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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Speicherschaltung mit einem
Widerstandsspeicherelement wie z.B. ein CBRAM-Speicherelement, das auch als PMC-Element
(PMC: Programmable Metallization Cell) bezeichnet wird. Die vorliegende
Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zum Betreiben einer solchen
Speicherschaltung.
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Ein
CBRAM-Speicherelement, das im Folgenden Widerstandsspeicherelement
(oder resistives Speicherelement) genannt wird, umfasst ein dielektrisches
Material, in dem ein leitfähiger
Pfad aufgebaut oder zurückgebildet
werden kann. Durch Anlegen eines elektrischen Feldes bewegen sich
Ionen eines leitfähigen
Materials von einer Elektrode in das dielektrische Material und
bilden den leitfähigen Pfad.
Durch Anlegen eines inversen elektrischen Feldes werden die Ionen
des leitfähigen
Materials aus dem dielektrischen Material zurück zur Elektrode bewegt, so
dass das Widerstandsspeicherelement nicht-leitend wird. Mit anderen Worten kann
das Widerstandsspeicherelement verschiedene Widerstandszustände wie
z.B. einen Zustand eines niedrigen Widerstandes und einen Zustand
eines hohen Widerstandes aufweisen.
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Wenn
das Widerstandsspeicherelement von dem Zustand eines hohen Widerstandes
zu dem Zustand eines niedrigen Widerstandes programmiert wird, findet
die Veränderung
des Widerstands ziemlich schnell statt, so dass, während anfänglich eine vorbestimmte
Spannung an dem Widerstandsspeicherelement angelegt wird, der Strom
durch das Widerstandsspeicherelement schnell ansteigt, wenn der
Widerstand abfällt.
Daher ist eine Begrenzung des Stromes notwendig, während das
Widerstandsspeicherelement programmiert wird, so dass das Widerstandsspeicherelement
nicht beschädigt
wird, während
es in den Zustand des niedrigen Widerstandes übergeht. Um diesem physikalischen
Verhalten Rechnung zu tragen, wird in einer Programmierschaltung
eine einstellbare Referenzstromquelle verwendet, um den Strom durch
das Widerstandsspeicherelement auf einen nicht schädlichen
Strom zu beschränken,
während
das Widerstandsspeicherelement programmiert wird. Da die Änderung
des Widerstandes des Widerstandsspeicherelementes von dem Zustand
des hohen Widerstandes zu dem Zustand des niedrigen Widerstandes
während
des Programmierens sehr kurz ist, führt der Strom durch das Widerstandsspeicherelement
zu einem Aufladen der parasitären
Kapazität
der Bitleitung, über
die das Widerstandsspeicherelement angesteuert wird. Aufgrund der
Kapazität
der Bitleitung ist der Strompuls durch das Widerstandsspeicherelement
während des
Ladens der Bitleitungskapazität
durch den Widerstandswert beim Zustand des niedrigen Widerstandes
des Widerstandsspeicherelementes, den Widerstand der Bitleitung
und den Widerstand eines Auswahltransistors, durch den das Widerstandsspeicherelement
mit der Bitleitung gekoppelt ist, bestimmt. Der Programmierstrom,
der durch die entsprechende Programmierschaltung geliefert wird
und der durch die Referenzstromquelle bestimmt ist, hat daher keinen
Einfluss auf den Strom, der durch das Widerstandsspeicherelement
während
der schnellen Änderung
seines Widerstandes fließt.
Der Strom, der durch das Widerstandsspeicherelement während der schnellen Änderung
seines Widerstandes fließt,
kann für
das Widerstandsspeicherelement schädlich sein, insbesondere, wenn
dieser für
eine Zeitdauer von mehr als 40 ns angelegt ist.
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Aus
der US 2004/01600798 ist eine Speicherschaltung mit einem Widerstandsspeicherelement,
das über
einen ersten Anschluss mit einem Plattenpotential verbunden ist
und über
einen zweiten Anschluss an eine Bitleitung anschließbar ist,
bekannt. Weiterhin enthält
die Speicherschaltung eine Programmierschaltung, um den Widerstand
des Widerstandsspeicherelements zu ändern.
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Aus
der
US 5,986,474 ist
eine Entlastungsschaltung bekannt, die ausgelegt ist, einen Entlastungsstrom
auf oder von einer Bitleitung zur Verfügung zu stellen, damit eine
Equilibrierung sichergestellt wird.
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Es
ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Speicherschaltung
und ein Verfahren zum Betreiben einer solchen Speicherschaltung
zur Verfügung
zu stellen, wobei eine Zeitdauer, während der der unbegrenzte Strom
durch das Widerstandsspeicherelement fließen kann, reduziert wird oder
ein solcher Spitzenstrom vermieden wird.
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Diese
Aufgabe wird durch die Speicherschaltung gemäß Anspruch 1 sowie durch das
Verfahren zum Betreiben einer Speicherschaltung gemäß Anspruch
21 gelöst.
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Weitere
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
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Gemäß einem
ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Speicherschaltung
vorgesehen, die ein Widerstandsspeicherelement aufweist, das mit
einem ersten Anschluss mit einem Plattenpotenzial verbunden ist,
wobei das Widerstandsspeicherelement in einen Zustand eines niedrigen
Widerstandes durch Anlegen einer Programmierspannung und in einen
Zustand eines hohen Widerstandes durch Anlegen einer Löschspannung
gebracht werden kann. Die Speicherschaltung umfasst weiterhin eine
Bitleitung, die mit einem zweiten Anschluss des Widerstandsspeicherelements
verbindbar ist, einen Programmierschaltkreis, der gestaltet ist,
um ein Programmiersignal, insbesondere eine Programmierspannung
und ein Programmierstrom, an das Widerstandsspeicherelement anzulegen,
um den Widerstand des Widerstandselementes zu ändern, insbesondere um das
Widerstandsspeicherelement in den Zustand des niedrigen Widerstandes
zu bringen, und eine Entlastungsschaltung, die gestaltet ist, um einen
Entlastungsstrom zu oder von der Bitleitung zur Verfügung zu
stellen, um eine Potenzialänderung des
Bitleitungspotenzials aufgrund der Änderung des Widerstands des
Widerstandsspeicherelementes, der durch das angelegte Programmiersignal
hervorgerufen wird, zu unterstützen.
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Die
Speicherschaltung gemäß der vorliegenden
Erfindung ist daher mit einer zusätzlichen Ladungsquelle (Entlastungsschaltung)
ausgestattet, die das Laden der Bitleitung während der schnellen Änderung
des Widerstands des Widerstandsspeicherelementes unterstützt und
daher die Reduzierung der Zeitdauer ermöglicht, während der ein hoher Strom durch
das Widerstandsspeicherelement fließt. Da die schnelle Änderung
des Widerstands des Widerstandsspeicherelements in einer Änderung des
Potenzials auf der Bitleitung führt,
mit der das Widerstandsspeicherelement gekoppelt ist, muss die Bitleitung
umgeladen werden, was aufgrund ihrer Kapazität nicht vernachlässigbar
ist, da die Bitleitung eine erhebliche Länge aufweist, da sie üblicherweise
mit einer größeren Anzahl
von Widerstandsspeicherelementen in einem modernen Speicherzellenfeld
verbunden ist. Die Entlastungsschaltung ist mit der Bitleitung verbunden
und stellt eine zusätzliche
Ladung zur Verfügung,
um die Potenzialänderung
der Bitleitung während
der schnellen Änderung
des Widerstands des Widerstandsspeicherelements zu unterstützen.
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Vorzugsweise
legt die Entlastungsschaltung den Entlastungsstrom während einer
bestimmten Zeitdauer an.
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Die
Entlastungsschaltung kann so vorgesehen sein, dass die Zeitdauer
beginnt, wenn nach dem Anlegen der Programmierspannung an das Widerstandsspeicherelement über die
Bitleitung ein Gradient der Spannung zwischen einem Bitleitungspotenzial
und dem Plattenpotenzial einen Schwellwert übersteigt.
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Weiterhin
kann die Entlastungsschaltung so vorgesehen sein, dass die Zeitdauer
beginnt, wenn nach dem Anlegen der Programmierspannung an das Widerstandsspeicherelement über die
Bitleitung eine Differenz zwischen der Programmierspannung und dem
Bitleitungspotenzial eine Schwelle übersteigt.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung kann die Entlastungsschaltung vorgesehen sein, so
dass die Zeitdauer nach einer bestimmten Zeit endet.
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Weiterhin
kann die bestimmte Zeit abhängig von
mindestens einem der folgenden Parameter bestimmt sein: die Programmierspannung,
die an das Widerstandsspeicherelement während des Programmierens angelegt
ist, dem Widerstandsänderungsgradienten
während
des Anlegens des Programmierstromes, die Differenz zwischen der
Programmierspannung und dem Bitleitungspo tenzial, der Kapazität der Bitleitung,
und der Widerstand der Bitleitung.
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Die
Entlastungsschaltung kann einen Schalter umfassen, um ein Entlastungspotenzial
mit der Bitleitung abhängig
von einem Entlastungssignal zu verbinden. Weiterhin kann die Entlastungsschaltung einen
Vergleicher umfassen, um eine Spannungsänderung zwischen einem Referenzpotenzial
und der Bitleitung zu detektieren, die von der Programmierspannung
abhängt
und die durch die Änderung des
Widerstands des Widerstandsspeicherelementes resultiert und um das
Entlastungssignal abhängig von
der Spannungsänderung
zu erzeugen.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung kann die Entlastungsschaltung weiterhin einen weiteren
Schalter umfassen, der in Reihe mit dem Schalter angeordnet ist,
und der während
einer bestimmten Zeitdauer geschlossen ist.
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Weiterhin
kann ein Auswahltransistor angeordnet sein, um das Widerstandsspeicherelement
mit der Bitleitung abhängig
von einem Aktivierungssignal wahlweise zu verbinden.
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Gemäß einer
weiteren Ausführungsform
der Erfindung umfasst der Entlastungsschaltkreis ein Dummy-Widerstandsspeicherelement,
wobei ein erster Anschluss des Dummy-Widerstandsspeicherelementes
mit einem Entlastungspotenzial verbunden ist und das mit der Bitleitung über einen
zweiten Anschluss des Dummy-Widerstandsspeicherelementes verbindbar
ist.
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Vorzugsweise
ist das Dummy-Widerstandselement baugleich oder ähnlich zu dem Widerstandselement
ausgebildet.
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Gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform der
Erfindung umfasst die Entlastungsschaltung weiterhin einen Entlastungstransistor,
um wahlweise das Dummy-Widerstandsspeicherelement mit der Bitleitung
zu verbinden.
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Ferner
kann ein Auswahltransistor vorgesehen sein, um wahlweise das Widerstandsspeicherelement
mit der Bitleitung abhängig
von einem Aktivierungssignal zu verbinden.
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Die
Entlastungsschaltung kann eine Steuerschaltung umfassen, um den
Entlastungstransistor gleichzeitig mit der Aktivierung des Auswahltransistors
zu aktivieren, so dass das Dummy-Widerstandsspeicherelement
mit der Bitleitung verbunden wird, wenn die Programmierschaltung
den Widerstand des Widerstandsspeicherelements ändert.
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Gemäß einer
weiteren Ausführungsform kann
die Steuerschaltung einen Löschschaltkreis umfassen,
der ausgebildet ist, um das Dummy-Widerstandsspeicherelement auf
einen Hoch-Widerstandszustand
zu löschen,
nachdem das Widerstandsspeicherelement programmiert worden ist.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum
Betreiben einer Speicherschaltung vorgesehen, wobei die Speicherschaltung
ein Widerstandsspeicherelement, das mit einem ersten Anschluss mit
einem Plattenpotenzial verbunden ist, und eine Bitleitung umfasst,
die mit einem zweiten Anschluss des Widerstandsspeicherelements
verbindbar ist, und wobei das Verfahren die Schritte aufweist: Anlegen
eines Programmiersignals an das Widerstandsspeicherelement, um seinen
Widerstand zu ändern,
und Bereitstellen eines Entlastungsstromes auf die oder von der
Bitleitung, so dass eine durch eine Änderung des Widerstandes des
Widerstandsspeicherelements hervorgerufene Umladung der Bitleitung
unterstützt
wird.
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Vorzugsweise
wird der Entlastungsstrom während
einer bestimmten Zeitdauer angelegt. Die Start der Zeitdauer kann
sein, wenn nach dem Anlegen der Programmierspannung an das Widerstandsspeicherelement über die
Bitleitung ein Gradient der Spannung zwischen einem Bitleitungspotenzial
und dem Plattenpotenzial einen Schwellwert übersteigt. Der Start der Zeitdauer
kann weiterhin sein, wenn nach dem Anlegen der Programmierspannung
an das Widerstandsspeicherelement über die Bitleitung eine Differenz
zwischen der Programmierspannung und einem Bitleitungspotenzial
eine Schwelle übersteigt.
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Insbesondere
kann die Zeitdauer nach einer bestimmten Zeit enden, wobei die bestimmte
Zeit abhängig
von mindestens einem der folgenden Parameter bestimmt ist: die Programmierspannung,
die an das Widerstandsspeicherelement während des Programmierens angelegt
ist; dem Widerstandsänderungsgradienten
während
des Anlegens des Programmierstromes; die Differenz zwischen der
Programmierspannung und dem Bitleitungspotenzial; der Kapazität der Bitleitung;
und der Widerstand der Bitleitung.
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Bevorzugte
Ausführungsformen
und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden durch die nachfolgende
Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen näher erläutert, in
denen:
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1 eine
schematische Querschnittsansicht eines Widerstandsspeicherelements
zeigt, das in der vorliegenden Erfindung benutzt wird;
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2 eine
Spannungsstromkennlinie für
das Widerstandsspeicherelement, das in 1 gezeigt ist,
darstellt;
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3 ein
schematisches Diagramm einer Speicherschaltung, die zum Programmieren
einer Widerstandsspeicherzelle mit einem Widerstandsspeicherelement
vorgesehen ist, zeigt;
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4 ein
Zellenstrom-Zeit-Diagramm darstellt, das den Zellenstrom durch das
Widerstandsspeicherelement während
des Programmierens zeigt;
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5 ein
Blockdiagramm einer Speicherschaltung gemäß einer ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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6 ein
Blockdiagramm einer Speicherschaltung gemäß einer zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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7 ein
schematisches Diagramm einer Speicherschaltung gemäß einer
dritten Ausführungsform
der Erfindung zeigt;
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8 ein
schematisches Diagramm einer Speicherschaltung gemäß einer
vierten Ausführungsform
der Erfindung zeigt;
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9 eine
Zellenstrom-Zeit-Kennlinie darstellt, die die Zellenströme einer
herkömmlichen Speicherschaltung
und einer Speicherschaltung gemäß der vorliegenden
Erfindung zeigt.
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1 stellt
eine schematische Querschnittsansicht eines Widerstandsspeicherelementes 1 dar, das
vorzugsweise in der vorliegenden Erfindung benutzt wird. Das Widerstandsspeicherelement 1 umfasst
einen Festkörperelektrolytbereich 2,
der zwischen zwei Elektroden 3 angeordnet ist, wobei eine Elektrode
ein leitfähiges
Material, wie z.B. Silber, aufweist, dessen Ionen in das Material
des dielektrischen Bereiches 2 eindringt, wenn ein entsprechendes
elektrisches Feld angelegt ist. Leitfähige Ionen, die in dem dielektrischen
Bereich 2 angeordnet sind, können einen leitfähigen Pfad
zwischen den Elektroden 3 bilden, so dass der Widerstand
des Widerstandsspeicherelements niedrig ist. Durch Anlegen eines
inversen elektrischen Feldes an den Elektroden des Widerstandsspeicherelementes 1 wird
der leitfähige
Pfad zurückgebildet,
indem die leitfähigen Ionen
zurück
zu der entsprechenden Elektrode 3 gedrängt werden. Dadurch wird der
leitfähige
Pfad aufgelöst,
so dass der Widerstand des Widerstandsspeicherelementes ansteigt.
Widerstandsspeicherelemente auf der Basis eines Chalkogenidmaterials werden
auch CBRAM-Speicherelemente (CBRAM: Conductive Bridging RAM), PMC
Memory Elements (PMC: Programmable Metallization Cell) o.ä. bezeichnet.
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Es
ist beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung sich auf Speicherschaltungen
bezieht, die Widerstandsspeicherelemente verwenden, die durch Anlegen
eines Programmiersignals, insbesondere einer Programmierspannung
und eines Programmierstromes programmiert werden können und
die ihre Widerstände ändern, während das
Programmiersignal angelegt ist.
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In 2 ist
ein Zellenstrom-Spannungs-Diagramm gezeigt, das die Hysterese des
resultierenden Stroms in einem Widerstandsspeicherelement zeigt,
wenn eine Programmierspannung angelegt ist. Es wird angemerkt, dass
die Übergänge zwischen dem
Zustand des hohen Widerstandes und dem Zustand des niedrigen Widerstandes
ziemlich kurz sind, d.h. die Änderung
des Widerstandswertes des Widerstandsspeicherelements verläuft ziemlich
schnell, wenn eine Spannung oberhalb der entsprechenden Programmierschwellspannung
VTH1 bzw. unterhalb einer Löschschwellspannung
VTH2 angelegt wird.
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In 3 ist
schematisch eine Speicherschaltung 10 gemäß dem Stand
der Technik dargestellt. Die Speicherschaltung 10 umfasst
eine Speicherzelle 11, eine Bitleitung 12, an
die die Speicherzelle 11 und weitere Speicherzellen (nicht
gezeigt) angeschlossen sind, und eine Programmierschaltung 13, die
mit der Bitleitung 12 verbunden ist und die zum Programmieren
der Speicherzelle 11 vorgesehen ist.
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Die
Speicherzelle 11 umfasst ein Widerstandsspeicherelement 14 und
einen Auswahltransistor 15, die in Reihe geschaltet sind.
Im Detail ist der erste Anschluss des Widerstandsspeicherelements 14 mit
einem Plattenpotenzial PL verbunden, das durch eine gemeinsame Platte
oder durch eine Plattenleitung (nicht gezeigt) zur Verfügung gestellt wird.
Ein zweiter Anschluss des Widerstandsspeicherelements 14 ist
mit einem ersten Anschluss des Auswahltransistors 15 verbunden.
Ein zweiter Anschluss des Auswahltransistors 15 ist mit
der Bitleitung 12 verbunden. Ein Gate-Anschluss, der zum Steuern
des Auswahltransistors 15 vorgesehen ist, ist mit einer
Wortleitung 16 verbunden, an der ein Aktivierungssignal 16 angelegt
werden kann, um den Auswahltransistor 15 zu öffnen und
zu schließen.
Der zweite Anschluss des Auswahltransistors 15 ist mit der
Bitleitung 12 verbunden. Die Polarität des Widerstandsspeicherelements 14 ist
so gewählt,
dass ein Programmieren auf einen Zustand eines niedrigen Widerstandes
durchgeführt
wird, wenn eine positive Spannung zwischen dem ersten und dem zweiten Anschluss
des Widerstandsspeicherelements 14 angelegt wird und ein
Löschen
auf einen Zustand eines hohen Widerstandes ausgeführt wird,
wenn eine negative Spannung daran angelegt wird.
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Die
Bitleitung 12 ist mit einer Programmierschaltung 13 verbunden,
die eine schaltbare Stromquelle aufweist, die als Stromspiegelschaltung
ausgestaltet ist, um einen vorbestimmten Programmierstrom IProg zur Verfügung zu stellen. Die Stromspiegelschaltung 17 weist
eine Referenzstromquelle 19 auf, um einen Referenzstrom
IRef zur Verfügung zu stellen, der als Programmierstrom
IProg in einen Strompfad gespiegelt wird,
der mit der Bitleitung 12 verbindbar ist. Die Stromspiegelschaltung 17 weist einen
ersten Spiegeltransistor auf, dessen erster Anschluss mit der Referenzstromquelle 19 verbunden ist
und dessen zweiter Anschluss mit einer Programmierspannungsquelle
verbunden ist, die eine Programmierspannung VBLProg zur
Verfügung
stellt. Ein Gate-Anschluss des ersten Spiegeltransistors ist mit dessen
Drain-Anschluss verbunden. Ein zweiter Spiegeltransistor weist einen
Gate-Anschluss auf, der mit dem ersten Anschluss des ersten Spiegeltransistors
verbunden ist. Ein erster Anschluss des zweiten Spiegeltransistors
ist mit einem Schreibtransistor 18 und ein zweiter Anschluss
mit einem Programmierpotenzial VBLProg verbunden.
Zwischen der Bitleitung 12 und der Stromspiegelschaltung 17 ist der
Schreibtransistor 18 angeordnet, der den Programmierstrom
an die Bitleitung 12 anlegt oder von dieser trennt, abhängig von
einem Schreibsignal, das angibt, dass die adressierte Widerstandsspeicherzelle
beschrieben werden soll oder nicht. Zum Beschreiben einer Widerstandsspeicherzelle
wird der Schreibtransistor 18 geschlossen, so dass das
Programmierpotenzial VBLProg an die Bitleitung
angelegt wird. Da das Widerstandsspeicherelement 14 in
seinem Zustand des hohen Widerstandes im Wesentlichen keinen Stromfluss
durch das Widerstandsspeicherelement 14 zulässt, wird
das Programmierpotenzial auf die Bitleitung 12 angelegt,
so dass die Programmierspannung (Spannungsdifferenz zwischen Programmierpotenzial
und dem Plattenpotenzial) an dem Widerstandsspeicherelement 14 bereitgestellt wird.
Die Programmierspannung führt
zu einem Programmieren des Widerstandsspeicherelementes, so dass
sich sein Widerstandszustand auf einen Zustand des niedrigen Widerstandes ändert. In
diesem Zustand arbeitet die Programmierschaltung 13 als eine
Stromquelle und begrenzt den Strom, der durch das Widerstandsspeicherelement 14 fließt, wenn dessen
Widerstand abnimmt. Somit arbeitet die Programmierschaltung 13 als
eine Programmierspannungsquelle, die mit der Bitleitung 12 verbunden
ist, und die automatisch zum Stromquellenbetrieb umschaltet, wenn
der Widerstand des Widerstandsspeicherelementes einen bestimmten
Widerstand unterschreitet. Von da an muss der Strom durch das Widerstandsspeicherelement 14 durch
die Stromquellenfunktionalität
der Programmierschaltung 13 begrenzt werden.
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In
den Figuren ist die Bitleitung 12 als ein Kästchen dargestellt,
das mit einer gepunkteten Linie gekennzeichnet ist. Der elektrische
Widerstand der Bitleitung 12 ist durch den Bitleitungswiderstand 121 und
die Kapazität
der Bitleitung 12 durch die Bitleitungskapazität 122 angegeben.
Neben der Programmierschaltung 13 kann an die Bitleitung
auch eine nicht gezeigte Leseschaltung angeschlossen sein, die ein
Auslesen der betreffenden Speicherzellen vornehmen kann.
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Die
Programmierschaltung 13 kann mit der Bitleitung 12 direkt
oder über
einen Spaltenauswahltransistor (nicht gezeigt) verbunden sein. Eine
Programmierschaltung 13 kann für eine Anzahl von Bitleitungen
verwendet werden, die jeweils mit einem entsprechenden, mit einem
Spaltenauswahlsignal ansteuerbaren Spaltenauswahltransistor verbunden ist,
um die Programmierschaltung selektiv mit der entsprechenden Bitleitung
zu verbinden.
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Wenn
ein Zustand auftritt, in dem das Widerstandsspeicherelement 14 sich
in einem Zustand des hohen Widerstandes befindet und ein Programmieren
der Widerstandsspeicherzelle 11 durch geführt werden
soll, wird der Auswahltransistor über die Wortleitung 16 so
gesteuert, dass er geschlossen wird, um den zweiten Anschluss des
Widerstandsspeicherelementes 14 mit der Bitleitung 12 zu
verbinden. Nach dem Schließen
des Auswahltransistors 15 wird der Schreibtransistor 18 durch
Anlegen des entsprechenden Schreibsignals PROG geschlossen. Dadurch
wird die Programmierspannung VBLProg über die
Bitleitung 12 an die Widerstandsspeicherzelle 11 angelegt.
Da das Widerstandsspeicherelement 14 sich in einem Zustand
des hohen Widerstandes befindet, wird die Programmierspannung an
das Widerstandsspeicherelement 14 angelegt, die die Programmierschwellspannung
VTH1 wie in Verbindung mit 2 beschrieben
wurde, übersteigt.
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Das
Anlegen der Programmierspannung an dem Widerstandsspeicherelement 14 führt zu einer schnellen Änderung
des Widerstands des Widerstandsspeicherelementes 14. Aufgrund
der schnellen Änderung
des Widerstands des Widerstandsspeicherelementes 14 steigt
der Strom durch das Widerstandsspeicherelement 14 in Folge
schnell an. Das entsprechende Potenzial auf der Bitleitung 12,
zum Beispiel an einem gedachten Knoten N zwischen der Widerstandsspeicherzelle 11 und
der Bitleitung 12 wird sich daher auch ändern, da das Widerstandsspeicherelement 14,
der Auswahltransistor 15 und der Bitleitungswiderstand
RBL einen Spannungsteiler bilden, so dass
das Bitleitungspotenzial, z.B. an dem Knoten N der schnellen Änderung
des Widerstands des Widerstandsspeicherelements folgen wird. Aufgrund
der Bitleitungskapazität
muss die Änderung des
Potenzials auf der Bitleitung 12 durch den Programmierstrom,
der durch die Programmierschaltung 13 zur Verfügung gestellt
wird, unterstützt
werden.
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Da
die Stromänderung
durch das Widerstandsspeicherelement 14 im Allgemeinen
zu schnell stattfindet, um vollständig durch die Treiberfähigkeit der
Programmierschaltung 13 während des Schaltens unterstützt zu werden,
erfolgt das Umladen der Bitleitungskapazität nicht unmittelbar, sondern
abhängig
von dem Programmierstrom IProg, der durch die
Programmierschaltung 13 zur Verfügung gestellt wird. Die plötzliche Änderung
des Stroms, der durch das Widerstandsspeicherelement 14 fließt, kann
das Widerstandsspeicherelement 14 beschädigen, wenn es für eine Zeitdauer
angelegt ist, die größer als
eine bestimmte Zeitdauer ist.
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In 4 ist
ein Zellenstrom-Zeit-Diagramm dargestellt, wobei die Kennlinie des
Zellenstroms ICell der aus einer Änderung
des Widerstands des Widerstandsspeicherelementes 14 resultiert,
beispielhaft dargestellt ist. In dem gezeigten Beispiel kann man sehen,
dass der Spitzenstrom einen Stromwert erreicht, der mehr als das
2,5-fache des Programmierstromes beträgt, der zum Programmieren der
Widerstandsspeicherzelle 11 angelegt ist. In dem angegebenen
Beispiel beträgt
die Zeitdauer, während
der der höhere
Strom angelegt ist, ungefähr
42 ns.
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Um
die Zeit zu reduzieren, während
der der hohe Strom durch das Widerstandsspeicherelement 14 aufgrund
des Programmierens der Widerstandsspeicherzelle 11 fließt, wird
eine Entlastungsschaltung 20 mit der Bitleitung 12 gekoppelt,
die gestaltet ist, um einen zusätzlichen
Strom (einen Entlastungsstrom) zur Verfügung zu stellen, um die Änderung des
Bitleitungspotenzials so zu unterstützen, dass das Bitleitungspotenzial
schneller umgeladen wird, als es durch lediglich die Referenzstromquelle 17 der Programmierschaltung 13 möglich wäre.
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In 5 ist
eine erste Ausführungsform
einer Speicherschaltung gemäß der vorliegenden
Erfindung dargestellt. In den folgenden Ausführungsformen bezeichnen dieselben
Bezugszeichen dieselben Elemente oder Elemente mit vergleichbarer
Funktion. Eine Entlastungsschaltung 20 ist vorgesehen,
die mit der Bitleitung 12 nahe der Widerstandsspeicherzelle 11,
nahe der Programmierschaltung 13 oder nahe einer anderen
Position an der Bitleitung anschließbar ist. In den angegebenen Beispielen
ist die Entlastungsschaltung 20 nahe des Knotens N angeordnet,
der entlang der Bitleitung 12 angeordnet ist. Weiterhin
kann eine Datenleitung (nicht gezeigt) vorgesehen werden, mit der
die Programmierschaltung 13 verbunden ist, wobei die Bitleitungen
mit der Datenleitung direkt oder über entsprechende Adressierungsschalter
verbunden werden können,
z.B. in Form von Spaltenauswahltransistoren.
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Um
weitere Einflüsse
der Entlastungsschaltung 20 auf den Betrieb der Speicherschaltung 10 zu vermeiden,
wird die Entlastungsschaltung an die Bitleitung 12 lediglich
während
der Zeit angeschlossen, in der der Zellenstrom durch das Widerstandsspeicherelement 14 den
Programmierstrom, der durch die Programmierschaltung 13 angelegt
wird, übersteigt.
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In 6 ist
eine zweite Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die Entlastungsschaltung 20 ausführlicher
dargestellt ist. Die Entlastungsschaltung 20 umfasst einen
Entlastungstransistor 21, der mit einem Entlastungspotenzial
VBleed vorzugsweise dem Plattenpotenzial über einen ersten
Anschluss verbunden ist und über
einen zweiten Anschluss mit der Bitleitung 12 verbunden
ist. Ein Gate-Anschluss
des Entlastungstransistors 21 ist mit einer Steuerschaltung 22 verbunden,
die den Entlastungstransistor 21 steuert, um das Entlastungspotenzial
VBleed mit der Bitleitung 12 zu
verbinden oder von dieser zu trennen. Anstelle des Plattenpotenzials kann
jedes andere geeignete Potenzial verwendet werden, das die Potenzialänderung,
die durch die schnelle Änderung
des Widerstands des Widerstandsspeicherelementes 12 auf
der Bitleitung 12 resultiert. Die Steuerschaltung 22 schließt den Entlastungstransistor 21 zu
einem Zeitpunkt, wenn die Widerstandsänderung des Widerstandsspeicherelementes 12 auftritt
und öffnet
vorzugsweise den Entlastungstransistor 21, wenn der Zellenstrom
durch das Widerstandsspeicherelement 14 den Programmierstrom,
der von der Programmierschaltung 13 zur Verfügung gestellt
wird, erreicht oder sich diesem angenähert hat.
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Die
Steuerschaltung 22 kann eine vorgegebene Zeitsteuerung
zur Verfügung
stellen, um den Entlastungstransistor 21 zu aktivieren
oder zu deaktivieren oder kann den Entlastungstransistor 21 abhängig von
elektrischen Zuständen
in der Speicherschaltung 10 steuern.
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In 7 ist
eine dritte Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung dargestellt. Um die Entlastungsschaltung 20 zu
einem bestimmten Zeitpunkt einzuschalten, kann ein Vergleicher 25 verwendet werden.
Der Vergleicher 25 empfängt
eine Referenzspannung VRef, die vorzugsweise
auf die Programmierspannung mit einem ersten Eingang verbunden ist.
Ein zweiter Eingang des Vergleichers 25 ist mit der Bitleitung 12 verbunden,
um das Bitleitungspotenzial zu empfangen. Der Vergleicher 25 ist
so gestaltet, dass er das Anlegen des Programmierpotenzials detektiert,
wobei der Vergleicher 25 den Entlastungstransistor 21 schließt, um einen
zusätzlichen Strom
an der Bitleitung 12 anzulegen, solange das Potenzial der
Bitleitung 12 noch nicht das Programmierpotenzial erreicht
hat. Die Referenzspannung VRef kann so eingestellt
sein, dass der Entlastungstransistor 21 geschlossen wird,
wenn das Bitleitungspotenzial das Programmierpotential um mehr als eine
Schwellspannung überschreitet
und bleibt geschlossen, bis das Bitleitungspotenzial sich an einen Wert
dem Programmierpotenzial angenähert
hat, bei dem das Bitleitungspotential nur noch lediglich um die
Schwellspannung von dem Programmierpotential abweicht. Dadurch kann
die Zeitdauer, während
der das Entlastungspotenzial an der Bitleitung angelegt ist, erhöht werden.
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Anstelle
oder zusätzlich
zu dem Vergleicher 25 kann ein Gradientendetektor (nicht
gezeigt) vorgesehen sein, der die Steigung (Gradienten) der Änderung
des Bitleitungspotentials detektiert und den Entlastungstransistor 21 ansteuert,
so dass dieser geschlossen wird, wenn die Steigung der Änderung des
Bitleitungspotentials einen Steigungsschwellwert übersteigt.
In jeder Ausführungsform
kann der Entlastungstransis tor 21 geöffnet werden (durch den Gradientendetektor
oder dergleichen), so dass dieser nach einer bestimmten Zeit geöffnet wird.
Die bestimmte Zeit kann von mindestens einem der folgenden Parameter
abhängen:
Programmierpotential, Widerstandsänderung, Programmierstrom,
Differenz zwischen Programmierpotential und Bitleitungspotential,
die Bitleitungskapazität,
und der Bitleitungswiderstand.
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Um
weitere Einflüsse
der Entlastungsschaltung 20 auf den Betrieb der Speicherschaltung 10 zu vermeiden,
kann die Entlastungsschaltung mit der Bitleitung 12 lediglich
während
der Zeit verbunden werden, während
der der Zellenstrom durch das Widerstandsspeicherelement 14 den
Programmierstrom, der durch die Programmierschaltung 13 angelegt
ist, übersteigt.
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In 8 ist
eine weitere Option, eine Entlastungsschaltung 20 zu realisieren,
dargestellt, wobei ein Dummy-Widerstandsspeicherelement
verwendet wird, das in Reihe mit einem weiteren Entlastungstransistor 31 geschaltet
ist. Das Dummy-Widerstandsspeicherelement 30 ist mit einem
ersten Anschluss mit dem Plattenpotenzial PL und mit einem zweiten
Anschluss mit einem ersten Anschluss des weiteren Entlastungstransistors 31 verbunden.
Ein zweiter Anschluss des Entlastungstransistors 31 ist mit
der Bitleitung 12 verbunden. Ein Gate-Anschluss des weiteren
Entlastungstransistors 31 ist über eine Dummy-Wortleitung 32 mit
einer Steuerschaltung 35 verbunden. Während des Programmierens der
Widerstandsspeicherzelle 11 aktiviert das Aktivierungssignal
auf der Wortleitung 16 (das durch eine nicht dargestellte
Adressierungslogik zur Verfügung
gestellt wird) den Auswahltransistor 15, um das Widerstandsspeicherelement 14 mit
einer Bitleitung 12 zu verbinden. Im Wesentlichen gleichzeitig
erzeugt die Steuerschaltung 35, die mit der Adressierungslogik verbunden
ist, ein Dummy-Aktivierungssignal DWL auf der Dummy-Wortleitung 32,
das den weiteren Entlastungstransistor 31 aktiviert, um
das Dummy-Widerstandsspeicherelement 30 mit der Bitleitung 12 zu
verbinden.
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Das
Verbinden wird so ausgeführt,
dass die Programmierschaltung 13 das Widerstandsspeicherelement 14 programmiert
und die Dummy-Widerstandsspeicherzelle 30 ihren Widerstandszustand annähernd gleichzeitig
von dem Zustand des hohen Widerstandes zu dem Zustand des niedrigen
Widerstandes ändern.
Die Steuerschaltung 35 umfasst weiterhin eine Löschschaltung 36,
die mit dem Dummy-Widerstandsspeicherelement 30 verbunden
ist, um das Dummy-Widerstandsspeicherelement 30 zu löschen, nachdem
es zum Programmieren eines Widerstandsspeicherelementes 14 verwendet
worden ist, d.h. das Dummy-Widerstandsspeicherelement 30 wird
wieder zu dem Zustand des hohen Widerstandes gebracht. Dadurch ist
die Gesamtwiderstandsänderung
der Widerstandsspeicherelemente 14, 30 beim Programmieren
niedriger, so dass die Potenzialänderung
auf der Bitleitung (d.h. das Umladen) niedriger ausfällt, verglichen
mit den zuvor beschriebenen Ausführungsformen.
Der resultierende Effekt besteht darin, dass die Kapazität der Bitleitung
sowohl durch den Zellenstrom als auch durch den Strom durch das
Dummy-Widerstandsspeicherelement 30 der Entlastungsschaltung 20 umgeladen wird.
Dies führt
zu einer verringerten Umladezeit der Kapazität der Bitleitung und infolge
zu einer Verringerung der Zeit, während der die hohe Stromspitze durch
das Widerstandsspeicherelement fließt.
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Um
den Umladeeffekt während
der Verwendung des Dummy-Widerstandsspeicherelementes 30 zu
verbessern, können
mehrere Dummy-Widerstandsspeicherelemente 30 verwendet
werden, die mit der Bitleitung über
einen einzigen weiteren Entlastungstransistor 31 verbunden
sind.
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In 9 ist
ein Zellenstrom-Zeit-Diagramm dargestellt, das den Effekt der Verwendung
einer Entlastungsschaltung gemäß einer
der zuvor beschriebenen Ausführungsformen
zeigt. Da das Umladen der Bitleitung durch einen zusätzlichen
Strom unterstützt
wird, der durch die Entlastungsschaltung zur Verfügung gestellt
wird, wird die Dauer der Stromspitze durch das Wi derstandsspeicherelement 14 reduziert,
so dass der Programmierstrom schneller erreicht wird. Verglichen
zu dem Zellenstrom-Zeit-Diagramm der 4 ist die
Zeitdauer, während
der der hohe Zellenstrom durch das Widerstandsspeicherelement 14 fließt, auf
eine Zeitdauer von ungefähr
26 ns reduziert.