DE102005039182A1

DE102005039182A1 - Niedrigeinführkraft-Steckverbinderteil, Verfahren zum Herstellen desselben und Substrat für dasselbe

Info

Publication number: DE102005039182A1
Application number: DE102005039182A
Authority: DE
Inventors: Kyoko Suzuki; Minoru Ikeda; Tomohiro Shimada
Original assignee: Yazaki Corp
Current assignee: Yazaki Corp
Priority date: 2004-08-18
Filing date: 2005-08-18
Publication date: 2006-03-09
Also published as: US20060040569A1; US7104850B2

Abstract

Die Erfindung stellt Niedrigeinführkraft-Steckverbinderteile bereit. Eine selbstassemblierte Monoschicht ist auf der Oberfläche von den Steckverbinderteilen abgeschieden. Die beschichteten Steckverbinderteile erfordern keinen speziellen Hebel zum Einstellen des Kontaktdrucks. Die Steckverbinderteile sind leicht ohne Kostenerhöhung herzustellen und von geringer Größe. Sie erhöhen nicht den Kontaktwiderstand, und sie sind mit geringer Einführkraft leicht miteinander zu verbinden, so dass sie als Steckverbinder von Fahrzeugen angewandt werden.

Description

Die Erfindung betrifft ein Niedrigeinführkraft-Steckverbinderteil, ein Verfahren zum Herstellen desselben und ein Substrat für dasselbe.
Höchstleistungen von elektrischen Geräten und die Diversifikation von Fahrzeuggeräten verlangen mehr Steckverbinderteile.
Dies verursacht eine große Kraft, um die Steckverbinder zu verbinden. Es ist dann erforderlich, die Kraft, um sie zu verbinden, zu reduzieren.

JP-2002-110276-A, JP-2001-257022-A und JP-H05-121128-A offenbaren eine Kraftreduktion von Steckverbinderteil-Federn, um die Kontaktkraft zu reduzieren. Dies jedoch verursacht einen Anstieg des Kontaktwiderstands.

JP-2002-280112-A und JP-2001-237026-A offenbaren einen Steckverbinder, welcher mit einem Hebel zusammengedrückt wird, nachdem die Steckverbinder mit niedriger Zusammendrückkraft miteinander verbunden worden sind. Dies führt jedoch zu einem Anstieg der Kosten.

Um die Gleitreibung zu reduzieren, wird auf die Gleitfläche von einem Steckverbinderteil ein Schmiermittel, wie z.B. Öl, angewandt oder ein Mehrschichtüberzug geformt. Diese Verfahren ergeben jedoch keine ausreichenden Effekte, aber führen zu einem Anstieg der Kosten.

JP-2002-088496-A und JP-H11-317253-A offenbaren eine Anwendung eines MoS₂ Schmierfilms auf der Gleitfläche von einem Steckverbinderteil. Dies jedoch verursacht einen Anstieg des Kontaktwiderstandes.

Ein Ziel der Erfindung ist das Bereitstellen eines Niedrigeinführkraft-Steckverbinderteils. Das Steckverbinderteil ist leicht herzustellen und mittels einer signifikant niedrigen Kraft ohne Verwendung eines Einstellhebels mit einem anderen Steckverbinderteil zu verbinden. Das Steckverbinderteil verursacht keinen Anstieg des Kontaktwiderstands.

Gemäß Anspruch 1 der Erfindung weist ein Niedrigeinführkraft-Steckverbinderteil eine selbstassemblierte Monoschicht (SAM) auf der Gleitfläche davon auf.

Gemäß Anspruch 4 der Erfindung weist ein Verfahren zum Herstellen eines Niedrigeinführkraft-Steckverbinderteils einen Schritt des Formens einer selbstassemblierten Monoschicht auf der Gleitfläche davon auf.

Gemäß Anspruch 7 der Erfindung weist ein Substrat für ein Niedrigeinführkraft-Steckverbinderteil eine selbstassemblierte Monoschicht auf der Gleitfläche davon auf.

1 zeigt ein XPS (Röntgen-Photoelektronen-Spektroskopie) Spektrum eines nicht beschichteten Substrats,
2A zeigt ein vergrößertes Spektrum von dem Kohlenstoff C1s Peak,
2B zeigt ein vergrößertes Spektrum des Sauerstoff O1s Peaks,
2C zeigt ein vergrößertes Spektrum des Zinn Sn3d Peaks,
2D zeigt ein vergrößertes Spektrum des Kupfer Cu2p Peaks,
2E zeigt ein vergrößertes Spektrum des Schwefel S2t Peaks,
3 zeigt ein XPS Spektrum von einem beschichteten Substrat aus Beispiel 1,
4A zeigt ein vergrößertes Spektrum des Kohlenstoff C1s Peaks,
4B zeigt ein vergrößertes Spektrum des Sauerstoff O1s Peaks,
4C zeigt ein vergrößertes Spektrum des Zinn Sn3d Peaks,
4D zeigt ein vergrößertes Spektrum des Schwefel S2p Peaks,
5 zeigt die Änderung des Kontaktwiderstandes über der Kontaktkraft für das beschichtete Substrat A und das nicht beschichtete Substrat aus Beispiel 1,
6 stellt ein Verfahren zum Messen des Reibungswiderstandes dar,
7A zeigt den Reibungskoeffizienten über der Verschiebung für das nicht beschichtete Substrat aus Beispiel 1, wobei die Messung zweimal durchgeführt wurde,
7B zeigt den Reibungskoeffizienten über der Verschiebung für das beschichtete Substrat aus Beispiel 1, wobei die Messung zweimal durchgeführt wurde,
8 zeigt ein Auger-Elektronen-Spektroskopie (AES) Spektrum für ein beschichtetes Substrat aus Beispiel 2,
9 zeigt eine Änderung der Last über der Gleitdistanz, wenn konventionelle Steckverbinder miteinander verbunden werden,
10 zeigt, dass das Steckteil von einem Stecker in die Feder von einer Buchse eingeführt wird, wenn die konventionellen Steckverbinder miteinander verbunden werden,
11 zeigt die Laständerung, wenn die Steckverbinder in Beispiel 2 miteinander verbunden werden,
12A zeigt ein XPS Spektrum von einem beschichteten Substrat aus Beispiel 3,
12B zeigt ein vergrößertes Spektrum von dem Kohlenstoff C1s Peak,
12C zeigt ein vergrößertes Spektrum von dem Schwefel S2p Peak,
13A zeigt ein XPS Spektrum von einem nicht beschichteten Substrat aus Beispiel 3,
13B zeigt ein vergrößertes Spektrum des Kohlenstoff C1s Peaks,
13C zeigt ein vergrößertes Spektrum von dem Schwefel S2c Peak, und
14 zeigt den Kontaktwiderstand über der Kontaktkraft für das beschichtete Substrat und das nicht beschichtete Substrat.
Eine selbstassemblierte Monoschicht gemäß der Erfindung ist mittels einer chemischen Bindung von organischen Molekülen mit Metallen der Steckverbinderteil-Oberfläche auf der Steckverbinderteil-Oberfläche geformt. Die organischen Moleküle bilden eine Monoschicht, welche aus über van der Waals Kräfte ausgerichteten bzw. orientierten Molekülen besteht. Die selbstassemblierte bzw. selbstorganisierte Monoschicht ist dicht und fest und gibt einen niedrigen Reibungswiderstand und einen hohen Flächenschutz.
Die selbstassemblierte Monoschicht ist zumindest auf der Gleitfläche von dem Steckverbinderteil-Metall, wie z. B. Kupfer, einschließlich Kupferlegierungen, Gold, Silber, Zinn oder einem Überzug davon, geformt.
Ein Substrat aus Kupfer oder einer Kupferlegierung, welches billig und hoch leitend ist, wird verwendet, und eine Zinnschicht wird mittels Plattieren auf der Oberfläche von dem Substrat geformt. Der Oxidfilm der Zinnschicht ist dünn und leicht abzulösen, so dass leicht eine frische metallene Oberfläche erhalten wird.
Wenn die Gleitfläche von dem Steckverbinderteil-Metall verschmutzt, oxidiert oder sulfuriert ist, ist die Ausbildung der selbstassemblierten Monoschicht sehr beeinträchtigt, so dass ein Reinigen notwendig ist, um das Metalloxid und das Metallsulfid zu entfernen. Zum Reinigen werden saure Lösungen, wie z. B. Schwefelsäure, Salzsäure und Salpetersäure, verwendet.
Der Film des Zinnoxids ist stärker (dichter) als der des Kupferoxids, so dass es erstrebenswert ist, zum Reinigen der Fläche, welche Zinn aufweist, Salpetersäure zu verwenden.
Andere Säuren als Salpetersäure können Oxide kaum entfernen. Sie erzeugen nach der Entfernung der Oxide Nebenprodukte und verursachen einen Anstieg der Oberflächenrauhigkeit. Die Nebenprodukte verhindern die Ausbildung der selbstassemblierten Monoschicht, so dass die Reibungsreduktion verhindert wird.
Zum Reinigen der Zinnfläche ist es erstrebenswert eine Salpetersäurekonzentration von 13Ma% bis 17Ma% bei einer Reinigungszeit von 8 bis 13 Sekunden zu verwenden. Es ist erstrebenswert die Lösung während dem Reinigen der Zinnfläche zu rühren. Unter dieser Bedingung wird der beste Zustand der Zinnfläche zum Formen der selbstassemblierten Monoschicht bereitgestellt.
Ferner kann zumindest ein Reinigungsverfahren mit einem Lösemittel, Wasser oder einer alkalischen Flüssigkeit vor und nach dem Säurereinigungsprozess mit diesem kombiniert werden.
Wenn die Gleitfläche mit Gold, Platin oder Palladium geformt ist, welche kaum Oxide oder Sulfide auf der Oberfläche davon formen, ist es möglich das Reinigen auszulassen. Jedoch, wenn Rost bzw. Moderflecken, wie z. B. organische Substanzen, an der Metalloberfläche anhaften, ist es erstrebenswert die Fläche vor dem Herstellen der selbstassemblierten Monoschicht zu reinigen, um nachteilige Effekte auf die Eigenschaften von der Monoschicht, wie z. B. die Ausrichtung, zu vermeiden.
Organische Moleküle zum Formen bzw. Ausbilden der selbstassemblierten Monoschicht auf der Metalloberfläche weisen Adsorptionsfunktionsgruppen auf. Spezifische Absorptionsfunktionsgruppen sind organische Thiolsubstanzen (R₁SH) mit einem Thiolradikal, Disulfidverbindungen (R₁SSR₂) mit einem Disulfidradikal und Sulfidverbindungen (R₁SR₂) mit einem Sulfidradikal. Hier sind R₁ und R₂ geradkettige Kohlenwasserstoffgruppen, wie z. B. -(CH₂)_nCH₃, fluorsubstituierte Kohlenwasserstoffgruppen, wie z. B. -(CH₂)_nCF₃, –(CH₂)_nCF₃-(CH₂)_n(CH₂)_mCF₃, wobei Fluor zumindest einen Wasserstoff bzw. ein Wasserstoffatom in der Kohlenwasserstoffgruppe substituiert, carboxylsubstituierte Kohlenwasserstoffgruppen, wie z. B. -(CH₂)_nCOOH, wobei die Carboxylgruppe zumindest einen Wasserstoff in der Kohlenwasserstoffgruppe substituiert, aminosubstituierte Kohlenwasserstoffgruppen, wie z. B. -(CH₂)_nNH₂, wobei die Aminogruppe zumindest einen Wasserstoff in der Kohlenwasserstoffgruppe substituiert, oder hydroxysubstituierte Kohlenwasserstoffgruppen, wie z. B. -(CH₂)_nCH₂OH, wobei die Hydroxygruppe zumindest einen Wasserstoff in der Kohlenwasserstoffgruppe substituiert. Hier sind n und m natürliche Zahlen gleich oder größer als 3.
Das R in den organischen Thiolsubstanzen (R₁SH) ist eine Alkylgruppe aus -(CH₂)_nCH₃, eine fluorierte Alkylgruppe aus -(CH₂)_nCF₃, eine aliphatische Karbonsäuregruppe aus -(CH₂)_nCOOH oder eine aliphatische Alkoholgruppe aus -(CH₂)_nCH₂OH, wobei n eine natürliche Zahl gleich oder größer als 3 ist.
Solch eine organische Thiolsubstanz wird in einem alkoholischen Lösungsmittel, wie z. B. Ethanol, Methanol oder Isopropylalkohol gelöst, um eine Thiol-Alkohol-Lösung zu erhalten. Der Gleitabschnitt von dem Steckverbinderteil wird eingetaucht in oder verwendet mit der Lösung, um die selbstassemblierte Monoschicht auf der Oberfläche von dem Steckverbinderteil zu formen.
Neben dem Eintauchverfahren kann die selbstassemblierte bzw. selbstassemblierende Monoschicht mittels Dampfabscheidung mittels in Kontaktbringen des Gleitabschnitts von dem Steckverbinderteil mit dem Dampf von organischer Thiolsubstanz geformt werden.
Beispiel 1: Substrat
<Bildung von selbstassemblierter Monoschicht>
Es wurde ein zinnplattiertes Kupferlegierungssubstrat (Produktname NB109: Dowa Mining Co., Ltd.), welches allgemein für Steckverbinderteile verwendet wird, mit einer Dicke von 0,2 mm verwendet.
Als eine Vorbehandlung wurde das Substrat für 10 Sekunden in eine 15Ma% Salpetersäurelösung eingetaucht, um eine frische Oberfläche von dem Zinnmetall mittels Entfernen der Oxidschicht von der Substratoberfläche zu erhalten.
Ein Oktadekanthiol (erhältlich bei Aldrich Corporation) wurde in Ethanol von 99,5Ma% gelöst, um eine Lösung von 1mM bereitzustellen. Das vorbehandelte Kupferlegierungssubstrat wurde für 48 Stunden in die Lösung eingetaucht und mittels Ultraschallreinigung in Ethanol gereinigt.
<Nachweis von selbstassemblierter Monoschicht>
Eine Betrachtung von dem beschichteten Substrat A mittels XPS (Röntgen-Photoelektronen-Spektroskopie) bestätigte eine Komponente aus Oktadekanthiol auf der Oberfläche von dem zinnplattierten Substrat.
1 zeigt ein XPS Spektrum von dem nicht beschichteten Substrat, und zwar desjenigen, welches nur mit Salpetersäure vorbehandelt wurde. Die 2A bis 2E zeigen vergrößerte Spektren von dem Kohlenstoff C1s Peak (2A), dem Sauerstoff O1s Peak (2B), dem Zinn Sn3d Peak (2C) bzw. dem Kupfer Cu2p Peak (2D) von 1. 3 zeigt ein XPS Spektrum von dem beschichteten Substrat A. Die 4A bis 4D zeigen vergrößerte Spektren von dem Kohlenstoff C1s Peak (4A), dem Sauerstoff O1s Peak (4B), dem Zinn Sn3d Peak (4C) bzw. dem Schwefel S2p Peak (4D) von 3.
Mit der XPS Betrachtung wurde festgestellt, dass die selbstassemblierte Monoschicht nicht mittels der Ultraschallreinigung entfernt wurde und mit der zinnplattierten Fläche verbunden ist.
<Evaluierung des Kontaktwiderstandes>
Der Kontaktwiderstand von dem beschichteten Substrat wurde gemessen, und der Effekt auf elektrische Eigenschaften wurde studiert. Jeweils zwei Proben wurden für das nicht beschichtete Substrat und das beschichtete Substrat gemessen. Der Wert wurde mit dem des nicht beschichteten Substrats verglichen.
Die Kontaktlast von einem Stempel auf das beschichtete Substrat A wurde von 0,908 - 9,8 N variiert, und der Kontaktwiderstand (R) wurde mit dem Vier-Sensor-Verfahren (Four-Probe-Verfahren) gemessen. Der Widerstand wurde aus der Gleichung R = V/I (Gln.1) erhalten, worin V die Spannungsdifferenz zwischen den Sensoren bzw. Kontakten ist, und worin I der angewandte Strom ist.
5 zeigt das Resultat. Die Versuchsbedingungen waren wie folgt: Kontaktgewicht: 0,098 - 9,8 N, angewandte Stromstärke (I): 10 mA, Radius des Stempelendes: 1,0 mm. Der Stempel ist aus einer mit Reflow-Zinn plattierten Kupferlegierung hergestellt. Der Stempel wurde vor der Messung gründlich mit Trichlorethan gereinigt.
Wie in 5 gezeigt, ist der Kontaktwiderstand von dem beschichteten Substrat bei einer Kontaktlast von 5N gleich 0,9-4mΩ, welcher Wert dem Schließzustand eines tatsächlich verwendeten Steckverbinderteils entspricht, und weist fast den gleichen Wert wie das nicht beschichtete Substrat auf. Obgleich die selbstassemblierte Monoschicht geformt ist, ist der Kontaktwiderstand kaum verändert. Es wird angenommen, dass die selbstassemblierte Monoschicht eine Dicke von gleich oder weniger als ein paar Dutzend Angström aufweist und ein Tunnelstrom auftreten kann. Die selbstassemblierte Monoschicht beeinträchtigt die elektrischen Eigenschaften fast nicht und ist vermutlich für die Anwendung auf elektrische Kontaktabschnitte, wie zum Beispiel das Steckverbinderteil, geeignet.
Es wurde festgestellt, dass der Reibungskoeffizient bei der schweren Last von 5N abnimmt. Dies bestätigt die Bildung von einer starken selbstassemblierten Monoschicht mit einer Ausrichtung zwischen den organischen Molekülen.
<Evaluierung des Reibungskoeffizienten>
Der Reibungskoeffizient wurde auf dem beschichteten Substrat A und dem nicht beschichteten Substrat gemessen. Für die Bedingung einer tatsächlichen Anwendung hatte der Stempel von dem Messverfahren eine Kontaktform, welche gleich der des Steckverbinderteils ist. Wie in 6 gezeigt, wurde durch den Stempel eine gegebene Last von 5N auf das Substrat angewandt, und das Substrat wurde gleitbewegt, und die Kraft, welche auf das Substrat aufgebracht wurde (dynamische Reibungskraft), wurde mit einem Gleittester (Produkt von Yamazaki Seiki Laboratory) gemessen. Der Reibungskoeffizient ist wie folgt gegeben: Reibungskoeffizient = dynamische Reibungskraft/Kontaktlast (Gln. 2).
Die Versuchsbedingungen sind wie folgt: Kontaktgewicht: 5N, Testgeschwindigkeit: 24mm/min, Verschiebung: 5mm (eine Richtung und einmal), zinnplattierter Kupferlegierungsstempel, aufweisend eine Halbkugel mit einem Radius von 1,0 mm an einem Kontaktabschnitt mit dem Substrat. 7A zeigt das Resultat von dem nicht beschichteten Substrat, und 7B zeigt das Resultat von dem beschichteten Substrat A.
Das Resultat zeigt, dass das beschichtete Substrat A gemäß der Erfindung den dynamischen Reibungskoeffizienten in hohem Maße, auf ein Drittel von dem des nicht beschichteten Substrats herabsetzt.
Beispiel 2: Steckverbinder
18 Steckverbinder-Steckerteile, hergestellt aus zinnplattiertem Messing, und 18 Steckverbinder-Buchsenteile, hergestellt aus einer zinnplattierten Kupferlegierung, wurden bereitgestellt. Sie wurden genauso wie das Substrat in die 15Ma% Salpetersäurelösung eingetaucht und für 48 Stunden in die 1mM Oktadekanthiol-Ethanol-Lösung eingetaucht, um die selbstassemblierte Monoschicht zu formen, und wurden mittels Ultraschallreinigung in Ethanol gereinigt. Ein Auger-Elektronen-Spektroskopie-Messgerät (AES) bestätigte die Präsenz einer Schwefelkomponente in der Steckverbinderteiloberfläche, wie in dem Spektrum von 8 gezeigt.
Es wurde die Einführkraft zwischen dem jeweiligen beschichteten Stecker und der jeweiligen beschichteten Buchse gemessen. Die Sicherungsstifte zum Verhindern des voneinander Lösens der Steckverbinderteile wurden für die Messung entfernt.
Ein EZGraph-Tester (Produkt von Shimadzu Corporation) wurde für die Einführkraftmessung verwendet. Das mit einer Lastzelle verbundene Steckverbinder-Buchsenteil wurde von oben mit einer Vorschubgeschwindigkeit von 25mm/min (gemäß JASOD 606) in Richtung des Steckverbinder-Steckerteils bewegt und vollständig verbunden. Der EZGraph-Tester maß die Laständerung während dem ineinander Gleiten der Steckverbinderteile.
9 zeigt die Laständerung, wenn ein konventioneller Steckverbinder verbunden wird. Das Steckteil von dem Steckverbinder-Steckerteil bzw. Stecker wird in die Feder von dem Steckverbinder-Buchsenteil bzw. der Buchse eingeführt, wie in 10 gezeigt. Wenn das Steckteil von dem Stecker in die Feder eintritt, erreicht die Last einen Maximalwert, welcher in 9 mit A bezeichnet ist. Wenn das Steckteil mittels Gleiten weiter in die Buchse hinein bewegt wird, wird die Last ein konstanter Wert, welcher mit B gekennzeichnet ist. Es wird angenommen, dass die Last bei B mit dem Reibungskoeffizienten von dem Gleitabschnitt zwischen dem Stecker und der Buchse korelliert.
11 zeigt die Resultate der Laständerung von der Erfindung. 11 zeigt eine typische Laständerung, ähnlich der von 9. In 11 beginnt das Steckteil von dem Stecker bei dem Peak nahe einer Gleitdistanz von 0,1 mm in die Feder der Buchse einzutreten. Die konstante Last bei einer Gleitdistanz von über 0,12 mm entspricht der Gleitlast zwischen dem Stecker und der Buchse. Da der Sicherungsstift für das Testen der Steckverbinderteile entfernt ist, wird die Last als konstant angenommen.
11 zeigt, dass der Wert der Last von dem beschichteten Steckverbinderteil oder demjenigen mit der selbstassemblierten Monoschicht bei über 0,12 mm ungefähr zwei Drittel von dem des nicht beschichteten Steckverbinderteils ist. Die Erfindung bestätigte die Reduktion der Einführkraft für den tatsächlichen Steckverbinder.
Die Verbindung von den nicht beschichteten Steckverbinderteilen oder denjenigen ohne die selbstassemblierte Monoschicht weist bei einer Gleitdistanz von über 0,12 mm einen Anstieg der Last auf, während die Verbindung von den beschichteten Steckverbinderteilen einen nahezu konstanten Wert aufweist. Es wird angenommen, dass die selbstassemblierte Monoschicht die Haftung oder Reibung von Zinn während dem Gleiten eines jeden Steckverbinderteils verhindern kann. Die Maximallast nahe einer Gleitdistanz von 0,1 mm, wo das Steckteil in die Buchsenfeder eintritt, nimmt ebenfalls ab. Die selbstassemblierte Monoschicht hat den Effekt, den statischen Reibungskoeffizienten bezüglich dem Beginn des Gleitens zu reduzieren.
Beispiel 3: Substrat
Es wurde eine Vorbehandlung mit 10Ma% Schwefelsäure anstelle der 15Ma% Salpetersäure aus Beispiel 1 mit dem Kupferlegierungssubstrat (NB109: Produkt von Dowa Mining Co., Ltd.) durchgeführt. Die anderen Prozesse waren die gleichen als diejenigen von Beispiel 1.
12A zeigt ein XPS Spektrum von dem beschichteten Substrat. 12B zeigt ein vergrößertes Spektrum von dem Kohlenstoff C1s Peak, und 12C zeigt ein vergrößertes Spektrum von dem Schwefel S2p Peak. 13A zeigt ein XPS Spektrum von dem nicht beschichteten Substrat. 13B zeigt ein vergrößertes Spektrum von dem Kohlenstoff C1s Peak, und 13C zeigt ein vergrößertes Spektrum von dem Schwefel S2p Peak. Die XPS Betrachtung bestätigte eine Komponente aus Oktadekanthiol auf der Oberfläche von dem beschichteten Substrat.
Der Reibungswiderstand wurde für die Substrate mit einer Last von 5N auf den Stempel gemessen. Der Reibungswiderstand von dem beschichteten Substrat war 0,08, während der von dem nicht beschichteten Substrat 0,17 und fast doppelt so hoch war.
14 zeigt, dass der Reibungswiderstand von dem beschichteten Substrat bei der Last von 5N gleich 1mΩ wird, was nahezu der gleiche Wert wie der des nicht beschichteten Substrats ist.
Die Steckverbinderteile gemäß der Erfindung erfordern keinen speziellen Hebel zum Einstellen des Kontaktdrucks. Sie sind leicht ohne Kostenerhöhung herzustellen und von kleiner Größe. Sie erhöhen nicht den Kontaktwiderstand und sie sind mit geringer Einführkraft leicht miteinander zu verbinden, so dass sie als Steckverbinder von Fahrzeugen angewandt werden.

Claims

Niedrigeinführkraft-Steckverbinderteil, aufweisend eine selbstassemblierte Monoschicht auf einer Gleitfläche davon.
Steckverbinderteil nach Anspruch 1, wobei die Gleitfläche mit Oktadekanthiol behandelt ist.
Steckverbinderteil nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Gleitfläche vor dem Formen der selbstassemblierten Monoschicht Zinn aufweist.
Verfahren zum Herstellen eines Niedrigeinführkraft-Steckverbinderteils, aufweisend den Schritt des Formens einer selbstassemblierten Monoschicht auf einer Gleitfläche davon.
Verfahren nach Anspruch 4, ferner aufweisend den Schritt des Entfernens eines Metalloxids auf der Gleitfläche vor dem Formen der selbstassemblierten Monoschicht.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei das Metalloxid mittels Behandelns mit sauer-wässriger Lösung entfernt wird.
Substrat für ein Niedrigeinführkraft-Steckverbinderteil, aufweisend eine selbstassemblierte Monoschicht auf einer Gleitfläche davon.