DE102007061406A1

DE102007061406A1 - Verfahren zum Betreiben eines nichtflüchtigen Speicherelements, nichtflüchtiges Speicherelement und Speicherkarte

Info

Publication number: DE102007061406A1
Application number: DE102007061406A
Authority: DE
Inventors: Sun-Kwon Suwon Kim; Byeong-Hoon Lee
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2006-12-13
Filing date: 2007-12-12
Publication date: 2008-07-10
Also published as: US7489557B2; US20080144392A1; CN101295543A; CN101295543B; KR100784866B1

Abstract

Ein nichtflüchtiges Speicherelement (1000) umfasst eine Mehrzahl von Speicherzellen; und einen Steuerlogikblock (180), der dazu ausgebildet ist, eine Schreibspannung (VPP) während einer Zeit zwischen einem Ausführen aufeinanderfolgender Schreiboperationen auf einem vorbestimmten Spannungspegel zum Pdes nichtflüchtigen Speicherelements (1000) zu halten.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben eines nichtflüchtigen Speicherelements, ein nichtflüchtiges Speicherelement und eine Speicherkarte.
Halbleiterspeicherelemente können in flüchtige und nichtflüchtige Typen unterschieden werden, was von ihrer Fähigkeit abhängt, Daten ohne eine Leistungsversorgung zu halten. Flüchtige Speicherelemente umfassen statische und dynamische Speicher mit wahlfreiem Zugriff (d. h. SRAMs und DRAMs), während nichtflüchtige Speicherelemente Nurlesespeicher (read-only memories – ROMs) umfassen können. ROMs können von unterschiedlichem Typ sein, wie löschbare und programmierbare ROMs (EPROMs), elektrische EPROMs (EEPROMs), Flash-Speicher usw.
Nichtflüchtige Speicherelemente bieten eine Reihe von Vorteilen, da sie kleinere Abmessungen, eine niedrigere Leistungsaufnahme und/oder überlegene Lese-/Schreibleistungsfähigkeiten aufweisen können. Beispielsweise können Flash-Speicher dazu eingesetzt werden, On-Chip-Speicher für tragbare Geräte bereitzustellen, welche relativ schnelle Datenaktualisierungen benötigen, wie Mobiltelefone, Digitalkameras, Audio-/Video-Recorder, Modems, Smart Cards usw.
Einige nichtflüchtige Speicherelemente benötigen unter Umständen eine Spannungsversorgung, die höher ist als eine Leistungsquellenspannung und die nachfolgend als „Hochspannung" bezeichnet wird, beispielsweise für Schreiboperationen durch Mechanismen wie F-N-Tunneln, sourceseitige Einprägung von heißen Elektronen (sourceside channel hot electron injection) usw. Obwohl die Hochspannung aus der Leistungsquellenspannung erzeugt werden kann, kann es eine zeitlang dauern, die Hochspannung auf einem gewünschten oder Zielspannungspegel zu erzeugen, was vorliegend auch als „Einrichtungszeit" („setup time") bezeichnet wird. Sobald die Hochspannung den Zielpegel erreicht hat, kann sie zu einer ausgewählten Speicherzelle (oder ausgewählten Speicherzellen) für eine vorbestimmte Zeit geliefert werden, was vorliegend auch als „Schreibzeit" bezeichnet wird. Eine Schreiboperation kann Programmier- und Löschoperationen beinhalten. Nach dem Durchführen einer Schreiboperation kann die Hochspannung, welche an eine ausgewählte Speicherzelle (oder ausgewählte Speicherzellen) angelegt wurde, während einer vorbestimmten Zeit entladen werden, was vorliegend auch als „Entladezeit” bezeichnet wird. 1 zeigt Wellenformveränderungen einer Hochspannung während einer Schreiboperation, wie vorstehend beschrieben. Wie in 1 dargestellt, kann die oben beschriebene Prozedur einschließlich einer Einrichtungszeit, einer Schreibzeit und einer Entladezeit wiederholt werden, wenn aufeinanderfolgende Schreiboperationen durchgeführt werden.
Wenn also die Menge an Daten, die nacheinander in ein Speicherelement geschrieben werden, und/oder die Anzahl aufeinanderfolgender Schreibzyklen zunimmt, kann ein Verwalten der Schreibzeit zunehmend an Bedeutung gewinnen.
Der Erfindung liegt das technische Problem zugrunde, ein Verfahren zum Betreiben eines nichtflüchtigen Speicherelements, ein nichtflüchtiges Speicherelement und eine Speicherkarte anzugeben, welche Schreibzeiten verkürzen.
Die Erfindung löst das Problem mittels eines Verfahrens zum Betreiben eines nichtflüchtigen Speicherelements mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1, mittels eines nichtflüchtigen Speicherelements mit den Merkmalen des Patentanspruchs 15 und mittels einer Speicherkarte mit den Merkmalen des Patentanspruchs 34.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben, deren Wortlaut hiermit durch Bezugnahme in die Beschreibung aufgenommen wird, um unnötige Textwiederholungen zu vermeiden.
Gemäß einiger Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung beinhaltet ein Verfahren zum Betreiben eines nichtflüchtigen Speicherelements ein Halten einer Schreibspannung auf einem vorbestimmten Spannungspegel zum Programmieren und/oder Löschen einer Speicherzelle des nichtflüchtigen Speicherelements während einer Zeit zwischen einer Ausführung aufeinanderfolgender Schreiboperationen. In manchen Ausgestaltungen kann die Schreibspannung in Abhängigkeit von einem anfänglichen Schreibbefehl auf dem vorbestimmten Spannungspegel aktiviert werden und ein Entladen der Schreibspannung kann in Abhängigkeit von einem Signal verhindert werden, welches aufeinanderfolgende Schreibbefehle anzeigt.
Gemäß anderer Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung beinhaltet ein Verfahren zum Schreiben von Daten in einem nichtflüchtigen Speicherelement ein Aktivieren eines Schreibbeschleuni gungsaktivierungssignals in Abhängigkeit von einem Signal, welches aufeinanderfolgende Schreibbefehle anzeigt; ein Erzeugen einer Schreibspannung in Abhängigkeit von dem Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal und einem anfänglichen Schreibbefehl; und fortdauerndes Halten der Schreibspannung auf dem vorbestimmten Spannungspegel während eines Ausführens der aufeinanderfolgenden Schreiboperationen und dazwischenliegender Zeiten in Abhängigkeit von einer Aktivierung des Schreibbeschleunigungsaktivierungssignals.
In manchen Ausgestaltungen kann ein Entladen der Schreibspannung während den Zeiten zwischen einer Ausführung der aufeinanderfolgenden Schreibbefehle in Abhängigkeit von einer Aktivierung des Schreibbeschleunigungsaktivierungssignals verhindert werden.
In anderen Ausgestaltungen beinhaltet das Verfahren weiterhin ein Deaktivieren des Schreibbeschleunigungsaktivierungssignals in Abhängigkeit von einem Signal, welches ein Ende der aufeinanderfolgenden Schreiboperationen anzeigt, und ein Unterbrechen eines Erzeugens der Schreibspannung in Abhängigkeit von dem Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal.
In einigen Ausgestaltungen können die aufeinanderfolgenden Schreiboperationen Programmier- und/oder Löschoperationen beinhalten.
In anderen Ausgestaltungen kann die Schreibspannung zu einer Sourceleitung des nichtflüchtigen Speicherelements geliefert werden, wenn die aufeinanderfolgenden Schreiboperationen Programmieroperationen sind.
In einigen Ausgestaltungen kann die Schreibspannung zu einer Wortleitung des nichtflüchtigen Speicherelements geliefert werden, wenn die aufeinanderfolgenden Schreiboperationen Löschoperationen sind.
In anderen Ausgestaltungen kann es sich bei dem Signal, welches aufeinanderfolgende Schreibbefehle anzeigt, um einen Startbefehl für aufeinanderfolgendes oder sukzessives Schreiben handeln.
In einigen Ausgestaltungen kann es sich bei dem Signal, welches die aufeinanderfolgenden Schreibbefehle anzeigt, um ein Flag- oder Markierungssignal handeln, welches von einem externen Gerät oder Element geliefert wird.
In anderen Ausgestaltungen kann das Verfahren weiterhin beinhalten ein Detektieren eines Befehls zum Schreiben in einer nächsten Seite in Abhängigkeit von Veränderungen bei einer Adressierung während eines Ausführens der aufeinanderfolgenden Schreiboperationen, ein Unterbrechen der Schreibspannung, die zu Speicherzellen einer vorhergehenden Seite geliefert wird, in Abhängigkeit von einem Erkennen des Befehls zum Schreiben in die nächste Seite, ein Speichern wenigstens eines Teils der Schreibspannung, die zu den Speicherzellen der vorhergehenden Seite geliefert wird, ein Entladen einer verbleibenden Spannung von den Speicherzellen der vorhergehenden Seite nach einem Speichern der zu den Speicherzellen der vorhergehenden Seite gelieferten Schreibspannung sowie ein Liefern der Schreibspannung zu Speicherzellen der nächsten Seite zusammen mit der gespeicherten Schreibspannung.
In einigen Ausgestaltungen beinhaltet das Verfahren weiterhin ein Erzeugen der Schreibspannung für die aufeinanderfolgenden Schreiboperationen in Abhängigkeit von dem Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal und dem Schreibbefehl.
In anderen Ausgestaltungen kann das Erzeugen der Schreibspannung unterbrochen werden, wenn das Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal deaktiviert wird.
In einigen Ausgestaltungen wird die Schreibspannung entladen, wenn eine Letzte der aufeinanderfolgenden Schreiboperationen entsprechend der nächsten Seite beendet ist.
Entsprechend weiteren Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung umfasst ein nichtflüchtiges Speicherelement eine Mehrzahl von Speicherzellen und einen Steuerlogikblock, der dazu ausgebildet ist, eine Schreibspannung während einer Zeit zwischen einem Ausführen aufeinanderfolgender Schreiboperationen auf einem vorbestimmten Spannungspegel zum Programmieren und/oder Löschen einer Speicherzelle des nichtflüchtigen Speicherelements zu halten. In einigen Ausgestaltungen kann der Steuerlogikblock dazu ausgebildet sein, ein Entladen der Schreibspannung in Abhängigkeit von einem Signal zu verhindern, welches aufeinanderfolgende Schreibbefehle anzeigt.
Gemäß einiger Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung umfasst ein nichtflüchtiges Speicherelement ein Speicherzellenfeld mit einer Mehrzahl von Speicherzellen, die in Zeilen und Spalten angeordnet ist, einen Spannungserzeuger, der zum Erzeugen einer Schreibspannung bei einem vorbestimmten Spannungspegel ausgebildet ist, die zu dem Speicherzellenfeld während einer Ausführung der aufeinanderfolgenden Schreiboperationen zu liefern ist, und einen Steuerlogikblock, der dazu ausgebildet ist, in Abhängigkeit von einem Schreibbefehl und einem Signal zu arbeiten, welches aufeinanderfolgende Schreiboperationen anzeigt. Der Steuerlogikblock kann dazu ausgebildet sein, den Spannungserzeuger zu steuern, um die Schreibspannung während einer Ausführung der aufeinanderfolgenden Schreiboperationen und der da zwischenliegenden Zeiten auf dem vorbestimmten Spannungspegel zu halten.
In noch weiteren Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung umfasst eine Speicherkarte eine Prozessoreinheit; ein nicht flüchtiges Speicherelement, welches durch die Prozessoreinheit gesteuert ist, und ein Register, welches dazu ausgebildet ist, ein Flag- bzw. Markierungsbit zu speichern, welches aufeinanderfolgende Schreiboperationen anzeigt, bei einer Steuerung durch die Prozessoreinheit. Das nichtflüchtige Speicherelement ist dazu ausgebildet, eine Schreibspannung auf einem vorbestimmten Spannungspegel zum Programmieren und/oder Löschen einer Speicherzelle des nichtflüchtigen Speicherelements während einer Zeit zwischen einem Ausführen der aufeinanderfolgenden Schreiboperationen basierend auf dem Markierungsbit zu halten, welches in dem Register gesetzt ist.
In einigen Ausgestaltungen kann die Speicherkarte eine Smart Card sein.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung, die nachfolgend detailliert beschrieben sind, sowie zur Erleichterung des Verständnisses der Erfindung erörterte Ausgestaltungen des Standes der Technik sind in den Zeichnungen dargestellt. Es zeigt/zeigen:
1 ein Diagramm zur Darstellung von Veränderungen einer Schreibspannung während einer Schreiboperation in einem herkömmlichen nichtflüchtigen Speicherelement;
2 ein Diagramm zur Darstellung von Veränderungen einer Schreibspannung während einer Schreiboperation in einem nichtflüchtigen Speicherelement gemäß einiger Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung;
3 ein Blockschaltbild zur Darstellung eines nichtflüchtigen Speicherelements gemäß einiger Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung;
4 ein Diagramm zur Darstellung von Veränderungen einer Schreibspannung während einer Schreiboperation des nichtflüchtigen Speicherelements gemäß 3;
5 ein Wellenformdiagramm zur Darstellung von Spannungsveränderungen auf einer Sourceleitung während der Schreiboperation des nichtflüchtigen Speicherelements gemäß 3;
6 ein Blockschaltbild einer Speicherkarte, die ein nichtflüchtiges Speicherelement gemäß einiger Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung umfasst; und
7 ein Flussdiagramm zur Darstellung von Schreiboperationen in der Speicherkarte gemäß 6.
Es sei darauf hingewiesen, dass ein Element oder eine Schicht, das bzw. die als „auf" einem anderen Element oder einer anderen Schicht angeordnet oder als mit einem anderen Element oder einer anderen Schicht „verbunden", „gekoppelt" oder diesbezüglich „benachbart" beschrieben ist, entweder direkt auf dem anderen Element oder der anderen Schicht angeordnet sein kann, oder dass es bzw. sie mit diesem bzw. dieser direkt verbunden, direkt gekoppelt oder diesbezüglich unmittelbar benachbart angeordnet sein kann, oder dass Zwischenelemente oder Zwischenschichten vorhanden sein können. Wenn dagegen ein Element als „direkt auf" einem anderen Element oder einer anderen Schicht angeordnet oder als mit dem anderen Element oder der anderen Schicht „direkt verbunden", „direkt gekoppelt" oder diesbezüg lich „unmittelbar benachbart" beschrieben ist, sind keine Zwischenelemente oder Zwischenschichten vorhanden.
Ein nichtflüchtiges Speicherelement gemäß einiger Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung kann implementiert sein, so dass es eine Hochspannung für Schreiboperationen (vorliegend auch als eine Schreibspannung bezeichnet) erzeugt, wenn aufeinanderfolgende oder sukzessive Anforderungen für eine Schreiboperation (vorliegend auch als aufeinanderfolgende Schreibbefehle bezeichnet) von einem externen System vorliegen. Wie in 2 dargestellt, wird die Spannung VPP mit Ausnahme einer Einrichtungszeit vor der ersten Schreiboperation und einer Entladezeit nach der letzten Schreiboperation während einer oder mehrerer aufeinanderfolgender/sukzessiver Schreiboperationen auf einem relativ konstanten Pegel gehalten. Mit anderen Worten, die Schreibspannung wird während Zeitperioden zwischen einer Ausführung aufeinanderfolgender Schreiboperationen auf dem „hohen" Pegel gehalten. Wenn also aufeinanderfolgende/sukzessive Schreibbefehle durch das externe System ausgegeben werden, kann es möglich sein, eine Schreibzeit des nichtflüchtigen Speicherelements zu reduzieren, indem die Einrichtungszeit zum Erzeugen der Hochspannung VPP und/oder die Entladezeit der Hochspannung VPP verkürzt werden. 3 zeigt ein nichtflüchtiges Speicherelement, welches gemäß einem derartigen Operations- oder Betriebsschema gesteuert wird, in Übereinstimmung mit einigen Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung. Die Schreiboperationen, welche die vorliegend beschriebene Hochspannung VPP benötigen, können Programmier- und Löschoperationen umfassen. Das nichtflüchtige Speicherelement gemäß einiger Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung kann ein Split-Gate-Flash-Speicherelement sein, welches ein Steuergate und ein Floating-Gate aufweist; jedoch sind Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung nicht hierauf beschränkt. Beispielsweise können einige Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung auf andere Arten von nichtflüchtigen Speicherelementen anwend bar sein, z. B. ein NAND-Flash-Speicherelement, ein NOR-Flash-Speicherelement, einen phasenveränderbaren RAM und/oder einen magnetischen RAM.
Bezugnehmend auf 3 weist das nichtflüchtige Speicherelement 1000 ein Speicherzellenfeld 100 auf, welches N-Bits-Dateninformationen speichert (wobei N eine positive ganze Zahl ist). Das Speicherzellenfeld 100 ist aus Speicherzellen gebildet, die in Zeilen (d. h. Wortleitungen) und Spalten (d. h. Bitleitungen) angeordnet sind. Jede Speicherzelle kann aus einer Split-Gate-Flash-Speicherzelle gebildet sein, die durch einen F-N-Tunnelmechanismus gelöscht und/oder durch sourceseitiges Einprägen von heißen Elektronen programmiert werden kann; jedoch sind Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung nicht auf eine solche Speicherzelle beschränkt. Eine Zeilendecodier-/-treibeschaltung 110 selektiert und treibt Zeilen, das heißt Wortleitungen WL des Speicherzellenfelds 100 in Abhängigkeit von Zeilenadressinformationen, die von einer Vordecodiererschaltung 120 bereitgestellt werden. Eine Bitleitungsauswahlschaltung 130 selektiert Spalten, das heißt Bitleitungen BL des Speicherzellenfelds 100 mit einer vorbestimmten Einheit (z. B. Byte, Halbwort, Wort) in Abhängigkeit von Spaltenadressinformationen, die von der Vordecodiererschaltung 120 bereitgestellt werden. Ausgewählte Bitleitungen sind mit einer Schreibpufferschaltung (WB) 140 während einer Schreiboperation und mit einer Leseverstärkerschaltung (SA) 150 während einer Leseoperation durch die Bitleitungsauswahlschaltung 130 verbunden. Die Bitleitungsauswahlschaltung 130 kann dazu ausgebildet sein, nicht ausgewählte Bitleitungen während einer Programmieroperation mit einer Leistungsquellenspannung und während Lösch- und/oder Programmieroperationen mit einer Massespannung zu treiben.
Weiterhin bezugnehmend auf 3 selektiert und treibt eine Sourceleitungsauswahl-/-treibeschaltung 160 Sourceleitungen SL des Speicherzellenfelds 100 in Abhängigkeit von Adressdecodierinformationen, die von einer Vordecodiererschaltung 170 bereitgestellt werden. Ein Steuerlogikblock 180 ist dazu ausgebildet, einen Gesamtbetrieb des nichtflüchtigen Speicherelements 1000 zu steuern. Insbesondere aktiviert die Steuerlogik 180 ein Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal EN_ACC in Abhängigkeit von einer Eingabe eines Schreibbefehls, wenn ein Flag- oder Markierungssignal F_EnFast und/oder ein spezieller Befehl (z. B. ein Startbefehl für sukzessives Schreiben) von einem externen Gerät/System geliefert wird. Das Markierungssignal F_EnFast und/oder der Startbefehl für sukzessives Schreiben kann als ein Signal (das heißt als Information) verwendet werden, welches aufeinanderfolgende/sukzessive Schreiboperationen anzeigt. Wenn beispielsweise das Flash-Signal/der Startbefehl für sukzessives Schreiben geliefert wird, hält das Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal EN_ACC seinen aktiven Zustand bis die sukzessive Schreiboperation beendet ist. Der Steuerlogikblock 180 arbeitet derart, dass ein normales Schreibaktivierungssignal EN_NOR aktiviert wird, wenn ein Schreibbefehl ohne das Flash-Signal F_EnFast oder den anderen speziellen Befehl eingegeben wird. Der Steuerlogikblock 180 aktiviert beispielsweise das normale Schreibaktivierungssignal EN_NOR während einer einzelnen Schreiboperation. Das Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal EN_ACC wird in Abhängigkeit von einer Aktivierung des Markierungssignals F_EnFast aktiviert. Weiterhin wird das Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal EN_ACC in Abhängigkeit von einer Eingabe eines speziellen Befehls (z. B. eines Endbefehls für sukzessives Schreiben) deaktiviert.
Ein Hochspannungserzeuger 190 wird durch den Steuerlogikblock 180 gesteuert und ist dazu ausgebildet, eine Hochspannung VPP zu erzeugen, die für eine Schreiboperation verwendet werden kann. In einigen Ausgestaltungen kann der Hochspannungserzeuger 190 mittels einer Pumpe und eines Regulierers gebildet sein. Der Hoch spannungserzeuger 190 arbeitet derart, dass die Hochspannung VPP während einer aktiven Periode des Beschleunigungsaktivierungssignals EN_ACC und/oder des normalen Schreibaktivierungssignals EN_NOR erzeugt wird. Wenn ein Markierungssignal F_PGM/ERA dazu ausgebildet ist, eine Programmieroperation anzuzeigen, arbeitet der Hochspannungserzeuger 190 derart, dass die Hochspannung VPP als eine Sourceleitungsspannung V_SL (z. B. 9 V) während einer aktiven Periode des Beschleunigungsaktivierungssignals EN_ACC und/oder des normalen Schreibaktivierungssignals EN_NOR erzeugt wird. Wenn ein Markierungssignal F_PGM/ERA dazu ausgebildet ist, eine Löschoperation anzuzeigen, arbeitet der Hochspannungserzeuger 190 derart, dass die Hochspannung VPP als eine Löschspannung V_ERASE (z. B. 12 V) während einer aktiven Periode des Schreibbeschleunigungsaktivierungssignals EN_ACC erzeugt wird.
Eine Detektionsschaltung 200 wird durch das Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal EN_ACC gesteuert und ist dazu ausgebildet, eine Seitenänderung in Abhängigkeit von einer Adresse ADD1 zu erkennen, die an die Vordecodiererschaltung 120 angelegt wird. Wenn beispielsweise das Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal EN_ACC aktiviert wird, arbeitet die Detektionsschaltung 200 derart, dass unter Bezugnahme auf die Adresse ADD1 erkannt wird, ob eine Seite, die in der vorhergehenden Schreiboperation ausgewählt wurde, sich von einer Seite unterscheidet, die in einer gegenwärtigen Schreiboperation ausgewählt ist. Wenn eine Seite, die in der vorhergehenden Schreiboperation ausgewählt wurde, mit einer Seite identisch ist, welche in einer gegenwärtigen Schreiboperation ausgewählt ist, deaktiviert die Detektionsschaltung 200 ein Detektionssignal DET. Wenn eine Seite, die während der vorhergehenden Schreiboperation ausgewählt wurde, sich von einer Seite unterscheidet, die in einer gegenwärtigen Schreiboperation ausgewählt ist, aktiviert die Detektionsschaltung 200 das Detektionssignal DET in Form eines Pulses. Eine Umschaltschaltung 210 arbeitet in Abhängigkeit von dem Detektionssignal DET oder dem Markierungssignal F_PGM/ERA und transferiert die Hochspannung VPP als die Sourceleitungsspannung V_SL und die Löschspannung V_ERASE. Wenn beispielsweise das Markierungssignal F_PGM/ERA eine Programmieroperation anzeigt, gibt die Umschaltschaltung 210 die Hochspannung VPP als die Sourceleitungsspannung V_SL während einer inaktiven Periode des Detektionssignals DET aus. Wenn das Markierungssignal F_PGM/ERA eine Löschoperation anzeigt, gibt die Umschaltschaltung 210 die Hochspannung VPP als die Löschspannung V_ERASE während einer inaktiven Periode des Detektionssignal DET aus. Die Umschaltschaltung 210 unterbricht die Hochspannung VPP, die als das Detektionssignal DET oder das Markierungssignal F_PGM_ERA auszugeben ist.
Ein Spannungserzeuger 220 wird durch das Beschleunigungs- und das normale Aktivierungssignal EN_ACC bzw. EN_NOR gesteuert und ist dazu ausgebildet, eine Spannung (z. B. VDD/1,2 V) zu erzeugen, die während einer Lese- oder Programmieroperation zu einer ausgewählten Wortleitung zu liefern ist. Ein Spannungserzeuger 230 wird ebenfalls durch das Beschleunigungs- und das normale Aktivierungssignal EN_ACC bzw. EN_NOR gesteuert und ist dazu ausgebildet eine Spannung (z. B. 0,7 V) zu erzeugen, die während einer Leseoperation zu einer ausgewählten Bitleitung zu liefern ist. Insbesondere erzeugen die Spannungserzeuger 220 und 230 Spannungen entsprechend der Lese- oder Programmieroperation, während das Beschleunigungs- und das normale Aktivierungssignal EN_ACC/EN_NOR aktiviert sind. Mit anderen Worten, die Spannungserzeuger 220 und 230 halten ihre Betriebsbedingungen während einer aktiven Periode des Beschleunigungsaktivierungssignals EN_ACC und des normalen Aktivierungssignals EN_NOR.
Das nichtflüchtige Speicherelement 1000 gemäß einiger Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung umfasst weiterhin eine Ladungsspeicherschaltung 240, die mit einem Ausgang der Umschaltschaltung 210 verbunden ist. Die Ladungsspeicherschaltung 240 arbeitet in Abhängigkeit von dem Detektionssignal DET der Detektionsschaltung 200 und ist dazu ausgebildet, Ladungen (d. h. Spannung) einer Signalleitung zu speichern, welche die Sourceleitungsspannung V_SL während einer Programmieroperation und/oder die Löschspannung V_ERASE während einer Löschoperation überträgt. Beispielsweise speichert die Ladungsspeicherschaltung 240 bei einer sukzessiven Schreiboperation Ladungen der Signalleitung mit V_SL oder V_ERASE vor einem Schreibschritt für die nächste Einheit nach Abschluss eines Schreibschritts für eine vorbestimmte Einheit. Während dieser Abläufe sind die Signalleitungen mit V_SL und V_ERASE und die Hochspannung VPP durch die Umschaltschaltung 210 elektrisch isoliert. Ladungen, das heißt eine Spannung, die in der Ladungsspeicherschaltung 240 gespeichert sind bzw. ist, werden bzw. wird während des Schreibschritts für die nächste Einheit zu der Signalleitung mit V_SL oder V_ERASE übertragen.
In einigen Ausgestaltungen kann das Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal EN_ACC direkt von einem externen Element oder Gerät an Bestandteile der Schaltung angelegt werden. Dies bedeutet, dass das Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal EN_ACC nicht durch den Steuerlogikblock 180 erzeugt werden muss. Beispielsweise braucht in einigen Ausgestaltungen der Steuerlogikblock 180 nicht mit dem Startbefehl für sukzessives/beschleunigtes Schreiben und/oder dem Markierungssignal F_EnFast versorgt zu werden.
Entsprechend können Einrichtungs- und/oder Entladezeiten für Schreiboperationen reduziert werden, indem der Hochspannungserzeuger 190 derart gesteuert wird, dass die Hochspannung VPP während Zeitperioden zwischen sukzessiven Schreiboperationen fortdauernd erzeugt wird.
4 zeigt Veränderungen in der Sourceleitungsspannung und der Hochspannung während aufeinanderfolgender/sukzessiver Schreiboperationen des nichtflüchtigen Speicherelements, das in 3 gezeigt ist. Wie oben erläutert, kann eine Schreiboperation Programmier- und/oder Löschoperationen beinhalten. Zur Erleichterung der Beschreibung werden nachfolgend nichtflüchtige Speicherelemente gemäß einiger Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf eine Programmieroperation beschrieben.
Zum Ausführen der Programmieroperation werden eine Adresse, Daten und ein Schreibbefehl zu vorbestimmten Zeiten zu dem nichtflüchtigen Speicherelement 1000 geliefert. Bevor der Schreibbefehl daran angelegt wird, wird das Flash-Signal F_EnFast aktiviert, um die aufeinanderfolgenden/sukzessiven Programmieroperationen anzuzeigen. In einigen Ausgestaltungen wird der Startbefehl für sukzessives Schreiben eingegeben, um die aufeinanderfolgenden/sukzessiven Programmieroperationen anzuzeigen. In diesem Fall aktiviert der Steuerlogikblock 180 das Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal EN_ACC anstelle des normalen Schreibaktivierungssignals EN_NOR in Abhängigkeit von dem Startbefehl für sukzessives Schreiben. Eingangsdaten werden in die Schreibpufferschaltung 140 geladen und eine Eingangsadresse wird zu den Vordecodierern 120 und 170 geliefert. Wenn keine Eingabe des Markierungssignals oder des Startbefehls für sukzessives Schreiben erfolgt, aktiviert der Steuerlogikblock 180 das normale Schreibaktivierungssignal EN_NOR in Abhängigkeit von dem eingegebenen Schreibbefehl.
Die Zeilendecodier-/-treibeschaltung 110 selektiert eine Wortleitung in Abhängigkeit von Zeilenadressinformationen, die durch die Vordecodierschaltung 120 bereitgestellt werden, und die Bitleitungsauswahlschaltung 130 selektiert Bitleitungen in Abhängigkeit von Spaltenadressinformationen, die von dem Vordecodierer 120 bereitgestellt werden. Die Sourceleitungsdecodier-/-treibeschaltung 160 selektiert eine Sourceleitung entsprechend einer ausgewählten Wortleitung in Abhängigkeit von Adressinformationen, die von der Vordecodierschaltung 170 bereitgestellt werden. Zur selben Zeit erzeugt der Steuerlogikblock 180 das Markierungssignal F_PGM/ERA, welches eine Programmieroperation anzeigt, in Abhängigkeit von dem eingegebenen Schreibbefehl (z. B. ein Befehl, der die Programmieroperation anordnet).
Vorliegend ist eine Einheitswortleitung als Paar aus einer geradzahligen und einer ungeradzahligen Wortleitung gebildet, welche einer einzelnen Sourceleitung entsprechen. Speicherzellen, die mit der geradzahligen Wortleitung, der ungeradzahligen Wortleitung und der Sourceleitung gekoppelt sind, bilden eine Einheitsseite.
Der Hochspannungserzeuger 190 arbeitet derart, dass die Hochspannung VPP in Abhängigkeit von einer Aktivierung des Schreibbeschleunigungsaktivierungssignals EN_ACC und des Markierungssignals F_PGM/ERA erzeugt wird. Die Hochspannung VPP erreicht während einer Einrichtungszeit einen Zielpegel. Während einer Programmieroperation wird die Hochspannung VPP bei der Sourceleitungsspannung V_SL von beispielsweise 9 V bereitgestellt. Die Hochspannung wird über die Umschaltschaltung 210 zu der Sourceleitungsdecodier-/-treibeschaltung 160 übertragen. Wenn eine erste Programmieroperation ausgeführt wird, ist das Detektionssignal DET der Detektionsschaltung 200 nicht aktiviert. Zusätzlich erzeugen die Spannungserzeuger 220 und 230 entsprechende Spannungen in Abhängigkeit von einer Aktivierung des Schreibbeschleunigungsaktivierungssignals EN_ACC.
Wie oben beschrieben, treibt die Sourceleitungsdecodier-/-treibeschaltung 160 eine ausgewählte Sourceleitung bei der Sourceleitungsspannung V_SL. Die Zeilendecodier-/-treibeschaltung treibt eine ausgewählte Wortleitung bei einer Spannung (z. B. 1,2 V), die von dem Spannungserzeuger 220 geliefert wird. Die Schreibpufferschaltung 140 treibt Bitleitungen, welche durch die Bitleitungsauswahlschaltung 130 bestimmt sind, bei einer Massespannung in Abhängigkeit von Eingabedaten. Unter solchen Vorspannbedingungen werden die Eingabedaten in ausgewählte Speicherzellen programmiert. Sobald die Eingabedaten programmiert wurden, unterrichtet das nichtflüchtige Speicherelement 1000 ein externes System über ein Ende der Programmieroperation.
Obwohl eine Programmieroperation mit Eingabedaten abgeschlossen sein kann, hält bei nichtflüchtigen Speicherelementen gemäß einiger Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung das Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal EN_ACC seinen aktiven Status. Auch die Spannungserzeuger 190, 220 und 230 können ihre aktiven Zustände weiterhin halten. Wie sich aus den 2 und 4 entnehmen lässt, wird die Schreibspannung VPP auf dem „hohen" Pegel gehalten und wird nicht vor dem nächsten Schreibschritt entladen. Dementsprechend wird in Abhängigkeit von einem Empfang eines nachfolgenden Schreibbefehls der nächste Schreibschritt (das heißt eine Programmieroperation) in dieselbe Seite in einer ähnlichen Weise ausgeführt, wie oben beschrieben, ohne die Hochspannung VPP im Zusammenhang mit einer Aktivierung des Hochspannungserzeugers 190 zu entladen.
In einigen aufeinanderfolgenden/sukzessiven Schreiboperationen kann eine Anforderung für das Schreiben in einer anderen Seite auftreten, die sich von der vorherigen Seite unterscheidet. In diesem Zusammenhang kann eine Adresse (z. B. ADD1) zum Auswählen einer Seite geändert werden. Wenn sich die Adresse zum Auswählen einer Seite ändert, aktiviert die Detektionsschaltung 200 das Detektionssignal DET mit einem Puls in Abhängigkeit von der Adresse ADD1, die an die Vordecodiererschaltung 120 angelegt wird. Die Umschaltschaltung 210 unterbricht eine Ausgabe der Hochspannung VPP in Abhängigkeit von einer Aktivierung des Detektionssignals DET. Zusätzlich speichert die Ladungsspeicherschaltung 240 eine Spannung der Sourceleitung, das heißt der Signalleitung für V_SL, welche zu der vorherigen Seite gehört, in Abhängigkeit von einer Aktivierung des Detektionssignals DET. Die in der Ladungsspeicherschaltung 240 eingestellte Spannung ist in 5 mit „C0" bezeichnet. Wie in 5 gezeigt, entlädt dann die Sourceleitungsdecodier-/-treibeschaltung 160 eine Spannung (z. B. SL0) der Sourceleitung entsprechend der vorherigen Seite. Während dieser Zeit können die Ladungen bzw. kann die Spannung der Sourceleitung durch die Ladungsspeicherschaltung 240 für eine Wiederverwendung gespeichert werden, das heißt sie wird nicht vollständig daraus entladen. Im Ergebnis kann es möglich sein, den Leistungsverbrauch zu reduzieren. Die Sourceleitungsdecodier-/-treibeschaltung 160 selektiert eine Sourceleitung (z. B. SL1) entsprechend der nächsten Seite in Abhängigkeit von Adressinformationen, die von dem Vordecodierer 170 bereitgestellt werden. Anschließend wird die ausgewählte Sourceleitung SL1 elektrisch mit der Ladungsspeicherschaltung 240 verbunden, wie in 5 gezeigt. Weiterhin wird ein Ausgang des Hochspannungserzeugers 190, das heißt die Hochspannung VPP mit der Signalleitung für V_SL über die Umschaltschaltung 210 verbunden. Auf diese Weise kann ein Ladungsteilungseffekt zwischen der Hochspannung VPP und der Signalleitung V_SL, welche mit der Sourceleitung verbunden ist, geschaffen werden. Durch Treiben der Sourceleitung entsprechend der nächsten Seite durch den Ladungsteilungseffekt kann eine Zeit zum Einrichten der Hochspannung VPP reduziert werden, wie in 4 gezeigt. Die verbleibenden aufeinanderfolgenden/sukzessiven Schreiboperationen können gemäß einiger Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung im Wesentlichen den oben beschriebenen entsprechen und werden vorliegend nicht weiter erläutert.
In einigen Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung kann das Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal EN_ACC, welches durch Aktivierung des Markierungssignals F_EnFast aktiviert wird, in Abhängigkeit von einer Deaktivierung des Markierungssignals F_EnFast deaktiviert werden. Oder das Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal EN_ACC, welches durch eine Eingabe des Startbefehls für sukzessives Schreiben aktiviert wird, kann in Abhängigkeit von einer Eingabe des Endbefehls für sukzessives Schreiben deaktiviert werden. In Abhängigkeit von einer Deaktivierung des Schreibbeschleunigungsaktivierungssignals EN_ACC können die Spannungserzeuger 190, 220 und 230 abgeschaltet werden.
Obwohl einige Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung Schreiboperationen in einer Programmieroperation betreffen können, wird der Fachmann erkennen, dass Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung auch auf Löschoperationen anwendbar sein können. Beispielsweise kann beim aufeinanderfolgenden Ausführen einer N-Seiten-Löschoperation (wobei N eine positive ganze Zahl ist) die Löschspannung V_ERASE in einer ähnlichen Weise gesteuert werden, wie im Falle der Sourceleitungsspannung V_SL. Insbesondere wenn eine Anforderung für eine sukzessive Seitenlöschoperation vorliegt, kann der Hochspannungserzeuger 190 seinen aktiven Zustand durch das Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal EN_ACC halten bis die sukzessive Seitenlöschoperation abgeschlossen ist. Das Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal EN_ACC wird in Abhängigkeit von einer Eingabe des Markierungssignals F_EnFast und/oder des Startbefehls für sukzessives Schreiben aktiviert, wie oben erläutert. Wie im Falle der Sourceleitungsspannung V_SL kann der Ladungsteilungsmodus zum Beschleunigen der Einrichtungsoperation und/oder zum Verringern des Stromverbrauchs verfügbar sein. Die Löschoperation kann gemäß einiger Ausgestaltungen in derselben Weise durchgeführt werden wie eine typische Löschoperation und wird nicht weiter beschrieben.
6 ist ein Blockschaltbild einer Speicherkarte, die ein nichtflüchtiges Speicherelement gemäß einiger Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung enthält.
Bezugnehmend auf 6 umfasst die Speicherkarte gemäß einiger Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung ein nichtflüchtiges Speicherelement 1000, eine zentrale Prozessoreinheit (CPU) 2000 als eine Prozessor- oder Verarbeitungseinrichtung, einen Programmspeicher 3000, einen Speicher 4000 und ein Register 5000. Das nichtflüchtige Speicherelement 1000 kann im Wesentlichen ähnlich dem nichtflüchtigen Speicherelement sein, das in 3 gezeigt ist, und wird vorliegend nicht weiter beschrieben. Die CPU 2000 steuert einen Gesamtbetrieb der Speicherkarte. Der Programmspeicher 3000 wird verwendet, um eine Programmdatei zu speichern, und der Speicher 4000 wird verwendet, um Daten zu speichern, die in dem nichtflüchtigen Speicherelement 1000 zu speichern und/oder daraus zu lesen sind. Der Programmspeicher 3000 und/oder der Speicher 4000 können jeweils in Form von flüchtigen und/oder nichtflüchtigen Speichern mit wahlfreiem Zugriff implementiert sein. Die Speicher 3000 und 4000 können auch in einem einzelnen Speicher implementiert sein. Das Register 5000 wird verwendet, um das Markierungssignal F_EnFast zu speichern, welches die oben beschriebene sukzessive Schreiboperation anzeigt. Das Markierungssignal F_EnFast wird durch die CPU 2000 eingerichtet.
7 ist ein Flussdiagramm zur Darstellung von Schreiboperationen in der Speicherkarte gemäß 6. Aus Gründen der Übersichtlichkeit werden Operationen zum teilweisen Aktualisieren von Daten, die in dem nichtflüchtigen Speicherelement gespeichert sind, unter Verwendung eines Markierungssignals zum Informieren des nichtflüchti gen Speicherelements bezüglich der sukzessiven Schreiboperationen beschrieben; wie der Fachmann jedoch erkennt, können vorliegend auch die oben beschriebenen Start-/Endbefehle für sukzessives Schreiben verwendet werden.
Bezugnehmend auf 7 werden Seitendaten, welche die zu aktualisierenden Daten umfassen, in Schritt S100 aus dem nichtflüchtigen Speicherelement 1000 in dem Speicher rückgesichert, wenn eine Anforderung zum teilweisen Aktualisieren von Daten vorliegt, die in dem nichtflüchtigen Speicherelement 1000 gespeichert sind. In Schritt S110 werden Daten, die in dem Speicher 4000 gespeichert sind, teilweise mit Daten aktualisiert, die beispielsweise von einer externen Vorrichtung oder einem externen Gerät bereitgestellt werden. In Schritt S120 werden Speicherzellen des nichtflüchtigen Speicherelements 1000 gelöscht, welche zu der gelesenen Seite gehören, beispielsweise durch eine typische Seitenlöschoperation. Sobald eine Seitenlöschoperation abgeschlossen ist, setzt die CPU 2000 in Schritt S130 das Register 5000, um aufeinanderfolgende/sukzessive Schreiboperationen anzuzeigen. Beispielsweise kann ein Bit des Markierungssignals F_EnFast auf eine logische „1" gesetzt werden, um die sukzessiven Schreiboperationen zu repräsentieren.
Dann wird das Verfahren mit Schritt S140 fortgesetzt, um teilweise Daten (z. B. Bytedaten, Halbwortdaten und Wortdaten) aus dem Speicher 4000 zu dem nichtflüchtigen Speicherelement 1000 zu übertragen. Das Markierungssignal F_EnFast, welches an dem Register 5000 erzeugt wird, wird vor der Datenübertragung zu dem nichtflüchtigen Speicherelement 1000 übertragen. Der Steuerlogikblock 180 des nichtflüchtigen Speicherelements 1000 aktiviert das Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal En_VCC in Abhängigkeit von dem Markierungssignal F_EnFast. Dies bedeutet, dass die Spannungserzeuger 190, 220 und 230 während der aufeinanderfolgenden Schreiboperatio nen ihre aktiven Zustände halten (das heißt die Schreibspannung auf dem vorbestimmten Spannungspegel halten) (siehe 3). Eine Programmieroperation kann in gleicher Weise in dem nichtflüchtigen Speicherelement 1000 durchgeführt werden, wie oben erläutert. Anschließend bestimmt die CPU 2000 in Schritt S150 unter Bezugnahme auf eine Seitenadresse, ob die Seitendaten des Speichers 4000 in dem nichtflüchtigen Speicherelement 1000 gespeichert wurden. Wenn die Seitendaten des Speichers 4000 nicht vollständig in dem nichtflüchtigen Speicherelement 1000 gespeichert wurden, kehrt das Verfahren nach Schritt S140 zurück. Wenn andererseits die Seitendaten des Speichers 4000 allesamt in dem nichtflüchtigen Speicherelement 1000 gespeichert wurden, steuert die CPU 2000 das Register 5000 zum Setzen des Markierungssignals F_EnFast auf logisch „0" als einen inaktiven Status. Wenn das Markierungssignal F_EnFast auf logisch „0" als seinen inaktiven Status gesetzt wird, deaktiviert das nichtflüchtige Speicherelement 1000 das Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal EN_ACC, was zu einer Deaktivierung der Spannungserzeuger 190, 220 und 230 führt (vgl. 3). Anschließend wird das Verfahren beendet.
Während Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung oben unter Bezugnahme auf aufeinanderfolgende oder sukzessive Schreiboperationen mit Einzelseitendaten beschrieben wurden, können Sie auch mit anderen sukzessiven Schreiboperationen verwendet werden, beispielsweise mit Daten, die von externen Geräten geliefert werden und/oder die in Mehrfachseiten gespeichert sind.
In einigen Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung kann es sich bei der Speicherkarte in 7 um eine Smart Card handeln. Jedoch sind Speicherkarten gemäß Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung nicht hierauf beschränkt.
Wie oben beschrieben, können einige Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung Einrichtungs- und Entladezeiten von Schreiboperationen reduzieren und/oder verkürzen, indem ein Hochspannungserzeuger zum kontinuierlichen Erzeugen der Hochspannung VPP in Abhängigkeit von Anforderungen für aufeinanderfolgende oder sukzessive Schreiboperationen gesteuert wird. Auf diese Weise kann es möglich sein, Schreibzeiten in nichtflüchtigen Speicherelementen zu reduzieren. Des Weiteren kann es auch möglich sein, Schreibzeiten in Speicherkarten zu reduzieren, welche derartige nichtflüchtige Speicherelemente enthalten.

Claims

Verfahren zum Betreiben eines nichtflüchtigen Speicherelements (1000), mit den Schritten: – Halten einer Schreibspannung (VPP) auf einem vorbestimmten Spannungspegel zum Programmieren und/oder Löschen einer Speicherzelle des nichtflüchtigen Speicherelements (1000) während einer Zeit zwischen einem Ausführen von aufeinanderfolgenden Schreiboperationen.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Halten der Schreibspannung beinhaltet: – Aktivieren der Schreibspannung auf dem vorbestimmten Spannungspegel in Abhängigkeit von einem anfänglichen Schreibbefehl; und – Verhindern eines Entladens der Schreibspannung in Abhängigkeit von einem Signal, welches aufeinanderfolgende Schreibbefehle anzeigt.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Halten der Schreibspannung beinhaltet: – Aktivieren eines Schreibbeschleunigungsaktivierungssignals in Abhängigkeit von einem Signal, das aufeinanderfolgende Schreibbefehle anzeigt; – Erzeugen der Schreibspannung auf dem vorbestimmten Spannungspegel in Abhängigkeit von einem anfänglichen Schreibbefehl; und – fortdauerndes Halten der Schreibspannung auf dem vorbestimmten Spannungspegel während des Ausführens der aufeinanderfolgenden Schreiboperationen und dazwischenliegenden Zeiten in Abhängigkeit von einer Aktivierung des Schreibbeschleunigungsaktivierungssignals.
Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das fortdauernde Halten der Schreibspannung beinhaltet: – Verhindern eines Entladens der Schreibspannung während der Zeiten zwischen der Ausführung der aufeinanderfolgenden Schreiboperationen in Abhängigkeit von einer Aktivierung des Schreibbeschleunigungsaktivierungssignals.
Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, weiterhin beinhaltend: – Deaktivieren des Schreibbeschleunigungsaktivierungssignals in Abhängigkeit von einem Signal, das ein Ende der aufeinanderfolgenden Schreiboperationen anzeigt; und – Unterbrechen einer Erzeugung der Schreibspannung in Abhängigkeit von einer Deaktivierung des Schreibbeschleunigungsaktivierungssignals.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die aufeinanderfolgenden Schreiboperationen Programmier- und/oder Löschoperationen umfassen.
Verfahren nach Anspruch 6, weiterhin beinhaltend: – Liefern der Schreibspannung zu einer Sourceleitung des nichtflüchtigen Speicherelements, wenn es sich bei den aufeinanderfolgenden Schreiboperationen um Programmieroperationen handelt.
Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, weiterhin beinhaltend: – Liefern der Schreibspannung zu einer Wortleitung des nichtflüchtigen Speicherelements, wenn es sich bei den aufeinanderfolgenden Schreiboperationen um Löschoperationen handelt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Signal, welches die aufeinanderfolgenden Schreibbefehle anzeigt, einen Startbefehl für sukzessives Schreiben umfasst.
Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Signal, welches die aufeinanderfolgenden Schreibbefehle anzeigt, ein Flagsignal umfasst, das von einer externen Vorrichtung bereitgestellt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 10, weiterhin beinhaltend: – Detektieren eines Befehls zum Schreiben in eine nächste Seite in Abhängigkeit von Änderungen in einer Adressierung während einer Ausführung der aufeinanderfolgenden Schreiboperationen; – Unterbrechen der Schreibspannung, die an Speicherzellen einer vorhergehenden Seite geliefert wird, in Abhängigkeit von einem Detektieren des Befehls zum Schreiben in die nächste Seite; – Speichern wenigstens eines Teils der Schreibspannung, die zu den Speicherzellen der vorhergehenden Seite geliefert wurde; – Entladen einer verbleibenden Spannung von den Speicherzellen der vorhergehenden Seite nach einem Speichern der Schreibspannung, die zu den Speicherzellen der vorhergehenden Seite geliefert wurde; und – Liefern der Schreibspannung zu Speicherzellen der nächsten Seite zusammen mit der gespeicherten Schreibspannung.
Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass ein Erzeugen der Schreibspannung weiterhin beinhaltet: – Erzeugen der Schreibspannung in Abhängigkeit von dem Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal und dem anfänglichen Schreibbefehl.
Verfahren nach Anspruch 12, weiterhin beinhaltend: – Unterbrechen einer Erzeugung der Schreibspannung, wenn das Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal inaktiv wird.
Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, weiterhin beinhaltend: – Entladen der Schreibspannung, wenn eine Letzte der aufeinanderfolgenden Schreiboperationen bezüglich der nächsten Seite beendet wird.
Nichtflüchtiges Speicherelement (1000), aufweisend: – eine Mehrzahl von Speicherzellen; und – einen Steuerlogikblock (180), der dazu ausgebildet ist, eine Schreibspannung (VPP) auf einem vorbestimmten Spannungspegel zum Programmieren und/oder Löschen einer Speicherzelle des nichtflüchtigen Speicherelements (1000) während einer Zeit zwischen einem Ausführen von aufeinanderfolgenden Schreiboperationen zu halten.
Nichtflüchtiges Speicherelement nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuerlogikblock weiterhin dazu ausgebildet ist, in Abhängigkeit von einem Signal, das aufeinanderfolgende Schreibbefehle anzeigt, ein Entladen der Schreibspannung zu verhindern.
Nichtflüchtiges Speicherelement nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Mehrzahl von Speicherzellen ein Speicherzellenfeld (100) umfasst, welches die Mehrzahl von Speicherzellen enthält, die in Zeilen und Spalten angeordnet sind, wobei das nichtflüchtige Speicherelement weiterhin umfasst: – einen Spannungserzeuger (190), der dazu ausgebildet ist, die Schreibspannung, die während der aufeinanderfolgenden Schreib operationen zu dem Speicherzellenfeld zu liefern ist, auf dem vorbestimmten Spannungspegel zu erzeugen, – wobei der Steuerlogikblock dazu ausgebildet ist, den Spannungserzeuger dazu anzusteuern, die Schreibspannung während einer Ausführung der aufeinanderfolgenden Schreiboperationen und dazwischenliegender Zeiten auf dem vorbestimmten Spannungspegel zu halten.
Nichtflüchtiges Speicherelement nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass das Signal, welches aufeinanderfolgende Schreibbefehle anzeigt, ein Flagsignal umfasst, das von einer externen Vorrichtung bereitgestellt ist.
Nichtflüchtiges Speicherelement nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuerlogikblock dazu ausgebildet ist, ein Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal in Abhängigkeit von dem Flagsignal zu aktivieren und dass der Spannungserzeuger dazu ausgebildet ist, die Schreibspannung in Abhängigkeit von einer Aktivierung des Schreibbeschleunigungsaktivierungssignals auf dem vorbestimmten Spannungspegel zu halten.
Nichtflüchtiges Speicherelement nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuerlogikblock dazu ausgebildet ist, das Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal in Abhängigkeit von einer Deaktivierung des Flagsignals zu deaktivieren und dass der Spannungserzeuger dazu ausgebildet ist, ein Erzeugen der Schreibspannung in Abhängigkeit von einer Deaktivierung des Schreibbeschleunigungsaktivierungssignals zu unterbrechen.
Nichtflüchtiges Speicherelement nach einem der Ansprüche 17 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass das Signal, welches die auf einanderfolgenden Schreibbefehle anzeigt, einen Startbefehl für sukzessives Schreiben umfasst.
Nichtflüchtiges Speicherelement nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuerlogikblock dazu ausgebildet ist, ein Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal in Abhängigkeit von dem Startbefehl für sukzessives Schreiben zu aktivieren und dass der Spannungserzeuger dazu ausgebildet ist, die Schreibspannung in Abhängigkeit von einer Aktivierung des Schreibbeschleunigungsaktivierungssignals auf dem vorbestimmten Spannungspegel zu halten.
Nichtflüchtiges Speicherelement nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuerlogikblock dazu ausgebildet ist, das Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal in Abhängigkeit von einem Endbefehl für sukzessives Schreiben zu deaktivieren und dass der Spannungserzeuger dazu ausgebildet ist, ein Erzeugen der Schreibspannung in Abhängigkeit von einer Deaktivierung des Schreibbeschleunigungsaktivierungssignals zu unterbrechen.
Nichtflüchtiges Speicherelement nach einem der Ansprüche 17 bis 23, weiterhin aufweisend: – eine Detektionsschaltung (200), die dazu ausgebildet ist, einen Befehl zum Schreiben in eine nächste Seite in Abhängigkeit von Veränderungen in einer Adressierung während einer Ausführung der aufeinanderfolgenden Schreiboperationen zu detektieren und ein Detektionssignal in Abhängigkeit von der Detektierung zu aktivieren.
Nichtflüchtiges Speicherelement nach Anspruch 24, weiterhin aufweisend: – eine Umschaltschaltung (210), die dazu ausgebildet ist, die Schreibspannung als eine Löschspannung und/oder eine Sourceleitungsspannung während der aufeinanderfolgenden Schreiboperationen zu liefern und eine Ausgabe der Schreibspannung zu dem Speicherzellenfeld während einer Aktivierung des Detektionssignals zu unterbrechen.
Nichtflüchtiges Speicherelement nach Anspruch 25, weiterhin aufweisend: – eine Ladungsspeicherschaltung (240), die mit einem Ausgang der Umschaltschaltung verbunden und dazu ausgebildet ist, in Abhängigkeit von dem Detektionssignal wenigstens einen Teil der Schreibspannung zu speichern, die zu dem Speicherzellenfeld geliefert wird.
Nichtflüchtiges Speicherelement nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass die Umschaltschaltung dazu ausgebildet ist, die Schreibspannung in Abhängigkeit von einer Deaktivierung des Detektionssignals zu dem Speicherzellenfeld auszugeben.
Nichtflüchtiges Speicherelement nach Anspruch 27, weiterhin aufweisend: – einen ersten Spannungserzeuger (220), der dazu ausgebildet ist, durch den Steuerlogikblock gesteuert zu werden und eine erste Spannung zu erzeugen, die zu einer Zeile des Speicherzellenfelds zu liefern ist; und – einen zweiten Spannungserzeuger (230), der dazu ausgebildet ist, durch den Steuerlogikblock gesteuert zu werden und eine zweite Spannung zu erzeugen, die zu einer Spalte des Speicherzellenfelds zu liefern ist, – wobei der Steuerlogikblock dazu ausgebildet ist, den ersten Spannungserzeuger und den zweiten Spannungserzeuger dazu anzu steuern, aktive Zustände während der Ausführung der aufeinanderfolgenden Schreiboperationen zu halten.
Nichtflüchtiges Speicherelement nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuerlogikblock dazu ausgebildet ist, die Schreibspannung zu entladen, wenn eine Letzte der aufeinanderfolgenden Schreiboperationen beendet ist.
Nichtflüchtiges Speicherelement nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuerlogikblock weiterhin dazu ausgebildet ist, die Schreibspannung in Abhängigkeit von einer Detektion des Befehls zum Schreiben in die nächste Seite zu entladen.
Nichtflüchtiges Speicherelement nach einem der Ansprüche 17 bis 30, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuerlogikblock dazu ausgebildet ist, ein normales Schreibaktivierungssignal in Abhängigkeit von einer Eingabe eines Schreibbefehls ohne eine Eingabe des Signals, das die aufeinanderfolgenden Schreibbefehle anzeigt, zu aktivieren und dass der Spannungserzeuger dazu ausgebildet ist, die Schreibspannung während einer Aktivierung des normalen Schreibaktivierungssignals zu erzeugen.
Nichtflüchtiges Speicherelement nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuerlogikblock dazu ausgebildet ist, das normale Schreibaktivierungssignal zu deaktivieren, wenn eine Schreiboperation entsprechend dem Schreibbefehl beendet ist.
Nichtflüchtiges Speicherelement nach einem der Ansprüche 17 bis 32, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuerlogikblock dazu ausgebildet ist, einen Schreibbefehl sowie das Signal zum Anzeigen der aufeinanderfolgenden Schreibbefehle zu erzeugen und ein Schreibbeschleunigungsaktivierungssignal in Abhängigkeit von dem Signal zum Anzeigen der aufeinanderfolgenden Schreibbefehle zu erzeugen, und dass der Spannungserzeuger dazu ausgebildet ist, die Schreibspannung während einer Ausführung der aufeinanderfolgenden Schreiboperationen in Abhängigkeit von einer Aktivierung des Schreibbeschleunigungsaktivierungssignals auf dem vorbestimmten Spannungspegel zu halten.
Speicherkarte, aufweisend: – eine Prozessoreinheit (2000); – ein nichtflüchtiges Speicherelement (1000), insbesondere ein nichtflüchtiges Speicherelement nach einem der Ansprüche 15 bis 33, welches durch die Prozessoreinheit (2000) gesteuert ist; und – ein Register (5000), das dazu ausgebildet ist, ein Flagbit zu speichern, welches aufeinanderfolgende Schreiboperationen unter Steuerung der Prozessoreinheit (2000) anzeigt, – wobei das nichtflüchtige Speicherelement (1000) dazu ausgebildet ist, während einer Zeit zwischen einem Ausführen der aufeinanderfolgenden Schreiboperationen basierend auf dem in dem Register (5000) gesetzten Flagbit eine Schreibspannung auf einem vorbestimmten Spannungspegel zum Programmieren und/oder Löschen einer Speicherzelle des nichtflüchtigen Speicherelements (1000) zu halten.
Speicherkarte nach Anspruch 34, dadurch gekennzeichnet, dass die Prozessoreinheit dazu ausgebildet ist, das Flagbit des Registers auf einen aktiven Zustand in Abhängigkeit von einer Anforderung der aufeinanderfolgenden Schreiboperationen zu setzen.
Speicherkarte nach Anspruch 34 oder 35, dadurch gekennzeichnet, dass die Prozessoreinheit dazu ausgebildet ist, das Flagbit des Registers in einen inaktiven Zustand in Abhängigkeit von ei nem Ende der aufeinanderfolgenden Schreiboperationen zu setzen.