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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleitermodul mit einer Schaltfunktion
zum Drehen eines Motors.
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Die
Motorsteuerung für ein Fahrzeug schreitet jedes Jahr weiter
fort, wobei eine elektronische Steuereinheit (ECU), die für
einen Motor und dessen Steuerung verantwortlich ist, an Größe
zunimmt. Auf der anderen Seite werden, um für einen Fahrzeugnutzer
einen komfortablen Raum bereitzustellen, Versuche unternommen, um
einen Raum in der Fahrgastzelle des Fahrzeugs auszudehnen. Demgemäß ist
es eine Herausforderung, einen ausreichenden Raum zur Anordnung
des Motors und der ECU zu gewährleisten, wobei das Downsizing
bzw. Verkleinern des Motors und der ECU wichtig wird.
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Beispielsweise
ist eine ECU, die für ein Servolenksystem (nachfolgend
als EPS bezeichnet) verwendet wird, hinter einem Motorraum oder
Armaturenbrett angeordnet. Da die für das EPS verwendete ECU
den Motor jedoch mit hohem Strom (um 100 A) anspricht bzw. ansteuert,
wird die Wärmeerzeugung seines Schaltelements entsprechend
groß. Aus diesem Grund ist es wichtig, um ein Verkleinern
einer derartigen ECU zu ermöglichen, dass diese eine Struktur
aufweist, die eine hohe Wärmeverteilung ermöglicht.
Hierzu wird ein Halbleitermodul mit einem Kühlkörper
an einer oberen Fläche eines Halbleiterchips vorgeschlagen
(siehe beispielsweise das
Japanische
Patent Nr. 2685039 ).
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Gleichwohl
muss das Halbleitermodul aus dem vorgenannten Patent Nr.
2685039 nicht unbedingt
geeignet im Hinblick auf die Wärmeverteilung sein.
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Die
vorliegende Erfindung richtet sich zumindest auf einen der vorgenannten
Nachteile. So ist es nämlich eine Aufgabe der vorliegenden
Erfindung, ein Halbleitermodul bereitzustellen, dass die Wärmeverteilleistung
so gut wie möglich verbessert.
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Um
diese Aufgabe der vorliegenden Erfindung zu lösen wird
ein Halbleitermodul vorgeschlagen, dass geeignet ist an einem Substrat
angebracht zu werden. Das Halbleitermodul umfasst einen Halbleiterchip,
einen Kunststoffabschnitt, eine Mehrzahl von Anschlüssen
und einen Wärmeverteilungsabschnitt. Der Chip weist eine
Schaltfunktion auf. Der Kunststoffabschnitt deckt den Halbleiterchip
ab. Der Kunststoffabschnitt umfasst eine erste und eine zweite Fläche,
die einander gegenübergesetzt angeordnet sind und sich
im Wesentlichen parallel zu einer imaginären Ebene erstrecken.
Das Substrat ist an einer ersten Flächenseite des Kunststoffabschnitts
angeordnet. Die Mehrzahl von Anschlüssen steht vom Kunststoffabschnitt
in eine Richtung der imaginären Ebene hervor und ist an
dem Substrat angelötet. Der Wärmeverteilungsabschnitt
ist an einer zweiten Flächenseite des Kunststoffabschnitts
angeordnet, um im Chip erzeugte Wärme abzugeben. Einer
der Mehrzahl von Anschlüssen ist mit dem Wärmeverteilungsabschnitt
verbunden, so dass Wärme von dem Einen aus der Mehrzahl
von Anschlüssen auf den Wärmeverteilungsabschnitt übertragen
wird.
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Die
Erfindung zusammen mit weiteren Aufgaben, Merkmalen und deren Vorteilen
wird anhand der nachfolgenden Beschreibung, den angefügten Ansprüchen
sowie den beigefügten Zeichnungen am Besten verstanden.
Hierbei zeigt:
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1 eine
Schnittdarstellung, die in groben Zügen eine elektronische
Steuereinheit (ECU) gemäß einer ersten Ausführungsform
der Erfindung darstellt;
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2 eine
perspektivische Explosionsansicht der ECU gemäß der
ersten Ausführungsform;
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3 eine
Darstellung einer Schaltbetätigung, die bei einem Motor
gemäß der ersten Ausführungsform ausgeführt
wird;
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4A eine
Draufsicht auf ein Halbleitermodul gemäß der ersten
Ausführungsform;
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4B eine
Schnittdarstellung entlang einer Linie IVB-IVB aus 4A,
zur Darstellung des Halbleitermoduls gemäß der
ersten Ausführungsform;
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4C eine
Ansicht des Halbleitermoduls gemäß der ersten
Ausführungsform von unten;
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5A eine
Draufsicht auf ein Halbleitermodul gemäß einer
zweiten Ausführungsform der Erfindung;
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5B eine
Schnittdarstellung entlang einer Linie VB-VB aus 5A,
zur Darstellung des Halbleitermoduls gemäß der
zweiten Ausführungsform;
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5C eine
Ansicht des Halbleitermoduls gemäß der zweiten
Ausführungsform von unten;
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6A eine
Draufsicht auf ein Halbleitermodul gemäß einer
dritten Ausführungsform;
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6B eine
Schnittdarstellung entlang einer Linie IVB-IVB aus 6A,
zur Darstellung des Halbleitermoduls gemäß der
dritten Ausführungsform;
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6C eine
Ansicht des Halbleitermoduls gemäß der dritten
Ausführungsform von unten;
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7A eine
Draufsicht auf ein Halbleitermodul gemäß einer
vierten Ausführungsform;
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7B eine
Schnittdarstellung entlang einer Linie VIIB-VIIB aus 7A,
zur Darstellung des Halbleitermoduls gemäß der
vierten Ausführungsform;
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7C eine
Ansicht des Halbleitermoduls gemäß der vierten
Ausführungsform von unten;
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8A eine
Draufsicht auf ein Halbleitermodul gemäß einer
fünften Ausführungsform;
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8B eine
Schnittdarstellung entlang einer Linie VIIIB-VIIIB aus 8A,
zur Darstellung des Halbleitermoduls gemäß der
fünften Ausführungsform;
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8C eine
Ansicht des Halbleitermoduls gemäß der fünften
Ausführungsform von unten;
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9A eine
Draufsicht auf ein Halbleitermodul gemäß einer
sechsten Ausführungsform;
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9B eine
Schnittdarstellung entlang einer Linie IXB-IXB aus 9A,
zur Darstellung des Halbleitermoduls gemäß der
sechsten Ausführungsform;
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9C eine
Ansicht des Halbleitermoduls gemäß der sechsten
Ausführungsform von unten;
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10A eine Draufsicht auf ein Halbleitermodul gemäß einer
siebten Ausführungsform;
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10B eine Schnittdarstellung entlang einer Linie
XB-XB aus 10A, zur Darstellung des Halbleitermoduls
gemäß der siebten Ausführungsform;
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10C eine Ansicht des Halbleitermoduls gemäß der
siebten Ausführungsform von unten;
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11A eine Draufsicht auf ein Halbleitermodul gemäß einer
achten Ausführungsform;
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11B eine Schnittdarstellung entlang einer Linie
XIB-XIB aus 11A, zur Darstellung des Halbleitermoduls
gemäß der achten Ausführungsform;
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11C eine Ansicht des Halbleitermoduls gemäß der
achten Ausführungsform von unten;
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12A eine Draufsicht auf ein Halbleitermodul gemäß einer
neunten Ausführungsform;
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12B eine Schnittdarstellung entlang einer Linie
XIIB-XIIB aus 12A, zur Darstellung des Halbleitermoduls
gemäß der neunten Ausführungsform;
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12C eine Ansicht des Halbleitermoduls gemäß der
neunten Ausführungsform von unten;
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13A eine Draufsicht auf ein Halbleitermodul gemäß einer
Modifikation der neunten Ausführungsform;
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13B eine Schnittdarstellung entlang einer Linie
XIIIB-XIIIB aus 13A, zur Darstellung des Halbleitermoduls
gemäß der Modifikation der neunten Ausführungsform;
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13C eine Ansicht des Halbleitermoduls gemäß der
Modifikation der neunten Ausführungsform von unten;
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14A eine Draufsicht auf ein Halbleitermodul gemäß einer
zehnten Ausführungsform;
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14B eine Schnittdarstellung entlang einer Linie
XIVB-XIVB aus 14A, zur Darstellung des Halbleitermoduls
gemäß der zehnten Ausführungsform;
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14C eine Ansicht des Halbleitermoduls gemäß der
zehnten Ausführungsform von unten;
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15A eine Draufsicht auf ein Halbleitermodul gemäß einer
elften Ausführungsform;
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15B eine Schnittdarstellung entlang einer Linie
XVB-XVB aus 15A, zur Darstellung des Halbleitermoduls
gemäß der elften Ausführungsform; und
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15C eine Ansicht des Halbleitermoduls gemäß der
elften Ausführungsform von unten.
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Ausführungsformen
der Erfindung werden nachfolgend beschrieben.
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(Erste Ausführungsform)
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Eine
elektronische Steuereinheit (ECU) einer ersten Ausführungsform
steuert einen Motor, der für ein Servolenksystem (EPS)
verwendet wird. Diese ECU ist dadurch gekennzeichnet, dass sie ein
Halbleitermodul aufweist, das als Schalter zum Schalten eines An-
und Aus-Zustandes der Versorgung des Motors mit elektrischem Strom
dient. Da dem Motor ein hoher Strom zugeführt wird, zeigt
die ECU das Problem der Wärmegeneration des Halbleitermoduls.
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Wie
in 1 dargestellt, umfasst ein Außenabschnitt
einer ECU 1 einen Kühlkörper 10,
der als Bodenabschnitt der ECU 1 dient, sowie eine Abdeckung 30,
die ein Substrat 20 von oberhalb des Substrats 20 abdeckt.
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Wie
in 2 dargestellt, ist der Kühlkörper 10
im
Wesentlichen rechteckig ausgebildet und umfasst eine Vertiefung 11 in
der Nähe einer Ecke. Vier Halbleitermodule 40 sind
in der Vertiefung 11 angeordnet und aufgenommen.
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Ähnlich
wie der Kühlkörper 10 hat das Substrat 20 eine
rechteckige Form und die vier Halbleitermodule 40 sind
an einem Teil einer unteren Fläche des Substrats 20,
welche der Vertiefung 11 des Kühlkörpers 10 entspricht,
angebracht. In 2 sind die Halbleitermodule 40 an
der unteren Fläche einer hinteren Ecke des Substrats 20 angebracht.
Ein Verbinder bzw. Anschluss oder Connector 51 ist an einer Seite
des Substrats 20 derart angebracht, um in Richtung einer
lateralen Seite des Substrats 20 hervorzuragen. In 2 ist
der Verbinder 51 an der einen Seite des Substrats 20 an
der Vorderseite des Substrats 20 weg von den Halbleitermodulen 40 angebracht.
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Wie
in 1 dargestellt, sind ferner ein Relais 52,
eine Spule 53, sowie ein Aluminium- bzw. Leichtmetall-Elektrolytkondensator 54 am
Substrat 20 im Verbinder 51 angeordnet. Diese
Elektronikbauteile 52 bis 54 sind in 2 nicht
dargestellt.
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Die
Abdeckung 30 umfasst einen Wärmeverteilungsabschnitt 31,
der eine gerippte bzw. geriffelte Form im Querschnitt aufweist,
und der dem Eckabschnitt des Substrats 20, an dem die Halbleitermodule 40 angebracht
sind, entspricht. Aufgrund der gerippten bzw. geriffelten Form wird
ein Oberflächenbereich des Wärmeverteilungsabschnitts 31 vergrößert, um
zur Wärmeverteilung beizutragen. Darüber hinaus
wird die Ausdehnung der Abdeckung 30 begrenzt. Die Abdeckung 30 umfasst
einen Aufnahmeabschnitt 32 zur Aufnahme der Elektronikbauteile 51 bis 54 an
ihrer Verbinderseite.
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Wie
in 2 dargestellt, sind der Kühlkörper 10 und
die Abdeckung 30 miteinander verschraubt, wobei das Substrat 20 zwischen
dem Kühlkörper 10 und der Abdeckung 30 angeordnet
ist. Wenn der Kühlkörper 10 und die Abdeckung 30 zusammengeschraubt
wird, werden Wärmeleitgele oder -kolloide bzw. -schichten 61 für
die Vertiefung 11 des Kühlkörpers 10 vorgesehen.
Als Ergebnis wird ein Umfangsbereich des Halbleitermoduls 40 mit
dem Wärmeleitgel 61 gefüllt. In ähnlicher
Form ist auch ein Wärmeleitgel 62 unter dem Wärmeverteilabschnitt 31 der Abdeckung 30 vorgesehen. Demgemäß wird
ein Bereich zwischen dem Wärmeverteilabschnitt 31 und dem
Substrat 20 mit dem Wärmeleitgel 62 ausgefüllt.
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Nachfolgend
wird eine elektrische Verbindung des Halbleitermoduls 40 unter
Bezugnahme auf 3 beschrieben, die eine Darstellung
der elektrischen Verbindung zeigt.
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Eine
Stromleitung 92 für eine Stromquelle 91 ist
mit dem Relais 52 über den Verbinder 51 (in 3 nicht
dargestellt) verbunden. Ein elektrischer Strom wird dem Halbleitermodul 40 über
die Spule 53 zugeführt, welche eine Drosselspule
zum filtern bzw. Entfernen von Störungen der Stromquelle 91 ist.
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Verbindungen
der vier Halbleitermodule 40 werden nachfolgend unter Bezugnahme
auf 3 beschrieben. Um die vier Halbleitermodule 40 zu
unterscheiden werden diese in der nachfolgenden Beschreibung unter
Verwendung der Buchstaben A bis D in 3 beschrieben.
In 3 sind das Halbleitermodul 40(A) und
das Halbleitermodul 40(C) in Reihe geschalten bzw. verbunden,
und das Halbleitermodul 40(B) und das Halbleitermodul 40(D) sind
in Reihe geschalten bzw. verbunden.
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Die
beiden Halbleitermodule 40(A), 40(C) und die beiden
Halbleitermodule 40(B), 40(D) sind zueinander
parallel geschalten. Ein Relais 93 und ein Motor 94 sind
zwischen einem Verbindungspunkt der Halbleitermodule 40(A), 40(C) und
einem Verbindungspunkt der Halbleitermodule (40B) und 40(D) angeordnet.
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Ein
Shunt bzw. Ersatzwiderstand 55 ist an einer Erdungs- bzw.
Masseseite angeordnet. Der Aluminium-Elektrolytkondensator 54 ist
zwischen der Stromleitung und der Masseleitung parallel zur Stromleitung
und der Masseleitung angeordnet. Ein Spannungsstoß, der
aufgrund des Ein- und Ausschaltens des Halbleitermoduls 40 erzeugt
wird, wird durch den Aluminium-Elektrolytkondensator 54 gedämpft.
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Als
Ergebnis der vorstehend beschriebenen Anordnung der Schaltung aus 3 fließt,
wenn die beiden Halbleitermodule 40(A), 40(D) eingeschaltet werden,
und die beiden Halbleitermodule 40(B), 40(C) ausgeschaltet
werden, der elektrische Strom in der Reihe vom Halbleitermodul 40(A) über
das Relais 93, den Motor 94 und das Halbleitermodul 40(D) durch
die Schaltung. Demgegenüber fließt, wenn die Halbleitermodule 40(D) und 40C eingeschaltet
werden, und die Halbleitermodule 40(A) und 40(D) ausgeschaltet
werden, der elektrische Strom in der Reihe vom Halbleitermodul 40(B) über
den Motor 94, das Relais 93 und das Halbleitermodul 40(C) durch die
Schaltung. Da der Motor 94 ein Wechselstrom (DC) Motor
ist, wird der Motor 94 durch das alternierende An- und
Ausschalten der Halbleitermodule 40, wie vorstehend beschrieben,
gedreht. Eine Signalleitung von einem Pre-Driver 56 ist
mit einem Gate (einer Gate-Elektrode) eines jeden Halbleitermoduls 40 verbunden.
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Das
Halbleitermodul 40 der vorliegenden Ausführungsform
wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die 4A bis 4C beschrieben.
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Das
Halbleitermodul 40 umfasst einen Halbleiterchip 41,
einen Kunststoffabschnitt 42, der den Chip 41 abdeckt,
sowie einen Wärmeverteilungsabschnitt 43 zum Abgeben
von im Chip 41 erzeugter Wärme, und drei Anschlüsse 44, 45, 46,
die mit dem Chip 41 verbunden sind. Der Halbleiterchip 41 ist
derart angeordnet, dass dessen obere Fläche in Kontakt mit
dem Wärmeverteilungsabschnitt 43 steht. Dementsprechend
wird eine schnelle Ableitung von Wärme aus dem Halbleiterchip 41 auf
den Wärmeverteilungsabschnitt 43 erreicht.
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Der
Kunststoffabschnitt 42 ist derart ausgebildet, dass die
Anschlüsse 44 bis 46 von einer lateralen
Seite des Kunststoffabschnitts 42 hervorstehen. Die drei
Anschlüsse 44 bis 46 sind, beginnend von
der Oberseite von 4A, ein Gate 44 (Gate-Elektrode),
eine Source 45 (Source-Elektrode) sowie ein Drain 46 (Drain-Elektrode).
Die Anschlüsse 44 bis 46 sind nach unten
gebogen und der Boden des Kunststoffabschnitts 42 befindet
sich auf der Substratseite.
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Wie
in 4C dargestellt, hat der Wärmeverteilungsabschnitt 43 eine
größere Breite als der Kunststoffabschnitt 42.
Genauer gesagt ist, wenn ein Querschnittsbereich des Halbleitermoduls 40 entlang eines
Querschnitts rechtwinklig zur oberen und unteren Richtung berücksichtigt
wird, ein Querschnittsbereich des Wärmeverteilungsabschnitts 43 größer
als ein Querschnittsbereich des Kunststoffabschnitts 42. Der
Wärmeverteilungsabschnitt 43 hat eine dem Kunststoffabschnitt 42 gleiche
oder größere Dicke. Der Wärmeverteilungsabschnitt 43 umfasst
zwei längliche Fugen 47, 48 an seiner
oberen Fläche. Die Source 45 der Anschlüsse 44 bis 46 ist
mit dem Wärmeverteilungsabschnitt 43 verbunden.
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Wie
vorstehend im Detail beschrieben, ist, bei dem Halbleitermodul der
vorliegenden Ausführungsform, die Source 45 mit
dem Wärmeverteilungsabschnitt 43 verbunden. Demgemäß wird, selbst
wenn die Source 45 Wärme erzeugt, eine schnelle
Abfuhr der Wärme von der Source 45 auf den Wärmeverteilungsabschnitt 43 realisiert.
Als Ergebnis wird die Wärmeverteilleistung des Moduls 40 verbessert.
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Bei
dem Halbleitermodul 40 hat der Wärmeverteilungsabschnitt 43 eine
größere Breite als der Kunststoffabschnitt 42 (siehe 4C).
Da ein Flächenbereich des Wärmeverteilungsabschnitts 43 auf diese
Weise vergrößert wird, nimmt die Wärmeverteilleistung
des Moduls 40 zu.
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Bei
dem Halbleitermodul 40 sind zwei längliche Fugen 47, 48 an
einer oberen Fläche des Wärmeverteilungsabschnitts 43 ausgebildet
(siehe 4A und 4B). Demgemäß wird
der Oberflächenbereich des Wärmeverteilungsabschnitts 43 vergrößert,
so dass die Wärmeverteilleistung des Moduls 40 zunimmt.
Da die Fugen 47, 48 darüber hinaus als
Widerstand dienen, wird die Verlagerung bzw. Verteilung des Wärmeleitgels 61 begrenzt.
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Bei
dem Halbleitermodul 40 ist die Dicke des Wärmeverteilungsabschnitts 43 in
obere und untere Richtung gleich oder größer als
die Dicke des Kunststoffabschnitts 42 (siehe 4B).
Demgemäß ist die Wärmekapazität
des Wärmeverteilungsabschnitts 43 groß,
so dass ausreichende Wärme vom Halbleiterchip 41 abgeführt
werden kann.
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Bei
der vorliegenden Ausführungsform ist die Source 45 mit
dem Wärmeverteilungsabschnitt 43 verbunden. Alternativ
kann die Drain 46 anstelle von, oder zusätzlich zur
Source 45 mit dem Wärmeverteilungsabschnitt 43 verbunden
sein. Dies liegt darin begründet, dass es sehr wahrscheinlich
ist, dass die Source 45 und die Drain 46, durch
welche der hohe Strom fließt, Wärme erzeugen.
Wenn sowohl die Source 45 als auch die Drain 46 mit
dem Wärmeverteilungsabschnitt 43 verbunden sind,
können entsprechend der beiden Anschlüsse 45, 46 zwei
Wärmeverteilungsabschnitte, die voneinander isoliert sind,
bereitgestellt werden. Dies gilt in gleicher Weise für
die nachfolgenden Ausführungsformen.
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(Zweite Ausführungsform)
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Ein
Halbleitermodul 400 einer zweiten Ausführungsform
der Erfindung ist in den 5A bis 5C dargestellt.
Da die Konfiguration einer ECU ähnlich zur ersten Ausführungsform
ist, wird nachfolgend nur die Anordnung des Halbleitermoduls 400 beschrieben.
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Das
Halbleitermodul 400 umfasst einen Halbleiterchip 401,
einen Kunststoffabschnitt 402, der den Chip 401 abdeckt,
sowie einen Wärmeverteilungsabschnitt 403 zum
Abgeben von im Chip 401 erzeugter Wärme, und drei
Anschlüsse 404, 405, 406, die
mit dem Chip 401 verbunden sind. Der Halbleiterchip 401 ist
derart angeordnet, dass dessen obere Fläche in Kontakt
mit dem Wärmeverteilungsabschnitt 403 steht. Dementsprechend
wird eine schnelle Ableitung von Wärme aus dem Halbleiterchip 401 auf
den Wärmeverteilungsabschnitt 403 erreicht.
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Der
Kunststoffabschnitt 402 ist derart ausgebildet, dass die
Anschlüsse 404 bis 406 von einer lateralen
Seite des Kunststoffabschnitts 402 hervorstehen. Die drei
Anschlüsse 404 bis 406 sind, beginnend
von der Oberseite von 5A, ein Gate 404 (Gate-Elektrode),
eine Source 405 (Source-Elektrode) sowie ein Drain 406 (Drain-Elektrode).
Die Anschlüsse 404 bis 406 sind nach
unten gebogen und der Boden des Kunststoffabschnitts 402 befindet
sich auf der Substratseite.
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Ähnlich
zur ersten Ausführungsform ist die Source 405 der
Anschlüsse 404 bis 406 mit dem Wärmeverteilungsabschnitt 403 verbunden.
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Bei
dem Halbleitermodul 400 der vorliegenden Ausführungsform
ist die Source 405 mit dem Wärmeverteilungsabschnitt 403 verbunden.
Demgemäß wird, selbst wenn die Source 405 Wärme
erzeugt, eine schnelle Abfuhr der Wärme von der Source 405 auf
den Wärmeverteilungsabschnitt 403 realisiert.
Als Ergebnis wird die Wärmeverteilleistung des Moduls 400 verbessert.
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(Dritte Ausführungsform)
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Ein
Halbleitermodul 410 einer dritten Ausführungsform
der Erfindung ist in den 6A bis 6C dargestellt.
Da die Konfiguration einer ECU ähnlich zu den obigen Ausführungsformen
ist, wird nachfolgend nur die Anordnung des Halbleitermoduls 410 beschrieben.
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Das
Halbleitermodul 410 umfasst einen Halbleiterchip 411,
einen Kunststoffabschnitt 412, der den Chip 411 abdeckt,
sowie einen Wärmeverteilungsabschnitt 413 zum
Abgeben von im Chip 411 erzeugter Wärme, und drei
Anschlüsse 414, 415, 416, die
mit dem Chip 411 verbunden sind. Der Halbleiterchip 411 ist
derart angeordnet, dass dessen obere Fläche in Kontakt
mit dem Wärmeverteilungsabschnitt 413 steht. Dementsprechend
wird eine schnelle Ableitung von Wärme aus dem Halbleiterchip 411 auf
dem Wärmeverteilungsabschnitt 413 erreicht.
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Der
Kunststoffabschnitt 412 ist derart ausgebildet, dass die
Anschlüsse 414 bis 416 von einer lateralen
Seite des Kunststoffabschnitts 412 hervorstehen. Die drei
Anschlüsse 414 bis 416 sind, beginnend
von der Oberseite von 6A, ein Gate 414 (Gate-Elektrode),
eine Source 415 (Source-Elektrode) sowie ein Drain 416 (Drain-Elektrode).
Die Anschlüsse 414 bis 416 sind nach
unten gebogen und der Boden des Kunststoffabschnitts 412 befindet
sich auf der Substratseite.
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Ähnlich
zu den vorgenannten Ausführungsformen ist die Source 415 der
Anschlüsse 414 bis 416 mit dem Wärmeverteilungsabschnitt 413 verbunden.
Wie in 6C dargestellt, hat der Wärmeverteilungsabschnitt 413 eine
größere Breite als der Kunststoffabschnitt 412.
Genauer gesagt ist, wenn ein Querschnittsbereich des Halbleitermoduls 410 entlang
eines Querschnitts rechtwinklig zur oberen und unteren Richtung
berücksichtigt wird, ein Querschnittsbereich des Wärmeverteilungsabschnitts 413 größer
als ein Querschnittsbereich des Kunststoffabschnitts 412.
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Bei
dem Halbleitermodul 410 der vorliegenden Ausführungsform
ist die Source 415 mit dem Wärmeverteilungsabschnitt 413 verbunden.
Demgemäß wird, selbst wenn die Source 415 Wärme
erzeugt, eine schnelle Abfuhr der Wärme von der Source 415 auf
den Wärmeverteilungsabschnitt 413 realisiert.
Als Ergebnis wird die Wärmeverteilleistung des Moduls 410 verbessert.
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Bei
dem Halbleitermodul 410 hat der Wärmeverteilungsabschnitt 413 eine
größere Breite als der Kunststoffabschnitt 412 (siehe 6C).
Da ein Flächenbereich des Wärmeverteilungsabschnitts 413 auf
diese Weise vergrößert wird, nimmt die Wärmeverteilleistung
des Moduls 410 zu.
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(Vierte Ausführungsform)
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Ein
Halbleitermodul 420 einer vierten Ausführungsform
der Erfindung ist in den 7A bis 7C dargestellt.
Da die Konfiguration einer ECU ähnlich zu den vorgenannten
Ausführungsformen ist, wird nachfolgend nur die Anordnung
des Halbleitermoduls 420 beschrieben.
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Das
Halbleitermodul 420 umfasst einen Halbleiterchip 421,
einen Kunststoffabschnitt 422, der den Chip 421 abdeckt,
sowie einen Wärmeverteilungsabschnitt 423 zum
Abgeben von im Chip 421 erzeugter Wärme, und drei
Anschlüsse 424, 425, 426, die
mit dem Chip 421 verbunden sind. Der Halbleiterchip 421 ist
derart angeordnet, dass dessen obere Fläche in Kontakt
mit dem Wärmeverteilungsabschnitt 423 steht. Dementsprechend
wird eine schnelle Ableitung von Wärme aus dem Halbleiterchip 421 auf
dem Wärmeverteilungsabschnitt 423 erreicht.
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Der
Kunststoffabschnitt 422 ist derart ausgebildet, dass die
Anschlüsse 424 bis 426 von einer lateralen
Seite des Kunststoffabschnitts 422 hervorstehen. Die drei
Anschlüsse 424 bis 426 sind, beginnend
von der Oberseite von 7A, ein Gate 424 (Gate-Elektrode),
eine Source 425 (Source-Elektrode) sowie ein Drain 426 (Drain-Elektrode).
Die Anschlüsse 424 bis 426 sind nach
unten gebogen und der Boden des Kunststoffabschnitts 422 befindet
sich auf der Substratseite.
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Ähnlich
zu den vorgenannten Ausführungsformen ist die Source 425 der
Anschlüsse 424 bis 426 mit dem Wärmeverteilungsabschnitt 423 verbunden.
Der Wärmeverteilabschnitts 423 hat eine Dicke in
obere und untere Richtung die gleich oder größer ist
als die des Kunststoffabschnitts 422.
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Bei
dem Halbleitermodul 420 der vorliegenden Ausführungsform
ist die Source 425 mit dem Wärmeverteilungsabschnitt 423 verbunden.
Demgemäß wird, selbst wenn die Source 425 Wärme
erzeugt, eine schnelle Abfuhr der Wärme von der Source 425 auf
den Wärmeverteilungsabschnitt 423 realisiert.
Als Ergebnis wird die Wärmeverteilleistung des Moduls 420 verbessert.
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Bei
dem Halbleitermodul 420 der vorliegenden Erfindung ist
die Dicke des Wärmeverteilungsabschnitts 423 in
obere und untere Richtung gleich oder größer als
die Dicke des Kunststoffabschnitts 422 (siehe 7B).
Demgemäß ist die Wärmekapazität des
Wärmeverteilungsabschnitts 423 groß,
so dass ausreichend Wärme vom Halbleiterchip 421 abgeführt
werden kann.
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(Fünfte Ausführungsform)
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Ein
Halbleitermodul 430 einer fünften Ausführungsform
der Erfindung ist in den 8A bis 8C dargestellt.
Da die Konfiguration einer ECU ähnlich zu den vorgenannten
Ausführungsformen ist, wird nachfolgend nur die Anordnung
des Halbleitermoduls 430 beschrieben.
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Das
Halbleitermodul 430 umfasst einen Halbleiterchip 431,
einen Kunststoffabschnitt 432, der den Chip 431 abdeckt,
sowie einen Wärmeverteilungsabschnitt 433 zum
Abgeben von im Chip 431 erzeugter Wärme, und drei
Anschlüsse 434, 435, 436, die
mit dem Chip 431 verbunden sind. Der Halbleiterchip 431 ist
derart angeordnet, dass dessen obere Fläche in Kontakt
mit dem Wärmeverteilungsabschnitt 433 steht. Dementsprechend
wird eine schnelle Ableitung von Wärme aus dem Halbleiterchip 431 auf
dem Wärmeverteilungsabschnitt 433 erreicht.
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Der
Kunststoffabschnitt 432 ist derart ausgebildet, dass die
Anschlüsse 434 bis 436 von einer lateralen
Seite des Kunststoffabschnitts 432 hervorstehen. Die drei
Anschlüsse 434 bis 436 sind, beginnend
von der Oberseite von 8A, ein Gate 434 (Gate-Elektrode),
eine Source 435 (Source-Elektrode) sowie ein Drain 436 (Drain-Elektrode).
Die Anschlüsse 434 bis 436 sind nach
unten gebogen und der Boden des Kunststoffabschnitts 432 befindet
sich auf der Substratseite.
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Ähnlich
zu den vorgenannten Ausführungsformen ist die Source 435 der
Anschlüsse 434 bis 436 mit dem Wärmeverteilungsabschnitt 433 verbunden.
Wie in 8C dargestellt, hat der Wärmeverteilabschnitt 433 eine
größere Breite als der Kunststoffabschnitt 432.
Genauer gesagt ist, wenn ein Querschnittsbereich des Halbleitermoduls 430 entlang
eines Querschnitts rechtwinklig zur oberen und unteren Richtung
berücksichtigt wird, ein Querschnittsbereich des Wärmeverteilungsabschnitts 433 größer als
ein Querschnittsbereich des Kunststoffabschnitts 432. Der
Wärmeverteilabschnitts 433 hat eine Dicke in obere
und untere Richtung die gleich oder größer ist
als die des Kunststoffabschnitts 432.
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Bei
dem Halbleitermodul 430 der vorliegenden Ausführungsform
ist die Source 435 mit dem Wärmeverteilungsabschnitt 433 verbunden.
Demgemäß wird, selbst wenn die Source 435 Wärme
erzeugt, eine schnelle Abfuhr der Wärme von der Source 435 auf
den Wärmeverteilungsabschnitt 433 realisiert.
Als Ergebnis wird die Wärmeverteilleistung des Moduls 430 verbessert.
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Bei
dem Halbleitermodul 430 hat der Wärmeverteilungsabschnitt 433 eine
größere Breite als der Kunststoffabschnitt 432 (siehe 8C).
Da ein Flächenbereich des Wärmeverteilungsabschnitts 433 auf
diese Weise vergrößert wird, nimmt die Wärmeverteilleistung
des Moduls 430 zu.
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Bei
dem Halbleitermodul 430 ist die Dicke des Wärmeverteilungsabschnitts 433 in
obere und untere Richtung gleich oder größer als
die Dicke des Kunststoffabschnitts 422 (siehe 8B).
Demgemäß ist die Wärmekapazität
des Wärmeverteilungsabschnitts 433 groß,
so dass ausreichend Wärme vom Halbleiterchip 431 abgeführt
werden kann.
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(Sechste Ausführungsform)
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Ein
Halbleitermodul 440 einer sechsten Ausführungsform
der Erfindung ist in den 9A bis 9C dargestellt.
Da die Konfiguration einer ECU ähnlich zu den vorgenannten
Ausführungsformen ist, wird nachfolgend nur die Anordnung
des Halbleitermoduls 440 beschrieben.
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Das
Halbleitermodul 440 umfasst einen Halbleiterchip 441,
einen Kunststoffabschnitt 442, der den Chip 441 abdeckt,
sowie einen Wärmeverteilungsabschnitt 443 zum
Abgeben von im Chip 441 erzeugter Wärme, und drei
Anschlüsse 444, 445, 446, die
mit dem Chip 441 verbunden sind. Der Halbleiterchip 441 ist
derart angeordnet, dass dessen obere Fläche in Kontakt
mit dem Wärmeverteilungsabschnitt 443 steht. Dementsprechend
wird eine schnelle Abfuhr von Wärme aus dem Halbleiterchip 441 auf
dem Wärmeverteilungsabschnitt 443 erreicht.
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Der
Kunststoffabschnitt 442 ist derart ausgebildet, dass die
Anschlüsse 444 bis 446 von einer lateralen
Seite des Kunststoffabschnitts 442 hervorstehen. Die drei
Anschlüsse 444 bis 446 sind, beginnend
von der Oberseite von 9A, ein Gate 444 (Gate-Elektrode),
eine Source 445 (Source-Elektrode) sowie ein Drain 446 (Drain-Elektrode).
Die Anschlüsse 444 bis 446 sind nach
unten gebogen und der Boden des Kunststoffabschnitts 442 befindet
sich auf der Substratseite.
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Wie
in 9C dargestellt, hat der Wärmeverteilungsabschnitt 443 eine
größere Breite als der Kunststoffabschnitt 442.
Genauer gesagt ist, wenn ein Querschnittsbereich des Halbleitermoduls 440 entlang
eines Querschnitts rechtwinklig zur oberen und unteren Richtung
berücksichtigt wird, ein Querschnittsbereich des Wärmeverteilungsabschnitts 443 größer
als ein Querschnittsbereich des Kunststoffabschnitts 432.
Der Wärmeverteilabschnitts 443 hat eine Dicke
die gleich oder größer ist als die des Kunststoffabschnitts 442 Der
Wärmeverteilungsabschnitt 443 umfasst zwei längliche
Fugen 447, 448 an seiner oberen Fläche.
Die Source 445 der Anschlüsse 444 bis 446 ist
mit dem Wärmeverteilungsabschnitt 443 verbunden.
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Genauer
gesagt umfasst das Halbleitermodul 440 einen Wärmeleitabschnitt 449 an
einer Unterseite des Kunststoffabschnitts 442. Der Wärmeleitabschnitt 449 besteht
aus einem hoch wärmeleitfähigem Kunststoff. Der
hoch wärmeleitfähige Kunststoff besteht beispielsweise
aus einer Mischung aus einem Füllstoff bzw. -material aus
Metall oder anorganischer Keramik mit hoher Wärmeleitfähigkeit
in Kunststoff. Alternativ kann eine Kunststoff mit hoher Wärmeleitfähigkeit
als Kunststoff verwendet werden, in den eine Füllstoff
beigemengt ist. Als derartiger Kunststoff kann beispielsweise ein
Kunststoff mit 4-(Oxiranylmethoxy)Benzoesäure-4,4'-[1,8-Octandiylbis(oxy)]Bisphenolester
als Epoxidharzmonomer und ein Kunststoff mit 4,4'-Diaminodiphenylmethan als
Epoxidharzhärtemittel verwendet werden.
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Bei
dem Halbleitermodul 440 der vorliegenden Ausführungsform
ist die Source 445 mit dem Wärmeverteilungsabschnitt 443 verbunden.
Demgemäß wird, selbst wenn die Source 445 Wärme
erzeugt, eine schnelle Ableitung der Wärme von der Source 445 auf
den Wärmeverteilungsabschnitt 443 realisiert.
Als Ergebnis wird die Wärmeverteilleistung des Moduls 430 verbessert.
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Bei
dem Halbleitermodul 440 hat der Wärmeverteilungsabschnitt 443 eine
größere Breite als der Kunststoffabschnitt 42 (siehe 9C).
Da ein Flächenbereich des Wärmeverteilungsabschnitts 443 auf
diese Weise vergrößert wird, nimmt die Wärmeverteilleistung
des Moduls 440 zu.
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Bei
dem Halbleitermodul 440 sind zwei längliche Fugen 447, 448 an
einer oberen Fläche des Wärmeverteilungsabschnitts 443 ausgebildet
(siehe 9A und 9B). Demgemäß wird
der Oberflächenbereich des Wärmeverteilungsabschnitts 443 vergrößert,
so dass die Wärmeverteilleistung des Moduls 440 zunimmt.
Da darüber hinaus die Fugen 447, 448 als
Widerstand dienen, wird die Verlagerung bzw. Verteilung oder Verschiebung
des Wärmeleitgels 61 begrenzt.
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Bei
dem Halbleitermodul 440 ist die Dicke des Wärmeverteilungsabschnitts 443 in
obere und untere Richtung gleich oder größer als
die Dicke des Kunststoffabschnitts 442 (siehe 9B).
Demgemäß ist die Wärmekapazität
des Wärmeverteilungsabschnitts 443 groß,
so dass ausreichende Wärme vom Halbleiterchip 441 abgeführt
werden kann.
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Das
Halbleitermodul 440 umfasst den Wärmeleitabschnitt 449 an
der Unterseite des Kunststoffabschnitts 442. Demgemäß wird
auch Wärme an die Seite des Substrats abgegeben, so dass
die Wärmeverteilleistung des Halbleitermoduls weiter zunimmt.
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Unnötig
zu erwähnen ist, daß der Wärmeverteilungsabschnitts 443 darüber
hinaus zudem eine den Wärmeverteilungsabschnitten 403, 413, 423, 433 der
vorgenannten Ausführungsformen ähnliche Struktur
aufweisen kann. Dies gilt in gleicher Weise für die nachfolgenden
Ausführungsformen.
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(Siebte Ausführungsform)
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Ein
Halbleitermodul 450 einer siebten Ausführungsform
ist in den 10A bis 10C dargestellt.
Da die Konfiguration einer ECU ähnlich zu den vorgenannten
Ausführungsformen ist, wird nachfolgend nur die Anordnung
des Halbleitermoduls 450 beschrieben.
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Das
Halbleitermodul 450 umfasst einen Halbleiterchip 451,
einen Kunststoffabschnitt 452, der den Chip 451 abdeckt,
sowie einen Wärmeverteilungsabschnitt 453 zum Abführen
von im Chip 451 erzeugter Wärme, und drei Anschlüsse 454, 455, 456,
die mit dem Chip 451 verbunden sind. Der Wärmeverteilungsabschnitt 453 umfasst
längliche Fugen 457, 458 und ein Wärmeleitabschnitt 459 ist
an einer Unterseite des Kunststoffabschnitts 452 ausgebildet. Die
vorgenannte Konfiguration des Halbleitermoduls 450 ist ähnlich
zu der der sechsten Ausführungsform.
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Genauer
gesagt umfasst das Halbleitermodul 450, wie in den 10A bis 10C dargestellt, einen
lateralen Wärmeverteilungsabschnitt 45A, der sich
vom Kunststoffabschnitt 452 in Richtung zur lateralen Seite
erstreckt. Der laterale Wärmeverteilungsabschnitt 45A besteht
aus einem metallischen Material und hat eine größere
Breite als die Anschlüsse 454 bis 456.
Der laterale Wärmeverteilungsabschnitt 45A ist
mit dem Wärmeverteilungsabschnitt 453 verbunden.
Der Wärmeverteilungsabschnitt 45A ist nach unten
gebogen, um mit dem Substrat verlötet werden zu können.
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Mittels
des Halbleitermoduls 450 wird ebenfalls ein ähnlicher
Effekt erzielt wie bei dem Halbleitermodul 440 der sechsten
Ausführungsform. Zudem weist das Halbleitermodul 450 den
lateralen Wärmeverteilungsabschnitt 45A auf. Demgemäß verbessert sich
die Wärmeverteilleistung des Halbleitermoduls 450.
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(Achte Ausführungsform)
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Ein
Halbleitermodul 460 einer achten Ausführungsform
der Erfindung ist in den 11A bis 11C dargestellt. Da die Konfiguration einer ECU ähnlich
zu den vorgenannten Ausführungsformen ist, wird nachfolgend
nur die Anordnung des Halbleitermoduls 460 beschrieben.
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Das
Halbleitermodul 460 umfasst einen Halbleiterchip 461,
einen Kunststoffabschnitt 462, der den Chip 461 abdeckt,
sowie einen Wärmeverteilungsabschnitt 463 zum
Ableiten von im Chip 461 erzeugter Wärme, und
drei Anschlüsse 464, 465, 466, die
mit dem Chip 461 verbunden sind. Der Wärmeverteilungsabschnitt 463 umfasst
längliche Fugen 467, 468 und ein Wärmeleitabschnitt 469 ist
an einer Unterseite des Kunststoffabschnitts 462 ausgebildet. Die
vorgenannte Konfiguration des Halbleitermoduls 460 ist ähnlich
zu der der sechsten Ausführungsform.
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Insbesondere
besteht der Wärmeleitabschnitt 469 in dem Halbleitermodul 460 aus
einem metallischen Material.
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Mittels
des Halbleitermoduls 460 wird ebenfalls ein ähnlicher
Effekt erzielt wie bei dem Halbleitermodul 440 der sechsten
Ausführungsform.
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(Neunte Ausführungsform)
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Ein
Halbleitermodul 470 einer neunten Ausführungsform
der Erfindung ist in den 12A bis 12C dargestellt. Da die Konfiguration einer ECU ähnlich
zu den vorgenannten Ausführungsformen ist, wird nachfolgend
nur die Anordnung des Halbleitermoduls 470 beschrieben.
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Das
Halbleitermodul 470 umfasst einen Halbleiterchip 471,
einen Kunststoffabschnitt 472, der den Chip 471 abdeckt,
sowie einen Wärmeverteilungsabschnitt 473 zum
Abführen von im Chip 471 erzeugter Wärme,
und drei Anschlüsse 474, 475, 476,
die mit dem Chip 471 verbunden sind.
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Der
Wärmeverteilungsabschnitt 473 umfasst längliche
Fugen 477, 478 und ein Wärmeleitabschnitt 479 ist
an einer Unterseite des Kunststoffabschnitts 472 ausgebildet.
Die vorgenannte Konfiguration des Halbleitermoduls 470 ist ähnlich
zu der der sechsten Ausführungsform.
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Genauer
gesagt umfasst das Halbleitermodul 470, wie in den 12A bis 12C dargestellt, einen
lateralen Wärmeverteilungsabschnitt 47A, der sich
vom Kunststoffabschnitt 472 in Richtung zur lateralen Seite
erstreckt. Der laterale Wärmeverteilungsabschnitt 47A besteht
aus einem metallischen Material und hat eine größere
Breite als die Anschlüsse 474 bis 476.
Der laterale Wärmeverteilungsabschnitt 47A ist
mit dem Wärmeverteilungsabschnitt 473 im Wärmeverteilungsabschnitt 473 verbunden.
Der Wärmeverteilungsabschnitt 47A ist nach unten
gebogen, um mit dem Substrat verlötet werden zu können.
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Mittels
des Halbleitermoduls 470 wird ebenfalls ein ähnlicher
Effekt erzielt wie bei dem Halbleitermodul 440 der sechsten
Ausführungsform. Zudem weist das Halbleitermodul 470 den
lateralen Wärmeverteilungsabschnitt 47A auf. Demgemäß verbessert sich
die Wärmeverteilleistung des Halbleitermoduls 470.
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Darüber
hinaus kann, wie in den 13A bis 13C dargestellt, das Modul 470 einen
metallischen Wärmeleitabschnitt 47B aufweisen,
der eine größere Breite hat. Demgemäß ist
ein Flächenbereich des Wärmeleitabschnitts 47B größer
ausgebildet als der der Wärmeleitabschnitts 479,
so dass die Wärmeverteilleistung des Moduls 470 weiter
steigt.
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(Zehnte Ausführungsform)
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Ein
Halbleitermodul 480 einer zehnten Ausführungsform
der Erfindung wird in den 14A bis 14C dargestellt. Da die Konfiguration einer ECU gleich
den vorgenannten Ausführungsformen ist, wird nachfolgend
nur die Anordnung des Halbleitermoduls 480 beschrieben.
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Das
Halbleitermodul 480 umfasst einen Halbleiterchip 481,
einen Kunststoffabschnitt 482, der den Chip 481 abdeckt,
sowie einen Wärmeverteilungsabschnitt 483 zum
Abführen von im Chip 481 erzeugter Wärme,
und drei Anschlüsse 484, 485, 486,
die mit dem Chip 481 verbunden sind. Der Wärmeverteilungsabschnitt 453 umfasst
längliche Fugen 487, 488. Die vorgenannte
Konfiguration des Halbleitermoduls 480 ist ähnlich
zu der der sechsten Ausführungsform.
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Genauer
gesagt umfasst das Halbleitermodul 480 einen Wärmeisolierabschnitt 48C auf
einer Unterseite des Kunststoffabschnitts 482. Gering wärmeleitfähige
Kunststoffe können für den Wärmeisolierabschnitt 48C verwendet
werden. Beispielsweise können Kunststoffe wie Polyphenylensulfid
(PPS), Polyphenylenether (PPE), Melaminharz, Polycarbonat (PC),
Polyethersulfon (PES), Polysulfon (PSF), Polyetherimid, Polyimid,
Polyamid (PAI), Acrylonitril/Styrol-Harz (AS Harz), Polypropylen
(PE), Polyethylen (PE), Polymethylpenten (PMP), Polyarylat (PAR),
Polyetherether-Keton (PEEK) oder Polyetherketon (PEK) für
den Wärmeisolierabschnitt 48C verwendet werden.
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Mittels
des Halbleitermoduls 480 wird ebenfalls ein ähnlicher
Effekt erzielt wie bei dem Halbleitermodul 440 der sechsten
Ausführungsform. Darüber hinaus umfasst das Halbleitermodul 480 den Wärmeisolierabschnitt 48C an
der Unterseite des Kunststoffabschnitts 482. Demgemäß wird,
selbst wenn die Halbleitermodule 480 aneinander angrenzend
angeordnet werden, der Einfluss von Wärme, die über
das Substrat auf die Module übertragen wird, beschränkt
werden.
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(Elfte Ausführungsform)
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Ein
Halbleitermodul 490 einer elften Ausführungsform
der Erfindung ist in den 15A bis 15C dargestellt. Da die Konfiguration einer ECU ähnlich
zu den vorgenannten Ausführungsformen ist, wird nachfolgend
nur die Anordnung des Halbleitermoduls 490 beschrieben.
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Das
Halbleitermodul 490 umfasst einen Halbleiterchip 491,
einen Kunststoffabschnitt 492, der den Chip 491 abdeckt,
sowie einen Wärmeverteilungsabschnitt 493 zum
Abführen von im Chip 491 erzeugter Wärme,
und drei Anschlüsse 494, 495, 496,
die mit dem Chip 491 verbunden sind.
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Der
Wärmeverteilungsabschnitt 493 umfasst längliche
Fugen 497, 498. Ein Wärmeisolierabschnitt 49C ist
an einer Unterseite des Kunststoffabschnitts 492 ausgebildet.
Die vorgenannte Konfiguration des Halbleitermoduls 490 ist ähnlich
zu der der sechsten Ausführungsform.
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Genauer
gesagt umfasst das Halbleitermodul 490, wie in den 15A bis 15C dargestellt, einen
lateralen Wärmeverteilungsabschnitt 49A, der sich
vom Kunststoffabschnitt 492 in Richtung zur lateralen Seite
erstreckt. Der laterale Wärmeverteilungsabschnitt 49A besteht
aus einem metallischen Material und hat eine größere
Breite als die Anschlüsse 494 bis 496.
Der laterale Wärmeverteilungsabschnitt 49A ist
mit dem Wärmeverteilungsabschnitt 493 verbunden.
Der Wärmeverteilungsabschnitt 49A ist nach unten
gebogen, um mit dem Substrat verlötet werden zu können.
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Mittels
des Halbleitermoduls 450 wird ebenfalls ein ähnlicher
Effekt erzielt wie bei dem Halbleitermodul 440 der sechsten
Ausführungsform. Zudem weist das Halbleitermodul 490 den
lateralen Wärmeverteilungsabschnitt 49A auf. Demgemäß verbessert sich
die Wärmeverteilleistung des Halbleitermoduls 490 weiter.
Wenn der laterale Wärmeverteilungsabschnitt 49A an
das Substrat gelötet ist, kann ein Wärmeübertragungsweg
auf dem Substrat ausgebildet werden, der die anderen Halbleitermodule 490 nicht beeinflusst.
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Zusammenfassend
ist ein Halbleitermodul 40, 400, 410, 420, 430, 440, 450, 460, 470, 480 oder 490 gemäß der
vorgenannten Ausführungsformen der Erfindung geeignet,
um an einem Substrat 20 angebracht zu werden. Das Halbleitermodul
umfasst einen Halbleiterchip 41, 401, 411, 421, 431, 441, 451, 461, 471, 481 oder 491,
einen Kunststoffabschnitt 42, 402, 412, 422, 432, 442, 452, 462, 472, 482,
oder 492, eine Mehrzahl von Anschlüssen 44–46; 404–406; 414–416; 424–426; 434–436; 444–446; 454–456; 464–466; 474–476; 484–486;
oder 494–496 sowie einen Wärmeverteilungsabschnitt 43, 403, 413, 423, 433, 443, 453, 463, 473, 483,
oder 493. Der Halbleiterchip 41, 401, 411, 421, 431, 441, 451, 461, 471, 481,
oder 491 hat eine Schaltfunktion. Der Kunststoffabschnitt 42, 402, 412, 422, 432, 442, 452, 462, 472, 482,
oder 492 ist derart ausgebildet, um den Halbleiterchip
abzudecken. Der Kunststoffabschnitt umfasst eine erste Fläche
und eine zweite Fläche, die einander gegenüberliegen
und sich im Wesentlichen parallel zu einer imaginären Ebene
erstrecken. Das Substrat 20 ist an einer ersten Flächenseite
des Kunststoffabschnitts angeordnet. Die Mehrzahl von Anschlüssen 44–46; 404–406; 414–416; 424–426; 434–436; 444–446; 454–456; 464–466; 474–476; 484–486;
oder 494–496 erstreckt sich vom Kunststoffabschnitt
in eine Richtung der imaginären Ebene und ist an das Substrat 20 gelötet. Der
Wärmeverteilungsabschnitt 43, 403, 413, 423, 433, 443, 453, 463, 473, 483,
oder 493 ist an einer zweiten Flächenseite des
Kunststoffabschnitts angeordnet, um im Halbleiterchip erzeugte Wärme
abzugeben bzw. abzuleiten. Einer 45, 405, 415, 425, 435, 445, 455, 465, 475, 485,
oder 495 aus der Mehrzahl von Anschlüssen ist
mit dem Wärmeverteilungsabschnitt derart verbunden, dass
Wärme von dem Einen aus der Mehrzahl von Anschlüssen
auf den Wärmeverteilungsabschnitt übertragen wird.
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Wenn
ein hoher Strom unter Verwendung des Halbleitermoduls 40, 400, 410, 420, 430, 440, 450, 460, 470, 480,
oder 490 angelegt wird, fließt der Strom durch
einen bestimmten Anschluss 45, 405, 415, 425, 435, 445, 455, 465, 475, 485,
oder 495. Daher erzeugt nicht nur der Halbleiterchip 41, 401, 411, 421, 431, 441, 451, 461, 471, 481,
oder 491, sondern auch der vorgenannte Anschluss 45, 405, 415, 425, 435, 445, 455, 465, 475, 485,
oder 495 Wärme. Demgemäß ist
bei den Ausführungsformen der Erfindung der bestimmte Anschluss 45, 405, 415, 425, 435, 445, 455, 465, 475, 485,
oder 495 mit dem Wärmeverteilungsabschnitt 43, 403, 413, 423, 433, 443, 453, 463, 473, 483,
oder 493 verbunden. Als Ergebnis wird auch die im bestimmten
Anschluss 45, 405, 415, 425, 435, 445, 455, 465, 475, 485,
oder 495 erzeugte Wärme auf den Wärmeverteilungsabschnitt 43, 403, 413, 423, 433, 443, 453, 463, 473, 483,
oder 493 übertragen. Daher kann die Wärmeverteilleistung
des Halbleitermoduls 40, 400, 410, 420, 430, 440, 450, 460, 470, 480,
oder 490 so weit als möglich verbessert werden.
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Wenn
mehr als ein bestimmter Anschluss vorgesehen ist, können
mehr als ein Wärmeverteilungsabschnitt, die voneinander
isoliert sind, entsprechend dem mehr als einen bestimmten Anschluss vorgesehen
werden.
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Ein
Bereich eines Abschnitts des Wärmeverteilungsabschnitts 43, 403, 413, 433, 443, 453, 463, 473, 483 oder 493 parallel
zur imaginären Ebene ist gleich oder größer
als ein Bereich eines Abschnitts des Kunststoffabschnitts 42, 412, 432, 442, 452, 462, 472, 482 oder 492 parallel
zur imaginären Ebene.
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Demgemäß kann
der Oberflächenbereich des Wärmeverteilungsabschnitts 43, 403, 413, 433, 443, 453, 463, 473, 483 oder 493 vergrößert
werden, so dass noch mehr Wärmeverteilleistung des Halbleitermoduls 40, 440, 450, 460, 470, 480,
oder 490 gegeben ist.
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Eine
Dicke des Wärmeverteilungsabschnitts 43, 423, 433, 443, 453, 463, 473, 483 oder 493 ist
in eine Richtung senkrecht zur imaginären Ebene gleich
oder größer als eine Dicke des Kunststoffabschnitts 42, 422, 432, 442, 452, 462, 472, 482, 492 in die
Richtung senkrecht zur imaginären Ebene.
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Dementsprechend
kann die Wärmekapazität des Wärmeverteilungsabschnitts 43, 423, 433, 443, 453, 463, 473, 483,
oder 493 vergrößert werden, so dass seine
ausreichende Wärmemenge vom Halbleiterchip 41, 421, 431, 441, 451, 461, 471, 481,
oder 491 weggeführt wird.
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Der
Wärmeverteilungsabschnitt weist 43, 443, 453, 463, 473, 483,
der 493 eine längliche Nut 47, 48; 447, 448; 457, 458; 467, 468; 477, 478; 487, 488; 497, 498 an
einer Fläche des Wärmeverteilungsabschnitts auf,
die an einer der zweiten Flächenseite gegenüberliegenden
Seite des Wärmeverteilungsabschnitts liegt.
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Demgemäß wird
der Oberflächenbereich des Wärmeverteilungsabschnitts 43, 443, 453, 463, 473, 483,
oder 493 vergrößert, so dass eine noch bessere
Wärmeverteilleistung des Halbleitermoduls 40, 440, 450, 460, 470, 480 oder 490 erreicht
wird. Wenn der Wärmeverteilungsabschnitt 43, 443, 453, 463, 473, 483,
oder 493 beispielsweise mit dem Wärmeleitgel 61 bedeckt
ist, wird eine Bewegung des Gels 61 durch die länglichen
Fugen 47, 48; 447, 448; 457, 458; 467, 468; 477, 478; 487, 488;
oder 497, 498 begrenzt.
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Vorstehend
wurde die Anordnung des Halbleitermoduls zum Ableiten von Wärme
in eine dem Substrat 20 entgegen gesetzte Richtung beschrieben.
Zusätzlich kann der Kunststoffabschnitt 452, 452, 462 oder 472 einen
Wärmeleitabschnitt 449, 459, 469, 479 oder 47B an
der ersten Flächenseite des Kunststoffabschnitts aufweisen,
wobei der Wärmeleitabschnitt die Wärme in Richtung
auf das Substrat 20 abführt. In diesem Fall kann
der Wärmeleitabschnitt 449, 459, 469, 479,
oder 47B aus einem wärmeleitenden Kunststoff bestehen.
Alternativ kann der Wärmeleitabschnitt 449, 459, 469, 479 oder 47B aus
einem metallischen Material bestehen. Dementsprechend wird Wärme
in Richtung auf das Substrat 20 abgeführt, so
dass die Wärmeverteilleistung des Halbleitermoduls 440, 450, 460 oder 470 weiter
zunimmt.
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Vorausgesetzt,
dass die Halbleitermodule aneinander angrenzend angeordnet sind,
können, wenn Wärme auf ein Muster des Substrats 20 durch Abgeben
von Wärme auf das Substrat 20 übertragen wird,
die Halbleitermodule durch die Wärme anderer Module beeinflusst
werden. Dementsprechend kann der Kunststoffabschnitt 482 oder 492 einen
Wärmeisolierabschnitt 48C oder 49C an
der ersten Flächenseite des Kunststoffabschnitts umfassen,
wobei der Wärmeisolierabschnitt die Übertragung
der Wärme auf das Substrat 20 begrenzt. Als Ergebnis
kann der Einfluss der Wärme, welche vom Substrat 20 auf
die Halbleitermodule übertragen wird, beschränkt
werden.
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Zusätzlich
zur oberen Flächenseite und der unteren Flächenseite
des Kunststoffabschnitts kann der Kunststoffabschnitt 452, 472 oder 492 ferner
einen lateralen Wärmeverteilungsabschnitt 45A, 47A oder 49A aufweisen,
der von einer lateralen Seiten des Kunststoffabschnitts vorragt,
der zwischen der ersten Fläche und der zweiten Fläche
des Kunststoffabschnitts angeordnet ist. Beispielsweise kann ein plattenförmiges
Metallelement, das mit dem Halbleiterchip 451, 471 oder 491 verbunden
ist, derart ausgebildet sein, dass es von einer lateralen Seite
des Kunststoffabschnitts 452, 472 oder 492 heraus
ragt. Demgemäß nimmt die Wärmeverteilleistung
des Halbleitermoduls 450, 470 oder 490 weiter
zu.
-
Zusätzliche
Vorteile und Modifikationen sind für Fachleute leicht ersichtlich.
Die Erfindung in ihrer breitesten Fassung ist daher nicht auf die
bestimmten Details, entsprechende Vorrichtung und erläuternde Bespiele
beschränkt, die vorstehend dargestellt und beschrieben
wurden.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - JP 2685039 [0003, 0004]