DE102006030264B4 - Verfahren zur Herstellung von Transistoren mit einem Kanal mit biaxialer Verformung, die durch Silizium/Germanium in der Gateelektrode hervorgerufen wird - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Transistoren mit einem Kanal mit biaxialer Verformung, die durch Silizium/Germanium in der Gateelektrode hervorgerufen wird Download PDF

Info

Publication number
DE102006030264B4
DE102006030264B4 DE102006030264A DE102006030264A DE102006030264B4 DE 102006030264 B4 DE102006030264 B4 DE 102006030264B4 DE 102006030264 A DE102006030264 A DE 102006030264A DE 102006030264 A DE102006030264 A DE 102006030264A DE 102006030264 B4 DE102006030264 B4 DE 102006030264B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
gate electrode
channel
transistors
drain
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE102006030264A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102006030264A1 (de
Inventor
Andreas Gehring
Ralf Van Bentum
Markus Lenski
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
GlobalFoundries Inc
Original Assignee
Advanced Micro Devices Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Micro Devices Inc filed Critical Advanced Micro Devices Inc
Priority to DE102006030264A priority Critical patent/DE102006030264B4/de
Priority to US11/674,713 priority patent/US7754555B2/en
Publication of DE102006030264A1 publication Critical patent/DE102006030264A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102006030264B4 publication Critical patent/DE102006030264B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/085Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
    • H01L27/088Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
    • H01L27/092Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232Field-effect technology
    • H01L21/8234MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/823412MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type with a particular manufacturing method of the channel structures, e.g. channel implants, halo or pocket implants, or channel materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232Field-effect technology
    • H01L21/8234MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/823437MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes
    • H01L21/82345MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes gate conductors with different gate conductor materials or different gate conductor implants, e.g. dual gate structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232Field-effect technology
    • H01L21/8234MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/8238Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
    • H01L21/823807Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS with a particular manufacturing method of the channel structures, e.g. channel implants, halo or pocket implants, or channel materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232Field-effect technology
    • H01L21/8234MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/8238Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
    • H01L21/823828Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes
    • H01L21/823842Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes gate conductors with different gate conductor materials or different gate conductor implants, e.g. dual gate structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66545Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET using a dummy, i.e. replacement gate in a process wherein at least a part of the final gate is self aligned to the dummy gate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66568Lateral single gate silicon transistors
    • H01L29/66636Lateral single gate silicon transistors with source or drain recessed by etching or first recessed by etching and then refilled
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • H01L29/78Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7842Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate means for exerting mechanical stress on the crystal lattice of the channel region, e.g. using a flexible substrate
    • H01L29/7845Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate means for exerting mechanical stress on the crystal lattice of the channel region, e.g. using a flexible substrate the means being a conductive material, e.g. silicided S/D or Gate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • H01L29/78Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7842Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate means for exerting mechanical stress on the crystal lattice of the channel region, e.g. using a flexible substrate
    • H01L29/7848Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate means for exerting mechanical stress on the crystal lattice of the channel region, e.g. using a flexible substrate the means being located in the source/drain region, e.g. SiGe source and drain
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/6653Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET using the removal of at least part of spacer, e.g. disposable spacer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

Verfahren mit:
Bilden einer ersten Vertiefung in einer Gateelektrode eines ersten Transistors und eines zweiten Transistors und einer zweiten Vertiefung in einem Drain- und Sourcegebiet des ersten Transistors in einem gemeinsamen Prozess, während ein Draingebiet und ein Sourcegebiet des zweiten Transistors maskiert sind; und
Bilden eines Silizium/Germanium-Materials in der ersten und der zweiten Vertiefung durch einen selektiven epitaktischen Wachstumsprozess.

Description

  • Im Allgemeinen betrifft die vorliegende Erfindung die Herstellung integrierter Schaltungen und betrifft insbesondere die Herstellung von Transistoren mit verformten Kanalgebieten, wobei verformungsinduzierende Quellen eingesetzt werden, etwa eine eingebettete verformte Schicht in den Drain- und Sourcegebieten, um damit die Ladungsträgerbeweglichkeit in dem Kanalgebiet eines MOS-Transistors zu erhöhen.
  • Die Herstellung integrierter Schaltungen erfordert das Ausbilden einer großen Anzahl an Transistorelementen auf einer vorgegebenen Chipfläche gemäß einer spezifizierten Schaltungsanordnung. Im Allgemeinen werden mehrere Prozesstechnologien gegenwärtig eingesetzt, wobei für komplexe Schaltungen, etwa Mikroprozessoren, Speicherchips und dergleichen die CMOS-Technologie gegenwärtig eine der vielversprechendsten Lösungen ist auf Grund der guten Eigenschaften im Hinblick auf die Arbeitsgeschwindigkeit und/der Leistungsaufnahme und/oder Kosteneffizienz. Während der Herstellung komplexer integrierter Schaltungen unter Anwendung der CMOS-Technologie werden Millionen Transistoren, d. h. n-Kanaltransistoren und p-Kanaltransistoren, auf einem Substrat hergestellt, das eine kristalline Halbleiterschicht aufweist. Ein MOS-Transistor enthält, unabhängig davon, ob ein n-Kanaltransistor oder ein p-Kanaltransistor betrachtet wird, sogenannte pn-Übergänge, die durch eine Grenzfläche stark dotierter Drain- und Source-Gebiete mit einem invers dotierten Kanalgebiet gebildet sind, das zwischen dem Daingebiet und dem Sourcegebiet angeordnet ist. Die Leitfähigkeit des Kanalgebiets, d. h. das Durchlassstromvermögen des leitenden Kanals, wird durch eine Gateelektrode gesteuert, die in der Nähe des Kanalgebiets ausgebildet und davon durch eine dünne isolierende Schicht getrennt ist. Die Leitfähigkeit des Kanalgebiets beim Erzeugen eines leitenden Kanals auf Grund des Anlegens eines geeigneten Steuerspannung an die Gateelektrode hängt von der Dotierstoffkonzentration, der Beweglichkeit der Majoritätsladungsträger und – für eine gegebene Ausdehnung des Kanalgebiets in der Transistorbreitenrichtung – von dem Abstand zwischen dem Sourcegebiet und dem Draingebiet ab, der auch als Kanallänge bezeichnet wird. Somit bestimmt in Verbindung mit der Fähigkeit, rasch einen leitenden Kanal unterhalb der isolierenden Schicht beim Anlegen der Steuerspannung an der Gateelektrode aufzubauen, die Gesamtleitfähigkeit des Kanalgebiets im Wesentlichen das Leistungsverhalten der MOS-Transistoren. Somit ist die Verringerung der Kanallänge – und damit verknüpft die Verringerung des Kanalwiderstands – ein wesentliches Entwurfskriterium, um eine Zunahme der Arbeitsgeschwindigkeit integrierter Schaltungen zu erreichen.
  • Die ständige Reduzierung der Transistorabmessungen zieht jedoch eine Reihe von damit verknüpften Problemen nach sich, etwa die geringere Steuerbarkeit des Kanals, was auch als Kurzkanaleffekt bezeichnet wird, und dergleichen, die es zu lösen gilt, um nicht in unerwünschter Weise die Vorteile aufzuheben, die durch das stete Verringern der Kanallänge von MOS-Transistoren erreicht werden. Da die ständige Verringerung der Größe der kritischen Abmessungen, d. h. der Gatelänge der Transistoren, die Anpassung und möglicherweise die Entwicklung neuer äußerst komplexer Prozessverfahren beispielsweise zum Kompensieren der Kurzkanaleffekte erfordert, wurde auch vorgeschlagen, die Kanalleitfähigkeit der Transistorelemente durch Verbessern der Ladungsträgerbeweglichkeit in dem Kanalgebiet für eine vorgegebene Kanallänge zu erhöhen, wodurch die Möglichkeit geschaffen wird, eine Leistungssteigerung zu erreichen, die vergleichbar mit dem Weitergehen zu einem künftigen Technologiestandard ist, wobei viele der Probleme vermieden oder zeitlich verzögert werden, die bei Prozessanpassungen, die mit der Größenreduzierung verknüpft sind, angetroffen werden. Des weiteren kann eine höhere Ladungsträgerbeweglichkeit auch andere Mechanismen kompensieren, die zum Reduzieren von Kurzkanaleffekten, etwa die Erhöhung der Dotierstoffkonzentrationen im Kanalgebiet, und dergleichen, erfordern.
  • Ein effizienter Mechanismus zum Erhöhen der Ladungsträgerbeweglichkeit ist die Modifizierung der Gitterstruktur in dem Kanalgebiet, indem beispielsweise eine Druckverspannung oder Zugverspannung in der Nähe des Kanalgebiets erzeugt wird, um damit eine entsprechende Verformung in dem Kanalgebiet zu erzeugen, die zu einer modifizierten Beweglichkeit für Elektronen bzw. Löcher führt. Beispielsweise kann für eine typische Transistorkonfiguration, d. h. mit einem Siliziumkristall mit einer (100) Oberflächenorientierung, in der die Kanallänge entlang der <110> Orientierung ausgerichtet ist, eine uniaxiale kompressive Verformung entlang der Kanallängenrichtung in dem Kanalgebiet die Beweglichkeit von Löchern erhöhen, wodurch die Möglichkeit geschaffen wird, die Leistungsfähigkeit von p-Transistoren zu verbessern. Andererseits kann das Erzeugen einer Zugverformung in dem Kanalgebiet eines n-Kanaltransistors die Elektronenbeweglichkeit erhöhen. Die Einführung einer Verspannungs- oder Verformungstechnologie in den Herstellungsablauf für integrierte Schaltungen ist ein äußerst vielversprechender Ansatz für künftige Bauteilgenerationen, da beispielsweise verformtes Silizium als eine „neue" Art an Halbleitermaterial betrachtet werden kann, die die Herstellung schneller und leistungsfähiger Halbleiterbauelemente ermöglicht, ohne dass teure Halbleitermaterialien erforderlich sind, während viele der gut etablierten Fertigungsverfahren weiterhin eingesetzt werden können.
  • Daher wird in einigen Lösungsansätzen die Löcherbeweglichkeit von PMOS-Transistoren verbessert, indem eine verformte Silizium/Germanium-Schicht in den Drain- und Sourcegebieten der Transistoren ausgebildet wird, wobei die kompressiv verformten Drain- und Source-Gebiete eine Verformung in dem benachbarten Siliziumkanalgebiet hervorrufen. Dazu werden entsprechende Seitenwandabstandshalter an der Gateelektrode ausgebildet, wie dies für die Definition der Silizium/Germanium-Gebiete erforderlich ist, während die Gateelektrode durch eine Deckschicht abgedeckt ist. In ähnlicher Weise werden die NMOS-Transistoren vollständig mittels einer Deckschicht abgedeckt. Anschließend werden die Gebiete der PMOS-Transistoren, die durch die Seitenwandabstandshalter freigelegt sind, selektiv vertieft, während die Gateelektrode und die NMOS-Transistoren maskiert sind. Danach wird eine stark dotierte Silizium/Germanium-Schicht in dem PMOS-Transistor durch epitaktische Wachstumsverfahren gebildet. Da die natürliche Gitterkonstante von Silizium/Germanium größer ist als jene von Silizium, wächst die epitaktisch gewachsene Silizium/Germanium-Schicht, die den Gitterabstand des Siliziums annimmt, unter kompressiver Verformung auf, die effizient in das Kanalgebiet übertragen wird, wodurch das Silizium darin im Wesentlichen entlang der Kanallängenrichtung kompressiv verformt wird. Dieses Integrationsschema führt zu einer deutlichen Leistungssteigerung der p-Kanaltransistoren.
  • Da die weitere Bauteilgrößenreduzierung weitere, die Leistung reduzierende Mechanismus zur Verringerung der Kurzkanaleffekte erfordern kann, etwa erhöhte Dotierstoffpegel in dem Kanalgebiet, Dielektrika mit großem ε in der Gateisolationsschicht und dergleichen, ist es jedoch äußerst wichtig, effiziente Verfahren zur Kompensierung oder Überkompensierung derartiger, der die Beweglichkeit beeinträchtigender Lösungsansätze zu kompensieren, indem die Ladungsträgerbeweglichkeit für p- und n-Kanaltransistoren effizient erhöht wird, indem verformungsinduzierende Mechanismen effizienter eingesetzt und/oder miteinander kombiniert werden, etwa verformtes Silizium/Germanium-Material, verformtes Silizium/Kohlenstoffmaterial, und dergleichen.
  • US 2005/0236668 A1 beschreibt ein Verfahren und Bauelemente, wobei in einer Gateelektrode eines p- und n-Kanaltransistors eine verspannungsinduzierende Si:C-Schicht bzw. eine SiGe-Schicht als nahezu einkristallines Material zusammen mit Silizium vorgesehen ist.
  • US 2005/0224798 A1 beschreibt einen p-Kanaltransistor mit Drain- und Sourcegebieten aus Silizium/Germanium, die in einer zugverformten Siliziumschicht ausgebildet sind, wobei die zugverformte Siliziumschicht auf einer Silizium/Germaniumschicht gebildet ist.
  • US 6165826 A zeigt einen Transistor und ein Verfahren zu dessen Herstellung, wobei sehr flache pn-Übergänge hergestellt werden, indem in einem p-Kanaltransistor flache Gräben benachbart zu der Gateelektrode geätzt werden und anschließend mit einem Halbleitermaterial, etwa Silizium/Germanium aufgefüllt und dabei auch überfüllt werden. Gleichzeitig wird auch eine entsprechende Vertiefung in der Gateelektrode aufgefüllt.
  • US 2005/0285187 A1 beschreibt Transistoren und Verfahren zu deren Herstellung, wobei diverse verformungsinduzierende Mechanismen eingesetzt werden, um eine gewünschte Verformung in den Kanalgebieten der jeweiligen Transistoren zu erhalten. U. a. wird eine verspannte Schicht über der Gateelektrode der Transistoren vorgesehen.
  • Mit Bezug zu den 1a bis 1f sei im Weiteren auf Beispiele verwiesen, wie sie in ähnlicher Form auch in US 6165826 A beschrieben sind, um einen allgemeinen Hintergrund der Erfindung darzustellen.
  • 1a zeigt schematisch eine Draufsicht eines Halbleiterbauelements 100 mit einem Transistor 150, der einen n-Kanaltransistor oder einen p-Kanaltransistor repräsentiert. In der in 1 gezeigten Ausführungsform repräsentiert der Transistor 150 einen p-Kanaltransistor, in welchem ein verformungsinduzierender Mechanismus, der durch ein verformtes Halbleitermaterial bereitgestellt wird, das in entsprechenden Drain- und Sourcegebieten 151 zu bilden ist, mit einer verspannten Gateelektrode 152 kombiniert wird. In dieser Fertigungsphase kann die Gateelektrode 152 an ihren Seitenwänden eine Seitenwandabstandshalterstruktur 153 aufweisen, die aus einem beliebigen geeigneten dielektrischen Material aufgebaut ist, um damit die Seitenwände der Gatelektrode 152 während nachfolgender Prozessschritte zuverlässig zu schützen, wie dies detaillierter später beschrieben ist. Des weiteren definieren die Drain- und Sourcegebiete 151 und die Gateelektrode 152 eine Längenrichtung, die im Wesentlichen der horizontalen Richtung in 1a entspricht, die auch als eine Längenrichtung eines Kanalgebiets betrachtet werden kann, das unter der Gateelektrode 152 angeordnet ist. In ähnlicher Weise ist eine Breitenrichtung senkrecht zu der Längenrichtung definiert.
  • 1b zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 100 in einer Querschnittsansicht. Das Bauelement 100 enthält ein Substrat 101, das ein beliebiges geeignetes Trägermaterial repräsentiert, um darauf eine geeignete im Wesentlichen kristalline Halbleiterschicht 103 zu bilden, etwa ein Material auf Siliziumbasis oder ein anderes geeignetes Halbleitermaterial. Beispielsweise repräsentiert die Halbleiterschicht 103 ein Material auf Siliziumbasis, d. h. ein kristallines Halbleitermaterial mit zumindest ungefähr 50 Atomprozent Silizium und mehr, wobei andere Komponenten, etwa Germanium, Kohlenstoff, Dotiermittel und dergleichen ebenfalls in der Halbleiterschicht 103 eingebaut sein können. In anderen anschaulichen Ausführungsformen ist eine vergrabene isolierende Schicht 102, die durch die gestrichelte Linie angedeutet ist, vorgesehen, zumindest an speziellen Bereichen des Substrats 101, um damit eine SOI-artige (Silizium-auf-Isolator) Konfiguration bereitzustellen. Die vergrabene isolierende Schicht 102, falls diese vorgesehen ist, ist aus einem geeigneten Material aufgebaut, etwa Siliziumdioxid, Siliziumnitrid, und dergleichen. Eine Gateisolationsschicht 154 ist auf der Halbleiterschicht 103 gebildet, um damit die Gateelektrode 152 von einem entsprechenden Kanalgebiet 155 zu trennen. Es sollte beachtet werden, dass in der in 1b gezeigten Fertigungsphase die Drain- und Sourcegebiete 151 und das Kanalgebiet 155 im Wesentlichen die gleiche Konfiguration im Hinblick auf darin vorgesehene Dotiermittel aufweisen können, so dass die Drain- und Sourcegebiete 151 Bereiche repräsentieren, in denen ein geeignetes Dotierstoffprofil noch herzustellen ist, um damit die erforderlichen pn-Übergänge mit dem Kanalgebiet 155 zu bilden. Folglich ist der Begriff „Drain- und Source-Gebiete" sowie „Kanalgebiet" so zu verstehen, dass entsprechende Bereiche beschrieben werden, in denen die entsprechenden Dotierstoffprofile herzustellen sind, unabhängig davon, ob diese Dotiermittel bereits eingeführt sind oder noch in die entsprechenden Bereiche einzubauen sind.
  • Das Halbleiterbauelement 100, wie es in den 1a und 1b gezeigt ist, kann auf der Grundlage der folgenden Prozesse hergestellt werden. Nach dem Bereitstellen des Substrats 101 mit der darauf ausgebildeten Halbleiterschicht 103 werden entsprechende Isolationsstrukturen (nicht gezeigt) beispielsweise in Form von flachen Grabenisolationen auf der Grundlage gut etablierter Verfahren hergestellt, wozu können Lithographie-, Ätz-, Abscheide- und Planarisierungstechniken gehören. Auf der Grundlage dieser entsprechenden Isolationsstrukturen werden die Abmessungen der entsprechenden Drain- und Sourcegebiete 151 innerhalb der Halbleiterschicht 103 definiert. Anschließend werden Dotierstoffprofile in der Halbleiterschicht 103 zum Einstellen spezieller Transistoreigenschaften, etwa der Art der Leitfähigkeit, der Schwellwertspannung, und dergleichen hergestellt. Nachfolgend werden die Gateisolationsschicht 154 und die Gateelektrode 152 durch Ausbilden eines entsprechenden isolierenden Materials mittels Oxidation und/oder Abscheidung gefolgt von der Abscheidung eines geeigneten Gateelektrodenmaterials mit einem nachfolgenden Strukturierungsprozess auf der Grundlage moderner Lithographie- und Ätzverfahren hergestellt. Anschließend wird die Seitenwandabstandshalterstruktur 153 gebildet, in dem beispielsweise ein geeignetes Material, etwa Siliziumnitrid, Siliziumdioxid, und dergleichen abgeschieden wird und die Materialschicht auf der Grundlage gut etablierter anisotroper Ätztechniken strukturiert wird, wobei eine Breite 153a der Abstandshalterstruktur 153 verwendet wird, um einen Abstand eines verformten Halbleitermaterials einzustellen, das in den Drain- und Sourcegebieten 151 in nachfolgenden Prozessschritten herzustellen ist. In anderen Prozessstrategien wird eine geeignete Ionenimplantationssequenz vor dem Bilden der Abstandshalterstruktur 153 ausgeführt, um damit entsprechende Erweiterungsgebiete in den Drain- und Sourcegebieten 151 auf der Grundlage geeignet gestalteter Versatzabstandshalter (nicht gezeigt) zu bilden. Nach der Herstellung der Abstandshalterstruktur 153, die in zuverlässiger Weise Seitenwände der Gateelektrode 152 abdeckt, kann eine entsprechende Deckschicht (nicht gezeigt) über den Transistorelementen, etwa n-Kanaltransistoren, wenn der Transistor 150 einen p-Kanaltransistor repräsentiert, gebildet werden, um die entsprechenden abgedeckten Transistorelemente vor einem Ätzprozess 104 zu schützen, der so gestaltet ist, das Material aus der Gateelektrode 152 selektiv zu der Abstandshalterstruktur 153 abgetragen wird. In der in 1b gezeigten anschaulichen Ausführungsform kann der Ätzprozess 104 auch Material aus den Drain- und Sourcegebieten 151 entfernen. Andere Prozessstrategien, in denen die Gateelektrode 152 selektiv vertieft wird, ohne dass im Wesentlichen Material aus den Drain- und Sourcegebieten 151 abgetragen wird, werden später mit Bezug zu den 2a bis 2e beschrieben. Der Ätzprozess 104 kann als ein isotroper Ätzprozess, als ein im Wesentlichen anisotroper Ätzprozess oder als ein Ätzprozess mit einem Zwischenmaß an Isotropie gestaltet sein, abhängig von den Bauteilerfordemissen. Wenn beispielsweise ein gewisses Maß an Unterätzung der Abstandshalterstruktur 153 gewünscht ist, können die entsprechenden Prozessparameter und Prozessgase des Ätzprozesses 104 auf der Grundlage gut etablierter Verfahren ausgewählt werden, um ein isotropes Verhalten zu erreichen. In noch weiteren anschaulichen Ausführungsformen kann der Ätzprozess zumindest teilweise einen nasschemischen Ätzschritt auf der Grundlage geeigneter Chemikalien enthalten. Beispielsweise können äußerst selektive Ätzprozesse für Silizium in Bezug auf Siliziumnitrid, Siliziumdioxid und dergleichen aus dem Stand der Technik eingesetzt werden.
  • 1c zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 100 nach dem Ende des Ätzprozesses 104. Folglich enthält der Transistor 150 eine erste Vertiefung 152r, die in der Gateelektrode 152 gebildet ist, und eine zweite Vertiefung 151r, die in den Drain- und Sourcgebieten 151 gebildet ist. Es sollte beachtet werden, dass eine entsprechende Tiefe der ersten und der zweiten Vertiefung 152r, 151r sich auf Grund der Unterschiede in der Kristallstruktur der Materialien der Gateelektrode 152 im Vergleich zu dem im Wesentlichen kristallinen Material der Drain- und Sourcegebiete 151 unterscheiden kann. Beispielsweise kann ein Polysiliziummaterial der Gateelektrode 152 eine geringfügig erhöhte Ätzrate während des Prozesses 154 im Vergleich zu dem Material der Drain- und Sourcegebiete 151 aufweisen. Danach können entsprechende Reinigungsprozesse ausgeführt werden, um Kontaminationsstoffe oder andere Reste aus dem vorhergehenden Ätzprozess zu entfernen, um damit die freigelegten Oberflächenbereiche der Gateelektrode 152 und der Drain- und Sourcegebiete 151 für einen selektiven epitaktischen Wachstumsprozess 150 vorzubereiten. Während des epitaktischen Wachstumsprozesses 105 wird ein geeignetes Halbleitermaterial auf den freiliegenden Oberflächenbereichen abgeschieden, wobei entsprechende Prozessparameter, etwa Temperatur, Druck, Vorstufen- und Trägergase, und dergleichen in geeigneter Weise so ausgewählt werden, dass die Anhaftung des Halbleitermaterials im Wesentlichen auf die freiliegenden Halbleiteroberflächen beschränkt wird, während eine merkliche Anhaftung von Material an den dielektrischen Bereichen, etwa der Abstandshalterstruktur 153 und anderen Deckschichten, unterdrückt ist. Wenn die Drain- und Sourcegebiete 151 und die Gateelektrode 152 im Wesentlichen aus Silizium aufgebaut sind, d. h. im Wesentlichen kristallines Silizium und Polysilizium, kann eine Silizium/Germanium-Mischung während des epitaktischen Wachstumsprozesses 105 abgeschieden werden, um ein entsprechend verformtes Halbleitermaterial in der Vertiefung 151r zu bilden, während das Silizium/Germanium- Material in der Vertiefung 152r, das auf dem Polysiliziummaterial gebildet wird, zu einem zugverspannten Material führt, das seine Zugverspannung auf das darunter liegende Polysiliziumaterial überträgt. In einigen Beispielen kann das Silizium/Germanium-Material zusätzlich als ein stark dotiertes Material abgeschieden werden, wodurch die erforderliche Dotierstoffkonzentration in den Drain- und Sourcegebieten 151 nach dem Auffüllen der Vertiefung 151r bereitgestellt wird. In anderen anschaulichen Ausführungsformen wird das Silizium/Germanium-Material als ein im Wesentlichen intrinsisches Material, d. h. ein nicht dotiertes Material, abgeschieden, wodurch die Steuerbarkeit des entsprechenden Wachstumsprozesses 105 verbessert wird, und die erforderliche Dotierstoffkonzentration in den Drain- und Sourcgebieten 151 sowie in der Gateelektrode 152 wird in einer späteren Fertigungsphase auf der Grundlage von Implantationsverfahren erhalten.
  • 1d zeigt schematisch eine perspektivische Ansicht des Halbleiterbauelements 100 nach dem Ende des epitaktischen Wachstumsprozesses 105. Somit enthält der Transistor 150 ein verformtes Halbleitermaterial 156 in den Drain- und Sourcegebieten 151, wobei das verformte Halbleitermaterial 156 eine im Wesentlichen uniaxiale kompressive Verformung in Bezug auf die lateralen Abmessungen, d. h. die Kanallänge- und Breitenrichtung bereitstellt, wobei die Verformung in der Kanallängenrichtung ausgerichtet ist, wie dies durch 156l angedeutet ist, da beide Gebiete 151 auf das Kanalgebiet 155 in der Längenrichtung „über" das Kanalgebiet 155 „hinweg" in einer überlagernden Weise „einwirken". In der Breitenrichtung und der Tiefenrichtung wird eine deutlich reduzierte Wirkung erreicht, da das verformte Material 156 lediglich „tangential" wirkt. Ferner ist ein verspanntes Silizium/Germanium-Material 157 über dem Polysiliziumaterial der Gateelektrode 152 gebildet und ruft eine entsprechende biaxiale Verformung in dem Kanalgebiet 155 hervor, so dass eine Verformungskomponente, die als 157w bezeichnet ist, in der Transistorbreitenrichtung erhalten wird. Eine entsprechende Verformungskomponente entlang der Längenrichtung (nicht gezeigt), die durch das verspannte Material 157 hervorgerufen wird, ist ebenso vorhanden, die jedoch effizient durch die entsprechende uniaxiale Verformung 156l überkompensiert wird. Somit wird für die Standardtransistorkonfiguration, in der die Längenrichtung entlang der <110> Orientierung ausgerichtet ist, eine deutliche Verbesserung des Transistorleistungsverhaltens des p-Kanaltransistors 150 erreicht, da beide Verformungskomponenten 156l, 157w zu einer entsprechenden Zunahme der Löcherbeweglichkeit führen.
  • 1e zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 100 in einer weiter fortgeschrittenen Herstellungsphase. In dieser Prozessstrategie wird die Abstandshalterstruktur 153 entfernt, beispielsweise auf der Grundlage gut etablierter äußerst selektiver Ätzrezepte, wobei dies beispielsweise zusammen mit der Entfernung der Deckschicht einhergeht, die andere Transistoren, etwa n-Kanaltransistoren, während der vorhergehenden Fertigungsprozesse abdeckt, und nachfolgend kann eine geeignete Versatzabstandshalterstruktur 106 auf der Grundlage gut etablierter Abstandshalterverfahren hergestellt werden. Auf der Grundlage der Versatzabstandshalter 106 kann ein weiterer Implantationsprozess 107 ausgeführt werden, um damit entsprechende Erweiterungsgebiete 158 in den Drain- und Sourcegebieten 151 zu definieren. Es sollte beachtet werden, dass die Versatzabstandshalterstruktur 106 vor dem Herstellen der entsprechenden Halbleitermaterialien 156 und 157 gebildet werden kann, um damit durch Implantation hervorgerufene Schäden in den epitaktisch aufgewachsenen Materialien 157 und 156 zu verringern. Nach der Ausbildung der Erweiterungsgebiete 158 und abhängig davon, ob die Materialien 156 und 157 mit hoch dotiertem Halbleitermaterial hergestellt sind, können weitere Implantationsprozesse ausgeführt werden, um das Dotierstoffprofil in den Drain- und Sourcegebieten 151 entsprechend den Bauteilerfordemissen zu bilden. Ferner kann ein geeignet gestalteter Ausheizprozess ausgeführt werden, um damit durch Implantation eingeführte Dotiermittel zu aktivieren und um auch durch Implantation hervorgerufene Gitterschäden zu rekristallisieren.
  • 1f zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 100 in einer weiter fortgeschrittenen Fertigungsphase. Eine weitere Seitenwandabstandshalterstruktur 108 kann benachbart zu der Gateelektrode 152 ausgebildet sein, wobei, wie zuvor erläutert ist, die Seitenwandabstandshalterstruktur 108 für eine weitere Implantationssequenz verwendet werden kann, wenn das Dotierstoffprofil in den Drain- und Sourcegebieten 151 auf der Grundlage eines Implantationsprozesses einzustellen ist. In anderen Varianten wird eine Abstandshalterstruktur 108 im Hinblick auf eine Abstandsbreite in Bezug auf die Erfordernisse für Metallsilizidgebiete 109 hergestellt, die in den Drain- und Sourcegebieten 151 und in der Gatelektrode 152 auszubilden sind. Die Abstandshalterstruktur 108 kann auf der Grundlage gut etablierter Verfahren abgestellt werden, die das Abscheiden eines Beschichtungsmaterials 110 und das Bilden eines geeigneten dielektrischen Materials darauf, etwa Siliziumnitrid, beinhalten, das dann mittels anisotroper Verfahren strukturiert wird, um die Abstandshalterstruktur 108 bereitzustellen. Danach wird ein geeigneter Silizidierungsprozess ausgeführt, um die Gebiete 109 bereitzustellen, wobei ein Abstand von dem Kanalgebiet 155 im Wesentlichen durch die Breite der Abstandshalterstruktur 108 definiert ist. Es wird ein geeignetes Zwischenschichtdielektrikumsmaterial über dem Transistor 150 gebildet, wobei in einigen Fällen das dielektrische Material eine verspannte Schicht aufweisen kann, um die Verformung in dem Kanalgebiet 155 weiter zu erhöhen, wie dies nachfolgend detaillierter beschrieben ist. Somit umfasst der Transistor 150 die Gateelektrode 152 mit einer biaxialen Zugverspannung, die eine entsprechende Verformung in dem Kanalgebiet 155 hervorruft, wodurch die Ladungsträgerbeweglichkeit von Löchern in p-Kanaltransistoren erhöht wird, insbesondere, wenn dies mit einer zusätzlichen verformungsinduzierenden Quelle kombiniert wird, etwa dem verformten Halbleitermaterial 156 in den Drain- und Sourcegebieten 151. In diesem Falle kann die Gesamtleistungsfähigkeit des Transistors 150 deutlich im Vergleich zu konventionellen Bauelemente, die beispielsweise ein verformtes Silizium/Germanium-Material als eine verformungsinduzierende Quelle enthalten, verbessert werden, wobei gemäß der vorliegenden Erfindung ein hohes Maß an Kompatibilität mit konventionellen Fertigungsverfahren erreicht wird. Des weiteren kann eine zusätzliche Steigerung des Leistungsvermögens erreicht werden, ohne zusätzlich zu der Prozesskomplexität beizutragen, da zusätzliche Prozessschritte im Vergleich zu einem Prozessablauf zur Herstellung des verformten Halbleitermaterials 156 in diesem Falle nicht notwendig sind. Es sollte jedoch beachtet werden, dass die Gateelektrode 152 mit der biaxialen Zugverspannung auch vorteilhafterweise in n-Kanaltransistoren eingesetzt werden kann, möglicherweise in Verbindung mit anderen verformungshervorrufenden Mechanismen, da in dem n-Kanaltransistor die Zugverformung entlang der Transistorbreitenrichtung und der Längenrichtung jeweils die Elektronenbeweglichkeit erhöhen, wodurch eine effiziente verformungsinduzierende Quelle bereitgestellt wird.
  • Angesichts der zuvor beschriebenen Situation besteht ein Bedarf für eine verbesserte Technik, die eine effiziente Zunahme der Leistungsfähigkeit von n-Kanaltransistoren und p-Kanaltransistoren ermöglicht, während eines oder mehrere der zuvor genannten Probleme vermieden oder zumindest in ihrer Auswirkung reduziert werden.
  • Im Allgemeinen richtet sich die vorliegende Erfindung an eine Technik zum Verbessern der Verformung in einem Kanalgebiet von Transistorelementen durch Vorsehen eines verspannten Materials in der Gateelektrode, um damit eine biaxiale Verformung in dem Kanalgebiet hervorzurufen. Folglich kann zusätzlich zu anderen verformungsinduzierenden Quellen, etwa verformten Halbleitermaterialien in den Drain- und Sourcegebieten, Verspannungsschichten, die über den Transistoren ausgebildet sind, und dergleichen, eine spezielle Art einer biaxialen Verspannung in der Gateelektrode zu einer deutlich erhöhten Leistungssteigerung entsprechender Transistorelemente beitragen. Beispielsweise wird in siliziumbasierten CMOS-Technologien häufig eine Standardkonfiguration eingesetzt, in der das siliziumbasierte Halbleitermaterial eine Oberflächenorientierung (100) aufweist, während die Längenrichtung der entsprechenden Kanalgebiete häufig entlang der <110> Orientierung angeordnet ist. in diesem Falle kann eine uniaxiale Zugverformung in dem Kanalgebiet entlang der Kanallängenrichtung deutlich die Elektronenbeweglichkeit verbessern, während eine uniaxiale Druckverformung die Löcherbeweglichkeit verbessern kann. Andererseits kann eine uniaxiale Verformung in der Kanalbreitenrichtung ebenso deutlich die Ladungsträgerbeweglichkeit beeinflussen, wobei für die oben beschriebene Konfiguration eine Zugverformung die Löcherbeweglichkeit sowie die Elektronenbeweglichkeit erhöhen kann, wodurch die Möglichkeit geschaffen wird, das Leistungsverhalten einer oder beider Transistorarten in einem CMOS-Bauelement deutlich zu verbessern.
  • Erfindungsgemäß wir die Aufgabe durch ein Verfahren gemäß dem Anspruch 1 gelöst.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Weitere Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind in den angefügten Patentansprüchen definiert und gehen deutlicher aus der folgenden detaillierten Beschreibung hervor, wenn diese mit Bezug zu den 3 und 4 studiert wird, während die 1 und 2 zum besseren Verständnis der Erfindung dienen, in denen:
  • 1a schematisch eine Draufsicht eines Transistors zeigt, der eine Gateelektrode aufweist, die eine biaxiale zugverformungshervorrufendes Material erhält;
  • 1b und 1c schematisch Querschittsansichten des Transistors aus 1a in weiter fortgeschrittenen Fertigungsphasen zeigen;
  • 1d schematisch eine perspektivische Ansicht eines Transistors mit einer biaxial verspannten Gateelektrode und einer zusätzlichen verformungsinduzierenden Quelle zeigt;
  • 1e bis 1f schematisch Querschnittsansichten des Transistors aus 1d in weiter fortgeschrittenen Fertigungsphasen zeigen;
  • 2a und 2b schematisch Querschnittsansichten eines Halbleiterbauelements mit unterschiedlichen Arten an Transistoren zeigen, die in einer weiteren Fertigungsphase eine biaxial verspannte Gateelektrode in Verbindung mit einer Verspannungsschicht erhalten;
  • 3a bis 3d schematisch Querschnittsansichten eines Halbleiterbauelements in einer weiter fortgeschrittenen Fertigungsphase gegenüber den 2a und 2b mit zwei Transistoren zeigen, wovon einer zusätzlich zu einer biaxial verspannten Gateelektrode ein verformtes Halbleitermaterial selektiv zu dem anderen Transistor gemäß anschaulicher Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung erhält; und
  • 4a bis 4d schematisch Querschnittsansichten eines Halbleiterbauelements mit zwei Transistorbauelementen zeigen, die biaxial verspannte Gateelektroden und unterschiedliche Arten eines verformtes Halbleitermaterials in den entsprechenden Drain- und Source-Gebieten gemäß noch anderer anschaulicher Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung erhalten.
  • Im Allgemeinen betrifft die vorliegende Erfindung eine Technik zur Verbesserung des Transistorleistungsvermögens, indem eine geeignete Verformung in entsprechenden Kanalgebieten von Transistorelementen hervorgerufen wird. Wie zuvor erläutert ist, werden eine Vielzahl von Prozesstechnologien eingesetzt, um eine geeignete Verformung, d. h. eine Zugverformung oder eine Druckverformung für ein geeignetes Verbessern der entsprechenden Ladungsträgerbeweglichkeit zu schaffen. In einigen Lösungsvorschlägen wird eine im Wesentlichen uniaxiale Verformung hervorgerufen, beispielsweise indem ein geeignetes verformtes Halbleitermaterial, etwa Silizium/Germanium eingebaut wird, um damit die Löcherbeweglichkeit von p-Kanaltransistoren zu erhöhen.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Gateelektrode als eine verformungshervorrufende Quelle für verschiedene Transistoren benutzt, wobei zumindest einer der Transistoren ein verformtes Halbleitermaterial gemeinsam mit einem Silizium/Germaniummaterial der Gateelektroden erhält, wodurch eine biaxiale Verformung in dem darunter liegenden Kanalgebiet bereitgestellt wird, die, wenn sie geeignet an die entsprechende kristallographische Konfiguration des Kanalgebiets angepasst ist, für den gewünschten Zuwachs an Ladungsträgerbeweglichkeit sorgen kann. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein entsprechend verspanntes Material in der Gateelektrode und den Drain- und Sorucegebieten eines Transistors bei Maskierung der Drain- und Sourcegebiete eines zweiten Transistors gebildet, indem zunächst eine geeignete Vertiefung in den nicht maskierten Drain- und Sourcegebieten und den Gateelektroden hergestellt wird und diese nachfolgend mit dem verspannten leitenden Material gefüllt wird, wobei dieses in Form eines Silizium/Germanium-Materials bereitgestellt wird, das über einem siliziumbasierten Material hergestellt wird.
  • In einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine standardmäßige Kristallkonfiguration des kristallinen Basishalbleitermaterials benutzt, in der eine Oberflächenorientierung (100) verwendet wird, wobei Transistoren typischerweise so ausgebildet werden, dass die Kanallängenrichtung im Wesentlichen zu der <110> Orientierung ausgerichtet ist. In diesem Falle kann eine Zugverformungskomponente entlang der Kanalbreitenrichtung die Ladungsträgerbeweglichkeit von Elektronen und Löchern erhöhen, während eine Zugverformungskomponente entlang der Kanallängenrichtung die Beweglichkeit von Elektronen erhöht, wohingegen eine kompressive Verformungskomponente entlang der Kanallängenrichtung die Löcherbeweglichkeit erhöht. Durch Verwenden der Gateelektrode als eine Quelle einer biaxialen Verspannung kann somit eine deutliche Verbesserung der Leistungsfähigkeit erreicht werden, indem die verspannte Gateelektrode geeignet mit einer oder mehreren zusätzlichen verformungsinduzierenden Quellen in dem Transistorelement kombiniert wird. Es sollte beachtet werden, dass das Ersetzen eines Teils des Gateelektrodenmaterials durch ein geeignetes verspanntes leitendes Material in effizienter Weise auf eine spezielle kristalline Konfiguration des Basismaterials angepasst werden kann, um damit die gewünschte Leistungsverbesserung zu erreichen. Daher sollte die vorliegende Erfindung nicht als auf eine spezielle kristallographische Orientierung oder spezifizierte Halbleitermaterialien eingeschränkt gesehen werden, sofern derartige Einschränkungen nicht speziell in der Beschreibung oder in den angefügten Patentansprüchen aufgeführt sind.
  • Mit Bezug zu den 3 und 4 werden weitere Ausführungsbeispiele beschrieben, wobei in den 2a und 2b Fertigungsschritte zur Erzeugung der Transistoren gezeigt sind.
  • Mit Bezug zu den 2a und 2b und 3 und 4 werden nunmehr weitere Ausführungsformen detaillierter beschrieben, in denen eine biaxial verspannte Gateelektrode in einem oder mehreren Transistorarten hergestellt werden, ohne dass entsprechende Vertiefungen in den Drain- und Sourcegebieten gebildet werden, so dass der verformungsinduzierende Mechanismus, der durch die verspannte Gateelektrode bereitgestellt wird, mit anderen verformungsinduzierenden Quellen kombiniert oder auch nicht kombiniert werden kann, ohne dass ein selektives epitaktisches Aufwachsen in den Drain- und Sourcegebieten erforderlich ist.
  • 2a zeigt schematisch eine Querschnittsansicht eines Halbleiterbauelements 200 mit einem ersten Transistor 250 und einem zweiten Transistor 260. Der erste und der zweite Transistor 250 und 260 sind in und auf entsprechenden Bereichen einer Halbleiterschicht 203 gebildet, die wiederum über einem Substrat 201 angeordnet ist. Im Hinblick auf das Substrat 210 und die Halbleiterschicht 203 gelten die gleichen Kriterien, wie sie zuvor für die Komponenten 101 und 103 erläutert sind. Des weiteren sollte beachtet werden, dass einer oder beide Transistoren 250, 260 SOI-artige Transistoren repräsentieren können, wobei entsprechende vergrabene isolierende Schichten (nicht gezeigt) vorgesehen sind, wie dies zuvor auch mit Bezug zu dem Bauelement 100 erläutert ist. Des weiteren besitzen die Transistoren 250, 260 entsprechende Gateelektroden 252, 262, die auf entsprechenden Gateisolationsschichten 254, 264 ausgebildet sind. Des weiteren sind entsprechende Abstandshalter 253, 263 an den entsprechenden Seitenwänden der Gateelektroden 252, 262 gebildet. In ähnlicher Weise sind entsprechende Drain- und Sourcegebiete 251, 261, die die entsprechenden Kanalgebiete 255, 265 einschließen, vorgesehen. Es sollte beachtet werden, dass die Transistoren 250, 260 Transistoren der gleichen Leitfähigkeitsart jedoch mit einer unterschiedlichen Konfiguration im Hinblick auf ein oder mehrere Entwurfserfordernisse, etwa eine Dicke der entsprechenden Gateisolationsschichten 254, 264, der Gatelänge, der Transistorbreite, und dergleichen repräsentieren können. In anderen anschaulichen Ausführungsformen repräsentieren die Transistoren 250, 260 Transistoren unterschiedlicher Leitfähigkeitsart. Beispielsweise repräsentiert der Transistor 250 einen p-Kanaltransistor, während der Transistor 260 einen n-Kanaltransistor darstellt. In diesem Falle besitzen die entsprechenden Drain- und Source-Gebiete 251, 261 und die Kanalgebiete 255, 265 darin ausgebildet unterschiedliche Arten an Dotiermittel oder diese sind noch darin zu bilden, gemäß gut etablierter CMOS-Verfahren. Hinsichtlich der diversen Komponenten der Transistoren 250, 260, die bislang beschrieben sind, gelten die gleichen Kriterien, wie sie zuvor mit Bezug zu dem Bauelement 200 erläutert sind. Des weiteren weist das Bauelement 200 eine Maskenschicht 211 auf, die über dem ersten und dem zweiten Transistor 250, 260 ausgebildet ist, wobei die Schicht 211 aus einem beliebigen geeigneten Material, etwa Siliziumdioxid, Siliziumnitrid, und dergleichen hergestellt sein kann. Des weiteren ist eine Füllschicht 212, die aus einem beliebigen geeigneten Material aufgebaut ist, etwa einem Lackmaterial, einem Polymermaterial, und dergleichen, in dem Bauelement 200 so gebildet, dass eine im Wesentlichen ebene Oberflächentopographie für das Bauelement 200 geschaffen wird.
  • Das Halbleiterbauelement 200, wie es in 2a gezeigt ist, kann auf der Grundlage der folgenden Prozesse hergestellt werden. Die Transistoren 250, 260 können durch Prozessverfahren hergestellt werden, wie sie zuvor mit Bezug zu dem Transistor 150 beschrieben sind, wobei zu beachten ist, dass jedoch unterschiedlichen Implantationsverfahren und dergleichen eingesetzt werden, um Unterschiede im Hinblick auf die Leitfähigkeitsart zu berücksichtigen, wenn ein n-Kanaltransistor und ein p-Kanaltransistor betrachtet werden. Entsprechende Unterschiede bei der Bereitstellung der geeigneten Dotiermittel innerhalb der Kanalgebiete 255, 265 sind im Stand der Technik gut bekannt. Folglich wird nach der Herstellung der Gateelektroden 252, 262 und der Abstandshalterstrukturen 253, 263 die Maskenschicht 211 durch eine beliebige geeignete Abscheidetechnik, etwa plasmagestützte CVD (chemische Dampfabscheidung), thermische CVD, Oxidation, wenn die Maskenschicht 211 in Form eines Oxidmaterials bereitgestellt wird, und dergleichen hergestellt. Danach wird die Füllschicht 212 in einer äußerst nicht konformen Abscheidetechnik, etwa Aufschleuderverfahren, CVD-Verfahren auf der Grundlage geeignet eingestellter Prozessparameter und dergleichen gebildet. Z. B. wird die Füllschicht 212 als ein Lackmaterial oder ein Polymermaterial vorgesehen, das in einem Zustand mit geringer Viskosität durch Aufschleuderverfahren aufgebracht wird. Bei Bedarf kann ein weiterer Einebnungsschritt ausgeführt werden, beispielsweise durch chemisch-mechanisches Polieren, wodurch auch ein Oberflächenbereich 211s der Maskenschicht 211 freigelegt werden kann. In anderen Fällen wird ein entsprechendes Abtragen von überschüssigem Material der Füllschicht 212 mittels geeignet gestalteter Ätzprozesse ausgeführt. Z. B. wird das Abtragen eines überschüssigen Materials der Schicht 212 fortgesetzt, bis die entsprechenden Gateelektroden 252 und 262 freigelegt sind, was auf der Grundlage von CMP, Ätzen, und dergleichen bewerkstelligt werden kann. Nach dem Freilegen der Oberflächenbereichen 211s kann auch ein geeignet gestalteter Ätzprozess ausgeführt werden, um selektiv Material der Maskenschicht 211 in Bezug auf die darunter liegende Gateelektrode 252, 262 zu ätzen.
  • 2b zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 200 nach der zuvor beschriebenen Prozesssequenz. Somit sind entsprechende Oberflächenbereiche 252s, 262s der Gateelektroden 252, 262 freigelegt.
  • Mit Bezug zu den 3a bis 3d und 4a bis 4d werden anschauliche Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung detaillierter beschrieben, in denen eine verspannte Gateelektrode in unterschiedlichen Transistorarten effizient mit der Herstellung verformten Halbleitermaterials in zumindest einer der unterschiedlichen Transistorarten kombiniert wird.
  • 3a zeigt schematisch ein Halbleiterbauelement 300, das eine ähnliche Konfiguration wie das Bauelement 200 aufweisen kann, das in 2b gezeigt ist. Folglich enthalten Transistoren 350, 360 entsprechende Gateelektroden 352, 362, die über entsprechenden Gateisolationsschichten 354, 364 ausgebildet sind. Des weiteren sind entsprechende Abstandshalter 353, 363 an Seitenwänden der Gateelektroden 352, 362 gebildet. Ferner ist eine Maskenschicht 311 über den Transistoren 350, 360 gebildet, während eine Füllschicht 312 so ausgebildet ist, dass eine im Wesentlichen ebene Oberflächenkonfiguration erhalten wird. Des weiteren sind in dieser Fertigungsphase entsprechende Oberflächenbereiche 352s, 362s der Gateelektroden 352, 362 freigelegt.
  • Die Transistoren 350, 360, wie sie bislang beschrieben sind, können auf der Grundlage der Prozesse hergestellt werden, wie sie zuvor mit Bezug zu den 2a und 2b beschrieben sind, wenn auf das Halbleiterbauelement 200 verwiesen wird. Nach dem Freilegen der entsprechenden Oberflächenbereiche 352s, 362s wird eine entsprechende Ätzmaske 313, die beispielsweise aus Photolack oder dergleichen aufgebaut ist, so gebildet, dass der Transistor 350 freiliegt, während der Transistor 360 abgedeckt ist. Des weiteren wird das Bauelement 300 einem Ätzprozess 314 unterzogen, während welchem der freigelegte Bereich der Füllschicht 312 und der Maskenschicht 311 selektiv entfernt wird in Bezug auf die Materialien der Gateelektrode 352 und der Abstandshalter 353. Beispielsweise kann das Füllmaterial 312 aus einem geeigneten Polymermaterial, einem Lackmaterial, und dergleichen aufgebaut sein, das auf der Grundlage geeignet ausgewählter Ätzrezepte entfernt werden kann. Nach dem Freilegen der Maskenschicht 311 wird der Ätzprozess 314 so gestaltet, dass die Schicht 311 selektiv abgetragen wird.
  • Beispielsweise sind gut selektive Ätzrezepte für Siliziumdioxid bei Vorhandensein von Silizium und Siliziumnitrid im Stand der Technik bekannt. Danach wird die Ätzmaske 313 abgetragen, beispielsweise auf der Grundlage von sauerstoffbasierten Plasmabehandlungen, und dergleichen.
  • 3b zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 300 nach dem Ende der zuvor beschriebenen Prozesssequenz und während eines Ätzprozesses 304, der so gestaltet ist, dass selektiv Material von den Gateelektroden 352, 362 und von den Drain- und Sourcegebieten 351 des Transistors 350 abgetragen wird. Während des Ätzprozesses 304 sind die entsprechenden Drain- und Sourcegebiete 361 des Transistors 360 durch die Füllschicht 312 und die Maskenschicht 311 abgedeckt.
  • 3c zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 300 nach dem Ende des Ätzprozesses 304. Somit sind eine Vertiefung 352r und eine Vertiefung 351r in der Gateelektrode 352 und in den Drain- und Sourcegebieten 351 des Transistors 350 gebildet, wohingegen eine Vertiefung 362r in der Gateelektrode 362 des Transistors 360 hergestellt ist. Als nächstes werden Reste des Füllmaterials 312 zusammen mit anderen Resten entfernt, wodurch das Bauelement 300 für einen nachfolgenden epitaktischen Wachstumsprozess vorbereitet wird.
  • 3d zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 300 mit entsprechend verspannten Halbleitermaterialien 357 und 367 in den entsprechenden Gateelektroden 352, 362, während ein entsprechendes verformtes Halbleitermaterial 356, etwa Silizium/Germanium, in den Drain- und Sourcegebieten 351 des Transistors 350 ausgebildet ist. Folglich kann eine biaxiale Verformung mit einer Zugkomponente in der Transistorbreitenrichtung und einer kompressiven Komponente in der Transistorlängenrichtung in dem Transistor 350 bereitgestellt werden, wodurch die Löcherbeweglichkeit deutlich verbessert wird, während eine biaxiale Zugverformung in dem Transistor 360 hervorgerufen wird, wodurch die Elektronenbeweglichkeit verbessert wird. Die weitere Bearbeitung kann auf der Grundlage von Prozessstrategien fortgesetzt werden, wie sie zuvor beschrieben sind, wobei abhängig von den Erfordernissen zusätzliche dielektrische Spannungsschichten, etwa die Schichten 259, 269, in geeigneter Weise für das Halbleiterbauelement 300 vorgesehen werden können.
  • 4a zeigt schematisch ein Halbleiterbauelement 400 mit einem ersten Transistor 450 und einem zweiten Transistor 460, die entsprechende Gateelektroden 452, 462 aufweisen, an deren Seitenwänden entsprechende Abstandshalter 453, 463 ausgebildet sind. In Bezug auf diese Komponenten sowie andere Komponenten, etwa Drain- und Sourcegebieten, Gateisolationsschichten, und dergleichen, gelten die gleichen Kriterien, wie sie zuvor mit Bezug zu den Bauelementen 100, 200 und 300 erläutert sind. Ferner ist eine Implantationsmaske 413 so gebildet, dass der Transistor 450 abgedeckt ist, während der Transistor 460 freiliegt. Die Implantationsmaske 413 kann aus einem beliebigen geeigneten Material, etwa Photolack, und dergleichen aufgebaut sein. Des weiteren unterliegt das Bauelement 400 einer Prozesssequenz 414 zum Einführen von Kohlenstoffmaterial in Drain- und Sourcegebiete 461 des Transistors 460. In einer anschaulichen Ausführungsform umfasst die Prozesssequenz 414 eine Amorphisierungsimplantation, beispielsweise auf der Grundlage von Silizium, um einen im Wesentlichen amorphisierten Bereich in den Drain- und Sourcegebieten 461 zu schaffen. Danach kann die Sequenz 414 einen geeignet konfigurierten Implantationsprozess beinhalten, um eine gewünschte Konzentration an Kohlenstoffatome in den zuvor amorphisierten Bereich einzuführen, wobei beispielsweise eine Implantationsdosis von ungefähr 5 × 1015 bis 5 × 1016 Ionen/cm2 geeignet ist, um eine Konzentration von ungefähr 1,5 bis 4,0 Atomprozent Kohlenstoff einzubauen. Folglich können entsprechende kohlenstoffenthaltende Gebiete 461c in den Drain- und Sourcegebieten 461 hergestellt werden, wobei zu beachten ist, dass ein entsprechendes kohlenstoffenthaltendes Gebiet 462c auch in der Gateelektrode 462 gebildet wird.
  • 4b zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 400 nach dem Entfernen der Implantationsmaske 413 und während eines modernen Ausheizprozesses 415, der lasergestützte oder blitzlichtgestützte Ausheizverfahren umfassen kann. Während der blitzlichtgestützten oder lasergestützten Ausheizprozesse wird ein beschränkter Bereich des Bauelements 400 oder des gesamten Bauelements 400 einer Strahlung für eine extrem kurze Zeitdauer ausgesetzt, in der ausreichend Energie abgeschieden wird, um die Rekristallisierung und Aktivierung von Kohlenstoffatomen zu initiieren, während im Wesentlichen ein Diffundieren von Dotierstoffgattungen, die in dem betrachteten Bauteilbereich eingebaut sind, unterdrückt oder im Wesentlichen vermieden wird. Folglich können die kohlenstoffenthaltenden Gebiete 461c, 462c in effizienter Weise in kristallines bzw. polykristallines Material umgewandelt werden, während Dotierstoffprofile, die zuvor in dem Halbleiterbauelement 400 geschaffen wurden, im Wesentlichen beibehalten werden. Danach kann die weitere Bearbeitung fortgesetzt werden, wie dies beispielsweise mit Bezug zu dem Bauelement 300 beschrieben ist, in denen entsprechende Vertiefungen gemeinsam in den Gateelektroden und in einem der Transistor-Drain- und Sourcebereiche des Bauelements 300 hergestellt werden.
  • 4c zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 400, wobei der Transistor 450 einem Ätzprozess 404 unterliegt, während der zweite Transistor 460 lediglich mit seiner Gateelektrode 462 freigelegt ist, d. h. dem kohlenstoffenthaltenden Gebiet 462c. Zu diesem Zweck wird eine entsprechende Maskenschicht 411, die beispielsweise als Siliziumdioxid und dergleichen aufgebaut ist, und eine Füllschicht 412 selektiv in dem zweiten Transistor 460 hergestellt, um damit zuverlässig die kohlenstoffenthaltenden Gebiete 461c in den Drain- und Sourcegebietend 461 abzudecken, wie dies zuvor für das Bauelement 200 beschrieben ist.
  • 4d zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 400 nach dem Ende des Ätzprozesses 404. Folglich weist das Bauelement 400 entsprechende Vertiefungen 452r und 451r in der Gateelektrode und in den Drain- und Sourcegebieten des Transistors 450 auf, während eine Vertiefung 462r in der Gateelektrode 462 gebildet ist, wobei die kohlenstoffenthaltenden Gebiete 461c beibehalten werden. In einigen anschaulichen Ausführungsformen kann die zuvor ausgeführte Prozesssequenz 414 in Verbindung mit dem Ätzprozess 404 so gestaltet sein, dass zumindest ein wesentlicher Anteil des kohlenstoffenthaltenden Gebiets 462c entfernt wird, so dass ein gewünschter Betrag an Zugverspannung in der verbleibenden Vertiefung 462r in einem nachfolgenden epitaktischen Wachstumsprozess erzeugt werden kann. In einigen anschaulichen Ausführungsformen werden entsprechende Sollwerte für Prozessparameter so ausgewählt, dass im Wesentlichen das gesamte kohlenstoffenthaltende Gebiet 462c während des Ätzprozesses 404 entfernt wird. Danach werden die Maskenschicht 411 und Reste der Füllschicht 412 entfernt und anschließend wird ein selektiver epitaktischer Wachstumsprozess ausgeführt, wie dies zuvor beschrieben ist. Folglich wird ein verformtes Silizium/Germanium-Material in der Vertiefung 451r gebildet, wodurch für eine gewünschte uniaxiale kompressive Verformung in dem Transistor 450 gesorgt wird, wenn dieser einen p-Kanaltransistor repräsentiert, während ein verspanntes Silizium/Germanium-Material in den Vertiefungen 452r, 462r gebildet wird, wodurch eine biaxiale Verformung in den Transistoren 450, 460 erzeugt wird, wie dies zuvor erläutert ist. Somit kann in Verbindung mit dem zuvor hergestellten Silizium/Kohlenstoff-Material in dem Transistor 460 eine äußerst effizient Erhöhung der Elektronenbeweglichkeit erreicht werden. Danach kann die weitere Bearbeitung in der zuvor beschriebenen Weise fortgesetzt werden, wobei beispielsweise zusätzlich unterschiedlich verspannte dielektrische Schichten über den Transistoren 450, 460 in Abhängigkeit von den Prozess- und Bauteilerfordemissen hergestellt werden können.
  • Es gilt also: Die vorliegende Erfindung stellt eine Technik zum effizienten Erzeugen einer biaxialen Verformung in einem Kanalgebiet von unterschiedlichen Transistors bereit, indem eine Vertiefung in den Gateelektroden und in Drain- und Sourcegebieten eines der Transistoren erzeugt wird und die Vertiefung zumindest teilweise mit einem verspannten Halbleitermaterial aufgefüllt wird, das dann die gewünschte biaxiale Verformung erzeugt. Abhängig von den kristallographischen Konfigurationen des Basismaterials kann die biaxiale Verspannung so gewählt werden, dass eine Verbesserung der Ladungsträgerbeweglichkeit erreicht wird, insbesondere in Kombination verformungsinduzierenden Material in den Drain- und Sourcegebieten des einen Transistors, wobei ein weiterer Zuwachs des Leistungsvermögens auf Grund der biaxialen Verformung erreicht wird, die durch die darüber liegende verspannte Gateelektrode hervorgerufen wird. Beispielsweise kann Silizium/Germanium in den Drain- und Sourcegebieten eine im Wesentlichen uniaxiale kompressive Verformung hervorrufen, die positiv mit der biaxialen Verformung in Wechselwirkung tritt, die von der Gateelektrode bereitgestellt wird, wodurch das Durchlassstromvermögen von p-Kanaltransistoren deutlich verbessert wird. In ähnlicher Weise kann für geeignete Kristallkonfigurationen die biaxiale Verformung, die durch die verspannte Gateelektrode hervorgerufen wird, auch die Elektronenbeweglichkeit verbessern, wodurch ein effizientes Mittel zum gleichzeitigen Verbessern der Ladungsträgerbeweglichkeit von p-Kanaltransistoren und n-Kanaltransistoren bereitgestellt wird. In einigen anschaulichen Ausführungsformen kann das zusätzliche Herstellen eines epitaktisch aufgewachsenen Halbleitermaterials ohne zusätzliche Prozessschritte im Hinblick auf konventionelle Strategie für die Herstellung eingebetteter Halbleitermaterialien in den Drain- und Sourcegebieten bewerkstelligt werden, wodurch ein verbessertes Bauteilverhalten ohne Beitrag zur Prozesskomplexität erreicht wird. In noch weiteren anschaulichen Ausführungsformen wird ein hohes Maß an Kompatibilität mit konventionellen Prozessstrategien zur Ausbildung verformter Kanalgebiete erreicht, wobei dennoch eine deutlich Leistungssteigerung möglich ist.

Claims (4)

  1. Verfahren mit: Bilden einer ersten Vertiefung in einer Gateelektrode eines ersten Transistors und eines zweiten Transistors und einer zweiten Vertiefung in einem Drain- und Sourcegebiet des ersten Transistors in einem gemeinsamen Prozess, während ein Draingebiet und ein Sourcegebiet des zweiten Transistors maskiert sind; und Bilden eines Silizium/Germanium-Materials in der ersten und der zweiten Vertiefung durch einen selektiven epitaktischen Wachstumsprozess.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei Bilden der ersten Vertiefung in dem ersten und dem zweiten Transistor umfasst: Bilden einer Maskenschicht über dem ersten und dem zweiten Transistor, Freilegen einer oberen Fläche der Gateelektrode des ersten und des zweiten Transistors und selektives Entfernen der Maskenschicht von dem ersten Transistor.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, das ferner umfasst: Bilden eines zweiten von dem ersten verformten Halbleitermaterial verschiedenen verformten Halbleitermaterials in dem Draingebiet und dem Sourcegebiet des zweiten Transistors.
  4. Verfahren nach Anspruch einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der erste Transistor ein p-Kanalstransistor und der zweite Transistor ein n-Kanaltransistor ist.
DE102006030264A 2006-06-30 2006-06-30 Verfahren zur Herstellung von Transistoren mit einem Kanal mit biaxialer Verformung, die durch Silizium/Germanium in der Gateelektrode hervorgerufen wird Expired - Fee Related DE102006030264B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006030264A DE102006030264B4 (de) 2006-06-30 2006-06-30 Verfahren zur Herstellung von Transistoren mit einem Kanal mit biaxialer Verformung, die durch Silizium/Germanium in der Gateelektrode hervorgerufen wird
US11/674,713 US7754555B2 (en) 2006-06-30 2007-02-14 Transistor having a channel with biaxial strain induced by silicon/germanium in the gate electrode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006030264A DE102006030264B4 (de) 2006-06-30 2006-06-30 Verfahren zur Herstellung von Transistoren mit einem Kanal mit biaxialer Verformung, die durch Silizium/Germanium in der Gateelektrode hervorgerufen wird

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102006030264A1 DE102006030264A1 (de) 2008-01-03
DE102006030264B4 true DE102006030264B4 (de) 2008-08-28

Family

ID=38776958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102006030264A Expired - Fee Related DE102006030264B4 (de) 2006-06-30 2006-06-30 Verfahren zur Herstellung von Transistoren mit einem Kanal mit biaxialer Verformung, die durch Silizium/Germanium in der Gateelektrode hervorgerufen wird

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7754555B2 (de)
DE (1) DE102006030264B4 (de)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7772635B2 (en) * 2005-10-27 2010-08-10 Micron Technology, Inc. Non-volatile memory device with tensile strained silicon layer
EP2009679A1 (de) * 2007-06-25 2008-12-31 Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC) Halbleiterbauelement
DE102007030053B4 (de) * 2007-06-29 2011-07-21 Advanced Micro Devices, Inc., Calif. Reduzieren der pn-Übergangskapazität in einem Transistor durch Absenken von Drain- und Source-Gebieten
JP2009099724A (ja) * 2007-10-16 2009-05-07 Toshiba Corp 半導体装置
DE102008064671B4 (de) * 2008-11-28 2011-03-10 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Gatestruktur und Erhöhung der Integrität eines Gatestapels mit großem ε durch Schützen einer Beschichtung an der Gateunterseite während des Freilegens der Gateobseite
DE102009047309B4 (de) 2009-11-30 2012-01-26 Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg Deckschichtentfernung in einer Metallgateelektrodenstruktur mit großem ε durch Verwendung eines Opferfüllmaterials
DE102009047307B4 (de) * 2009-11-30 2012-10-31 Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg Verfahren zur Vergrößerung der Stabilität eines Gatedielektrikums mit großem ε in einem Gatestapel mit großem ε durch eine sauerstoffreiche Titannitriddeckschicht
US8895381B1 (en) * 2013-08-15 2014-11-25 International Business Machines Corporation Method of co-integration of strained-Si and relaxed Si or strained SiGe FETs on insulator with planar and non-planar architectures
US10096596B2 (en) * 2015-12-15 2018-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device structure having a plurality of gate structures

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6165826A (en) * 1994-12-23 2000-12-26 Intel Corporation Transistor with low resistance tip and method of fabrication in a CMOS process
US20050064646A1 (en) * 2003-09-23 2005-03-24 Dureseti Chidambarrao NFETs using gate induced stress modulation
US20050224798A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-13 Texas Instruments, Incorporated Process to improve transistor drive current through the use of strain
US20050236668A1 (en) * 2004-04-23 2005-10-27 International Business Machines Corporation STRUCTURES AND METHODS FOR MANUFACTURING OF DISLOCATION FREE STRESSED CHANNELS IN BULK SILICON AND SOI CMOS DEVICES BY GATE STRESS ENGINEERING WITH SiGe AND/OR Si:C
US20050285187A1 (en) * 2004-06-24 2005-12-29 International Business Machines Corporation Strained-silicon CMOS device and method

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7244654B2 (en) * 2003-12-31 2007-07-17 Texas Instruments Incorporated Drive current improvement from recessed SiGe incorporation close to gate
TWI338335B (en) * 2005-11-07 2011-03-01 Samsung Electronics Co Ltd Semiconductor devices and methods of manufacturing the same
US7618856B2 (en) * 2005-12-06 2009-11-17 United Microelectronics Corp. Method for fabricating strained-silicon CMOS transistors

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6165826A (en) * 1994-12-23 2000-12-26 Intel Corporation Transistor with low resistance tip and method of fabrication in a CMOS process
US20050064646A1 (en) * 2003-09-23 2005-03-24 Dureseti Chidambarrao NFETs using gate induced stress modulation
US20050224798A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-13 Texas Instruments, Incorporated Process to improve transistor drive current through the use of strain
US20050236668A1 (en) * 2004-04-23 2005-10-27 International Business Machines Corporation STRUCTURES AND METHODS FOR MANUFACTURING OF DISLOCATION FREE STRESSED CHANNELS IN BULK SILICON AND SOI CMOS DEVICES BY GATE STRESS ENGINEERING WITH SiGe AND/OR Si:C
US20050285187A1 (en) * 2004-06-24 2005-12-29 International Business Machines Corporation Strained-silicon CMOS device and method

Also Published As

Publication number Publication date
DE102006030264A1 (de) 2008-01-03
US7754555B2 (en) 2010-07-13
US20080001178A1 (en) 2008-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102006019921B4 (de) Verfahren zur Herstellung des Transistors mit eingebetteter Schicht mit Zugverformung mit geringem Abstand zu der Gateelektrode
DE102005030583B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Kontaktisolationsschichten und Silizidgebieten mit unterschiedlichen Eigenschaften eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelement
DE102005041225B3 (de) Verfahren zur Herstellung vertiefter verformter Drain/Source-Gebiete in NMOS- und PMOS-Transistoren
DE102005052055B3 (de) Eingebettete Verformungsschicht in dünnen SOI-Transistoren und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102005051994B4 (de) Verformungsverfahrenstechnik in Transistoren auf Siliziumbasis unter Anwendung eingebetteter Halbleiterschichten mit Atomen mit einem großen kovalenten Radius
DE102005052054B4 (de) Halbleiterbauteil mit Transistoren mit verformten Kanalgebieten und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102007041207B4 (de) CMOS-Bauelement mit Gateisolationsschichten mit unterschiedlicher Art und Dicke und Verfahren zur Herstellung
DE102008046400B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines CMOS-Bauelements mit MOS-Transistoren mit abgesenkten Drain- und Sourcebereichen und einem Si/Ge-Material in den Drain- und Sourcebereichen des PMOS-Transistors
DE102006009225B4 (de) Herstellung von Silizidoberflächen für Silizium/Kohlenstoff-Source/Drain-Gebiete
DE102005057074B4 (de) Verfahren zum Reduzieren von Kristalldefekten in verformten Transistoren durch eine geneigte Voramorphisierung
DE102008011814B4 (de) CMOS-Bauelement mit vergrabener isolierender Schicht und verformten Kanalgebieten sowie Verfahren zum Herstellen derselben
DE102009015748B4 (de) Verringern des Silizidwiderstands in SiGe-enthaltenden Drain/Source-Gebieten von Transistoren
DE102006019835B4 (de) Transistor mit einem Kanal mit Zugverformung, der entlang einer kristallographischen Orientierung mit erhöhter Ladungsträgerbeweglichkeit orientiert ist
DE102006030264B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Transistoren mit einem Kanal mit biaxialer Verformung, die durch Silizium/Germanium in der Gateelektrode hervorgerufen wird
DE102008054075B4 (de) Halbleiterbauelement mit Abgesenktem Drain- und Sourcebereich in Verbindung mit einem Verfahren zur komplexen Silizidherstellung in Transistoren
DE102006040765B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit einer verspannten Kontaktätzstoppschicht mit geringerer Konformität und Feldeffekttransistor
DE102006035669B4 (de) Transistor mit einem verformten Kanalgebiet, das eine leistungssteigernde Materialzusammensetzung aufweist und Verfahren zur Herstellung
DE102008049725B4 (de) CMOS-Bauelement mit NMOS-Transistoren und PMOS-Transistoren mit stärkeren verformungsinduzierenden Quellen und Metallsilizidgebieten mit geringem Abstand und Verfahren zur Herstellung des Bauelements
DE102008063427A1 (de) Transistor mit einem eingebetteten verformungsinduzierenden Material mit einer graduell geformten Gestaltung
DE102006019936B4 (de) Halbleiterbauelement mit unterschiedlich verspannten Ätzstoppschichten in Verbindung mit PN-Übergängen unterschiedlicher Gestaltung in unterschiedlichen Bauteilgebieten und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements
DE102007004862B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Si-Ge enthaltenden Drain/Source-Gebieten in Transistoren mit geringerem Si/Ge-Verlust
DE102007052053B4 (de) Eine Zugverformungsquelle unter Anwendung von Silizium/Germanium-Material in global verformtem Silizium
DE102008030852A1 (de) Kontaktgräben zur besseren Verspannungsübertragung in Transistoren mit geringem Abstand
DE102005046978B4 (de) Technik zum Erzeugen einer unterschiedlichen mechanischen Verformung durch Bilden eines Kontaktätzstoppschichtstapels mit unterschiedlich modifizierter innerer Verspannung
DE102008016426B4 (de) Verfahren zum Erzeugen einer Zugverformung durch Anwenden von Verspannungsgedächtnistechniken in unmittelbarer Nähe zu der Gateelektrode

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8125 Change of the main classification

Ipc: H01L 21/8234 AFI20061102BHDE

8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: GLOBALFOUNDRIES INC., GRAND CAYMAN, KY

8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: GRUENECKER, KINKELDEY, STOCKMAIR & SCHWANHAEUSSER,

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee