DE102008016214B4 - Sensorelement und Sensorzusammenstellung mit Umhüllung - Google Patents
Sensorelement und Sensorzusammenstellung mit Umhüllung Download PDFInfo
- Publication number
- DE102008016214B4 DE102008016214B4 DE102008016214.0A DE102008016214A DE102008016214B4 DE 102008016214 B4 DE102008016214 B4 DE 102008016214B4 DE 102008016214 A DE102008016214 A DE 102008016214A DE 102008016214 B4 DE102008016214 B4 DE 102008016214B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate layer
- recess
- sensor
- sensor element
- sensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
- B81B3/0067—Mechanical properties
- B81B3/0072—For controlling internal stress or strain in moving or flexible elements, e.g. stress compensating layers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0069—Electrical connection means from the sensor to its support
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0054—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
Description
- Gebiet der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Sensorelement mit einem empfindlichen Sensorteil auf einer Oberseite einer Substratschicht. In einer weiteren Ausführung betrifft die vorliegende Erfindung eine Sensorzusammenstellung ausgestattet mit mindestens einem Sensorelement und einer Umhüllung, wobei die Umhüllung mit einer Öffnung für einen exponierten Sensorteil des Sensorelements, zum Beispiel einen Drucksensor, ausgestattet ist.
- Stand der Technik
- Ein derartiges Sensorelement und Sensorzusammenstellung sind bekannt aus der Patentoffenbarung
WO 2007/017301 - Zusammenfassung der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung versucht ein Sensorelement bereitzustellen, das weniger empfindlich ist für Spannungen und Kräfte von außerhalb.
- Diese Aufgabe wird mit einem Sensorelement gemäß dem Anspruch 1, 2 oder 3 gelöst.
- Vorteilhafte Ausführungsformen finden sich in den abhängigen Ansprüchen.
- Infolge der Aussparung in der oberen Oberfläche der Substratschicht wird das empfindliche Sensorteil (wenigstens teilweise) mechanisch isoliert. Hierdurch werden Spannungen, die auf die Substratschicht ausgeübt werden, nicht an das empfindliche Sensorteil weitergegeben.
- In einer Ausführungsform, nimmt die Aussparung insgesamt mindestens drei Viertel des Umrisses des empfindlichen Sensorteils an der Obenseite ein. Die Aussparung kann zum Beispiel als drei oder vier gerade, anschließende Nuten ausgebildet sein, oder als eine kreisförmige Nut über mehr als 270° um das empfindliche Sensorteil herum. Dies kann schon eine ausreichende Isolation oder Entkopplung des empfindlichen Sensorteils bewirken.
- Das empfindliche Sensorteil umfasst in einer weiteren Ausführungsform eine Membran, zum Beispiel, um einen Drucksensor aus Siliziummaterial zu bilden. Wegen der flachen Form einer derartigen Membran ist diese sehr empfindlich für Spannungen von außerhalb (Biege- und Zugkräfte)
- In einer weiteren Ausführungsform ist unter der Membran einen Hohlraum in der Substratschicht vorgesehen. Wenn dieser Hohlraum durch eine zweite Substratschicht abgeschossen ist, wird eine hermetisch abgeschlossene Kammer gebildet, wodurch das Sensorelement einen absoluten Druck messen kann. Wenn der Hohlraum nicht abgeschlossen ist, kann das Sensorelement einen relativen Druck messen.
- In noch einer weiteren Ausführungsform ist eine dritte Substratschicht auf der Vorderseite der zweiten Substratschicht vorgesehen, erstreckt sich die Aussparung bis zur Unterseite der zweiten Substratschicht, und ist die zweite Substratschicht an die dritte Substratschicht in einem Gebiet außerhalb der Aussparung befestigt. Dadurch wird ein klöppelartiger Körper gebildet mit dem darin befindlichen empfindlichen Sensorteil, das sich relativ frei bewegen kann in Bezug auf die dritte Substratschicht.
- Die Aussparung ist in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung durch mindestens ein Brückenteil unterbrochen. Dies ermöglicht es, elektrische Anschlussverbindungen zwischen dem empfindlichen Sensorteil und Anschlussgebieten auf der Substratoberfläche anzubringen, zum Beispiel in Form von Metallspuren.
- In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Brückenteil zwei (oder mehr) einander gegenüberliegende Teile. Dies bewirkt eine stabilere Konstruktion der Aufhängung des empfindlichen Sensorteils. Ebenso ist es möglich, dass auf diese Art und Weise einer Kraft, die auf beide Teile in entgegengesetzte Richtung ausgeübt wird (zum Beispiel durch Druck beidseitig des Sensors), in eine Rotation des empfindlichen Sensorteils umgewandelt wird, ohne dass Spannungen zum empfindlichen Sensorteil weitergegeben werden. Um diesen Effekt zu vergrößern, bildet in einer weiteren Ausführungsform das Brückenteil einen Winkel mit der Aussparung (in der Fläche der Substratschicht).
- In einer weiteren Ausführungsform weist die Aussparung eine Tiefe in der Richtung senkrecht zu der Obenseite der Substratschicht auf, die größer ist als die Stärke des empfindlichen Sensorteils. Dies kann bei einer dünnen Membran zum Beispiel 10 μm oder sogar weniger sein. In anderen Fällen kann die Aussparung sich über die ganze Substratschicht erstrecken.
- In einer weiteren Ausführungsform, bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine Sensorzusammenstellung der oben definierten Art, wobei die Umhüllung weiterhin mit einer Aussparung am Umriss der Öffnung ausgestattet ist. Auf gleiche Weise wie die Ausführungsformen des Sensorelements, wie oben beschrieben, ergibt diese Aussparung eine mechanische Entkopplung des empfindlichen Sensorteils, wodurch der Sensor als Ganzes weniger empfindlich ist für auftretende Spannungen und von außerhalb ausgeübte Kräften. In einer Ausführungsform, nimmt die Aussparung insgesamt mindestens drei Viertel des Umrisses der Öffnung ein. Die Aussparung kann zum Beispiel wieder als drei oder vier gerade, anschließende Nuten ausgebildet sein, oder als eine kreisförmige Nut über mehr als 270° um die Öffnung herum.
- In einer Ausführungsform ist das Sensorelement auf einem Träger angeordnet ('lead frame'), und die Aussparung erstreckt sich bis zum Träger. In jedem fall wird eine Verbesserung der mechanischen Isolation erreicht.
- In einer noch weiteren Ausführungsform ist das exponierte Sensorteil des Sensorelements mit Schutzmaterial abgedeckt, beispielsweise mit einem Gel. Ein derartiges Schutzmaterial behindert die primäre Funktion des empfindlichen Sensorteils (Druck zu messen) nicht, bewirkt aber eine Abschirmung und eine damit verbundene, verbesserte Lebensdauer des Sensors.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
- Die vorliegende Erfindung wird jetzt an Hand von beispielhaften Ausführungsformen ausführlicher besprochen werden, unter Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, wobei
-
1 einen perspektivischen Querschnitt eines Sensorelements nach dem Stand der Technik zeigt; -
2 einen perspektivischen Querschnitt eines Sensorelements gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt; -
3 einen perspektivischen Teilquerschnitt eines Sensorelements gemäß einer weiteren Ausführungsform des Sensorelements der vorliegenden Erfindung zeigt; -
4 eine Explosionsansicht des Sensorelements aus3 zeigt; -
5 eine perspektivische Draufsicht mit Teilquerschnitt auf eine weitere Ausführungsform des Sensorelements gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt; -
6 eine perspektivische Draufsicht mit Teilquerschnitt auf eine Alternative zur Ausführungsform von5 zeigt. -
7 einen perspektivischen Querschnitt einer Sensorzusammenstellung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; -
8 einen perspektivischen Querschnitt einer weiteren Ausführungsform der Sensorzusammenstellung aus7 zeigt. - Ausführliche Beschreibung von Ausführungsbeispielen
- In
1 ist einen perspektivischen Querschnitt eines (Halbleiter-) Sensorelements1 gezeigt, das nach bekannten Techniken hergestellt ist. Das Sensorelement1 ist in einer ersten (aktiven) Substratschicht11 gebildet, zum Beispiel aus Halbleitermaterial, wobei auf der Oberseite der ersten Substratschicht11 Leiterbahnen4 angeordnet sind, die ein empfindliches Sensorteil2 elektrisch mit Anschlussregionen5 verbinden. Auf die Anschlussregionen5 werden beim Herstellen eines kompletten Chips Anschlussdrähte angeheftet, geschweißt oder gelötet. In der gezeigten Ausführungsform ist das empfindliche Sensorteil2 eine Membran über einem Hohlraum oder einer Kammer3 . Die Membran2 ist beispielsweise ausgestattet mit einer Anzahl von Dehnungsmessstreifen in einer Wheatstone'schen Brückenschaltung, wodurch ein Drucksensor gebildet wird. In der gezeigten Ausführungsform ist der Hohlraum3 abgeschlossen durch eine zweite Substratschicht12 , die hermetisch mit der ersten Substratschicht11 verbunden ist. Hiermit wird das Sensorelement1 zur absoluten Druckmessung geeignet. Falls die zweite Substratschicht nicht vorgesehen ist, erhält man einen relativen Drucksensor. - Durch unzählige Einflüsse von außerhalb werden auf das empfindliche Teil
2 des Sensorelements1 Kräfte ausgeübt, die nachteilig sind für ein zuverlässiges und korrektes Funktionieren (Stabilität, Genauigkeit). Zu bedenken sind Spannungen, die im Material der ersten Substratschicht11 entstehen, beispielsweise durch den Träger, auf dem der Sensorchip angeordnet ist ('lead frame'), Klebematerialien, die Umhüllung des Chips und dessen Herstellung (Spannungen durch Schrumpfen oder gerade Ausdehnung). Die Spannungen können durch Kräfte verursacht werden, aber auch durch Biegung oder Torsion. - Diese Probleme werden gelöst mit einem Sensorelement nach einer der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. Eine erste Ausführungsform wird in dem perspektivischen Teilquerschnitt der
2 gezeigt. Die Gliederung des Sensorelements1 ist größtenteils die gleiche wie beim Sensorelement, das in1 gezeigt wird, wobei als Zusatzmaßnahme eine Aussparung6 um das empfindliche Sensorteil2 herum angebracht ist. In der dargestellten Ausführungsform ist die Aussparung6 eine Nut mit einer Tiefe d (zum Beispiel einige Mikrometer), die in der Obenseite der ersten Substratschicht11 angebracht ist, beispielsweise mit einer Ätztechnik oder einer anderen Materialentfernungstechnik, wie Fräsen. Die Aussparung6 ist an einer Stelle durch ein Brückenteil9 unterbrochen, was ermöglicht, die Leiterbahnen4 vom empfindlichen Sensorteil2 zu den Anschlussregionen5 verlaufen zu lassen. Durch die Aussparung6 wird eine obere Schicht der ersten Substratschicht11 an der Stelle des empfindlichen Sensorteils2 von dem Rest der ersten Substratschicht11 mechanisch größtenteils isoliert. Spannungen (Kräfte, Biegungen, Torsionen) auf andere Teile des Sensorelements1 werden (fast) nicht an das empfindliche Sensorteil2 weitergegeben. - Die Aussparung
6 ist um den größten Teil des Umrisses des empfindlichen Sensorteils2 herum angebracht, zum Beispiel insgesamt zu mehr als drei Viertel des Umrisses. Die Form der Aussparung6 ist dargestellt als eine Kombination von langgestreckten Nuten, aber es ist klar, dass andere Formen (Vieleck, Zirkel, Oval) einen gleichartigen Effekt bewirken. - Die Tiefe d der Aussparung
6 (die auch als Nut, Schlitz, Kerbe, Aushöhlung, Spalte und dergleichen mehr angebracht werden kann) kann an die spezifische Anwendung des Sensorelements1 angepasst werden. Eine bessere mechanische Entkopplung kann erzielt werden, wenn die Aussparung eine größere Tiefe d hat, zum Beispiel über die ganze Stärke der ersten Substratschicht11 . - Eine weitere Ausführungsform ist im perspektivischen Teilquerschnitt von
3 und im explodierten perspektivischen Querschnitt von4 dargestellt. In diesem Sensorelement1 ist eine dritte Substratschicht13 vorgesehen, die als Basis für das Sensorelement1 fungiert. Dies ermöglicht es, die Aussparung6 in der ersten Substratschicht11 als eine zweite Aussparung7 in die zweite Substratschicht fortzusetzen. Hierdurch wird eine Abschlussschicht8 gebildet, die den Hohlraum3 unter dem empfindlichen Sensorteil2 hermetisch abschließt (zum Beispiel für einen Absolutdrucksensor). Die zweite Substratschicht12 wird an der dritten Substratschicht13 befestigt (hermetische Verbindungsschicht15 ), mit Ausnahme der Abschlussschicht8 (lose Flächen16 ). Hierdurch wird eine Art Klöppel gebildet, abgegrenzt durch die Aussparung6 und die zweite Aussparung7 , der sich frei über die Oberfläche16 der dritten Substratschicht13 (selbstverständlich am Platz gehalten vom Brückenteil9 ) bewegen kann. Dies hat den Vorteil, dass vielerlei Kräfte von außerhalb, Biegungen oder Torsionen in der Kombination der ersten, zweiten und dritten Substratschicht11 –13 außerordentlich effektiv vom empfindlichen Sensorteil2 isoliert werden. Die lose Fläche16 des 'Klöppels' kann and der Oberfläche der dritten Substratschicht anliegen, oder frei liegen. In dem letztgenannten Fall bildet die Oberfläche einen Endanschlag der losen Fläche16 , wodurch eine gewisse Bewegung des Klöppels möglich ist. - In
5 wird eine Draufsicht mit Teilquerschnitt einer alternativen Ausführungsform gezeigt, wobei die Aussparung6 an zwei Stellen durch ein Brückenteil9 ,9a unterbrochen wird. Die Brückenteile9 ,9a sind bezüglich des Sensorteils2 diametral angeordnet. Als Effekt ergibt dies eine stabilere Konstruktion des Sensorelements1 , und es ist auch möglich mehr Oberfläche für Leiterbahnen4 zu nutzen. Zugleich wird, wenn eine Kloppelkonstruktion verwendet wird, wie mit Bezug auf3 und4 besprochen, eine auf die Halbleiterschichten11 –13 ausgeübte Kraft teilweise in eine Rotationsbewegung umgewandelt, ohne die Spannung zum empfindlichen Sensorteil2 weiterzuleiten. - In
6 wird eine perspektivische Draufsicht einer noch weiteren Alternative gezeigt, wobei die Brückenteile9 ,9a unter einem Winkel zu der als langgestreckter Schlitz ausgeführten Aussparung6 stehen. Dies hat den Effekt, dass eine Spannung, die auf zwei Seiten des Sensorelements1 ausgeübt wird (angedeutet mit den Pfeilen bei den Brückenteilen9 ,9a ), eine Rotation des empfindlichen Sensorteils2 (des Klöppels) herbeiführt, aber keine Spannung in dem empfindlichen Sensorteil2 . - Nach der vorliegenden Erfindung ist es auch möglich, unter Verwendung von einer oder mehreren Aussparungen
22 ,24 in einer Umhüllung21 einer Sensorzusammenstellung Spannungen in einem empfindlichen Sensorteil2 eines Sensorelements1 zu verringern. Eine erste diesbezügliche Ausführungsform wird gezeigt in der perspektivischen Querschnittsansicht in7 . Ein Sensorelement1 , in diesem Fall aufgebaut aus einer ersten und einer zweiten Substratschicht11 ,12 , und versehen mit einem empfindlichen Sensorteil2 über einem abgeschlossenen Hohlraum3 , ist auf einem Träger20 angeordnet (beispielsweise einem Anschlussträger oder 'lead frame'). Diese Zusammenstellung wird auf eine an sich bekannte Weise umgeben durch eine Umhüllung21 zum Schutz des Chips mit dem Sensorelement1 . Für ein gutes Funktionieren des Sensorelements1 wird in der Umhüllung21 eine Öffnung23 freigehalten, wodurch das empfindliche Sensorteil2 des Sensorelements1 der Umgebung ausgesetzt ist. Durch eine Aussparung22 in der Umhüllung21 wird erreicht, dass extern angewandte Kräfte (durch Biegen, Tordieren, usw.) in geringerem Maße zum Sensorelement1 selbst weitergegeben werden, insbesondere zum empfindlichen Sensorteil2 . Um den Effekt zu verbessern, können, so wie in der Ausführungsform von7 dargestellt, auch auf der Unterseite der Umhüllung21 Nuten oder Aussparungen24 angebracht werden. - In
8 wird ein perspektivischer Querschnitt einer weiteren Ausführungsform gezeigt, wobei die Aussparungen22 ,24 tiefer sind, und sich bis zum Träger20 erstrecken. Der Effekt von der Entkopplung des empfindlichen Sensorteils2 von externen Kräften wird hierdurch effektiver. Weiter ist in dieser Ausführungsform die Aussparung22 auf der Oberseite der Umhüllung21 nur über einen Teil des Umrisses um die Öffnung23 herum ausgeführt. Dies ist besonders vorteilhaft, wenn die möglichen externen Einflüsse (die beispielsweise immer in einer Richtung auftreten) im Voraus bekannt sind, oder wenn zum Beispiel zwei nebeneinander angeordnete Sensoren1 in der gleichen Umhüllung21 untergebracht werden. - Es ist offensichtlich, dass das Sensorelement
1 , das in der Sensorzusammenstellung gemäß dieser Ausführungsform angewandt wird, mit einer Aussparung6 , wie oben beschrieben, versehen sein kann, oder nicht. - Weiterhin ist in der Ausführungsform von
8 angegeben, dass die Öffnung23 mit einem Schutzmaterial25 gefüllt ist, beispielsweise einem Gel oder einem Geflecht ('gaaswerk'). Hierdurch wird das empfindliche Sensorteil2 gegen externe Einflüsse geschützt, während gutes Funktionieren (zum Beispiel als Drucksensor) nicht beeinträchtigt wird. Das Gel25 kann auch in den Aussparungen22 ,24 angebracht werden, so dass diese nicht mit Schmutz oder Ähnlichem verstopfen können und die Spannungsentkopplungsfunktion während einer längeren Zeit aufrechterhalten bleibt. - Für den Fachmann ist es offensichtlich, dass Modifikationen und Änderungen an den dargestellten Ausführungsformen möglich sind, und das diese unter den Schutzumfang dieser Erfindung fallen, die durch die beigelegten Ansprüche definiert wird. So kann beispielsweise die dargestellte rechteckige Form der Aussparungen
6 ,22 ,24 ohne Effektverlust in eine Vieleckform, Zirkelform, Dualform, usw. geändert werden.
Claims (17)
- Sensorelement mit einem empfindlichen Sensorteil (
2 ) an der Oberseite einer Substratschicht (11 ), wobei die Oberseite der Substratschicht (11 ) mit einer Aussparung (6 ,7 ) an dem Umriss des empfindlichen Sensorteils versehen ist, wobei eine dritte Substratschicht (13 ) auf einer Unterseite einer zweiten Substratschicht (12 ) vorgesehen ist, die Aussparung (6 ,7 ) sich bis zu der Unterseite der zweiten Substratschicht (12 ) erstreckt, und die zweite Substratschicht (12 ) an die dritte Substratschicht (13 ) in einer Region außerhalb der Aussparung (6 ,7 ) befestigt ist. - Sensorelement mit einem empfindlichen Sensorteil (
2 ) an der Oberseite einer Substratschicht (11 ), wobei die Oberseite der Substratschicht (11 ) mit einer Aussparung (6 ) an dem Umriss des empfindlichen Sensorteils versehen ist, wobei die Aussparung (6 ) durch mindestens ein Brückenteil (9 ) unterbrochen ist und wobei das Brückenteil (9 ) zwei einander gegenüberliegende Teile (9 ,9a ) umfasst. - Sensorelement mit einem empfindlichen Sensorteil (
2 ) an der Oberseite einer Substratschicht (11 ), wobei die Oberseite der Substratschicht (11 ) mit einer Aussparung (6 ) an dem Umriss des empfindlichen Sensorteils versehen ist, wobei die Aussparung (6 ) durch mindestens ein Brückenteil (9 ) unterbrochen ist und das Brückenteil (9 ) einen Winkel mit der Aussparung (6 ) bildet. - Sensorelement nach einem der Ansprüche 1–3, wobei die Aussparung (
6 ) insgesamt mindestens drei Viertel des Umrisses des empfindlichen Sensorteils (2 ) auf der Oberseite einnimmt. - Sensorelement nach einem der Ansprüche 1–4, wobei das empfindliche Sensorteil (
2 ) eine Membran umfasst. - Sensorelement nach Anspruch 5, wobei unter der Membran (
2 ) ein Hohlraum (3 ) in der Substratschicht (11 ) vorgesehen ist. - Sensorelement nach Anspruch 6, wobei der Hohlraum (
3 ) durch eine zweite Substratschicht (12 ) abgeschlossen ist. - Sensorelement nach einem der Ansprüche 2 bis 7, wobei eine dritte Substratschicht (
13 ) auf einer Unterseite der zweiten Substratschicht (12 ) vorgesehen ist, die Aussparung (6 ,7 ) sich bis zu der Unterseite der zweiten Substratschicht (12 ) erstreckt, und die zweite Substratschicht (12 ) an die dritte Substratschicht (13 ) in einer Region außerhalb der Aussparung (6 ,7 ) befestigt ist. - Sensorelement nach einem der Ansprüche 1, 4 bis 68, wobei die Aussparung (
6 ) durch mindestens ein Brückenteil (9 ) unterbrochen ist. - Sensorelement nach Anspruch 3 oder 9, wobei das Brückenteil (
9 ) zwei einander gegenüberliegende Teile (9 ,9a ) umfasst. - Sensorelement nach Anspruch 2, 9 oder 10, wobei das Brückenteil (
9 ,9a ) einen Winkel mit der Aussparung (6 ) bildet. - Sensorelement nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die Aussparung (
6 ) eine Tiefe in einer Richtung senkrecht zur Oberseite der Substratschicht (11 ) aufweist, die größer ist als die Dicke des empfindlichen Sensorteils (2 ). - Sensorzusammenstellung, mindestens ein Sensorelement (
1 ) und eine Umhüllung (21 ) aufweisend, wobei die Umhüllung (21 ) eine Öffnung (23 ) für ein exponiertes Sensorteil (2 ) des Sensorelements (1 ) aufweist, und wobei die Umhüllung (21 ) weiterhin mit einer Aussparung (22 ) am Umriss der Öffnung (23 ) versehen ist. - Sensorzusammenstellung nach Anspruch 13, wobei die Aussparung (
22 ) insgesamt mindestens drei Viertel des Umrisses der Öffnung (23 ) umfasst. - Sensorzusammenstellung nach Anspruch 13 oder 14, wobei das Sensorelement (
1 ) auf einem Träger angeordnet ist und die Aussparung (22 ) bis zum Träger (20 ) reicht. - Sensorzusammenstellung nach einem der Ansprüche 13 bis 15, wobei die Aussparung (
22 ,24 ) auf beiden Seiten des Trägers (20 ) angebracht ist. - Sensorzusammenstellung nach einem der Ansprüche 13 bis 16, wobei das exponierte Sensorteil (
2 ) des Sensorelements (1 ) mit einem Schutzmaterial (25 ) abgedeckt ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL2000566 | 2007-03-30 | ||
NL2000566A NL2000566C2 (nl) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | Sensorelement en sensorsamenstel met omhulling. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102008016214A1 DE102008016214A1 (de) | 2008-10-30 |
DE102008016214B4 true DE102008016214B4 (de) | 2015-09-17 |
Family
ID=39055712
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102008016214.0A Active DE102008016214B4 (de) | 2007-03-30 | 2008-03-28 | Sensorelement und Sensorzusammenstellung mit Umhüllung |
DE202008018412U Expired - Lifetime DE202008018412U1 (de) | 2007-03-30 | 2008-03-28 | Sensorelement und Sensorzusammenstellung mit Umhüllung |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE202008018412U Expired - Lifetime DE202008018412U1 (de) | 2007-03-30 | 2008-03-28 | Sensorelement und Sensorzusammenstellung mit Umhüllung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7685881B2 (de) |
DE (2) | DE102008016214B4 (de) |
NL (1) | NL2000566C2 (de) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9131325B2 (en) | 2010-08-31 | 2015-09-08 | Freescale Semiconductor, Inc. | MEMS device assembly and method of packaging same |
US8304275B2 (en) * | 2010-08-31 | 2012-11-06 | Freescale Semiconductor, Inc. | MEMS device assembly and method of packaging same |
DE102010043982A1 (de) * | 2010-11-16 | 2011-12-15 | Robert Bosch Gmbh | Sensoranordnung |
DE102011112935B4 (de) * | 2011-09-13 | 2015-02-12 | Micronas Gmbh | Kraftsensor |
DE102012010842A1 (de) | 2012-05-31 | 2013-12-05 | Hella Kgaa Hueck & Co. | Sensor mit von einem Substrat umhüllten Sensorelement |
EP2725334B1 (de) * | 2012-10-25 | 2020-04-15 | Invensense, Inc. | Drucksensor mit einer Membrane und Herstellungsverfahren dafür |
US10167187B2 (en) * | 2013-07-09 | 2019-01-01 | Seiko Epson Corporation | Physical quantity sensor having an elongated groove, and manufacturing method thereof |
EP2871456B1 (de) * | 2013-11-06 | 2018-10-10 | Invensense, Inc. | Drucksensor und Herstellungsmethode für einen Drucksensor |
EP2871455B1 (de) * | 2013-11-06 | 2020-03-04 | Invensense, Inc. | Drucksensor |
JP6476869B2 (ja) * | 2015-01-06 | 2019-03-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、電子機器および移動体 |
DE102015104410B4 (de) * | 2015-03-24 | 2018-09-13 | Tdk-Micronas Gmbh | Drucksensor |
EP3614115A1 (de) | 2015-04-02 | 2020-02-26 | InvenSense, Inc. | Drucksensor |
JP6665589B2 (ja) * | 2016-03-02 | 2020-03-13 | オムロン株式会社 | 圧力センサチップ及び圧力センサ |
JP6665588B2 (ja) * | 2016-03-02 | 2020-03-13 | オムロン株式会社 | 圧力センサ |
DE102016219807A1 (de) * | 2016-10-12 | 2018-04-12 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanischer Sensor |
EP3444609A1 (de) | 2017-08-14 | 2019-02-20 | Sensirion AG | Messung der konzentrationen eines zielgases |
US11225409B2 (en) | 2018-09-17 | 2022-01-18 | Invensense, Inc. | Sensor with integrated heater |
EP3969868A1 (de) | 2019-05-17 | 2022-03-23 | InvenSense, Inc. | Drucksensor mit verbesserter dichtigkeit |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000029822A1 (en) * | 1998-11-12 | 2000-05-25 | Maxim Integrated Products, Inc. | Chip-scale packaged pressure sensor |
US20030205091A1 (en) * | 2002-05-06 | 2003-11-06 | Honeywell International Inc. | Sensor package |
WO2007017301A1 (de) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Robert Bosch Gmbh | Gemoldeter mikromechanischer kraft-/druckwandler sowie ein entsprechendes herstellungsverfahren |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3387494A (en) * | 1966-04-28 | 1968-06-11 | Marcel J.E. Golay | Tensioned membrane |
US4841777A (en) * | 1988-03-22 | 1989-06-27 | Honeywell Inc. | Pressure transmitter assembly |
JPH05206354A (ja) * | 1992-01-24 | 1993-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |
US5327785A (en) * | 1993-03-09 | 1994-07-12 | Honeywell Inc. | Pressure sensor with improved heat dissipation characteristics |
US5948991A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-07 | Denso Corporation | Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip |
JP3697862B2 (ja) * | 1997-11-06 | 2005-09-21 | 株式会社デンソー | 圧力検出装置 |
US5986316A (en) * | 1997-11-26 | 1999-11-16 | Denso Corporation | Semiconductor type physical quantity sensor |
JP4389326B2 (ja) * | 1999-05-06 | 2009-12-24 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
US6401545B1 (en) * | 2000-01-25 | 2002-06-11 | Motorola, Inc. | Micro electro-mechanical system sensor with selective encapsulation and method therefor |
DE102005053861A1 (de) * | 2005-11-11 | 2007-05-16 | Bosch Gmbh Robert | Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung |
-
2007
- 2007-03-30 NL NL2000566A patent/NL2000566C2/nl not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-03-27 US US12/056,585 patent/US7685881B2/en active Active
- 2008-03-28 DE DE102008016214.0A patent/DE102008016214B4/de active Active
- 2008-03-28 DE DE202008018412U patent/DE202008018412U1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000029822A1 (en) * | 1998-11-12 | 2000-05-25 | Maxim Integrated Products, Inc. | Chip-scale packaged pressure sensor |
US20030205091A1 (en) * | 2002-05-06 | 2003-11-06 | Honeywell International Inc. | Sensor package |
WO2007017301A1 (de) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Robert Bosch Gmbh | Gemoldeter mikromechanischer kraft-/druckwandler sowie ein entsprechendes herstellungsverfahren |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7685881B2 (en) | 2010-03-30 |
US20080236292A1 (en) | 2008-10-02 |
DE102008016214A1 (de) | 2008-10-30 |
DE202008018412U1 (de) | 2013-08-13 |
NL2000566C2 (nl) | 2008-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102008016214B4 (de) | Sensorelement und Sensorzusammenstellung mit Umhüllung | |
EP1141670B1 (de) | Drucksensor | |
DE2117477C3 (de) | Kraftmeßwertwandler | |
DE102017103120A1 (de) | Drucksensorchip und Drucksensor | |
DE2839405A1 (de) | Wandler zur ueberwachung dynamischer aenderungen einer kraftstoff-einspritzleitung | |
DE102017103121A1 (de) | Drucksensor | |
DE102013012506A1 (de) | Stabförmiger Kraftaufnehmer mit verbessertem Verformungsverhalten | |
CH664235A5 (de) | Piezoelektrisches messelement. | |
DE4133008C2 (de) | Kapazitive Drucksensoren und Herstellungsverfahren hierzu | |
DE102004026210A1 (de) | Vorrichtung zur Erfassung einer physikalischen Größe und Gehäuse für eine Anordnung zur Messung einer physikalischen Größe | |
DE1447995C3 (de) | Elektromechanischer Wandler mit einem Piezo-Widerstandselement | |
DE10224199A1 (de) | Kraft-Messdose | |
DE102017104349A1 (de) | Wägezelle für eine Waage | |
DE19506338C2 (de) | Piezoelektrisches Meßelement | |
EP0483912B1 (de) | Scheibenförmiger Scherkraft-Messwertaufnehmer für eine Wägezelle | |
DE102010012701A1 (de) | Mikrokraftsensor | |
DE60207864T2 (de) | Drucksensor | |
DE1648461A1 (de) | Wandler | |
DE69915185T2 (de) | Gerät zur Messung des Drehmomentes zwischen zwei koaxialen Wellen mit einem Ring | |
DE4138056C2 (de) | Halbleiter-Beschleunigungssensor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE10036495C2 (de) | Kraftmessvorrichtung in Form eines Biegebalkensensors | |
DE2712359A1 (de) | Elektromechanisches beschleunigungs- messgeraet | |
DE3814054C2 (de) | ||
DE3236708A1 (de) | Elektrischer kraftaufnehmer | |
DE2129214A1 (de) | Messwertwandler, insbesondere fuer die kraftmessung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: GRUENECKER, KINKELDEY, STOCKMAIR & SCHWANHAEUSSER, Representative=s name: GRUENECKER, KINKELDEY, STOCKMAIR & SCHWANHAEUS, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: ELMOS SEMICONDUCTOR AKTIENGESELLSCHAFT, DE Free format text: FORMER OWNER: ELMOS ADVANCED PACKAGING B.V., NIJMEGEN, NL Effective date: 20120207 Owner name: ELMOS SEMICONDUCTOR AG, DE Free format text: FORMER OWNER: ELMOS ADVANCED PACKAGING B.V., NIJMEGEN, NL Effective date: 20120207 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: GRUENECKER, KINKELDEY, STOCKMAIR & SCHWANHAEUS, DE Effective date: 20120207 Representative=s name: GRUENECKER PATENT- UND RECHTSANWAELTE PARTG MB, DE Effective date: 20120207 |
|
R012 | Request for examination validly filed |
Effective date: 20120124 |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: GRUENECKER, KINKELDEY, STOCKMAIR & SCHWANHAEUS, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: ELMOS SEMICONDUCTOR AKTIENGESELLSCHAFT, DE Free format text: FORMER OWNER: ELMOS SEMICONDUCTOR AG, 44227 DORTMUND, DE Effective date: 20150108 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: GRUENECKER, KINKELDEY, STOCKMAIR & SCHWANHAEUS, DE Effective date: 20150108 Representative=s name: GRUENECKER PATENT- UND RECHTSANWAELTE PARTG MB, DE Effective date: 20150108 |
|
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: G01L0009060000 Ipc: G01L0009040000 |
|
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: G01L0009060000 Ipc: G01L0009040000 Effective date: 20150518 |
|
R020 | Patent grant now final | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: DOMPATENT VON KREISLER SELTING WERNER - PARTNE, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: MEASUREMENT SPECIALTIES, INC., HAMPTON, US Free format text: FORMER OWNER: ELMOS SEMICONDUCTOR AKTIENGESELLSCHAFT, 44227 DORTMUND, DE Owner name: SILICON MICROSTRUCTURES, INC., MILPITAS, US Free format text: FORMER OWNER: ELMOS SEMICONDUCTOR AKTIENGESELLSCHAFT, 44227 DORTMUND, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: DOMPATENT VON KREISLER SELTING WERNER - PARTNE, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: MEASUREMENT SPECIALTIES, INC., HAMPTON, US Free format text: FORMER OWNER: SILICON MICROSTRUCTURES, INC., MILPITAS, CALIF., US |