WO2007017301A1 - Gemoldeter mikromechanischer kraft-/druckwandler sowie ein entsprechendes herstellungsverfahren - Google Patents

Gemoldeter mikromechanischer kraft-/druckwandler sowie ein entsprechendes herstellungsverfahren Download PDF

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WO2007017301A1
WO2007017301A1 PCT/EP2006/063094 EP2006063094W WO2007017301A1 WO 2007017301 A1 WO2007017301 A1 WO 2007017301A1 EP 2006063094 W EP2006063094 W EP 2006063094W WO 2007017301 A1 WO2007017301 A1 WO 2007017301A1
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Frieder Haag
Gerhard Lammel
Sascha Goetzl
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Robert Bosch Gmbh
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    • H01L2924/181—Encapsulation

Definitions

  • touch-sensitive screens are used in PDAs and
  • Smartphones used, as well as touch-sensitive surfaces as a replacement for the mouse in laptops are used, as well as touch-sensitive surfaces as a replacement for the mouse in laptops.
  • One way to realize such applications is to use wire meshes which are placed in the surface and which allow the coordinate of the pen or finger to be read by closing an electrical contact when in contact.
  • wire meshes which are placed in the surface and which allow the coordinate of the pen or finger to be read by closing an electrical contact when in contact.
  • such an arrangement does not allow to capture the respective applied contact pressure.
  • touch-sensitive surfaces Another way to realize touch-sensitive surfaces is to make the surface as a rigid plate, which is mounted in the corners on force-sensitive elements. These can be realized by pressure sensors. By the ratio of the forces (lever law) can be closed to the position of the pen or finger. The sum of the forces gives the contact force, which is e.g. can be considered as line width. Such an arrangement can also be used to improve handwriting recognition.
  • the present force / pressure transducer or its production method is based on a pressure sensor chip produced from a semiconductor substrate by means of conventional methods of surface micromechanics.
  • This semiconductor substrate comprises a membrane over a closed (vacuum) cavity, for example with a height of a few micrometers.
  • the pressure sensor chip is largely ummoldet, i. surrounded by a molding compound. This can happen, for example, in a Moldform, wherein the molding compound forms a housing with corresponding electrical connections to the pressure sensor chip.
  • the molding compound forms a characteristic upper housing part over the membrane, which is movable at least within certain limits and has a force shunt to the membrane.
  • the force shunt according to the invention in the upper housing part advantageously the sensitivity of the pressure sensor chip can be varied. This makes it possible to do the same
  • a filling material between the upper housing part and membrane is also provided. Through this filling material, the pressure or the force acting on the upper housing part, at least partially be redirected. So can For example, a gel or other particularly viscous liquid to convert the force on the upper housing part in a hydrostatic pressure, so that only a portion of the original force is passed to the membrane.
  • the force shunt can also be generated, for example, in that essentially only a part of the upper housing part is movable.
  • a first part of the upper housing part is rigidly connected to the rest of the housing or the remaining molding compound, while a second part of the housing upper part has no or only a very small connection to the rest of the housing.
  • the pressure or the force on this part can be forwarded to the membrane as intended.
  • a predeterminable rigidity of the second part can be set.
  • the second part is completely separated by a separation trench from the first part.
  • between the first and the second part of a filler material can be introduced, which also affects the stiffness and thus to adjust the dependence of
  • a development of the invention has a survey in the form of a pressure point, which is located on the housing or on the housing formed by the molding compound. This pressure point is arranged over the membrane, for example by means of sensor
  • a control element can be realized in a particularly simple manner.
  • the pressure point can also serve to be insensitive to a displacement of the Anpressteils which presses against the force sensor (position tolerance).
  • a particularly advantageous embodiment of the invention resides in the use of pressure sensor chips, in which the cavern underlying the membrane is produced from a porous region in a silicon substrate by means of a suitable etching process. Another possibility is to generate the cavern after formation of the porous region by thermal rearrangement. At the same time, in the latter method it can be achieved that the (smaller) pores of the porous region close to the substrate surface and thus form a closed membrane. Since the cavern is closed and not like the pressure sensors manufactured by the conventional KOH etching technology for - A -
  • Membrane opposite side of the cavern is open, there is a mechanical stop on the substrate for the membrane. This results in the application as a force sensor significantly improved overload protection.
  • the described embodiment of the cavern allows to limit the deflection to a few micrometers, so that even in case of overload, the tightness of the cavern is not affected, since with a correspondingly shaped membrane stiffness no gap can arise in the membrane.
  • Typical applications for the proposed invention are e.g. Mobile phones (mobile phones), smartphones, (computer) keyboards, game consoles or touchpads.
  • FIG. 1 shows a force sensor, as known from the prior art.
  • FIG. 2 shows a first exemplary embodiment of a packaging of the force sensor according to the invention in a full-color housing.
  • FIG. 3 shows a force sensor in which filling material is provided only over the membrane, while the filling material in FIG
  • FIG. 5 shows a two-part housing upper part in the form of a stamp.
  • a use of a pressure point in the upper housing part in a SOIC housing is shown in Figure 6, whereas a corresponding embodiment in an MLF housing in Figure 7 is shown. Further two-part embodiments of the upper housing part are shown in Figures 8 and 9.
  • Control element as they are commonly used in keyboards or touchpads to capture with a micromechanical construction produced pressure sensor based on the piezo technology. It is in addition to the operation of the control as digital On / off switch also a direct detection of the contact pressure of the control possible. Due to the configuration according to the invention, the contact pressure with approximately 1% accuracy can be detected very precisely. Such an accurate determination of the contact force makes it possible to generate an electrical signal as a function of the detected magnitude of the contact pressure and thus, for example, an acoustic or optical display or else
  • Actuate device unit as a function of the contact pressure.
  • a force sensor according to the prior art is described.
  • a preferably consisting of a semiconductor material substrate 10 is used, in which by means of a KOH etching process, a cavern 70 and a membrane 20 is generated. This results in typical etching edges 30, which can represent a weak point when the membrane is stressed.
  • This substrate 10 is applied as shown in Figure 1, with the bottom 35 on a holder 40, wherein the holder 40 has an access 15 to the cavity 70 to allow pressure equalization.
  • a ball 60 is applied, by which an immediate adhesion to the membrane 20 is to take place.
  • piezoelectric resistors are applied to the surface 25 of the membrane 20, by which movement of the ball 60 or the membrane 20 can be detected.
  • it may also be provided to detect the movement of the membrane capacitively by means of two electrodes, wherein the two electrodes enclose the cavity 70.
  • a positioning member 45 having corresponding recesses 50 and 55 is provided.
  • the ball 60 is slightly beyond the positioning member 45 also. This distance 65 can be used to sensory the place of the force absorption to feel.
  • the recesses 50 and 55 are typically designed so that the ball 60 has a slight clearance, so that the location of the ball support on the membrane 20 can change.
  • the starting point for the production of a force / pressure transducer according to the invention is a pressure sensor produced by conventional micromechanical methods, as is known, for example, from DE 100 32 579 A1 or DE 101 14 036 A1.
  • a pressure sensor can be produced, in which a cavern is located in a preferably made of silicon semiconductor substrate. Furthermore, a membrane is produced above the cavern by means of a porous etched area. Moreover, it is known, for example, from DE 101 35 216 A1 or DE 10 2004 007518 A1 to generate piezoresistors in a membrane or on an additional layer on the membrane. Since the production of the membrane, the cavern or the piezoresistors is not a causal subject of the present application, the explicit method of production explicitly refers to the above-mentioned
  • a cavern 100 and a membrane 110 are produced in a silicon substrate 140 to form porous silicon.
  • Piezo resistors for example according to DE 101 35 216 A1 or strain gauges, as described in DE 102004 007518 A1 are subsequently applied to the membrane 110 by means of masking, epitaxy and / or structuring steps.
  • the maximum deflection and thus the maximum producible electrical (pressure) signal of the membrane is determined by the depth of the cavern.
  • a particularly stable membrane can be produced. Both the stable monocrystalline membrane and the cavern depth thus provide overload protection of the pressure sensor chip.
  • the finished processed pressure sensor chip or the silicon substrate 140 is subsequently applied by means of a suitable chip adhesive 130 to a substrate 120, ie to a corresponding attachment.
  • a suitable chip adhesive 130 to a substrate 120, ie to a corresponding attachment.
  • lead frames 160 are provided, which are connected by means of bonds 150 with the chip 140.
  • the chip 140 is then added together with the lead frames 160 optionally in a Moldform or in a suitable housing and potted with a molding compound.
  • a pressure or a force 180 acts on the housing from above, for example by installing the pressure sensor in a keyboard or a touchpad. About a bending of the molding compound above the cavern 100, the membrane 110 is pressed and thus generates an electrical signal which can be removed at the leadframe 160.
  • the rigidity and thus the sensitivity of the pressure sensor can be adjusted.
  • FIG. 1 Another possibility for modifying the sensitivity and setting it in a targeted manner is shown in FIG.
  • a filling material 200 for example a gel
  • the stiffness of the molding material plays less of a role and the force is transferred indirectly to the membrane 110 by first transmitting the pressure or force 180 to the gel 200 and thus converting it into hydrostatic pressure becomes.
  • the membrane 110 In addition to covering the entire chip surface with the filling material 200, it is also conceivable to cover only the membrane (not shown) or the entire pressure sensor chip 140 (see FIG. 5) with the filling material 210.
  • the region of the housing formed from the molding compound 170 above the sensor chip 140 is divided into two parts.
  • a first part 320 is firmly connected to the rest of the housing or molding compound 170.
  • a second part 300 in the form of a stamp is separated from the remaining part of the housing by a separating trench 310 and fixed only on the filling material 200, for example a tough gel.
  • a two-part housing upper part can be realized via an embodiment according to FIG.
  • a defined force bypass can be generated by a closed ring 500 of filling material around the membrane 110 around.
  • a desired stiffness and thus sensitivity can be adjusted.
  • it can also be provided to completely remove the webs 520, for example by a grinding process or a laser removal, as shown in FIG.
  • the trenches 505 provided with filling material serve the punch 515 both as a holder and as a guide.
  • both common SOIC housings see FIG. 6
  • MLF housings see FIG. 7
  • special housing can be used.
  • SOIC small outline IC
  • a further embodiment of the invention can be presented.
  • a pressure point 400 i. a survey
  • a force 180 which is directed from above the housing, are selectively introduced into an area above the membrane 110 of the sensor chip 140.
  • the pressure point 400 on the upper side of the housing can also be used in a structure without the use of the filling material 200.
  • the Mold mold can be shaped accordingly.
  • the pressure point 400 is generated by a subsequent application of a glue drop.

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Abstract

Der vorliegende Kraft-/Druckwandler bzw. dessen Herstellungsverfahren basiert auf einem mittels gängiger Verfahren der Oberflächenmikromechanik hergestelltem Drucksensorchip aus einem Halbleitersubstrat. Dieses Halbleitersubstrat umfasst eine Membran über einer abgeschlossenen (Vakuum-)Kaverne, beispielsweise mit einer Höhe von einigen Mikrometern. Zur Realisierung des erfindungsgemäßen Kraft-/Druckwandlers wird der Drucksensorchip weitestgehend ummoldet, d.h. mit einer Moldmasse umgeben. Dies kann beispielsweise in einer Moldform geschehen, wobei die Moldmasse um den Drucksensorchip ein Gehäuse mit entsprechenden elektrischen Anschlüssen bildet. Darüber hinaus ist jedoch auch möglich, den Drucksensorchip in ein fertiges Gehäuse zu bringen und mittels der Moldmasse zu fixieren. Maßgeblich ist jedoch, dass erfindungsgemäß die Moldmasse über der Membran ein charakteristisches Gehäuseoberteil bildet, welches wenigstens in gewissen Grenzen beweglich ist und einen Kraftnebenschluss zur Membran aufweist.

Description

Gemoldeter mikromechanischer Kraft-/Druckwandler sowie ein entsprechendes
Herstellungsverfahren
Stand der Technik
In der Consumer-Elektronik werden berührungsempfϊndliche Bildschirme in PDAs und
Smartphones verwendet, sowie berührungsempfindliche Flächen als Ersatz für die Maus in Laptops. Eine Möglichkeit, derartige Anwendungen zu realisieren, besteht in der Verwendung von Drahtgittern, welche in die Oberfläche eingebracht werden und die es erlauben, durch das Schließen eines elektrischen Kontaktes bei Berührung, die Koordinate des Stiftes bzw. Fingers auszulesen. Eine derartige Anordnung erlaubt jedoch nicht, die jeweils aufgewendete Anpresskraft zu erfassen.
Eine andere Möglichkeit, berührungsempfindliche Flächen zu realisieren, besteht darin, die Oberfläche als starre Platte auszuführen, welche in den Ecken auf kraftempfindliche Elemente gelagert ist. Diese können durch Drucksensoren realisiert werden. Durch das Verhältnis der Kräfte (Hebelgesetz) kann auf die Position des Stiftes bzw. Fingers geschlossen werden. Die Summe der Kräfte ergibt die Anpresskraft, welche z.B. als Strichstärke betrachtet werden kann. Eine derartige Anordnung kann ebenfalls zur Verbesserung der Handschriftenerkennung verwendet werden.
Ein Problem ist hierbei die Robustheit des Kraftsensors. Bei den typischen Anwendungen von Touchpads oder anderen Bedienelementen treten Kräfte bis ca. 5 N auf, welche mit ca. 1 % Genauigkeit bestimmt werden müssen. Darüber hinaus muss ein entsprechender Sensor jedoch bis ca. 50 N überlastsicher gegen Bruch o.a. sein. Eine Möglichkeit der Kraftübertragung vom Touchpad oder dem direkt mit dem Finger zu bedienenden Bedienelement auf die Membran eines Druck- oder Kraftsensors besteht darin, dass eine kleine Stahlkugel verwendet wird, welche durch eine geeignete Aufbautechnik in der Mitte auf der Membran lose gehalten wird. Nachteilig wirkt sich bei einem derartigen Aufbau jedoch die relativ ungenaue Zentrierung der losen Kugel auf die Messgenauigkeit aus.
Vorteile der Erfindung
Der vorliegende Kraft-/Druckwandler bzw. dessen Herstellungsverfahren basiert auf einem mittels gängiger Verfahren der Oberflächenmikromechanik hergestelltem Drucksensorchip aus einem Halbleitersubstrat. Dieses Halbleitersubstrat umfasst eine Membran über einer abgeschlossenen (Vakuum-)Kaverne, beispielsweise mit einer Höhe von einigen Mikrometern. Zur Realisierung des erfindungsgemäßen Kraft-/Druckwandlers wird der Drucksensorchip weitestgehend ummoldet, d.h. mit einer Moldmasse umgeben. Dies kann beispielsweise in einer Moldform geschehen, wobei die Moldmasse um den Drucksensorchip ein Gehäuse mit entsprechenden elektrischen Anschlüssen bildet. Darüber hinaus ist jedoch auch möglich, den Drucksensorchip in ein fertiges Gehäuse zu bringen und mittels der Moldmasse zu fixieren. Maßgeblich ist jedoch, dass erfindungsgemäß die Moldmasse über der Membran ein charakteristisches Gehäuseoberteil bildet, welches wenigstens in gewissen Grenzen beweglich ist und einen Kraftnebenschluss zur Membran aufweist.
Durch den erfindungsgemäßen Kraftnebenschluss im Gehäuseoberteil kann vorteilhafterweise die Empfindlichkeit des Drucksensorchips variiert werden. Dadurch ist es möglich, die gleichen
Drucksensorchips für unterschiedliche Druckbereiche durch die Ausgestaltung des Kraftnebenschlusses im Gehäuseoberteil zu verwenden. Weiterhin stellt die Verwendung von standardisierten Gehäusen bzw. Gehäuseverpackungen mit normierten elektrischen Anschlüssen eine Kosteneinsparung beim Einsatz der Drucksensoren in verschiedenen Anwendungen dar.
In einer Ausgestaltung der Erfindung ist darüber hinaus ein Füllmaterial zwischen Gehäuseoberteil und Membran vorgesehen. Durch dieses Füllmaterial kann der Druck bzw. die Kraft, die auf das Gehäuseoberteil wirkt, wenigstens teilweise umgeleitet werden. So kann beispielsweise ein Gel oder eine andere insbesondere zähflüssige Flüssigkeit die Kraft auf das Gehäuseoberteil in einen hydrostatischen Druck umwandeln, so dass nur noch ein Teil der ursprünglichen Kraft auf die Membran geleitet wird.
Der Kraftnebenschluss kann beispielsweise auch dadurch erzeugt werden, dass im wesentlichen nur ein Teil des Gehäusoberteils beweglich ist. So kann vorgesehen sein, dass ein erster Teil des Gehäuseoberteils starr mit dem übrigen Gehäuse bzw. der übrigen Moldmasse verbunden ist, während ein zweiter Teil des Gehäuseoberteils keine oder nur eine sehr geringe Verbindung zum übrigen Gehäuse aufweist. Indem dieser zweite Teil oberhalb der Membran vorgesehen ist, kann der Druck bzw. die Kraft auf dieses Teil wie vorgesehen auf die Membran weitergeleitet werden. Durch eine Gestaltung der Verbindung mit dem übrigen Gehäuse kann eine vorgebbare Steifigkeit des zweiten Teils eingestellt werden. Darüber hinaus ist jedoch auch denkbar, dass der zweite Teil vollständig durch einen Trenngraben vom ersten Teil getrennt ist. Weiterhin kann zwischen dem ersten und dem zweiten Teil ein Füllmaterial eingebracht werden, welches ebenfalls Auswirkungen auf die Steifigkeit und somit auf Einstellung der Abhängigkeit der
Kraftübertragung auf die Membran hat.
Eine Weiterbildung der Erfindung weist eine Erhebung in Form eines Druckpunktes auf, der sich auf dem Gehäuse bzw. auf der durch die Moldmasse gebildetem Gehäuse befindet. Dieser Druckpunkt ist über der Membran angeordnet, um beispielsweise sensorisch mittels
Fingerkontakt die optimale Stelle zur Erzeugung eines (elektrischen) Drucksignals anzuzeigen. Dadurch lässt sich in besonders einfacher Weise ein Bedienelement realisieren. Der Druckpunkt kann auch dazu dienen, unempfindlich gegenüber einer Verschiebung des Anpressteils zu sein, welches gegen den Kraftsensor drückt (Lagetoleranz).
Eine besonders vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung liegt in der Verwendung von Drucksensorchips, bei denen in einem Siliziumsubstrat mittels eines geeigneten Ätzverfahrens die unter der Membran liegende Kaverne aus einem porösen Bereich erzeugt werden. Eine weitere Möglichkeit besteht darin, die Kaverne nach Bildung des porösen Bereichs durch eine thermische Umlagerung zu erzeugen. Bei letzterem Verfahren kann gleichzeitig erreicht werden, dass die (kleineren) Poren des porösen Bereichs an der Substratoberfläche sich verschließen und so eine geschlossene Membran bilden. Da die Kaverne geschlossen ist und nicht wie bei den mit der konventionellen KOH-Ätztechnik hergestellten Drucksensoren zur - A -
Membran abgewandten Seite der Kaverne offen ist, liegt für die Membran ein mechanischer Anschlag auf dem Substrat vor. Dadurch ergibt sich bei der Anwendung als Kraftsensor ein deutlich verbesserter Überlastschutz. Darüber hinaus ermöglicht die beschriebene Ausgestaltung der Kaverne die Durchbiegung auf wenige Mikrometer zu begrenzen, so dass auch im Überlastfall die Dichtheit der Kaverne nicht beeinträchtigt wird, da bei einer entsprechend gestalteten Membransteifigkeit keine Spalte in der Membran entstehen kann.
Typische Anwendungsbereiche für die vorgeschlagene Erfindung sind z.B. Mobiltelefone (Handy), Smartphones, (Computer-)Tastaturen, Spielekonsolen oder Touchpads.
Weitere Vorteile ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen bzw. aus den abhängigen Patentansprüchen.
Zeichnungen
Figur 1 zeigt einen Kraftsensor, wie er aus dem Stand der Technik bekannt ist. In der Figur 2 ist ein erstes Ausführungsbeispiel einer Verpackung des erfindungsgemäßen Kraftsensors in einem Fullmold-Gehäuse dargestellt. Die Figur 3 zeigt einen Kraftsensor, bei dem Füllmaterial lediglich über der Membran vorgesehen ist, während das Füllmaterial in Figur 4 den gesamten
Sensorchip bedeckt. In der Figur 5 ist ein zweiteiliges Gehäuseoberteil in Form eines Stempels dargestellt. Eine Verwendung eines Druckpunktes im Gehäuseoberteil bei einem SOIC-Gehäuse wird in Figur 6 gezeigt, wohingegen eine entsprechende Ausgestaltung bei einem MLF- Gehäuse in Figur 7 gezeigt wird. Weitere zweiteilige Ausgestaltungen des Gehäuseoberteil sind in den Figuren 8 und 9 dargestellt.
Ausführungsbeispiel
Mit der vorliegenden Erfindung wird eine Möglichkeit präsentiert, die Betätigung eines
Bedienelements, wie sie üblicherweise bei Tastaturen oder Touchpads eingesetzt werden, mit einem in mikromechanischer Bauweise hergestellten Drucksensor auf der Basis der Piezotechnologie zu erfassen. Dabei ist neben der Betätigung des Bedienelements als digitaler An/Aus-Schalter auch eine direkte Erfassung der Anpresskraft des Bedienelements möglich. Durch die erfindungsgemäße Ausgestaltung kann dabei die Anpresskraft mit ca. 1% Genauigkeit sehr präzise erfasst werden. Eine derartig genaue Bestimmung der Anpresskraft ermöglicht es, ein elektrisches Signal in Abhängigkeit von der erfassten Größe der Anpresskraft zu erzeugen und somit beispielsweise eine akustische bzw. optische Anzeige oder auch andere
Vorrichtungseinheit in Abhängigkeit der Anpresskraft anzusteuern.
In der Figur 1 ist ein Kraftsensor nach dem Stand der Technik beschrieben. Dabei wird ein vorzugsweise aus einem Halbleitermaterial bestehendes Substrat 10 verwendet, in dem mittels eines KOH-Ätzvorgangs eine Kaverne 70 und eine Membran 20 erzeugt wird. Dabei entstehend typische Ätzkanten 30, die bei einer Beanspruchung der Membran einen Schwachpunkt darstellen können. Dieses Substrat 10 wird wie in der Figur 1 dargestellt, mit der Unterseite 35 auf einen Halter 40 aufgebracht, wobei der Halter 40 einen Zugang 15 zur Kaverne 70 aufweist, um einen Druckausgleich zu ermöglichen. Auf die Oberfläche 30 des Substrats 10 wird eine Kugel 60 aufgebracht, durch die ein unmittelbarer Kraftschluß auf die Membran 20 erfolgen soll. Typischerweise sind auf der Oberfläche 25 der Membran 20 piezoelektrische Widerstände aufgebracht, durch die eine Bewegung der Kugel 60 bzw. der Membran 20 erfasst werden kann. Alternativ kann jedoch auch vorgesehen sein, die Bewegung der Membran kapazitiv über zwei Elektroden zu erfassen, wobei die beiden Elektroden die Kaverne 70 einschließen. Um die Kugel 60 an ihrem Ort auf der Membran 20 zu halten, ist ein Positionierungselement 45 mit entsprechenden Ausnehmungen 50 und 55 vorgesehen. Durch eine entsprechende Ausgestaltung steht die Kugel 60 geringfügig über das Positionierungselement 45 hinaus. Dieser Abstand 65 kann dazu verwendet werden, sensorisch den Ort der Kraftaufnahme zu erfühlen.
Die Ausnehmungen 50 und 55 sind typischerweise so gestaltet, dass die Kugel 60 ein geringfügiges Spiel besitzt, so dass der Ort der Kugelauflage auf der Membran 20 sich ändern kann. Da zusätzlich die Positionieren der Kugel 60 und des Positionierungselements 45 nur mit einer gewissen Genauigkeit erfolgen kann, ist bei einer grosstechnischen Herstellung eines derartigen Kraftsensors nicht auszuschließen, dass sich Unterschiede in der Messgenauigkeit aufgrund unterschiedlicher Ausrichtungen der Kugelauflage in Bezug zu den piezoelektrischen Widerständen nicht vermeiden lassen. Ausgangspunkt für die Herstellung eines erfindungsgemäßen Rraft-/Druckwandlers ist ein mit gängigen mikromechanischen Verfahren hergestellter Drucksensor, wie er beispielsweise aus der DE 100 32 579 Al oder der DE 101 14 036 Al bekannt ist. Mit diesen Verfahren ist ein Drucksensor herstellbar, bei dem sich eine Kaverne in einem vorzugsweise aus Silizium bestehenden Halbleitersubstrat befindet. Weiterhin wird über der Kaverne eine Membran mittels eines porös geätzten Bereichs erzeugt. Darüber hinaus ist beispielsweise aus den Schriften DE 101 35 216 Al oder DE 10 2004 007518 Al bekannt, Piezowiderstände in einer Membran oder auf einer zusätzlichen Schicht auf der Membran zu erzeugen. Da die Herstellung der Membran, der Kaverne oder der Piezowiderstände nicht ursächlicher Gegenstand der vorliegenden Anmeldung ist, sei zum expliziten Herstellungsverfahren ausdrücklich auf die genannten
Schriften verwiesen.
Um eine übersichtlichere Beschreibung zu ermöglichen, sind bei den nachfolgenden Beschreibungen der Ausführungsbeispiele anhand der Figuren 2 bis 6 gleiche Komponenten mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
In einem ersten Ausführungsbeispiel, wie es in Figur 2 dargestellt ist, wird gemäß dem Herstellungsverfahren der Schrift DE 100 32 579 Al eine Kaverne 100 und eine Membran 110 unter Bildung von porösem Silizium in einem Siliziumsubstrat 140 erzeugt. Auf die Membran 110 werden anschließend Piezowiderstände beispielsweise entsprechend der DE 101 35 216 Al oder Dehnungsmessstreifen, wie sie in der DE 102004 007518 Al beschrieben werden, mittels Maskierungs-, Epitaxie- und/oder Strukturierungsschritten aufgebracht. Die maximale Durchbiegung und somit das maximal erzeugbare elektrische (Druck-)Signal der Membran wird durch die Tiefe der Kaverne vorgegeben. Weiterhin kann durch die Erzeugung einer einkristallinen Membran, beispielsweise im Rahmen einer thermischen Umlagerung des porösen Siliziummaterials, eine besonders stabile Membran erzeugt werden. Sowohl die stabile einkristalline Membran als auch die Kavernentiefe dient somit für einen Überlastschutz des Drucksensorchips.
Der fertig prozessierte Drucksensorchip bzw. das Siliziumsubstrat 140 wird anschließend mittels eines geeigneten Chipklebers 130 auf ein Päd 120 d.h. auf eine entsprechende Befestigung aufgebracht. Um die elektrischen Anschlüsse der piezoelektrischen Widerstände auf der Membran oder evtl. anderer auf dem Chip vorhandener Schaltungen aus dem noch zu fertigenden Gehäuse herauszuführen, werden Leadframes 160 vorgesehen, die mittels Bondverbindungen 150 mit dem Chip 140 verbunden sind. Der Chip 140 wird anschließend zusammen mit den Leadframes 160 wahlweise in eine Moldform oder in ein geeignetes Gehäuse gegeben und mit einer Moldmasse vergossen.
Bei der Verwendung eines Drucksensors mit einer Moldverpackung nach Figur 2 ist vorgesehen, dass ein Druck oder eine Kraft 180 von oben auf das Gehäuse wirkt, beispielsweise in dem der Drucksensor in eine Tastatur oder ein Touchpad eingebaut wird. Über eine Verbiegung der Moldmasse oberhalb der Kaverne 100 wird die Membran 110 eingedrückt und somit ein elektrisches Signal erzeugt, welches am Leadframe 160 abgenommen werden kann.
Durch die Wahl des Moldmaterials oder der Dicke der Moldmasse über der Membran 110 kann die Steifigkeit und somit die Empfindlichkeit des Drucksensors eingestellt werden.
Eine weitere Möglichkeit, die Empfindlichkeit zu modifizieren und gezielt einzustellen, ist in Figur 3 dargestellt. Dabei ist auf der Oberseite des Sensorchips 140 ein Füllmaterial 200, beispielsweise ein Gel, aufgebracht, welches seinerseits durch eine gegenüber dem Ausführungsbeispiel der Figur 2 dünnere Schicht des Moldmaterials abgedeckt wird. Der Vorteil in einer derartigen Ausführung liegt darin, dass die Steifigkeit des Moldmaterials weniger eine Rolle spielt und die Kraft indirekt auf die Membran 110 übertragen wird, indem der Druck bzw. die Kraft 180 zuerst auf das Gel 200 übertragen und somit in einen hydrostatischen Druck umgewandelt wird. Dadurch wird nur ein Teil der ursprünglichen Kraft wirklich auf die Membran 110 geführt. Neben der Belegung der gesamten Chipoberfläche mit dem Füllmaterial 200 ist auch denkbar, nur die Membran (nicht gezeigt) oder den gesamten Drucksensorchip 140 (siehe Figur 5) mit dem Füllmaterial 210 zu bedecken.
In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist der Bereich des aus der Moldmasse 170 geformten Gehäuses oberhalb des Sensorchips 140 zweigeteilt. Ein erster Teil 320 ist fest mit dem übrigen Gehäuse bzw. der Moldmasse 170 verbunden. Ein zweiter Teil 300 in Form eines Stempels ist dagegen vom übrigen Teil des Gehäuses durch einen Trenngraben 310 getrennt und lediglich auf dem Füllmaterial 200, beispielsweise einem zähen Gel fixiert. Wird nun der
Stempel 300 mit einer Fläche A durch die Kraft F (180) hinuntergedrückt, so wird die Kraft F (180) im Gel 200 gemäß p = F/A
in einen Druck p umgewandelt. Durch Anpassung der Stempelfläche A lassen sich so Kraftsensoren mit unterschiedlichen Kraft-Messbereichen unter Verwendung baugleicher Drucksensoren realisieren.
Ebenso lässt sich ein zweigeteiltes Gehäuseoberteil über eine Ausgestaltung nach Figur 8 realisieren. Dabei kann ein definierter Kraftnebenschluss durch einen geschlossenen Ring 500 aus Füllmaterial um die Membran 110 herum erzeugt werden. Über die Stege 520, mit denen der Stempel 510 mit dem übrigen Gehäuse verbunden sind, kann eine gewünschte Steifigkeit und somit Empfindlichkeit eingestellt werden. Alternativ kann auch vorgesehen sein, die Stege 520 beispielsweise durch einen Schleifvorgang oder eine Laserentfernung ganz zu entfernen, wie es in Figur 9 dargestellt ist. Dabei dienen die mit Füllmaterial versehenen Gräben 505 dem Stempel 515 sowohl als Halterung als auch zur Führung.
Generell lassen sich als Gehäuseformen sowohl gängige SOIC- Gehäuse (siehe Figur 6) als auch MLF- Gehäuse (siehe Figur 7) verwenden. Selbstverständlich sind jedoch auch Sondergehäuse nutzbar.
Anhand eines SOIC-Gehäuses (Small outline IC) mit seinen nach außen führende Leadframes
162, wie er in Figur 6 dargestellt ist, bzw. eines MLF-Gehäuses (Micro Lead Frame) kann eine weitere Ausgestaltung der Erfindung vorgestellt werden. Durch die Verwendung eines Druckpunkts 400 d.h. einer Erhebung kann eine Kraft 180, die von oben auf das Gehäuse gerichtet ist, gezielt in eine Fläche über der Membran 110 des Sensorchips 140 eingeleitet werden. Der Druckpunkt 400 auf der Gehäuseoberseite kann jedoch auch in einem Aufbau ohne den Einsatz des Füllmaterials 200 eingesetzt werden.
Zur Erzeugung des Druckpunktes kann die Moldform entsprechend geformt sein. Darüber hinaus kann jedoch auch vorgesehen sein, dass der Druckpunkt 400 durch ein nachträgliches Aufbringen eines Klebetropfens erzeugt wird. Weiterhin ist möglich, den Druckpunkt 400 durch nachträgliches Rückdünnen beispielsweise durch gezieltes Abfräsen oder Ablasern der übrigen Gehäuseoberseite zu her zu stellen.

Claims

Ansprüche
1. Vorrichtung zur Erfassung eines Drucks bzw. einer Kraft mittels eines aus einem Halbleitersubstrat hergestellten Drucksensorchips, wobei vorgesehen ist, dass
- der Drucksensorchip (140)
- eine Membran (110) und
- eine unterhalb der Membran (110) befindliche Kaverne (100) aufweist, und
- der Drucksensorchip weitestgehend in ein Gehäuse gemoldet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Moldmasse oberhalb der Membran ein Gehäuseoberteil bildet, wobei das Gehäuseoberteil einen Kraftnebenschluss zur Membran aufweist.
2. Vorrichtung zur Erfassung eines Drucks bzw. einer Kraft nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen Gehäuseoberteil und Membran (110) ein Füllmaterial (200, 210) vorgesehen ist, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass die Kraft auf das Gehäuseoberteil in dem Füllmaterial in einen hydrostatischen Druck gewandelt wird.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Empfindlichkeit des Drucksensorchips zur Erzeugung eines elektrischen Signals in Reaktion auf die Druck- bzw. Kraftausübung mittels der Gestaltung des Kraftnebenschlusses vorgebbar ist, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass der Kraftnebenschluss durch die Wahl des Füllmaterials oder die Gestaltung des
Gehäuseoberteils erfolgt.
4. Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuseoberteil wenigstens
- einen ersten mit dem übrigen Gehäuse bzw mit der übrigen Moldmasse (170) verbundenen Teil (320) und - einen unmittelbar oberhalb der Membran befindlichen, vom ersten Teil weitgehend separierten zweiten Teil (300, 510, 515) aufweist, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass der erste und der zweite Teil des Gehäuseoberteils durch einen Trenngraben (310, 500, 505) oder einen Bereich, der ein Füllmaterial aufweist, voneinander getrennt sind.
5. Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuseoberteil oberhalb der Membran eine Erhebung (400) gegenüber dem übrigen Gehäuseoberteil aufweist, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass die Erhebung aus dem Gehäuse- bzw. Moldmaterial oder aus einem nachträglich aufgebrachten Material besteht.
6. Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kaverne (100) vollständig von dem Halbleitersubstrat (140) und der Membran (110) umschlossen wird, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass die maximale Durchbiegung der Membran durch die Tiefe der Kaverne vorgegeben ist.
7. Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass
- die Membran (110) und die Kaverne (100) mittels mikromechanischer Verfahren in dem Halbleitersubstrat erzeugt werden und
- der Drucksensorchip (140) weitestgehend zur Bildung eines Gehäuses mit einer Moldmasse umschlossen wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Moldmasse oberhalb der Membran ein Gehäuseoberteil mit einem Kraftnebenschluss zur Membran bildet.
8. Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass zur Bildung der Kaverne und/oder der Membran im Halbleitersubstrat ein porös geätzter Bereich erzeugt wird, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass die Kaverne
- durch eine thermische Umlagerung des erzeugten porösen Halbleitermaterials oder
- durch eine Entfernung des poröesen Halbleitermaterials erzeugt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass auf die Membran und/oder auf die gesamte Drucksensorchipoberseite ein Füllmaterial (200) aufgebracht wird, bevor der Drucksensorchip mit der Moldmasse (170) umschlossen wird.
1 O.Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Empfindlichkeit des Drucksensorchips zur Erzeugung eines elektrischen Signals mittels der Gestaltung eines Kraftnebenschlusses vorgegeben wird, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass der Kraftnebenschluss durch die Wahl des Füllmaterials oder die Gestaltung des Gehäuseoberteils erfolgt.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuseoberteil in wenigstens
- einen ersten mit dem übrigen Gehäuse verbundenen Teil (320) und - einen unmittelbar oberhalb der Membran befindlichen, vom ersten Teil weitgehend separierten zweiten Teil (300, 510, 515) aufgeteilt wird, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass der erste und der zweite Teil des Gehäuseoberteils durch einen Trenngraben (310, 500, 505) oder einen mit einem Füllmaterial versehenen Bereich voneinander getrennt wird.
12. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuseoberteil oberhalb der Membran mit einer Erhebung gegenüber dem übrigen Gehäuseoberteil versehen wird, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass die Erhebung aus dem Gehäuse- bzw. Moldmaterial oder aus einem nachträglich aufgebrachten Material besteht.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008016214A1 (de) 2007-03-30 2008-10-30 Elmos Advanced Packaging B.V. Sensorelement und Sensorzusammenstellung mit Umhüllung
EP2090873A1 (de) 2008-02-14 2009-08-19 Elmos Advanced Packaging B.V. Integriertes Schaltungsgehäuse
CN107631819A (zh) * 2016-07-18 2018-01-26 霍尼韦尔国际公司 具有多个安装位置的低成本包覆模制引线框架力传感器
US10330540B2 (en) 2017-08-22 2019-06-25 Honeywell International Inc. Force sensor
US10436664B2 (en) 2017-05-24 2019-10-08 Honeywell International Inc. Micro flexible force sensor

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007061184A1 (de) 2007-12-17 2009-06-25 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Differenzdruckmesszelle

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0286867A1 (de) * 1987-03-18 1988-10-19 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiter-Drucksensor mit einem Gehäuse und Verfahren zu dessen Herstellung
US5661245A (en) * 1995-07-14 1997-08-26 Sensym, Incorporated Force sensor assembly with integrated rigid, movable interface for transferring force to a responsive medium
EP0882964A1 (de) * 1997-06-06 1998-12-09 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiter-Drucksensor-Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US6313514B1 (en) * 1997-06-06 2001-11-06 Infineon Technologies Ag Pressure sensor component
WO2004106222A1 (de) * 2003-05-26 2004-12-09 Infineon Technologies Ag Mikroelektromechanischer drucksensor und verfahren zu seiner herstellung

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0286867A1 (de) * 1987-03-18 1988-10-19 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiter-Drucksensor mit einem Gehäuse und Verfahren zu dessen Herstellung
US5661245A (en) * 1995-07-14 1997-08-26 Sensym, Incorporated Force sensor assembly with integrated rigid, movable interface for transferring force to a responsive medium
EP0882964A1 (de) * 1997-06-06 1998-12-09 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiter-Drucksensor-Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US6313514B1 (en) * 1997-06-06 2001-11-06 Infineon Technologies Ag Pressure sensor component
WO2004106222A1 (de) * 2003-05-26 2004-12-09 Infineon Technologies Ag Mikroelektromechanischer drucksensor und verfahren zu seiner herstellung

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008016214A1 (de) 2007-03-30 2008-10-30 Elmos Advanced Packaging B.V. Sensorelement und Sensorzusammenstellung mit Umhüllung
US7685881B2 (en) 2007-03-30 2010-03-30 Elmos Advanced Packaging B.V. Sensor element and sensor assembly provided with a casing
DE202008018412U1 (de) 2007-03-30 2013-08-13 Elmos Semiconductor Ag Sensorelement und Sensorzusammenstellung mit Umhüllung
DE102008016214B4 (de) * 2007-03-30 2015-09-17 Elmos Semiconductor Aktiengesellschaft Sensorelement und Sensorzusammenstellung mit Umhüllung
EP2090873A1 (de) 2008-02-14 2009-08-19 Elmos Advanced Packaging B.V. Integriertes Schaltungsgehäuse
US8049290B2 (en) 2008-02-14 2011-11-01 Sencio B.V. Integrated circuit package
CN107631819A (zh) * 2016-07-18 2018-01-26 霍尼韦尔国际公司 具有多个安装位置的低成本包覆模制引线框架力传感器
EP3273213A3 (de) * 2016-07-18 2018-03-07 Honeywell International Inc. Kostengünstiger umgossener leiterrahmen-kraftsensor mit mehreren montagepositionen
EP3660476A1 (de) * 2016-07-18 2020-06-03 Honeywell International Inc. Kostengünstiger umgossener leiterrahmen-kraftsensor mit mehreren montagepositionen
CN107631819B (zh) * 2016-07-18 2021-10-08 霍尼韦尔国际公司 具有多个安装位置的低成本包覆模制引线框架力传感器
EP4033215A1 (de) * 2016-07-18 2022-07-27 Honeywell International Inc. Kostengünstiger umgossener leiterrahmen-kraftsensor mit mehreren montagepositionen
US10436664B2 (en) 2017-05-24 2019-10-08 Honeywell International Inc. Micro flexible force sensor
US10330540B2 (en) 2017-08-22 2019-06-25 Honeywell International Inc. Force sensor

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