DE102005038250A1 - Rechteckiger Leiter für eine Solarbatterie, Verfahren zu dessen Herstellung und Zuleitung für eine Solarbatterie - Google Patents

Rechteckiger Leiter für eine Solarbatterie, Verfahren zu dessen Herstellung und Zuleitung für eine Solarbatterie Download PDF

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Abstract

Es wird ein rechteckiger Leiter für eine Solarbatterie und eine Zuleitung für eine Solarbatterie bereitgestellt, bei denen die Verwendung oder die Beschädigung eines Siliziumkristallwafers zum Zeitpunkt der Verbindung einer Verbindungszuleitung kaum auftreten, selbst wenn der Siliziumkristallwafer mit einer Dünnschichtstruktur konfiguriert ist. Ein Leiter 1 mit einem spezifischen Volumenwiderstand kleiner gleich 50 muOMEGA È mm und einem 0,2%-Fließfestigkeitswert kleiner gleich 90 mPa bei einem Zugtest wird in einen recheckigen Leiter 10 für eine Solarbatterie mit einem rechteckigen Querschnitt ausgebildet, und die Oberfläche des rechteckigen Leiters 10 für eine Solarbatterie ist mit einer Lötmittelüberzugsschicht 13 beschichtet, damit eine Zuleitung 20 für eine Solarbatterie bereitgestellt wird.

Description

  • Die Erfindung betrifft einen rechteckigen Leiter für eine Solarbatterie, ein Verfahren zu dessen Herstellung, und eine Zuleitung für eine Solarbatterie unter Verwendung des rechteckigen Leiters, und sie betrifft insbesondere einen rechteckigen Leiter für eine Solarbatterie, ein Verfahren zu dessen Herstellung und eine Zuleitung für eine Solarbatterie unter Verwendung des rechteckigen Leiters, wobei ausgezeichnete elektrische Eigenschaften und eine geringere Verwindung einer Siliziumzelle der Solarbatterie verwirklicht werden, wenn der rechteckige Leiter mit der Siliziumzelle durch eine Lötmittelverbindung verbunden wird.
  • Gemäß 1 wird bei einer Solarbatterie 50 mit einer auf einem Substrat aufgewachsenen Siliziumkristallschicht eine Verbindungszuleitung 53 üblicherweise mit einem vorbestimmten Bereich eines Siliziumkristallwafers (Siliziumzelle) 51 verbunden, und ein elektrischer Strom fließt durch die Verbindungszuleitung 53.
  • Die Verbindungszuleitung 53 umfasst einen rechteckigen Leiter und eine auf einer Oberfläche des rechteckigen Leiters ausgebildete Lötmittelüberzugsschicht, und die Lötmittelüberzugsschicht wird zur Verbindung mit der Siliziumzelle 51 verwendet. Die Druckschrift JP-A-11-21660 schlägt beispielsweise vor, dass reines Kupfer wie etwa Garkupfer oder sauerstofffreies Kupfer für den rechteckigen Leiter verwendet wird, und ein Kristalllötmittel aus einem Zinn-Blei-Eutektikum wird für die auf einer äußeren Oberfläche des rechteckigen Leiters ausgebildete Lötmittelüberzugsschicht verwendet. Zudem wurde gemäß der Druckschrift JP-A-2002-263880 in letzter Zeit untersucht, das Material einer Lötmittelüberzugsschicht aus Umweltschutzbedenken in ein Lötmittel zu ändern, das kein Blei enthält (bleifreies Lötmittel).
  • Zur Reduktion der Herstellungskosten wurde eine Verringerung in der Dicke des Siliziumkristallwafers untersucht, da die Kosten für den Siliziumkristallwafer den Hauptteil der Materialkosten unter den eine Solarbatterie zusammensetzenden Materialien bildet. Wenn jedoch gemäß 2 ein Siliziumkristallwafer als dünne Schicht ausgebildet wird, kann die Siliziumzelle 51 und die Verbindungszuleitung 53, die miteinander durch einen Lötmittelüberzug 55 verbunden sind, aufgrund der Temperaturvariation bei dem Erwärmungsvorgang während dem Lötmittelverbindungsvorgang für die Verbindungszuleitung 53 oder bei der Verwendung der Solarbatterie verwunden oder beschädigt werden. Zur Lösung der vorstehend angeführten Probleme steigt folglich der Bedarf nach einem Zuleitungsstab mit geringer Wärmeausdehnung für die Verbindungszuleitung 53.
  • Die Druckschrift JP-A-2004-204257 schlägt eine Zuleitung 70 für eine Solarbatterie vor, die eine geringe Wärmeausdehnung aufweist, und bei der eine Invar-Schicht 73 (Fe-36Masse%Ni) mit einer geringen Wärmeausdehnung in ein Kupfermaterial gekleidet ist, und eine Lötmittelüberzugsschicht 75 auf einer Oberfläche eines Leiters aus einem Kupfer eingekleideten Invar ausgebildet ist, wie es in 3 gezeigt ist.
  • Tabelle 1 zeigt die Materialeigenschaften für Kupfer-Invar-Kupfer (Cu/Fe-36Masse%Ni/Cu) im Vergleich zu den Materialeigenschaften von Kupfer, Invar (Fe-36mass%Ni), bzw. Silizium.
  • Tabelle 1
    Figure 00030001
  • Wie aus Tabelle 1 ersichtlich ist, steigt bei Herstellung eines rechteckigen Leiters aus Kupfer ummantelten Invar (Kupfer-Invar-Kupfer) unter Verwendung des Invars mit geringer Wärmeausdehnung der spezifische Volumenwiderstand im Vergleich zu Kupfer, obwohl eine zu Silizium passende Wärmeausdehnung verwirklicht werden kann, so dass die Energieerzeugungseffizienz als Solarbatterie aufgrund einer Verringerung der elektrischen Leitfähigkeit sinkt. Da zudem das Invar 36 Masseprozent Nickel enthält, wird ein derartiger rechteckiger Leiter teuer.
  • Ferner kann bei einem Leiterrahmen mit Dreischichtstruktur unter Verwendung von Kupfer-Invar-Kupfer als Leiter eine Verformung wie etwa eine Verwindung durch die Heterogenität der Kristallkornorientierung des Kristalls des auf beiden Seiten des Invar angeordneten Kupfermaterials verursacht werden. Diese Faktoren verursachen eine Verschlechterung bei der Produktivität von Solarbatteriemodulen oder eine Verschlechterung bei der Zuverlässigkeit der Erzeugungseffizienz in der Langzeitverwendung. Zudem können die Verbindungsabschnitte von Kupfer-Invar-Kupfer auf den Seitenoberflächen des Leiterrahmens Feuchtigkeit ausgesetzt sein, so dass der ausgesetzte Abschnitt wie eine lokale Batterie werden kann, und schließlich korrodiert.
  • Weiterhin gibt es bei dem Invar verwendenden Leiterrahmen dahingehend einen Nachteil, dass eine große Menge an Abfallmaterialien erzeugt werden, da der Stanzvorgang zum Zeitpunkt der Schaltungsausbildung ausgeführt wird, wodurch die Herstellungskosten steigen.
  • Folglich liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen rechteckigen Leiter für eine Solarbatterie und eine Zuleitung für eine Solarbatterie bereitzustellen, bei denen eine Verwindung oder Beschädigung des Siliziumkristallwafers zum Zeitpunkt der Verbindung einer Verbindungszuleitung mit dem Siliziumkristallwafer kaum auftritt, selbst falls der Siliziumkristallwafer in einer Dünnschichtstruktur konfiguriert ist.
  • Zudem wird erfindungsgemäß ein rechteckiger Leiter für eine Solarbatterie und eine Zuleitung für eine Solarbatterie bereitgestellt, die eine ausgezeichnete elektrische Leitfähigkeit aufweisen.
  • Weiterhin wird erfindungsgemäß ein Verfahren zur Herstellung eines rechteckigen Leiters für eine Solarbatterie bereitgestellt, durch das der Anstieg bei den Herstellungskosten unterdrückt werden kann.
  • Gemäß einer ersten Ausgestaltung der Erfindung umfasst ein rechteckiger Leiter für eine Solarbatterie einen Leiter mit einem spezifischen Volumenwiderstand kleiner gleich 50 μΩ·mm und einen 0,2%-Fließfestigkeitswert bei einem Zugtest kleiner gleich 90 MPa.
  • Vorzugsweise ist der Leiter aus einem Element aus der Gruppe Kupfer, Aluminium, Silber und Gold zusammengesetzt.
  • Gemäß einer zweiten Ausgestaltung der Erfindung umfasst ein Verfahren zur Herstellung eines rechteckigen Leiters für eine Solarbatterie die Schritte: Rollen eines Leiters mit einem spezifischen Volumenwiderstand kleiner gleich 50 μΩ·mm in einen rechteckigen Querschnitt; und Ausführen einer Wärmebehandlung für den rechteckigen Leiter, damit er bei einem Zugtest einen 0,2%-Fließfestigkeitswert kleiner gleich 90 MPa aufweist.
  • Der Schritt zum Ausführen der Wärmebehandlung kann durchgeführt werden, indem ein Strom durch den Leiter fließt. Der Schritt zum Ausführen der Wärmebehandlung kann durchgeführt werden, indem der Leiter unter Verwendung eines Heizelementes erwärmt wird.
  • Gemäß einer dritten Ausgestaltung der Erfindung umfasst eine Zuleitung für eine Solarbatterie einen rechteckigen Leiter mit einem spezifischen Volumenwiderstand kleiner gleich 50 μΩ·mm sowie einen 0,2%-Fließfestigkeitswert kleiner gleich 90 MPa bei einem Zugtest; und eine Lötmittelüberzugsschicht, die zumindest auf einem Bereich einer Oberfläche des rechteckigen Leiters bereitgestellt ist.
  • Vorzugsweise ist die Lötmittelüberzugsschicht aus einem bleifreien Lötmittel auf der Basis Sn-Ag-Cu zusammengesetzt.
  • Da erfindungsgemäß der 0,2%-Fließfestigkeitswert eines Leiters reduziert ist, ist es möglich, die Verwindungskraft für eine Siliziumzelle zu reduzieren, die durch die Wärmekontraktion des Leiters nach der Lötmittelverbindung erzeugt wird. Wenn die Wärmekontraktion nach der Lötmittelverbindung mit der Siliziumzelle ausgeführt wird, kann daher die Verwindung der Siliziumzelle verringert werden.
  • Da zudem ein Leiter mit einem spezifischen Volumenwiderstand kleiner gleich 50 μΩ·mm verwendet wird, kann eine Verbindungszuleitung für eine Solarbatterie mit einer hohen elektrischen Leitfähigkeit bereitgestellt werden.
  • Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines Leiters für eine Solarbatterie ist es weiterhin möglich, einen rechteckigen Leiter für eine Solarbatterie unter Verwendung eines einfachen Verfahrens unter reduzierten Herstellungskosten bereitzustellen, da der 0,2%-Fließfestigkeitswert eines Leiters durch Wärmebehandlung reduziert wird.
  • Die Erfindung ist nachstehend unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung näher beschrieben. Es zeigen:
  • 1 eine Perspektivansicht eines Verbindungszustands einer Verbindungszuleitung für eine Solarbatterie;
  • 2 ein erläuterndes Diagramm einer aufgetretenen Verwindung, wenn eine Verbindungszuleitung mit einer Siliziumzelle durch eine Lötmittelverbindung verbunden wird;
  • 3 eine Schnittansicht einer bekannten Verbindungszuleitung für eine Solarbatterie;
  • 4 eine Schnittansicht eines Beispiels für eine Zuleitung für eine Solarbatterie;
  • 5 eine Schnittansicht eines rechteckigen Leiters für eine Solarbatterie bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung; und
  • 6 eine Schnittansicht einer Zuleitung für eine Solarbatterie bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung sind nachstehend unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung beschrieben.
  • 1. Rechteckiger Leiter für eine Solarbatterie
  • 4 zeigt eine Schnittansicht für ein Beispiel einer Zuleitung 60 für eine Solarbatterie, bei der eine Lötmittelüberzugsschicht 63 um eine Oberfläche eines rechteckigen Leiters 61 ausgebildet ist. Im Allgemeinen ist der rechteckige Leiter 61 normalerweise aus Kupfer wie etwa Garkupfer, sauerstofffreies Kupfer usw. ausgebildet.
  • 5 zeigt einen rechteckigen Leiter für eine Solarbatterie bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Ein rechteckiger Leiter 10 für eine Solarbatterie umfasst einen Leiter 1 aus einem weichen Material und mit einem rechteckigen Querschnitt als äußere Konfiguration, so dass die Lötmittelverbindung mit einer Siliziumzelle erleichtert werden kann.
  • 2. Spezifischer Volumenwiderstand eines Leiters
  • Vorzugsweise weist ein Leitermaterial einen relativ geringen spezifischen Volumenwiderstand für den Leiter 1 auf (beispielsweise einen spezifischen Volumenwiderstand kleiner gleich 50 μΩ·mm, so dass die Verluste bei der elektrischen Energieerzeugung in der Solarbatterie reduziert werden.
  • Als Leitermaterial mit relativ geringem spezifischen Volumenwiderstand gibt es, abgesehen von Kupfer, gemäß Tabelle 2 Gold, Silber und Aluminium. Silber weist unter diesen Elementen den geringsten spezifischen Volumenwiderstand auf, und unter Verwendung von Silber kann die Energieerzeugungseffizienz maximiert werden. Wenn andererseits die Verringerung der Herstellungskosten Priorität gegenüber anderen Dingen eingeräumt wird, ist die Verwendung von Kupfer vorzuziehen, und wenn eine Gewichtsreduktion beabsichtigt ist, ist die Wahl von Aluminium zu bevorzugen.
  • Tabelle 2
    Figure 00080001
  • 3. 0,2%-Fließfestigkeitswert des Leiters
  • Wenn unterschiedliche Arten von Metallen mit verschiedenen Wärmeausdehnungskoeffizienten miteinander bei einer hohen Temperatur verbunden werden, entspricht im Allgemeinen ein integrierter Wert aus der Temperaturvariation, dem Wärmeausdehnungskoeffizienten und dem Elastizitätsmodul einer Verwindungserzeugungskraft. Bei einer Solarbatterie ist jedoch die Steifigkeit der Materialien der miteinander zu verbindenden Elemente in beträchtlichem Maße voneinander verschieden. Wenn zudem die Temperatur für die Lötmittelverbindung mehr als 200°C beträgt, fängt ein Leiter mit einem geringerem Querschnitt an zu fließen, so dass der integrierte Wert aus Temperaturvariation, Wärmeausdehnungskoeffizient und Elastizitätsmodul nicht unmittelbar mit der Verwindungserzeugungskraft korrespondiert.
  • Wenn bei einem Leiter die Fließspannung gering ist, kann eine plastische Verformung durch eine geringe Kraft verursacht werden, und eine weitere Verformungsbeständigkeit tritt nicht auf. Mit anderen Worten, je geringer die Festigkeit und Fließfestigkeit sind, um so weniger Last wird auf den Siliziumkristallwafer zum Zeitpunkt des Verbindungsvorgangs aufgebracht. Daher wird der 0,2%-Fließfestigkeitswert als Barometer für die plastische Verformung bei einem Zugtest verwendet. Der 0,2%-Fließfestigkeitswert eines Leiters 1 kann kleiner gleich 90 MPa sein, vorzugsweise kleiner gleich 80 MPa und noch bevorzugter kleiner gleich 70 MPa. Durch Auswahl eines Leiters aus einem weichen Material mit einem geringem 0,2%-Fließfestigkeitswert kann die Wärmeverspannung zum Zeitpunkt der Verbindung eines Leiters mit dem Siliziumkristallwafer reduziert werden. Indem zusätzlich der 0,2%-Fließfestigkeitswert des Leiters 1 auf kleiner gleich 80 MPa bestimmt wird, kann die Verwindung der Siliziumzelle im Vergleich zu dem Fall verringert werden, bei dem der aus einem kupferummantelten Invarmaterial (Kupfer-Invar-Kupfer) zusammengesetzte Leiter verwendet wird, wodurch eine größere Wirkung bei der praktischen Verwendung bereitgestellt wird.
  • 4. Verfahren zur Herstellung eines rechteckigen Leiters für eine Solarbatterie
  • Der rechteckige Leiter 10 für eine Solarbatterie wird wie folgt hergestellt. Ein Leiter 1 wird mit einem rechteckigen Querschnitt durch Matrizendrahtziehen oder -rollen, oder durch einen zusammengesetzten Vorgang aus Matrizendrahtziehen und -rollen ausgebildet, dann wird der Leiter 1 durch eine Stromflussausrüstung oder eine Beschickungsausrüstung wärmebehandelt, wodurch die 0,2%-Fließfestigkeit reduziert wird. Dabei ist die Beschickungswärmebehandlung unter Verwendung eines Heizelementes bevorzugter als die Stromflusswärmebehandlung, da die Beschickungswärmebehandlung eine ausreichende Wärmeenergie im Vergleich zu der Stromflusswärmebehandlung als Wärmevorgang zum Reduzieren der 0,2%-Fließfestigkeit bereitstellen kann. Ansonsten kann ein Ofen mit einer Wasserstoffreduktionsatmosphäre verwendet werden, so dass eine Oxydation des Leiters 1 vermieden wird.
  • 5. Zuleitung für eine Solarbatterie
  • 6 zeigt eine Zuleitung für eine Solarbatterie bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
  • Eine Zuleitung 20 für eine Solarbatterie wird durch Bereitstellen einer Lötmittelüberzugsschicht 13 auf der gesamten Oberfläche des in 5 gezeigten Leiters 1 ausgebildet. In Anbetracht der Umweltbedenken ist die Lötmittelüberzugsschicht 13 aus bleifreiem Lötmittel zusammengesetzt. Die Lötmittelüberzugsschicht 13 ist auf einer äußeren Oberfläche des Leiters 1 bereitgestellt.
  • Eine Lötmittelzusammensetzung, die einen Niedertemperaturverbindungsvorgang ermöglicht, war bis heute in Anbetracht der Wärmeausdehnungsanpassung mit der Siliziumzelle erforderlich. Unter Verwendung des Leiters 1 bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung ist es jedoch möglich, ein Sn-Ag-Cu-basiertes Lötmittel mit einer hohen Verbindungstemperatur zu verwenden.
  • Eine Solarbatterieanordnung kann durch Verbinden dieser Zuleitung für eine Solarbatterie mit einem vorbestimmten Kontaktbereich (beispielsweise einem Silberüberzugsbereich) einer Zellenoberfläche in einem Siliziumkristallwafer (einem Solarbatteriemodul) bereitgestellt werden.
  • 6. Wirkung des rechteckigen Leiters für eine Solarbatterie und der Zuleitung für eine Solarbatterie
  • Da nach vorstehender Beschreibung der 0,2%-Fließfestigkeitswert eines Leiters reduziert ist, ist es gemäß dem rechteckigen Leiter für eine Solarbatterie und der Zuleitung für eine Solarbatterie bei dem vorliegenden bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung möglich, die Verwindungskraft einer Zelle zu reduzieren, die durch eine Wärmekontraktion des Leiters nach der Lötmittelverbindung erzeugt wird. Selbst wenn die Wärmekontraktionen nach der Lötmittelverbindung der Siliziumzelle auftritt, kann daher das Verwinden der Siliziumzelle verringert werden.
  • Gemäß einem rechteckigen Leiter für eine Solarbatterie und einer Zuleitung für eine Solarbatterie bei dem vorliegenden bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird zudem ein Leiter mit einem spezifischen Volumenwiderstand kleiner gleich 50 μΩ·mm und einer hohen elektrischen Leitfähigkeit verwendet, so dass die Energieerzeugungseffizienz einer Solarbatterie ausgezeichnet gehalten werden kann.
  • Gemäß einem Verfahren zur Herstellung eines Leiters für eine Solarbatterie bei dem vorliegenden bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung ist es weiterhin möglich, einen rechteckigen Leiter für eine Solarbatterie unter Verwendung eines einfachen Verfahrens mit reduzierten Herstellungskosten bereitzustellen, da der 0,2%-Fließfestigkeitswert des Leiters durch Wärmebehandlung reduziert ist.
  • 7. Ausführungsbeispiel
  • Ein Kupferstab mit einer Breite von 2,0 mm und einer Dicke von 0,16 mm wird in einen rechteckigen Streifen gerollt, so dass der in 6 gezeigte Leiter 1 erhalten wird. Dann wird eine äußere Oberfläche des Leiters 1 mit einer Lötmittelüberzugsschicht 13 aus einem bleifreien Lötmittel auf der Basis Sn-3%Ag-0,5%Cu beschichtet, damit eine Zuleitung 20 für eine Solarbatterie bereitgestellt wird.
  • Durch Variation der Wärmebehandlungsbedingungen werden gemäß Tabelle 3 Proben von den Zuleitungen 20 für eine Solarbatterie mit verschiedenen 0,2%-Fließfestigkeitswerten hergestellt, und der Verwindungszustand, wenn die Zuleitung 20 mit einer Siliziumzelle in der Größe 150 mm × 150 mm und einer Dicke von 200 μm durch Lötmittelverbindung verbunden wird, wurde untersucht.
  • Tabelle 3
    Figure 00130001
  • Wie aus Tabelle 3 ersichtlich ist, wurde die Verwindung der Zelle gemäß der Verringerung des 0,2%-Fließfestigkeitswertes des Leiters reduziert. Die Verwindung einer mit der Zuleitung 20 verbundenen Zelle unter Verwendung eines Kupferleiters mit einem 0,2%-Fließfestigkeitswert von 40 MPa kann auf etwa ein Drittel der Verwindung der mit der Zuleitung 20 unter Verwendung eines Kupferleiter mit einem 0,2%-Fließfestigkeitswert von 140 MPa verbundenen Zelle reduziert werden.
  • Als Vergleichsbeispiel wurden die Verwindung einer mit der Zuleitung unter Verwendung eines Leiters aus Cu-Invar-Cu (mit dem Schichtdickenverhältnis von 2:1:2) verbundenen Zelle sowie die Verwindung einer mit einem Kupferleiter mit einem 0,2%-Fließfestigkeitswert von 40 MPa verbundenen Zelle untersucht. Als Ergebnis betrug die Verwindung der erstgenannten Zelle 3,0 mm, während die Verwindung der letztgenannten Zelle auf die Hälfte der erstgenannten Zelle reduziert war, d.h. auf 1,5 mm.
  • Obwohl die Erfindung vorstehend auf ein spezifisches Ausführungsbeispiel für eine vollständige und klare Offenbarung beschrieben ist, sind die beigefügten Patentansprüche nicht darauf beschränkt, sondern dazu gedacht, alle Abwandlungen und Alternativen abzudecken, die dem Fachmann aus der vorliegenden Beschreibung ersichtlich sind.
  • So ist vorstehend ein rechteckiger Leiter für eine Solarbatterie und eine Zuleitung für eine Solarbatterie beschrieben, bei denen die Verwindung oder die Beschädigung eines Siliziumkristallwafers zum Zeitpunkt der Verbindung einer Verbindungszuleitung kaum auftreten, selbst wenn der Siliziumkristallwafer mit einer Dünnschichtstruktur konfiguriert ist. Ein Leiter 1 mit einem spezifischen Volumenwiderstand kleiner gleich 50 μΩ·mm und einem 0,2%-Fließfestigkeitswert kleiner gleich 90 MPa bei einem Zugtest wird in einen rechteckigen Leiter 10 für eine Solarbatterie mit einem recheckigen Querschnitt ausgebildet, und die Oberfläche des rechteckigen Leiters 10 für eine Solarbatterie ist mit einer Lötmittelüberzugschicht 13 beschichtet, damit eine Zuleitung 20 für eine Solarbatterie bereitgestellt wird.

Claims (7)

  1. Rechteckiger Leiter für eine Solarbatterie, mit: einem Leiter mit einem spezifischen Volumenwiderstand keiner gleich 50 μΩ·mm und einem 0,2%-Fließfestigkeitswert kleiner gleich 90 MPa bei einem Zugtest.
  2. Rechteckiger Leiter für eine Solarbatterie nach Anspruch 1, wobei der Leiter aus einem Element aus der Gruppe Kupfer, Aluminium, Silber und Gold zusammengesetzt ist.
  3. Verfahren zur Herstellung eines rechteckigen Leiters für eine Solarbatterie mit den Schritten: Rollen eines Leiters mit einem spezifischen Volumenwiderstand kleiner gleich 50 μΩ·mm, damit ein rechteckiger Querschnitt erhalten wird, und Ausführen einer Wärmebehandlung für den rechteckigen Leiter, damit ein 0,2%-Fließfestigkeitswert kleiner gleich 90 MPa bei einem Zugtest erhalten wird.
  4. Verfahren zur Herstellung eines rechteckigen Leiters für eine Solarbatterie nach Anspruch 3, wobei der Schritt zum Ausführen der Wärmebehandlung durchgeführt wird, indem ein Strom durch den Leiter fließt.
  5. Verfahren zur Herstellung eines rechteckigen Leiters für eine Solarbatterie nach Anspruch 3, wobei der Schritt zum Ausführen der Wärmebehandlung durchgeführt wird, indem der Leiter unter Verwendung eines Heizelementes erwärmt wird.
  6. Zuleitung für eine Solarbatterie, wobei ein Teil einer Oberfläche oder die gesamte Oberfläche des rechteckigen Leiters für eine Solarbatterie gemäß Anspruch 1 oder 2 durch einen Lötmittelüberzug beschichtet ist.
  7. Zuleitung für eine Solarbatterie nach Anspruch 6, wobei der Lötmittelüberzug aus einem bleifreien Lötmittel auf der Basis Sn-Ag-Cu zusammengesetzt ist.
DE102005038250A 2004-08-13 2005-08-12 Rechteckiger Leiter für eine Solarbatterie, Verfahren zu dessen Herstellung und Zuleitung für eine Solarbatterie Withdrawn DE102005038250A1 (de)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006049603A1 (de) * 2006-10-20 2008-04-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Zellverbinder zur elektrischen Kontaktierung von flächigen Stromquellen sowie Verwendung
DE102010017180A1 (de) * 2010-06-01 2011-12-01 Solarworld Innovations Gmbh Solarzelle, Solarmodul, und Verfahren zum Verdrahten einer Solarzelle, und Kontaktdraht
DE102011013928A1 (de) * 2011-03-14 2012-09-20 Schott Solar Ag Verfahren zum Löten von Solarzellen
EP3392916A1 (de) * 2017-04-19 2018-10-24 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Alterungsresistente aluminiumverbinder für solarzellen

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005114751A1 (ja) * 2004-05-21 2005-12-01 Neomax Materials Co., Ltd. 太陽電池用電極線材
JP5491682B2 (ja) 2004-08-13 2014-05-14 日立金属株式会社 太陽電池用平角導体及びその製造方法並びに太陽電池用リード線
JP2008098607A (ja) * 2006-09-13 2008-04-24 Hitachi Cable Ltd 太陽電池用接続リード線及びその製造方法並びに太陽電池
JP2008140787A (ja) * 2006-10-10 2008-06-19 Hitachi Cable Ltd 太陽電池用はんだめっき線およびその製造方法
JP2008098315A (ja) * 2006-10-11 2008-04-24 Hitachi Cable Ltd 太陽電池用はんだめっき線およびその製造方法
JP4780008B2 (ja) * 2006-12-14 2011-09-28 日立電線株式会社 太陽電池用めっき線及びその製造方法
JP5038765B2 (ja) * 2006-12-14 2012-10-03 日立電線株式会社 太陽電池用はんだめっき線及びその製造方法
JP2008182170A (ja) * 2006-12-28 2008-08-07 Hitachi Cable Ltd 太陽電池用はんだめっき線及びその製造方法並びに太陽電池
JP2008182171A (ja) * 2006-12-28 2008-08-07 Hitachi Cable Ltd 太陽電池用はんだめっき線及びその製造方法並びに太陽電池
JP5288790B2 (ja) * 2007-08-02 2013-09-11 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP5241186B2 (ja) * 2007-09-27 2013-07-17 京セラ株式会社 太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP5161734B2 (ja) * 2008-02-13 2013-03-13 日立電線株式会社 太陽電池用リード線及びその製造方法並びに太陽電池
JP2010016320A (ja) 2008-04-15 2010-01-21 Hitachi Cable Ltd 太陽電池用リード線およびその製造方法並びにそれを用いた太陽電池
CN106098829A (zh) * 2008-11-27 2016-11-09 日立金属株式会社 太阳能电池用导线和太阳能电池的制造方法
JP2010205792A (ja) * 2009-02-27 2010-09-16 Hitachi Cable Ltd 太陽電池用リード線およびその製造方法並びにそれを用いた太陽電池
MY157233A (en) 2009-03-11 2016-05-13 Shinetsu Chemical Co Connection sheet for solar battery cell electrode, process for manufacturing solar cell module, and solar cell module
JP5397809B2 (ja) * 2009-10-21 2014-01-22 日立金属株式会社 太陽電池
US10937564B2 (en) * 2009-10-26 2021-03-02 Goto Denshi Co., Ltd. Electric wire for high frequency, high voltage and large current
TWI483403B (zh) * 2010-04-02 2015-05-01 Gintech Energy Corp 形成光伏面板導電通道的方法
JP5367752B2 (ja) * 2010-06-11 2013-12-11 古河電気工業株式会社 半田メッキ線の製造方法及び製造装置
TWI495131B (zh) * 2010-08-30 2015-08-01 Furukawa Electric Co Ltd Cable for solar cell and method for manufacturing the same
JP5899623B2 (ja) * 2011-02-10 2016-04-06 三菱マテリアル株式会社 はんだ接合用積層体および接合体
JPWO2012111185A1 (ja) * 2011-02-15 2014-07-03 三菱電線工業株式会社 はんだめっき銅線およびその製造方法
TWI473282B (zh) * 2011-06-29 2015-02-11 Univ Nat Pingtung Sci & Tech 具有活性焊料塗層的導線及其使用方法
JP6048783B2 (ja) * 2011-09-29 2016-12-21 高周波熱錬株式会社 太陽電池用リード線の製造方法及び設備
JP2013102054A (ja) * 2011-11-08 2013-05-23 Mitsubishi Cable Ind Ltd 太陽電池用リード線
CN102569438B (zh) * 2012-01-31 2014-03-05 乐山职业技术学院 一种可节约银浆的太阳电池及其制备工艺
WO2015003292A1 (zh) * 2013-07-08 2015-01-15 Yu Xiaocui 一种用于制备光伏电池正面电极的复合电极材料及工艺
ITPD20130284A1 (it) * 2013-10-16 2015-04-17 Columbus Superconductors S P A Impianto di brasatura in continuo e processo di brasatura
JP5565519B1 (ja) * 2013-12-19 2014-08-06 日立金属株式会社 太陽電池モジュール
WO2016190602A1 (ko) * 2015-05-22 2016-12-01 엘에스전선 주식회사 태양전지 모듈용 환형 와이어
EP3171412B1 (de) * 2015-11-17 2019-06-12 LG Electronics Inc. Vorrichtung und verfahren zur befestigung von verbindern eines solarzellenpaneels
US12009332B2 (en) * 2016-07-28 2024-06-11 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device having high yield strength intermediate plate

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT285278B (de) * 1968-04-19 1970-10-27 Boehler & Co Ag Geb Verfahren und Anlage zur Herstellung von verkupferten, insbesondere für die CO2-Schutzgasschweißung dienenden Stahldrähten
EP0468787A3 (en) * 1990-07-27 1993-08-04 Shinko Electric Industries Co. Ltd. Tape automated bonding in semiconductor technique
JPH04293757A (ja) 1991-03-23 1992-10-19 Totoku Electric Co Ltd 平角めっき線の製造方法
JP2510901B2 (ja) 1991-04-12 1996-06-26 東京特殊電線株式会社 めっき平角線の製造方法
JPH07302923A (ja) 1994-04-28 1995-11-14 Canon Inc 光起電力素子
JPH0964258A (ja) 1995-08-25 1997-03-07 Hitachi Ltd 大電力半導体デバイス
JPH1121660A (ja) * 1997-07-03 1999-01-26 Hitachi Cable Ltd 太陽電池用接続線
JP3941304B2 (ja) 1999-11-19 2007-07-04 日立電線株式会社 超極細銅合金線材及びその製造方法並びにこれを用いた電線
JP2001352014A (ja) 2000-06-06 2001-12-21 Canon Inc 半導体装置及び太陽電池モジュール
JP3604337B2 (ja) 2000-10-03 2004-12-22 古河電気工業株式会社 絶縁電線の製造方法
US6395972B1 (en) 2000-11-09 2002-05-28 Trw Inc. Method of solar cell external interconnection and solar cell panel made thereby
JP2002263880A (ja) * 2001-03-06 2002-09-17 Hitachi Cable Ltd Pbフリー半田、およびこれを使用した接続用リード線ならびに電気部品
JP4988992B2 (ja) 2001-03-13 2012-08-01 昭和電線ケーブルシステム株式会社 エナメル線の製造方法
JP2002353475A (ja) 2001-05-29 2002-12-06 Kyocera Corp 太陽電池素子
JP3850787B2 (ja) 2001-11-12 2006-11-29 株式会社Neomaxマテリアル 電子部品用パッケージ、その蓋体、その蓋体用の蓋材およびその蓋材の製造方法
JP2003174179A (ja) 2001-12-07 2003-06-20 Daido Steel Co Ltd 集光型太陽光発電装置
KR100689229B1 (ko) 2002-10-03 2007-03-02 가부시키가이샤후지쿠라 전극 기판, 광전변환 소자, 도전성 글래스 기판 및 그 제조방법, 및 색소증감 태양전지
JP4416997B2 (ja) 2002-11-12 2010-02-17 株式会社フジクラ 色素増感太陽電池用電極基板、光電変換素子、並びに色素増感太陽電池
JP2004204257A (ja) 2002-12-24 2004-07-22 Hitachi Cable Ltd はんだめっき複合平角導体
WO2005114751A1 (ja) 2004-05-21 2005-12-01 Neomax Materials Co., Ltd. 太陽電池用電極線材
JP5491682B2 (ja) 2004-08-13 2014-05-14 日立金属株式会社 太陽電池用平角導体及びその製造方法並びに太陽電池用リード線

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006049603A1 (de) * 2006-10-20 2008-04-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Zellverbinder zur elektrischen Kontaktierung von flächigen Stromquellen sowie Verwendung
US7955123B2 (en) 2006-10-20 2011-06-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forshung e.V. Cell connector for electronically contacting planar power sources, and use thereof
DE102010017180A1 (de) * 2010-06-01 2011-12-01 Solarworld Innovations Gmbh Solarzelle, Solarmodul, und Verfahren zum Verdrahten einer Solarzelle, und Kontaktdraht
DE102011013928A1 (de) * 2011-03-14 2012-09-20 Schott Solar Ag Verfahren zum Löten von Solarzellen
EP3392916A1 (de) * 2017-04-19 2018-10-24 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Alterungsresistente aluminiumverbinder für solarzellen

Also Published As

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US9530918B2 (en) 2016-12-27
US8748734B2 (en) 2014-06-10

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