-
Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Speicherzelle, welche insbesondere
aus drei Transistoren besteht und bei welcher eine in der Speicherzelle
gespeicherte Information durch einen differenziellen Lesevorgang
erfassbar ist, und eine Lesevorrichtung, welche insbesondere genau
fünf Transistoren
umfasst und zum Einstellen ihres eigenen Arbeitspunktes ausgestaltet
ist. Zusätzlich
betrifft die vorliegende Erfindung Speicheranordnungen mit einer
derartigen Speicherzelle und Lesevorrichtung.
-
Moderne
Halbleiterschaltungen nach dem Stand der Technik erfordern häufig in
die jeweilige Halbleiterschaltung eingebettete Speicheranordnungen
mit einer großen
Speicherkapazität.
Dabei sollen diese Speicheranordnungen eine hohe Zugriffsgeschwindigkeit,
eine niedrigere Versorgungsspannung und einen niedrigeren Stromverbrauch
bzw. Energieverbrauch aufweisen. Daraus folgt, dass diese Speicheranordnungen
hinsichtlich Zugriffsgeschwindigkeit, Flächenbedarf sowie dynamischem
und statischem Leistungsverbrauch optimiert werden müssen.
-
Die
nach dem Stand der Technik bekannte 6T-Speicherzelle weist beispielsweise
einen relativ hohen Leckstrom auf. Zusätzlich ist der Flächenbedarf
der 6T-Speicherzelle relativ hoch. Alternative bekannte Speicherzellen,
welche einen geringeren Flächenbedarf
als die 6T-Speicherzelle aufweisen, müssen in der Regel aufgefrischt
(refreshed) werden und haben meist eine größere Zugriffszeit als die 6T-Speicherzelle.
Beispielsweise benötigt
eine 3T-Zelle, welche nach dem Stand der Technik die alternative
Speicherzelle mit dem größten Leistungsvermögen ist,
getrennte Metallleitungen zum Lesen und Schreiben und für die Versorgungsspannung.
Alternativ kann auch der Anschluss für die Lese- und Schreib-Wortleitung
bei der 3T-Speicherzelle verbunden werden. Dadurch ergeben sich
aber Nachteile für
die 3T-Speicherzelle.
-
Daher
ist es eine erste Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Speicherzelle
bereitzustellen, welche im Vergleich zum Stand der Technik einen
geringen Flächenbedarf,
eine kurze Zugriffszeit und einen geringen Stromverbrauch aufweist
sowie nur eine geringe Versorgungsspannung benötigt. Eine zweite Aufgabe der
vorliegenden Erfindung ist, eine Lesevorrichtung bereitzustellen,
welche im Vergleich zum Stand der Technik einen geringen Flächenbedarf
und geringen Stromverbrauch aufweist sowie nur eine geringe Versorgungsspannung
benötigt.
Darüber
hinaus soll als eine dritte Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine
Speicheranordnung bereitgestellt werden, welche eine erfindungsgemäße Speicherzelle
und/oder einer erfindungsgemäße Lesevorrichtung
umfasst.
-
Erfindungsgemäß wird die
erste Aufgabe durch eine Speicherzelle gemäß Anspruch 1, die zweite Aufgabe
durch eine Lesevorrichtung gemäß Anspruch
15 und die dritte Aufgabe durch eine Speicheranordnung gemäß Anspruch
11 oder 26 gelöst.
Die abhängigen
Ansprüche
definieren bevorzugte und vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung.
-
Im
Rahmen der vorliegenden Erfindung umfasst eine Speicherzelle Transistoren,
insbesondere drei Transistoren, und zwei Leseanschlüsse, welche
jeweils mit einer Leseleitung verbunden sind. Dabei wird eine in
der Speicherzelle abgespeicherte Information durch eine differenzielle
Leseoperation gelesen. Unter einer differenziellen Leseoperation
wird ein Lesevorgang verstanden, bei welchem ein elektrischer Strom
bzw. eine Stärke
des elektrischen Stroms zwischen den zwei Leseanschlüssen oder
ein Potenzialunterschied bzw. eine Größe des Potenzialunterschieds
zwischen den zwei Leseanschlüssen
ausgewertet wird.
-
Damit
ist die erfindungsgemäße Speicherzelle
sehr kompakt aufgebaut und weist nur einen im Vergleich zum Stand
der Technik geringen Flächenbedarf
auf. Darüber
hinaus sorgt die differenzielle Leseoperation für eine kurze Zugriffszeit beispielsweise
im Vergleich zu einer Leseoperation, bei welcher nur eine Leseleitung
bzw. ein Potenzial der Leseleitung umgeladen wird.
-
Die
drei Transistoren können
dabei alle vom selben Leitfähigkeitstyp
sein, beispielsweise können
die drei Transistoren entweder alle NMOS-Transistoren oder alle
PMOS-Transistoren
sein.
-
Darüber hinaus
ist es möglich,
dass die drei Transistoren jede mögliche Kombination aus NMOS-
und PMOS-Transistoren aufweisen. Zum Beispiel kann einer ein PMOS-Transistor
und die beiden anderen können NMOS-Transistoren
sein.
-
Da
die drei Transistoren alle vom selben Leitfähigkeitstyp sein können, spielt
der Mindestabstand zwischen einem n+ dotierten Gebiet und einem
p+ dotierten Gebiet für
die erfindungsgemäße Speicherzelle
keine Rolle. Dieser Mindestabstand ist für Speicheranordnungen, deren
Halbleiterschaltungen mittels der PSM-Lithographie (PSM = Phase
Shifting Mask; wird ab einer Strukturbreite von 65nm oder weniger
eingesetzt) erstellt werden, wichtig, da dabei alle Polyverbindungen
parallel verlaufen. Dadurch umfasst beispielsweise die 6T-Zelle
zweimal den eben genannten Mindestabstand innerhalb einer Zelle.
Zusammenfassend können
Speicherzellen, welche Transistoren mit demselben Leitfähigkeitstyp
aufweisen, gerade bei der PSM-Lithographie bezüglich des Flächenbedarfs
effizienter realisiert werden, als Speicherzellen, welche Transistoren
mit unterschiedlichen Leitfähigkeitstypen
umfassen.
-
Die
Speicherzelle weist insbesondere eine zusätzliche Kapazität auf, um
die in der Speicherzelle zu speichernde Information zu speichern.
-
Durch
die Kapazität
ist die Speicherzelle gegenüber
Strahlung, z.B. kosmischer Strahlung, robuster als Speicherzellen,
welche keine Kapazität
aufweisen. Da durch die Kapazität
die von der Speicherzelle gespeicherte Information repräsentierende
Ladung größer ist,
als es ohne die zusätzliche
Kapazität
der Fall wäre, wird
diese Ladung durch Strahlung schwieriger derart verändert, dass
damit auch die in der Speicherzelle gespeicherte Information geändert wird.
Zusätzlich
gewährleistet
die Kapazität,
dass eine Speicherzeit (Zeitintervall, welches verstreicht, bis
die von der Speicherzelle zu speichernde Information in der Speicherzelle
gespeichert ist) gering genug ist, damit Anforderungen an eine Taktrate
einer Halbleiterschaltung, welche die erfindungsgemäße Speicherzelle
beinhaltet, erfüllt
werden können.
-
Zusammenfassend
weist die erfindungsgemäße Speicherzelle
im Vergleich zum Stand der Technik einen geringen Flächenbedarf,
eine kurze Zugriffszeit und einen geringen Stromverbrauch auf und
ist auch in Halbleiterschaltungen, welche nur eine geringe Versorgungsspannung
besitzen, ohne Probleme einsetzbar. Die erfindungsgemäße Speicherzelle
ist sehr gut in einen standardisierten Halbleiterschaltungs-Herstellungsprozess
zu integrieren, da sie wie andere Speicherzellen nach dem Stand
der Technik auch nur eine Kapazität (was für einen Entwicklungsprozess
im Vergleich zu Transistoren eine gewisse Besonderheit darstellt)
aufweist.
-
Im
Rahmen der vorliegenden Erfindung wird auch eine Speicheranordnung
bereitgestellt, welche mehrere erfindungsgemäße Speicherzellen umfasst.
Dabei werden vorteilhafter Weise von der Speicheranordnung bei allen Speicherzellen,
welche nicht geschrieben oder gelesen werden, mindestens einer der
Transistoren der entsprechenden Speicherzelle mit einer derartigen
Vorspannung versehen, dass eine Schwellspannung eines derartig vorgespannten
Transistors im Vergleich zu einem nicht derartig vorgespannten Transistor
höher ist.
Dies wird auch als back-bias bezeichnet.
-
Durch
die Erhöhung
der Schwellspannung wird der Leckstrom des entsprechenden Transistors
verringert, wodurch der Stromverbrauch der Speicherzelle und damit
der Speicheranordnung abgesenkt wird. Zwar wird dadurch auch die
Zugriffszeit der Speicherzelle vergrößert, dies ist aber kein Nachteil,
da die Schwellspannung nur bei Transistoren erhöht wird, welche zu Speicherzellen
gehören,
die zu diesem Zeitpunkt weder gelesen noch geschrieben werden.
-
Darüber hinaus
benötigt
die erfindungsgemäße Speicherzelle
außer
für die
Substrat- und Wannenkontakte keine Versorgungsspannungszuleitungen,
da die notwendige Energie bei einem Lesevorgang über die Leseleitungen und beim
Schreibvorgang über
die Schreibleitung geliefert wird, wodurch die erfindungsgemäße Speicheranordnung
vorteilhafter Weise weniger Versorgungsspannungsleitungen als nach
dem Stand der Technik üblich
benötigt.
Da die Energiezufuhr über
die Leseleitungen geringer als bei beispielsweise eine Versorgungsspannung
tragende Versorgungsspannungsleitung ist, kann die Metallisierung
der Leseleitungen (z.B. die Breite der Leiterbahn der Leseleitung)
geringer dimensioniert sein, als bei einer Versorgungsspannungsleitung.
Da zusätzlich
ein Referenzpotenzial für
die Kapazität
jeder Speicherzelle für
alle Speicherzellen der Speicheranordnung gemeinsam ausgeführt sein
kann, was vorteilhaft für
die besonders hinsichtlich Überlast
kritischen Metallebenen 1 und 2 einer Halbleiterschaltung,
welche die erfindungsgemäße Speicheranordnung
umfasst, ist, können
gerade diese Metallebenen 1 und 2 mit einer im
Vergleich zum Stand der Technik geringeren Breite ausgestaltet werden.
Falls die Kapazität
durch Verdrahtungsleitungen realisiert wird, kann das Referenzpotenzial
in einer oberen Metallebene der Halbleiterschaltung geführt werden.
Dadurch wird die Anzahl der Metallebenen in den Ebenen 1 und 2 (d.h.
in den beiden untersten Metallebenen der Halbleiterschaltung) reduziert.
-
Bezüglich der
Substrat- und Wannenkontakte sei noch angemerkt, dass diese Kontakte
für eine
gesamte Zeile oder Spalte der erfindungsgemäßen Speicheranordnung gemeinsam
mit der dafür
benötigten
Versorgungsspannung beaufschlagt sein können.
-
Im
Rahmen der vorliegenden Erfindung wird auch eine Lesevorrichtung
bereitgestellt, welche zwei Eingangsanschlüsse und einen Ausgangsanschluss
aufweist. Dabei ist die erfindungsgemäße Lesevorrichtung in der Lage, über einen
Strom, welcher zwischen den zwei Eingangsanschlüssen fließt, eine 1-Bit-Information
zu erfassen und an dem Ausgangsanschluss darzustellen. Dabei umfasst
die Lesevorrichtung insbesondere genau fünf Transistoren und ist in
der Lage die zwei Eingangsanschlüsse
auf unterschiedliche Potenziale zu laden, um so ihren Arbeitspunkt
einzustellen.
-
Mit
anderen Worten ist die erfindungsgemäße Lesevorrichtung in der Lage
anhand der Größe des Stromflusses
zwischen ihren zwei Eingangsanschlüsse zu entscheiden, ob mittels
zwei Leitungen, welche jeweils mit den zwei Eingangsanschlüssen verbunden
sind, eine 0 oder eine 1 codiert ist.
-
Da
die erfindungsgemäße Lesevorrichtung
insbesondere nur fünf
Transistoren umfasst, weist sie einen im Vergleich zu Lesevorrichtungen
nach dem Stand der Technik geringen Flächenbedarf auf, obwohl sie nicht
nur eine Information lesen kann, sondern auch in der Lage ist, die
beiden Eingangsanschlüsse, über welche
sie die Information erfasst, vor der eigentlichen Leseoperation
auf unterschiedliche Potenziale zu laden bzw. vorzuladen, um so
ihren eigenen Arbeitspunkt einzustellen.
-
Indem
die erfindungsgemäße Lesevorrichtung
ihren Arbeitspunkt selbst einstellt, wird eine weitere Schaltung,
welche den Arbeitspunkt einstellt nicht benötigt. Dies ist ein nicht zu
unterschätzender
Vorteil, da eine Ausgestaltung einer solchen Schaltung, welche einen
Arbeitspunkt für
eine andere Schaltung einstellt, von einem Entwurfsverfahren bzw.
einem Schaltungsgenerator nur schwer zu realisieren ist.
-
Vorteilhafter
Weise sind bei der erfindungsgemäßen Lesevorrichtung
nur drei der fünf
Transistoren in Reihe geschaltet.
-
Da
sich die Versorgungsspannung über
die in Reihe geschalteten Transistoren aufteilt und jeder Transistor
eine gewisse Spannungsdifferenz zwischen seinen Nicht-Steueranschlüssen (z.B.
Source- und Drain-Anschluss bei einem NMOS- bzw. PMOS-Transistor)
für einen
optimalen Betrieb benötigt,
muss die Versorgungsspannung einer Speicherzelle um so höher sein,
je mehr Transistoren innerhalb der Speicherzelle in Reihe geschaltet
sind. Anders ausgedrückt,
kann die erfindungsgemäße Lesevorrichtung
aufgrund der Tatsache, dass bei ihr nur drei Transistoren in Reihe
geschaltet sind, mit einer nach dem Stand der Technik vergleichsweise
geringen Versorgungsspannung betrieben werden.
-
Die
erfindungsgemäße Lesevorrichtung
ist nicht nur in der Lage Speicherinhalte erfindungsgemäßer Speicherzellen
zu erfassen, sondern die erfindungsgemäße Lesevorrichtung kann auch
eingesetzt werden, um Speicherinhalte von anderen zum differenziellen
Lesen ausgestalteten Speicherzellen, beispielsweise entsprechend
ausgestalteten 6T-Zellen, welche nach dem Stand der Technik bekannt
sind, zu lesen. Mit anderen Worten lassen sich sowohl die erfindungsgemäße Speicherzelle
als auch die erfindungsgemäße Lesevorrichtung
unabhängig
voneinander einsetzen, d.h. die erfindungsgemäße Speicherzelle mit anderen
Lesevorrichtungen zusammenarbeiten und die Lesevorrichtung kann
Speicherinhalte anderer Speicherzellen lesen.
-
Da
die erfindungsgemäße Lesevorrichtung
anhand einer Stromgröße erfasst,
welche Information in einer Speicherzelle gespeichert ist, ist die
Lesevorrichtung auch geeignet, eine Information zu erfassen, welche in
einer Speicherzelle abgespeichert ist, welche abhängig von
der in ihr gespeicherten Information ihren Widerstandswert ändert, so
dass die Speicherzelle bei einem Lesevorgang den Strom zwischen
den beiden Eingangsanschlüssen
der Lesevorrichtung abhängig
von der in ihr gespeicherten Information ändert. Solche Speicherzellen
sind unter dem Begriff „Phase-Changing
Memory" bekannt,
bei welchen sich der Widerstand der Speicherzelle durch Temperaturunterschiede
aufgrund eines Übergangs
einer amorphen Struktur in eine kristalline Struktur (oder umgekehrt) ändert. Magnetoresistive
(MRAM) oder Conductive-Bridging (CBRAM) Speicher sind andere Varianten
von Speicherzellen, welche die gespeicherte Information als Widerstandsänderung wiedergeben.
-
Im
Rahmen der vorliegenden Erfindung wird auch eine Speicheranordnung
bereitgestellt, welche mindestens eine erfindungsgemäße Lesevorrichtung
und mehrere Speicherzellen umfasst. Dabei können eine, mehrere oder alle
dieser Speicherzellen erfindungsgemäße Speicherzellen sein.
-
Die
vorliegende Erfindung eignet sich vorzugsweise zum Einsatz bei großen in Halbleiterschaltungen eingebetteten
Speicheranordnungen, wobei die Halbleiterschaltung mit einer geringen
Versorgungsspannung (< 1V)
betrieben wird, für
einen energiearmen Betrieb ausgelegt ist, aber trotzdem eine rasche
Zugriffszeit auf ihre Speicheranordnung benötigt. Insbesondere eignet sich
die Erfindung auch, um kleinere einheitliche Blöcke aus Speicherzellen und
Lesevorrichtungen zu bilden, um dadurch Probleme mit fehlangepassten
Speicherzellen zu vermeiden. Fehlanpassung entsteht vor allem durch
statistische Schwankungen der verwendeten Transistoren. Zum Beispiel
ist die 6T-Speicherzelle sehr anfällig für derartige Schwankungen. Selbstverständlich ist
die Erfindung jedoch nicht auf diese bevorzugten Anwendungsbereiche
beschränkt,
sondern kann beispielsweise auch für Halbleiterschaltungen eingesetzt
werden, welche mit einer höheren
Versorgungsspannung (> 1V)
arbeiten.
-
Selbstverständlich ist
es auch möglich,
eine erfindungsgemäße Speicherzelle
oder eine erfindungsgemäße Lesevorrichtung
aufzubauen, welche mehr als 3 bzw. 5 Transistoren aufweist, indem
beispielsweise zwei Transistoren parallel geschaltet sind und von
der Funktion her als ein Transistor der erfindungsgemäßen Speicherzelle
bzw. der erfindungsgemäßen Lesevorrichtung
betrieben werden. Daher fallen alle Speicherzellen bzw. Lesevorrichtungen
unter die im Folgenden definierten Ansprüche, welche zusätzlich zu
den 3 bzw. 5 Transistoren redundante Schaltungsteile aufweisen,
die für
die Funktion der Speicherzelle bzw. Lesevorrichtung nicht notwendig
sind.
-
Die
vorliegende Erfindung wird nachfolgend näher unter Bezugnahme auf die
beigefügte
Zeichnung anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele erläutert.
-
Die 1 bis 5 stellen
erfindungsgemäße Ausführungsformen
der Speicherzelle dar, wobei jede Figur eine andere erfindungsgemäße Ausführungsform
darstellt.
-
6 stellt
eine erfindungsgemäße Speicheranordnung
dar, welche drei erfindungsgemäße Speicherzellen
und eine erfindungsgemäße Lesevorrichtung
umfasst.
-
7 stellt
eine erfindungsgemäße Ausführungsform
einer Lesevorrichtung dar.
-
In 1 ist
eine erste Ausführungsform
einer erfindungsgemäßen Speicherzelle 1 mit
drei NMOS-Transistoren 11-13 dargestellt. Dabei
ist ein erster Leseanschluss 2 der Speicherzelle 1 mit
einer ersten Leseleitung 5 verbunden, während ein zweiter Leseanschluss 3 der
Speicherzelle 1 mit einer zweiten Leseleitung 6 verbunden
ist. Ein Schreibanschluss 4 der Speicherzelle 1 ist
mit einer Schreibleitung 7 verbunden. Der erste Leseanschluss 2 ist
mit dem Drain-Anschluss eines ersten 11 der drei NMOS-Transistoren verbundenen, dessen
Source-Anschluss mit dem Drain-Anschluss eines zweiten 12 der
drei NMOS-Transistoren verbunden ist. Der Steuereingang 9 des
ersten NMOS-Transistors 11 ist
gleichzeitig ein Lesesteueranschluss 9 der Speicherzelle 1.
Der zweite Leseanschluss 3 ist mit dem Source-Anschluss
des zweiten NMOS-Transistors 12 verbunden, während der
Schreibanschluss 4 mit dem Drain-Anschluss eines dritten 13 der
drei NMOS-Transistoren verbunden ist. Der Source-Anschluss des dritten
NMOS-Transistors 13 ist zum einen mit einem Kondensator 14 der
Speicherzelle 1 und mit dem Steuereingang des zweiten NMOS-Transistors 12 verbunden.
Ein zweiter Anschluss des Kondensators 14 ist mit Masse
verbunden und der Steuereingang 8 des dritten NMOS-Transistors 13 ist
mit einem Schreibsteueranschluss 8 der Speicherzelle 1 verbunden.
-
Bei
einer nicht dargestellten Ausführungsform
kann der zweite Anschluss des Kondensators mit einem Referenzpotenzial
(anstelle der Masse) verbunden sein.
-
Um
eine Information in die Speicherzelle 1 zu schreiben, wird
die Schreibleitung 7 gemäß der zu schreibenden Informationen
auf ein Potenzial, welches eine binäre 0 oder 1 repräsentiert,
(also z.B. VSS oder VDD)
gesetzt und anschließend
der Schreibsteueranschluss 8 angesteuert, wodurch der dritte
NMOS-Transistor 13 durchschaltet und der Kondensator 14 das
Potenzial der Schreibleitung 7 übernimmt und damit die binäre 0 oder
1 speichert.
-
Um
eine Information aus der Speicherzelle 1 zu lesen, wird
die erste Leseleitung 5 auf ein der binären 1 entsprechendes Potenzial
z.B. VDD und die zweite Leseleitung 6 auf
ein der binären
0 entsprechendes Potenzial z.B. VSS vorgeladen.
Anschließend
wird der Lesesteueranschluss 9 aktiviert, so dass der erste
Transistor 11 durchschaltet. Entspricht die von dem Kondensator 14 gespeicherte
Ladung einer binären
1 (z.B. VDD), ist auch der Transistor 12 durchgeschaltet,
wodurch eine niederohmigen Verbindung zwischen den zwei Leseleitungen 5, 6 existiert,
welche den Potenzialunterschied zwischen den beiden Leseleitungen 5, 6 abbaut.
Dagegen ist der zweite Transistor 12 nicht durchgeschaltet,
wenn der Kondensator 14 eine Ladung beinhaltet, welche
die binäre
0 repräsentiert
(z.B. VSS), wodurch die aus dem ersten und
zweiten Transistor 11, 12 bestehende elektrische
Verbindung zwischen den beiden Leseleitungen 5, 6 hochohmig
ist und die beiden Leseleitungen 5, 6 ihren Potenzialunterschied
wesentlich langsamer nivellieren.
-
Damit
fließt
für den
Fall, dass eine binäre
1 von dem Kondensator gespeichert wird, ein größer Strom zwischen den Leseanschlüssen 2, 3,
als für
den Fall, dass eine binäre
0 von dem Kondensator gespeichert wird.
-
Werden
bei einem nicht dargestellten Ausführungsbeispiel p-Kanal-Transistoren
anstelle der NMOS-Transistoren eingesetzt, müssen Kontrollsignale, welche
mit den Steuereingängen
der Transistoren verbunden sind, entsprechend invertiert werden.
Bei dieser Ausführungsform
fliest für
eine gespeicherte 0 Strom.
-
Es
sei darauf hingewiesen, dass die beiden Leseleitungen 5, 6 vor
einem Lesevorgang auch genau andersherum vorgeladen werden können, d.h.
die erste Leseleitung 2 mit einem der binären 0 entsprechenden Potenzial
und die zweite Leseleitung 6 mit einem der binären 1 entsprechenden
Potenzial. Allerdings ist die zuerst angegebene Potenzialverteilung
bezüglich
der Leseleitungen 5, 6 für die gewählte Struktur der Speicherzelle 1 hinsichtlich
der Zugriffszeit der Speicherzelle 1 besser geeignet, da
für den
Fall, dass der Kondensator 14 eine binäre 1 repräsentiert, der Potenzialunterschied
zwischen den beiden Leseleitungen 5, 6 bei der ersten
Potenzialverteilung rascher nivelliert wird bzw. der Strom zwischen
den beiden Leseanschlüssen 2, 3 größer ist
als bei der zweiten Potenzialverteilung.
-
Des
Weiteren sei angemerkt, dass die erfindungsgemäße Speicherzelle 1 bis
auf einen Wannen- und Substratskontakt keine Zuleitung einer Versorgungsspannung
benötigt.
Das Referenzpotenzial für
die Kapazität
beziehungsweise den Kondensator 14 kann über eine
Zuleitung zugeführt
werden, welche für
alle Speicherzellen einer Speicheranordnung, die mehrere Speicherzellen 1 enthält, dieselbe
ist.
-
In
den 2 bis 5 sind vier weitere Ausführungsformen
der erfindungsgemäßen Speicherzelle 1 dargestellt.
Dabei bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche Elemente der Speicherzelle 1.
Daher wird auf eine wiederholende Beschreibung von Elementen, welche
bereits bei einer vorab beschriebenen Ausführungsform beschrieben worden
sind, verzichtet und sich nur auf die jeweiligen Besonderheiten
konzentriert.
-
Der
Unterschied zwischen der zweiten in 2 dargestellten
Ausführungsform
und der ersten in 1 dargestellten Ausführungsform
ist, dass der Lesesteueranschluss 9 und der Schreibsteueranschluss 8 zu
einem Steueranschluss 10 bzw. einem kombinierten Lese/Schreibanschluss
zusammengefasst sind.
-
Die
erste Ausführungsform
besitzt gegenüber
der zweiten Ausführungsform
den Vorteil, dass eine erste Speicherzelle, welche mit denselben
Leseleitungen 5, 6 und derselben Schreibleitung 7 verbunden
ist wie eine zweite erfindungsgemäße Speicherzelle 1,
gelesen bzw. beschrieben werden kann, während gleichzeitig die zweite
Speicherzelle 1 beschrieben bzw. gelesen wird. Dies ist
nur möglich,
wenn sowohl die erste als auch die zweite Speicherzelle 1 jeweils
einen Lesesteueranschluss 9 aufweisen, welcher von dem
Schreibsteueranschluss 8 getrennt ist, da dann die eine
Speicherzelle 1 schreibend angesteuert werden kann, während die andere
gelesen wird.
-
Wenn
hingegen die erste und die zweite Speicherzelle 1 mit unterschiedlichen
Leseleitungen 5, 6 und unterschiedlichen Schreibleitungen 7 verbunden
sind oder wenn gewährleistet
ist, dass die eine Speicherzelle 1 nicht mittels des Steueranschlusses 10 angesteuert
wird, wenn die andere angesteuert wird, bietet die zweite Ausführungsform
den Vorteil, dass nur eine Steuererleitung mit jeder Speicherzelle 1 verbunden
werden muss, was bei einer Verdrahtung einer Speicheranordnung,
welche die Speicherzellen aufweist, vorteilhaft ist.
-
Bei
der in 3 dargestellten dritten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Speicherzelle 1 ist der
zweite Anschluss des Kondensators elektrisch mit der elektrischen
Verbindung von dem Drain-Anschluss des ersten NMOS-Transistors 11 und
dem Source-Anschluss des zweiten NMOS-Transistors 12 verbunden.
-
Bei
der in 4 dargestellten vierten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Speicherzelle
ist kein Kondensator eingezeichnet, wobei die vierte Ausführungsform
ansonsten der zweiten oder dritten Ausführungsform gleicht. In der
vierten Ausführungsform
wird die Eingangs-MOS-Kapazität
des Steuereingangs des zweiten Transistors 12 genutzt,
um die Ladung zu speichern, welche der Information entspricht, die
von der Speicherzelle 1 gespeichert wird.
-
Die
in 5 dargestellte fünfte Ausführungsform entspricht im Wesentlichen
der in 1 dargestellten ersten Ausführungsform mit einem Lesesteueranschluss 9 und
einem Schreibsteueranschluss 8, wobei wie bei der vierten
Ausführungsform
die Kapazität
durch die Eingangs-MOS-Kapazität des Eingangs
des zweiten Transistors 12 gebildet wird.
-
Es
sei darauf hingewiesen, dass bei allen Ausführungsformen die NMOS-Transistoren
durch PMOS-Transistoren ersetzt werden könnten. In diesem Fall müssten die
Steueranschlüsse 8-10 invertiert
angesteuert werden, um die erfindungsgemäße Speicherzelle zu beschreiben
bzw. zu lesen. Für
einen optimalen Lesevorgang sollte die erste Leseleitung 5 mit
einem einer binären
0 entsprechenden Potenzial und die zweite Leseleitung 6 mit
einem einer binären
1 entsprechenden Potenzial vorgeladen sein. Die Reaktion der Speicherzelle 1 bei
einem Lesevorgang wird dahingehend umdefiniert, dass die Speicherzelle 1 für eine niederohmige
elektrische Verbindung zwischen den beiden Leseleitungen 5, 6 sorgt,
wenn sie eine binäre
0 speichert, und sonst die hochohmige elektrische Verbindung zwischen
den beiden Leseleitungen 5, 6 belässt.
-
In 6 ist
eine erfindungsgemäße Ausführungsform
einer Speicheranordnung 40 dargestellt, welche mehrere
erfindungsgemäße Speicherzellen 1 und
eine erfindungsgemäße Lesevorrichtung 20 aufweist.
Dabei besitzen die Speicherzellen 1 jeweils einen Steueranschluss 10 anstelle
jeweils eines Lesesteueranschlusses 9 und eines Schreibsteueranschlusses 8.
Des Weiteren weist die Speicheranordnung 40 eine Ansteuerlogik 41,
pro Speicherzelle 1 eine Ansteuerleitung 42, eine
Schreibleitung 7 und zwei Leseleitungen 5, 6 auf.
-
Um
ein Bit in eine Speicherzelle 1 zu schreiben, setzt die
Speicheranordnung 40 voraus, dass ein diesem Bit entsprechendes
Potenzial auf einem Anschluss der Speicheranordnung 40 anliegt,
welcher mit der Schreibleitung 7 verbunden ist. Über die
Ansteuerlogik 41 steuert die Speicheranordnung 40 dann
die entsprechende Speicherzelle 1 an, in welche das zu
speichernde Bit geschrieben werden soll. Dazu aktiviert die Ansteuerlogik 41 die
entsprechende Ansteuerleitung 42, welche mit der entsprechenden
Speicherzelle 1 verbunden ist.
-
Zum
Lesen eines Bits aus einer Speicherzelle 1 wird vorausgesetzt,
dass die erste Leseleitung 5 auf VDD und
die zweite Leseleitung 6 auf VSS liegt,
wofür eine
weitere Vorrichtung (nicht dargestellt) der Speicheranordnung 40 sorgt,
wie es nach dem Stand der Technik üblich ist. Anschließend wird
die weitere Vorrichtung deaktiviert, so dass sie die Leseleitungen
nicht mehr in Richtung VSS bzw. VDD zieht, und die entsprechende Speicherzelle 1 über die
Ansteuerlogik 41 mittels der entsprechenden Ansteuerleitung 42 angesteuert,
wodurch abhängig
von dem Speicherinhalt der angesteuerten Speicherzelle 1 entweder
die Potenzialdifferenz zwischen den beiden Leseleitungen 5, 6 nivelliert
oder belassen wird. Die Lesevorrichtung 20 erfasst den Strom,
welcher zwischen den beiden Leseleitungen 5, 6 fließt, was
im Folgenden noch näher
erläutert
wird, und entscheidet abhängig
davon, ob ein weiterer Anschluss der Lesevorrichtung 20, über welchen
der Speicherinhalt der angesteuerten Speicherzelle 1 von
der Speicheranordnung 40 abgreifbar ist, auf VDD oder
VSS gestellt wird.
-
In 7 ist
eine Ausführungsform
einer erfindungsgemäßen Lesevorrichtung 20 dargestellt.
Diese Lesevorrichtung 20 umfasst einen ersten PMOS-Transistor 21,
einen zweiten PMOS-Transistor 22,
einen dritten NMOS-Transistor 23, einen vierten NMOS-Transistor 24 und
einen fünften
NMOS-Transistor 25. Darüber
hinaus weist die Lesevorrichtung 20 einen ersten Eingangsanschluss 31 und
einen zweiten Eingangsanschluss 32 sowie einen Ausgangsanschluss 34 und
einen Steueranschluss 33 auf. Der Source-Anschluss des
ersten PMOS-Transistors 21 und der Source-Anschluss des
zweiten PMOS-Transistors 22 sind mit VDD verbunden. Der
erste Eingangsanschluss 31 ist mit dem Drain-Anschluss
des zweiten PMOS-Transistors, dem Drain-Anschluss des dritten NMOS-Transistors 23 und
dem Steuereingang des fünften
NMOS-Transistors 25 verbunden. Der zweite Eingangsanschluss 32 ist
sowohl mit dem Steuereingang des ersten PMOS-Transistors 21 als auch
mit dem Steuereingang des zweiten PMOS-Transistors 22 sowie
mit dem Source-Anschluss
des dritten NMOS-Transistors 23 wie auch mit dem Drain-Anschluss
des fünften
NMOS-Transistors 25 verbunden. Sowohl der Steuereingang
des dritten NMOS-Transistors 23 als auch der Steuereingang
des vierten NMOS-Transistors 24 ist mit dem Steueranschluss 33 der
Lesevorrichtung 20 verbunden. Zusätzlich sind der Drain-Anschluss
des ersten PMOS-Transistors 21,
der Drain-Anschluss des vierten NMOS-Transistors 24 und der Ausgangsanschluss 34 der
Lesevorrichtung 20 verbunden. Der Source-Anschluss des
vierten NMOS-Transistors 24 und der Source-Anschluss des
fünften
NMOS-Transistors 25 sind mit VSS elektrisch
verbunden.
-
Mit
dem Steueranschluss 33 lässt sich die Lesevorrichtung 20 an-
bzw. abschalten. Indem der Steueranschluss 33 auf VSS gelegt wird, werden der dritte NMOS-Transistor 23 und
der vierte NMOS-Transistor 24 deaktiviert bzw. hochohmig
geschaltet, wodurch auch der Strom durch die beiden PMOS-Transistoren 21, 22 auf
ein Minimum reduziert wird, wodurch die Lesevorrichtung 20 quasi
abgeschaltet ist. In diesem abgeschalteten Zustand verbraucht die
Lesevorrichtung 20 sehr wenig Leistung, weshalb dieser
Zustand bevorzugt ist, wenn mittels dieser Lesevorrichtung 20 kein
Speicherinhalt einer Speicherzelle 1 zu erfassen ist. Umgekehrt bedeutet
dies, dass für
die folgenden Überlegungen
bezüglich
eines Lesens eines in einer erfindungsgemäßen Speicherzelle 1 gespeicherten
Inhalts davon ausgegangen wird, dass der Steueranschluss 33 auf
VDD liegt bzw. die Lesevorrichtung 20 angeschaltet
ist.
-
Bei
einer nicht dargestellten Ausführungsform
kann der Transistor 23 als p-Kanal-Transistor bzw. PMOS-Transistor
ausgeführt
sein. Bei dieser Ausführungsform
wird allerdings ein zusätzlicher
Inverter benötigt,
da der PMOS-Transistor, welcher den Transistor 23 ersetzt,
und der NMOS-Transistor 24 mit komplementären Signalen
angesteuert werden müssen.
-
Damit
die Lesevorrichtung 20 den in einer erfindungsgemäßen Speicherzelle 1 gespeicherten
Inhalt erfassen kann, werden die Leseleitungen 5, 6 mit
den Eingangsanschlüssen 31, 32 verbunden.
Setzt man die in den 1 bis 5 dargestellten
Speicherzellen 1 voraus wird die erste Leseleitung 5 mit
dem ersten Eingangsanschluss 31 und die zweite Leseleitung 6 mit
dem zweiten Eingangsanschluss 32 verbunden.
-
Zum
Lesen einer mit der Lesevorrichtung 20 entsprechend verbundenen
Speicherzelle wird zuerst die Lesevorrichtung mittels des Steueranschlusses 33 aktiviert,
dadurch stellt die Lesevorrichtung bzw. der Verstärker 20 ihren/seinen
Arbeitspunkt selbst ein. In diesem Arbeitspunkt wird das an dem
ersten Eingangsanschluss 31 liegende Potenzial etwas in
Richtung VSS verschoben, während das
an dem zweiten Eingangsanschluss 32 anliegende Potenzial
etwas in Richtung VDD verschoben wird, so
dass zwischen dem Source- und dem Drain-Anschluss sowohl des zweiten
PMOS-Transistors 22 als auch des fünften PMOS-Transistors 25 eine
von 0 verschiedene Spannung anliegt.
-
Selbstverständlich ist
es auch möglich,
dass der die Lesevorrichtung 20 ständig aktiviert ist (Steueranschluss 33 liegt
ständig
auf VDD), um die notwendige Zeit, welche
zur Einstellung des Arbeitspunktes verstreicht, einzusparen.
-
Dadurch
wird ein Lesevorgang auf Kosten des Energieverbrauchs beschleunigt.
-
Die
erfindungsgemäße Lesevorrichtung 20 arbeitet
im Arbeitspunkt wie ein Stromspiegel bzw. wie ein einstufiger Verstärker. Durch
den Aufbau der Lesevorrichtung 20 ist der Strom durch den
ersten PMOS-Transistor 21 gleich dem Strom durch den zweiten
PMOS-Transistor 22. Da die Speicherzelle 1 über die
Leseleitungen 5, 6 parallel zu dem dritten NMOS-Transistor 23 liegt,
fließt
der Strom, welcher durch den zweiten PMOS-Transistor 22 fließt, auch
durch die aus der Speicherzelle 1 und dem dritten NMOS-Transistor 23 bestehenden
Parallelschaltung. Dadurch bestimmt der Strom durch die Speicherzelle 1 auch
den Strom durch den zweiten PMOS-Transistor 22 und damit
den Strom durch den ersten PMOS-Transistor 21 und
somit den Strom durch den vierten NMOS-Transistor 24.
-
Wie
vorab bei der Beschreibung der ersten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Speicherzelle 1 beschrieben
ist, bewirkt eine in der Speicherzelle 1 gespeicherte binäre 1, dass
die elektrische Verbindung innerhalb der Speicherzelle 1 zwischen
den beiden Leseleitungen 5, 6 niederohmig ist,
was zu einem im Vergleich zu einer in der Speicherzelle 1 gespeicherten
binären
0 erhöhten
Stromfluss durch die Speicherzelle 1 führt. Dadurch fließt für den Fall,
dass in der zu lesenden Speicherzelle 1 eine binäre 1 gespeichert
ist, durch den zweiten PMOS-Transistor 22 und damit durch
den ersten PMOS-Transistor 21 ein
höherer
Strom, als wenn in der zu lesenden Speicherzelle 1 eine
binäre
0 abgespeichert ist. Je höher
der Strom durch den ersten PMOS-Transistor 21 ist, desto
höher ist
auch der Strom durch den vierten NMOS-Transistor 24. Da
die Spannung zwischen dem Steuereingang und dem Source-Anschluss bei dem
vierten NMOS-Transistor 24 konstant ist, ist die Spannung
zwischen dem Drain-Anschluss und dem Source-Anschluss des vierten NMOS-Transistors 24 proportional
zu dem Strom durch den vierten NMOS-Transistor 24. Damit
liegt das Potenzial des Ausgangsanschlusses der Lesevorrichtung 20 bei
einem relativ großen
Strom durch den vierten NMOS-Transistor 24 (und damit durch
den ersten PMOS-Transistor 21) hervorgerufen durch einen
relativ großen
Strom durch die zu lesende Speicherzelle 1 in der Nähe von VDD, wodurch eine binäre 1 am Ausgangsanschluss 34 repräsentiert
wird. Im Gegensatz dazu liegt aufgrund derselben Überlegungen
das Potenzial des Ausgangsanschlusses 34 in der Nähe von VSS, wenn der Strom durch den vierten NMOS-Transistor 24 relativ
klein ist, wodurch eine binäre
0 am Ausgangsanschluss 34 repräsentiert wird.
-
Bei
einer nicht dargestellten Ausführungsform
einer erfindungsgemäßen Lesevorrichtung
sind die PMOS-Transistoren 21, 22 der in 7 dargestellten
Ausführungsform
der Lesevorrichtung 20 durch NMOS-Transistoren und die
NMOS-Transistoren 23-25 durch
PMOS-Transistoren ersetzt. Dabei sind auch die Versorgungsspannungsanschlüsse VSS, VDD vertauscht.
Zur Aktivierung der Lesevorrichtung wird der Steueranschluss auf
VSS gelegt. Für einen Lesevorgang sind der
erste Eingangsanschluss mit VSS und der
zweite Eingangsanschluss mit VDD vorgeladen.
Der Ausgangsanschluss weist ein in der Nähe von VSS liegendes
Potenzial auf, wenn beim Lesen der entsprechenden Speicherzelle 1 ein
relativ großer
Strom erfasst wird, und sonst VDD.
-
Damit
ergeben sich 4 verschiedene Kombinationsmöglichkeiten für ein Zusammenspiel
der verschiedenen Ausführungsformen
der Speicherzelle und der Lesevorrichtung, welche davon abhängen, ob
die erfindungsgemäße Speicherzelle
mit NMOS- oder PMOS-Transistoren
aufgebaut ist und ob die erfindungsgemäße Lesevorrichtung als dritten
Transistor einen NMOS- oder einen PMOS-Transistor umfasst.
-
Tabelle
1: Kombinationsmöglichkeiten
verschiedener Ausführungsformen
der Speicherzelle und Lesevorrichtung