW9 versehen.
Die Schaltsteuereinheit 101 wird durch die Treiberspannung Vdd, die von dem Treiberspannungseingangstor P_IC (Vd) eingegeben wird, getrieben, steuert ein Einschalten eines beliebigen der FET-Schaltschaltungen SW1 bis SW9 gemäß der Kombination der Treiberspannungen Vc1 bis Vc4, die von den Steuerspannungseingangstoren P_IC (Vc1), P_IC (Vc2), P_IC (Vc3) und P_IC (Vc4) eingegeben werden, erzeugt ein Schaltsteuersignal, um ein Ausschalten der anderen zu steuern, und sendet das Signal an die FET-Schaltschaltungen SW1 bis SW9.
Die Schaltschaltung SW1 ist zwischen das Antennentor P_IC (ANT0) und das Kommunikationstor P_IC (RF1) geschaltet und die Schaltschaltung SW2 ist zwischen das Antennentor P_IC (ANT0) und das Kommunikationstor P_IC (RF2) geschaltet Ähnlich ist die Schaltschaltung SWk (k = 3 bis 9) zwischen das Antennentor P_IC (ANT0) und das Kommunikationstor P_IC (RFk) geschaltet.
Die Schaltschaltungen SW1 bis SW9 sind in der gleichen Struktur gebildet Hierin ist die Konfiguration der Schaltschaltung SW1 stellvertretend für die Schaltschaltungen SW1 bis SW9 beschrieben.
Die Schaltschaltung SW1 weist eine Mehrzahl von FET 11 bis FET Im auf (m ist eine positive Zahl von 2 oder größer) und die FET 11 bis FET Im sind fortlaufend zwischen das Antennentor P_IC (ANT0) und die Kommunikationstore P_IC (RF1) geschaltet. Insbesondere ist die Source des FET 11 mit dem Antennentor P_IC (ANT0) verbunden und ein Drain des FET 11 ist mit einer Source des FET 12 verbunden. Die Source des FET 12 bis FET Im ist mit dem Drain des FET neben dem Antennentor P_IC (ANT0) verbunden. Das Drain des FET Im ist mit dem Kommunikationstor P_IC (RF1) verbunden.
Gates der FET 11 bis FET 1m sind mit Widerständen R11 bis R1m verbunden und die Schaltsteuersignale werden von der Schaltsteuereinheit 101 durch die Widerstände R11 bis R1m angelegt.
Wie oben beschrieben wurde, weisen die Schaltschaltungen SW1 bis SW9 zwischen den Antennentoren P_IC (ANT0) und den Kommunikationstoren P_IC (RF1) bis P_IC (RF9) der Schalt-IC 10 die gleiche Struktur auf und so ist es möglich, selbst dann die gleichen elektrischen Charakteristika zu erhalten, wenn ein beliebiges der Kommunikationstore P_IC (RF1) bis P_IC (RF9) ausgewählt wird.
In diesem Fall ist es, da alle Schaltschaltungen SW1 bis SW9 aus FET-Mehrstufen gebildet sind, wie in 2A gezeigt ist, möglich, die erlaubte Menge übertragener Leistung zu erhöhen. Unter Verwendung dieses Aspekts ist die Zahl von Stufen des FET gesetzt, um für den oberen Grenzpegel der übertragenen Leistung zu stehen, wobei alle Kommunikationstore P_IC (RF1) bis P_IC (RF9) für ein beliebiges Sendetor, Empfangstor oder Sende- und Empfangstor verwendet werden können. Insbesondere kann das zusammengesetzte Kommunikationssystem mit GSM850, GSM900, GSM1800, GSM1900, UMTS und WCDMA, wie oben beschrieben wurde, für sowohl Senden, Empfang als auch Senden und Empfang von Kommunikationssystemen mit einer Konfiguration verwendet werden, um die Leistungsbeständigkeit gegenüber 35 dBm zu besitzen, was der GSM-Übertragungspegel ist.
Entsprechend ist es, da die Kommunikationstore P_IC (RF1) bis P_IC (RF9) sowohl Senden, Empfang als auch Senden und Empfang geeignet zugewiesen werden können, nicht notwendig, Sendetore, Empfangstore und Sende- und Empfangstore für Systemspezifizierungen zu Herstellung einer IC einzeln zu entwerfen. Folglich ist es möglich, Entwurfskosten, Entwurfsbemühungen, Entwurfszeit, Vorbereitung zur Fertigung und dergleichen der Schalt-IC drastisch zu senken.
Als Nächstes wird eine Anordnung der Tore der Schalt-IC 10 beschrieben. Elektroden, die den Toren entsprechen, sind in der in 2B gezeigten Anordnung an der unteren Oberfläche der Schalt-IC 10 gebildet.
Wie in 2B gezeigt ist, ist die Elektrodengruppe der Kommunikationstore P_IC (RF1) bis P_IC (RF9) entlang der anderen Seite als derjenigen der Elektrode des Antennentors P_IC (ANT0) in der Schalt-IC 10 gebildet Entsprechend ist es möglich, eine Trennung zwischen den Kommunikationstoren P_IC (RF1) bis P_IC (RF9) und dem Antennentor P_IC (ANT0) zu verbessern.
Die Elektrodengruppe der Kommunikationstore P_IC (RF1) bis P_IC (RF9) ist entlang der anderen Seite als derjenigen der Elektrodengruppe des Treiberspannungseingangstors P_IC (Vd) und der Steuerspannungseingangstore P_IC (Vc1), P_IC (Vc2), P_IC (Vc3) und P_IC (Vc4) in der Schalt-IC 10 gebildet Entsprechend ist es möglich, eine Trennung zwischen den Kommunikationstoren P_IC (RF1) bis P_IC (RF9) und den Treiberspannungseingangstoren P_IC (Vd) und den Steuerspannungseingangstoren P_IC (Vc1), P_IC (Vc2), P_IC (Vc3) und P_IC (Vc4) zu verbessern.
Die Elektrode des Antennentors P_IC (ANT0) ist entlang der anderen Seite als derjenigen der Elektrodengruppe des Treiberspannungseingangstors P_IC (Vd) und der Steuerspannungseingangstore P_IC (Vc1), P_IC (Vc2), P_IC (Vc3) und P_IC (Vc4) auf der Schalt-IC 10 gebildet. Entsprechend ist es möglich, eine Trennung zwischen dem Antennentor P_IC (ANT0) und den Treiberspannungseingangstoren P_IC (Vd) und den Steuerspannungseingangstoren P_IC (Vc1), P_IC (Vc2), P_IC (Vc3) und P_IC (Vc4) zu verbessern.
Wie oben beschrieben wurde, sind die FETs in der Mehrstufe gebildet und so tritt eine Phasenvariation in den Schaltschaltungen SW1 bis SW9 auf, die äquivalent zu einer Serienverbindung von Kondensatoren ist. Wie oben beschrieben wurde, kann jedoch durch ein Einfügen der Phaseneinstellschaltung 20, die aus den Induktoren AL1 und AL2 gebildet ist, in die Antennentorseite die Phasenvariation, die in den Schaltschaltungen SW1 bis SW9 auftritt, durch Einstellung der Phaseneinstellschaltung 20 korrigiert werden und es ist möglich zu verhindern, dass ein Übertragungsverlust sinkt. In diesem Fall kann durch Einfügen der Phaseneinstellschaltung 20 in die Antennentorseite die Phaseneinstellung für jede der Schaltschaltungen SW1 bis SW9 mit einer Phaseneinstellschaltung 20 durchgeführt werden, ohne eine Phaseneinstellschaltung für jede der Schaltschaltungen SW1 bis SW9 einzubauen.
Die Phaseneinstellschaltung 20 kann den Betrag an Phaseneinstellung mit einer einfachen Veränderung durch Schaltungskomponenten unter Verwendung der Induktoren AL1 und AL2, die aus einzelnen Komponenten gebildet sind, verändern. Entsprechend ist es, selbst nachdem das Hochfrequenz-Schaltmodul 1 fertiggestellt wurde, möglich, den Betrag an Phaseneinstellung wie nötig ohne weiteres zu verändern, und es ist möglich, den optimalen Betrag an Phaseneinstellung zu erhalten.
Als Nächstes wird eine Laminierungskonfiguration der laminierten Schaltungskomponente 11, die das Hochfrequenz-Schaltmodul 1 bildet, unter Bezugnahme auf 3 detaillierter beschrieben.
Wie oben beschrieben wurde, sind in der laminierten Schaltungskomponente 11 der Antennenkondensator AC, die Tiefpassfilter 30A und 30B mit den internen Elektrodenstrukturen realisiert und die Schaltungsstrukturen, die den Antennenkondensator AC, die Tiefpassfilter 30A und 30B, die Schalt-IC 10, die Phaseneinstellschaltung 20, die externe Verbindungselektrode P_M und die Tore P_IC der Schalt-IC 10 als Hochfrequenz-Schaltmodul 1 verbinden, sind mit den internen Elektrodenstrukturen oder den Elektroden der oberen Oberfläche und unteren Oberfläche realisiert.
Die laminierte Schaltungskomponente 11 ist als eine Struktur gebildet, in der 20 organische Schichten laminiert sind. 3 ist ein Laminierungsdiagramm, bei dem die obere Oberfläche der laminierten Schaltungskomponente 11 die erste Schicht ist, die Schichtzahlen in Richtung der unteren Oberfläche ansteigen, die untere Oberfläche der laminierten Schaltungskomponente 11 die zwanzigste Schicht ist, wobei die laminierte Schaltungskomponente 11 im Folgenden unter Bezugnahme auf die Schichtzahlen beschrieben wird. In 3 bezeichnen die in den Schichten gezeigten Eine-Linie-Kreise leitfähige Durchgangslöcher an und eine Leitfähigkeit zwischen den Elektroden der Schichten, die in der Laminierungsrichtung angeordnet sind, ist durch die Durchgangslöcher gesichert.
Die erste obere Oberfläche, die der oberen Oberfläche der laminierten Schaltungskomponente 11 entspricht, ist mit einer Anschlussbereichgruppe zum Befestigen der Schalt-IC 10 und einer Anschlussbereichgruppe zum Befestigen der Induktoren AL1 und AL2 versehen.
Die zweite, dritte und vierte Schicht sind mit verschiedenen Elektrodenstrukturen zum Führen versehen.
Die fünfte Schicht ist mit einer Masseelektrode GND versehen. Die Masseelektrode GND der fünften Elektrode fungiert außerdem als eine Gegenelektrode des Kondensators GCu1. Die sechste Schicht ist mit einer Gegenelektrode des Kondensators GCu1 versehen. Die siebte Schicht ist mit einer Masseelektrode GND versehen. Die Masseelektrode GND der siebten Elektrode fungiert außerdem als eine Gegenelektrode des Kondensators GCu1.
Die achte, neunte, zehnte, elfte, zwölfte und dreizehnte Schicht sind mit Elektrodenstrukturen versehen, die die Induktoren GLt1, GLt2, DLt1 und DLt2 bilden.
Die vierzehnte Schicht ist mit einer Gegenelektrode der Kondensatoren GCc1 und GCc2 und einer Gegenelektrode des Kondensators DCc2 versehen. Die fünfzehnte Schicht ist mit Gegenelektroden der Kondensatoren GCc1, GCc2 und DCc2 versehen. Die sechzehnte Schicht ist mit einer Gegenelektrode der Kondensatoren GCu2, GCc1 und GCc2 und einer Gegenelektrode der Kondensatoren DCu2 und DCc2 versehen.
Die siebzehnte Schicht ist mit einer Masseelektrode GND versehen. Die Masseelektrode GND der siebzehnten Schicht fungiert außerdem als eine Gegenelektrode der Kondensatoren GCu2, DCu2, GCu3 und DCu3.
Die achtzehnte Schicht ist mit Gegenelektroden der Kondensatoren GCu3 und DCu3 und dem Antennenkondensator AC versehen.
Die neunzehnte Schicht ist mit einer Masseelektrode GND versehen. Die Masseelektrode GND der neunzehnten Schicht fungiert außerdem als eine Gegenelektrode der Kondensatoren GCu3, DCu3 und des Antennenkondensators AC.
Die untere Oberfläche der zwanzigsten Schicht, die der unteren Oberfläche der laminierten Schaltungskomponente 11 entspricht, ist mit den externen Verbindungselektroden P_M versehen.
Bei einer derartigen Konfiguration können andere Schaltungselemente als die Schalt-IC 10 in dem Hochfrequenz-Schaltmodul 1, wie z. B. ein Schaltungselement, das die Tiefpassfilter 30A und 30B und den Antennenkondensator AC und dergleichen bildet, teilweise mit der Innenschichtelektrode der laminierten Schaltungskomponente 11 realisiert sein. Entsprechend ist es möglich, die Größe des Hochfrequenz-Schaltmoduls 1 zu reduzieren. Die anderen Schaltungselemente als die Schalt-IC 10 könnten aus einzelnen Komponenten, wie z. B. den Induktoren AL1 und AL2, geeignet gebildet sein. Andererseits könnten die Induktoren AL1 und AL2 aus den Innenschichtelektroden der laminierten Schaltungskomponente 11 gebildet sein.
Außerdem weisen in dem Fall eines Entwerfens einer derartigen laminierten Schaltungskomponente 11 die Kommunikationstore P_IC (RF1) bis P_IC (RF9) der Schaltschaltungs-IC 10 die gleichen elektrischen Charakteristika auf, wie oben beschrieben wurde, und das Senden, der Empfang und das Senden und der Empfang können geeignet ausgewählt werden. Entsprechend ist es möglich, den Freiheitsgrad der Befestigungsanschlussbereichstrukturen der Schalt-IC 10 oder die Führungsstrukturen der internen Elektroden zu verbessern. Bei einer derartigen Konfiguration ist es möglich, Entwurfs- und Produktionskosten und Entwurfszeit der laminierten Schaltungskomponente 11, d. h. des Hochfrequenz-Schaltmoduls 1, zu reduzieren.
Selbst wenn die Tiefpassfilter 30A und 30B in der laminierten Schaltungskomponente 11 gebildet sind, wie oben beschrieben wurde, wird der Freiheitsgrad für den Entwurf der Elektrodenstrukturen zum Bilden der Tiefpassfilter 30A und 30B durch den Freiheitsgrad einer Auswahl der Kommunikationstore P_IC (RF1) bis P_IC (RF9) der Schalt-IC 10 verbessert. Bei einer derartigen Konfiguration ist es, selbst wenn das Hochfrequenz-Schaltmodul die Tiefpassfilter 30A und 30B umfasst und die Harmonischen von Sendesignalen unterdrücken kann, möglich, die Entwurfs- und Produktionskosten und die Entwurfszeit zu reduzieren.
Bei der obigen Beschreibung sind die Tiefpassfilter 30A und 30B beispielhaft in der laminierten Schaltungskomponente 11 beinhaltet, diese könnte die Tiefpassfilter 30A und 30B jedoch auch nicht umfassen. In diesem Fall ist es vorzuziehen, dass die internen Elektrodenstrukturen und die Durchgangslöcher derart gebildet sind, dass die elektrischen Längen der Übertragungsleitungen, die die Anschlussbereichelektroden für die Kommunikationstore P_IC (RF1) bis P_IC (RF9) der Schalt-IC 10, die auf der oberen Oberfläche der laminierten Schaltungskomponente 11 gebildet sind, mit den externen Verbindungselektroden zur Kommunikation, die auf der unteren Oberfläche der laminierten Schaltungskomponente 11 gebildet sind, verbinden, gleich sind. Bei einer derartigen gleichen Konfiguration ist es möglich, das Hochfrequenz-Schaltmodul 1 mit einem höheren Freiheitsgrad für den Gebrauch zu realisieren. In diesem Fall können die elektrischen Längen aller Übertragungsleitungen leichter gleich gemacht werden, indem Leitungsbreiten verändert werden, sowie Leitungslängen der internen Elektrodenstrukturen einfach verändert werden. Außerdem können in dem Fall eines Bereitstellens der Tiefpassfilter 30A und 30B die elektrischen Längen der Übertragungsleitungen eines Empfangssystems oder eines Sende- und Empfangssystems, das die Tiefpassfilter 30A und 30B nicht aufweist, gleich gemacht werden. In diesem Fall ist es auch möglich, den Freiheitsgrad für einen Gebrauch zu verbessern.
Als Nächstes wird ein Hochfrequenz-Schaltmodul gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
4 ist ein Blockdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration eines Hochfrequenz-Schaltmoduls 1' darstellt.
5 ist ein Laminierungsdiagramm, das eine laminierte Schaltungskomponente, die das in 4 gezeigte Hochfrequenz-Schaltmodul 1' bildet, darstellt.
Das Hochfrequenz-Schaltmodul 1' gemäß dem Ausführungsbeispiel ist mit einer Schalt-IC 10', einer Phaseneinstellschaltung 20', die aus Induktoren AL1' und AL2' gebildet ist, Tiefpassfiltern 30A' und 30B', einem Antennenkondensator AC, SAW-Filtern S1 und S2 und Anpassungsinduktoren L3 und L4 versehen.
Das Hochfrequenz-Schaltmodul 1' ist mit einer Mehrzahl externer Verbindungselektroden P_M versehen. Die Mehrzahl externer Verbindungselektroden P_M wird verwendet, um an einer Schaltungsplatine einer Rückende-Schaltung, auf der das Hochfrequenz-Schaltmodul 1' befestigt ist, befestigt zu sein. Ähnlich wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel werden in der folgenden Beschreibung aus Bequemlichkeit der Beschreibung die externen Verbindungselektroden P_M als Hochfrequenz-Schaltmodul 1' „Elektroden“ genannt und Befestigungselektroden P_IC der Schalt-IC 10' werden „Tore“ genannt.
Die Mehrzahl externer Verbindungselektroden P_M umfasst eine externe Antennenelektrode P_M (ANT0), die einer „Antennenelektrode“ der Erfindung entspricht, externe Sendeelektroden P_M (TxLB) und P_M (TxHB), die einer „Kommunikationselektrode“ der Erfindung entsprechen, externe Empfangselektroden P_M (Rx1), P_M (Rx2), P_M (Rx3) und P_M (Rx4), externe Sende- und Empfangselektroden P_M (UM1) und P_M (UM2), eine externe Treiberspannungseingangselektrode P_M (Vd) zum Eingeben einer Treiberspannung und externe Steuerspannungseingangselektroden P_M (Vc1), P_M (Vc2) und P_M (Vc3) zum Eingeben eines Steuerspannungssignals. Die externen Empfangselektroden P_M (Rx1), P_M (Rx2), P_M (Rx3) und P_M (Rx4) dienen einer parallelen Ausgabe und sie sind aus einem Satz Elektroden gebildet.
Die externe Antennenelektrode P_M (ANT0), die mit einer Antenne ANT als Hochfrequenz-Schaltmodul 1' verbunden ist, ist mit dem Antennentor P_IC (ANT0) der Schalt-IC 10' durch die Phaseneinstellschaltung 20' verbunden.
Die Phaseneinstellschaltung 20' weist die Induktoren AL1' und AL2' auf. Der Induktor ALI', der einem „Serieninduktor“ der Erfindung entspricht, ist in Serie zwischen die externe Antennenelektrode P_M (ANT0) und das Antennentor P_IC (ANT0) geschaltet. Der Induktor AL2', der einem „Nebenschlussinduktor“ der Erfindung entspricht, ist zwischen die Seite des Induktors ALI', die nahe an dem Antennentor P_IC (ANT0) ist, und die Masse geschaltet. Der Antennenkondensator AC ist zwischen die Seite des Induktors AL1', die nahe an der externen Antennenelektrode P_M (ANT0) ist, und die Masse geschaltet. Wie oben beschrieben wurde, ist das Antennentor P_IC (ANT0) der Schalt-IC 10' mit der Masse nur durch den Induktor AL2' verbunden, ohne durch das andere Schaltungselement zu laufen, und so werden elektrische Ladungen, die sich in einem FET oder Kondensatoren, die in der Schalt-IC 10' vorgesehen sind, ansammeln, zu dem Zeitpunkt des Schaltens nur durch den Induktor AL2' zu der Masse entladen. Bei einer derartigen Konfiguration kann die Entladung rasch durchgeführt werden und es ist möglich, die Schaltgeschwindigkeit zu verbessern. Dies bedeutet, dass es durch ein Verwenden der Phaseneinstellschaltung 20' des Ausführungsbeispiels möglich ist, auch über eine Hochgeschwindigkeitsfunktion (entsprechend einer Funktion als ESD-Schutzbauelement) der Schaltgeschwindigkeit zu verfügen, sowie einfach über die Phaseneinstellfunktion.
Die externe Sendeelektrode P_M (TxLB) als Hochfrequenz-Schaltmodul 1' ist mit dem Kommunikationstor P_IC (RF1) der Schalt-IC 10' durch das Tiefpassfilter 30A' verbunden. Das Tiefpassfilter 30A' weist eine Konfiguration auf, bei der der Kondensator GCu3 aus dem Tiefpassfilter 30A, das in dem ersten Ausführungsbeispiel beschrieben wurde, entfernt ist, z. B. ist ein Frequenzband des Sendesignals für GSM850 oder GSM900 als das Durchlassband gesetzt und ein Band einer doppelten Harmonischen und dreifachen Harmonischen ist als ein Dämpfungsband gesetzt.
Die externe Sendeelektrode P_M (TxHB) als Hochfrequenz-Schaltmodul 1' ist mit dem Kommunikationstor P_IC (RF2) der Schalt-IC 10' durch das Tiefpassfilter 30B' verbunden. Das Tiefpassfilter 30B' umfasst Induktoren DLt1 und DLt2 und Kondensatoren DCu2, DCu3 und DCc1. Das Tiefpassfilter 30B', bei dem der Kondensator, der parallel zu dem Induktor DLt2 geschaltet ist, aus dem Tiefpassfilter 30B, das bei dem ersten Ausführungsbeispiel beschrieben wurde, entfernt ist, ist mit dem Kondensator DCc1, der parallel zu dem Induktor DLt1 geschaltet ist, versehen. Ähnlich wie beim Tiefpassfilter 30B, das bei dem ersten Ausführungsbeispiel beschrieben wurde, ist z. B. das Frequenzband des Sendesignals für GSM1800 oder GSM1900 als das Durchlassband gesetzt und ein Band einer doppelten Harmonischen und dreifachen Harmonischen ist als ein Dämpfungsband gesetzt.
Die externen Empfangselektroden P_M (Rx1) und P_M (Rx2) als Hochfrequenz-Schaltmodul 1' sind mit dem SAW-Filter S1 verbunden und das SAW-Filter S1 ist mit dem Kommunikationstor P_IC (RF3) der Schalt-IC 10' verbunden. Das SAW-Filter S1 umfasst zwei SAW-Filter mit unterschiedlichen Durchlassbändern, z. B. ist das SAW-Filter, das nahe an der externen Empfangselektrode P_M (Rx1) ist, derart gesetzt, dass das Frequenzband des GSM850-Empfangssignals das Durchlassband ist, und das SAW-Filter, das nahe an der externen Empfangselektrode P_M (Rx12) ist, ist derart gesetzt, dass das Frequenzband des GSM900-Empfangssignals das Durchlassband ist.
Eine vorbestimmte Position auf der Übertragungsleitung zwischen dem SAW-Filter S1 und dem Kommunikationstor P_IC (RF3) der Schalt-IC 10' ist durch den Induktor L3 mit der Masse verbunden. Eine Impedanzanpassung zwischen dem Kommunikationstor P_IC (RF3) und dem SAW-Filter S1 wird durch den Induktor L3 durchgeführt.
Die externen Empfangselektroden P_M (Rx3) und P_M (Rx4) als Hochfrequenz-Schaltmodul 1' sind mit dem SAW-Filter S2 verbunden und das SAW-Filter S2 ist mit dem Kommunikationstor P_IC (RF4) der Schalt-IC 10' verbunden. Das SAW-Filter S2 umfasst zwei SAW-Filter mit unterschiedlichen Durchlassbändern, z. B. ist das SAW-Filter, das nahe an der externen Empfangselektrode P_M (Rx3) ist, derart gesetzt, dass das Frequenzband des GSM1800-Empfangssignals das Durchlassband ist, und das SAW-Filter, das nahe an der externen Empfangselektrode P_M (Rx4) ist, ist derart gesetzt, dass das Frequenzband des GSM1900-Empfangssignals das Durchlassband ist.
Eine vorbestimmte Position auf der Übertragungsleitung zwischen dem SAW-Filter S2 und dem Kommunikationstor P_IC (RF4) der Schalt-IC 10' ist durch den Induktor L4 mit der Masse verbunden. Eine Impedanzanpassung zwischen dem Kommunikationstor P_IC (RF4) und dem SAW-Filter S2 wird durch den Induktor L4 durchgeführt.
Die externen Sende- und Empfangselektroden P_M (UM1) und P_M (UM2) als Hochfrequenz-Schaltmodul 1' sind mit den Kommunikationstoren P_IC (RF7) bzw. P_IC (RF8) der Schalt-IC 10' verbunden. Die externen Sende- und Empfangselektroden P_M (UM1) und P_M (UM2) sind mit einer Sende- und Empfangsschaltung (nicht gezeigt) für Kommunikationssignale verbunden. Die externen Sende- und Empfangselektroden P_M (UM1) und P_M (UM2) z. B. sind mit einer Sende- und Empfangsschaltung für UMTS oder mit einer Sende- und Empfangsschaltung für WCDMA verbunden.
Die externe Treiberspannungseingangselektrode P_M (Vd) als Hochfrequenz-Schaltmodul 1' ist mit dem Treiberspannungseingangstor P_IC (Vd) der Schalt-IC 10' verbunden.
Die externen Steuerspannungseingangselektroden P_M (Vc1), P_M (Vc2) und P_M (Vc3) als Hochfrequenz-Schaltmodul 1' sind mit den Steuerspannungseingangstoren P_IC (Vc1), P_IC (Vc2) bzw. P_IC (Vc3) der Schalt-IC 10' verbunden.
Die Schalt-IC 10' ist eine so genannte SP6T-Typ-FET-Schalt-IC, die in einer im Wesentlichen rechteckigen Parallelepipedform gebildet ist, wird durch eine Treiberspannung Vdd getrieben und besitzt eine Funktion eines selektiven Verbindens eines beliebigen der Kommunikationstore P_IC (RF1) bis P_IC (RF4), P_IC (RF7) und P_IC (RF8), einem „Kommunikationsschaltungsanschluss“ der Erfindung entsprechend, mit dem Antennentor P_IC (ANT0), einem „gemeinsamen Anschluss“ der Erfindung entsprechend, gemäß der Kombination der Steuerspannungssignale Vc1 bis Vc3.
Ähnlich wie bei der Schalt-IC 10 des ersten Ausführungsbeispiels weisen die Schaltschaltungen zwischen den Antennentoren P_IC (ANT0) und den Kommunikationstoren P_IC (RF1) bis P_IC (RF4), P_IC (RF7) und P_IC (RF8) der Schalt-IC 10' die gleiche Struktur auf und so ist es möglich, die gleichen elektrischen Charakteristika selbst dann zu erhalten, wenn ein beliebiges der Kommunikationstore P_IC (RF1) bis P_IC (RF4), P_IC (RF7) und P_IC (RF8) ausgewählt wird.
Die Struktur des Hochfrequenz-Schaltmoduls 1' gemäß dem Ausführungsbeispiel wird unter Bezugnahme auf 5 detailliert beschrieben.
Die laminierte Schaltungskomponente des Hochfrequenz-Schaltmoduls 1' gemäß dem Ausführungsbeispiel ist aus einer Struktur gebildet, in der 17 organische Schichten laminiert sind. 5 ist ein Laminierungsdiagramm, bei dem die obere Oberfläche der laminierten Schaltungskomponente des Hochfrequenz-Schaltmoduls 1' die erste Schicht ist, die Schichtzahlen in Richtung der unteren Oberfläche zunehmen, die untere Oberfläche der laminierten Schaltungskomponente die siebzehnte Schicht ist, wobei die laminierte Schaltungskomponente im Folgenden unter Bezugnahme auf die Schichtzahlen beschrieben wird. In 5 bezeichnen der Eine-Linie-Kreis und Zwei-Linien-Kreis, die in den Schichten gezeigt sind, leitfähige Durchgangslöcher und eine Leitfähigkeit zwischen den Elektroden der Schichten, die in der Laminierungsrichtung angeordnet sind, ist durch die Durchgangslöcher gesichert.
Die erste obere Oberfläche, die der oberen Oberfläche der laminierten Schaltungskomponente des Hochfrequenz-Schaltmoduls 1' entspricht, ist mit einer Anschlussbereichgruppe zum Befestigen der Schalt-IC 10', der SAW-Filter S1 und S2 und des Induktors AL2' als individuelle einzelne Komponenten versehen. Der Induktor AL2' kann aus Elektrodenstrukturen in der laminierten Schaltungskomponente gebildet sein, könnte jedoch aus den individuellen einzelnen Komponenten gebildet sein, um eine Strombeständigkeit zu verbessern. Entsprechend ist es möglich, Charakteristika zu realisieren, die eine Zerstörung noch schwieriger machen und einen Fluss eines elektrischen Stroms zu dem Zeitpunkt eines Entladens elektrischer Ladungen in der Schalt-IC 10' leichter ermöglichen.
Die zweite und die dritte Schicht sind mit verschiedenen Elektrodenstrukturen zum Führen versehen.
Die vierte Schicht ist mit einer Masseelektrode GND versehen. Die Masseelektrode GND der vierten Elektrode fungiert außerdem als eine Gegenelektrode des Kondensators GCu1. Die fünfte Schicht ist mit einer Gegenelektrode des Kondensators GCu1 versehen. Die sechste Schicht ist nur mit Durchgangslöchern versehen.
Die siebte, achte und neunte Schicht sind mit Elektrodenstrukturen versehen, die die Induktoren GLt1, GLt2, DLt1, DLt2, L3, L4 und AL1' bilden, und die zehnte Schicht ist mit Elektrodenstrukturen versehen, die die Induktoren GLt1, GLt2, L3, L4 und AL1' bilden.
Die elfte und zwölfte Schicht sind nur mit Durchgangslöchern versehen. Die dreizehnte Schicht ist mit einer Masseelektrode GND versehen.
Die vierzehnte Schicht ist mit Gegenelektroden der Kondensatoren GCc1, GCc2 und DCc1 versehen. Die fünfzehnte Schicht ist mit einer Gegenelektrode der Kondensatoren GCc1, GCc2 und GCu2, einer Gegenelektrode der Kondensatoren DCc1 und DCu2 und Gegenelektroden der Kondensatoren DCu1 und AC versehen.
Die sechzehnte Schicht ist mit einer Masseelektrode GND versehen. Die Masseelektrode GND der sechzehnten Schicht fungiert außerdem als Gegenelektrode der Kondensatoren GCc1,GCc2, GCu2, DCc1, DCu2, DCu3 und AC.
Die untere Oberfläche der siebzehnten Schicht, die der unteren Oberfläche der laminierten Schaltungskomponente des Hochfrequenz-Schaltmoduls 1' entspricht, ist mit den externen Verbindungselektroden P_M versehen. In diesem Fall sind die externen Sendeelektroden P_M (TxLB) und P_M (TxHB) entlang einer Seite des laminierten Körpers gebildet, die externen Empfangselektroden P_M (Rx1), P_M (Rx2), P_M (Rx3) und P_M (Rx4) sind entlang einer anderen Seite des laminierten Körpers gebildet, die externen Sende- und Empfangselektroden P_M (UM1) und P_M (UM2) sind entlang wiederum einer weiteren Seite des laminierten Körpers gebildet und die externe Treiberspannungseingangselektrode P_M (Vd) und die externen Steuerspannungseingangselektroden P_M (Vc1), P_M (Vc2) und P_M (Vc3) sind entlang der anderen Seite gebildet. Dies bedeutet, dass die Sendeelektrodengruppe, die Empfangselektrodengruppe, die Sende- und Empfangselektrodengruppe und die Steuerelektrodengruppe entlang unterschiedlicher Seiten des laminierten Körpers zueinander gebildet sind. Die Masseelektrode ist in dem Mittelbereich gebildet, der mit den Elektrodengruppen umgeben ist. Bei einer derartigen Konfiguration ist es möglich, eine Trennung unter den Gruppen zu verbessern.
Durch eine derartige Konfiguration können die gleiche Funktionsweise und die gleichen Effekte wie diejenigen des ersten Ausführungsbeispiels erhalten werden.
Die Verbindungskombination der Kommunikationstore P_IC der Schalt-ICs 10 und 10', der externen Sendeelektroden, der externen Empfangselektroden und der externen Sende- und Empfangselektroden P_M der Hochfrequenz-Schaltmodule 1 und 1' ist ein Beispiel und eine weitere Verbindungskonfiguration könnte eingesetzt werden. 6 z. B. ist ein Diagramm zum Erläutern der Verbindungsbeziehung zwischen den Kommunikationstoren der Schalt-IC 10 und den externen Elektroden der laminierten Schaltungskomponente.
Wie in 6 gezeigt ist, sind die Kommunikationstore P_IC (RF5), P_IC (RF6), P_IC (RF7), P_IC (RF8) und P_IC (RF9), die entlang einer Seite der Schalt-IC 10 angeordnet sind, wie folgt verbunden.
Das Kommunikationstor P_IC (RF5) der Schalt-IC 10 ist mit der externen Sende- und Empfangselektrode P_M (UM1) verbunden. Das Kommunikationstor P_IC (RF6) der Schalt-IC 10 ist mit der externen Empfangselektrode P_M (Rx1) verbunden. Das Kommunikationstor P_IC (RF7) der Schalt-IC 10 ist mit der externen Sende- und Empfangselektrode P_M (UM2) verbunden. Das Kommunikationstor P_IC (RF8) der Schalt-IC 10 ist mit der externen Empfangselektrode P_M (Rx2) verbunden. Das Kommunikationstor P_IC (RF9) der Schalt-IC 10 ist mit der externen Sende- und Empfangselektrode P_M (UM3) verbunden.
Bei dieser Konfiguration sind die Kommunikationstore P_IC (RF6) und P_IC (RF8), die mit den externen Empfangselektroden P_M (Rx1) und P_M (Rx2) verbunden sind, zwischen den Kommunikationstoren P_IC (RF5), P_IC (RF7) und P_IC (RF9), die mit den externen Sende- und Empfangselektroden P_M (UM1), P_M (UM2) und P_M (UM3) verbunden sind, vorgesehen. Mit anderen Worten, die Kommunikationstore, die mit den externen Sende- und Empfangselektroden verbunden sind, und die Kommunikationstore, die mit den externen Empfangselektroden verbunden sind, sind in der Anordnungsrichtung abwechselnd vorgesehen. Entsprechend sind die Kommunikationstore, die für Senden und Empfang der Schalt-IC 10 verwendet werden, nicht benachbart zueinander und die Schaltungsstrukturen, die mit den Kommunikationstoren der laminierten Schaltungskomponente verbunden sind, sind nicht benachbart zueinander. Deshalb ist es möglich, eine Trennung unter den Kommunikationstoren, die für Senden und Empfang der Schalt-IC 10 verwendet werden, und unter den Schaltungsstrukturen, die mit den Kommunikationstoren der laminierten Schaltungskomponente verbunden sind, zu verbessern.
Während bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung oben beschrieben wurden, wird darauf hingewiesen, dass Abänderungen und Modifizierungen für Fachleute auf dem Gebiet ersichtlich sind, ohne von dem Schutzbereich und der Wesensart der Erfindung abzuweichen. Der Schutzbereich der Erfindung soll deshalb lediglich durch die folgenden Ansprüche bestimmt sein.

Claims

Hochfrequenz-Schaltmodul (1; 1'), das folgende Merkmale aufweist: eine laminierte Schaltungskomponente (11), die mit einer Antennenelektrode, die mit einer einzelnen Antenne verbunden ist, und einer Mehrzahl von Kommunikationselektroden, die mit einer Mehrzahl von Hochfrequenz-Kommunikationschaltungen zum Senden, Empfangen oder Senden und Empfangen mehrerer Arten von Kommunikationssignalen verbunden sind, versehen ist und mit einem Anschlussbereich versehen ist, der gebildet ist, um daran eine Schalt-IC zu befestigen; und eine Schalt-IC (10; 10'), die an der laminierten Schaltungskomponente befestigt ist und mit einem gemeinsamen Anschluss (P_IC(ANT0)), der durch die laminierte Schaltungskomponente mit der Antenne verbunden ist, und einer Mehrzahl von Kommunikationsschaltungsanschlüssen (P_IC(RF1)-P_IC(RF9)), die durch die laminierte Schaltungskomponente mit der Mehrzahl von Hochfrequenz-Kommunikationschaltungen verbunden sind, versehen ist, wobei die Schalt-IC mit Schaltschaltungen (SW1-SW9) zwischen den Kommunikationsschaltungsanschlüssen (P_IC(RF1)-P_IC(RF9)) und dem gemeinsamen Anschluss (P_IC(ANT0)) versehen ist und alle Schaltschaltungen (SW1-SW9) den gleichen Widerstand gegenüber einer Sendeleistung aufweisen, die zu dem Zeitpunkt des Sendens angelegt wird, wobei die Schaltschaltungen (SW1-SW9) zwischen dem gemeinsamen Anschluss (P_IC(ANT0)) und der einer Mehrzahl von Kommunikationsschaltungsanschlüssen (P_IC(RF1)-P_IC(RF9)) die gleiche Struktur aufweisen, so dass die gleichen elektrischen Charakteristika zu erhalten, wenn ein beliebiger der Kommunikationsschaltungsanschlüsse (P_IC(RF1)-P_IC(RF9)) ausgewählt wird, wobei jede der Schaltschaltungen (SW1-SW9) eine gleiche Anzahl von FETs (FET11-FET1m) aufweist, die fortlaufend zwischen den gemeinsamen Anschluss (P_IC(ANT0)) und einen der Kommunikationsschaltungsanschlüssen (P_IC(RF1)-P_IC(RF9)) geschaltet sind, wobei die Anzahl von FETs in den Schaltschaltungen (SW1-SW9) basierend auf einem oberen Grenzpegel einer gemäß unterschiedlichen Kommunikationssystemen zu übertragenen Leistung gewählt, so dass alle Kommunikationsschaltungsanschlüssen (P_IC(RF1)-P_IC(RF9)) zum Senden, zum Empfangen oder zum Senden/Empfangen gemäß den unterschiedlichen Kommunikationssystemen eine ausreichende Leistungsbeständigkeit zu besitzen, und wobei die laminierte Schaltungskomponente (11) mit einer Phaseneinstellschaltung (20; 20') versehen ist, die einen Induktor aufweist, der aus einzelnen Komponenten, die an der laminierten Schaltungskomponente befestigt sind, oder Elektrodenstrukturen gebildet ist, die zwischen laminierten isolierenden Schichten gebildet sind, und die Phaseneinstellschaltung zwischen der Antennenelektrode und dem gemeinsamen (P_IC(ANT0)) Anschluss vorgesehen ist.
Hochfrequenz-Schaltmodul gemäß Anspruch 1, bei dem die Kommunikationsschaltungsanschlüsse (P_IC(RF1)-P_IC(RF9)), die eine Mehrzahl von Sende- und Empfangsanschlüssen und Nur-Empfang-Anschlüssen umfassen, an einem Außenrand auf einer Hauptfläche der Schalt-IC angeordnet sind und die Sende- und Empfangsanschlüsse und die Nur-Empfang-Anschlüsse in der Anordnungsrichtung abwechselnd vorgesehen sind.
Hochfrequenz-Schaltmodul gemäß Anspruch 1 oder 2, das ferner einen Induktor aufweist, bei dem ein Ende mit dem gemeinsamen Anschluss (P_IC(ANT0)) verbunden ist und das andere Ende mit einer Masseelektrode verbunden ist.
Hochfrequenz-Schaltmodul gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem der Induktor, der die Phaseneinstellschaltung bildet, einen Serieninduktor, der in Serie zwischen die Antennenelektrode und den gemeinsamen Anschluss (P_IC(ANT0)) geschaltet ist, und einen Nebenschlussinduktor, bei dem ein Ende mit dem gemeinsamen Anschluss (P_IC(ANT0)) an der Seite des gemeinsamen Anschlusses (P_IC(ANT0)) des Serieninduktors verbunden ist und das andere Ende mit der Masseelektrode verbunden ist, umfasst.
Hochfrequenz-Schaltmodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Schalt-IC aus einem rechteckigen Parallelepiped gebildet ist, das in der Draufsicht rechteckig ist, und die Mehrzahl von Kommunikationsschaltungsanschlüssen (P_IC(RF1)-P_IC(RF9)) nahe an einer anderen Seite als der Seite gebildet ist, an der der gemeinsame Anschluss (P_IC(ANT0)) der Schalt-IC vorgesehen ist.
Hochfrequenz-Schaltmodul gemäß Anspruch 5, bei dem die Schalt-IC mit einem Treiberleistungsversorgungsanschluss zum Versorgen mit elektrischer Leistung versehen ist und der Treiberleistungsversorgungsanschluss nahe an einer anderen Seite als der Seite gebildet ist, nahe an der die Mehrzahl von Kommunikationsschaltungsanschlüssen (P_IC(RF1)-P_IC(RF9)) der Schalt-IC nahe vorgesehen ist.
Hochfrequenz-Schaltmodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die laminierte Schaltungskomponente (11) mit einer Mehrzahl von Verbindungsschaltungen versehen ist, die die Kommunikationsschaltungsanschlüsse (P_IC(RF1)-P_IC(RF9)) der Schalt-IC elektrisch mit den Kommunikationselektroden, die mit dem Kommunikationsschaltungsanschluss verbunden werden sollen, durch ein Durchgangsloch verbinden, das durch die isolierenden Schichten und die Schaltungselektrodenstrukturen gebildet ist, die jeweils zwischen den laminierten isolierenden Schichten gebildet sind, und die Mehrzahl von Verbindungsschaltungen mit der gleichen elektrischen Länge gebildet ist.
Hochfrequenz-Schaltmodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die laminierte Schaltungskomponente (11) mit einer Mehrzahl von Verbindungsschaltungen versehen ist, die die Kommunikationsschaltungsanschlüsse (P_IC(RF1)-P_IC(RF9)) der Schalt-IC elektrisch mit den Kommunikationselektroden, die mit dem Kommunikationsschaltungsanschluss verbunden werden sollen, durch ein Durchgangsloch verbinden, das durch die isolierenden Schichten und die Schaltungselektrodenstrukturen gebildet ist, die jeweils zwischen den laminierten isolierenden Schichten gebildet sind, eine Filterschaltung mit einem vorbestimmten Durchlassband in eine spezifische Verbindungsschaltung der Verbindungsschaltungen eingefügt ist und die Filterschaltung einen Induktor und einen Kondensator, die aus Elektrodenstrukturen, die zwischen den laminierten isolierenden Schichten gebildet sind, oder einzelnen Komponenten gebildet sind, die auf der laminierten Schaltungskomponente befestigt sind, umfasst.