ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNG
Es
ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren
zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers bereitzustellen, das nicht
nur fähig
ist, Probleme zu lösen,
wie beispielsweise ein Verschmieren einer Klinge mit bzw. auf Grund
eines Klebefilms, ein Auftreten eines Grats, eine Beschädigung einer
Einrichtung durch einen Laser und ein Anhaften des Klebefilms an
der Einrichtung, sondern das auch leicht mit Einrichtungen, die
unterschiedliche Größen und
Formen aufweisen, oder einem sehr dünnen Klebefilm anwendbar ist,
wobei zusätzlich die
Kosten einer Anlage bzw. einer Vorrichtung reduziert werden.
Die
vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum Bearbeiten eines
Halbleiterwafers bereit, der auf einer vorderen Oberfläche desselben
mehrere durch Straßen
getrennte Einrichtungen aufweist, wobei das Verfahren umfasst:
Aufkleben
eines Klebefilms auf eine hintere Oberfläche des Halbleiterwafers,
Schneiden
des Halbleiterwafers entlang der Straßen, wobei Einrichtungsteile
hergestellt werden,
wobei der Klebefilm in eine Form und eine
Größe durch
einen Laserstrahl geschnitten wird, die identisch sind zu denen
der Straßen,
wobei
der Halbleiterwafer so positioniert wird, dass die Straßen mit
den Schnittlinien des Klebefilms zusammenfallen,
wobei der
Klebefilm auf den Halbleiterwafer geklebt wird.
Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird ein Klebefilm in die gleiche Form und die gleiche
Größe wie die
einer Straße
mittels eines Laserstrahls geschnitten. Dann werden der resultierende
Klebefilm und ein Halbleiterwafer haftend positioniert, bevor der
Halbleiterwafer entlang der Straßen in einzelne Einrichtungen
geschnitten wird. Auf diese Art kann die Einrichtung, an der jeweils
der Klebefilm anhaftet, hergestellt werden, indem nur der Halbleiterwafer
geschnitten bzw. geteilt wird, wobei jegliches Verschmieren einer
Klinge oder jegliches Auftreten eines Grates an dem Klebefilm verhindert
wird. Des Weiteren ist, da der Klebefilm mittels eines Lasers geschnitten
bzw. geteilt wird, die vorliegende Erfindung leicht auf Einrichtungen
anwendbar, die unterschiedliche Größen und Formen oder einen sehr
dünnen Klebefilm
aufweisen, mit dem damit verbundenen Vorteil, eine präzise Presse
oder ein präzises
Die nicht zu benötigen.
Die
vorliegende Erfindung stellt des Weiteren ein Verfahren zum Bearbeiten
eines Halbleiterwafers bereit, der auf einer vorderen Oberfläche desselben mehrere
durch Straßen
getrennte Einrichtungen und einen Schutzfilm aufweist, wobei das
Verfahren umfasst:
Schneiden des Halbleiterwafers entlang der
Straßen, wobei
Einrichtungsteile hergestellt werden,
Aufkleben eines Klebefilms
auf eine hintere Oberfläche
der Einrichtungsteile,
wobei der Klebefilm in eine Form und
eine Größe durch
einen Laserstrahl geschnitten wird, die zu der der Straßen identisch
sind,
wobei Einrichtungsteile so positioniert werden, dass Umrisse
derselben mit Schnittlinien des Klebefilms zusammenfallen,
wobei
der Klebefilm auf die Einrichtungsteile geklebt wird.
Gemäß der zweiten
Erfindung wird der Halbleiterwafer entlang der Straßen in einzelne
Einrichtungen geschnitten. Des Weiteren wird der Klebefilm vorher
in die gleiche Form und die gleiche Größe wie die der Straßen mittels
des Laserstrahls geschnitten. Dann werden der Klebefilm und die
einzelnen Einrichtungen haftend positioniert. Im Ergebnis kann die Einrichtung,
an der der Klebefilm einzeln anhaftet, hergestellt werden, indem
die Einrichtung von einem Schutzfilm abgelöst wird, wobei jede Unannehmlichkeit
vermieden wird, wie beispielsweise eine Beschädigung auf der Einrichtung,
die durch die Strahlung des Lasers durch Lücken hindurch, die in dem Stand der
Technik zwischen den Einrichtungen vorhanden sind, verursacht wird.
Des Weiteren ist, da der Klebefilm mittels des Lasers geschnitten
wird, die vorliegende Erfindung leicht auf die Einrichtungen anwendbar,
die unterschiedliche Größen und
Formen oder den sehr dünnen
Klebefilm aufweisen, mit dem damit verbundenen Vorteil, dass eine
präzise
Presse oder ein präzises
Die nicht benötigt
werden.
Gemäß einer
weiteren Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung wird ein Halbleiterwafer in einzelne
Einrichtungen geschnitten, bevor er auf einen Klebefilm mittels
eines beliebigen Verfahrens befestigt wird. Beispielsweise werden
Schlitze auf einer Vorderfläche
des Halbleiterwafers entlang von Straßen (durch Zerteilen, engl.
dicen) ausgebildet. Des Weiteren wird eine rückseitige Fläche zu einem
Zustand geschliffen, in dem ein Schutzfilm auf die Vorderfläche des
Halbleiterwafers geklebt wird. In diesem Zustand ist die rückseitige
Fläche
bis zu den Schlitzen runter geschliffen, so dass der Halbleiterwafer
in die einzelnen Einrichtungen geschnitten bzw. geteilt wird. Anderseits
kann ein Schutzfilm auf die Vorderfläche des Halbleiterwafers, der
von einer rückseitigen
Oberfläche
des Halbleiterwafers entlang von Straßen zu zerteilen ist, geklebt
werden. In diesem Fall wird der Halbleiterwafer in einzelne Einrichtungen
geschnitten, indem der Halbleiterwafer nach unten bis zum dem Schutzfilm
zerteilt wird.
Der
Klebefilm kann durch den Laser bis zur Hälfte geschnitten werden, um
dann nach der Ausbildung der einzelnen Einrichtungen geteilt zu
werden. Es ist bevorzugt, den Klebefilm vollständig zu zerschneiden, wobei
ein Schritt ausgelassen werden kann. Wenn beispielsweise ein Ablöseblatt,
das ein Klebemittel aufweist, auf die rückseitige Oberfläche des
Klebefilms geklebt wird, kann die ursprüngliche Form des Klebefilms
aufrecht erhalten werden, während
der Klebefilm vollständig
mittels des Lasers zerschnitten wird.
Andererseits
kann der Klebefilm zerschnitten werden, während er an einen Saugtisch
gesaugt wird, wobei dann in diesem Zustand ein Halbleiterwafer oder
eine Einrichtung auf den Klebefilm geklebt und die Anzahl an Schritten
auf ein Minimum reduziert wird. In diesem Fall ist es weiter bevorzugt,
dass der Saugtisch mit Heizmitteln versehen ist. Der Klebefilm ist
aus einem Material, wie beispielsweise einem thermoplastischen Harz,
hergestellt, das fähig ist,
beim Erhitzen Klebeeigenschaften aufzuweisen. Daher kann der Klebefilm
an den Halbleiterwafer oder die Einrichtung durch Erhitzen mittels
der Heizmittel geklebt werden. Im Übrigen kann ein Heizelement,
das als das Heizmittel dient, innerhalb des Saugtisches untergebracht
oder an der unteren Oberfläche
des Saugtisches angeordnet sein. Es ist notwendig, das Ablöseblatt
an dem Klebefilm zu befestigen, um jegliches Kleben des Klebefilms
an dem Saugtisch zu verhindern.
Die
vorliegende Erfindung ermöglicht
bei dem Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers nicht nur
die Kosten einer Anlage bzw. Vorrichtung zu reduzieren, ohne Unannehmlichkeiten
hervorzurufen, wie beispielsweise das Verschmieren der Klinge mit
bzw. auf Grund des Klebefilms, das Auftreten des Grates, die Beschädigung auf
der Einrichtung durch den Laser oder das Kleben des Klebefilms auf der
Einrichtung, sondern sie ermöglicht
auch, dass das Verfahren leicht mit Einrichtungen, die unterschiedliche
Größen und
Formen aufweisen, oder dem sehr dünnen Klebefilm anwendbar ist.
Kurze Erläuterung
der Zeichnungen
1 ist
eine schematische Ansicht eines Halbleiterwafers einer erfindungsgemäßen Ausführungsform.
2 ist
eine schematische Ansicht, die einen Zustand zeigt, in dem ein Klebefilm
in der erfindungsgemäßen Ausführungsform
geschnitten wird.
3 ist
eine schematische Ansicht, die einen Zustand zeigt, unmittelbar
bevor ein Halbleiterwafer mit dem Klebefilm in der erfindungsgemäßen Ausführungsform überdeckt
wird.
4A und 4B sind
Querschnitte, die einen Zustand zeigen, in dem ein Halbleiterwafer
mit dem Klebefilm in der erfindungsgemäßen Ausführungsform überlappt ist.
5 ist
eine Seitenansicht, die einen Zustand zeigt, in dem ein Halbleiterwafer
zu einem oberhalb des Klebefilms angeordneten Bereich transportiert
wird.
6 ist
eine Seitenansicht, die einen Zustand zeigt, in dem ein Halbleiterwafer
in dem oberhalb des Klebefilms angeordneten Bereich positioniert
ist.
7 ist
eine Draufsicht auf eine Vorrichtung zum Bearbeiten eines Halbleiters
gemäß der Ausführungsform
der Erfindung.
8 ist
eine schematische Ansicht der Vorrichtung zum Bearbeiten eines Halbleiters
gemäß der Ausführungsform
der Erfindung.
Detaillierte
Beschreibung der Erfindung
[1] Aufbau der Vorrichtung
zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers
Im
Folgenden wird eine erfindungsgemäße Ausführungsform unter Bezugnahme
auf die beigefügten
Zeichnungen beschrieben.
1 zeigt
einen scheibenförmigen
Halbleiterwafer, der in dieser Ausführungsform bearbeitet wird.
Auf einer Vorderfläche
eines Halbleiterwafers 2 sind eine Vielzahl von Einrichtungen 2a ausgebildet. Die
Einrichtungen 2a sind so konfiguriert, dass elektronische
Schaltungen in rechtwinkligen Bereichen gitterartig geteilt durch
Straßen 2b,
die als Schnittlinien dienen, ausgebildet sind. Des Weiteren ist
ein Schutzfilm 1 zum Schützen der Einrichtungen 2a auf die
Vorderfläche
des Halbleiterwafers 2 geklebt.
2 zeigt
einen Klebefilm. Der Klebefilm 4 und der Halbleiterwafer 2 weisen
die gleiche Form und die gleiche Größe auf. Auf der rückseitigen
Oberfläche
des Klebefilms 4 ist ein Ablöseblatt (nicht dargestellt)
durch ein Klebemittel geklebt. Die 7 und 8 zeigen
eine Vorrichtung zum Bearbeiten des Halbleiterwafers 2.
Zunächst
wird eine Vorrichtung zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers, die
in den 7 und 8 dargestellt ist, beschrieben.
In
den 7 und 8 bezeichnet das Bezugszeichen 11 eine
Kassette, in der die Vielzahl von Halbleiterwafern 2 in
einer vertikalen Anordnung enthalten ist. In der Kassette 11 ist
eine Vielzahl von Halterungen zum Halten der jeweiligen Halbleiterwafer ausgebildet.
Benachbart zu der Kassette 11 ist ein Lagerelement 13 angeordnet,
in dem die Klebefilme 4 übereinanderlagernd enthalten
sind. Des Weiteren ist ein Saugtisch 3 benachbart zu dem
Lagerelement 13 angeordnet. Der Saugtisch 3 weist
eine scheibenförmige
horizontale obere Oberfläche
auf und wird durch einen Drehantriebsmechanismus (nicht dargestellt)
um eine in einer vertikalen Richtung orientierte Rotationsachse
in den Uhrzeigersinn oder gegen den Uhrzeigersinn gedreht. Außerdem kann
der Saugtisch 3 in Vorwärts-Rückwärts-Richtungen, das heißt in 7 in
einer vertikalen Richtung, mittels eines Antriebsmechanismus (nicht
dargestellt) bewegt werden, um zwischen einem Schneidbereich A,
an dem der Klebefilm 4 geschnitten wird, und einem Klebebereich
B, an dem der Halbleiterwafer 2 auf den Klebefilm 4 geklebt
wird, hin- und herbewegt
zu werden. Die Bewegung in die Vorwärts-Rückwärts-Richtungen wird auch verwendet,
um während
einer Schneideoperation mittels eines Lasers, die unten beschrieben
wird, zu führen.
Ein Saugsystem des Saugtisches 3 ist eine bekannte Unterdruckspanneinrichtung
bzw. Unterdruckhalteeinrichtung (engl. vacuum chuck). An dem Saugtisch 3 ist
ein Saugloch ausgebildet, das den Saugtisch 3 von einer
Vorderfläche
zu einer rückseitigen
Oberfläche
durchsetzt und an dem ein Luftsauganschluss einer Unterdruckeinrichtung (nicht
dargestellt) befestigt ist. Wenn die Unterdruckeinrichtung aktiviert
wird, wird der Klebefilm 4 angepasst bzw. zur Verfügung gestellt,
um an den Saugtisch 3 gesaugt und auf diesem gehalten zu
werden.
Oberhalb
des Saugtisches 3 ist ein Laserkopf 6 angeordnet.
Der Laserkopf 6 ist so angepasst, dass ein Laser den Klebefilm 4 bestrahlt,
der in die Vorwärts-Rückwärts-Richtungen durch den Saugtisch 3 bewegt
wird. Außerdem
ist der Laserkopf 6 so konfiguriert, dass er frei in eine
seitliche Richtung bewegt werden kann, um sich entlang der Schnittlinie relativ
zu dem Klebefilm 4 zu bewegen. Zwischen dem Saugtisch 3 und
dem Lagerelement 13 ist ein Transportmechanismus 14 angeordnet,
der sich zwischen diesen zum Zuführen
des Klebefilms 4 zu dem Saugtisch 3 hin- und herbewegt.
Der Transportmechanismus 14 umfasst ein adsorbierendes
Element 14a, das in der vertikalen Richtung bewegbar ist.
Das adsorbierende Element 14a ist, wie der Saugtisch 3, eine
Unterdruckhalteeinrichtung. Das adsorbierende Element 14a adsorbiert
und hält
den Klebefilm 4, der in dem Lagerelement 13 gestapelt
ist, und platziert dann den Klebefilm 4 mittig auf dem
Saugtisch 3.
In
den 7 und 8 sind zwei Saugtische 3 in
Zuständen
gezeigt, in denen der Saugtisch 3 in beiden, dem Schneidbereich
A bzw. dem Klebebereich B, positioniert ist. Oberhalb des Saugtisches 3, der
in dem Klebebereich B positioniert ist, ist eine CCD-Kamera angeordnet.
Die CCD-Kamera 18 nimmt ein Foto des Klebefilms 4,
der auf dem Saugtisch 3 gehalten wird, auf. Dann wird das
fotografierte Bild mit Hilfe eines Steuerungsmittels, wie beispielsweise
eines Personalcomputers, analysiert.
Benachbart
zu dem Klebebereich B ist ein Positionierungstisch 16 angeordnet.
Der Positionierungstisch 16 wird durch einen Drehantriebsmechanismus
(nicht dargestellt) um eine vertikal orientierte Drehachse im Uhrzeigersinn
oder entgegen des Uhrzeigersinns gedreht. Der Positionierungstisch 16 ist eine
Unterdruckhalteeinrichtung, wie der Saugtisch 3, um den
darauf platzierten Halbleiterwafer 2 zu adsorbieren und
zu halten. Zwischen dem Klebebereich B und dem Positionierungstisch 16 ist
ein Transportmechanismus 9 angeordnet, der in die Vorwärts-Rückwärts-Richtungen
und eine seitliche Richtung bewegt werden kann und zwischen diesen
zum Platzieren des Halbleiterwafers 2 auf dem Klebefilm 4,
der auf dem Saugtisch 3 befestigt ist, hin- und herbewegt
wird. Der Transportmechanismus 9 umfasst ein adsorbierendes
Element 9a, das aus einem lichtdurchlässigen Material hergestellt
ist. Das adsorbierende Element 9a kann in die vertikale
Richtung bewegt werden. Das adsorbierende Element 9a ist,
wie der Saugtisch 3, eine Unterdruckhalteeinrichtung. Das
adsorbierende Element 9a adsorbiert und hält den Halbleiterwafer 2,
der auf dem Positionierungstisch 16 platziert ist, und
platziert ihn dann auf dem Klebefilm 4.
Oberhalb
des Positionierungstisches ist eine CCD-Kamera 17 zum Aufnehmen
eines Fotos von dem Halbleiterwafer 2 angeordnet. Zwischen
dem Positionierungstisch 16 und der Kassette 11 ist
ein Roboter 12 angeordnet. Der Roboter 12 ist
mit einer Halteeinrichtung 12a (engl. chuck) versehen.
Der Roboter 12 transportiert die Halbleiterwafer 2,
die in der Kassette 11 enthalten sind, einen nach dem anderen zu
und auf den Positionierungstisch 16.
[2] Erste Ausführungsform
Im
Folgenden werden Schritte zum Bearbeiten des Halbleiterwafers 2 beschrieben,
die von der Vorrichtung zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers mit
der oben beschriebenen Konfiguration durchgeführt werden. In einer ersten
Ausführungsform
wird die rückseitige
Oberfläche
des Halbleiterwafers bis zu einer vorbe stimmten Dicke geschliffen.
Der Klebefilm, der vorher geschnitten worden ist, wird auf die rückseitige
Oberfläche
des Halbleiterwafers geklebt, und nur der Halbleiterwafer wird geschnitten.
Als
Erstes wird der Schutzfilm 1 auf den Halbleiterwafer 2 mit
den darauf ausgebildeten Einrichtungen 2a geklebt, so dass
der Halbleiterwafer 2 mit dem Schutzfilm 1 bedeckt
ist. Dann wird die rückseitige
Oberfläche
bis zu einer vorbestimmten Dicke geschliffen. Dann kann ein Schritt
zum Beseitigen von Spannungen durch Ätzen oder Polieren durchgeführt werden,
um eine innere Spannung zu beseitigen, die auf dem Halbleiterwafer 2 durch
das Schleifen auftritt. Als Nächstes
wird der Halbleiterwafer 2 in die Kassette 11 gesetzt.
Dann wird die Kassette 11 an eine vorbestimmte Position
in der Vorrichtung zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers gesetzt.
In der Zwischenzeit werden die Klebefilme, die jeweils das Ablöseblatt
geklebt auf deren rückseitige
Oberfläche aufweisen,
in das Lagerelement 13 gesetzt, so dass sie übereinander
lagern, und dann wird das Lagerelement 13 an eine andere
vorbestimmte Position in der Vorrichtung zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers
gesetzt. Danach wird der Klebefilm 4 durch das adsorbierende
Element 14a des Transportmechanismus 14 angesaugt,
um dann auf den Saugtisch 3 transportiert zu werden, auf
dem der Klebefilm 4 mittig auf der Seite des Ablöseblattes
gesaugt und gehalten wird.
Danach
werden der Saugtisch 3 und der Laserkopf 6 jeweils
an vorbestimmten Schneidstartpositionen angeordnet. Der Saugtisch 3 wird
nach vorne und nach hinten bewegt, während der Laser auf den Klebefilm 4 strahlt,
wodurch der Klebefilm 4 geschnitten wird. Nachdem eine
Schneideoperation entlang einer Schneidelinie abgeschlossen ist,
wird der Laserkopf 6 nach rechts bewegt, um eine nächste Schneideoperation
entlang einer nächsten
Schneidelinie durchzuführen.
Auf diese Art wird die Schneideoperation entlang aller Schnittlinien
in die Vorwärts-Rückwärts-Richtungen
durchgeführt.
Danach wird der Saugtisch 3 um einen Winkel von 90° gedreht,
wobei dann die Schneideoperation entlang aller Schneidelinien auf
die gleiche Art, wie sie oben beschrieben ist, durchgeführt wird.
Auf diese Art wird der Klebefilm 3 in die gleiche Form
und Größe geschnitten
wie die Straßen 2b des
Halbleiterwafers 2.
Nachdem
die Schneideoperation für
den Klebefilm 4 abgeschlossen ist, wird der Saugtisch 3 zu dem
Klebebereich B bewegt. Der Klebefilm 4, der auf dem Saugtisch 3 platziert
ist, wird von der CCD-Kamera 18 fotografiert. In der Zwischenzeit
wird der Halbleiterwafer 2 auf dem Positionierungstisch 16 durch
den Roboter 12 platziert, um auf der oberen Oberfläche des
Positionierungstisches 16 gesaugt und gehalten zu werden.
Der Halbleiterwafer 2 wird von der CCD-Kamera 17 auch
fotografiert. Die Bilder, die von den CCD-Kameras 17 und 18 fotografiert worden
sind, werden analysiert, wobei eine relative Winkelfehlplatzierung
zwischen dem Klebefilm 4 und dem Halbleiterwafer 2 detektiert
wird. In diesem Fall, in dem eine Winkelfehlplatzierung zwischen
dem Klebefilm 4 und dem Halbleiterwafer 2 vorhanden
ist, wird die Fehlplatzierung durch Drehen des Saugtisches 3 oder
des Positionierungstisches 16 beseitigt.
Danach
wird der Halbleiterwafer 2 durch Absenken des adsorbierenden
Elementes 9a des Transportmechanismus 9 angesaugt,
wobei dann der Halbleiterwafer 2 zu einer Position oberhalb
des Klebefilms 4 transportiert wird, das heißt, zu einer
Position, an der die Umrandungen des Halbleiterwafers 2 und
des Klebefilms 4 miteinander überlappen, wie in 5 gezeigt.
Danach wird das adsorbierende Element 9a abgesenkt und,
unmittelbar bevor der Halbleiterwafer 2 den Klebefilm 4 berührt, angehalten,
so dass die Position des adsorbierenden Elementes 9a in
den Vorwärts-Rückwärts-Richtungen
und der seitlichen Richtung korrigiert wird, während ein Muster einer Schnittlinie 5 auf
dem Klebefilm 4, das von der CCD-Kamera 18 fotografiert
worden ist, mit der Straße 2b,
die auf dem Halbleiterwafer 2 ausgebildet ist und die von
der CCD-Kamera fotografiert worden ist, zu dieser Zeit verglichen
wird (siehe 6). Wenn das adsorbierende Element 9a an
einer korrekten Position angehalten worden ist, wird es abgesenkt, wobei
der Halbleiterwafer 2 gegen den Klebefilm 4 nach
unten gedrückt
wird. Zu diesem Zeitpunkt wird der Klebefilm 4 auf den
Halbleiterwafer 2 durch Erhitzen des Klebefilms 4 beispielsweise
durch das Heizelement oder ein ähnliches
Element, das in dem Saugtisch 3 integriert ist, geklebt.
Als
Nächstes
wird ein Dicing-Band bzw. Zerteilungsband 7 (engl. dicing
tape) auf die rückseitige Oberfläche (das
heißt
auf das Ablöseblatt)
des Klebefilms 4 geklebt (siehe 4A). Dann
wird der Schutzfilm 1 von der Oberfläche des Halbleiterwafers 2 abgelöst. In diesem
Zustand wird der Halbleiterwafer 2 in eine Dicing- Vorrichtung bzw.
Zerteilungsvorrichtung eingesetzt. Eine Dicing-Operation bzw. Zerteilungs-Operation
(engl. dicing operation) kann durch ein Schneiden mittels einer
Klinge oder durch einen Laser durchgeführt werden. Bei dieser Zerteilungs-Operation wird nur
der Halbleiterwafer 2 in einzelne Einrichtungen 2a zerschnitten,
wodurch ein jegliches Verkleben der Klinge durch den Klebefilm 4 oder
jegliches Auftreten eines Grats an dem Klebefilm verhindert wird.
Des Weiteren ist es, da der Klebefilm 4 durch den Laser
zerschnitten wird, möglich, die
Zerteilungs-Operation leicht auf Einrichtungen 2a, die
unterschiedliche Größen und
Formen aufweisen, oder einen sehr dünnen Klebefilm 4 anzuwenden.
Zudem ergibt sich der Vorteil, dass eine genaue Presse oder ein
genaues Die nicht benötigt
wird.
Wenn
die Zerteilungs-Operation abgeschlossen ist, sind die Einrichtungen 2a mittels
des Ablöseblattes
und der Zerteilungsband 7 miteinander verbunden. In diesem
Zustand wird der Halbleiterwafer 2 (das heißt die Einrichtung 2a)
zu einer Vorrichtung zum Befestigen eines Die transportiert. Die
Einrichtung 2a wird von einer Grenzfläche zwischen dem Ablöseblatt
und dem Klebefilm 4 durch ein Nachobendrängen von
der Seite der Zerteilungsband mit einer Nadel oder mit einem ähnlichen
Element abgelöst,
um dann auf ein Substrat oder ähnliches
gepackt zu werden.
[3] Zweite Ausführungsform
Im
Folgenden werden Schritte zum Bearbeiten des Halbleiterwafers 2 gemäß einer
zweiten erfindungsgemäßen Ausführungsform
beschrieben. In dieser zweiten Ausführungsform wird der Halbleiterwafer
vorher in einzelne Einrichtungen geteilt. Des Weiteren wird vorher
ein Klebefilm auf die rückseitige Oberfläche der
Einrichtung geklebt, so dass nur der Halbleiterwafer geschnitten
wird.
Als
Erstes werden Schlitze mit einer vorbestimmten Tiefe mittels eines
Bearbeitungsverfahrens, beispielsweise mittels eines Zerteilens
(engl. dicen), entlang der Straßen 2b ausgebildet,
die auf der vorderen Oberfläche
des Halbleiterwafers 2 ausgebildet sind, auf dem die Einrichtungen 2a ausgebildet
sind. Des Weiteren wird der Schutzfilm 1 auf die vordere Oberfläche geklebt.
Danach wird die rückseitige Oberfläche des
Halbleiterwafers 2 geschliffen. Wenn der Schlitz erscheint, während das
Schleifen voranschreitet, wird der Halbleiterwafer 2 in
die einzelnen Einrichtungen 2a geteilt, die durch den Schutzfilm 1 miteinander
verbunden sind, um zu verhindern, dass diese voneinander getrennt
werden. Der Einfachheit halber wird der Halbleiterwafer in dem oben
beschriebenen Zustand auch als der Halbleiterwafer 2 bezeichnet.
Wenn
eine Spannung auf den Schutzfilm 1 ausgeübt wird,
während
der Schutzfilm 1 auf den Halbleiterwafer 2 geklebt
wird, wird eine Die-Verschiebung signifikant, das heißt eine
Varianz eines Abstandes zwischen den Einrichtungen 2a,
wenn der Halbleiterwafer 2 in die einzelnen Einrichtungen 2a geteilt
wird. Daher sollte vermieden werden, dass ein Schutzfilm 1,
der von einer Rolle abgerollt wird, auf den Halbleiterwafer 2 geklebt
wird. Es ist erwünscht, dass
beispielsweise der Schutzfilm 1, der in die gleiche Form
und Größe wie der
Halbleiterwafer 2 geschnitten ist, in einem Vakuum bzw.
Unterdruckbereich ohne jegliche Ausübung einer Spannung auf den
Schutzfilm 1 auf den Halbleiter 2 geklebt wird. Außerdem weist
der Schutzfilms 1 als Material bevorzugt Harz auf, das
kaum kontrahiert ist, wie beispielsweise PET. Alternativ kann eine
Bearbeitung zum Beseitigen einer Spannung mittels Ätzen oder
Polieren durchgeführt
werden, um eine innere Spannung zu beseitigen, die durch das Schleifen
an der Einrichtung 2a auftritt.
Danach
wird der Halbleiterwafer 2, der in die einzelnen Einrichtungen 2a geteilt
ist, in das Innere der Kassette 11 eingesetzt, die an einer
vorbestimmten Position in die Vorrichtung zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers
gesetzt ist. Im Übrigen
kann zu diesem Zeitpunkt, da die einzelnen Einrichtungen 2a lediglich über den
Schutzfilm 1 miteinander verbunden sind, die Form des Halbleiterwafers 2 nicht
nur durch den Schutzfilm 1 aufrechterhalten werden. Daher sollte
die Kassette 11, in der der Halbleiterwafer 2 enthalten
ist, bevorzugt eine Ablageplatte zum Halten des Halbleiterwafers 2 einschließlich aller
Oberflächen
desselben aufweisen. Auf die gleiche Art sollte die Halteeinrichtung 12a des
Roboters 12 zum Transportieren des Halbleiterwafers 2 bevorzugt
ein adsorbierendes Element aufweisen, das im Wesentlichen die gesamte
Oberfläche
des Schutzfilmes 1 ansaugen kann.
In
der Zwischenzeit sind die Klebefilme 4, auf deren rückseitige
Oberfläche
jeweils das Ablöseblatt geklebt
ist, in dem Lagerelement 13 übereinanderlagernd enthalten,
wobei dann das Lagerelement 13 an eine andere vorbestimmte
Position in der Vorrichtung zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers
gesetzt wird. Danach wird der Klebefilm 4 durch das adsorbierende
Element 14a des Transportmechanismus 14 angesaugt,
um dann auf den Saugtisch 3 transportiert zu werden, auf
dem der Klebefilm 4 mit der Seite des Ablöseblattes
mittig auf dem Saugtisch 3 gesaugt und gehalten wird.
Danach
werden der Saugtisch 3 und der Laserkopf 6 jeweils
an vorbestimmten Schneidstartpositionen angeordnet. Der Saugtisch 3 wird
nach vorne oder nach hinten bewegt, wobei der Laser den Klebefilm 4 bestrahlt,
wodurch der Klebefilm 4 geschnitten wird. Nachdem eine
Schneideoperation entlang einer Schneidelinie abgeschlossen ist,
wird der Laserkopf 6 nach rechts bewegt, um eine nächste Schneideoperation
entlang einer nächsten
Schneidelinie durchzuführen.
Auf diese Art wird die Schneideoperation entlang jeder Schneidelinie
in den Vorwärts-Rückwärts-Richtungen durchgeführt. Danach wird
der Saugtisch 3 um einen Winkel von 90° gedreht, wobei dann die Schneideoperation
entlang jeder Schneidelinie auf die oben beschriebene Art durchgeführt wird.
Auf diese Art und Weise wird der Klebefilm 3 in die gleiche
Form und Größe geschnitten
wie der Umriss der Einrichtung 2a des Halbleiterwafers 2.
Nachdem
die Schneideoperation des Klebefilms 4 abgeschlossen ist,
wird der Saugtisch 3 zu dem Klebebereich B bewegt. Der
Klebefilm 4, der auf dem Saugtisch platziert wird, wird
von der CCD-Kamera 18 fotografiert. In der Zwischenzeit
wird der Halbleiterwafer 2 auf dem Positionierungstisch 16 durch
den Roboter 12 platziert, um auf der oberen Oberfläche des
Positionierungstisches 16 angesaugt und gehalten zu werden.
Der Halbleiterwafer 2 wird mittels der CCD-Kamera 17 auch
fotografiert. Die Bilder, die von den CCD-Kameras 17 und 18 fotografiert werden,
werden analysiert, wobei eine relative Winkelfehlplatzierung zwischen
dem Klebefilm 4 und dem Halbleiterwafer 2 detektiert
wird. Wenn eine Winkelfehlplatzierung zwischen dem Klebefilm 4 und dem
Halbleiterwafer 2 vorhanden ist, wird die Fehlplatzierung
beseitigt, indem der Saugtisch 3 oder der Positionierungstisch 16 bewegt
werden.
Danach
wird der Schutzfilm 1, der die Einrichtungen 2a verbindet,
angesaugt, indem das adsorbierende Element 9a des Transportmechanismus 9 herabgelassen
wird. Dann wird der Halbleiterwafer 2 zu einer Position
transportiert, die oberhalb des Klebefilms 4 angeordnet
ist, das heißt
zu einer Position, an der die Umrisse des Halbleiterwafers 2 und des
Klebefilms 4 einander überlagern,
wie in 5 dargestellt. Danach wir das adsorbierende Element 9a herabgelassen
und, unmittelbar bevor die Einrichtung 2a den Klebefilm 4 berührt, angehalten,
so dass die Position des adsorbierenden Elements 9a bezüglich der
Vorwärts-Rückwärts-Richtungen und der seitlichen
Richtungen korrigiert wird, in dem ein Muster einer Schnittlinie 5 auf
dem Klebefilm 4, der von der CCD-Kamera 18 fotografiert
worden ist, mit den Umrissen der Einrichtung 2a, die von
der CCD-Kamera fotografiert
worden ist, zu dieser Zeit verglichen wird (siehe 6).
Wenn das adsorbierende Element 9a an einer korrekten Position
angehalten wird, wird es herabgelassen, wobei die Einrichtung 2a gegen
den Klebefilm 4 niedergedrückt wird. Zu diesem Zeitpunkt
wird der Klebefilm 4 auf die Einrichtung 2a durch
Erhitzen des Klebefilms 4 mittels beispielsweise des Heizelementes
oder einem ähnlichen
Element, das in dem Saugtisch 3 integriert ist, geklebt.
Als
Nächstes
wird eine Zerteilungsband 7 auf die rückseitige Oberfläche (das
heißt
auf das Ablöseblatt)
des Klebefilms 4 geklebt (siehe 4B), und des
Weiteren wird der Schutzfilm 1 von der Oberfläche des
Halbleiterwafers 2 abgelöst. In diesem Zustand sind
die einzelnen Einrichtungen 2b miteinander über das
Ablöseblatt
und die Zerteilungsband 7 miteinander verbunden. In diesem
Zustand wird der Halbleiterwafer 2 (das heißt die Einrichtung 2a)
zu einer Vorrichtung zum Beseitigen eines Die transportiert. Die
Einrichtung 2a wird von einer Grenzfläche zwischen dem Ablöseblatt
und dem Klebefilm 4 durch Nachobendrängen von der Seite der Zerteilungsband mit
einer Nadel oder ähnlichem
abgelöst,
um auf einem Substrat oder ähnlichem
gepackt zu werden.
In
der oben beschriebenen zweiten Ausführungsform können die
Einrichtungen 2a, die einzeln auf dem Klebefilm 4 befestigt
sind, dadurch erzeugt werden, dass der Schutzfilm 1 von
den Einrichtungen 2a abgelöst wird, wobei das Problem
einer Beschädigung
auf der Einrichtung verursacht durch die Strahlung des Lasers durch
eine Lücke
zwischen den Einrichtungen hindurch vermieden wird. Eine derartige Beschädigung trat
in dem Stand der Technik auf. Des Weiteren ist die vorliegende Erfindung,
da der Klebefilm durch den Laser geschnitten wird, leicht auf Einrichtungen,
die unterschiedliche Größen und
Formen aufweisen, oder bei einem sehr dünnen Klebefilm anwendbar, mit
dem damit einhergehenden Vorteil, dass eine präzise Presse oder ein präzises Die
nicht benötigt
werden.