DE102005062405A1 - Verfahren zum Messen der Charakteristiken von FETs - Google Patents

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Abstract

Bei einem Verfahren zum Messen der Charakteristik eines Feldeffekttransistors wird eine vorbestimmte Vorspannung, die von einem Ausgangsanschluss einer T-Vorspannungsverzweigung (5) ausgegeben wird, an das Drain eines Feldeffekttransistors (1) angelegt, und ein Ausgangsimpuls aus einem Impulsgenerator (3) wird an ein Gate des Feldeffekttransistors (1) angelegt, um einen Drain-Strom zu erzeugen. Der Drain-Strom wird mittels einer Lastimpedanz, die mit einem Wechselstrom-Ausgangsanschluss der T-Verzweigung (5) verbunden ist, zu einem Spannungsimpuls konvertiert und basierend auf dem Spannungsimpuls gemessen. Bei dem Verfahren wird ferner die Vorspannung um einen Betrag vergrößert, welcher einem von der Lastimpedanz verursachten Spannungsabfall entspricht; die Messung eines Werts des Spannungsimpulses wird in einer vorbestimmten Häufigkeit wiederholt; und die letzten beiden Werte des durch die vorbestimmte Anzahl wiederholter Messungen erhaltenen Spannungsimpulses werden extrapoliert, um eine Drain-Spannung zu bestimmen, die dem Feldeffekttransistor (1) zugeführt wird.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren zum Eingeben von Impulssignalen in die Gates von FETs (Feldeffekttransistoren) und zum Messen der I-U-(Strom-Spannungs-) Charakteristiken der FETs. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren, das vorzugsweise zum Messen der I-U-Charakteristiken hochentwickelter FETs, z. B. MOSFETs (Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren) verwendet wird, die mittels SOI- (Silicium-auf-Isolator-) Technologie oder mittels einer Herstellungstechnologie unter Verwendung von "strained silicon"-Technologie hergestellt sind.
  • Die I-U-Charakteristik eines FET wird bestimmt durch Messen eines Drain-Stroms, der dann fließt, wenn eine vorbestimmte DC- (Gleich-) Spannung an das Gate des FET angelegt wird, während eine vorbestimmte Vorspannung an das Drain des FET angelegt wird.
  • Wenn jedoch die I-U-Charakteristiken eines durch SOI-Technologie oder "strained silicon"-Technologie hergestellten hochentwickelten FET, wie z. B. eines MOSFET, gemessen werden, können mit dem bekannten Mess-Schema, bei dem eine DC-Spannung an das Gate des FET angelegt wird (der im Folgenden als "DUT", d.h. "device under test" – "im Test befindliche Vorrichtung" bezeichnet wird), aufgrund des bei der DUT auftretenden Selbstheizeffekts möglicherweise keine zuverlässigen Messergebnisse der I-U-Charakteristik erzielt werden.
  • Deshalb ist ein Messverfahren vorgeschlagen worden, bei dem an das Gate der DUT ein Impuls kurzer Dauer angelegt wird, wie z. B. beschrieben bei K.A. Jenkins und J. Y.-C. Sun, "IEEE Electron Device Letters", Vol. 16, Nr. 4, April 1995, S. 135 bis 147. Dieses Verfahren erlaubt ein Betreiben der Halb leitervorrichtung, ohne dass Wärme erzeugt wird, so dass ein Messergebnis erzeugt werden kann, das nicht von Wärme beeinträchtigt ist.
  • Bei dem Messverfahren, bei dem der Impuls an das Gate der DUT angelegt wird, wird über die sogenannte "T-Vorspannungsverzweigung" (auch bekannt als "BIAS TEE") eine vorbestimmte Spannung an das Drain der DUT angelegt, so dass ein zu messender Drain-Strom fließt, während der Impuls angelegt wird.
  • In diesem Fall dient die Impedanz der T-Vorspannungsverzweigung und der Messeinheit bei Betrachtung von der DUT her (d.h. die Eingangsimpedanz der Messeinheit) als Last, die an die DUT angelegt ist. Somit fällt, wenn der Drain-Strom zu der DUT fließt, die Drain-Spannung um einen Betrag ab, der einem durch die Last verursachten Spannungsabfall entspricht. Dies macht es unmöglich, den Drain-Strom bei einer vorbestimmten Drain-Spannung zu messen, was einen Hauptgrund für den Fehler bei der Messung der I-U-Charakteristik darstellt. Durch den Abfall der Drain-Spannung wird zudem der Bereich von Drain-Spannungen eingeengt, und nachteiligerweise kann die I-U-Chararakteristik nicht in dem erforderlichen Drain-Spannungs-Bereich gemessen werden.
  • Somit besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein Verfahren zu erstellen, das in der Lage ist, die I-U-Charakteristiken hochentwickelter FETs, wie z. B. (SOI-) MOSFETs und "strained silicon"-MOSFETs, präzise zu messen.
  • Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Messen von FET-Charakteristiken angegeben. Bei diesem Verfahren wird eine vorbestimmte Vorspannung, die von einem Ausgangsanschluss einer T-Vorspannungsverzweigung ausgegeben wird, an das Drain des FET angelegt; ein Impuls, der von einem Impulsgenerator ausgegeben wird, wird an das Gate des FET angelegt, um dadurch das Erzeugen von Drain-Strom in dem FET zu bewirken; der Drain-Strom wird mittels einer Lastimpedanz, die mit dem Wechsel strom-Ausgangsanschluss der T-Verzweigung verbunden ist, zu einem Spannungsimpuls konvertiert; und der Drain-Strom wird basierend auf dem Spannungsimpuls gemessen. Das Verfahren enthält ferner den Schritt des Vergrößerns der Vorspannung um einen Betrag, welcher einem von der Lastimpedanz verursachten Spannungsabfall entspricht, und das wiederholte Messen des Spannungsimpulses in einer vorbestimmten Häufigkeit. Der Spannungsimpuls verändert sich auf ein Ansteigen der Vorspannung hin. Das Verfahren enthält ferner den Schritt des Extrapolierens der letzten beiden gemessenen Werte des durch die vorbestimmte Anzahl wiederholter Messungen erhaltenen Spannungsimpulses zwecks Bestimmens einer Drain-Spannung, die dem FET zugeführt wird.
  • Vorzugsweise wird der von dem Impulsgenerator ausgegebene Impuls dem FET über ein Dämpfungsglied zugeführt.
  • Für den Fall, dass aufgrund aus der Auflösung der Spannungseinstellung resultierender Fehler der Impulsgenerator Spannungen ausgibt, die für verschiedene Spannungseinstellungen, welche in dem gleichen Ausgangsspannungs-Einstellbereich enthalten sind, den gleichen Wert haben, kann das Verfahren ferner folgende Schritte aufweisen: für den an das Gate des FET angelegten Impuls, Setzen eines unteren Spannungs-Grenzwerts, der eine Minimalspannung Vset-L in einem ersten Setz-Bereich ist, welcher eine gewünschte gesetzte Impulsspannung Vset-K enthält, und eines oberen Spannungs-Grenzwerts, der eine Minimalspannung Vset-H in einem zweiten Setz-Bereich ist, welcher nahe einer Maximalspannung in dem ersten Setz-Bereich gelegen ist; Messen des Drain-Stroms, der auf einem Impuls mit dem oberen Spannungs-Grenzwert basiert, und des Drain-Stroms, der auf einem Impuls mit dem unteren Spannungs-Grenzwert basiert; und, entsprechend der gewünschten gesetzten Impulsspannung Vset-K und jedem gemessenen Drain-Strom, mittels Interpolation durchgeführtes Berechnen eines Drain-Stroms, der einem auf der gewünschten gesetzten Impulsspannung Vset-K basierenden Drain-Strom entspricht.
  • Das Verfahren kann ferner die folgenden Schritte enthalten: Messen der Breite des an das Gate des FET angelegten Impulses; Anpassen der die Impulsspannung definierenden Impulsspannung-Zeitgebung des angelegten Impulses an eine Zeitgebung, die von einer Vorderflanke des angelegten Impulses zu einer Hinterflanke des angelegten Impulses um ein vorbestimmtes Verhältnis in Breitenrichtung verschoben ist; und Messen der Breite des Spannungsimpulses. Das Verfahren kann ferner die folgenden Schritte enthalten: Setzen einer Spannungsdetektions-Zeitgebung des Spannungsimpulses auf eine Zeitgebung, die von der Vorderflanke des Spannungsimpulses zu der Hinterflanke des Spannungsimpulses um einen Betrag verschoben ist, der dem vorbestimmten Breiten-Verhältnis des Spannungsimpulses entspricht; und Messen der Spannung des Spannungsimpulses zum Spannungsdetektions-Zeitpunkt.
  • Die vorliegende Erfindung erlaubt ein korrektes Bestimmen der Drain-Spannung ohne eine Beeinträchtigung des Messungs-Durchsatzes, so dass eine hochpräzise Messung der I-U-Charakteristiken ermöglicht wird. Mit der vorliegenden Erfindung kann ferner die durch das Abfallen der Drain-Spannung verursachte Beeinflussung der Messwerte reduziert werden.
  • Im Folgenden werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung im Zusammenhang mit den Zeichnungen detaillierter beschrieben.
  • Es zeigen:
  • 1 ein Blockschaltbild zur Darstellung eines Mess-Systems zur Realisierung eines Messverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 2 ein Schaltbild zur Darstellung der Struktur einer T-Vorspannungsverzweigung;
  • 3 ein Schaubild zur Darstellung einer I-U-Charakteristik und einem Drain-Spannungs-Abfall aufgrund einer Lastimpedanz;
  • 4 ein Schaubild zur Darstellung eines Setz-Spannungs-Auflösungsfehlers eines Impulsgenerators;
  • 5 ein Flussdiagramm zur Veranschaulichung eines Verfahrens zum Reduzieren des Fehler-Einflusses in dem Impulsgenerator;
  • 6 ein Schaubild zur Darstellung von I-U-Charakteristiken, die sich durch das in 4 gezeigte Schema ergeben;
  • 7 ein Schaubild gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 8 ein Flussdiagramm zur Veranschaulichung des Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung; und
  • 9 in Teil (a) eine Darstellung der Wellenform eines dem Gate einer DUT zugeführten Impulses und eines für den Impuls gesetzten Spannungsdefinierungspunkts; und in Teil (b) eine Darstellung der Wellenform eines basierend auf dem Drain-Strom der DUT erzeugten Spannungsimpulses und eines für den Impuls gesetzten Spannungsmesspunkts.
  • Im Folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung anhand der beigefügten Zeichnungen detailliert beschrieben.
  • 1 zeigt eine DUT (im Test befindliche Vorrichtung) 1 in Form eines MOSFET, der durch SOI- (Silicium-auf-Isolator-) Technologie oder "strained silicon"-Herstellungstechnologie hergestellt werden kann.
  • Ein Impulsgenerator 3 ist mit dem Gate (G) der DUT 1 über ein Dämpfungsglied 2 verbunden, und eine DC-Spannungsquelle 7 und ein Oszilloskop 9 (bei dem es sich um ein digitales Oszilloskop handeln kann) sind mit dem Drain (D) der DUT 1 über eine sogenannte "T-Vorspannungsverzweigung" 5 verbunden (in den Figuren mit "BIAS TEE" bezeichnet).
  • Die DC-Spannungsquelle 7 kann mit einer SMU ("source measure unit"-Source-Messeinheit) implementiert sein, deren Funktionen darin bestehen, hochpräzise DC-Spannungen anzulegen und Ströme mit hoher Präzision zu messen. Zu den Beispielen für eine derartige Vorrichtung zählt die von Agilent Technologies Inc. hergestellte SMU 4156.
  • Bei diesem Ausführungsbeispiel sind die Ausgangsimpedanz des Impulsgenerators 3 und die Eingangsimpedanz des Oszilloskops 9 auf 50 Ω eingestellt. Der Impulsgenerator 3 übermittelt ein Trigger-Signal (d.h. ein Synchronisationssignal) an das Oszilloskop 9.
  • Wenn die I-U-Charakteristik (Abhängigkeit zwischen dem Drain-Strom und der Drain-Spannung) der DUT 1 gemessen wird, werden vor der Messung Korrekturkoeffizienten zum Kalibrieren des Oszilloskops 9 gesetzt, die Eingangsimpedanz des Oszilloskops 9 wird gemessen, Korrekturkoeffizienten zum Kalibrieren des Impulsgenerators 3 werden gesetzt, der Einfügungsverlust der T-Vorspannungsverzweigung 5 wird gemessen, die Verluste in dem Kabel 14 zwischen der T-Vorspannungsverzweigung 5 und dem Oszilloskop 9 werden gemessen, die Eingangsimpedanz der T-Vorspannungsverzweigung 5 wird gemessen, der Einfügungsverlust des Dämpfungsglieds 2 wird gemessen, und die Eingangsimpedanz des Dämpfungsglieds 2 wird gemessen.
    • A) Für die Kalibrierung des Oszilloskops 9 wird die SMU mittels eines kurzen Kabels mit einem Eingang des Oszilloskops 9 verbunden und dazu veranlasst, sequentiell Ausgangsspannungen mit mehreren Spannungswerten auszugeben, die von dem Oszilloskop 9 gemessen werden. Die Korrekturkoeffizienten (A2, B2) zum Linearisieren der Beziehung zwischen den von der SMU ausgegebenen Spannungen und den von dem Oszilloskop 9 gemessenen Spannungen werden durch das Verfahren der kleinsten Quadrate er rechnet. Die Korrekturkoeffizienten (A2, B2) werden zum Kalibrieren der von dem Oszilloskop 9 gemessenen Spannung Vmes verwendet. Somit ergibt sich die kalibrierte Mess-Spannung Vout des Oszilloskops 9 durch die folgende Gleichung: Vout = A2·Vmes + B2 (1) Die Korrekturkoeffizienten (A2, B2) werden in einer Speichereinheit des Computers 11 vorgespeichert.
    • B) Für die Messung der Eingangsimpedanz des Oszilloskops 9 wird eine aus der SMU ausgegebene Spannung in das Oszilloskop 9 eingegeben, und der auf die Eingabe der Spannung hin in das Oszilloskop 9 fließende Strom wird von der SMU gemessen. Die Eingangsimpedanz kann auf der Basis der aus der SMU ausgegebenen Spannung und des von der SMU gemessenen Stroms bestimmt werden. Die Eingangsimpedanz des Oszilloskops 9 wird in der Speichereinheit des Computers 11 vorgespeichert.
    • C) Für die Kalibrierung des Impulsgenerators 3 wird, nachdem das Oszilloskop 9 mittels eines kurzen Kabels mit dem Ausgang des Impulsgenerators 3 verbunden worden ist, der Impulsgenerator 3 dazu veranlasst, Impulse mit mehreren Spannungen auszugeben, und die Spannung jedes Impulses wird von dem Oszilloskop 9 gemessen. Korrekturkoeffizienten (A1, B1) zum Linearisieren des Verhältnisses zwischen einer Spannung Vg, die von dem Impulsgenerator 3 ausgegeben wird, und einer entsprechenden Spannung Vout, die nach der Kalibrierung einer von dem Oszilloskop 9 gemessenen Spannung Vmes ausgegeben wird, werden durch das Verfahren der kleinsten Quadrate errechnet. Die Koeffizienten (A1, B1) werden zum Kalibrieren der von dem Impulsgenerator 3 ausgegebenen Spannung Vg verwendet. Somit ergibt sich die kalibrierte Ausgangsspannung Vg' des Impulsgenerators 3 durch die folgende Gleichung: Vg' = A1·Vg + B1 (2) Die Korrekturkoeffzienten A1 und B1 werden in der Speichereinheit des Computers 11 vorgespeichert.
    • D) Für die Messung des Einfügungsverlusts der T-Vorspannungsverzweigung 5 gemäß 1 wird der kalibrierte Impulsgenerator 3 mittels eines kurzen Kabels mit einem Vorspannungs-Ausgangsanschluss der T-Vorspannungsverzweigung 5 verbunden, und ein AC- (Wechselstrom-) Ausgangsanschluss der T-Vorspannungsverzweigung 5 wird mittels eines kurzen Kabels mit dem Oszilloskop 9 verbunden. Der Einfügungsverlust der T-Vorspannungsverzweigung 5 kann errechnet werden durch Bestimmen des Verhältnisses zwischen einer Signalspannung, die von dem Impulsgenerator 3 ausgegeben und über die T-Vorspannungsverzweigung 5 mittels des Oszilloskops 9 gemessen wird, und einer Signalspannung, die von dem Impulsgenerator 3 ausgegeben und mittels des Oszilloskops 9 direkt ohne den Weg über die T-Vorspannungsverzweigung 5 gemessen wird. Der Einfügungsverlust der T-Vorspannungsverzweigung 5 wird in der Speichereinheit des Computers 11 vorgespeichert.
    • E) Für die Messung des Verlusts in dem Kabel 14, das zwischen dem AC-Ausgangsanschluss der T-Vorspannungsverzweigung 5 und dem Eingang des Oszilloskops 9 angeordnet ist, ist der Impulsgenerator 3 über ein kurzes Kabel mit einem Ende des Kabels 14 verbunden, und das Oszilloskop 9 ist über ein kurzes Kabel mit dem anderen Ende des Kabels 14 verbunden. Der Einfügungsverlust des Kabels 14 wird errechnet durch Bestimmen des Verhältnisses zwischen einer Spannung, die von dem Impulsgenerator 3 ausgegeben und über das Kabel 14 mittels des Oszilloskops 9 gemessen wird, und einer Spannung, die von dem Impulsgenerator 3 ausgegeben und mittels des Oszilloskops 9 direkt ohne den Weg über das Kabel 14 gemessen wird. Der Einfügungsverlust des Kabels 14 wird in der Speichereinheit des Computers 11 vorgespeichert.
    • F) Die Impedanz zwischen dem Vorspannungs-Ausgangsanschluss und dem AC-Ausgangsanschluss der T-Vorspannungsverzweigung 5 wird gemessen, indem die beiden entgegengesetzten Enden einer Netzwerk-Analysevorrichtung oder dgl. verbunden werden. Die gemessene Eingangsimpedanz wird in der Speichereinheit des Computers 11 vorgespeichert.
    • G) Für die Messung des Einfügungsverlusts des Dämpfungsglieds 2 werden erste und zweite SMUs mit dem Eingangs-Port bzw. dem Ausgangs-Port des Dämpfungsglieds 2 verbunden. Eine Spannung V2, die von dem Dämpfungsglied 2 ausgegeben wird, wenn eine von der ersten SMU ausgegebene Spannung V1 an den Eingangs-Port des Dämpfungsglieds 2 angelegt wird, wird von der zweiten SMU gemessen. (An diesem Punkt bildet der Ausgangs-Port im Wesentlichen einen offenen Stromkreis.) Der Einfügungsverlust des Dämpfungsglieds 2 ergibt sich aus V2/V1. Der Einfügungsverlust des Dämpfungsglieds 2 wird in der Speichereinheit des Computers 11 vorgespeichert.
    • H) Für die Messung der Eingangsimpedanz des Dämpfungsglieds 2 wird ein Strom I1, der in das Dämpfungsglied 2eingegeben wird, wenn die aus der ersten SMU ausgegebene Spannung V1 dem Eingang des Dämpfungsglieds 2 zugeführt wird, von der ersten SMU gemessen. (An diesem Punkt bildet der Ausgangs-Port im Wesentlichen einen offenen Stromkreis.) Die Eingangsimpedanz des Dämpfungsglieds 2 ergibt sich aus V1/I1. Die Eingangsimpedanz des Dämpfungsglieds 2 wird in der Speichereinheit des Computers 11 vorgespeichert.
  • Wenn das in 1 gezeigte Mess-System zum Messen der I-U-Charakteristik der DUT 1 verwendet wird, wird der Ausgang des Impulsgenerators 3 über das Kabel 13 und das Dämpfungsglied 2 mit dem Gate der DUT 1 verbunden, um zu veranlassen, dass der Ausgangsimpuls (die Impulsbreite beträgt z. B. ungefähr 1 bis 10 ns) des Impulsgenerators 3 über das Kabel 13 und das Dämpfungsglied 2 an das Gate der DUT 1 angelegt wird. Ferner wird ein DC-Eingangsanschluss der T-Vorspannungsverzweigung 5 mit dem Ausgang der Stromspannungsquelle 7 verbunden, und das Drain der DUT 1 wird mit dem Vorspannungs-Ausgangsanschluss der T-Vorspannungsverzweigung 5 verbunden, um zu veranlassen, dass eine vorbestimmte Ausgangsspannung der DC-Spannungsquelle 7 über die T-Vorspannungsverzweigung 5 an das Drain der DUT 1 angelegt wird. Ferner wird der AC-Ausgangsanschluss der T-Vorspannungsverzweigung 5 über das Kabel 14 mit dem Eingangsanschluss des Oszilloskops 9 verbunden.
  • An diesem Punkt wird unter Steuerung durch den Computer 11 eine Spannung Vset des aus dem Impulsgenerator 3 ausgegebenen Impulses wie folgt gesetzt: Vset = (A1·Vg + B1)/LossATT (3),wobei LossATT den Einfügungsverlust des Dämpfungsglieds 2 angibt.
  • Im Folgenden wird der Grund für die Verwendung des Dämpfungsglieds 2 erläutert. Der aus dem Impulsgenerator 3 an das Kabel 13 ausgegebene Impuls kann möglicherweise mehrere Male zwischen dem Eingangsanschluss und dem Ausgangsanschluss des Kabels 13 reflektiert werden, was durch eine Differenz zwischen der Ausgangsimpedanz des Impulsgenerators 3 und der Charakteristik-Impedanz des Kabels 13 und eine Differenz zwischen der Eingangsimpedanz (einschließlich einer Impedanz aufgrund der Eingangskapazität) der DUT 1 und der Charakteristik-Impedanz des Kabels 13 verursacht wird. Das Auftreten der Mehrfach-Reflexionen verschlechtert die Impulsqualität.
  • Wegen des Dämpfungsglieds 2 jedoch werden durch dessen Dämpfungseffekt die Impulsreflexionen an dem DUT-1-Ende des Kabels 13 reduziert, so dass die Einfügung des Dämpfungsglieds 2 die Qualität des der DUT 1 zugeführten Impulses verbessern kann. Aus diesem Grund wird das Dämpfungsglied 2 verwendet.
  • Wenn der Impuls mit der Spannung Vset über das Dämpfungsglied 2 dem Gate der DUT 1 zugeführt wird, wird die DUT 1 eingeschaltet, um zu veranlassen, dass ein Strom, der dem Drain-Strom der DUT 1 entspricht, zu einem Drain-Blockier-Kondensator (siehe Bezugszeichen 51 in 2) fließt, der in die T-Vorspannungsverzweigung 5 eingebaut ist. Aufgrund der Impedanz, die bei Betrachtung der T-Vorspannungsverzweigung 5 und des Oszilloskops 9 aus Blickrichtung des Drains der DUT 1 existiert, wird der durch den Kondensator 51 durchtretende Strom zu einem Spannungsimpuls konvertiert, der dem Drain-Strom der DUT 1 entspricht. Der Spannungswert des konvertierten Spannungsimpulses wird durch das Oszilloskop 9 gemessen.
  • Im Kontext einer AC-Schaltung wird in der Praxis eine elektrische Kontinuität zwischen dem Vorspannungs-Ausgangsanschluss und dem AC-Ausgangsanschluss der T-Vorspannungsverzweigung 5 hergestellt, wobei aufgrund der hohen Impedanz fast kein Strom zwischen dem Vorspannungs-Ausgangsanschluss und dem DC-Eingangsanschluss fließt. Somit ist der Drain-Strom gleich dem durch die Impedanz im Oszilloskop 9 fließenden Strom.
  • Der Computer 11 berechnet die kalibrierte Mess-Spannung Vout auf der Basis der oben angeführten Gleichung (1) und der Mess-Spannung Vmes des Oszilloskops 9 und berechnet einen Drain-Strom Id auf der Basis der folgenden Gleichung: Id = {Vout/(Loss1·Loss2)}/Zin (4),wobei Loss1 den Einfügungsverlust des Kabels 14 angibt, Loss2 den Einfügungsverlust der T-Vorspannungsverzweigung 5 angibt, und Zin die zusammengesetzte Impedanz der Eingangsimpedanz des Oszilloskops 9 und der Eingangsimpedanz der T-Vorspannungsverzweigung 5 angibt.
  • Um die I-U-Charakteristik der DUT 1 zu erhalten, steuert der Computer 11 eine aus der DC-Spannungsquelle 7 ausgegebene Spannung in Bezug auf eine vorbestimmte Gate-Impulsspannung und misst den Drain-Strom in Bezug auf mehrere Drain-Spannungen. Eine ähnliche Messung wird dann in Bezug auf mehrere Gate-Impulsspannungen wiederholt, um eine I-U-Charakteristik zu erhalten, wie in 3 veranschaulicht ist.
  • Im Folgenden wird die Setz-Spannung Vset eines aus dem Impulsgenerator 3 ausgegebenen Impulses erläutert. Der Impulsgenerator 3 hat keine derart hohe Spannungs-Setz-Präzision wie diejenige der DC-Spannungsquelle 9. Dies bedeutet, dass der Impulsgenerator 3 eine Spannung ausgibt, die in Bezug auf verschiedene in einem Setz-Spannungs-Bereich enthaltene Setz-Spannungen den gleichen Wert hat, wie 4 zeigt. Beispielsweise gibt der Impulsgenerator 3 einen Impuls mit einer Ausgangsspannung Va in Bezug auf sämtliche in einem Setz-Bereich r bis a enthaltene Setz-Spannungen, einen Impuls mit einer Ausgangsspannung Vb in Bezug auf sämtliche in einem Setz-Bereich r bis b enthaltene Setz-Spannungen, und einen Impuls mit einer Ausgangsspannung Vc in Bezug auf sämtliche in einem Setz-Bereich r bis c enthaltene Setz-Spannungen aus. Daran wird ersichtlich, dass die aus dem Impulsgenerator 3 ausgegebene Spannung durch einen Setz-Spannungs-Auflösungsfehler beeinträchtigt wird.
  • Deshalb kann zur Minimierung des Einflusses des Setz-Spannungs-Auflösungsfehlers des Impulsgenerators 3 der Computer 11 einen Kalibrierungsvorgang gemäß 5 durchführen.
  • In diesem Vorgang werden eine Minimal-Spannung Vset-L in dem Setz-Bereich r-b, der gemäß 4 eine gewünschte Setz-Impulsspannung Vset-K enthält (im Folgenden wird die Minimal-Spannung Vset-L als "unterer Spannungs-Grenzwert" bezeichnet) und eine Minimal-Spannung Vset-H in dem Setz-Bereich r-c, der an die Maximal-Spannung in dem Setz-Bereich r-b angrenzt (im Folgenden wird die Minimal-Spannung Vset-H als "oberer Spannungs-Grenzwert" bezeichnet) anstelle der gewünschten Impulsspannung Vset-K als Impulsspannungen gesetzt (in Schritt 101). Wenn die Spannungsbereiche r-a, r-b und r-c beispielsweise auf 0,1 V gesetzt sind, weisen der Bereich von Va bis Vb und der Bereich von Vb bis Vc ebenfalls 0,1 V auf.
  • Der Bereich des unteren Spannungs-Grenzwerts Vset-L und eines oberen Spannungs-Grenzwerts Vset-H enthält die gewünschte Impulsspannung Vset-K. Somit werden von dem Impulsgenerator 3 Impulse am oberen Spannungs-Grenzwert Vset-H und am unteren Spannungs-Grenzwert Vset-L ausgegeben, und es werden eine I-U-Charakteristik a und eine I-U-Charakteristik b gemäß 6 gemessen (in den Schritten 103 und 105). Eine I-U-Charakteristik c wird durch Interpolation auf der Basis der I-U-Charakteristiken a und b und der gewünschten Setz-Impulsspannung Vset-K berechnet (in Schritt 107).
  • Die I-U-Charakteristik c ist einer I-U-Charakteristik analog, die auf der gewünschten Impulsspannung Vset-K basiert, d.h. einer I-U-Charakteristik, die man erhält, wenn der Impulsgenerator 3 einen Impuls mit der gewünschten Impulsspannung Vset-K ausgibt. Anders ausgedrückt bedeutet dies, dass die I-U-Charakteristik c von dem Setz-Spannungs-Auflösungsfehlers des Impulsgenerators 3 weniger beeinträchtigt wird und somit hoch zuverlässig ist.
  • Im Folgenden wird ein Verfahren zur weiteren Verbesserung der Messgenauigkeit beschrieben. Gemäß 1 ist bei Betrachtung der T-Vorspannungsverzweigung 5 und des Oszilloskops 9 aus Blickrichtung des Drains der DUT 1 die Impedanz (einschließlich der 50 Ω betragenden Eingangsimpedanz des Oszilloskops 9) der Last der DUT 1 äquivalent. In 3 ist diese Lastimpedanz durch eine Last-Linie 15, angedeutet. Somit wird z. B. selbst dann, wenn die Ausgangsspannung der DC-Spannungsquelle 7 auf Vdr gesetzt wird, die tatsächliche Drain-Spannung, die an die DUT 1 angelegt wird, zu Vd1 (<Vdr), und zwar aufgrund eines durch die Last-Impedanz verursachten Spannungsabfalls.
  • Folglich misst das Oszilloskop 9 eine Spannung (Vdr – Vd1), die einem Drain-Strom Id1 entspricht, d.h. es misst eine Spannung, die einem Drain-Strom Id1 entspricht, welcher niedriger ist als ein Drain-Strom Idr, der eigentlich gemessen werden soll.
  • Anzumerken ist, dass sich die Mess-Spannung des Oszilloskops 9 bei diesem Ausführungsbeispiel auf einen Spannungsabfall bezieht, der dadurch verursacht wird, dass der Drain-Strom Id1 durch die Lastimpedanz in dem Oszilloskop 9 strömt.
  • In 7 und 8 ist ein Verfahren veranschaulicht, mit dem das oben beschriebene Problem vermieden wird. Bei diesem Ausführungsbeispiel gibt, da der Drain-Strom als eine entsprechende Spannung detektiert wird, die vertikale Achse in 7 die Mess-Spannung des Oszilloskops 9 an. Der in 8 veranschaulichte Vorgang wird von dem Computer 11 ausgeführt.
  • Bei dem Vorgang gemäß 8 wird zuerst der numerische Wert i (bei dem es sich um eine ganze Zahl handelt, die gleich 1 oder einer höheren Zahl ist) auf "1" initialisiert (in Schritt 201). Anschließend wird an die DC-Spannungsquelle 7 eine Instruktion zum Ausgeben der Spannung Vdr ausgegeben, und dem Impulsgenerator 3 wird eine Instruktion dahingehend ausgegeben, dass dem Gate der DUT 1 ein Impuls mit einer Spannung Vset-r zugeführt wird (in Schritt 203).
  • Somit fällt wie oben beschrieben die Drain-Spannung der DUT 1 auf Vd1 ab, und folglich misst das Oszilloskop 9 eine Spannungsdifferenz V1 des Spannungsabfalls (Vdr – Vd1), welche dem Drain-Strom entspricht. Dies bedeutet, dass das Oszilloskop 9 die dem Drain-Strom entsprechende Spannungsdifferenz V1 an dem Vorspannnungs-Wert Vd1 misst, der niedriger ist als die Spannung Vr, welche bei der vorbestimmten Drain-Vorspannung Vdr gemessen wird.
  • Somit wird die von dem Oszilloskop 9 gemessene Spannung V1 gelesen (in Schritt 205). Es wird eine Spannung Vd1' berechnet, die sich durch das Hinzuaddieren der Spannung V1 zu der Spannung Vdr ergibt (d.h. Vd1' = Vdr + V1 = Vdr + (Vdr – Vd1)), und die Instruktion wird an die DC-Spannungsquelle 7 ausgegeben, so dass diese die Spannung Vd1' ausgibt (in Schritt 207).
  • Wenn die Spannung Vd1' aus der DC-Spannungsquelle 7 ausgegeben wird, veranlasst eine auf der oben beschriebenen Impedanz basierende Last, die durch eine Last-Linie 152 angedeutet ist, dass die Drain-Spannung der DUT 1 von Vd1' auf Vd2 abfällt. Folglich wird eine Spannungsdifferenz V2 eines Spannungsabfalls (Vd1' – Vd2), der dem Drain-Strom entspricht, von dem Oszilloskop 9 gemessen, und die Spannung V2 wird gelesen (in Schritt 209).
  • Eine gerade Linie 161 , die durch einen Punkt, an dem die Last-Linie 151 eine I-U-Charakteristik d schneidet, und einen Punkt verläuft, an dem die Last-Linie 152 eine I-U-Charakteristik d schneidet, wird durch die nachstehende Gleichung (5) ausgedrückt: Y = {(V2 – V1)/(Vd2 – Vd1)}(x – Vd2) + V2 (5),wobei x und y in 7 die vertikale Achse bzw. die horizontale Achse angeben.
  • In Gleichung (5) kann unter Verwendung von Vdr und V1, die bekannt sind, Vd1 durch den Ausdruck Vd1 = Vdr – V1 bestimmt werden. Unter Verwendung der bekannten Elemente Vd1' und V2 kann Vd2 bestimmt werden durch den Ausdruck Vd2 = Vdr' – V2. Somit wird in der obigen Gleichung (5) ein Wert V1' von y für x =Vdr berechnet, und der Wert V1' wird in einer Speichereinheit gespeichert (in Schritt 211).
  • Als nächstes wird eine Prüfung dahingehend vorgenommen, ob i gleich n (z. B. "3") ist oder nicht (in Schritt 213). An diesem Punkt wird, da das Ergebnis der in Schritt 213 durchgeführten Prüfung NEIN lautet, der numeri sche Wert 1 um "1" inkrementiert (in Schritt 217), und der Vorgang kehrt zu Schritt 207 zurück. Somit wird eine Spannung Vd2' berechnet, die sich durch Hinzuaddieren der Spannung V2 zu der Spannung Vdr ergibt (d.h. Vd2' = Vdr + V2 = Vdr + (Vdr – Vd2), und an die DC-Spannungsquelle 7 wird eine Instruktion dahingehend ausgegeben, dass die Spannung Vd2' aus der DC-Spannungsquelle 7 ausgegeben wird.
  • Wenn die DC-Spannungsquelle 7 die Spannung Vd2' ausgibt, veranlasst eine auf der oben beschriebenen Impedanz basierende Last, die durch eine Last-Linie 153 angedeutet ist, dass die Drain-Spannung der DUT 1 von Vd2' auf Vd3 abfällt. Folglich wird eine Spannung V3, die dem Spannungsabfall (Vd2' – Vd3) entspricht, von dem Oszilloskop 9 gemessen, und die Spannung V3 wird gelesen (in Schritt 209).
  • Eine gerade Linie 162 , die durch einen Punkt, an dem die Last-Linie 152 die I-U-Charakteristik d schneidet, und einen Punkt verläuft, an dem die Last-Linie 153 die I-U-Charakteristik d schneidet, wird durch die nachstehende Gleichung (6) ausgedrückt: Y = [(V3 – V2)/(Vd3 – Vd2)](x – Vd3) + V3 (6)
  • In dieser Gleichung kann unter Verwendung von Vd2' und V3, die bekannt sind, Vd3 durch den Ausdruck Vd3 = Vd2' – V3 bestimmt werden. In der obigen Gleichung (6) wird ein Wert V2' von y für x = Vdr berechnet, und der Wert V2' wird in der Speichereinheit gespeichert (in Schritt 211). Anschließend wird festgestellt, on i gleich n ist oder nicht (in Schritt 213).
  • Da bei diesem Beispiel das Ergebnis der in Schritt 213 vorgenommenen Prüfung JA lautet, wird festgestellt, dass die Spannung, die aus der DC-Spannungsquelle 7 ausgegeben und der Drain-Spannung Vdr der DUT 1 zugeführt werden soll, Vd2' ist, und die Spannung Vd2' wird in der Speichereinheit gespeichert (in Schritt 215).
  • Als nächstes wird unter den n Spannungen die Spannungen Vd1, Vd2, ... und Vdn, die man erhält, bis i die Zahl n erreicht, eine Extrapolation an den letzten beiden Spannungen Vdnn-1 und Vdn vorgenommen, um eine Drain-Spannung zu bestimmen, die angelegt werden soll (in Schritt 219).
  • Der Punkt, an dem X = Vdr und die in 7 gezeigte gerade Linie 162 einander schneiden, zeigt den durch Extrapolation bestimmten Vd-Punkt-Drain-Strom an. In dieser Weise ermöglicht die Extrapolation ein präzises Messen der I-U-Charakteristik, ohne dass der Mess-Durchsatz beeinträchtigt wird. Durch das Bestimmen der Drain-Spannung wird es wie beschrieben ermöglicht, den Einfluss des Abfalls der Drain-Spannung auf die Messwerte zu reduzieren.
  • Obwohl oben lediglich der Verarbeitungsvorgang zum Bestimmen eines einzigen Drain-Spannungs-Werts beschrieben wurde, wird der Verarbeitungsvorgang zum Bestimmen weiterer Drain-Spannungen, die zum Messen einer Ausgangscharakteristik erforderlich sind, in ähnlicher Weise durchgeführt. Obwohl die durch den oben beschriebenen Verarbeitungsvorgang bestimmte Drain-Spannung (die Ausgangsspannung der DC-Spannungsquelle 7) bei einer Spannung von Vset-r errechnet wurde, können Drain-Spannungen in Bezug auf andere Gate-Impuls-Spannungen mittels Verarbeitungsvorgängen bestimmt werden, die dem oben beschriebenen Verarbeitungsvorgang ähnlich sind.
  • In manchen Fällen werden aufgrund der Charakteristik des Impulsgenerators 3, der Frequenzcharakteristik des mit dem Ausgang des Impulsgenerators 3 verbundenen Kabels, der Charakteristik der DUT 1 usw. Impulse mit etwas verzerrten Wellenformen, wie z. B. Wellenformen mit Überschwingung und Unterschwingung, in das Gate der DUT 1 eingegeben. Teil (a) von 9 zeigt einen Gate-Eingangsimpuls, der eine derart verzerrte Wellenform hat. Wenn der Eingangsimpuls in dieser Weise verzerrt wird, wird auch die Wellenform eines Ausgangsimpulses, welcher der vom Oszilloskop 9 gemessenen Drain-Spannung entspricht, mit einer Verzögerung h verzerrt, wie in Teil (b) von 9 gezeigt ist. Ein derartiger Eingangs-/Ausgangs-Impuls variiert – in Abhängigkeit von der Position entlang der Zeit-Achse – in seiner Spannung und bildet somit eine Ursache für Messfehler.
  • Deshalb wird bei diesem Ausführungsbeispiel, um die Zeitgebung eines Spannungswerts des Eingangs-/Ausgangs-Impulses zu bestimmen, ein an das Gate der DUT 1 angelegter Impuls in das Oszilloskop 9 eingegeben, und der Computer 11 führt einen Verarbeitungsvorgang zum Setzen eines Spannungsdefinierungs-Punkts P1 durch, welcher einer Impulsbreite τi des Eingangsimpulses entspricht. Der Punkt P1 wird an einer Stelle gesetzt, die von der Vorderflanke des Eingangsimpulses zu der Hinterflanke um ein Verhältnis R% der Impulsbreite τi verschoben ist (R% ist ein beliebiger Wert im Bereich von z. B. 50% bis 90%). Der Punkt P1 wird für die Mess-Zeitsteuerung einer aus dem Impulsgenerator 3 ausgegebenen Impulsspannung und einer aus dem AC-Ausgangsanschluss der T-Vorspannungsverzweigung 5 ausgegebenen Impulsspannung verwendet.
  • Für die tatsächliche Messung einer Ausgangscharakteristik der DUT 1 wird, da der oben erwähnte Gate-Eingangsimpuls an das Gate der DUT 1 angelegt wird, ein (in Teil (b) in 9 gezeigter) Spannungsimpuls, der dem Drain-Strom entspricht, in das Oszilloskop 9 eingegeben.
  • Somit liest der Computer 11 die Wellenform des Spannungsimpulses aus dem Oszilloskop 9 und misst die Impulsbreite τ0 dieses Impulses. Ferner setzt der Computer 11 einen Zeitgebungs-Punkt P2, der von der Vorderflanke des Spannungsimpulses zu der Hinterflanke um das Verhältnis R% der Impulsbreite τ0 verschoben ist, als Spannungsmesspunkt.
  • Somit wird das Verhältnis zwischen dem für den Gate-Eingangsimpuls gesetzten Punkt P1 und dem Punkt P2, der für den in das Oszilloskop 9 eingegeben Spannungsimpuls gesetzt ist, hergestellt. Folglich erfasst der Computer 11 die Spannung an dem Punkt P2 für den Spannungsimpuls zur Verwendung als diejenige Spannung, die den Drain-Strom der DUT 1 angibt.
  • Wie oben beschrieben wird bei diesem Ausführungsbeispiel, da das Verhältnis zwischen dem Punkt P1 für den Gate-Eingangsimpuls und den Punkt P2 für den dem Drain-Strom entsprechenden Spannungsimpuls selbst bei Auftreten der Verzerrung beibehalten wird, die Messgenauigkeit der Ausgangscharakteristik der DUT 1 verbessert.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand eines Ausführungsbeispiels beschrieben wurde, wird Fachleuten auf dem Gebiet ersichtlich sein, dass verschiedenartige Änderungen und Modifikationen an der Erfindung vorgenommen werden können. Beispielsweise kann es sich bei der Anzahl n von Wiederholungen, die in Schritt 213 gemäß 8 bestimmt werden, auch um eine von 3 abweichende Anzahl handeln. Als oberer Grenzwert und unterer Grenzwert zum Kalibrieren von Vset des Impulsgenerators 3 können verschiedene Spannungswerte verwendet werden, die im Bereich der Setz-Spannung Vset ein Spannungsdifferential erzeugen, das der Auflösung gleicht oder größer als diese ist.

Claims (4)

  1. Verfahren zum Messen der Charakteristik eines Feldeffekttransistors, bei dem eine vorbestimmte Vorspannung, die von einem Ausgangsanschluss einer T-Vorspannungsverzweigung (5) ausgegeben wird, an ein Drain eines Feldeffekttransistors (1) angelegt wird; ein Ausgangsimpuls aus einem Impulsgenerator (3) an ein Gate des Feldeffekttransistors (1) angelegt wird, um dadurch das Erzeugen von Drain-Strom in dem Feldeffekttransistor (1) zu bewirken; der Drain-Strom mittels einer Lastimpedanz, die mit einem Wechselstrom-Ausgangsanschluss der T-Verzweigung (5) verbunden ist, zu einem Spannungsimpuls konvertiert wird; und der Drain-Strom basierend auf dem Spannungsimpuls gemessen wird, mit den folgenden weiteren Schritten: Vergrößern der Vorspannung um einen Betrag, welcher einem von der Lastimpedanz verursachten Spannungsabfall entspricht, und Wiederholen der Messung des Spannungsimpulses in einer vorbestimmten Häufigkeit, während sich der Spannungsimpuls auf ein Ansteigen der Vorspannung hin verändert; und Extrapolieren der letzten beiden gemessenen Werte des durch die vorbestimmte Anzahl wiederholter Messungen erhaltenen Spannungsimpulses zum Bestimmen einer Drain-Spannung, die dem Feldeffekttransistor (1) zugeführt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der von dem Impulsgenerator (3) ausgegebene Ausgangsimpuls dem Feldeffekttransistor (1) über ein Dämpfungsglied (2) zugeführt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem aufgrund eines aus der Auflösung der Spannungseinstellung resultierenden Fehlers der Impulsgenerator (3) Spannungen ausgibt, die für verschiedene Span nungseinstellungen, welche in dem gleichen Ausgangsspannungs-Einstellbereich (r-a, r-b, ...) enthalten sind, den gleichen Wert haben, wobei das Verfahren folgende weiteren Schritte aufweist: Setzen eines unteren Spannungs-Grenzwerts und eines oberen Spannungs-Grenzwerts für den an das Gate des Feldeffekttransistors (1) anzulegenden Impuls, wobei der untere Spannungs-Grenzwert eine Minimalspannung (Vset-L) in einem ersten Setz-Bereich ist, der eine gewünschte gesetzte Impulsspannung (Vset-K) enthält, und der obere Spannungs-Grenzwert eine Minimalspannung (Vset-H) in einem zweiten Setz-Bereich ist, der nahe einer Maximalspannung in dem ersten Setz-Bereich gelegen ist, Messen des Drain-Stroms, der auf einem Impuls mit dem oberen Spannungs-Grenzwert basiert, und des Drain-Stroms, der auf einem Impuls mit dem unteren Spannungs-Grenzwert basiert; und entsprechend der gewünschten gesetzten Impulsspannung (Vset-K) und jedem gemessenen Drain-Strom, mittels Interpolation durchgeführtes Berechnen eines Drain-Stroms, der einem auf der gewünschten gesetzten Impulsspannung (Vset-K) basierenden Drain-Strom entspricht.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, ferner gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: Messen der Breite des an das Gate des Feldeffekttransistors (1) angelegten Impulses; Anpassen der die Impulsspannung definierenden Impulsspannungs-Zeitgebung des angelegten Impulses an die Zeitgebung, die von einer Vorderflanke des angelegten Impulses zu einer Hinterflanke des angelegten Impulses um ein vorbestimmtes Verhältnis in Breitenrichtung verschoben ist; Messen der Breite des Spannungsimpulses; Setzen der Spannungsdetektions-Zeitgebung des Spannungsimpulses auf eine Zeitgebung, die von einer Vorderflanke des Spannungsimpulses zu einer Hinterflanke des Spannungsimpulses um einen Betrag verschoben ist, der dem vorbestimmten Breiten-Verhältnis des Spannungsimpulses entspricht; und Messen der Spannung des Spannungsimpulses zum Spannungsdetektions-Zeitpunkt.
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