DE102005039182A1 - Low insertion force connector part, method of making same and substrate for same - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung stellt Niedrigeinführkraft-Steckverbinderteile bereit. Eine selbstassemblierte Monoschicht ist auf der Oberfläche von den Steckverbinderteilen abgeschieden. Die beschichteten Steckverbinderteile erfordern keinen speziellen Hebel zum Einstellen des Kontaktdrucks. Die Steckverbinderteile sind leicht ohne Kostenerhöhung herzustellen und von geringer Größe. Sie erhöhen nicht den Kontaktwiderstand, und sie sind mit geringer Einführkraft leicht miteinander zu verbinden, so dass sie als Steckverbinder von Fahrzeugen angewandt werden.The invention provides low insertion force connector parts. A self-assembled monolayer is deposited on the surface of the connector parts. The coated connector parts do not require a special lever for adjusting the contact pressure. The connector parts are easy to produce without cost increase and of small size. They do not increase the contact resistance, and they are easy to connect with low insertion force, so that they are used as connectors of vehicles.
Description
Die Erfindung betrifft ein Niedrigeinführkraft-Steckverbinderteil, ein Verfahren zum Herstellen desselben und ein Substrat für dasselbe.The The invention relates to a low insertion force connector part, a method for Making it and a substrate for the same.
Höchstleistungen von elektrischen Geräten und die Diversifikation von Fahrzeuggeräten verlangen mehr Steckverbinderteile.excellence of electrical appliances and the diversification of vehicle equipment requires more connector parts.
Dies verursacht eine große Kraft, um die Steckverbinder zu verbinden. Es ist dann erforderlich, die Kraft, um sie zu verbinden, zu reduzieren.This causes a big one Force to connect the connectors. It is then necessary to reduce the power to join them.
JP-2002-110276-A, JP-2001-257022-A und JP-H05-121128-A offenbaren eine Kraftreduktion von Steckverbinderteil-Federn, um die Kontaktkraft zu reduzieren. Dies jedoch verursacht einen Anstieg des Kontaktwiderstands.JP-2002-110276-A, JP-2001-257022-A and JP-H05-121128-A disclose a force reduction of connector part springs to reduce the contact force. However, this causes an increase in contact resistance.
JP-2002-280112-A und JP-2001-237026-A offenbaren einen Steckverbinder, welcher mit einem Hebel zusammengedrückt wird, nachdem die Steckverbinder mit niedriger Zusammendrückkraft miteinander verbunden worden sind. Dies führt jedoch zu einem Anstieg der Kosten.JP-2002-280112-A and JP-2001-237026-A disclose a connector, which with compressed a lever is after the connectors with low compression force have been joined together. However, this leads to an increase the cost.
Um die Gleitreibung zu reduzieren, wird auf die Gleitfläche von einem Steckverbinderteil ein Schmiermittel, wie z.B. Öl, angewandt oder ein Mehrschichtüberzug geformt. Diese Verfahren ergeben jedoch keine ausreichenden Effekte, aber führen zu einem Anstieg der Kosten.Around to reduce the sliding friction is applied to the sliding surface of a connector part, a lubricant, e.g. Oil, applied or a multi-layer coating shaped. However, these methods do not give sufficient effects but lead an increase in costs.
JP-2002-088496-A und JP-H11-317253-A offenbaren eine Anwendung eines MoS2 Schmierfilms auf der Gleitfläche von einem Steckverbinderteil. Dies jedoch verursacht einen Anstieg des Kontaktwiderstandes.JP-2002-088496-A and JP-H11-317253-A disclose application of a MoS 2 lubricating film on the sliding surface of a connector part. However, this causes an increase in contact resistance.
Ein Ziel der Erfindung ist das Bereitstellen eines Niedrigeinführkraft-Steckverbinderteils. Das Steckverbinderteil ist leicht herzustellen und mittels einer signifikant niedrigen Kraft ohne Verwendung eines Einstellhebels mit einem anderen Steckverbinderteil zu verbinden. Das Steckverbinderteil verursacht keinen Anstieg des Kontaktwiderstands.One The aim of the invention is to provide a low insertion force connector part. The connector part is easy to manufacture and by means of a significant low force without using one adjustment lever with another Connector part to connect. The connector part causes no increase in contact resistance.
Gemäß Anspruch 1 der Erfindung weist ein Niedrigeinführkraft-Steckverbinderteil eine selbstassemblierte Monoschicht (SAM) auf der Gleitfläche davon auf.According to claim 1 of the invention has a low insertion force connector part a self-assembled monolayer (SAM) on the sliding surface thereof on.
Gemäß Anspruch 4 der Erfindung weist ein Verfahren zum Herstellen eines Niedrigeinführkraft-Steckverbinderteils einen Schritt des Formens einer selbstassemblierten Monoschicht auf der Gleitfläche davon auf.According to claim FIG. 4 of the invention includes a method of manufacturing a low insertion force connector part a step of forming a self-assembled monolayer on the sliding surface of it.
Gemäß Anspruch 7 der Erfindung weist ein Substrat für ein Niedrigeinführkraft-Steckverbinderteil eine selbstassemblierte Monoschicht auf der Gleitfläche davon auf.According to claim 7 of the invention includes a substrate for a low insertion force connector part a self-assembled monolayer on the sliding surface thereof on.
Eine selbstassemblierte Monoschicht gemäß der Erfindung ist mittels einer chemischen Bindung von organischen Molekülen mit Metallen der Steckverbinderteil-Oberfläche auf der Steckverbinderteil-Oberfläche geformt. Die organischen Moleküle bilden eine Monoschicht, welche aus über van der Waals Kräfte ausgerichteten bzw. orientierten Molekülen besteht. Die selbstassemblierte bzw. selbstorganisierte Monoschicht ist dicht und fest und gibt einen niedrigen Reibungswiderstand und einen hohen Flächenschutz.A self-assembled monolayer according to the invention is by means of a chemical bonding of organic molecules with metals of the connector part surface on the connector part surface shaped. The organic molecules form a monolayer, which is over van der Waals forces aligned or oriented molecules. The self-assembled or self-assembled monolayer is dense and firm and gives a low frictional resistance and a high surface protection.
Die selbstassemblierte Monoschicht ist zumindest auf der Gleitfläche von dem Steckverbinderteil-Metall, wie z. B. Kupfer, einschließlich Kupferlegierungen, Gold, Silber, Zinn oder einem Überzug davon, geformt.The self-assembled monolayer is at least on the sliding surface of the connector part metal, such. Copper, including copper alloys, Gold, silver, tin or a coating of it, shaped.
Ein Substrat aus Kupfer oder einer Kupferlegierung, welches billig und hoch leitend ist, wird verwendet, und eine Zinnschicht wird mittels Plattieren auf der Oberfläche von dem Substrat geformt. Der Oxidfilm der Zinnschicht ist dünn und leicht abzulösen, so dass leicht eine frische metallene Oberfläche erhalten wird.One Substrate made of copper or a copper alloy, which is cheap and is highly conductive, is used, and a tin layer is by means of Plating on the surface formed by the substrate. The oxide film of the tin layer is thin and light replace, so that a fresh metal surface is easily obtained.
Wenn die Gleitfläche von dem Steckverbinderteil-Metall verschmutzt, oxidiert oder sulfuriert ist, ist die Ausbildung der selbstassemblierten Monoschicht sehr beeinträchtigt, so dass ein Reinigen notwendig ist, um das Metalloxid und das Metallsulfid zu entfernen. Zum Reinigen werden saure Lösungen, wie z. B. Schwefelsäure, Salzsäure und Salpetersäure, verwendet.If the sliding surface contaminated by the connector part metal, oxidized or sulfurized is, the training of the self-assembled monolayer is very impaired so cleaning is necessary to the metal oxide and the metal sulfide to remove. For cleaning, acidic solutions such. As sulfuric acid, hydrochloric acid and Nitric acid, used.
Der Film des Zinnoxids ist stärker (dichter) als der des Kupferoxids, so dass es erstrebenswert ist, zum Reinigen der Fläche, welche Zinn aufweist, Salpetersäure zu verwenden.Of the Tin oxide film is stronger (denser) than that of copper oxide, so it is desirable for cleaning the surface, which contains tin, nitric acid to use.
Andere Säuren als Salpetersäure können Oxide kaum entfernen. Sie erzeugen nach der Entfernung der Oxide Nebenprodukte und verursachen einen Anstieg der Oberflächenrauhigkeit. Die Nebenprodukte verhindern die Ausbildung der selbstassemblierten Monoschicht, so dass die Reibungsreduktion verhindert wird.Other acids as nitric acid can be oxides barely remove. They produce by-products after removal of the oxides and cause an increase in surface roughness. The by-products prevent the formation of self-assembled monolayer, so that the friction reduction is prevented.
Zum Reinigen der Zinnfläche ist es erstrebenswert eine Salpetersäurekonzentration von 13Ma% bis 17Ma% bei einer Reinigungszeit von 8 bis 13 Sekunden zu verwenden. Es ist erstrebenswert die Lösung während dem Reinigen der Zinnfläche zu rühren. Unter dieser Bedingung wird der beste Zustand der Zinnfläche zum Formen der selbstassemblierten Monoschicht bereitgestellt.To the Cleaning the tin surface it is desirable to have a nitric acid concentration of 13Ma% to use up to 17Ma% with a cleaning time of 8 to 13 seconds. It is worth the solution while cleaning the tin surface to stir. Under this condition, the best state of the tin surface becomes Forms of self-assembled monolayer provided.
Ferner kann zumindest ein Reinigungsverfahren mit einem Lösemittel, Wasser oder einer alkalischen Flüssigkeit vor und nach dem Säurereinigungsprozess mit diesem kombiniert werden.Further at least one cleaning method with a solvent, Water or an alkaline liquid before and after the acid purification process be combined with this.
Wenn die Gleitfläche mit Gold, Platin oder Palladium geformt ist, welche kaum Oxide oder Sulfide auf der Oberfläche davon formen, ist es möglich das Reinigen auszulassen. Jedoch, wenn Rost bzw. Moderflecken, wie z. B. organische Substanzen, an der Metalloberfläche anhaften, ist es erstrebenswert die Fläche vor dem Herstellen der selbstassemblierten Monoschicht zu reinigen, um nachteilige Effekte auf die Eigenschaften von der Monoschicht, wie z. B. die Ausrichtung, zu vermeiden.If the sliding surface is formed with gold, platinum or palladium, which hardly oxides or Sulfides on the surface mold it, it is possible that To skip cleaning. However, if rust or mold stains, such. As organic substances adhere to the metal surface, it is desirable to area to clean before making the self-assembled monolayer, to adversely affect the properties of the monolayer, such as As the orientation to avoid.
Organische Moleküle zum Formen bzw. Ausbilden der selbstassemblierten Monoschicht auf der Metalloberfläche weisen Adsorptionsfunktionsgruppen auf. Spezifische Absorptionsfunktionsgruppen sind organische Thiolsubstanzen (R1SH) mit einem Thiolradikal, Disulfidverbindungen (R1SSR2) mit einem Disulfidradikal und Sulfidverbindungen (R1SR2) mit einem Sulfidradikal. Hier sind R1 und R2 geradkettige Kohlenwasserstoffgruppen, wie z. B. -(CH2)nCH3, fluorsubstituierte Kohlenwasserstoffgruppen, wie z. B. -(CH2)nCF3, –(CH2)nCF3-(CH2)n(CH2)mCF3, wobei Fluor zumindest einen Wasserstoff bzw. ein Wasserstoffatom in der Kohlenwasserstoffgruppe substituiert, carboxylsubstituierte Kohlenwasserstoffgruppen, wie z. B. -(CH2)nCOOH, wobei die Carboxylgruppe zumindest einen Wasserstoff in der Kohlenwasserstoffgruppe substituiert, aminosubstituierte Kohlenwasserstoffgruppen, wie z. B. -(CH2)nNH2, wobei die Aminogruppe zumindest einen Wasserstoff in der Kohlenwasserstoffgruppe substituiert, oder hydroxysubstituierte Kohlenwasserstoffgruppen, wie z. B. -(CH2)nCH2OH, wobei die Hydroxygruppe zumindest einen Wasserstoff in der Kohlenwasserstoffgruppe substituiert. Hier sind n und m natürliche Zahlen gleich oder größer als 3.Organic molecules for forming the self-assembled monolayer on the metal surface have adsorption functional groups. Specific absorption functional groups are organic thiol substances (R 1 SH) with a thiol radical, disulfide compounds (R 1 SSR 2 ) with ei a disulfide radical and sulfide compounds (R 1 SR 2 ) with a sulfide radical. Here R 1 and R 2 are straight-chain hydrocarbon groups, such as. B. - (CH 2 ) n CH 3 , fluorine-substituted hydrocarbon groups, such as. B. - (CH 2 ) n CF 3 , - (CH 2 ) n CF 3 - (CH 2 ) n (CH 2 ) m CF 3 , wherein fluorine substitutes at least one hydrogen or a hydrogen atom in the hydrocarbon group, carboxyl-substituted hydrocarbon groups, such as B. - (CH 2 ) n COOH, wherein the carboxyl group substituted at least one hydrogen in the hydrocarbon group, amino-substituted hydrocarbon groups, such as. B. - (CH 2 ) n NH 2 , wherein the amino group substituted at least one hydrogen in the hydrocarbon group, or hydroxy-substituted hydrocarbon groups, such as. B. - (CH 2 ) n CH 2 OH, wherein the hydroxy group substitutes at least one hydrogen in the hydrocarbon group. Here, n and m are natural numbers equal to or greater than 3.
Das R in den organischen Thiolsubstanzen (R1SH) ist eine Alkylgruppe aus -(CH2)nCH3, eine fluorierte Alkylgruppe aus -(CH2)nCF3, eine aliphatische Karbonsäuregruppe aus -(CH2)nCOOH oder eine aliphatische Alkoholgruppe aus -(CH2)nCH2OH, wobei n eine natürliche Zahl gleich oder größer als 3 ist.The R in the organic thiol substances (R 1 SH) is an alkyl group of - (CH 2 ) n CH 3 , a fluorinated alkyl group of - (CH 2 ) n CF 3 , an aliphatic carboxylic acid group of - (CH 2 ) n COOH or a Aliphatic alcohol group of - (CH 2 ) n CH 2 OH, where n is a natural number equal to or greater than 3.
Solch eine organische Thiolsubstanz wird in einem alkoholischen Lösungsmittel, wie z. B. Ethanol, Methanol oder Isopropylalkohol gelöst, um eine Thiol-Alkohol-Lösung zu erhalten. Der Gleitabschnitt von dem Steckverbinderteil wird eingetaucht in oder verwendet mit der Lösung, um die selbstassemblierte Monoschicht auf der Oberfläche von dem Steckverbinderteil zu formen.Such an organic thiol substance is dissolved in an alcoholic solvent, such as For example, ethanol, methanol or isopropyl alcohol dissolved to a thiol-alcohol solution receive. The sliding portion of the connector part is immersed in or used with the solution, around the self-assembled monolayer on the surface of to form the connector part.
Neben dem Eintauchverfahren kann die selbstassemblierte bzw. selbstassemblierende Monoschicht mittels Dampfabscheidung mittels in Kontaktbringen des Gleitabschnitts von dem Steckverbinderteil mit dem Dampf von organischer Thiolsubstanz geformt werden.Next The immersion process can be self-assembled or self-assembling Monolayer by means of vapor deposition by means of contacting the Sliding portion of the connector part with the vapor of organic Thiol substance are formed.
Beispiel 1: SubstratExample 1: Substrate
<Bildung von selbstassemblierter Monoschicht><Formation of self-assembled monolayer>
Es wurde ein zinnplattiertes Kupferlegierungssubstrat (Produktname NB109: Dowa Mining Co., Ltd.), welches allgemein für Steckverbinderteile verwendet wird, mit einer Dicke von 0,2 mm verwendet.It a tin-plated copper alloy substrate (product name NB109: Dowa Mining Co., Ltd.) commonly used for connector parts is used, with a thickness of 0.2 mm.
Als eine Vorbehandlung wurde das Substrat für 10 Sekunden in eine 15Ma% Salpetersäurelösung eingetaucht, um eine frische Oberfläche von dem Zinnmetall mittels Entfernen der Oxidschicht von der Substratoberfläche zu erhalten.When a pretreatment was the substrate for 10 seconds in a 15Ma% Dipped nitric acid solution, for a fresh surface from the tin metal by removing the oxide layer from the substrate surface.
Ein Oktadekanthiol (erhältlich bei Aldrich Corporation) wurde in Ethanol von 99,5Ma% gelöst, um eine Lösung von 1mM bereitzustellen. Das vorbehandelte Kupferlegierungssubstrat wurde für 48 Stunden in die Lösung eingetaucht und mittels Ultraschallreinigung in Ethanol gereinigt.One Octadecanethiol (available Aldrich Corporation) was dissolved in 99.5% ethanol to give a solution of 1mM. The pretreated copper alloy substrate was for 48 hours in the solution immersed and cleaned by means of ultrasonic cleaning in ethanol.
<Nachweis von selbstassemblierter Monoschicht><Detection of self-assembled monolayer>
Eine Betrachtung von dem beschichteten Substrat A mittels XPS (Röntgen-Photoelektronen-Spektroskopie) bestätigte eine Komponente aus Oktadekanthiol auf der Oberfläche von dem zinnplattierten Substrat.A View of Coated Substrate A by XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) confirmed a component of octadecanethiol on the surface of the tin plated substrate.
Mit der XPS Betrachtung wurde festgestellt, dass die selbstassemblierte Monoschicht nicht mittels der Ultraschallreinigung entfernt wurde und mit der zinnplattierten Fläche verbunden ist.With The XPS consideration was found to be self-assembled Monolayer was not removed by ultrasonic cleaning and with the tin-plated surface connected is.
<Evaluierung des Kontaktwiderstandes><Evaluation of contact resistance>
Der Kontaktwiderstand von dem beschichteten Substrat wurde gemessen, und der Effekt auf elektrische Eigenschaften wurde studiert. Jeweils zwei Proben wurden für das nicht beschichtete Substrat und das beschichtete Substrat gemessen. Der Wert wurde mit dem des nicht beschichteten Substrats verglichen.Of the Contact resistance of the coated substrate was measured and the effect on electrical properties was studied. Two each Samples were for measured the uncoated substrate and the coated substrate. The value was compared with that of the uncoated substrate.
Die Kontaktlast von einem Stempel auf das beschichtete Substrat A wurde von 0,908 - 9,8 N variiert, und der Kontaktwiderstand (R) wurde mit dem Vier-Sensor-Verfahren (Four-Probe-Verfahren) gemessen. Der Widerstand wurde aus der Gleichung R = V/I (Gln.1) erhalten, worin V die Spannungsdifferenz zwischen den Sensoren bzw. Kontakten ist, und worin I der angewandte Strom ist.The Contact load from a stamp on the coated substrate A was from 0.908 - 9.8 N, and the contact resistance (R) was measured with the four-sensor method (four-probe method). Of the Resistance was obtained from the equation R = V / I (Eqn.1), where V is the voltage difference between the sensors or contacts, and where I is the applied current.
Wie
in
Es wurde festgestellt, dass der Reibungskoeffizient bei der schweren Last von 5N abnimmt. Dies bestätigt die Bildung von einer starken selbstassemblierten Monoschicht mit einer Ausrichtung zwischen den organischen Molekülen.It It was found that the coefficient of friction in the heavy Load of 5N decreases. This confirms the formation of a strong self-assembled monolayer with an alignment between the organic molecules.
<Evaluierung des Reibungskoeffizienten><Evaluation of the friction coefficient>
Der
Reibungskoeffizient wurde auf dem beschichteten Substrat A und dem
nicht beschichteten Substrat gemessen. Für die Bedingung einer tatsächlichen
Anwendung hatte der Stempel von dem Messverfahren eine Kontaktform,
welche gleich der des Steckverbinderteils ist. Wie in
Die
Versuchsbedingungen sind wie folgt: Kontaktgewicht: 5N, Testgeschwindigkeit: 24mm/min,
Verschiebung: 5mm (eine Richtung und einmal), zinnplattierter Kupferlegierungsstempel,
aufweisend eine Halbkugel mit einem Radius von 1,0 mm an einem Kontaktabschnitt
mit dem Substrat.
Das Resultat zeigt, dass das beschichtete Substrat A gemäß der Erfindung den dynamischen Reibungskoeffizienten in hohem Maße, auf ein Drittel von dem des nicht beschichteten Substrats herabsetzt.The The result shows that the coated substrate A according to the invention the dynamic friction coefficient to a large extent, on one third of that of the uncoated substrate.
Beispiel 2: SteckverbinderExample 2: Connector
18
Steckverbinder-Steckerteile, hergestellt aus zinnplattiertem Messing,
und 18 Steckverbinder-Buchsenteile, hergestellt aus einer zinnplattierten
Kupferlegierung, wurden bereitgestellt. Sie wurden genauso wie das
Substrat in die 15Ma% Salpetersäurelösung eingetaucht
und für
48 Stunden in die 1mM Oktadekanthiol-Ethanol-Lösung eingetaucht, um die selbstassemblierte
Monoschicht zu formen, und wurden mittels Ultraschallreinigung in
Ethanol gereinigt. Ein Auger-Elektronen-Spektroskopie-Messgerät (AES)
bestätigte
die Präsenz
einer Schwefelkomponente in der Steckverbinderteiloberfläche, wie
in dem Spektrum von
Es wurde die Einführkraft zwischen dem jeweiligen beschichteten Stecker und der jeweiligen beschichteten Buchse gemessen. Die Sicherungsstifte zum Verhindern des voneinander Lösens der Steckverbinderteile wurden für die Messung entfernt.It became the introductory force between the respective coated plug and the respective coated Socket measured. The locking pins to prevent each other solving the connector parts were for removed the measurement.
Ein EZGraph-Tester (Produkt von Shimadzu Corporation) wurde für die Einführkraftmessung verwendet. Das mit einer Lastzelle verbundene Steckverbinder-Buchsenteil wurde von oben mit einer Vorschubgeschwindigkeit von 25mm/min (gemäß JASOD 606) in Richtung des Steckverbinder-Steckerteils bewegt und vollständig verbunden. Der EZGraph-Tester maß die Laständerung während dem ineinander Gleiten der Steckverbinderteile.One EZGraph tester (product of Shimadzu Corporation) was used for insertion force measurement used. The connector socket connected to a load cell was from above with a feed rate of 25mm / min (according to JASOD 606) is moved in the direction of the connector plug part and fully connected. The EZGraph tester measured the load Regulation while the sliding into each other of the connector parts.
Die Verbindung von den nicht beschichteten Steckverbinderteilen oder denjenigen ohne die selbstassemblierte Monoschicht weist bei einer Gleitdistanz von über 0,12 mm einen Anstieg der Last auf, während die Verbindung von den beschichteten Steckverbinderteilen einen nahezu konstanten Wert aufweist. Es wird angenommen, dass die selbstassemblierte Monoschicht die Haftung oder Reibung von Zinn während dem Gleiten eines jeden Steckverbinderteils verhindern kann. Die Maximallast nahe einer Gleitdistanz von 0,1 mm, wo das Steckteil in die Buchsenfeder eintritt, nimmt ebenfalls ab. Die selbstassemblierte Monoschicht hat den Effekt, den statischen Reibungskoeffizienten bezüglich dem Beginn des Gleitens zu reduzieren.The Connection of uncoated connector parts or those without the self-assembled monolayer points at one Sliding distance of over 0.12 mm an increase in load while the connection of the coated connector parts has a nearly constant value. It is assumed that the self-assembled monolayer is the Adhesion or friction of tin during can prevent the sliding of each connector part. The Maximum load near a sliding distance of 0.1 mm, where the male part enters the bush spring, also decreases. The self-assembled Monolayer has the effect of static coefficient of friction in terms of to reduce the onset of gliding.
Beispiel 3: SubstratExample 3: Substrate
Es wurde eine Vorbehandlung mit 10Ma% Schwefelsäure anstelle der 15Ma% Salpetersäure aus Beispiel 1 mit dem Kupferlegierungssubstrat (NB109: Produkt von Dowa Mining Co., Ltd.) durchgeführt. Die anderen Prozesse waren die gleichen als diejenigen von Beispiel 1.It was pretreated with 10Ma% sulfuric acid instead of 15Ma% nitric acid Example 1 with the copper alloy substrate (NB109: product of Dowa Mining Co., Ltd.). The other processes were the same as those of example 1.
Der Reibungswiderstand wurde für die Substrate mit einer Last von 5N auf den Stempel gemessen. Der Reibungswiderstand von dem beschichteten Substrat war 0,08, während der von dem nicht beschichteten Substrat 0,17 und fast doppelt so hoch war.Of the Friction resistance was for the substrates were measured with a load of 5N on the stamp. Of the Friction resistance of the coated substrate was 0.08, during the of the uncoated substrate was 0.17 and almost twice as high.
Die Steckverbinderteile gemäß der Erfindung erfordern keinen speziellen Hebel zum Einstellen des Kontaktdrucks. Sie sind leicht ohne Kostenerhöhung herzustellen und von kleiner Größe. Sie erhöhen nicht den Kontaktwiderstand und sie sind mit geringer Einführkraft leicht miteinander zu verbinden, so dass sie als Steckverbinder von Fahrzeugen angewandt werden.The Connector parts according to the invention do not require a special lever for adjusting the contact pressure. They are easy without cost increase produce and of small size. she increase not the contact resistance and they are low insertion force easily connect to each other, making them as connectors be applied by vehicles.
Claims (7)
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Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110036621A1 (en) * | 2007-06-29 | 2011-02-17 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Metal material, method for producing the same, and electrical/electronic component using the same |
EP2173012B1 (en) * | 2007-06-29 | 2019-04-17 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Fretting-resistant connector and process for manufacturing the same |
JP5464284B1 (en) * | 2013-01-10 | 2014-04-09 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | Connector terminal and method for manufacturing connector terminal |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05121128A (en) | 1991-10-24 | 1993-05-18 | Fujikura Ltd | Connector of low inserting force |
US5598193A (en) * | 1995-03-24 | 1997-01-28 | Hewlett-Packard Company | Treatment of an orifice plate with self-assembled monolayers |
US5650088A (en) * | 1995-03-24 | 1997-07-22 | Nippon Mining & Metals Company, Ltd. | Treating solution for gold-plated material |
WO1997018905A1 (en) * | 1995-11-20 | 1997-05-29 | Berg Technology, Inc. | Method of providing corrosion protection |
FR2747945B1 (en) * | 1996-04-26 | 1998-08-21 | Lorraine Laminage | METAL SHEET SURFACE TREATMENT |
JPH10134869A (en) * | 1996-10-30 | 1998-05-22 | Yazaki Corp | Terminal material and terminal |
JP3286560B2 (en) * | 1997-04-28 | 2002-05-27 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | Mating connection terminal |
US5967860A (en) * | 1997-05-23 | 1999-10-19 | General Motors Corporation | Electroplated Ag-Ni-C electrical contacts |
JPH11317253A (en) | 1998-04-30 | 1999-11-16 | Yazaki Corp | Terminal for connector |
JP3297861B2 (en) * | 1998-06-29 | 2002-07-02 | 日本航空電子工業株式会社 | Plating material |
US6531224B1 (en) * | 1999-03-19 | 2003-03-11 | Battelle Memorial Institute | Self-assembled monolayer and method of making |
JP2001237026A (en) | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Yazaki Corp | Connector with lever |
JP3635629B2 (en) | 2000-03-14 | 2005-04-06 | 矢崎総業株式会社 | connector |
JP3659323B2 (en) | 2000-09-14 | 2005-06-15 | 株式会社神戸製鋼所 | Sn or Sn alloy plating material for terminals and connectors |
US20030113229A1 (en) * | 2000-09-22 | 2003-06-19 | Natalia Briones | Method for adhesion of polymers to metal-coated substrates |
JP2002110276A (en) | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | Terminal structure |
US20020079487A1 (en) * | 2000-10-12 | 2002-06-27 | G. Ramanath | Diffusion barriers comprising a self-assembled monolayer |
US7098145B2 (en) * | 2000-12-04 | 2006-08-29 | Seiko Epson Corporation | Fabrication of self-assembled monolayers |
GB2371248A (en) * | 2000-12-04 | 2002-07-24 | Seiko Epson Corp | Fabrication of self-assembled monolayers |
US6632536B2 (en) * | 2000-12-28 | 2003-10-14 | International Business Machines Corporation | Self-assembled monolayer etch barrier for indium-tin-oxide useful in manufacturing thin film transistor-liquid crystal displays |
JP4508448B2 (en) | 2001-03-13 | 2010-07-21 | モレックス インコーポレイテド | Low insertion force connector |
US6625004B1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-09-23 | Superconductor Technologies, Inc. | Electrostatic actuators with intrinsic stress gradient |
US6685988B2 (en) * | 2001-10-09 | 2004-02-03 | Delphi Technologies, Inc. | Kinetic sprayed electrical contacts on conductive substrates |
AU2003222669A1 (en) * | 2002-04-22 | 2003-11-03 | Yazaki Corporation | Electrical connectors incorporating low friction coatings and methods for making them |
US6858527B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-02-22 | Intel Corporation | Method to increase electromigration resistance of copper using self-assembled organic thiolate monolayers |
TWI275333B (en) * | 2003-12-05 | 2007-03-01 | Ind Tech Res Inst | Method for forming metal wire by microdispensing |
US7524535B2 (en) * | 2004-02-25 | 2009-04-28 | Posco | Method of protecting metals from corrosion using thiol compounds |
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