DE202008018412U1 - Sensorelement und Sensorzusammenstellung mit Umhüllung - Google Patents

Sensorelement und Sensorzusammenstellung mit Umhüllung Download PDF

Info

Publication number
DE202008018412U1
DE202008018412U1 DE202008018412U DE202008018412U DE202008018412U1 DE 202008018412 U1 DE202008018412 U1 DE 202008018412U1 DE 202008018412 U DE202008018412 U DE 202008018412U DE 202008018412 U DE202008018412 U DE 202008018412U DE 202008018412 U1 DE202008018412 U1 DE 202008018412U1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sensor
recess
sensor element
substrate layer
sensitive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE202008018412U
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Elmos Semiconductor SE
Original Assignee
Elmos Semiconductor SE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Elmos Semiconductor SE filed Critical Elmos Semiconductor SE
Publication of DE202008018412U1 publication Critical patent/DE202008018412U1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0067Mechanical properties
    • B81B3/0072For controlling internal stress or strain in moving or flexible elements, e.g. stress compensating layers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0061Electrical connection means
    • G01L19/0069Electrical connection means from the sensor to its support
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0051Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
    • G01L9/0052Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
    • G01L9/0054Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

Sensorelement mit einem empfindlichen Sensorteil (2) an der Oberseite einer Substratschicht (11), wobei die Oberseite der Substratschicht (11) mit einer Aussparung (6) an dem Umriss des empfindlichen Sensorteils versehen ist.

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Sensorelement mit einem empfindlichen Sensorteil auf einer Oberseite einer Substratschicht. In einer weiteren Ausführung betrifft die vorliegende Erfindung eine Sensorzusammenstellung ausgestattet mit mindestens einem Sensorelement und einer Umhüllung, wobei die Umhüllung mit einer Öffnung für einen exponierten Sensorteil des Sensorelements, zum Beispiel einen Drucksensor, ausgestattet ist.
  • Stand der Technik
  • Ein derartiges Sensorelement und Sensorzusammenstellung sind bekannt aus der Patentoffenbarung WO 2007/017301 . Diese Offenbarung zeigt einen Drucksensor mit einer Membran, unter der einen Hohlraum kreiert ist. Ein Nachteil derartiger Sensorelemente und Sensorzusammenstellungen ist, dass diese empfindlich sind für vielerlei Spannungen von außerhalb, die weitergegeben werden an das empfindliche Element im Sensor, zum Beispiel beim Anbringen und Aushärten der Umhüllung des Sensors. Diese Spannungen führen Fehler und Abweichungen im Messsignal des Sensors herbei.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung versucht ein Sensorelement bereitzustellen, das weniger empfindlich ist für Spannungen und Kräfte von außerhalb.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Sensorelement der eingangs erwähnten Sorte bereitgestellt, wobei die Oberseite der Substratschicht mit einer Aussparung um das empfindliche Sensorteil herum versehen ist. Infolge der Aussparung in der oberen Oberfläche der Substratschicht wird das empfindliche Sensorteil (wenigstens teilweise) mechanisch isoliert. Hierdurch werden Spannungen, die auf die Substratschicht ausgeübt werden, nicht an das empfindliche Sensorteil weitergegeben.
  • In einer Ausführungsform, nimmt die Aussparung insgesamt mindestens drei Viertel des Umrisses des empfindlichen Sensorteils an der Obenseite ein. Die Aussparung kann zum Beispiel als drei oder vier gerade, anschließende Nuten ausgebildet sein, oder als eine kreisförmige Nut über mehr als 270° um das empfindliche Sensorteil herum. Dies kann schon eine ausreichende Isolation oder Entkopplung des empfindlichen Sensorteils bewirken.
  • Das empfindliche Sensorteil umfasst in einer weiteren Ausführungsform eine Membran, zum Beispiel, um einen Drucksensor aus Siliziummaterial zu bilden. Wegen der flachen Form einer derartigen Membran ist diese sehr empfindlich für Spannungen von außerhalb (Biege- und Zugkräfte)
  • In einer weiteren Ausführungsform ist unter der Membran einen Hohlraum in der Substratschicht vorgesehen. Wenn dieser Hohlraum durch eine zweite Substratschicht abgeschossen ist, wird eine hermetisch abgeschlossene Kammer gebildet, wodurch das Sensorelement einen absoluten Druck messen kann. Wenn der Hohlraum nicht abgeschlossen ist, kann das Sensorelement einen relativen Druck messen.
  • In noch einer weiteren Ausführungsform ist eine dritte Substratschicht auf der Vorderseite der zweiten Substratschicht vorgesehen, erstreckt sich die Aussparung bis zur Unterseite der zweiten Substratschicht, und ist die zweite Substratschicht an die dritte Substratschicht in einem Gebiet außerhalb der Aussparung befestigt. Dadurch wird ein klöppelartiger Körper gebildet mit dem darin befindlichen empfindlichen Sensorteil, das sich relativ frei bewegen kann in Bezug auf die dritte Substratschicht.
  • Die Aussparung ist in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung durch mindestens ein Brückenteil unterbrochen. Dies ermöglicht es, elektrische Anschlussverbindungen zwischen dem empfindlichen Sensorteil und Anschlussgebieten auf der Substratoberfläche anzubringen, zum Beispiel in Form von Metallspuren.
  • In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Brückenteil zwei (oder mehr) einander gegenüberliegende Teile. Dies bewirkt eine stabilere Konstruktion der Aufhängung des empfindlichen Sensorteils. Ebenso ist es möglich, dass auf diese Art und Weise einer Kraft, die auf beide Teile in entgegengesetzte Richtung ausgeübt wird (zum Beispiel durch Druck beidseitig des Sensors), in eine Rotation des empfindlichen Sensorteils umgewandelt wird, ohne dass Spannungen zum empfindlichen Sensorteil weitergegeben werden. Um diesen Effekt zu vergrößern, bildet in einer weiteren Ausführungsform das Brückenteil einen Winkel mit der Aussparung (in der Fläche der Substratschicht).
  • In einer weiteren Ausführungsform weist die Aussparung eine Tiefe in der Richtung senkrecht zu der Obenseite der Substratschicht auf, die größer ist als die Stärke des empfindlichen Sensorteils. Dies kann bei einer dünnen Membran zum Beispiel 10 µm oder sogar weniger sein. In anderen Fällen kann die Aussparung sich über die ganze Substratschicht erstrecken.
  • In einer weiteren Ausführungsform, bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine Sensorzusammenstellung der oben definierten Art, wobei die Umhüllung weiterhin mit einer Aussparung am Umriss der Öffnung ausgestattet ist. Auf gleiche Weise wie die Ausführungsformen des Sensorelements, wie oben beschrieben, ergibt diese Aussparung eine mechanische Entkopplung des empfindlichen Sensorteils, wodurch der Sensor als Ganzes weniger empfindlich ist für auftretende Spannungen und von außerhalb ausgeübte Kräften. In einer Ausführungsform, nimmt die Aussparung insgesamt mindestens drei Viertel des Umrisses der Öffnung ein. Die Aussparung kann zum Beispiel wieder als drei oder vier gerade, anschließende Nuten ausgebildet sein, oder als eine kreisförmige Nut über mehr als 270° um die Öffnung herum.
  • In einer Ausführungsform ist das Sensorelement auf einem Träger angeordnet (‘lead frame’), und die Aussparung erstreckt sich bis zum Träger. In jedem fall wird eine Verbesserung der mechanischen Isolation erreicht.
  • In einer noch weiteren Ausführungsform ist das exponierte Sensorteil des Sensorelements mit Schutzmaterial abgedeckt, beispielsweise mit einem Gel. Ein derartiges Schutzmaterial behindert die primäre Funktion des empfindlichen Sensorteils (Druck zu messen) nicht, bewirkt aber eine Abschirmung und eine damit verbundene, verbesserte Lebensdauer des Sensors.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die vorliegende Erfindung wird jetzt an Hand von beispielhaften Ausführungsformen ausführlicher besprochen werden, unter Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, wobei
  • 1 einen perspektivischen Querschnitt eines Sensorelements nach dem Stand der Technik zeigt;
  • 2 einen perspektivischen Querschnitt eines Sensorelements gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 3 einen perspektivischen Teilquerschnitt eines Sensorelements gemäß einer weiteren Ausführungsform des Sensorelements der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 4 eine Explosionsansicht des Sensorelements aus 3 zeigt;
  • 5 eine perspektivische Draufsicht mit Teilquerschnitt auf eine weitere Ausführungsform des Sensorelements gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 6 eine perspektivische Draufsicht mit Teilquerschnitt auf eine Alternative zur Ausführungsform von 5 zeigt.
  • 7 einen perspektivischen Querschnitt einer Sensorzusammenstellung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 8 einen perspektivischen Querschnitt einer weiteren Ausführungsform der Sensorzusammenstellung aus 7 zeigt.
  • Ausführliche Beschreibung von Ausführungsbeispielen
  • In 1 ist einen perspektivischen Querschnitt eines (Halbleiter-)Sensorelements 1 gezeigt, das nach bekannten Techniken hergestellt ist. Das Sensorelement 1 ist in einer ersten (aktiven) Substratschicht 11 gebildet, zum Beispiel aus Halbleitermaterial, wobei auf der Oberseite der ersten Substratschicht 11 Leiterbahnen 4 angeordnet sind, die ein empfindliches Sensorteil 2 elektrisch mit Anschlussregionen 5 verbinden. Auf die Anschlussregionen 5 werden beim Herstellen eines kompletten Chips Anschlussdrähte angeheftet, geschweißt oder gelötet. In der gezeigten Ausführungsform ist das empfindliche Sensorteil 2 eine Membran über einem Hohlraum oder einer Kammer 3. Die Membran 2 ist beispielsweise ausgestattet mit einer Anzahl von Dehnungsmessstreifen in einer Wheatstone’schen Brückenschaltung, wodurch ein Drucksensor gebildet wird. In der gezeigten Ausführungsform ist der Hohlraum 3 abgeschlossen durch eine zweite Substratschicht 12, die hermetisch mit der ersten Substratschicht 11 verbunden ist. Hiermit wird das Sensorelement 1 zur absoluten Druckmessung geeignet. Falls die zweite Substratschicht nicht vorgesehen ist, erhält man einen relativen Drucksensor.
  • Durch unzählige Einflüsse von außerhalb werden auf das empfindliche Teil 2 des Sensorelements 1 Kräfte ausgeübt, die nachteilig sind für ein zuverlässiges und korrektes Funktionieren (Stabilität, Genauigkeit). Zu bedenken sind Spannungen, die im Material der ersten Substratschicht 11 entstehen, beispielsweise durch den Träger, auf dem der Sensorchip angeordnet ist (’lead frame’), Klebematerialien, die Umhüllung des Chips und dessen Herstellung (Spannungen durch Schrumpfen oder gerade Ausdehnung). Die Spannungen können durch Kräfte verursacht werden, aber auch durch Biegung oder Torsion.
  • Diese Probleme werden gelöst mit einem Sensorelement nach einer der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. Eine erste Ausführungsform wird in dem perspektivischen Teilquerschnitt der 2 gezeigt. Die Gliederung des Sensorelements 1 ist größtenteils die gleiche wie beim Sensorelement, das in 1 gezeigt wird, wobei als Zusatzmaßnahme eine Aussparung 6 um das empfindliche Sensorteil 2 herum angebracht ist. In der dargestellten Ausführungsform ist die Aussparung 6 eine Nut mit einer Tiefe d (zum Beispiel einige Mikrometer), die in der Obenseite der ersten Substratschicht 11 angebracht ist, beispielsweise mit einer Ätztechnik oder einer anderen Materialentfernungstechnik, wie Fräsen. Die Aussparung 6 ist an einer Stelle durch ein Brückenteil 9 unterbrochen, was ermöglicht, die Leiterbahnen 4 vom empfindlichen Sensorteil 2 zu den Anschlussregionen 5 verlaufen zu lassen. Durch die Aussparung 6 wird eine obere Schicht der ersten Substratschicht 11 an der Stelle des empfindlichen Sensorteils 2 von dem Rest der ersten Substratschicht 11 mechanisch größtenteils isoliert. Spannungen (Kräfte, Biegungen, Torsionen) auf andere Teile des Sensorelements 1 werden (fast) nicht an das empfindliche Sensorteil 2 weitergegeben.
  • Die Aussparung 6 ist um den größten Teil des Umrisses des empfindlichen Sensorteils 2 herum angebracht, zum Beispiel insgesamt zu mehr als drei Viertel des Umrisses. Die Form der Aussparung 6 ist dargestellt als eine Kombination von langgestreckten Nuten, aber es ist klar, dass andere Formen (Vieleck, Zirkel, Oval) einen gleichartigen Effekt bewirken.
  • Die Tiefe d der Aussparung 6 (die auch als Nut, Schlitz, Kerbe, Aushöhlung, Spalte und dergleichen mehr angebracht werden kann) kann an die spezifische Anwendung des Sensorelements 1 angepasst werden. Eine bessere mechanische Entkopplung kann erzielt werden, wenn die Aussparung eine größere Tiefe d hat, zum Beispiel über die ganze Stärke der ersten Substratschicht 11.
  • Eine weitere Ausführungsform ist im perspektivischen Teilquerschnitt von 3 und im explodierten perspektivischen Querschnitt von 4 dargestellt. In diesem Sensorelement 1 ist eine dritte Substratschicht 13 vorgesehen, die als Basis für das Sensorelement 1 fungiert. Dies ermöglicht es, die Aussparung 6 in der ersten Substratschicht 11 als eine zweite Aussparung 7 in die zweite Substratschicht fortzusetzen. Hierdurch wird eine Abschlussschicht 8 gebildet, die den Hohlraum 3 unter dem empfindlichen Sensorteil 2 hermetisch abschließt (zum Beispiel für einen Absolutdrucksensor). Die zweite Substratschicht 12 wird an der dritten Substratschicht 13 befestigt (hermetische Verbindungsschicht 15), mit Ausnahme der Abschlussschicht 8 (lose Flächen 16). Hierdurch wird eine Art Klöppel gebildet, abgegrenzt durch die Aussparung 6 und die zweite Aussparung 7, der sich frei über die Oberfläche 16 der dritten Substratschicht 13 (selbstverständlich am Platz gehalten vom Brückenteil 9) bewegen kann. Dies hat den Vorteil, dass vielerlei Kräfte von außerhalb, Biegungen oder Torsionen in der Kombination der ersten, zweiten und dritten Substratschicht 1113 außerordentlich effektiv vom empfindlichen Sensorteil 2 isoliert werden. Die lose Fläche 16 des ’Klöppels’ kann and der Oberfläche der dritten Substratschicht anliegen, oder frei liegen. In dem letztgenannten Fall bildet die Oberfläche einen Endanschlag der losen Fläche 16, wodurch eine gewisse Bewegung des Klöppels möglich ist.
  • In 5 wird eine Draufsicht mit Teilquerschnitt einer alternativen Ausführungsform gezeigt, wobei die Aussparung 6 an zwei Stellen durch ein Brückenteil 9, 9a unterbrochen wird. Die Brückenteile 9, 9a sind bezüglich des Sensorteils 2 diametral angeordnet. Als Effekt ergibt dies eine stabilere Konstruktion des Sensorelements 1, und es ist auch möglich mehr Oberfläche für Leiterbahnen 4 zu nutzen. Zugleich wird, wenn eine Klöppelkonstruktion verwendet wird, wie mit Bezug auf 3 und 4 besprochen, eine auf die Halbleiterschichten 1113 ausgeübte Kraft teilweise in eine Rotationsbewegung umgewandelt, ohne die Spannung zum empfindlichen Sensorteil 2 weiterzuleiten.
  • In 6 wird eine perspektivische Draufsicht einer noch weiteren Alternative gezeigt, wobei die Brückenteile 9, 9a unter einem Winkel zu der als langgestreckter Schlitz ausgeführten Aussparung 6 stehen. Dies hat den Effekt, dass eine Spannung, die auf zwei Seiten des Sensorelements 1 ausgeübt wird (angedeutet mit den Pfeilen bei den Brückenteilen 9, 9a), eine Rotation des empfindlichen Sensorteils 2 (des Klöppels) herbeiführt, aber keine Spannung in dem empfindlichen Sensorteil 2.
  • Nach der vorliegenden Erfindung ist es auch möglich, unter Verwendung von einer oder mehreren Aussparungen 22, 24 in einer Umhüllung 21 einer Sensorzusammenstellung Spannungen in einem empfindlichen Sensorteil 2 eines Sensorelements 1 zu verringern. Eine erste diesbezügliche Ausführungsform wird gezeigt in der perspektivischen Querschnittsansicht in 7. Ein Sensorelement 1, in diesem Fall aufgebaut aus einer ersten und einer zweiten Substratschicht 11, 12, und versehen mit einem empfindlichen Sensorteil 2 über einem abgeschlossenen Hohlraum 3, ist auf einem Träger 20 angeordnet (beispielsweise einem Anschlussträger oder ’lead frame’). Diese Zusammenstellung wird auf eine an sich bekannte Weise umgeben durch eine Umhüllung 21 zum Schutz des Chips mit dem Sensorelement 1. Für ein gutes Funktionieren des Sensorelements 1 wird in der Umhüllung 21 eine Öffnung 23 freigehalten, wodurch das empfindliche Sensorteil 2 des Sensorelements 1 der Umgebung ausgesetzt ist. Durch eine Aussparung 22 in der Umhüllung 21 wird erreicht, dass extern angewandte Kräfte (durch Biegen, Tordieren, usw.) in geringerem Maße zum Sensorelement 1 selbst weitergegeben werden, insbesondere zum empfindlichen Sensorteil 2. Um den Effekt zu verbessern, können, so wie in der Ausführungsform von 7 dargestellt, auch auf der Unterseite der Umhüllung 21 Nuten oder Aussparungen 24 angebracht werden.
  • In 8 wird ein perspektivischer Querschnitt einer weiteren Ausführungsform gezeigt, wobei die Aussparungen 22, 24 tiefer sind, und sich bis zum Träger 20 erstrecken. Der Effekt von der Entkopplung des empfindlichen Sensorteils 2 von externen Kräften wird hierdurch effektiver. Weiter ist in dieser Ausführungsform die Aussparung 22 auf der Oberseite der Umhüllung 21 nur über einen Teil des Umrisses um die Öffnung 23 herum ausgeführt. Dies ist besonders vorteilhaft, wenn die möglichen externen Einflüsse (die beispielsweise immer in einer Richtung auftreten) im Voraus bekannt sind, oder wenn zum Beispiel zwei nebeneinander angeordnete Sensoren 1 in der gleichen Umhüllung 21 untergebracht werden.
  • Es ist offensichtlich, dass das Sensorelement 1, das in der Sensorzusammenstellung gemäß dieser Ausführungsform angewandt wird, mit einer Aussparung 6, wie oben beschrieben, versehen sein kann, oder nicht.
  • Weiterhin ist in der Ausführungsform von 8 angegeben, dass die Öffnung 23 mit einem Schutzmaterial 25 gefüllt ist, beispielsweise einem Gel oder einem Geflecht (’gaaswerk’). Hierdurch wird das empfindliche Sensorteil 2 gegen externe Einflüsse geschützt, während gutes Funktionieren (zum Beispiel als Drucksensor) nicht beeinträchtigt wird. Das Gel 25 kann auch in den Aussparungen 22, 24 angebracht werden, so dass diese nicht mit Schmutz oder Ähnlichem verstopfen können und die Spannungsentkopplungsfunktion während einer längeren Zeit aufrechterhalten bleibt.
  • Für den Fachmann ist es offensichtlich, dass Modifikationen und Änderungen an den dargestellten Ausführungsformen möglich sind, und das diese unter den Schutzumfang dieser Erfindung fallen, die durch die beigelegten Ansprüche definiert wird. So kann beispielsweise die dargestellte rechteckige Form der Aussparungen 6, 22, 24 ohne Effektverlust in eine Vieleckform, Zirkelform, Ovalform, usw. geändert werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • WO 2007/017301 [0002]

Claims (15)

  1. Sensorelement mit einem empfindlichen Sensorteil (2) an der Oberseite einer Substratschicht (11), wobei die Oberseite der Substratschicht (11) mit einer Aussparung (6) an dem Umriss des empfindlichen Sensorteils versehen ist.
  2. Sensorelement nach Anspruch 1, wobei die Aussparung (6) insgesamt mindestens drei Viertel des Umrisses des empfindlichen Sensorteils (2) auf der Oberseite einnimmt.
  3. Sensorelement nach Anspruch 1 oder 2, wobei das empfindliche Sensorteil (2) eine Membran umfasst.
  4. Sensorelement nach Anspruch 3, wobei unter der Membran (2) ein Hohlraum (3) in der Substratschicht (11) vorgesehen ist.
  5. Sensorelement nach Anspruch 4, wobei der Hohlraum (3) durch eine zweite Substratschicht (12) abgeschlossen ist.
  6. Sensorelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei eine dritte Substratschicht (13) auf der Untenseite der zweite Substratschicht (12) vorgesehen ist, die Aussparung (6, 7) sich bis zur Untenseite der zweite Substratschicht (12) erstreckt, und die zweite Substratschicht (12) an die dritte Substratschicht (13) in einer Region außerhalb der Aussparung (6, 7) befestigt ist.
  7. Sensorelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Aussparung (6) durch mindestens ein Brückenteil (9) unterbrochen ist.
  8. Sensorelement nach Anspruch 7, wobei das Brückenteil (9) zwei einander gegenüberliegende Teile (9, 9a) umfasst.
  9. Sensorelement nach Anspruch 7 oder 8, wobei das Brückenteil (9, 9a) einen Winkel mit der Aussparung (6) bildet.
  10. Sensorelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Aussparung (6) eine Tiefe in einer Richtung senkrecht zur Oberseite der Substratschicht (11) aufweist, die größer ist als die Dicke des empfindlichen Sensorteils (2).
  11. Sensorzusammenstellung, mindestens ein Sensorelement (1) und eine Umhüllung (21) aufweisend, wobei die Umhüllung (21) eine Öffnung (23) für ein exponiertes Sensorteil (2) des Sensorelements (1) aufweist, und wobei die Umhüllung (21) weiterhin mit einer Aussparung (22) am Umriss der Öffnung (23) versehen ist.
  12. Sensorzusammenstellung nach Anspruch 11, wobei die Aussparung (22) insgesamt mindestens drei Viertel des Umrisses der Öffnung (23) umfasst.
  13. Sensorzusammenstellung nach Anspruch 11 oder 12, wobei das Sensorelement (1) auf einem Träger angeordnet ist und die Aussparung (22) bis zum Träger (20) reicht.
  14. Sensorzusammenstellung nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei die Aussparung (22, 24) auf beiden Seiten des Trägers (20) angebracht ist.
  15. Sensorzusammenstellung nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei das exponierte Sensorteil (2) des Sensorelements (1) mit einem Schutzmaterial (25) abgedeckt ist.
DE202008018412U 2007-03-30 2008-03-28 Sensorelement und Sensorzusammenstellung mit Umhüllung Expired - Lifetime DE202008018412U1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL2000566 2007-03-30
NL2000566A NL2000566C2 (nl) 2007-03-30 2007-03-30 Sensorelement en sensorsamenstel met omhulling.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE202008018412U1 true DE202008018412U1 (de) 2013-08-13

Family

ID=39055712

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102008016214.0A Active DE102008016214B4 (de) 2007-03-30 2008-03-28 Sensorelement und Sensorzusammenstellung mit Umhüllung
DE202008018412U Expired - Lifetime DE202008018412U1 (de) 2007-03-30 2008-03-28 Sensorelement und Sensorzusammenstellung mit Umhüllung

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102008016214.0A Active DE102008016214B4 (de) 2007-03-30 2008-03-28 Sensorelement und Sensorzusammenstellung mit Umhüllung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7685881B2 (de)
DE (2) DE102008016214B4 (de)
NL (1) NL2000566C2 (de)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9131325B2 (en) 2010-08-31 2015-09-08 Freescale Semiconductor, Inc. MEMS device assembly and method of packaging same
US8304275B2 (en) * 2010-08-31 2012-11-06 Freescale Semiconductor, Inc. MEMS device assembly and method of packaging same
DE102010043982A1 (de) * 2010-11-16 2011-12-15 Robert Bosch Gmbh Sensoranordnung
DE102011112935B4 (de) * 2011-09-13 2015-02-12 Micronas Gmbh Kraftsensor
DE102012010842A1 (de) 2012-05-31 2013-12-05 Hella Kgaa Hueck & Co. Sensor mit von einem Substrat umhüllten Sensorelement
EP2725334B1 (de) * 2012-10-25 2020-04-15 Invensense, Inc. Drucksensor mit einer Membrane und Herstellungsverfahren dafür
US10167187B2 (en) * 2013-07-09 2019-01-01 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor having an elongated groove, and manufacturing method thereof
EP2871456B1 (de) * 2013-11-06 2018-10-10 Invensense, Inc. Drucksensor und Herstellungsmethode für einen Drucksensor
EP2871455B1 (de) * 2013-11-06 2020-03-04 Invensense, Inc. Drucksensor
JP6476869B2 (ja) * 2015-01-06 2019-03-06 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器および移動体
DE102015104410B4 (de) * 2015-03-24 2018-09-13 Tdk-Micronas Gmbh Drucksensor
EP3614115A1 (de) 2015-04-02 2020-02-26 InvenSense, Inc. Drucksensor
JP6665589B2 (ja) * 2016-03-02 2020-03-13 オムロン株式会社 圧力センサチップ及び圧力センサ
JP6665588B2 (ja) * 2016-03-02 2020-03-13 オムロン株式会社 圧力センサ
DE102016219807A1 (de) * 2016-10-12 2018-04-12 Robert Bosch Gmbh Mikromechanischer Sensor
EP3444609A1 (de) 2017-08-14 2019-02-20 Sensirion AG Messung der konzentrationen eines zielgases
US11225409B2 (en) 2018-09-17 2022-01-18 Invensense, Inc. Sensor with integrated heater
EP3969868A1 (de) 2019-05-17 2022-03-23 InvenSense, Inc. Drucksensor mit verbesserter dichtigkeit

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007017301A1 (de) 2005-08-05 2007-02-15 Robert Bosch Gmbh Gemoldeter mikromechanischer kraft-/druckwandler sowie ein entsprechendes herstellungsverfahren

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3387494A (en) * 1966-04-28 1968-06-11 Marcel J.E. Golay Tensioned membrane
US4841777A (en) * 1988-03-22 1989-06-27 Honeywell Inc. Pressure transmitter assembly
JPH05206354A (ja) * 1992-01-24 1993-08-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサおよびその製造方法
US5327785A (en) * 1993-03-09 1994-07-12 Honeywell Inc. Pressure sensor with improved heat dissipation characteristics
US5948991A (en) * 1996-12-09 1999-09-07 Denso Corporation Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip
JP3697862B2 (ja) * 1997-11-06 2005-09-21 株式会社デンソー 圧力検出装置
US5986316A (en) * 1997-11-26 1999-11-16 Denso Corporation Semiconductor type physical quantity sensor
US6346742B1 (en) * 1998-11-12 2002-02-12 Maxim Integrated Products, Inc. Chip-scale packaged pressure sensor
JP4389326B2 (ja) * 1999-05-06 2009-12-24 株式会社デンソー 圧力センサ
US6401545B1 (en) * 2000-01-25 2002-06-11 Motorola, Inc. Micro electro-mechanical system sensor with selective encapsulation and method therefor
US6907789B2 (en) * 2002-05-06 2005-06-21 Honeywell International Inc. Sensor package
DE102005053861A1 (de) * 2005-11-11 2007-05-16 Bosch Gmbh Robert Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007017301A1 (de) 2005-08-05 2007-02-15 Robert Bosch Gmbh Gemoldeter mikromechanischer kraft-/druckwandler sowie ein entsprechendes herstellungsverfahren

Also Published As

Publication number Publication date
US7685881B2 (en) 2010-03-30
US20080236292A1 (en) 2008-10-02
DE102008016214A1 (de) 2008-10-30
DE102008016214B4 (de) 2015-09-17
NL2000566C2 (nl) 2008-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102008016214B4 (de) Sensorelement und Sensorzusammenstellung mit Umhüllung
EP1141670B1 (de) Drucksensor
DE19930779A1 (de) Mikromechanisches Bauelement
EP0088270B1 (de) Drucksensor
DE2839405A1 (de) Wandler zur ueberwachung dynamischer aenderungen einer kraftstoff-einspritzleitung
DE102017103120A1 (de) Drucksensorchip und Drucksensor
DE102017103121A1 (de) Drucksensor
DE4133008C2 (de) Kapazitive Drucksensoren und Herstellungsverfahren hierzu
DE102013012506A1 (de) Stabförmiger Kraftaufnehmer mit verbessertem Verformungsverhalten
DE102004026210A1 (de) Vorrichtung zur Erfassung einer physikalischen Größe und Gehäuse für eine Anordnung zur Messung einer physikalischen Größe
DE1447995C3 (de) Elektromechanischer Wandler mit einem Piezo-Widerstandselement
DE102017104349A1 (de) Wägezelle für eine Waage
DE19506338C2 (de) Piezoelektrisches Meßelement
DE4113956C2 (de) Optisches System
EP0483912B1 (de) Scheibenförmiger Scherkraft-Messwertaufnehmer für eine Wägezelle
DE102010012701A1 (de) Mikrokraftsensor
DE60207864T2 (de) Drucksensor
DE1648461A1 (de) Wandler
DE4138056C2 (de) Halbleiter-Beschleunigungssensor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10036495C2 (de) Kraftmessvorrichtung in Form eines Biegebalkensensors
DE3814054C2 (de)
DE4125398A1 (de) Drucksensor und kraftsensor
EP0383974A1 (de) Plattenförmiges Sensorelement sowie damit versehener Druck-, Kraft- oder Beschleunigungsaufnehmer
DE3236708A1 (de) Elektrischer kraftaufnehmer
EP1001493A2 (de) Baugruppe aus einem Halteteil und einem darin eingegossenen Kontaktstift

Legal Events

Date Code Title Description
R150 Utility model maintained after payment of first maintenance fee after three years
R207 Utility model specification

Effective date: 20131002

R150 Utility model maintained after payment of first maintenance fee after three years

Effective date: 20130906

R151 Utility model maintained after payment of second maintenance fee after six years

Effective date: 20140402

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: ELMOS SEMICONDUCTOR AKTIENGESELLSCHAFT, DE

Free format text: FORMER OWNER: ELMOS SEMICONDUCTOR AG, 44227 DORTMUND, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: GRUENECKER PATENT- UND RECHTSANWAELTE PARTG MB, DE

R152 Utility model maintained after payment of third maintenance fee after eight years
R071 Expiry of right