DE102009003891B4 - Transformator mit einer primären Wicklung mit mehreren Segmenten und einer sekundären Wicklung mit mehreren Windungen für ein Leistungsverstärkersystem und Verfahren hierfür - Google Patents
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- 238000004804 winding Methods 0.000 title claims abstract description 172
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 104
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 claims description 18
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 12
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 10
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
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- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
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- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
- H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/213—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45475—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/42—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/391—Indexing scheme relating to amplifiers the output circuit of an amplifying stage comprising an LC-network
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/399—A parallel resonance being added in shunt in the output circuit, e.g. base, gate, of an amplifier stage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/402—A series resonance being added in shunt in the output circuit, e.g. base, gate, of an amplifier stage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/541—Transformer coupled at the output of an amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45138—Two or more differential amplifiers in IC-block form are combined, e.g. measuring amplifiers
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T29/53—Means to assemble or disassemble
- Y10T29/5313—Means to assemble electrical device
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Abstract
Leistungsverstärkersystem, das umfasst: einen Leistungsverstärker (203; 503; 603), der ein erstes Differentialausgabesignal und ein zweites Differentialausgabesignal erzeugt, eine primäre Wicklung (206; 312; 506), die aus einer Vielzahl von primären Segmenten (M) besteht, wobei ein erstes Ende jedes primären Segments mit einem ersten gemeinsamen Eingangsanschluss verbunden ist und ein zweites Ende jedes primären Segments mit einem zweiten gemeinsamen Eingangsanschluss verbunden ist, wobei der erste gemeinsame Eingangsanschluss betrieben wird, um das erste Differentialausgabesignal zu empfangen und wobei der zweite gemeinsame Eingangsanschluss betrieben wird, um das zweite Differentialausgabesignal zu empfangen, und eine einfache sekundäre Wicklung (208; 314; 508), die induktiv mit der Vielzahl von primären Segmenten (M) gekoppelt ist.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein Leistungsverstärker und insbesondere Systeme und Verfahren für Spannungsverstärkungswandler für die Verbindung von einem oder mehreren Leistungsverstärkern mit einer Last.
- In der Mobilfunkbranche bemüht man sich, Mobilanwendungsfunktionen (z. B. Verstärker mit geringem Rauschen, Mischer, spannungsgesteuerte Oszillatoren usw.) durch Halbleitertechnik z. B. in einen einzelnen Chip zu integrieren. Der vollständigen Integration eines Leistungsverstärkers in einen einzelnen Chip stellen sich jedoch verschiedene Schwierigkeiten entgegen. Insbesondere erfordern voluminöse Leistungsabstimmungsseinrichtungen eine große Chipfläche. Und wenn die Leistungsabstimmungseinrichtungen über die gesamte Chipfläche verteilt werden, kann die hohe Ausgangsleistung aus dem Leistungsverstärker die Leistung der anderen Mobilanwendungsfunktionen beeinträchtigen. Deshalb sollten in einigen Anwendungen die Abstimmungseinrichtungen der Leistungsverstärker von anderen Mobilanwendungsfunktionen isoliert in einem Bereich vorgesehen werden, wobei die Gesamtgröße der Abstimmungseinrichtungen entsprechend klein sein sollte, um einen kosteneffektiven Aufbau mit einer ausreichend hohen Ausgangsleistung vorzusehen.
- Weiterer Stand der Technik ist aus der
US 2004/000947 A1 US 6,731,166 B1 ist ein Leistungsverstärkersystem mit mehreren primären Wicklungen bekannt. - Dementsprechend besteht eine Aufgabe der Erfindung darin, ein Leistungsverstärkersystem und ein zugehöriges Verfahren mit verbesserten Leistungsabstimmungsaufbauten bereitzustellen, um ein vollständig integriertes verstärkersystem mit hoher Leistung zu implementieren.
- Die Erfindung wird durch die Gegenstände der unabhängigen Patentansprüche angegeben. Bevorzugte Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
- Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung wird ein Leistungsverstärkersystem angegeben, das eine Vielzahl von Verstärkern, eine primäre Transformatorwicklung mit mehreren Segmenten mit einer ersten Anzahl von N1 Windungen und eine einfache sekundäre Transformatorwicklung mit einer zweiten Anzahl von N2 Windungen umfasst. Das Windungsverhältnis zwischen der primären Transformatorwicklung und der sekundären Transformatorwicklung kann N1:N2 sein, wobei N2 > N1 ist, um die Spannung der primären Wicklung zu der sekundären Wicklung mit einem Verhältnis von im wesentlichen N2/N1 zu verstärken. Die primäre Mehrsegmentwicklung kann die magnetische Kopplung erhöhen, wodurch der passive Verlust minimiert wird. Jeder Verstärker kann einen Eingang wie etwa Differentialeingänge umfassen, die mit den Systemeingangsanschlüssen an der primären Wicklung verbunden sind, wobei die primäre Wicklung mit dem Differentialausgang der sekundären Wicklung verbunden sein kann. Tatsächlich kann die einzelne sekundäre Transformatorwicklung induktiv mit der primären Transformatorwicklung gekoppelt sein und einen Systemausgangsanschluss vorsehen, mit dem eine Last verbunden werden kann.
- Gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der Erfindung wird ein Leistungsverstärkungssystem angegeben. Das System umfasst einen Leistungsverstärker, der ein erstes Differentialausgabesignal und ein zweites Differentialausgabesignal erzeugen kann, eine primäre Wicklung, die aus einer Vielzahl von primären Segmenten besteht, wobei ein erstes Ende jedes primären Segments mit einem ersten gemeinsamen Eingangsanschluss verbunden ist und ein zweites Ende jedes primären Segments mit einem zweiten gemeinsamen Eingangsanschluss ist, wobei der erste gemeinsame Eingangsanschluss betrieben wird, um das erste Differentialausgabesignal zu empfangen und wobei der zweite gemeinsame Eingangsanschluss betrieben wird, um das zweite Differentialausgabesignal zu empfangen, und eine einzelne sekundäre Wicklung, die induktiv mit der Vielzahl von primären Segmenten gekoppelt werden kann.
- Gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der Erfindung wird ein Verfahren zum Vorsehen eines Leistungsverstärkersystems angegeben. Das Verfahren umfasst Schritte zum Vorsehen eines Leistungsverstärkers, der ein erstes Differentialausgabesignal und ein zweites Differentialausgabesignal erzeugt, zum Empfangen des ersten Differentialausgabesignals an einem ersten gemeinsamen Eingangsanschluss und des zweiten Differentialausgabesignals an einem zweiten gemeinsamen Eingangsanschluss, wobei der erste gemeinsame Eingangsanschluss mit einem ersten Ende einer Vielzahl von primären Segmenten verbunden werden kann, um eine primäre Wicklung zu bilden, und wobei der zweite gemeinsame Eingangsanschluss mit einem zweiten Ende der Vielzahl von primären Segmenten verbunden werden kann, und zum induktiven Koppeln der Vielzahl von primären Segmenten mit einer einzelnen sekundären Wicklung.
- Im Folgenden wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die nicht notwendigerweise maßstabsgetreu gezeichnet sind.
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1 ist ein schematisches Diagramm, das einen Transformator gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung zeigt. -
2 ist ein schematisches Diagramm, das einen Transformator gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung zeigt, in dem die primäre Wicklung mit mehreren Segmenten mit einer Vielzahl von Verstärkern verbunden werden kann. -
3 ist ein Layoutdiagramm, das einen Transformator gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung zeigt. -
4 ist ein beispielhaftes schematisches Diagramm, das einen Transformator gemäß einer beispielhaften Ausführungsform zeigt, der einen oder mehrere Abstimmungsblöcke verwendet. -
5 ist ein Layoutdiagramm, das einen Transformator gemäß einer beispielhaften Ausführungsform zeigt, der einen oder mehrere Abstimmungsblöcke verwendet. -
6 ist ein Layoutdiagramm, das einen Transformator eines Leistungsverstärkersystems gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung zeigt, in dem eine Hilfswicklung neben oder im wesentlichen um einen Teil des Transformators herum angeordnet ist. -
7A ,7B und7C zeigen Beispiele von Resonanzschaltungen, die als Abstimmungsblöcke für Transformatoren gemäß beispielhaften Ausführungsformen der Erfindung verwendet werden können. -
8 zeigt einen Aufbau eines planaren Substrate zum Implementieren eines Transformators gemäß beispielhaften Ausführungsformen der Erfindung. -
9 und10 zeigen Aufbauten mit gestapelten Substraten zum Implementieren von Transformatoren gemäß beispielhaften Ausführungsformen der Erfindung. -
11 zeigt ein Beispiel für einen mehrschichtigen Substrataufbau zum Implementieren eines Transformators gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung. - Im Folgenden werden verschiedene Ausführungsformen der Erfindung ausführlich mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Die Erfindung ist jedoch nicht auf die beschriebenen Ausführungsformen beschränkt, sondern kann in verschiedenen anderen Ausführungsformen realisiert werden. Es werden durchgehend gleiche Bezugszeichen verwendet, um identische Elemente anzugeben.
- Ein Schaltleistungsverstärkersystem gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann einen Eingangsanschluss, eine optionale Treiberverstärkerstufe, einen oder mehrere Schaltleistungsverstärker und ein Impedanzwandlungsnetz umfassen. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann die Treiberverstärkerstufe eine Eingabe wie etwa ein Basisbandsignal oder ein Hochfrequenzsignal von dem Eingangsanschluss empfangen und eine Ausgabe zum Betreiben des Schaltleistungsverstärkers erzeugen. Der Schaltleistungsverstärker kann über einen Versorgungsspannungsanschluss (Vdd) mit Strom versorgt werden. Der Schaltleistungsverstärker kann dann ein verstärktes Ausgangssignal zu dem Impedanzwandlungsnetz ausgeben, das die Ausgangsimpedanz des Leistungsverstärkers mit einer Lastimpedanz an dem Ausgangsanschluss abstimmt. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann die Last ein Schalter, ein Multiplexer, ein Filter, eine Antenne oder ein anderer Typ von Last sein. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann die Lastimpedanz 50 Ohm betragen. Wenn die Lastimpedanz 50 Ohm beträgt, kann das Impedanzwandlungsnetz gemäß der beispielhaften Ausführungsform der Erfindung die Ausgangsimpedanz des Schaltleistungsverstärkers zu 50 Ohm wandeln. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann eine Impedanzwandlung für eine höhere Ausgangsleistung vorgesehen werden, indem ein N1:N2-Transformator als Impedanzwandlungsnetz verwendet wird.
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1 ist ein schematisches Diagramm eines Transformators gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung. Wie in1 gezeigt, kann der Transformator eine primäre Wicklung206 mit mehreren Segmenten M, die jeweils N1 Windungen aufweisen, und eine einzelne sekundäre Wicklung207 mit N2 Windungen umfassen. Die primäre Wicklung206 mit mehreren Segmenten kann induktiv mit einer einzelnen sekundären Wicklung207 mit mehreren Windungen gekoppelt sein. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung können die von jedem Segment der primären, Wicklung206 mit mehreren Segmenten induzierten Ströme in derselben Phase an der sekundären Wicklung207 summiert werden. Die sekundäre Wicklung207 kann einen Systemausgangsanschluss208 (Vout) vorsehen, mit dem eine Last209 (Rload) gekoppelt sein kann. In einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann die Last209 ein Schalter, ein Multiplexer, ein Filter, eine Antenne oder eine andere Last sein. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform kann das Windungsverhältnis von jedem Segment der primären Wicklung206 zu der sekundären Wicklung207 gleich N1:N2 sein, wobei N1 < N2 ist, um die Spannung von jedem Segment der primären Wicklung206 zu der sekundären Wicklung207 mit einem Verhältnis von im wesentlichen N2/N1 zu verstärken. - Wie weiterhin in
1 gezeigt, kann die primäre Wicklung206 mit mehreren Segmenten mit einem oder mehreren Leistungsverstärkern203 (AMP 1) verbunden sein. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann der Leistungsverstärker203 ein Differentialleistungsverstärker sein. Der Differentialleistungsverstärker AMP 1 kann einen oder mehrere Eingänge wie etwa Differentialeingänge201 (Vin 1+) und202 (Vin 1–) umfassen, wobei der Eingang201 ein positiver Signaleingang sein kann und der Eingang202 ein negativer Signaleingang sein kann. Außerdem kann der Verstärker AMP 1 Ausgänge wie etwa die Ausgänge204 und205 umfassen, wobei der Ausgang204 ein positiver Ausgang sein kann und der Ausgang205 ein negativer Ausgang sein kann und wobei die Ausgänge204 ,205 Differentialausgänge sein können. Die Ausgänge204 ,205 können gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung mit der primären Wicklung206 des Transformators verbunden sein. - Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann der Strom an der sekundären Wicklung
207 des Leistungsverstärkers203 vorgesehene Strom im wesentlichen i2 = (N/M) × i2 sein, wobei i2 der Strom in der sekundären Wicklung207 ist, M die Anzahl der Segmente in der primären Wicklung206 ist und N das Windungsverhältnis von jedem Segment der primären Wicklung206 zu den Windungen der sekundären Wicklung207 ist. Entsprechend kann die an der sekundären Wicklung207 des Verstärkers203 vorgesehene Spannung im wesentlichen v1 = (1/N) × v2 sein, wobei v2 die Spannung in der sekundären Wicklung207 ist und N das Windungsverhältnis von jedem Segment der primären Wicklung207 zu den Windungen der sekundären Wicklung207 ist. - Wie weiterhin in
1 gezeigt, kann jedes Segment der primären Wicklung106 einen entsprechenden mittleren Abgreifanschluss210a –m in Entsprechung zu Vdd 1...M umfassen. Der mittlere Abgreifanschluss210a –m kann bei virtuellen Wechselstromerden liegen, wenn Differentialsignale durch einen Differentialleistungsverstärker für die primäre Wicklung206 mit mehreren Segmenten erzeugt werden. Die Versorgungsspannung des Differentialverstärkers kann über die mittleren Abgreifanschlüsse210a –m zugeführt werden. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung können die Positionen der mittleren Abgreifanschlüsse210a –m einer mittleren oder symmetrischen Position der entsprechenden Segmente der primären Wicklung206 mit mehreren Segmenten entsprechen. In einer anderen beispielhaften Ausführungsform der Erfindung können die Positionen der mittleren Abgreifanschlüsse210a –m von einer mittleren oder symmetrischen Position in Abhängigkeit von den Größen der durch einen Differentialverstärker erzeugten Differentialsignale abweichen. -
2 ist ein schematisches Diagramm eines Transformators gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung, in dem die primäre Wicklung mit mehreren Segmenten mit einer Vielzahl von Verstärkern verbunden sein kann. Insbesondere zeigt2 eine primäre Wicklung312 mit M Segmenten, die jeweils N1 Windungen aufweisen, und einer einfachen sekundären Wicklung313 mit N2 Windungen. Die M Segmente können gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung induktiv mit der einzelnen sekundären Wicklung313 gekoppelt sein. Die Ausgänge310 ,311 der Verstärker307a –1 (z. B. der Differentialverstärker) können gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung als Eingänge mit der primären Wicklung312 mit mehreren Segmenten verbunden sein. Insbesondere können der positive Signalausgang310 und der entsprechende negative Signalausgang311 , die Differentialausgänge sein können, der Leistungsverstärker307a –1 als Eingänge mit der primären Wicklung312 mit mehreren Segmenten verbunden sein. Die positiven Signaleingänge301a –1 und die entsprechenden negativen Signaleingänge302a –1 können als Eingänge zu den entsprechenden Leistungsverstärkern307a –1 vorgesehen sein. Jeder der verbundenen Ströme, die durch entsprechende Segmente der primären Wicklung312 induziert werden, können gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung in derselben Phase an der sekundären Wicklung313 summiert werden. Die sekundäre Wicklung313 kann einen Systemausgangsanschluss314 (Vout) vorsehen, mit dem eine Last315 (Rload) verbunden werden kann. In einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann die Last315 ein Schalter, ein Multiplexer, ein Filter, eine Antenne oder eine andere Last sein. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann das Windungsverhältnis von jedem Segment der primären Wicklung312 zu der sekundären Wicklung N1:N2 sein, wobei N1 < N2 ist, um die Spannung von jedem Segment der primären Wicklung312 zu der sekundären Wicklung313 mit einem Verhältnis von im wesentlichen N2/N1 zu verstärken. - Wie weiterhin in
2 gezeigt, kann jedes Segment der primären Wicklung312 einen entsprechenden mittleren Abgreifanschluss316a –m in Entsprechung zu Vdd 1...M aufweisen. Der mittlere Abgreifanschluss316a –m kann bei virtuellen Wechselstromerden liegen, wenn Differentialsignale durch den Differentialleistungsverstärker für die primäre Wicklung312 erzeugt werden. Die Versorgungsspannung des Differentialverstärkers kann durch die mittleren Abgreifanschlüsse316a –m zugeführt werden. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung können die Positionen der mittleren Abgreifanschlüsse316a –m einer mittleren oder symmetrischen Position der entsprechenden Segmente der primären Wicklung312 entsprechen. In einer anderen Ausführungsform der Erfindung können die Positionen der mittleren Abgreifanschlüsse316a –m von einer mittleren oder symmetrischen Position in Abhängigkeit von den Größen der durch einen Differentialverstärker erzeugten Differentialsignale abweichen. -
3 zeigt das Layout eines Transformators gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung. Wie in3 gezeigt, kann der Transformator gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung eine primäre Wicklung mit zwei Segmenten407 ,408 und eine einfache sekundäre Wicklung409 mit zwei Windungen umfassen. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann ein erstes Ende der Segmente407 ,408 mit einem gemeinsamen positiven Eingangsanschluss402 verbunden werden und kann ein zweites Ende der Segmente407 ,408 mit einem negativen Eingangsanschluss421 verbunden werden. Der gemeinsame Eingangsanschluss420 und der negative Eingangsanschluss421 können gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung als Kontaktstellen oder mit anderen Konfigurationen ausgebildet werden. - Wie weiterhin in
3 gezeigt, kann die primäre Wicklung mit den zwei Segmenten407 ,408 Eingaben von einem Leistungsverstärker empfangen, der gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung ein Differentialverstärker sein kann. Zum Beispiel kann der Leistungsverstärker Transistoren401 ,404 umfassen, die jeweils Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) sein können, die jeweils entsprechende Sources, Gates und Drains aufweisen. In3 können beide Sources der Transistoren402 ,4503 geerdet sein. Das Gate des Transistors402 kann mit einem positiven Signaleingang401 (Vin 1+) verbunden sein, während das Gate des Transistors403 mit einem negativen Signaleingang404 (Vin 1–) verbunden sein kann. Entsprechend kann der Drain des Transistors402 den positiven Ausgang des Differentialverstärkers vorsehen, der mit einem gemeinsamen positiven Eingangsanschluss420 verbunden sein kann, der einen ersten Eingang zu dem ersten und dem zweiten Segment407 ,408 vorsieht. Entsprechend kann der Drain des Transistors403 den negativen Ausgangs des Differentialverstärkers406 vorsehen, der mit einem gemeinsamen negativen Eingangsanschluss421 verbunden werden kann, der einen zweiten Eingang zu dem ersten und dem zweiten Segment407 ,408 vorsieht. Es ist zu beachten, dass die Transistoren402 ,403 in einigen Ausführungsformen als MOSFETs gezeigt sind, wobei die Transistoren402 ,403 aber auch Bipolartransistoren (BJTs) oder andere Typen von Transistoren sein können. - Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung können magnetisch induzierte Ströme durch die Erregung der zwei Segmente
407 ,408 der primären Wicklung an der sekundären Wicklung409 in derselben Phase addiert werden. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann der Transformator gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung derart aufgebaut sein, dass die Ströme der primären Segmente407 ,408 in derselben Richtung fließen, um eine Selbstaufhebung zu verhindern. Eine Last kann gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung mit den Ausgangsanschlüssen410 ,411 der sekundären Wicklung verbunden sein. Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung können die Windungen für die Segmente der primären Wicklung und der sekundären Wicklung über einander überlappende Teile unter Verwendung von einer oder mehreren Durchgangsverbindungen geführt werden. -
4 ist ein schematisches Diagramm, das einen Transformator gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung zeigt, der einen oder mehrere Abstimmungsblöcke verwendet. Die Abstimmungsblöcke können gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung verwendet werden, um einen Betriebsparameter des Transformators einzustellen oder zu verändern. Wie in4 gezeigt, kann der Transformator eine primäre Wicklung506 mit zwei Segmenten, die jeweils N1 Windungen aufweisen, und eine einfache sekundäre Wicklung507 mit N2 Windungen umfassen. Die primäre Wicklung506 mit mehreren Segmenten kann induktiv mit der einfachen sekundären Wicklung507 mit mehreren Windungen gekoppelt sein. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung können die von jedem Segment der primären Wicklung506 induzierten Ströme in derselben Phase an der sekundären Wicklung507 summiert werden. Die sekundäre Wicklung507 kann einen Systemausgangsanschluss508 (Vout) vorsehen, mit dem eine Last509 (Rlaod) verbunden werden kann. In einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann die Last509 ein Schalter, ein Multiplexer, ein Filter, eine Antenne oder eine andere Last sein. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform kann das Windungsverhältnis von jedem Segment der primären Wicklung506 zu der sekundären Wicklung507 N1:N2 sein, wobei N1 < N2 ist, um die Spannung von jedem Segment der primären Wicklung206 mit mehreren Segmenten zu der sekundären Wicklung207 mit einem Verhältnis von im wesentlichen N2/N1 zu verstärken. - Wie weiterhin in
4 gezeigt, kann die primäre Wicklung506 mit mehreren Segmenten mit einem oder mehreren Leistungsverstärkern503 (AMP 1) verbunden sein. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann der Leistungsverstärker503 ein Differentialleistungsverstärker sein. Der Differentialleistungsverstärker AMP1 kann einen oder mehrere Eingänge wie etwa Differentialeingänge501 (Vin 1+) und502 (Vin 1–) umfassen, wobei der Eingang501 ein positiver Signaleingang sein kann und der Eingang502 ein negativer Signaleingang sein kann. Außerdem kann der Verstärker AMP1 Ausgänge wie etwa Differentialausgänge504 und505 umfassen, wobei der Ausgang504 ein positiver Ausgang sein kann und der Ausgang505 ein negativer Ausgang sein kann. Die Ausgänge504 ,505 können gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung mit der primären Wicklung506 des Transformators verbunden werden. - Wie weiterhin in
4 gezeigt, kann bei Verwendung eines Differentialverstärkers jedes Segment der primären Wicklung506 einen entsprechenden mittigen Abgreifanschluss510 ,511 aufweisen. Der mittlere Abgreifanschluss510 ,511 kann bei virtuellen Wechselstromerden liegen, wenn Differentialsignale durch einen Differentialleistungsverstärker für die primäre Wicklung506 mit mehreren Wicklungen erzeugt werden. Die Versorgungsspannung des Differentialverstärkers kann durch die mittleren Abgreifanschlüsse510 ,511 zugeführt werden. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann ein erster Abstimmungsblock512 an dem mittleren Abgreifanschluss510 für das erste Segment der primären Wicklung506 mit mehreren Segmenten vorgesehen werden. Entsprechend kann ein zweiter Abstimmungsblock513 an einem mittleren Abgreifanschluss513 für das zweite Segment der primären Wicklung506 mit mehreren Segmenten vorgesehen werden. Die Abstimmungsblöcke512 ,513 können gemäß einer beispielhaften Ausführungsform betrieben werden, um die Frequenzbänder zu steuern, einzustellen, zu filtern oder auf andere Weise abzustimmen. Zum Beispiel können die Abstimmungsblöcke512 ,513 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung Resonanzschaltungen sein, die betrieben werden können, um eine oder mehrere Frequenzkomponenten wahlweise zu verstärken oder zu unterdrücken. -
5 zeigt ein beispielhaftes Layout für einen Transformator gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung, der einen oder mehrere Abstimmungsblöcke verwendet. Der Transformator kann gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung eine Vielzahl von Segmenten der primären Wicklung umfassen, die induktiv mit einer sekundären Wicklung verbunden sind. Wie in5 gezeigt, können zwei primäre Segmente607 ,608 (einer primären Wicklung mit mehreren Segmenten), die jeweils eine einzelne Windung (N1 = 1) aufweisen, und eine sekundäre Wicklung609 mit zwei Windungen (N2 = 2) vorgesehen sein. Beide Segments607 ,608 können über einen gemeinsamen positiven Eingangsanschluss620 und einen gemeinsamen negativen Eingangsanschluss621 mit einem oder mehreren Verstärkern603 (AMP1) verbunden sein. Insbesondere kann der Verstärker ein positives Eingangssignal601 (Vin 1+) und ein negatives Eingangssignal602 (Vin 1–) empfangen und eine positive Ausgabe604 und eine negative Ausgangs605 zu dem entsprechenden gemeinsamen positiven Eingangsanschluss620 und dem gemeinsamen negativen Eingangsanschluss621 geben. - Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann der Leistungsverstärker
603 ein Differentialverstärker sein. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann die Erzeugung von Differentialausgaben604 ,605 durch einen Differentialverstärker zur Folge haben, dass eine virtuelle Wechselstromerde an den mittleren Abgreifanschlüssen612 ,613 in dem ersten und in dem zweiten Segment607 ,608 vorhanden ist. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann die Versorgungsspannung des Differentialverstärkers über die mittleren Abgreifanschlüsse612 ,613 vorgesehen werden. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann ein erster Abstimmungsblock614 mit dem ersten Abgreifanschluss612 verbunden sein, während ein zweiter Abstimmungsblock615 mit dem zweiten mittleren Abgreifanschluss613 verbunden sein kann. Es ist zu beachten, dass der erste und der zweite Abstimmungsblock614 ,615 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung gleichzeitig aus demselben Substrat (aus denselben Substraten) wie der Transformator oder als diskrete Module, die mit dem Transformatorlayout verbunden sind, ausgebildet werden können. Weiterhin können die Abstimmungsblöcke614 ,615 gemäß einer beispielhaften Ausführungsorm der Erfindung jeweils Resonanzschaltungen sein, die betrieben werden, um wahlweise eine oder mehrere Frequenzkomponenten zu verstärken oder zu unterdrücken. -
6 zeigt das Layout eines Transformators in einem Leistungsverstärkungssystem gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung, in dem eine Hilfswicklung neben oder im wesentlichen um einen Teil des Transformators herum angeordnet ist. Insbesondere zeigt6 ein beispielhaftes Layout für den Transformator von5 mit einer zusätzlichen Hilfswicklung702 . Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann die Hilfswicklung702 mit einem Transformator verbunden werden, um die Kopplungsstärke zwischen den primären Segmenten607 ,608 und der sekundären Wicklung609 zu erfassen. Es ist zu beachten, dass die Hilfswicklung702 von6 in Übereinstimmung mit beispielhaften Ausführungsformen der Erfindung variiert werden kann. zum Beispiel kann eine Hilfswicklung für die Leistungserfassung neben einer Seite eines Transformators platziert werden, um die Kopplungsstärke zu erfassen. Gemäß einem anderen Beispiel kann eine Hilfswicklung für die Leistungserfassung neben einer oder einer Vielzahl von Seiten eines Transformators platziert werden, um die Kopplungsstärke zu erfassen. Weiterhin wird eine Hilfswicklung an dem beispielhaften Transformator von6 gezeigt, wobei die Hilfswicklung jedoch auch an anderen Transformatoren (einschließlich den anderen hier beschriebenen Transformatoren) vorgesehen werden kann. - Die Abstimmungsblöcke von
4 –6 können in verschiedener Weise implementiert werden. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung können die Abstimmungsblöcke Resonanzschaltungen umfassen.7A ,7B und7C zeigen einige Beispiele für Resonanzschaltungen, die als Abstimmungsblöcke für die Transformatoren verwendet werden können. -
7A ist ein schematisches Diagramm, das einen Abstimmungsblock gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Wie in7A gezeigt, kann der Abstimmungsblock gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung eine Resonanzschaltung sein, die ein kapazitives Bauelement801 und ein in Reihe damit verbundenes induktives Bauelement802 umfasst. Der Anschluss800 der Resonanzschaltung kann gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung mit einem mittleren Abgreifanschluss eines Segments einer primären Wicklung verbunden sein. Die Resonanzschaltung von7A kann gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung eine assoziierte Resonanzfrequenz fn803 aufweisen. -
7B ist ein weiteres schematisches Diagramm, das einen Abstimmungsblock gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung zeigt. Wie in7B gezeigt, kann der Abstimmungsblock eine Resonanzschaltung sein, die aus einem kapazitiven Bauelement811 besteht, das parallel zu einem induktiven Bauelement812 vorgesehen ist. Der Anschluss810 der Resonanzschaltung kann gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung mit einem mittleren Abgreifanschluss eines Segments einer primären Wicklung verbunden sein. Die Resonanzschaltung kann gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung eine Resonanzfrequenz fn813 aufweisen. -
7C ist ein weiteres schematisches Diagramm eines Abstimmungsblocks gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung. Wie in7C gezeigt, kann eine Resonanzschaltung mit einer Vielzahl von Resonanzfrequenzen wie etwa den Resonanzfrequenzen fn1827 , fn2828 und fn3829 vorgesehen sein. Zum Beispiel können ein kapazitives Bauelement821 und ein induktives Bauelement822 in Reihe verbunden sein, um eine Resonanzfrequenz fn1827 vorzusehen. - Entsprechend kann das kapazitive Bauelement
823 in Reihe mit dem induktiven Bauelement824 verbunden sein, um eine Resonanzfrequenz fn2828 vorzusehen. Außerdem kann das kapazitive Bauelement825 in Reihe mit dem induktiven Bauelement826 verbunden sein, um die Resonanzfrequenz fn3829 vorzusehen. Der Anschluss820 der Resonanzschaltung kann gemäß einer beispielhaften Ausführungsform mit einem mittleren Abgreifanschluss eines Segments einer primären Wicklung verbunden sein. Es ist zu beachten, dass7C eine besondere Konfiguration für eine Resonanzschaltung zeigt, wobei in anderen Ausführungsformen der Erfindung verschiedene Typen von seriellen/parallelen Resonanzschaltungen vorgesehen sein können, ohne dass deshalb der Erfindungsumfang verlassen wird. Weiterhin sind die Abstimmungsblöcke mit den mittleren Abgreifanschlüssen verbunden gezeigt, wobei sie in anderen Ausführungsformen der Erfindung jedoch auch an anderen Positionen mit den primären Wicklungen verbunden sein können. - Es ist zu beachten, dass die Werte und Parameter der kapazitiven und induktiven Bauelemente von
7A –7C derart gewählt werden können, dass eine oder mehrere gewünschte Resonanzfrequenzen vorgesehen werden. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung können die eine oder die mehreren Resonanzfrequenzen des Abstimmungsblocks verwendet werden, um unerwünschte Harmonische zu filtern oder andere Harmonische an der einen oder den mehreren Resonanzfrequenzen zu verstärken oder zu unterdrücken und dadurch die Frequenzen der Kopplung zu steuern. - Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung können die Layouts der hier beschriebenen Transformatoren unter Verwendung eines planaren Aufbaus, eines gestapelten Aufbaus oder eines mehrschichtigen Aufbaus implementiert werden. Bei einem planaren Aufbau können alle Segmente der primären Wicklungen im wesentlichen in derselben Metallschicht platziert werden. Eine sekundäre Wicklung mit mehreren Windungen kann zwischen einem Segment der primären Wicklung und einem anderen Segment der primären Wicklung platziert werden, sodass das eine Segment der primären Wicklung direkt einem anderen Segment der primären Wicklung benachbart ist. Bei dem beispielhaften Aufbau mit einem planaren Substrat von
8 kann ein erstes Segment einer primären Wicklung vollständig auf einer ersten Metallschicht902 ausgebildet werden, während ein zweites Segment der primären Wicklung auch im wesentlichen auf derselben ersten Metallschicht902 ausgebildet werden kann. Entsprechend kann ein sekundäre Wicklung mit mehreren Windungen ebenfalls im wesentlichen auf der Oberflächenschicht zwischen Segmenten der primären Wicklungen ausgebildet werden. Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung können Querschnitte für die primären Segmente oder die sekundären Wicklungen unter Verwendung von einer oder mehreren Durchgangsverbindungen904 geführt werden. - Gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der Erfindung können die Layouts für die Transformatoren auch unter Verwendung eines gestapelten Aufbaus implementiert werden. Bei einem gestapelten Aufbau können alle Segmente der primären Wicklung parallel zueinander benachbart auf einer Metallschicht angeordnet werden, während die sekundäre Wicklung in einer anderen Metallschicht platziert werden kann. Zum Beispiel können in dem Aufbau mit einem gestapelten Substrat von
9 die Segmente der primären Wicklungen auf der Metallschicht1002 ausgebildet werden, während die sekundäre Wicklung auf der Metallschicht1004 ausgebildet werden können. - Gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann der Transformator mit einem anderen gestapelten Aufbau implementiert werden, in dem jedes Segment der primären Wicklung parallel in jeweils einer anderen Schicht platziert wird, wobei aber die Schichten der primären Wicklungen nicht vertikal zueinander benachbart sind, und weiterhin die sekundäre Wicklung mit mehreren Windungen zwischen einer Metallsschicht eines Segments der primären Wicklung und einer anderen Metallschicht eines anderen Segments der primären Wicklung platziert ist, wobei die mehreren Windungen der sekundären Wicklung in mehreren Schichten vorgesehen sind, die über Durchgänge miteinander verbunden sind. Zum Beispiel kann in dem Aufbau mit einem gestapelten Substrat von
10 ein erstes Segment der primären Wicklung auf der Metallschicht1102 ausgebildet sein, während ein zweites Segment der primären Wicklung auf der anderen Metallschicht1106 ausgebildet sein kann. Die einzelne sekundäre Wicklung mit mehreren Windungen kann gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung durch eine Kombination von Metallschichten1104 und1108 gebildet werden und über wenigstens einen Durchgang1110 verbunden sein. Außerdem kann jedes Segment der primären Wicklung entsprechend mit einem gemeinsamen positiven Eingangsanschluss und einem gemeinsamen negativen Eingangsanschluss unter Verwendung von einem oder mehreren Durchgängen verbunden sein (nicht in10 gezeigt). - Gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann der Transformator in einem mehrschichtigen Aufbau implementiert werden. Bei dem mehrschichtigen Aufbau kann jedes Segment der primären Wicklung auf zwei oder mehr Metallschichten ausgebildet und über Durchgänge verbunden werden. Entsprechend kann die sekundäre Wicklung unter Verwendung von zwei oder mehr Schichten ausgebildet und über Durchgänge verbunden werden. Zum Beispiel kann wie in
11 gezeigt ein erstes Segment der primären Wicklung auf einem ersten Teil der ersten Metallschicht1202 und einem ersten Teil der dritten Metallschicht1206 ausgebildet und über wenigstens einen ersten Durchgang1210 verbunden werden. Entsprechend kann ein zweites Segment der primären Wicklung auf einem zweiten Teil der ersten Metallschicht1202 und einem zweiten Teil der dritten Metallschicht1206 ausgebildet und über wenigstens einen zweiten Durchgang1212 verbunden werden. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung kann die einfache sekundäre Wicklung auf der zweiten Metallschicht1204 und der vierten Metallschicht1208 ausgebildet und über wenigstens einen dritten Durchgang1214 verbunden werden. - Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung können der Kern der Leistungsverstärker und die Transformatorwicklungen räumlich voneinander getrennt werden, um die magnetische Kopplung von dem Transformator zu dem Kern der Leistungsverstärker zu reduzieren und damit das Risiko einer Instabilität zu reduzieren. Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung kann der räumlich von dem Kern der Leistungsverstärker getrennte Transformator auf einem separaten Substrat implementiert werden, das durch eine andere Technologie vorgesehen wird. Dementsprechend sind der Transformator und die Leistungsverstärker nicht auf eine bestimmte Herstellungstechnologie beschränkt. Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung kann der räumlich verschränkte Transformator eine kompakte Große aufweisen. Es sind zahlreiche weitere Variationen von Transformatoren und Leistungsverstärkern möglich, ohne dass deshalb der Erfindungsumfang verlassen wird.
Claims (23)
- Leistungsverstärkersystem, das umfasst: einen Leistungsverstärker (
203 ;503 ;603 ), der ein erstes Differentialausgabesignal und ein zweites Differentialausgabesignal erzeugt, eine primäre Wicklung (206 ;312 ;506 ), die aus einer Vielzahl von primären Segmenten (M) besteht, wobei ein erstes Ende jedes primären Segments mit einem ersten gemeinsamen Eingangsanschluss verbunden ist und ein zweites Ende jedes primären Segments mit einem zweiten gemeinsamen Eingangsanschluss verbunden ist, wobei der erste gemeinsame Eingangsanschluss betrieben wird, um das erste Differentialausgabesignal zu empfangen und wobei der zweite gemeinsame Eingangsanschluss betrieben wird, um das zweite Differentialausgabesignal zu empfangen, und eine einfache sekundäre Wicklung (208 ;314 ;508 ), die induktiv mit der Vielzahl von primären Segmenten (M) gekoppelt ist. - Leistungsverstärkersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jedes primäre Segment der primären Wicklung (
206 ;312 ;506 ) eine erste Anzahl von Windungen aufweist und dass die einfache sekundäre Wicklung (208 ;314 ;508 ) eine zweite Anzahl von Windungen aufweist, die größer als die erste Anzahl von Windungen ist. - Leistungsverstärkersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jedes primäre Segment der primären Wicklung (
206 ;312 ;506 ) einen mittleren Abgreifanschluss (210a –m;316a –m;510 ,511 ) aufweist und das System weiterhin umfasst: wenigstens einen Abstimmungsblock (512 ,513 ;614 ,615 ), der mit dem mittleren Abgreifanschluss (210a –m;316a –m;510 ,511 ) für jedes primäre Segment verbunden ist. - Leistungsverstärkersystem nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine Abstimmungsblock (
512 ,613 ;615 ,615 ) eine oder mehrere Resonanzschaltungen umfasst. - Leistungsverstärkersystem nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die eine oder mehreren Resonanzschaltungen ein oder mehrere kapazitive Bauelemente (
801 ;811 ;821 ,823 ,825 ) und ein oder mehrere induktive Bauelemente (802 ;812 ;822 ,824 ,826 ) umfasst. - Leistungsverstärkersystem nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine Abstimmungsblock (
512 ;513 ;614 ,615 ) die Resonanzschaltungen nutzt, um wahlweise eine oder mehrere Frequenzkomponenten zu verstärken oder zu unterdrücken. - Leistungsverstärkersystem nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die primären Segmente (M) der primären Wicklung (
206 ;312 ;506 ) relativ zu der einzelnen sekundären Wicklung (208 ;314 ;508 ) derart angeordnet sind, dass der Fluss oder die Ströme, die durch die primären Segmente (M) in der sekundären Wicklung (208 ;314 ;508 ) induziert werden, in ihrer Phase summiert werden. - Leistungsverstärkersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die sekundäre Wicklung (
208 ;314 ;508 ) zwischen primären Segmenten (M) mit einer gleichen Stromflussrichtung angeordnet ist, wobei die primären Segmente (M) und die sekundäre Wicklung (208 ;314 ;508 ) unter Verwendung (i) eines planaren Aufbaus, (ii) eines gestapelten Aufbaus oder (iii) eines mehrschichtigen Aufbaus ausgebildet sind. - Leistungsverstärkersystem nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der planare Aufbau eine Metallschicht umfasst, wobei die primären Segmente (M) auf der Metallschicht als im wesentlichen parallele primäre Segments ausgebildet sind und wobei die sekundäre Wicklung (
208 ;314 ;508 ) derart auf der Metallschicht ausgebildet ist, dass die sekundäre Wicklung (208 ;314 ;508 ) zwischen benachbarten primären Segmenten (M) angeordnet ist. - Leistungsverstärkersystem nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der gestapelte Aufbau eine erste Metallschicht und eine zweite Metallschicht gegenüber der ersten Metallschicht umfasst, wobei die primären Segmente (M) auf der ersten Metallschicht ausgebildet sind und die einfache sekundäre Wicklung (
208 ;314 ;508 ) auf der zweiten Metallschicht ausgebildet ist. - Leistungsverstärkersystem nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der gestapelte Aufbau eine erste Metallschicht, eine zweite Metallschicht, eine dritte Metallschicht und eine vierte Metallschicht umfasst, wobei die dritte Metallschicht zwischen der ersten und der zweiten Metallschicht angeordnet ist wobei die zweite Metallschicht zwischen der dritten und der vierten Metallschicht angeordnet ist, wobei ein erstes Segment der primären Segmente (M) auf der ersten Metallschicht ausgebildet ist, wobei ein zweites Segment der primären Segmente (M) auf der zweiten Metallschicht ausgebildet ist, wobei die einfache sekundäre Wicklung (
208 ;314 ;508 ) auf einer Kombination aus der dritten Metallschicht und der vierten Metallschicht ausgebildet ist und wobei die dritte Metallschicht und die vierte Metallschicht über wenigstens einen Durchgang miteinander verbunden sind. - Leistungsverstärkersystem nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der mehrschichtige Aufbau eine erste Metallschicht, eine zweite Metallschicht, eine dritte Metallschicht und eine vierte Metallschicht umfasst, wobei die dritte Metallschicht zwischen der ersten und der zweiten Metallschicht angeordnet ist, wobei die zweite Metallschicht zwischen der dritten und der vierten Metallschicht angeordnet ist, wobei ein erstes Segment der primären Segmente (M) auf einem ersten Teil der ersten Metallschicht und einem ersten Teil der zweiten Metallschicht ausgebildet ist, wobei der erste Teil der ersten Metallschicht und der erste Teil der zweiten Metallschicht über wenigstens einen Durchgang miteinander verbunden sind, wobei ein zweites Segment der primären Segmente (M) auf einem zweiten Teil der ersten Metallschicht und einem zweiten Teil der zweiten Metallschicht ausgebildet ist, wobei der zweite Teil der ersten Metallschicht und der zweite Teil der zweiten Metallschicht über wenigstens einen Durchgang miteinander verbunden sind, wobei die einfache sekundäre Wicklung (
208 ;314 ;508 ) auf der dritten Metallschicht und der vierten Metallschicht ausgebildet ist, und wobei die dritte Metallschicht und die vierte Metallschicht über wenigstens einen dritten Durchgang miteinander verbunden sind. - Leistungsverstärkersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die primäre Wicklung (
206 ;312 ;506 ) und die einfache sekundäre Wicklung (208 ;314 ;508 ) einen Transformator (203 ;503 ;603 ) bilden, wobei das System weiterhin eine Hilfswicklung (702 ) umfasst, die in Machbarschaft zu einer oder mehreren Seiten des Transformators (203 ;503 ;603 ) angeordnet ist, um die Kopplungsstärke zwischen den primären Segmenten (M) der primären Wicklung (206 ;312 ;506 ) und der einfachen sekundären Wicklung (208 ;314 ;508 ) zu erfassen. - Verfahren zum Vorsehen eines Leistungsverstärkersystems, das umfasst: Vorsehen eines Leistungsverstärkers, der ein erstes Differentialausgabesignal und ein zweites Differentialausgabesignal erzeugt, Empfangen des ersten Differentialausgabesignals an einem ersten gemeinsamen Eingangsanschluss und des zweiten Differentialausgabesigrials an einem zweiten gemeinsamen Eingangsanschluss, wobei der erste gemeinsame Eingangsanschluss mit einem erste Ende einer Vielzahl von primären Segmenten verbunden ist, die eine primäre Wicklung bilden, und wobei der zweite gemeinsame Eingangsanschluss mit einem zweiten Ende der Vielzahl von primären Segmenten verbunden ist, und induktives Koppeln der Vielzahl von primären Segmenten mit einer einfachen sekundären Wicklung.
- Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass jedes primäre Segment der primären Wicklung einen mittleren Abgreifanschluss aufweist, wobei das Verfahren weiterhin umfasst: Verbinden wenigstens eines Abstimmungsblocks mit einem mittleren Abgreifanschluss für jedes primäre Segment.
- Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das Verbinden des wenigstens einen Abstimmungsblocks das Verbinden wenigstens eines Abstimmungsblocks umfasst, der eine oder mehrere Resonanzschaltungen umfasst.
- Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine Abstimmungsblock die Resonanzschaltungen nutzt, um wahlweise eine oder mehrere Frequenzkomponenten zu verstärken oder zu unterdrücken.
- Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die einfache sekundäre Wicklung zwischen primären Segmenten mit derselben Stromflussrichtung angeordnet ist, wobei die primären Segmente und die einfache sekundäre Wicklung unter Verwendung (i) eines planaren Aufbaus, (ii) eines gestapelten Aufbaus oder (iii) eines mehrschichtigen Aufbaus ausgebildet sind.
- Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass der planare Aufbau eine Metallschicht umfasst, wobei das Verfahren weiterhin das Ausbilden der primären Segmente auf der Metallschicht als im wesentlichen parallele primäre Segmente und das Ausbilden der sekundären Wicklung auf der Metallschicht derart, dass die sekundäre Wicklung zwischen benachbarten primären Segmenten angeordnet ist, umfasst.
- Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass der gestapelte Aufbau eine erste Metallschicht und eine zweite Metallschicht gegenüber der ersten Metallschicht umfasst, wobei das Verfahren weiterhin das Ausbilden der primären Segmente auf der ersten Metallschicht und das Ausbilden der einzelnen sekundären Wicklung auf der zweiten Metallschicht umfasst.
- Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass der gestapelte Aufbau eine erste Metallschicht, eine zweite Metallschicht, eine dritte Metallschicht und eine vierte Metallschicht umfasst, wobei die dritte Metallschicht zwischen der ersten und der zweiten Metallschicht angeordnet ist, wobei die zweite Metallschicht zwischen der dritte und der vierten Metallschicht angeordnet ist und wobei das Verfahren weiterhin umfasst: Ausbilden des ersten Segments der primären Segmente auf der ersten Metallschicht, Ausbilden eines zweiten Segments der primären Segmente auf der zweiten Metallschicht, und Ausbilden der einfachen sekundären Wicklung auf einer Kombination der dritten Metallschicht und der vierten Metallschicht, wobei die dritte Metallschicht und die vierte Metallschicht über wenigstens einen Durchgang miteinander verbunden sind.
- Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass der mehrschichtige Aufbau eine erste Metallschicht, eine zweite Metallschicht, eine dritte Metallschicht und eine vierte Metallschicht umfasst, wobei die dritte Metallschicht zwischen der ersten und der zweiten Metallschicht angeordnet ist, wobei die zweite Metallschicht zwischen der dritten und der vierten Metallschicht angeordnet ist, und wobei das Verfahren weiterhin umfasst: Ausbilden eines ersten Segments der primären Segmente auf einem ersten Teil der ersten Metallschicht und einem ersten Teil der zweiten Metallschicht, wobei der erste Teil der ersten Metallschicht und der erste Teil der zweiten Metallschicht über wenigstens einen Durchgang miteinander verbunden sind, Ausbilden eines zweiten Segments der primären Segmente auf einem zweiten Teil der ersten Metallschicht und einem zweiten Teil der zweiten Metallschicht, wobei der zweite Teil der ersten Metallschicht und der zweite Teil der zweiten Metallschicht über wenigstens einen ersten Durchgang miteinander verbunden sind, und Ausbilden der einfachen sekundären Wicklung auf der dritten Metallschicht und der vierten Metallschicht, wobei die dritte Metallschicht und die vierte Metallschicht über wenigstens einen dritten Durchgang miteinander verbunden sind.
- Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die primäre Wicklung und die sekundäre Wicklung einen Transformator bilden, wobei das Verfahren weiterhin umfasst: Anordnen einer Hilfswicklung in Nachbarschaft zu einer oder mehreren Seiten des Transformators, um die Kopplungsstärke zwischen den primären Segmenten der primären Wicklung und der einfachen sekundären Wicklung zu erfassen.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/968,862 | 2008-01-03 | ||
US11/968,862 US7576607B2 (en) | 2008-01-03 | 2008-01-03 | Multi-segment primary and multi-turn secondary transformer for power amplifier systems |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102009003891A1 DE102009003891A1 (de) | 2009-07-23 |
DE102009003891B4 true DE102009003891B4 (de) | 2012-06-21 |
Family
ID=40834376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102009003891A Expired - Fee Related DE102009003891B4 (de) | 2008-01-03 | 2009-01-02 | Transformator mit einer primären Wicklung mit mehreren Segmenten und einer sekundären Wicklung mit mehreren Windungen für ein Leistungsverstärkersystem und Verfahren hierfür |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7576607B2 (de) |
KR (1) | KR101079425B1 (de) |
CN (1) | CN101488729B (de) |
DE (1) | DE102009003891B4 (de) |
FI (1) | FI20095002A (de) |
FR (1) | FR2926415A1 (de) |
GB (1) | GB2456065B (de) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7808356B2 (en) | 2004-08-31 | 2010-10-05 | Theta Microelectronics, Inc. | Integrated high frequency BALUN and inductors |
JP5247367B2 (ja) | 2008-11-13 | 2013-07-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Rf電力増幅器 |
US8666340B2 (en) * | 2009-03-03 | 2014-03-04 | Broadcom Corporation | Method and system for on-chip impedance control to impedance match a configurable front end |
CN102714084B (zh) * | 2009-10-12 | 2015-12-02 | 意法爱立信(法国)有限公司 | 具有多个变压比的集成变压器 |
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- 2009-01-05 KR KR1020090000435A patent/KR101079425B1/ko not_active IP Right Cessation
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CN101488729A (zh) | 2009-07-22 |
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