DE102008021640A1 - Schaltung und Verfahren zum Finden von Wortleitung-Bitleitung-Kurzschlüssen in einem DRAM - Google Patents

Schaltung und Verfahren zum Finden von Wortleitung-Bitleitung-Kurzschlüssen in einem DRAM Download PDF

Info

Publication number
DE102008021640A1
DE102008021640A1 DE102008021640A DE102008021640A DE102008021640A1 DE 102008021640 A1 DE102008021640 A1 DE 102008021640A1 DE 102008021640 A DE102008021640 A DE 102008021640A DE 102008021640 A DE102008021640 A DE 102008021640A DE 102008021640 A1 DE102008021640 A1 DE 102008021640A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
word line
voltage
line
power supply
tested
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102008021640A
Other languages
English (en)
Inventor
Thomas Vogelsang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Polaris Innovations Ltd
Original Assignee
Qimonda AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qimonda AG filed Critical Qimonda AG
Publication of DE102008021640A1 publication Critical patent/DE102008021640A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
    • G11C29/025—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in signal lines
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/83—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with reduced power consumption
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C2029/1202—Word line control

Landscapes

  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

Verfahren und Gerät zum Testen auf einen Kurzschluss zwischen einer Wortleitung, die getestet wird, und einer Bitleitung in einer Speichervorrichtung. Das Verfahren umfasst ein Anlegen einer ersten Spannung an die Bitleitung unter Verwendung einer ersten Spannungsquelle und ein Anlegen einer zweiten Spannung an die Wortleitung, die getestet wird, unter Verwendung einer zweiten Spannungsquelle. Das Verfahren umfasst ferner ein Trennen der Wortleitung, die getestet wird, von der zweiten Spannungsquelle; und nach dem Trennen der Wortleitung, die getestet wird, von der zweiten Spannungsquelle, ein Aktivieren der Wortleitung, die getestet wird, wodurch die Wortleitung, die getestet wird, mit einer Wortleitungsleistungsversorgungsleitung verbunden wird. Es wird eine Bestimmung getroffen, ob eine Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung einen Kurzschluss zwischen der Wortleitung, die getestet wird, und der Bitleitung anzeigt. Die Bestimmung basiert auf der Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung bezüglich der ersten Spannung und der zweiten Spannung.

Description

  • Diese Anmeldung ist mit der US-Patentanmeldung mit der Seriennummer 11/240,981, Anwaltsaktenzeichen INFN/EH0181, eingereicht am 29. September 2005 durch Martin Versen u. a., veröffentlicht als US2007/0070745A1 , mit dem Titel REDUNDANT WORDLINE DEACTIVATION SCHEME, verwandt. Diese verwandte Patentanmeldung ist hierin in ihrer Gesamtheit unter Bezugnahme eingegliedert.
  • Viele neuere elektronische Vorrichtungen enthalten einen Digitalspeicher (z. B. einen dynamischen Direktzugriffsspeicher, DRAM; DRAM = dynamic random access memory). Jeder Speicher kann verwendet werden, um Informationen für eine Digitalvorrichtung zu speichern. Benutzer derartiger elektronischer Vorrichtungen verlangen in der Regel große Speichermengen in einem kleinen Baustein. Wenn die elektronischen Vorrichtungen tragbar (z. B. batteriebetrieben) sind, verlangen Benutzer unter Umständen auch elektronische Vorrichtungen, die nicht so viel Leistung aufnehmen und somit eine längere Batteriebetriebsdauer aufweisen. Hersteller von elektronischen Vorrichtungen verlangen somit in der Regel kleine Speicher mit hoher Dichte und niedriger Leistungsaufnahme.
  • Um den Bedarf an kleinen Speichern mit hoher Dichte zu decken, erzeugen Speicherhersteller üblicherweise Speicherchips mit den kleinsten verfügbaren Merkmalen (z. B. Transistoren und Steuerleitungen) und mit dicht gepackten Speicherzellen. Da jedoch die Größe von Merkmalen in einem Speicherchip schrumpft und die Speicherdichte eines Speicherchips sich vergrößert, können Fehler in dem Herstellungsprozess mehr defekte Speicher mit hohen Kosten für den Hersteller verursachen.
  • Ein Beispiel eines möglichen Defekts in einer Speichervorrichtung ist ein Kurzschluss (z. B. eine unbeabsichtigte elektrische Verbindung) zwischen einer defekten Wortleitung und einer Bitleitung einer Speichervorrichtung. Wortleitungen und Bitleitungen sind Leitungen in einer Speichervorrichtung, die verwendet werden, um auf eine Speicherzelle (z. B. an der Verbindung der Wortleitung mit der Bitleitung) in der Speichervorrichtung zuzugreifen. An der Stelle, an der eine Wortleitung und eine Bitleitung kurzgeschlossen sind, kann auf die Speicherzelle, die sich an der Verbindung der Wortleitung mit der Bitleitung befindet, unter Umständen in manchen Fällen nicht zugegriffen werden, was somit eine defekte Speicherzelle und eine defekte Speichervorrichtung zur Folge hat.
  • Um die Anzahl von defekten Speichervorrichtungen zu reduzieren, die sich aus defekten Wortleitungen und/oder Bitleitungen ergeben, schaffen viele Hersteller Speichervorrichtungen mit redundanten Wortleitungen und/oder Bitleitungen. Beispielsweise kann an Stellen, an denen der Hersteller eine defekte Wortleitung erfasst, die Speichervorrichtung anstelle der defekten Wortleitung eine redundante Wortleitung benutzen. Wenn eine Speichervorrichtung eine redundante Wortleitung anstelle einer defekten Wortleitung verwendet, kann die defekte Wortleitung als eine reparierte Wortleitung bezeichnet werden.
  • Auch wenn ein Reparieren einer defekten Wortleitung verhindern kann, dass eine Speichervorrichtung Daten verliert, verbleibt die defekte Wortleitung unter Umständen im Kurzschluss mit einer Bitleitung. In manchen Fällen, in denen eine defekte Wortleitung mit einer Bitleitung kurzgeschlossen ist, fließt unter Umständen Strom zwischen der defekten Wortleitung und der Bitleitung, wodurch sich die Leistungs aufnahme der Speichervorrichtung erhöht. Es besteht demzufolge eine Notwendigkeit, nicht nur die defekte Wortleitung zu reparieren, sondern auch die Leistungsaufnahme der Speichervorrichtung aufgrund der defekten Wortleitung zu reduzieren.
  • Ferner ist es im Allgemeinen erwünscht, Reparaturoperationen schnell durchzuführen, um die Zeit, die benötigt wird, um eine Speichervorrichtung zu testen, zu reduzieren, wodurch die Gesamtkosten der Speichervorrichtung reduziert werden. Ferner kann zum Aufrechterhalten von niedrigen Gesamtkosten der Speichervorrichtung ein Wunsch bestehen, defekte Wortleitungen zu lokalisieren, ohne die Komplexität des Testverfahrens und/oder der Speichervorrichtung zu erhöhen.
  • Es besteht demzufolge Bedarf an einem verbesserten Verfahren und einem verbesserten Gerät zum Lokalisieren und Reparieren von defekten Wortleitungen.
  • Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Testen auf einen Kurzschluss zwischen einer Wortleitung, die getestet wird, und einer Bitleitung in einer Speichervorrichtung und eine dynamische Direktzugriffsspeichervorrichtung mit verbesserten Charakteristika zu schaffen.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 15 und eine dynamische Direktzugriffsspeichervorrichtung gemäß Anspruch 8, 20 oder 25 gelöst.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung stellen in der Regel ein Verfahren und ein Gerät zum Testen auf einen Kurzschluss zwischen einer Wortleitung, die getestet wird, und einer Bitleitung in einer Speichervorrichtung bereit. Das Verfahren umfasst ein Anlegen einer ersten Spannung an die Bitleitung unter Verwendung einer ersten Spannungsquelle und ein Anlegen einer zweiten Spannung an die Wortleitung, die getestet wird, unter Verwendung einer zweiten Spannungsquelle. Das Verfahren umfasst ferner ein Trennen der Wortleitung, die getestet wird, von der zweiten Spannungsquelle; und nach dem Trennen der Wortleitung, die getestet wird, von der zweiten Spannungsquelle ein Aktivieren der Wortleitung, die getestet wird, wodurch die Wortleitung, die getestet wird, mit einer Wortleitungsleistungsversorgungsleitung verbunden wird. Es wird eine Bestimmung vorgenommen, ob eine Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung einen Kurzschluss zwischen der Wortleitung, die getestet wird, und der Bitleitung anzeigt. Die Bestimmung basiert auf der Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung bezüglich der ersten Spannung und der zweiten Spannung.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung stellt eine dynamische Direktzugriffsspeichervorrichtung bereit, die eine Wortleitung, eine Wortleitungsleistungsversorgungsleitung, eine Bitleitung und eine Schaltungsanordnung, die konfiguriert ist, um eine Testoperation auf einen Kurzschluss zwischen der Wortleitung und der Bitleitung durchzuführen, umfasst. Während der Testoperation ist die Schaltungsanordnung konfiguriert, um unter Verwendung einer ersten Spannungsquelle eine erste Spannung an die Bitleitung anzulegen und unter Verwendung einer zweiten Spannungsquelle eine zweite Spannung an die Wortleitung anzulegen. Die Schaltungsanordnung ist auch konfiguriert, um die Wortleitung von der zweiten Spannungsquelle zu trennen, und, nachdem sie die Wortleitung von der zweiten Spannungsquelle getrennt hat, die Wortleitung zu aktivieren, wodurch sie die Wortleitung, die getestet wird, mit der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung verbindet. Die Schaltungsanordnung ist ferner konfiguriert, zu bestimmen, ob eine Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung einen Kurzschluss zwischen der Wortleitung und der Bitleitung anzeigt. Das Bestimmen basiert auf der Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung bezüglich der ersten Spannung und der zweiten Spannung.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung stellt auch ein Verfahren zum Testen auf einen Kurzschluss zwischen einer Wortlei tung, die getestet wird, und einer Bitleitung in einer Speichervorrichtung bereit. Das Verfahren umfasst ein Anlegen einer ersten Bitleitungsspannung an die Bitleitung unter Verwendung einer ersten Spannungsquelle und einer Wortleitung-Aus-Spannung an die Wortleitung, die getestet wird, unter Verwendung einer zweiten Spannungsquelle. Das Verfahren umfasst auch ein Anlegen einer Vorladespannung an die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung unter Verwendung einer dritten Spannungsquelle. Das Verfahren umfasst ferner ein Trennen der Wortleitung, die getestet wird, von der zweiten Spannungsquelle und ein Trennen der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung von der dritten Spannungsquelle. Nach dem Trennen der Wortleitung, die getestet wird, von der zweiten Spannungsquelle und dem Trennen der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung von der dritten Spannungsquelle, wird die Wortleitung, die getestet wird, mit der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung verbunden, und es wird eine Bestimmung getroffen, ob eine Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung einen Kurzschluss zwischen der Wortleitung, die getestet wird, und der Bitleitung anzeigt. Das Bestimmen basiert auf der Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung bezüglich der ersten Bitleitungsspannung und der Wortleitung-Aus-Spannung.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung stellt ferner eine dynamische Direktzugriffsspeichervorrichtung bereit, die eine Wortleitung, eine Wortleitungsleistungsversorgungsleitung, die mit der Wortleitung verbindbar ist, eine Bitleitung und eine Schaltungsanordnung, die konfiguriert ist, um eine Testoperation auf einen Kurzschluss zwischen der Wortleitung und der Bitleitung durchzuführen, umfasst. Während der Testoperation ist die Schaltungsanordnung konfiguriert, um unter Verwendung einer ersten Spannungsquelle eine erste Bitleitungsspannung an die Bitleitung anzulegen und unter Verwendung einer zweiten Spannungsquelle eine Wortleitung-Aus-Spannung an die Wortleitung anzulegen. Die Schaltungsanordnung ist auch konfiguriert, um unter Verwendung einer dritten Spannungsquelle eine Vorladespannung an die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung anzulegen, die Wortleitung von der zweiten Spannungsquelle zu trennen, und die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung von der dritten Spannungsquelle zu trennen. Nach dem Trennen der Wortleitung von der zweiten Spannungsquelle und dem Trennen der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung von der dritten Spannungsquelle ist die Schaltungsanordnung konfiguriert, um die Wortleitung mit der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung zu verbinden und zu bestimmen, ob eine Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung einen Kurzschluss zwischen der Wortleitung und der Bitleitung anzeigt. Das Bestimmen basiert auf der Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung bezüglich der ersten Bitleitungsspannung und der Wortleitung-Aus-Spannung.
  • Ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung stellt eine dynamische Direktzugriffsspeichervorrichtung bereit, die eine Wortleitung, eine Bitleitung, eine Wortleitungsleistungsversorgungsleitung und eine Leistungsversorgungsverbindungsschaltungsanordnung, die konfiguriert ist, um die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung mit zumindest entweder einer Vorladespannung oder einer Wortleitungsaktivierungsspannung zu verbinden, umfasst. Die Speichervorrichtung umfasst auch eine Wortleitungsverbindungsschaltungsanordnung, die konfiguriert ist, um die Wortleitung mit der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung zu verbinden und von derselben zu trennen, und eine Steuerschaltungsanordnung, die konfiguriert ist, um eine Testoperation auf einen Kurzschluss zwischen der Wortleitung und der Bitleitung durchzuführen. Während der Testoperation ist die Steuerschaltungsanordnung konfiguriert, um unter Verwendung einer ersten Spannungsquelle eine erste Bitleitungsspannung an die Bitleitung anzulegen und unter Verwendung einer Wortleitung-Aus-Spannungsquelle eine Wortleitung-Aus-Spannung an die Wortleitung anzulegen. Die Steuerschaltungsanordnung ist auch konfiguriert, um unter Verwendung der Leistungsversorgungsverbindungsschaltungsanordnung die Vorladespannung an die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung anzulegen, und unter Verwendung der Leistungsversorgungsverbindungsschaltungsanordnung die Wortleitung von der Wortleitung-Aus-Spannungsquelle zu trennen und die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung von der Vorladespannung zu trennen. Die Steuerschaltungsanordnung ist ferner konfiguriert, um die Wortleitung unter Verwendung der Wortleitungsverbindungsschaltungsanordnung mit der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung zu verbinden und nach dem Verbinden der Wortleitung mit der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung zu bestimmen, ob eine Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung einen Kurzschluss zwischen der Wortleitung und der Bitleitung anzeigt. Das Bestimmen basiert auf der Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung bezüglich der ersten Bitleitungsspannung und der Wortleitung-Aus-Spannung.
  • Damit die Art und Weise der die im Vorhergehenden aufgeführten Merkmale der vorliegenden Erfindung im Detail verstanden werden kann, kann eine spezifischere Beschreibung der Erfindung, die im Vorhergehenden kurz zusammengefasst ist, durch Bezugnahme auf Ausführungsbeispiele erhalten werden, von denen einige in den angehängten Zeichnungen veranschaulicht sind. Es sei jedoch darauf hingewiesen, dass die angehängten Zeichnungen lediglich typische Ausführungsbeispiele dieser Erfindung veranschaulichen und somit nicht so verstanden werden sollen, dass sie den Schutzbereich derselben beschränken, da die Erfindung unter Umständen auch andere gleich wirksame Ausführungsbeispiele anerkennt.
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1A–B Blockdiagramme, die Aspekte einer Speichervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellen;
  • 2 ein Blockdiagramm, das eine Wortleitungsdecoderschaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellt;
  • 3A–D Flussdiagramme und Zeitdiagramme, die Prozesse zum Testen und Betreiben einer Speichervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellen; und
  • 4A–B Blockdiagramme, die eine Wortleitungszugriffsschaltungsanordnung gemäß Ausführungsbeispielen der Erfindung darstellen.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung stellen im Allgemeinen ein Verfahren und ein Gerät zum Testen auf einen Kurzschluss zwischen einer Wortleitung, die getestet wird, und einer Bitleitung in einer Speichervorrichtung bereit. Das Verfahren umfasst ein Anlegen einer ersten Spannung an die Bitleitung unter Verwendung einer ersten Spannungsquelle und ein Anlegen einer zweiten Spannung an die Wortleitung, die getestet wird, unter Verwendung einer zweiten Spannungsquelle. Das Verfahren umfasst ferner ein Trennen der Wortleitung, die getestet wird, von der zweiten Spannungsquelle; und nach dem Trennen der Wortleitung, die getestet wird, von der zweiten Spannungsquelle, ein Aktivieren der Wortleitung, die getestet wird, wodurch die Wortleitung, die getestet wird, mit einer Wortleitungsleistungsversorgungsleitung verbunden wird. Es wird eine Bestimmung getroffen, ob eine Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung einen Kurzschluss zwischen der Wortleitung, die getestet wird, und der Bitleitung anzeigt. Die Bestimmung basiert auf der Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung bezüglich der ersten Spannung und der zweiten Spannung.
  • Auch wenn sie nachfolgend mit Bezug auf Wortleitungen in einem Speicherarray einer Speichervorrichtung beschrieben sind, können Ausführungsbeispiele der Erfindung in einer Speichervorrichtung, die mehrere Speicherarrays enthält, verwendet werden. Ausführungsbeispiele können in Speichervorrichtungen mit einer segmentierten Wortleitungsarchitektur (in der beispielsweise eine Hauptwortleitung verwendet wird, um auf eine lokale Wortleitung zuzugreifen, was auch als eine hierarchische Wortleitungsarchitektur bezeichnet wird) eingesetzt werden. Wenn die segmentierte Wortleitungsarchitektur implementiert ist, kann die alleinige Verwendung des Begriffs „Wortleitung" verwendet werden, um auf eine individuelle lokale Wortleitung Bezug zu nehmen. Ausführungsbeispiele können auch in Speichervorrichtungen mit einer zusammengesetzten Wortleitungsarchitektur eingesetzt werden, beispielsweise in solchen, in denen eine Polysilizium-Wortleitung an mehreren Punkten durch Zusammenfügungen (stitches; elektrische Verbindungen, die manchmal als Bänder (straps) bezeichnet werden) mit einer Schicht aus Metall mit geringem Widerstand elektrisch verbunden („gestitched") ist.
  • Nachfolgend verwendete Signalnamen sind exemplarische Namen, die Signalpegel anzeigen, die verwendet werden, um verschiedene Funktionen in einer gegebenen Speichervorrichtung durchzuführen. In manchen Fällen kann der relative Pegel derartiger Signale von Vorrichtung zu Vorrichtung variieren. Ferner sind die nachfolgend beschriebenen und in den Figuren dargestellten Schaltungen und Vorrichtungen lediglich exemplarisch für Ausführungsbeispiele der Erfindung. Wie für Durchschnittsfachleute auf dem Gebiet klar zu erkennen ist, können Ausführungsbeispiele der Erfindung mit einer beliebigen Speichervorrichtung verwendet werden, die defekte Wortleitungen enthält.
  • Eine exemplarische Speichervorrichtung
  • 1 ist ein Blockdiagramm, das eine Speichervorrichtung 100 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellt. Die Speichervorrichtung 100 kann Adresseingaben und Be fehlseingaben umfassen. Die Adresseingaben können von einem Adressenpuffer 104 empfangen werden, und die Befehlseingaben können von einem Befehlsdecoder 102 empfangen werden. Die Adresseingaben können von einem Wortleitungsdecoder 122 und einem Spaltendecoder 124 zum Zugreifen auf Speicherzellen in einem Speicherarray 120 verwendet werden. In manchen Fällen kann unter Verwendung von einem oder mehreren Wortleitungsdecodern 122 und einem oder mehreren Spaltendecodern 124 auf mehrere Speicherarrays 120 zugegriffen werden.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel kann der Spaltendecoder 124 Bitleitungen 130 des Speicherarrays 120, auf die zugegriffen werden soll, auswählen. In ähnlicher Weise kann der Wortleitungsdecoder 122 Wortleitungen 128, auf die zugegriffen werden soll, auswählen. In manchen Fällen kann ein Zugriff basierend auf einer Adresse stattfinden, die durch die Speichervorrichtung 100 von einer externen Quelle empfangen wird. Optional kann der Zugriff basierend auf einer Adresse stattfinden, die intern erzeugt wird. Weitere Schaltungsanordnungen wie beispielsweise Leseverstärker, Ausgabepuffer, Datenstrobeschaltungen usw. (nicht dargestellt) können ebenfalls verwendet werden, um auf das Speicherarray 120 zuzugreifen und Daten aus demselben auszugeben.
  • Das Speicherarray 120 enthält in der Regel eine Mehrzahl von Speicherzellen. Jede Speicherzelle kann sich an dem Schnittpunkt einer Wortleitung 128 und einer Bitleitung 130 befinden und kann verwendet werden, um ein Informationsbit für die Speichervorrichtung 100 zu speichern. Wenn auf eine gegebene Zeile von Speicherzellen in dem Speicherarray 120 zugegriffen wird (z. B. durch eine Lese-, Schreib- oder Auffrischoperation), kann in manchen Fällen eine Wortleitung 128 in dem Speicherarray 120, die einer gegebenen Adresse entspricht, aktiviert werden. In manchen Fällen kann die Aktivierung durch einen expliziten Befehl (ACT), der an die Speichervorrichtung 100 ausgegeben wird, ausgelöst werden. Nachdem die Wortleitung 128 aktiviert worden ist und auf die Speicherzel len zugegriffen worden ist, können die Bitleitungen 130 in dem Speicherarray 120 vorgeladen werden. In manchen Fällen kann die Vorladung auch durch einen expliziten Befehl (PRE), der an die Speichervorrichtung 100 ausgegeben wird, ausgelöst werden. Das Aktivieren und Vorladen werden nachfolgend ausführlicher beschrieben.
  • Wenn eine Speicheradresse aktiviert wird, kann ein Wortleitungstreiber für eine Wortleitung 128, die der Adresse, auf die zugegriffen wird, entspricht, die Wortleitung 128 auf eine hohe Spannung treiben (die als die Wortleitung-Ein-Spannung, VWLON; VWLON = wordline on voltage, bezeichnet wird). Wenn die Wortleitung 128 auf VWLON getrieben wird, können der eine oder die mehreren Zugriffstransistoren, die sich an dem Schnittpunkt der Wortleitung 128 mit einer Bitleitung 130 befinden, aktiviert (z. B. eingeschaltet) werden, wodurch ermöglicht wird, dass auf die Speicherzellen, die sich an dem Schnittpunkt der Wortleitungen 128 mit den Bitleitungen 130 befinden, zugegriffen werden kann.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel können, nachdem eine Wortleitung 128 in dem Speicherarray 120 aktiviert worden ist, Bitleitungen 130 in dem Speicherarray 120 vorgeladen werden. Wenn die Vorladung eingeleitet wird, kann jede Wortleitung 128 in dem Speicherarray 120 auf die niedrige Wortleitungsspannung VNWLL gesenkt werden, wodurch die Bitleitungen 130 elektrisch von den Speicherzellen in dem Speicherarray 120 getrennt werden. Wie es im Vorhergehenden beschrieben ist, können die Bitleitungen 130, wenn die Bitleitungen 130 von den Speicherzellen getrennt werden, auf eine Spannung (VBLEQ) getrieben werden, die mittig zwischen der Spannung, die einem logisch hohen Bitleitungspegel (VBLH) entspricht, und der Spannung, die einem logisch niedrigen Bitleitungspegel (VBLL) entspricht, liegt, wie beispielsweise (VBLH + VBLL)/2). Durch Vorladen der Bitleitungen 130 auf VBLEQ kann während einer nachfolgenden Operation, wenn die Werte, die in den Speicherzellen gespeichert sind, unter Verwendung der Bitleitungen 130 erfasst werden, ein kleinerer Spannungshub erforderlich sein, um die Bitleitungen 130 auf die Spannung zu treiben, die dem gespeicherten logischen Wert (z. B. VBLH für einen gespeicherten hohen logischen Pegel oder VBLL für einen gespeicherten niedrigen logischen Pegel) entspricht und dadurch den in den Speicherzellen gespeicherten Wert zu erfassen. VBLEQ kann auch mittig (oder annähernd mittig) zwischen der Wortleitung-Ein-Spannung VWLON und der Wortleitung-Aus-Spannung VNWLL liegen.
  • Wie im Vorhergehenden erwähnt, kann in manchen Fällen die Speichervorrichtung 100 einen Defekt wie beispielsweise einen Kurzschluss 140 zwischen einer Wortleitung 1281 und einer Bitleitung 1302 aufweisen. Um zu verhindern, dass ein derartiger Effekt dazu führt, dass eine Speichervorrichtung 100 defekt ist, kann die Speichervorrichtung 100 eine Schaltungsanordnung enthalten, die verwendet wird, um defekte Wortleitungen zu reparieren, wie es nachfolgend beschrieben ist.
  • 1B ist ein Blockdiagramm, das eine Anordnung einer Speicherzelle 120 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellt. Das Array 120 kann in einer Mehrzahl von Blöcken angeordnet sein. Wenn eine segmentierte Speicherarchitektur implementiert ist, kann jeder Block mehrere Segmente umfassen, wobei jedes Segment eine Mehrzahl von lokalen Wortleitungen 128 umfasst. Während der Wortleitungsauswahl kann der Wortleitungsdecoder 122 eine Hauptwortleitung auswählen, und der Spaltendecoder 124 kann eine Spalte auswählen, die ein Segment, auf das zugegriffen werden soll, enthält. Über Lokalwortleitungssignalwege 126 können der Lokalwortleitungsdecoderschaltungsanordnung (auch als Centrone (centrons) bezeichnet) 134, die verwendet werden kann, um eine lokale Wortleitung 128 auszuwählen, Lokalwortleitungsauswahlsignale bereitgestellt werden. Auf die durch die Hauptwortleitungsauswahl, Spaltenauswahl und Lokalwortleitungsauswahl identifizierte lokale Wortleitung 128 kann dann zugegriffen werden, beispielsweise unter Verwendung eines Segmenttreibers, der sich auf den Lokalwortleitungssignalwegen 126 befindet. Während eines Lesezugriffs können Daten, auf die über die ausgewählte lokale Wortleitung 128 zugegriffen wird, über entsprechende Bitleitungen 130 den Leseverstärkern in einem Leseverstärkerstreifen 132 bereitgestellt werden.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel kann auf die Wortleitungen 128 in jedem Block unter Verwendung einer Wortleitungsdecodersteuerschaltung 202, wie sie in 2 dargestellt ist, zugegriffen werden. Beispielsweise kann die Wortleitungsdecodersteuerschaltung 202 Adressdaten von dem Adressenpuffer 104 empfangen und Informationen von der Steuerschaltung 110 steuern, die verwendet werden können, um auf die geeignete Wortleitung zuzugreifen. Eine defekte Wortleitung 128 in einem Block kann durch Testen der Speichervorrichtung 100 erfasst werden. Testverfahren sind nachfolgend ausführlicher beschrieben. Um zu verhindern, dass eine defekte Wortleitung 1281 zur Folge hat, dass eine Speichervorrichtung 100 defekt ist, kann die Speichervorrichtung 100 eine Schaltungsanordnung enthalten, die verwendet wird, um die defekte Wortleitung 1281 durch eine andere Wortleitung (beispielsweise eine Wortleitung 1283 ) in der Speichervorrichtung 100 zu ersetzen. Eine Wortleitung, die verwendet wird, um eine defekte Wortleitung 1281 zu ersetzen, kann als eine redundante Wortleitung 1283 bezeichnet werden. Andere Wortleitungen, die nicht defekt sind und keine redundanten Wortleitungen sind (beispielsweise Wortleitung 1282 ) können als gute Wortleitungen bezeichnet werden.
  • Wenn eine defekte Wortleitung 1281 erfasst wird, können Sicherungen und eine Reparaturschaltungsanordnung 204 verwendet werden, um die defekte Wortleitung 1281 durch eine redundante Wortleitung 1283 zu ersetzen. Optional kann in einer segmentierten Wortleitungsarchitektur, in der ein gegebenes Segment eine defekte lokale Wortleitung enthält, das gesamte Segment durch ein weiteres redundantes Segment ersetzt wer den, auf das über eine redundante Hauptwortleitung zugegriffen werden kann. Die Sicherungen und die Reparaturschaltungsanordnung 204 können eine oder mehrere Adressen der defekten Wortleitungen 1281 aufzeichnen, beispielsweise durch elektronisches Programmieren einer oder mehrerer Sicherungen. Die Sicherungen und die Reparaturschaltungsanordnung 204 können auch verwendet werden, um den Ort der einen oder mehreren redundanten Wortleitungen 1283 aufzuzeichnen, die anstelle der defekten Wortleitung(en) 1281 zu verwenden sind. Informationen über defekte und redundante Wortleitungen können auch in Typen eines nichtflüchtigen Speichers, die keine Sicherungen sind, wie beispielsweise ein Flash-Speicher und/oder ein elektrisch programmierbarer Nur-Lese-Speicher (EPROM; EPROM = electrically programmable read-only memory) gespeichert werden.
  • Nachdem die Sicherungen und die Reparaturschaltungsanordnung 204 mit den Testergebnissen programmiert worden sind, können die Sicherungen und die Reparaturschaltungsanordnung 204 verwendet werden, um einen Versuch eines Zugriffs auf die defekte Wortleitung 1281 zu erfassen. Wenn die Speichervorrichtung 100 eingeschaltet wird, kann beispielsweise durch die Wortleitungssteuerschaltung 202 und/oder andere Steuerleitungen in dem Wortleitungsdecoder 122 die aufgezeichnete Adresse aus den Sicherungen und der Reparaturschaltungsanordnung gelesen werden. Wenn der Wortleitungsdecoder 122 eine Aufforderung zum Zugreifen auf eine gegebene Adresse empfängt, kann der Wortleitungsdecoder 122 die angeforderte Adresse mit einer oder mehreren aufgezeichneten Adressen, die defekten Wortleitungen 1281 entsprechen, vergleichen.
  • Wenn der Wortleitungsdecoder 122 einen Zugriff auf die aufgezeichnete Adresse erfasst, die der defekten Wortleitung 1281 entspricht, kann statt dessen auf die redundante Wortleitung 1283 zugegriffen werden. Die redundante Wortleitung 1283 kann beispielsweise auf eine Wortleitung-Ein-Spannung (VWLON) getrieben werden, während eine beliebige und alle defekten Wortleitungen (beispielsweise Wortleitung 1281 ) in einem gegebenen Block 126 auf die Wortleitung-Aus-Spannung VNWLL getrieben werden können, wodurch auf Speicherzellen, die anstelle der defekten Wortleitung 1281 von der redundanten Wortleitung 1283 gesteuert werden, zugegriffen wird. Durch Treiben einer beliebigen und aller defekten Wortleitungen in einem gegebenen Block 126 auf die Wortleitung-Aus-Spannung VNWLL kann eine zusätzliche Kapazität, die mit den Bitleitungen 130 verbunden wäre (beispielsweise aufgrund von Speicherzellen, auf die durch die defekten Wortleitungen zugegriffen wird), reduziert werden (beispielsweise durch Sperren der Zugriffstransistoren für diese Speicherzellen), wodurch der Signalspielraum für die Bitleitungen 130 in dem Block 126 vergrößert wird. Auch kann durch Zugreifen auf die redundante Wortleitung 1283 anstelle der defekten Wortleitung 1281 die Speichervorrichtung ordnungsgemäß auf sich an der aufgezeichneten Adresse befindende Daten zugreifen. Wird eine defekte Wortleitung 1281 ordnungsgemäß durch eine redundante Wortleitung 1283 ersetzt, kann die defekte Wortleitung 1281 auch als eine reparierte Wortleitung 1281 (oder eine defekte und reparierte Wortleitung 1281 ) bezeichnet werden.
  • Es kann also die defekte Wortleitung 1281 repariert werden und die redundante Wortleitung 1283 anstelle der reparierten Wortleitung 1281 verwendet werden, wodurch verhindert wird, dass die Speichervorrichtung 100 defekt ist. Während des Vorladens kann es jedoch sein, dass durch den Kurzschluss 140 Strom von der reparierten Wortleitung 1281 , die auf VNWLL gehalten wird, zu der Bitleitung 1302 , die auf VBLEQ gehalten wird, fließt, wodurch Leistung aufgenommen wird. Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung kann eine Leistungsaufnahme in einer defekten und reparierten Wortleitung 1281 durch Verwenden einer Deaktivierungsschaltungsanordnung 206, um die Spannung der reparierten Wortleitung während des Vorladens auf VBLEQ zu ändern, verringert oder beseitigt werden.
  • Erfassen und Reparieren von defekten Wortleitungen
  • 3A veranschaulicht Operationen 350 zum Testen auf und Reduzieren von einer Leistungsaufnahme einer Speichervorrichtung 100 aufgrund einer defekten Wortleitung 1281 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. Der Prozess 350 kann bei Schritt 352 beginnen, in dem jede Wortleitung 128 in der Speichervorrichtung 100 getestet wird, um zu bestimmen, ob ein Kurzschluss zwischen der Wortleitung 128 und einer Bitleitung 130 vorliegt. Das Testen der individuellen Wortleitungen 128 ist nachfolgend mit Bezug auf 3B ausführlicher beschrieben.
  • Wenn eine Wortleitung (z. B. Wortleitung 1281 ) defekt ist, können bei Schritt 354 Adressinformationen, die die defekte Wortleitung und eine redundante Wortleitung (z. B. Wortleitung 1283 ), die die defekte Wortleitung ersetzen soll, identifizieren, gespeichert werden, beispielsweise durch Durchbrennen einer oder mehrerer Sicherungen in der Schaltungsanordnung 204 für Sicherungen und Reparatur. In manchen Fällen können die Sicherungen elektronische programmierbare Sicherungen sein. Optional können die Sicherungen durch Laserschneiden gebildete Sicherungen sein oder die Adressinformationen in einem nichtflüchtigen Speicher wie beispielsweise einem Flash-Speicher gespeichert sein.
  • Wenn ein Aktiviersignal empfangen wird, das anzeigt, dass die Wortleitung, die sich an der gespeicherten Adresse befindet, aktiviert wird, kann bei Schritt 356 die reparierte Wortleitung auf die niedrige Wortleitungsspannung VNWLL getrieben werden, und die redundante Wortleitung kann auf die Wortleitung-Ein-Spannung VWLON getrieben werden. Bei einem Ausführungsbeispiel kann die Wortleitungsdecodersteuerschaltung 202 die in den Sicherungen gespeicherten Informationen verwenden und die Schaltungsanordnung 204 reparieren, um zu bestimmen, wann auf die gespeicherte Adresse zugegriffen wird, und zu bestimmen, welche Wortleitung zu aktivieren ist. Somit kann, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist, auf Informationen, die sich an der gespeicherten Adresse befinden, durch Verwenden der redundanten Wortleitung 1283 anstelle der reparierten Wortleitung 1281 erfolgreich zugegriffen werden.
  • Wenn beispielsweise ein Vorladesignal empfangen wird, das anzeigt, dass das Speicherarray 120 (oder mehrere Speicherbänke), das die defekte Wortleitung enthält, vorgeladen wird, können dann bei Schritt 358 die gespeicherten Adressinformationen durch die Schaltungsanordnung 206 zum Deaktivieren der reparierten Wortleitung verwendet werden, um die reparierte Wortleitung 1281 auf die an die Bitleitung angeglichene Spannung VBLEQ zu treiben. Durch Treiben der Spannung der reparierten Wortleitung auf VBLEQ können die reparierte Wortleitung 1281 und die Bitleitung 1302 , mit der die reparierte Wortleitung 1281 kurzgeschlossen ist, Spannungspegel aufweisen, die gleich oder annähernd gleich sind. Da die Spannungspegel gleich oder annähernd gleich sind, besteht unter Umständen kein Spannungsunterschied zwischen der reparierten Wortleitung 1281 und der Bitleitung 1302 , und demzufolge kein Strom zwischen der reparierten Wortleitung 1281 und der Bitleitung 1302 . Somit kann ein Leckstrom von der reparierten Wortleitung 1281 zu einer Bitleitung 1302 verringert oder beseitigt werden, wodurch eine Leistungsaufnahme der Speichervorrichtung 100 während des Vorladens verringert wird. Bei einem Ausführungsbeispiel kann als eine Alternative zum Anlegen von VBLEQ an eine reparierte Wortleitung 1281 während des Vorladens die Wortleitung 1281 von jeglichen Spannungsquellen getrennt werden (beispielsweise kann die Wortleitung 1281 erdfrei gemacht werden), um ein Fließen jeglichen Leckstroms von der reparierten Wortleitung 1281 zu einer Bitleitung 1302 während des Vorladens zu verringern oder zu verhindern, wodurch eine Leistungsaufnahme verringert wird.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung kann ein Kurzschluss zwischen einer Wortleitung 128 und einer Bitleitung 130 durch Anlegen einer ersten Spannung an die Bitleitung 130 unter Verwendung einer ersten Spannungsquelle und Anlegen einer zweiten Spannung an die Wortleitung 128, die getestet wird, unter Verwendung einer zweiten Spannungsquelle getestet werden. Die Wortleitung 128, die getestet wird, kann von der zweiten Spannungsquelle getrennt werden. Wenn die Wortleitung 128 mit der Bitleitung 130 kurzgeschlossen ist, kann dann, nach dem Trennen der Wortleitung 128 von der zweiten Spannungsquelle, die Spannung der Wortleitung 128 zu der Spannung der Bitleitung 130 (der ersten Spannung) driften, und zwar aufgrund von Ladungsaufteilung über den Kurzschluss. Wenn im Gegensatz dazu die Wortleitung 128 nicht mit der Bitleitung 130 kurzgeschlossen ist, kann dann nach dem Trennen der Wortleitung 128 von der zweiten Spannungsquelle die Spannung der Wortleitung 128 von der Spannung der Bitleitung 130 getrennt sein. Wenn also kein Kurzschluss vorliegt, kann die Spannung der Wortleitung 128 näher bei der zweiten Spannung bleiben.
  • Wie es im Vorhergehenden beschrieben ist, kann die Spannung der Wortleitung 128, die getestet wird, anzeigen, ob die Wortleitung mit der Bitleitung 130 kurzgeschlossen ist. Bei einem Ausführungsbeispiel kann die Spannung der Wortleitung 128, die getestet wird, unter Verwendung einer Wortleitungsleistungsversorgungsleitung gemessen werden. Bei Normalbetrieb kann die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung verwendet werden, um der Wortleitung 128 eine Aktivierungsspannung bereitzustellen. Jedoch kann während der Testoperation die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung auf eine Vorladespannung (beispielsweise eine Massespannung GND oder die an die Bitleitung angeglichene Spannung VBLEQ) vorgeladen werden und mit der Wortleitung 128 verbunden werden. Wenn die Wortleitung 128 mit einer Bitleitung 130 kurzgeschlossen ist, kann sich die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung von der Vorladespannung zu der ersten Spannung der Bitleitung 130 bewegen. Wenn die Wortleitung 128 nicht mit der Bitleitung 130 kurzgeschlossen ist, kann sich die Span nung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung von der Vorladespannung zu der zweiten Spannung der Wortleitung 128 bewegen. Durch Testen von individuellen Wortleitungen 128 über eine Wortleitungsleistungsversorgungsleitung kann eine beliebige Testschaltungsanordnung (beispielsweise eine Vergleichsschaltungsanordnung zum Bestimmen der Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung), die mit der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung verbunden ist, durch jede der mit derselben verbundenen Wortleitungen gemeinschaftlich verwendet werden, wodurch der Betrag an der Testschaltungsanordnung zugeordnetem Mehraufwand verringert wird.
  • 3C ist ein Zeitdiagramm, das eine exemplarische Testoperation für eine Wortleitung 128 und eine Bitleitung 130, die kurzgeschlossen sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellt. Wie es dargestellt ist, kann während eines Vorladeabschnitts des Tests eine niedrige Spannung an die Wortleitung 128 angelegt werden, eine hohe Spannung an die Bitleitung 130 angelegt werden und eine Vorladespannung an die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung angelegt werden. Anschließend kann während eines Aktivierabschnitts des Tests aufgrund von Ladungsaufteilung zwischen der Wortleitung 128 und der Bitleitung über den Kurzschluss 130 die Wortleitungsspannung aufwärts zu der hohen Spannung der Bitleitung 130 driften. Die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung, die während des Aktivierabschnitts des Tests mit der Wortleitung 128 verbunden ist, kann ebenfalls von der Vorladespannung zu der Spannung der Bitleitung 130 nach oben gezogen werden. Durch Messen der Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung kann der Kurzschluss zwischen der Bitleitung 130 und der Wortleitung 128 ohne weiteres erfasst werden.
  • 3D ist ein Zeitdiagramm, das eine exemplarische Testoperation für eine Wortleitung 128 und eine Bitleitung 130, die nicht kurzgeschlossen sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellt. Wie es dargestellt ist, kann während des Vorladeabschnitts des Tests eine niedrige Spannung an die Wortleitung 128 angelegt werden, eine hohe Spannung an die Bitleitung 130 angelegt werden und eine Vorladespannung an die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung angelegt werden. Da bei dem Fehlen eines Kurzschlusses die Wortleitungsspannung von der Bitleitungsspannung getrennt ist, kann dann während des Aktivierabschnitts des Tests die Wortleitungsspannung in der Nähe der niedrigen Spannung verbleiben. Die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung, die während des Aktivierabschnitts des Tests mit der Wortleitung 128 verbunden ist, kann von der Vorladespannung zu der Spannung der Wortleitung 128 heruntergezogen werden. Wenn die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung nachfolgend gemessen wird und festgestellt wird, dass sie näher an der niedrigen Spannung der Wortleitung 128 liegt, kann das Testergebnis anzeigen, dass die Wortleitung nicht mit der Bitleitung 130 kurzgeschlossen ist.
  • 3B ist ein Flussdiagramm, das einen Prozess 300 zum Testen auf einen Kurzschluss zwischen einer Wortleitung 128 und einer Bitleitung 130 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellt. Der Prozess 300 beginnt bei Schritt 302, in dem die Speichervorrichtung 100 mit dem Testen jeder Wortleitung 128 in dem Speicherarray 120 beginnt. In manchen Fällen kann die Steuerschaltungsanordnung 110 der Speichervorrichtung 100 den Test durchführen, beispielsweise nach Empfang eines extern ausgegebenen Testbefehls. Auch kann bei einem Ausführungsbeispiel ein externer Tester, der zusammen mit der Speichervorrichtung 100 agiert, verwendet werden, um den Prozess 300 durchzuführen. Während des Tests können die Bitleitungen 130, die getestet werden, bei Schritt 304 auf die ersten Spannung, in diesem Fall die hohe Bitleitungsspannung VBLH, vorgeladen werden. Das Vorladen der Bitleitungen 130 kann während des Tests, beispielsweise durch Leseverstärker in dem Leseverstärkerstreifen 132, durchgeführt werden.
  • Bei Schritt 306 kann die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung auf eine Vorladespannung, in diesem Fall die an die Bitleitung angeglichene Spannung VBLEQ, vorgeladen werden. Wie es im Vorhergehenden beschrieben ist, kann durch Vorladen der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung auf VBLEQ jegliche Veränderung in der Spannung der Wortleitung 128 aufgrund eines Kurzschlusses als eine Veränderung in der Wortleitungsleistungsversorgungsspannung gemessen werden. Bei Schritt 308 kann die Wortleitung-Aus-Spannung VNWLL durch Vorladen der Wortleitungen 128 an die Wortleitungen 128 in dem Speicherarray 120 angelegt werden. Bei Schritt 310 kann die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 310 von VBLEQ getrennt werden und ermöglicht werden, dass dieselbe erdfrei ist, und bei Schritt 312 kann die Wortleitung 128, die getestet wird, aktiviert werden, wodurch die Wortleitung 128 mit der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung verbunden wird.
  • Wie es im Vorhergehenden beschrieben ist, kann die Spannung der Wortleitung 128, wenn die Wortleitung 128, die getestet wird, mit einer Bitleitung 130 kurzgeschlossen ist, von der vorgeladenen Spannung VNWLL der Wortleitung 128 zu der vorgeladenen Spannung der Bitleitung 130, VBLH, hochgezogen werden. Anschließend kann, wenn die Wortleitung 128 aktiviert wird und dadurch mit der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung verbunden wird, die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung von VBLEQ zu VBLH hochgezogen werden. Im Gegensatz dazu kann, wenn kein Kurzschluss zwischen der Wortleitung 128 und einer Bitleitung 130 vorliegt, die Wortleitung 128 auf VNWLL verbleiben und die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung von VBLEQ nach unten ziehen, wenn die Wortleitung 128 aktiviert wird.
  • Zum Testen, ob ein Kurzschluss zwischen der Wortleitung 128 und einer Bitleitung 130 vorliegt, kann somit nach dem Aktivieren der Wortleitung 128 bei Schritt 312 die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung mit einer dritten Spannung (beispielsweise einer Referenzspannung) zwischen der Vorladespannung VBLEQ und der Bitleitungsspannung VBLH verglichen werden. Wenn bei Schritt 316 eine Bestimmung getroffen wird, dass die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung größer als die Referenzspannung ist, dann kann die Wortleitung 128, die getestet wird, bei Schritt 318 als defekt identifiziert werden. Bei Schritt 320 kann der Test zu der nächsten Wortleitung 128, die getestet wird, fortfahren, bis alle Wortleitungen 128 getestet worden sind.
  • 4A ist ein Schaltbild, das eine Schaltungsanordnung 400 zum Testen auf einen Kurzschluss zwischen einer Wortleitung 128 und einer Bitleitung 130 umfasst, gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. Wie es dargestellt ist, kann die Schaltungsanordnung 400 in den Wortleitungsdecoder 122, die lokale Wortleitungsdecoderschaltungsanordnung (die auch als ein Centron bezeichnet wird) 134 und die Segmenttreiberschaltungsanordnung 416 aufgenommen sein. Bei einem Ausführungsbeispiel kann die Segmenttreiberschaltungsanordnung in den Bereich der Lokalwortleitungssignalwege 126 einbezogen sein.
  • Während einer Vorladeoperation einer Wortleitung 128 kann die Wortleitung 128 durch Aktivieren des Hauptwortleitungsrücksetzsignals (MWLRST-Signals) anfänglich auf die Wortleitung-Aus-Spannung VNWLL vorgeladen werden. Wenn das Hauptwortleitungsrücksetzsignal aktiviert wird, kann ein Inverter 402 einem Pegelumsetzer 408 eine niedrige Spannung (GND) bereitstellen, der wiederum einem Inverter 410 eine herabgesetzte Spannung bereitstellen kann, wodurch über die Wortleitungsrücksetzleitung (WLRST-Leitung) 436 an einen Transistor 414 eine ausgeglichene Spannung VEQL angelegt wird und die Wortleitung 128 auf die Wortleitung-Aus-Spannung VNWLL getrieben wird. Nachdem die Wortleitung 128 auf VNWLL vorgeladen worden ist, kann das Wortleitungsrücksetzsignal MWLRST herabgesetzt werden.
  • Wie es im Vorhergehenden beschrieben ist, kann während eines Tests die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (WDLVSUPPLY; supply = Versorgung) 432 auf eine Vorladespannung wie beispielsweise die an die Bitleitung angeglichene Spannung VBLEQ (oder, optional, die Massespannung GND) vorgeladen werden, und die Bitleitungen 130, die mit der Wortleitung 128, die getestet wird, verbunden sind, können auf die hohe Spannung VBLH der Bitleitung vorgeladen werden. Die Leistungsversorgungsverbindungsschaltungsanordnung, die Transistoren 420 und 422 aufweist, kann verwendet werden, um die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 während des Test zu verändern. Beispielsweise kann während des Tests ein Testmodussignal TMWLDVBLEQ) an den Transistor 422 angelegt werden, um zu bewirken, dass der Transistor 422 die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 mit VBLEQ versorgt. Nachdem die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 auf VBLEQ vorgeladen worden ist, kann die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 durch Erhöhen des Testmodussignals TMWLDVBLEQ von VBLEQ getrennt werden.
  • Zum Durchführen des Tests auf einen Kurzschluss zwischen der Wortleitung 128 und Bitleitungen 130 kann die Wortleitung 128 durch Erhöhen des Decodersignals bDEC, das an den Inverter 416 angelegt wird, aktiviert werden, wodurch die Spannung, die an die Steuerleitung 438 für das Hauptwortleitungssignal (bMWL) angelegt wird, gesenkt wird. Wenn die an die Steuerleitung 438 angelegte Spannung gesenkt wird, kann der Inverter 412 die Wortleitung 128 mit der Lokalwortleitungstreiberleitung (WLDV-Leitung) 434 verbinden. Gleichzeitig kann das Hauptwortleitungsrücksetzsignal (MWLRST-Signal) gesenkt werden, wodurch bewirkt wird, dass die Wortleitungsverbindungsschaltungsanordnung, die die Inverter 402, 404, 406 umfasst, die Wortleitung 128 über die lokale Wortleitungstreiberleitung 434 mit der vorgeladenen Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 verbindet. Es kann dann eine Vergleichsschaltung 430 verwendet werden, um die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 mit einer Referenzspannung VREF zu vergleichen. Wie es im Vorhergehenden beschrieben ist, kann die Vergleichsschaltung 430, wenn ein Kurzschluss zwischen der Wortleitung 128 und einer Bitleitung 130 vorliegt, den Kurzschluss als eine Erhöhung bei der Wortleitungsleistungsversorgungsleitungsspannung von VBLEQ zu der Bitleitungsspannung VBLH erfassen. Wenn jedoch kein Kurzschluss zwischen der Wortleitung 128 und einer Bitleitung 130 vorliegt, dann kann die Vergleichsschaltungsanordnung 430 bestimmen, dass die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 sich hin zu der Wortleitung-Aus-Spannung VNWLL der Wortleitung 128 verringert hat, wodurch nachgewiesen wird, dass die Wortleitung 128 nicht mit einer Bitleitung 130 kurzgeschlossen ist.
  • Wie es im Vorhergehenden mit Bezug auf 3A beschrieben ist, kann, wenn eine Bestimmung getroffen wird, dass die Wortleitung 128 aufgrund eines Kurzschlusses defekt ist, die Wortleitung durch eine redundante Wortleitung ersetzt werden. Anschließend kann bei Normalbetrieb der Speichervorrichtung 100 zum Reduzieren der durch den Kurzschluss während des Vorladens verursachten Leistungsaufnahme die identifizierte defekte Wortleitung 128 während des Vorladens auf die an die Bitleitung angeglichene Spannung VBLEQ getrieben werden. Beispielsweise kann während des Vorladens die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 für die defekte Wortleitung 128 durch Herabsetzen des Testmodussignals TMWLDVBLEQ auf VBLEQ vorgeladen werden. Die defekte Wortleitung 128 kann dann mit der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 verbunden werden, derart, dass die Spannung der defekten Wortleitung auf VBLEQ geändert wird, wodurch die Spannung der defekten Wortleitung 128 und der Bitleitung 130, mit der die Wortleitung 128 kurzgeschlossen ist, ausgeglichen werden. Durch Ausgleichen der Spannung zwischen der Wortleitung 128 und der Bitleitung 130 kann eine Leistungsaufnahme aufgrund des Kurzschlusses verringert werden.
  • Als eine weitere Option zum Verringern einer Leistungsaufnahme einer defekten Wortleitung 128 kann anstelle eines Ausgleichens der Spannung zwischen der Wortleitung 128 und der Bitleitung 130 während des Vorladens die Wortleitung 128 erdfrei gemacht werden (beispielsweise von jeglichen Leistungsquellen elektrisch getrennt werden). Beispielsweise kann die Wortleitung 128 mit der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 verbunden werden, und sowohl die Wortleitung 128 als auch die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 können durch Trennen der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 von jeglichen Spannungsquellen unter Verwendung der Transistoren 420, 422 erdfrei gemacht werden.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel kann die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 so konfiguriert sein, dass sie der Wortleitung 128 die Aktivierungsspannung VPP bereitstellt. Wenn die Wortleitung 128 nicht defekt ist, kann beispielsweise dann während des Vorladens die Wortleitung 128 unter Verwendung des Transistors 414 auf die Wortleitung-Aus-Spannung VNWLL vorgeladen werden. Wenn die Wortleitung 128 aktiviert wird, kann die Aktivierungsspannung VPP durch Herabsetzen des WLDVPP-Signals über den Transistor 420 an die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 angelegt werden. Die Aktivierungsspannung VPP kann anschließend soweit angemessen an die aktivierte Wortleitung 128 angelegt werden.
  • Wie es in 4A dargestellt ist, kann bei einem Ausführungsbeispiel die Leistungsversorgungsverbindungsschaltungsanordnung (Transistoren 420 und 422) zum Verbinden der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 mit der Vorladespannung VBLEQ oder der Aktivierungsspannung VPP zusammen mit der Wortleitungsdecoderschaltungsanordnung 122 angeordnet sein. Somit kann die ausgewählte Spannung für die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 von einem gesamten Speicherarray 120, einer Bank eines Speicherarrays 120 und/oder einer Mehrzahl von Segmenten eines Speicherarrays 120 gemeinschaftlich verwendet werden. Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel kann, wie es in 4B dargestellt ist, zum Bereitstellen einer lokalisierteren Auswahl der Spannung für die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 die Auswahlschaltungsan ordnung, die die Transistoren 420, 422 umfasst, in einem Bereich 134 der Lokalwortleitungsauswahlschaltungsanordnung bereitgestellt sein.
  • Somit kann bei einem Ausführungsbeispiel eine gesonderte Leistungsversorgungsverbindungsschaltungsanordnung 420, 422 für jede Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 für jedes Segment der Speichervorrichtung 100 bereitgestellt sein. Durch Bereitstellen der Leistungsversorgungsverbindungsschaltungsanordnung 420, 422 innerhalb des Bereichs 134 der Wortleitungsauswahlschaltungsanordnung kann eine Steuerung der Spannung für die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 lokalisiert werden. Beispielsweise kann während des Vorladens in Segmenten, die eine defekte Wortleitung 128 enthalten, die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 zu VBLEQ geändert werden, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist. Für Segmente, die keine defekte Wortleitung 128 enthalten, kann die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 auf der Aktivierungsspannung VPP verbleiben, wodurch eine Leistungsaufnahme aufgrund des Schaltens der Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 in diesen Segmenten verringert wird.
  • In manchen Fällen kann die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 von mehreren Wortleitungen 128 in einem Segment (oder in einem Block, Speicherarray 120 oder anderen Gruppierungen von Wortleitungen 128) gemeinschaftlich verwendet werden. Somit kann bei Normalbetrieb der Speichervorrichtung 100 die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 sowohl zum Versorgen einer defekten Wortleitung 128 mit VBLEQ (oder Erdfrei-Machen derselben) als auch zum Versorgen der Wortleitungen 128, die nicht defekt sind, mit der Aktivierungsspannung VPP verwendet werden. Entsprechend kann die Leistungsversorgungsverbindungsschaltungsanordnung, die die Transistoren 420, 422 umfasst, gemäß des Typs von Zugriff, der stattfindet, geschaltet werden. Wenn, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist, ein gegebenes Segment keine defekte Wortlei tung 128 umfasst, kann die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 auf der Aktivierungsspannung VPP aufrechterhalten werden, die unter Umständen während einer Aktivierung einer Wortleitung 128 verwendet wird. Wenn jedoch ein gegebenes Segment eine defekte Wortleitung 128 umfasst, kann die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 nach Wunsch zwischen VBLEQ und VPP hin- und hergeschaltet werden. Beispielsweise kann während eines Vorladens für ein Segment, das eine defekte Wortleitung 128 umfasst, die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung unter Verwendung der Leistungsversorgungsverbindungsschaltungsanordnung 420, 422 auf VBLEQ geändert werden. Anschließend kann während einer Aktivierung einer Wortleitung 128 die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 auf die Aktivierungsspannung VPP geändert werden, was ermöglicht, dass die Aktivierungsspannung VPP nicht-defekten Wortleitungen 128 bereitgestellt wird, wenn dieselben aktiviert werden.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel kann bei Normalbetrieb der Speichervorrichtung 100 zum Bereitstellen von ausreichend Zeit zwischen einer Vorladung und einer Aktivierung einer Wortleitung 128 zum Schalten der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 von der Vorladespannung VBLEQ auf die Aktivierungsspannung VPP, wenn ein Aktivierungsbefehl durch den Befehlsdecoder 102 empfangen und decodiert wird, die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 (falls nötig) unter Verwendung der Leistungsversorgungsverbindungsschaltungsanordnung 420, 422 von VBLEQ auf VPP geändert werden. Bei einem Ausführungsbeispiel kann der decodierte Aktivierungsbefehl direkt verwendet werden, um mit dem Ändern der Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 zu beginnen, ohne dass irgendeine Decodierung der Adresse für den Aktivierungsbefehl zum Auslösen des Schalters verwendet wird.
  • In manchen Fällen wird die an die Bitleitung angeglichene Spannung VBLEQ unter Umständen nicht während des Normalbe triebs der Speichervorrichtung 100 an die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 angelegt. Beispielsweise kann bei einem Ausführungsbeispiel, wenn eine gegebene Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 von mehreren Wortleitungen 128 und/oder mehreren Segmenten von Wortleitungen 128 gemeinschaftlich verwendet wird und die Wortleitungen 128, die von der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 gemeinschaftlich verwendet werden, keine defekte Wortleitung umfassen, die Wortleitungsleistungsversorgungsleitungsspannung auf der Aktivierungsspannung VPP aufrechterhalten und durch Wortleitungen 128 verwendet werden, die aktiviert werden, wie es für einen Normalbetrieb der Speichervorrichtung 100 angemessen ist.
  • Auch kann bei einem Ausführungsbeispiel, wenn die Speichervorrichtung 100 nicht getestet wird, die an die Bitleitung angeglichene Spannung VBLEQ nur dann an eine Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 (sogar eine Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 für eine defekte Wortleitung 128) angelegt werden, wenn die Speichervorrichtung 100 in einen Bereitschaftsmodus, einschließlich beispielsweise eines Niedrigleistungsbereitschaftsmodus und/oder eines Selbstauffrischmodus, versetzt wird. Während des Bereitschaftsmodus kann, wenn eine nicht-defekte Wortleitung 128, die die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 gemeinschaftlich verwendet, aktiviert wird, die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 von VBLEQ auf VPP geschaltet werden, wenn sie zur Aktivierung der nicht-defekten Wortleitungen 128 benötigt wird. Wenn sich die Vorrichtung 100 nicht in dem Bereitschaftsmodus befindet, kann die Aktivierungsspannung VPP ohne Schalten zu einer anderen Spannung an die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 angelegt werden. Wenn eine Wortleitung 128, die nicht defekt ist und die die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 gemeinschaftlich verwendet, aktiviert wird, kann die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 der aktivierten Wortleitung die Aktivierungsspannung VPP bereitstellen. Auch kann, wie es im Vorher gehenden beschrieben ist, wenn ein Aktivierungsbefehl für eine Adresse, die einer defekten Wortleitung 128 entspricht, empfangen wird, die Wortleitung-Aus-Spannung VNWLL an die defekte Wortleitung 128 angelegt werden, während stattdessen eine redundante Wortleitung 128 aktiviert wird. Durch Anlegen von VBLEQ an die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 während eines Bereitschaftsmodus, während bei Normalbetrieb der Vorrichtung 100 außerhalb eines Bereitschaftsmodus VPP angelegt wird, kann der Betrag von Schaltstrom, der durch Schalten der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432 zwischen VBLEQ und VPP verursacht wird, verringert werden, wodurch eine Leistungsaufnahme der Speichervorrichtung 100 verringert wird.
  • Auch wenn sie im Vorhergehenden mit Bezug auf ein Anlegen von gewissen Spannungen an eine Wortleitungsleistungsversorgungsleitung 432, eine Wortleitung 128 und eine Bitleitung 130 während eines Tests und auf ein Durchführen von Vergleichen mit gewissen Referenzspannungen beschrieben wurden, können Ausführungsbeispiele der Erfindung mit beliebigen geeigneten Spannungen verwendet werden, die unterscheidbare Testergebnisse bereitstellen. In manchen Fällen kann das Testen durch eine weitere Vorrichtung (beispielsweise einen Tester oder einen Prozessor in Kommunikation mit der Speichervorrichtung) durchgeführt werden. Optional kann die Speichervorrichtung den Test selbst durchführen, beispielsweise unter Verwendung einer eingebauten Selbsttestschaltungsanordnung (BIST-Schaltungsanordnung; BIST = built-in self test) in der Speichervorrichtung. In manchen Fällen kann der Selbsttest beispielsweise ansprechend auf einen von der Speichervorrichtung empfangenen Befehl oder, wenn ein Flag in einem Modusregister der Speichervorrichtung gesetzt wird, durchgeführt werden. Auch kann in manchen Fällen der Selbsttest jedes Mal, wenn die Speichervorrichtung initialisiert wird, durchgeführt werden, beispielsweise nachdem die Speichervorrichtung eingeschaltet worden ist oder nachdem die Speichervorrichtung rückgesetzt worden ist.
  • Auch wenn sie im Vorhergehenden mit Bezug auf ein Ersetzen einer defekten Wortleitung durch eine redundante Wortleitung beschrieben sind, können Ausführungsbeispiele der Erfindung auch dann verwendet werden, wenn eine beliebige Anzahl von defekten Wortleitungen durch eine beliebige Anzahl von anderen, redundanten Wortleitungen ersetzt wird. In manchen Fällen kann eine Gruppe von Wortleitungen, die eine oder mehrere defekte Wortleitungen enthält, durch eine Gruppe von redundanten Wortleitungen ersetzt werden. Beispielsweise können, wie es im Vorhergehenden erwähnt ist, in manchen Fällen, Ausführungsbeispiele der Erfindung mit einer segmentierten Wortleitungsarchitektur verwendet werden, die eine oder mehrere Hauptwortleitungen und eine Mehrzahl von lokalen Wortleitungen umfasst, auf die jeweils durch eine Hauptwortleitung zugegriffen wird. Wenn eine segmentierte Wortleitungsarchitektur verwendet wird, kann in manchen Fällen beispielsweise durch Speichern von Adressinformationen für die Segmente, wie es im Vorhergehenden beschrieben ist, ein Segment, das eine defekte Wortleitung enthält, durch ein anderes Segment ersetzt werden.
  • Auch wenn das Vorhergehende auf Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung gerichtet ist, können andere und weitere Ausführungsbeispiele der Erfindung erdacht werden, ohne von dem grundlegenden Schutzbereich derselben abzuweichen, und der Schutzbereich derselben ist durch die folgenden Patentansprüche bestimmt.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - US 2007/0070745 A1 [0001]

Claims (29)

  1. Verfahren zum Testen auf einen Kurzschluss (140) zwischen einer Wortleitung (128), die getestet wird, und einer Bitleitung (130) in einer Speichervorrichtung, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Anlegen einer ersten Spannung an die Bitleitung (130) unter Verwendung einer ersten Spannungsquelle; Anlegen einer zweiten Spannung an die Wortleitung (128), die getestet wird, unter Verwendung einer zweiten Spannungsquelle; Trennen der Wortleitung (128), die getestet wird, von der zweiten Spannungsquelle; und nach dem Trennen der Wortleitung (128), die getestet wird, von der zweiten Spannungsquelle: Aktivieren der Wortleitung (128), die getestet wird, wodurch die Wortleitung (128), die getestet wird, mit einer Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) verbunden wird; und Bestimmen, ob eine Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) einen Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung (128), die getestet wird, und der Bitleitung (130) anzeigt, wobei das Bestimmen auf der Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung bezüglich der ersten Spannung und der zweiten Spannung basiert.
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem das Bestimmen, ob eine Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) einen Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung (128), die getestet wird, und der Bitleitung (130) anzeigt, folgende Schritte aufweist: Identifizieren des Kurzschlusses (140) folgend auf ein Bestimmen, dass die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) zwischen einer dritten Spannung und der ersten Spannung liegt, wobei die dritte Spannung zwischen der ersten Spannung und der zweiten Spannung liegt; und Identifizieren der Wortleitung (128), die getestet wird, als funktionsfähig folgend auf ein Bestimmen, dass die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) zwischen der dritten Spannung und der zweiten Spannung liegt.
  3. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, das ferner folgende Schritte aufweist: folgend auf das Bestimmen, dass die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) den Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung (128), die getestet wird, und der Bitleitung (130) anzeigt, Speichern von Adressinformationen, die eine Adresse der Wortleitung, die getestet wird, identifizieren.
  4. Verfahren gemäß Anspruch 3, das ferner folgenden Schritt aufweist: folgend auf das Bestimmen, dass die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) den Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung (128), die getestet wird, und der Bitleitung (130) anzeigt, Identifizieren einer redundanten Wortleitung, die anstelle der Wortleitung, die getestet wird, zu verwenden ist, wenn ein Zugriff auf eine Adresse der Wortleitung, die getestet wird, durchgeführt wird.
  5. Verfahren gemäß Anspruch 3 oder 4, das ferner folgende Schritte aufweist: folgend auf das Bestimmen, dass die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) den Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung (128), die getestet wird, und der Bitleitung (130) anzeigt: während einer nachfolgenden Vorladeoperation, Anlegen einer an die Bitleitung (130) angeglichenen Spannung an die Bitleitung und die Wortleitung (128), die getestet wird, wobei die zweite Spannung an zumindest eine Wortleitung, die nicht die Wortleitung ist, die getestet wird, während der nachfolgenden Vorladeoperation angelegt wird.
  6. Verfahren gemäß Anspruch 5, bei dem die an die Bitleitung (130) angeglichene Spannung an die Wortleitung (128), die getestet wird, nur dann während der nachfolgenden Vorladeoperation angelegt wird, wenn die Speichervorrichtung in einen Bereitschaftsmodus versetzt wird, wobei die zweite Spannung an die Wortleitung, die getestet wird, angelegt wird, wenn sich die Speichervorrichtung nicht in dem Bereitschaftsmodus befindet.
  7. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die erste Spannung eine hohe Spannung der Bitleitung (130) ist und bei dem die zweite Spannung eine Wortleitung-Aus-Spannung ist.
  8. Dynamische Direktzugriffsspeichervorrichtung, die folgende Merkmale aufweist: eine Wortleitung (128); eine Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432); eine Bitleitung (130); und eine Schaltungsanordnung, die konfiguriert ist, um eine Testoperation auf einen Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung (128) und der Bitleitung (130) durchzuführen, wobei die Schaltungsanordnung während der Testoperation konfiguriert ist zum: Anlegen einer ersten Spannung an die Bitleitung (130) unter Verwendung einer ersten Spannungsquelle; Anlegen einer zweiten Spannung an die Wortleitung (128) unter Verwendung einer zweiten Spannungsquelle; Trennen der Wortleitung (128) von der zweiten Spannungsquelle; und nach dem Trennen der Wortleitung (128) von der zweiten Spannungsquelle: Aktivieren der Wortleitung (128), wodurch die Wortleitung, die getestet wird, mit der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) verbunden wird; und Bestimmen, ob eine Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) einen Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung (128) und der Bitleitung (130) anzeigt, wobei das Bestimmen auf der Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung bezüglich der ersten Spannung und der zweiten Spannung basiert.
  9. Speichervorrichtung gemäß Anspruch 8, bei der das Bestimmen, ob eine Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) einen Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung (128), die getestet wird, und der Bitleitung (130) anzeigt, folgendes aufweist: Identifizieren des Kurzschlusses (140) folgend auf ein Bestimmen, dass die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) zwischen einer dritten Spannung und der ersten Spannung liegt, wobei die dritte Spannung zwischen der ersten Spannung und der zweiten Spannung liegt; und Identifizieren der Wortleitung (128), die getestet wird, als funktionsfähig folgend auf ein Bestimmen, dass die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung zwischen der dritten Spannung und der zweiten Spannung liegt.
  10. Speichervorrichtung gemäß Anspruch 8 oder 9, bei der die Schaltungsanordnung, folgend auf das Bestimmen, dass die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) den Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung (128), die getestet wird, und der Bitleitung (130) anzeigt, konfiguriert ist, um Adressinformationen zu speichern, die eine Adresse der Wortleitung, die getestet wird, identifizieren.
  11. Speichervorrichtung gemäß Anspruch 10, bei der die Schaltungsanordnung, folgend auf das Bestimmen, dass die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) den Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung (128), die getestet wird, und der Bitleitung (130) anzeigt, konfiguriert ist, um eine redundante Wortleitung zu identifizieren, die anstelle der Wortleitung, die getestet wird, zu verwenden ist, wenn ein Zugriff auf die Adresse der Wortleitung, die getestet wird, durchgeführt wird.
  12. Speichervorrichtung gemäß Anspruch 10 oder 11, bei der die Schaltungsanordnung, folgend auf das Bestimmen, dass die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) den Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung (128), die getestet wird, und der Bitleitung (130) anzeigt, konfiguriert ist, um während einer nachfolgenden Vorladeoperation eine an die Bitleitung (130) angeglichene Spannung an die Bitleitung und die Wortleitung, die getestet wird, anzulegen, wobei die zweite Spannung an zumindest eine Wortleitung, die nicht die Wortleitung ist, die getestet wird, während der nachfolgenden Vorladeoperation angelegt wird.
  13. Speichervorrichtung gemäß Anspruch 12, bei der die an die Bitleitung (130) angeglichene Spannung an die Wortleitung (128), die getestet wird, nur dann während der nachfolgenden Vorladeoperation angelegt wird, wenn die Speichervorrichtung in einen Bereitschaftsmodus versetzt wird, wobei die zweite Spannung an die Wortleitung, die getestet wird, angelegt wird, wenn sich die Speichervorrichtung nicht in dem Bereitschaftsmodus befindet.
  14. Speichervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 8 bis 13, bei der die erste Spannung eine hohe Spannung der Bitleitung (130) ist und bei der die zweite Spannung eine Wortleitung-Aus-Spannung ist.
  15. Verfahren zum Testen auf einen Kurzschluss (140) zwischen einer Wortleitung (128), die getestet wird, und einer Bitleitung (130) in einer Speichervorrichtung, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Anlegen einer ersten Bitleitungsspannung an die Bitleitung (130) unter Verwendung einer ersten Spannungsquelle und einer Wortleitung-Aus-Spannung an die Wortleitung (128), die getestet wird, unter Verwendung einer zweiten Spannungsquelle; Anlegen einer Vorladespannung an eine Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) unter Verwendung einer dritten Spannungsquelle; Trennen der Wortleitung (128), die getestet wird, von der zweiten Spannungsquelle und Trennen der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung von der dritten Spannungsquelle; und nach dem Trennen der Wortleitung (128), die getestet wird, von der zweiten Spannungsquelle und dem Trennen der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung von der dritten Spannungsquelle: Verbinden der Wortleitung (128), die getestet wird, mit der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung; und Bestimmen, ob eine Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung einen Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung (128), die getestet wird, und der Bitleitung (130) anzeigt, wobei das Bestimmen auf der Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung bezüglich der ersten Bitleitungsspannung und der Wortleitung-Aus-Spannung basiert.
  16. Verfahren gemäß Anspruch 15, das ferner folgende Schritte aufweist: folgend auf das Bestimmen, dass die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) einen Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung (128), die getestet wird, und der Bitleitung (130) anzeigt: während einer nachfolgende Vorladeoperation: Anlegen einer an die Bitleitung (130) angeglichenen Spannung an die Bitleitung; und Anlegen der an die Bitleitung (130) angeglichenen Spannung an die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung und die Wortleitung (128), die getestet wird, wobei die Wortleitung-Aus-Spannung an zumindest eine Wortleitung, die nicht die Wortleitung, die getestet wird, während der nachfolgenden Vorladeoperation angelegt wird.
  17. Verfahren gemäß Anspruch 16, bei dem die an die Bitleitung (130) angeglichene Spannung nur dann während der nachfolgenden Vorladeoperation an die Wortleitung (128), die getestet wird, angelegt wird, wenn die Speichervorrichtung in einen Bereitschaftsmodus versetzt wird, wobei die Wortleitung-Aus-Spannung an die Wortleitung, die getestet wird, angelegt wird, wenn sich die Speichervorrichtung nicht in dem Bereitschaftsmodus befindet.
  18. Verfahren gemäß Anspruch 16 oder 17, das ferner folgende Schritte aufweist: folgend auf das Bestimmen, dass die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung einen Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung (128), die getestet wird, und der Bitleitung (130) anzeigt: während der Aktivierung einer Wortleitung (128), die nicht die Wortleitung ist, die getestet wird: Anlegen einer Wortleitungsaktivierungsspannung an die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung; und Anlegen der Wortleitungsaktivierungsspannung an die Wortleitung (128), die nicht die Wortleitung ist, die getestet wird, über die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung.
  19. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 16 bis 18, bei dem die an die Bitleitung (130) angeglichene Spannung folgend auf das Bestimmen, dass die Spannung der Wortleitung (128), die getestet wird, einen Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung, die getestet wird, und der Bitleitung (130) anzeigt, an die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) für die Wortleitung, die getestet wird, angelegt wird, und bei dem eine Wortleitungsaktivierungsspannung an zumindest eine weitere Wortleitungsleistungsversorgungsleitung für andere Wortleitungen während der nachfolgenden Vorladeoperation angelegt wird.
  20. Dynamische Direktzugriffsspeichervorrichtung, die folgende Merkmale aufweist: eine Wortleitung (128); eine Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432), die mit der Wortleitung verbindbar ist; eine Bitleitung (130); und eine Schaltungsanordnung, die konfiguriert ist, um eine Testoperation auf einen Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung (128) und der Bitleitung (130) durchzuführen, wobei die Schaltungsanordnung während der Testoperation konfiguriert ist zum: Anlegen einer ersten Bitleitungsspannung an die Bitleitung (130) unter Verwendung einer ersten Spannungsquelle; Anlegen einer Wortleitung-Aus-Spannung an die Wortleitung (128) unter Verwendung einer zweiten Spannungsquelle; Anlegen einer Vorladespannung an die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) unter Verwendung einer dritten Spannungsquelle; Trennen der Wortleitung (128) von der zweiten Spannungsquelle und Trennen der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung von der dritten Spannungsquelle; und nach dem Trennen der Wortleitung (128) von der zweiten Spannungsquelle und dem Trennen der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung von der dritten Spannungsquelle: Verbinden der Wortleitung (128) mit der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung; und Bestimmen, ob eine Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung einen Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung (128) und der Bitleitung (130) anzeigt, wobei das Bestimmen auf der Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung bezüglich der ersten Bitleitungsspannung und der Wortleitung-Aus-Spannung basiert.
  21. Speichervorrichtung gemäß Anspruch 20, bei der die Schaltungsanordnung, folgend auf das Bestimmen, dass die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) einen Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung (128) und der Bitleitung (130) anzeigt, ferner während einer nachfolgende Vorladeoperation konfiguriert ist zum: Anlegen der an die Bitleitung (130) angeglichenen Spannung an die Bitleitung; und Anlegen der an die Bitleitung (130) angeglichenen Spannung an die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) und die Wortleitung (128), wobei die Schaltungsanordnung konfiguriert ist, um die Wortleitung-Aus-Spannung an zumindest eine Wortleitung, die nicht die Wortleitung ist, während der nachfolgenden Vorladeoperation anzulegen.
  22. Speichervorrichtung gemäß Anspruch 21, bei der die Schaltungsanordnung konfiguriert ist, um die an die Bitleitung (130) angeglichene Spannung während der nachfolgenden Vorladeoperation nur dann an die Wortleitung (128) anzulegen, wenn die Speichervorrichtung in einen Bereitschaftsmodus versetzt wird, wobei die Wortleitung-Aus-Spannung an die Wortleitung (128) angelegt wird, wenn sich die Speichervorrichtung nicht in dem Bereitschaftsmodus befindet.
  23. Speichervorrichtung gemäß Anspruch 21 oder 22, bei der die Schaltungsanordnung, folgend auf das Bestimmen, dass die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung einen Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung (128) und der Bitleitung (130) anzeigt, und während der Aktivierung einer Wortleitung, die nicht die Wortleitung ist, konfiguriert ist zum: Anlegen einer Wortleitungsaktivierungsspannung an die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung; und Anlegen der Wortleitungsaktivierungsspannung an die Wortleitung, die nicht die Wortleitung ist, über die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung.
  24. Speichervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 21 bis 23, bei der die Schaltungsanordnung konfiguriert ist, um die an die Bitleitung (130) angeglichene Spannung folgend auf das Bestimmen, dass die Spannung der Wortleitung (128) einen Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung und der Bitleitung anzeigt, an die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) für die Wortleitung anzulegen, und bei der die Schaltungsanordnung konfiguriert ist, um eine Wortleitungsaktivierungsspannung an zumindest eine weitere Wortleitungsleistungsversorgungsleitung für andere Wortleitungen während der nachfolgenden Vorladeoperation anzulegen.
  25. Dynamische Direktzugriffsspeichervorrichtung, die folgende Merkmale aufweist: eine Wortleitung (128); eine Bitleitung (130); eine Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432); eine Leistungsversorgungsverbindungsschaltungsanordnung, die konfiguriert ist, um die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung mit zumindest einer Vorladespannung oder einer Wortleitungsaktivierungsspannung zu verbinden; eine Wortleitungsverbindungsschaltungsanordnung, die konfiguriert ist, um die Wortleitung (128) mit der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung zu verbinden und von derselben zu trennen; und eine Steuerschaltungsanordnung, die konfiguriert ist, um eine Testoperation auf einen Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung und der Bitleitung (130) durchzuführen, wobei die Steuerschaltungsanordnung während der Testoperation konfiguriert ist zum: Anlegen einer ersten Bitleitungsspannung an die Bitleitung (130) unter Verwendung einer ersten Spannungsquelle; Anlegen einer Wortleitung-Aus-Spannung an die Wortleitung (128) unter Verwendung einer Wortleitung-Aus-Spannungsquelle; Anlegen der Vorladespannung an die Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) unter Verwendung der Leistungsversorgungsverbindungsschaltungsanordnung; Trennen der Wortleitung von der Wortleitung-Aus-Spannungsquelle; Trennen der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) von der Vorladespannung unter Verwendung der Leistungsversorgungsverbindungsschaltungsanordnung; Verbinden der Wortleitung mit der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) unter Verwendung der Wortleitungsverbindungsschaltungsanordnung; und nach dem Verbinden der Wortleitung (128) mit der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432), Bestimmen, ob eine Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung einen Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung und der Bitleitung (130) anzeigt, wobei das Bestimmen auf der Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung bezüglich der ersten Bitleitungsspannung und der Wortleitung-Aus-Spannung basiert.
  26. Speichervorrichtung gemäß Anspruch 25, die ferner folgendes Merkmal aufweist: eine Vergleichsschaltungsanordnung, die konfiguriert ist, um die Spannung der Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) mit einer Referenzspannung zu vergleichen, wobei die Steuerschaltungsanordnung konfiguriert ist, um die Vergleichsschaltungsanordnung zu verwenden, um zu bestimmen, ob die Spannung der Wortleitung (128) den Kurzschluss (140) zwischen der Wortleitung und der Bitleitung (130) anzeigt.
  27. Speichervorrichtung gemäß Anspruch 25 oder 26, bei der die Wortleitung (128) eine lokale Wortleitung in einem Segment ist, das eine Mehrzahl von lokalen Wortleitungen aufweist.
  28. Speichervorrichtung gemäß Anspruch 27, bei der die Speichervorrichtung eine gesonderte Leistungsversorgungsverbindungsschaltungsanordnung für jede Wortleitungsleistungsversorgungsleitung (432) in jedem Segment der Speichervorrichtung aufweist.
  29. Speichervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 25 bis 28, bei der die Leistungsversorgungsverbindungsschaltungsanordnung von einer Mehrzahl von Segmenten gemeinschaftlich verwendet wird, die das Segment, das die Mehrzahl von lokalen Wortleitungen (128) aufweist, umfasst.
DE102008021640A 2007-05-04 2008-04-30 Schaltung und Verfahren zum Finden von Wortleitung-Bitleitung-Kurzschlüssen in einem DRAM Withdrawn DE102008021640A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/744,790 2007-05-04
US11/744,790 US7440347B1 (en) 2007-05-04 2007-05-04 Circuit and method to find wordline-bitline shorts in a DRAM

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102008021640A1 true DE102008021640A1 (de) 2008-11-13

Family

ID=39829631

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102008021640A Withdrawn DE102008021640A1 (de) 2007-05-04 2008-04-30 Schaltung und Verfahren zum Finden von Wortleitung-Bitleitung-Kurzschlüssen in einem DRAM

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7440347B1 (de)
DE (1) DE102008021640A1 (de)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5045364B2 (ja) * 2007-10-16 2012-10-10 富士通セミコンダクター株式会社 半導体記憶装置
US8559212B2 (en) * 2011-07-06 2013-10-15 Mediatek Inc. Memory circuit and word line control circuit
TWI484496B (zh) * 2012-11-29 2015-05-11 Winbond Electronics Corp 儲存媒體及浮動偵測方法
US8947960B2 (en) * 2013-04-05 2015-02-03 Winbond Electronics Corp. Semiconductor storage with a floating detection circuitry and floating detection method thereof
US9437321B2 (en) 2014-10-28 2016-09-06 Sandisk Technologies Llc Error detection method
US9330783B1 (en) * 2014-12-17 2016-05-03 Apple Inc. Identifying word-line-to-substrate and word-line-to-word-line short-circuit events in a memory block
US9390809B1 (en) 2015-02-10 2016-07-12 Apple Inc. Data storage in a memory block following WL-WL short
US9570160B1 (en) 2015-10-29 2017-02-14 Sandisk Technologies Llc Non-volatile storage system with defect detetction and early programming termination
US9529663B1 (en) 2015-12-20 2016-12-27 Apple Inc. Detection and localization of failures in 3D NAND flash memory
US9996417B2 (en) 2016-04-12 2018-06-12 Apple Inc. Data recovery in memory having multiple failure modes
US9711227B1 (en) 2016-04-28 2017-07-18 Sandisk Technologies Llc Non-volatile memory with in field failure prediction using leakage detection
KR102651706B1 (ko) * 2017-01-09 2024-03-28 에스케이하이닉스 주식회사 라인 결함 검출 회로 및 그를 포함하는 반도체 메모리 장치
US10755787B2 (en) 2018-06-28 2020-08-25 Apple Inc. Efficient post programming verification in a nonvolatile memory
US10762967B2 (en) 2018-06-28 2020-09-01 Apple Inc. Recovering from failure in programming a nonvolatile memory
US10936455B2 (en) 2019-02-11 2021-03-02 Apple Inc. Recovery of data failing due to impairment whose severity depends on bit-significance value
US10915394B1 (en) 2019-09-22 2021-02-09 Apple Inc. Schemes for protecting data in NVM device using small storage footprint
US11264115B2 (en) * 2020-06-26 2022-03-01 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated circuit memory with built-in self-test (BIST)
US11886733B2 (en) 2020-09-28 2024-01-30 Changxin Memory Technologies, Inc. Circuit for testing a memory and test method thereof
CN114283874B (zh) * 2020-09-28 2024-02-06 长鑫存储技术有限公司 记忆体测试电路及其测试方法
KR20220069717A (ko) * 2020-11-20 2022-05-27 에스케이하이닉스 주식회사 휘발성 메모리 장치, 저장 장치 및 휘발성 메모리 장치의 동작 방법
US11550657B1 (en) 2021-09-01 2023-01-10 Apple Inc. Efficient programming schemes in a nonvolatile memory

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070070745A1 (en) 2005-09-29 2007-03-29 Martin Versen Redundant wordline deactivation scheme

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2978329B2 (ja) * 1992-04-21 1999-11-15 三菱電機株式会社 半導体メモリ装置及びそのビット線の短絡救済方法
KR950015768A (ko) * 1993-11-17 1995-06-17 김광호 불휘발성 반도체 메모리 장치의 배선단락 검출회로 및 그 방법
US5748545A (en) * 1997-04-03 1998-05-05 Aplus Integrated Circuits, Inc. Memory device with on-chip manufacturing and memory cell defect detection capability
JP2004087040A (ja) * 2002-08-28 2004-03-18 Renesas Technology Corp 半導体装置とそのテスト方法
US7257038B2 (en) * 2006-01-03 2007-08-14 Infineon Technologies Ag Test mode for IPP current measurement for wordline defect detection

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070070745A1 (en) 2005-09-29 2007-03-29 Martin Versen Redundant wordline deactivation scheme

Also Published As

Publication number Publication date
US7440347B1 (en) 2008-10-21
US20080273407A1 (en) 2008-11-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102008021640A1 (de) Schaltung und Verfahren zum Finden von Wortleitung-Bitleitung-Kurzschlüssen in einem DRAM
DE4241327C2 (de) Halbleiterspeichervorrichtung
DE102005032466B4 (de) Halbleiterspeicherbauelement und Leseverfahren
DE69626792T2 (de) Elektrische löschbare und programmierbare nichtflüchtige Speicheranordnung mit prüfbaren Redundanzschaltungen
EP1124232B1 (de) Integrierter Halbleiterspeicher mit redundanter Einheit von Speicherzellen
DE10330111A1 (de) Verfahren eines selbstreparierenden dynamischen Direktzugriffsspeichers
DE102012104648B4 (de) Techniken zur Verifikation einer Verlässlichkeit eines Speichers
DE102006015376A1 (de) Testmodus zum Erfassen einer Floating-Wortleitung
DE102006046300A1 (de) Niedrig ausgeglichener Leseverstärker für Zwillingszellen-DRAMs
DE102007019789A1 (de) Verfahren zum Zugreifen auf eine Speicherzelle in einem integrierten Schaltkreis, Verfahren zum Ermitteln eines Satzes von Wortleitungsspannung-Identifikatoren in einem integrierten Schaltkreis, Verfahren zum Klassifizieren von Speicherzellen in einem integrierten Schaltkreis, Verfahren zum Ermitteln einer Wortleitungsspannung zum Zugreifen auf eine Speicherzelle in einem integrierten Schaltkreis und integrierte Schaltkreise
DE102006004848A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Variieren eines aktiven Arbeitszyklus einer Wortleitung
DE102007002192A1 (de) Lokalwortleitungstreiberschema, um Ausfälle aufgrund einer schwebenden Wortleitung bei einem Segmentiert-Wortleitung-Treiberschema zu vermeiden
DE102006046299A1 (de) Verfahren zur Deaktivierung einer redundanten Wortleitung
DE10022698A1 (de) Halbleiterspeichereinrichtung
DE102005001520A1 (de) Integrierte Speicherschaltung und Verfahren zum Reparieren eines Einzel-Bit-Fehlers
DE102005035444B4 (de) Verfahren zum Testen der Betriebsbrauchbarkeit von Bitleitungen in einer DRAM-Speichervorrichtung
DE19947041C2 (de) Integrierter dynamischer Halbleiterspeicher mit redundanten Einheiten von Speicherzellen und Verfahren zur Selbstreparatur
EP1193598A1 (de) Intergrierter Speicher mit Speicherzellen mit magnetoresistivem Speichereffekt
DE102005004379B4 (de) Speicherbauelement und Verfahren zum Testen von Speicherbauelementen mit reparaturfähiger Redundanz
DE102008016205A1 (de) Verfahren und Schaltung zur Belastung von Zwischenverbindungen auf hoher Ebene in Halbleiterbauelementen
DE102005050394A1 (de) Simulieren einer Bedingung einer floatenden Wortleitung in einer Speichervorrichtung und verwandte Techniken
DE10341537B4 (de) Halbleiterspeichervorrichtung und Testverfahren desselben unter Verwendung eines Zeilenkomprimierungstestmodus
DE10320624A1 (de) Beschleunigte Ermüdungsprüfung
US6396750B2 (en) Integrated memory with redundancy and method for repairing an integrated memory
DE102008023557A1 (de) Integrierte-Schaltung-Speicherbauelement, das auf einen Wortleitungs-/Bitleitungskurzschluss anspricht

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE

Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE

Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: WILHELM & BECK, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE

Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 85579 NEUBIBERG, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: WILHELM & BECK, DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee