DE102004051846A1 - Bauteil mit einer Reflektorschicht sowie Verfahren für seine Herstellung - Google Patents

Bauteil mit einer Reflektorschicht sowie Verfahren für seine Herstellung Download PDF

Info

Publication number
DE102004051846A1
DE102004051846A1 DE102004051846A DE102004051846A DE102004051846A1 DE 102004051846 A1 DE102004051846 A1 DE 102004051846A1 DE 102004051846 A DE102004051846 A DE 102004051846A DE 102004051846 A DE102004051846 A DE 102004051846A DE 102004051846 A1 DE102004051846 A1 DE 102004051846A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sio
layer
reflector
quartz glass
slip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102004051846A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102004051846B4 (de
Inventor
Armin Maul
Thorsten Herbert
Jürgen Weber
Sven Linow
Stefan Fuchs
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG
Original Assignee
Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG filed Critical Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG
Priority to DE102004051846A priority Critical patent/DE102004051846B4/de
Priority to US11/030,561 priority patent/US7563512B2/en
Priority claimed from DE102005016732A external-priority patent/DE102005016732A1/de
Priority to DE102005016732A priority patent/DE102005016732A1/de
Priority to CA2575799A priority patent/CA2575799C/en
Priority to KR1020077006657A priority patent/KR101113777B1/ko
Priority to DE502005004213T priority patent/DE502005004213D1/de
Priority to AT05777540T priority patent/ATE396155T1/de
Priority to ES05777540T priority patent/ES2306204T3/es
Priority to EP05777540A priority patent/EP1784368B1/de
Priority to JP2007528726A priority patent/JP5008198B2/ja
Priority to CN2005800282168A priority patent/CN101023041B/zh
Priority to PL05777540T priority patent/PL1784368T3/pl
Priority to PCT/EP2005/009074 priority patent/WO2006021416A1/de
Publication of DE102004051846A1 publication Critical patent/DE102004051846A1/de
Publication of DE102004051846B4 publication Critical patent/DE102004051846B4/de
Application granted granted Critical
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23—Oxides
    • C03C17/25—Oxides by deposition from the liquid phase
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
    • C03C17/003—General methods for coating; Devices therefor for hollow ware, e.g. containers
    • C03C17/004—Coating the inside
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
    • C03C17/003—General methods for coating; Devices therefor for hollow ware, e.g. containers
    • C03C17/005—Coating the outside
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/006—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character
    • C03C17/007—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character containing a dispersed phase, e.g. particles, fibres or flakes, in a continuous phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/02—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with glass
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00—Reflectors for light sources
    • F21V7/22—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors
    • F21V7/24—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors characterised by the material
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00—Reflectors for light sources
    • F21V7/22—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors
    • F21V7/28—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors characterised by coatings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
    • G02B5/0236—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element
    • G02B5/0242—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element by means of dispersed particles
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0268—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the fabrication or manufacturing method
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0273—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use
    • G02B5/0284—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use used in reflection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01K—ELECTRIC INCANDESCENT LAMPS
    • H01K1/00—Details
    • H01K1/28—Envelopes; Vessels
    • H01K1/32—Envelopes; Vessels provided with coatings on the walls; Vessels or coatings thereon characterised by the material thereof
    • H01K1/325—Reflecting coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01K—ELECTRIC INCANDESCENT LAMPS
    • H01K1/00—Details
    • H01K1/28—Envelopes; Vessels
    • H01K1/34—Double wall vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/0033—Heating devices using lamps
    • H05B3/009—Heating devices using lamps heating devices not specially adapted for a particular application
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21—Oxides
    • C03C2217/213—SiO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/40—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer
    • C03C2217/43—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase
    • C03C2217/44—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the composition of the continuous phase
    • C03C2217/45—Inorganic continuous phases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/40—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer
    • C03C2217/43—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase
    • C03C2217/46—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase
    • C03C2217/47—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase consisting of a specific material
    • C03C2217/475—Inorganic materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/40—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer
    • C03C2217/43—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase
    • C03C2217/46—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase
    • C03C2217/47—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase consisting of a specific material
    • C03C2217/475—Inorganic materials
    • C03C2217/478—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/11—Deposition methods from solutions or suspensions
    • C03C2218/112—Deposition methods from solutions or suspensions by spraying
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/11—Deposition methods from solutions or suspensions
    • C03C2218/113—Deposition methods from solutions or suspensions by sol-gel processes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/032—Heaters specially adapted for heating by radiation heating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Aerials With Secondary Devices (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

Bei einem bekannten Bauteil mit einer Reflektorschicht ist die Oberfläche eines Basiskörpers aus Quarzglas mindestens teilweise mit einer Reflektorschicht belegt. Um hiervon ausgehend ein Bauteil, insbesondere für den Einsatz bei der Lampen- und Reflektorfertigung bereitzustellen, das mit einer wirkungsvollen, chemisch und thermisch beständigen und dennoch preisgünstigen Reflektorschicht ausgestattet ist, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass eine als diffuser Reflektor wirkende SiO¶2¶-Deckschicht aus mindestens teilweise opakem Quarzglas vorgesehen ist. DOLLAR A Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines derartigen Bauteils zeichnet sich dadurch aus, das ein amorphe SiO¶2¶-Teilchen enthaltender Schlicker erzeugt und auf der Oberfläche des Basiskörpers unter Bildung einer Schlicker-Schicht aufgebracht wird, die Schlicker-Schicht getrocknet und anschließend unter Bildung einer SiO¶2¶-Deckschicht verglast wird.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Bauteil mit einer Reflektorschicht, umfassend einen Basiskörper aus Quarzglas, dessen Oberfläche mindestens teilweise mit einer Reflektorschicht belegt ist.
  • Außerdem geht es in der Erfindung um ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Bauteils mit Reflektorschicht, indem die Oberfläche eines Basiskörpers aus Quarzglas mindestens teilweise mit einer Reflektorschicht belegt wird.
  • Quarzglas zeichnet sich durch einen niedrigen Ausdehnungskoeffizienten, durch optische Transparenz über einen weiten Wellenlängenbereich und durch hohe chemische und thermische Beständigkeit aus. Bauteile aus Quarzglas werden für eine Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, wie beispielsweise in der Lampenfertigung als Hüllrohre, Kolben, Abdeckplatten oder Reflektorträger für Lampen und Strahler im ultravioletten, infraroten und sichtbaren Spektralbereich. Zum Erzeugen besonderer Eigenschaften wird Quarzglas mit anderen Substanzen dotiert.
  • Bei der Lampenfertigung spielen häufig die zeitliche Konstanz und der Wirkungsgrad der abgegebenen Arbeitsstrahlung eine wichtige Rolle. Um Strahlungsverluste zu minimieren, werden optische Strahler mit einem Reflektor versehen. Der Reflektor ist mit dem Strahler fest verbunden oder es handelt es sich um ein separat vom Strahler angeordnetes Reflektorbauteil. Die Oberflächen hochwertiger Reflektoren, die in chemisch aggressiver Umgebung eingesetzt werden können, ohne dass das Reflektormaterial Schaden nimmt und der Reflexionsgrad merkbar nachlässt, bestehen aus Gold.
  • Ein gattungsgemäßes Bauteil in Form eines mit einem Goldreflektor ausgestatteter Infrarotstrahlers ist aus der DE 40 22 100 C1 bekannt. Der Infrarotstrahler dient als Flächenstrahler und ist aus mehreren nebeneinander angeordneten Lampenrohren aus Quarzglas zusammengesetzt, die auf einer gemeinsamen Trägerplatte aus Quarzglas montiert sind, und in denen jeweils eine Heizwendel verläuft. Die Oberseite dieser Lampenrohranordnung bildet die Abstrahlfläche des Infrarot-Flächenstrahlers. Die freie Unterseite der gegenüberliegend davon angeordneten Quarzglas-Trägerplatte ist mit einer Reflektorschicht aus Gold versehen.
  • In der DE 198 22 829 A1 ist ein kurzwelliger Infrarotstrahler beschrieben, bei dem das Lampenrohr in Form eines sogenannten Zwillingsrohres ausgeführt ist. Hierbei ist ein Quarzglas-Hüllrohr durch einen Längssteg in zwei parallel zueinander verlaufende Teilräume unterteilt, wobei in einem oder in beiden Teilräumen eine Heizwendel verläuft. Die der Hauptabstrahlrichtung der IR-Strahlung abgewandte Seite des Zwillingsrohres ist mit einer Goldschicht belegt, die als Reflektor dient.
  • Reflexionsschichten aus Gold sind jedoch teuer und nur eingeschränkt temperatur- und temperaturwechselbeständig.
    •
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Bauteil, insbesondere für den Einsatz bei der Lampen- und Reflektorfertigung bereitzustellen, das mit einer wirkungsvollen, chemisch und thermisch beständigen und dennoch preisgünstigen Reflektorschicht ausgestattet ist.
  • Weiterhin liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Bauteils anzugeben.
  • Hinsichtlich des Bauteils wird diese Aufgabe ausgehend von dem eingangs beschriebenen Quarzglas-Bauteil erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass eine als diffuser Reflektor wirkende SiO2-Deckschicht aus mindestens teilweise opakem Quarzglas vorgesehen ist.
  • Beim erfindungsgemäßen Quarzglas-Bauteil besteht die Reflektorschicht aus mindestens teilweise opakem Quarzglas. Die SiO2-Deckschicht bedeckt den Basiskörper ganz oder teilweise und sie wirkt als diffuser optischer Reflektor.
  • Das Quarzglas-Bauteil wird vorzugsweise in der Lampen- und Reflektorfertigung eingesetzt, wobei es liegt in Form eines Rohres, Kolbens, einer Kammer, Halbschale, Kugel- oder Ellipsoid-Segment, Platte oder dergleichen vorliegt. Das Quarzglas-Bauteil ist entweder Bestandteil eines optischen Strahlers mit inte griertem Reflektor, wobei dieser von der SiO2-Deckschicht gebildet wird, oder das Bauteil bildet einen separaten Reflektor zum Einsatz in Verbindung mit einem optischen Strahler.
  • Bei dem Basiskörper handelt es sich um einen Körper aus Quarzglas, das aus synthetisch hergestellten oder aus natürlich vorkommenden Rohstoffen erzeugt ist. Das Quarzglas des Basiskörpers ist in der Regel transparent.
  • Es hat sich gezeigt, dass eine Deckschicht aus mindestens teilweise opakem Quarzglas einen Reflexionsgrad aufweist, der für die meisten Anwendungen genügt. Die SiO2-Deckschicht zeichnet sich durch eine hervorragende chemische und thermische Beständigkeit und mechanische Festigkeit aus. Besonders hervorzuheben ist die hohe Temperaturwechselbeständigkeit der SiO2-Deckschicht auf dem Quarzglas-Basiskörper.
  • Weiterhin ist die SiO2-Deckschicht preisgünstig herstellbar. Eine geeignete Verfahrensweise wird weiter unten noch näher erläutert. Dabei wird auf der als Re flektor vorgesehenen Oberfläche des Basiskörpers eine Schicht eines SiO2-Teilchen enthaltenden Schlickers aufgebracht, aus der durch anschließendes Trocknen und Verglasen die SiO2-Deckschicht erhalten wird. Beim Verglasen ist darauf zu achten, dass die SiO2-Deckschicht mindestens teilweise opak bleibt, damit ein ausreichender Reflexionsgrad erhalten bleibt.
  • Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, wenn die SiO2-Deckschicht in Bezug auf den Basiskörper aus arteigenem Material besteht.
  • Unter einem „arteigenen Material" wird hier verstanden, dass sich die SiO2-Gehalte von Deckschicht und Basiskörpers um maximal 3 Gew.-% voneinander unterscheiden, und dass bei Anwesenheit von Dotierstoffen in der Deckschicht oder im Quarzglas des Basiskörpers diese den Ausdehnungskoeffizienten beiderseits in ähnlicher Weise beeinflussen. Dadurch wird eine besonders gute Haftung der Deckschicht auf dem Basiskörper, und insbesondere eine hohe Temperaturwechselbeständigkeit dieses Verbundes erreicht.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Quarzglas-Bauteils ist der Basiskörper als ein zur Aufnahme eines Leuchtmittels vorgesehener Quarzglas-Hüllkörper ausgebildet.
  • Der Quarzglas-Hüllkörper dient hierbei zur Aufnahme eines Leuchtmittels, wie beispielsweise einer Heizwendel, einem Carbonband oder einer Strahlung emittierenden Gasfüllung, und gleichzeitig ist ein Teil des Hüllkörpers mit der als Reflektor wirkenden SiO2-Deckschicht versehen.
  • Bei einer ersten bevorzugten Ausführungsvariante des erfindungsgemäßen Bauteils ist die SiO2-Deckschicht auf der dem Leuchtmittel abgewandten Außenseite des Hüllkörpers vorgesehen.
  • Dadurch werden Beeinträchtigungen des Leuchtmittels oder der Atmosphäre innerhalb des Hüllkörpers vermieden.
  • Bei einer zweiten, gleichermaßen bevorzugten Ausführungsvariante des erfindungsgemäßen Bauteils ist die SiO2-Deckschicht auf der dem Leuchtmittel zugewandten Innenseite des Hüllkörpers vorgesehen.
  • Die auf der Innenseite vorgesehene Reflektorschicht ist dem Leuchtmittel unmittelbar benachbart, so dass Absorptionsverluste durch das Material des Hüllkörpers vermieden werden. Die Deckschicht ist häufig leichter aufzubringen als auf der Außenseite, und insbesondere ist sie durch das Hüllrohr vor mechanischer Beschädigung geschützt.
  • Hinsichtlich des Verfahrens wird diese Aufgabe ausgehend von dem eingangs genannten Verfahren erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass ein amorphe SiO2-Teilchen enthaltender Schlicker erzeugt und auf der Oberfläche des Basiskörpers unter Bildung einer Schlicker-Schicht aufgebracht wird, die Schlicker-Schicht getrocknet und anschließend unter Bildung der SiO2-Deckschicht verglast wird.
  • Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird der Quarzglas-Basiskörper mittels eines Schlickergießverfahrens mit einer Deckschicht aus SiO2 versehen. Eine besondere technische Herausforderung besteht darin, ein Reißen der Schlicker-Schicht beim Trocknen oder Verglasen zu vermeiden, obwohl das Volumen der Schicht schrumpft, ohne dass das Quarzglas des Basiskörpers entsprechend nachgeben kann.
  • Hierzu wird zunächst ein gießfähiger Schlicker erzeugt, der amorphe SiO2-Teilchen enthält. Der Schlicker wird als „Schlicker-Schicht" auf dem Basiskörper aufgetragen und anschließend getrocknet und verglast. Infolge der beschriebenen Wechselwirkungen stabilisieren die amorphen SiO2-Teilchen bereits die Schlicker-Schicht im pastösen und trockenen Zustand und sie fördern die Sinteraktivität, was das Sintern der getrockneten Schlicker-Schicht bei vergleichsweise niedriger Temperatur unter Ausbildung einer dichten, rissfreien SiO2-Deckschicht ermög licht.
  • Die SiO2-Teilchen bestehen aus synthetisch hergestelltem SiO2 oder aus gereinigtem natürlich vorkommendem Rohstoff, wie er beispielsweise in der DE 44 40 104 C2 beschrieben ist.
  • Der Schlicker kann neben den amorphen SiO2-Teilchen auch Precursorkompo nenten für die Bildung von SiO2-Partikeln enthalten. Dabei handelt es sich um hydrolysierbare Siliziumverbindungen, wie sie bei Sol-Gel-Verfahren zur Herstellung von SiO2 eingesetzt werden. Derartige Precursorkomponenten bilden infolge ihrer Hydrolyse molekulare Bindungen in der Schlicker-Schicht, führen zu einer Verfestigung und erleichtern dadurch das Sintern. Andererseits führen sie in hoher Konzentration jedoch auch zu einer hohen Trockenschwindung und können zu einer Rissbildung beitragen, was den Anteil an derartigen Precursorkomponenten im Schlicker begrenzt.
  • Die Teilchengröße und -verteilung der SiO2-Teilchen hat Auswirkungen auf die Trockenschwindung der Schlicker-Schicht. So kann durch Einsatz gröberer SiO2-Teilchen die Trockenschwindung verringert werden.
  • Das Trocknen der Schlicker-Schicht erfolgt durch Entzug von Feuchtigkeit bei Raumtemperatur, durch Erwärmen oder durch Gefriertrocknen. Nach dem Trocknen wird die Schlicker-Schicht verglast, indem sie auf eine hohe Temperatur erhitzt wird, die zu einem Sintern der SiO2-Teilchen und zur Ausbildung einer dich ten, rissfreien Deckschicht aus opakem oder teils opakem Quarzglas führt, und die die gesamte Oberfläche des Basiskörpers oder einen Teil davon bedeckt.
  • Mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens sind SiO2-Deckschichten mit hoher Dichte herstellbar, so dass dieses Verfahren eine bevorzugte Möglichkeit zur Herstellung der Reflektorschicht aus mindestens teilweise opakem SiO2 bietet.
  • Vorzugsweise werden für die Bildung der Deckschicht SiO2-Teilchen eingesetzt, die Teilchengröße im Bereich bis maximal 500 μm, vorzugsweise maximal 100 μm, aufweisen, wobei SiO2-Teilchen mit Teilchengrößen im Bereich zwischen 1 μm und 50 μm den größten Volumenanteil ausmachen.
  • SiO2-Teilchen in diesem Größenbereich zeigen ein vorteilhaftes Sinterverhalten und eine vergleichsweise geringe Trockenschwindung. Es hat sich gezeigt, dass bei einem derartigen Schlicker die Schlicker-Schicht besonders einfach ohne Rissbildung getrocknet und verglast werden kann. Das kann auf eine ausreichend geringe Trockenschwindung und auf Wechselwirkungen der SiO2-Teilchen untereinander beruhen, die bis zur Ausbildung molekularer SiO2-Bindungen führen können, und die das Trocknen und Sintern erleichtern.
  • Hierzu trägt bei, wenn die SiO2-Teilchen durch Nassmahlen von SiO2-Ausgangskörnung hergestellt werden.
  • Hierbei wird die gewünschte Teilchengrößenverteilung durch den Homogenisierungsprozess des Schlickers eingestellt, wobei die SiO2-Teilchen ausgehend von vergleichsweise groben Körnern mit Durchmessern zum Beispiel im Bereich zwischen 200 μm und 5000 μm beim Homogenisieren in Abhängigkeit von deren Verfestigungsgrad verkleinert werden. Beim Nassmahlen entstehen innerhalb des Schlickers SiO2-Teilchen jeder Größe, auch solche, die durch Wechselwirkungen untereinander bereits im Schlicker die oben beschriebenen Bindungen ausbilden, was die Stabilität der Schlicker-Schicht verbessert.
  • Der Cristobalitanteil in der getrockneten SiO2-Schlickerschicht sollte höchstens 1 Gew.-% betragen, da es andernfalls beim Verglasen der Schlicker-Schicht zu einer Kristallisation kommen kann, was zum Ausschuss des Bauteils führen kann.
  • Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, die Oberfläche des Basiskörpers vor dem Aufbringen des Schlickers aufzurauhen.
  • Das Aufrauhen bewirkt eine bessere Haftung sowohl der Schlicker-Schicht als auch der durch Verglasen daraus erzeugten dichten SiO2-Deckschicht. Das Aufrauhen erfolgt mechanisch (zum Beispiel durch Schleifen oder Sandstrahlen) oder chemisch (durch Ätzen).
  • Im Hinblick darauf hat es sich besonders bewährt, wenn die Schlicker-Schicht auf einer Oberfläche mit einer mittleren Rauhtiefe Ra von mindestens 0,5 μm aufgebracht wird.
  • Zum Auftragen der Schlicker-Schicht sind die an sich bekannten Verfahren geeignet, wie beispielsweise Sprühen, elektrostatisch unterstütztes Sprühen, Fluten, Schleudern oder Aufstreichen. Bevorzugt wird die Schlicker-Schicht jedoch durch Tauchen erzeugt.
  • Das Aufbringen der Schlicker-Schicht durch Tauchen ermöglicht die Einhaltung einer vorgegebenen Dicke der Schlicker-Schicht und damit auch der daraus resultierenden SiO2-Deckschicht ohne großen konstruktiven oder regelungstechnischen Aufwand.
  • Bei einer alternativen jedoch gleichermaßen bevorzugten Verfahrensweise erfolgt das Aufbringen der Schlicker-Schicht durch Sprühen.
  • Es hat sich gezeigt, dass ein durch Aufsprühen erzeugte Schlicker-Schicht besonders gut haftet. Ein vorheriges Aufrauhen der Bauteil-Oberfläche ist daher entbehrlich.
  • Auch durch eine geeignete Temperaturführung kann die Gefahr einer Rissbildung beim Verglasen vermindert werden. Bevorzugt erfolgt das Verglasen der getrockneten Schlicker-Schicht bei einer vergleichsweise niedrigen Maximaltemperatur im Bereich zwischen 1000 °C und 1600 °C, vorzugsweise zwischen 1100 °C und 1400 °C.
  • Die niedrige Maximaltemperatur verhindert ein rasches Verdichten der äußeren Oberflächenbereiche der Schlicker-Schicht beim Verglasen. Eine derartige Verdichtung würde infolge ihrer wärmeisolierenden Wirkung das weitere Fortschreiten einer Verglasungsfront behindern, und dadurch ein vollständiges Sintern dicker Schichten erschweren.
  • In einer besonders bevorzugten Verfahrensvariante erfolgt das Verglasen der getrockneten Schlicker-Schicht in einer Wasserstoffatmosphäre.
  • Wegen seiner hohen Diffusionsrate in Quarzglas ist Wasserstoff für eine Wärmeübertragung besonders geeignet. Durch einen guten Wärmetransport wird erreicht, dass sich zwischen der an der Oberfläche herrschenden hohen Temperatur und der niedrigeren Temperatur im Inneren der SiO2-Deckschicht bzw. dem noch nicht verglasten Bereich der porösen, getrockneten Schlicker-Schicht ein möglichst flacher Temperaturgradient ausbildet. Dadurch wird auch bei niedrigen Verglasungstemperaturen noch ein Fortschreiten der Schmelzfront von Außen nach Innen und damit ein Verglasen auch innerer Bereiche der Schlicker-Schicht gewährleistet. Ein Wasserstoffgehalt von mindestens 70% ist hierfür ausreichend. Außer Wasserstoff kann die Atmosphären beim Verglasen beispielsweise auch Stickstoff und vorzugsweise Helium enthalten
  • Im Hinblick auf notwendige Sicherheitsvorkehrungen ist ein Verglasungsprozess unter Wasserstoff jedoch verhältnismäßig aufwändig. Für viele Anwendungen hat es sich daher als günstig erwiesen, wenn das Verglasen der getrockneten Schlikker-Schicht unter Luft erfolgt.
  • Das Verglasen an Luft erfordert keine besonderen Sicherheitsvorkehrungen und ist kostengünstig und führt zu den gewünschten opaken SiO2-Deckschichten.
  • Alternativ dazu hat es sich auch bewährt, wenn das Verglasen der getrockneten Schlicker-Schicht mittels einer Brennerflamme erfolgt.
  • Diese Verfahrensvariante ergibt eine ebenfalls rissfreie, flammenpolierte Oberfläche, wobei die Hitzeeinwirkung zeitlich kurz ist und leicht auf die Bereiche be schränkt werden kann, die mit einer zu verglasenden SiO2-Schlickerschicht belegt sind, so dass plastische Verformungen weitgehend vermieden werden können.
  • Sofern eine besonders große Dicke der SiO2-Deckschicht erforderlich ist, wird die Schicht vorteilhaft durch mehrmaliges Durchführen des erfindungsgemäßen Ver fahrens sukzessive verstärkt.
  • Es hat sich außerdem bewährt, dem Schlicker Dotierstoffe in Form von Aluminium, Stickstoff oder Kohlenstoff enthaltenden Verbindungen hinzugefügt werden.
  • Bei dieser Verfahrensvariante werden in die SiO2-Deckschicht ein Dotierstoff oder mehrere Dotierstoffe eingebracht, die dem Quarzglas eine spezifische Eigenschaft verleihen, wie etwa eine Verminderung von Absorption und damit eine Verbesserung der Reflexion.
  • So bildet beispielsweise ein Zusatz von Aluminium im Quarzglas der Deckschicht Al2O3, welches sowohl zu einer Versteifung der Glasstruktur führt und damit die Temperaturbeständigkeit der Deckschicht erhöht, als auch die Brechzahl verändert. Geeignete Ausgangssubstanzen werden im Schlicker besonders gleichmäßig verteilt, woraus letztlich eine homogene Dotierung des Quarzglases der Deckschicht resultiert.
  • Die auf diese Art und Weise erzeugte SiO2-Deckschicht zeichnet sich durch hohe Haftfestigkeit auf Quarzglas aus und ist in ihren Eigenschaften durch einfache Verfahrensänderungen- etwa der Verglasungstemperatur oder der Zugabe von Dotierstoffen leicht modifizierbar und an eine Vielzahl konkreter Anwendungen anpassbar.
    •
  • Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und einer Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigen im Einzelnen
  • 2 in schematischer Darstellung einen Reflektorplatte aus Quarzglas mit einer Reflektorschicht in Form einer SiO2-Deckschicht im Querschnitt.,
  • 2 in schematischer Darstellung einen Infrarotstrahler in Form eines Zwillingsrohrstrahlers mit einem Hüllrohr, dessen Oberseite teilweise mit einer Schlickerschicht bzw. mit einer Reflektorschicht bedeckt ist,
  • 3 ein Heizprofil zum Verglasen einer Schlicker-Schicht auf einem Quarz glas-Basiskörper.
  • Beispiel 1
  • Es wird ein homogener Grundschlicker hergestellt. Für einen Ansatz von 10 kg Grundschlicker (SiO2-Wasser-Schlicker) werden in einer mit Quarzglas ausgekleideten Trommelmühle mit ca. 20 Liter Volumeninhalt, 8,2 kg einer amorphen Quarzglaskörnung aus natürlichem Rohstoff mit Korngrößen im Bereich zwischen 250 μm und 650 μm mit 1,8 kg deionisiertem Wasser mit einer Leitfähigkeit von weniger als 3 μS vermischt. Die Quarzglaskörnung wurde vorab in einem Heißchlorierverfahren gereinigt; es wird darauf geachtet, dass kein Cristobalit enthalten ist.
  • Diese Mischung wird mittels Mahlkugeln aus Quarzglas auf einem Rollenbock bei 23 U/min während einer Dauer von 3 Tagen soweit vermahlen, dass sich ein homogener Grundschlicker mit einem Feststoffgehalt von 79 % bildet. Im Verlauf des Vermahlens kommt es infolge des in Lösung gehenden SiO2 zu einer Absenkung des pH-Werts auf etwa 4.
  • Dem so erhaltenen homogenen, stabilen Grundschlicker wird weitere amorphe SiO2-Körnung mit einer Korngröße um 5 μm zugemischt, bis ein Feststoffgehalt von 84 Gew.-% erreicht ist. Die Mischung wird 12 Stunden lang in einer Trommelmühle bei einer Drehzahl von 25 U/min homogenisiert. Der so erhaltene Schlicker hat einen Feststoffgehalt von 84% und eine Dichte von etwa 2,0 g/cm3. Die nach dem Vermahlen der Quarzglaskörnung erhaltenen SiO2-Teilchen im Schlicker 14 zeigen eine Teilchengrößenverteilung, die durch einen D50-Wert von etwa 8 μm und durch einen D90-Wert von etwa 40 μm gekennzeichnet ist. Dieser Schlicker ist dilatant. Die als „Dilatanz" bezeichnete rheologische Eigenschaft des Schlickers, zeigt sich darin, dass seine Viskosität mit der Schergeschwindigkeit zunimmt. Dies führt dazu, dass nach dem Wegfall der Scherkräfte – nach dem Auftragen des Schlickers als Schlicker-Schicht auf dem Quarzglas-Bauteil – die Viskosität zunimmt, was die Ausbildung einer gleichmäßigen Schlickerschicht erleichtert.
  • In den Schlicker wird einige Sekunden lang eine Quarzglas-Platte, aus der eine Reflektorplatte für einen IR-Strahler hergestellt werden soll, eingetaucht. Die Oberfläche der Quarzglas-Platte wurde vorab in Alkohol gereinigt und durch chemisches Ätzen (Frosten) auf eine mittlere Rautiefe Ra von 2 μm eingestellt.
  • Auf der Quarzglas-Platte bildet sich dadurch eine gleichmäßige, geschlossene Schlicker-Schicht mit einer Dicke von etwa 0,35 mm. Diese Schlicker-Schicht wird zunächst ca. 5 Stunden bei Raumtemperatur und anschließend mittels eines IR-Strahlers an Luft getrocknet. Die getrocknete Schlicker-Schicht ist rissfrei, und sie hat eine mittlere Dicke von etwas weniger als 0,3 mm.
  • Die so hergestellte und getrocknete Schlicker-Schicht wird anschließend unter Luft in einem Sinterofen verglast. Das Heizprofil umfasst eine anfänglich steile Heizrampe, während der die Schlicker-Schicht von Raumtemperatur innerhalb von einer Stunde auf eine untere Heiztemperatur von 1000 °C erhitzt wird. Auf der unteren Heiztemperatur wird die Schlicker-Schicht eine Stunde lang gehalten und anschließend über eine zweite, flache Heizrampe über vier Stunden auf eine obere Heiztemperatur von 1350 °C erhitzt. Die Haltezeit bei der oberen Heiztemperatur beträgt im Ausführungsbeispiel zwei Stunden. Danach ist die Schlicker-Schicht vollständig gesintert, opak und – soweit mit bloßem Auge erkennbar – blasenfrei.
  • Das anschließende Abkühlen erfolgt im Ofen unter Luft bis auf eine Temperatur von 500 °C mit einer geregelten Abkühlrate von 15°C/min und danach bei weiter geschlossenem Ofen durch freies Abkühlen.
  • Die so erhaltene Reflektorplatte ist in 1 schematisch dargestellt. Sie besteht aus der Quarzglas-Platte 8 mit den Abmessungen 300 mm × 300 mm × 2 mm, deren Flachseiten vollständig mit einer SiO2-Deckschicht 9 bedeckt sind, die aus opakem Quarzglas besteht und die eine mittlere Schichtdicke um 0,2 mm aufweist, und die sich durch Rissfreiheit und eine hohe Dichte von etwa 2,15 g/cm3 auszeichnet. Aus Darstellungsgründen ist die SiO2-Deckschicht 9 in 1 übertrieben dick eingezeichnet.
  • Diese Reflektorplatte bis Temperaturen oberhalb von 1100 °C thermisch beständig und beispielsweise als Ersatz für Reflektorplatten aus Molybdän geeignet, die ansonsten für derartige Hochtemperaturanwendungen eingesetzt werden.
  • Anstelle der beidseitigen Ausbildung einer opaken SiO2-Deckschicht kann die Quarzglas-Platte auch einseitig mit einer derartigen Schicht versehen sein. Das Aufbringen der Schlickerschicht erfolgt dabei vorzugsweise durch Aufsprühen anstelle des oben beschriebenen Tauchens.
  • Die SiO2-Deckschicht 9 bewirkt eine diffuse, ungerichtete Reflexion an Phasengrenzen. Durch eine gekrümmte oder gewölbte Geometrie des Bauteils, wie sie auch sonst bei Reflektoren üblich ist, kann der diffusen Reflexion ein gerichteter Anteil aufgeprägt werden.
  • Beispiel 2
  • Es wird ein Grundschlicker hergestellt, wie anhand Beispiel 1 beschrieben, der zur Herstellung einer Reflektorschicht auf einem Hüllrohr für einen Infrarotstrahler in Form eines sogenannten „Zwillingsrohres" aus Quarzglas eingesetzt wird.
  • Ein derartiges Zwillingsrohr ist in 2 schematisch dargestellt. Dieses besteht aus einem im Querschnitt 8-förmigen Hüllrohr 1 aus Quarzglas, das durch einen Mittelsteg 2 in zwei Teilräume 3, 4 unterteilt ist. Die Teilräume 3, 4 dienen zur Aufnahme jeweils einer Heizwendel, wobei die elektrischen Anschlüsse über endseitige Quetschungen aus dem Hüllrohr 1 herausgeführt sind (in 2 nicht dargestellt). Die Hauptabstrahlrichtung des Zwillingsrohres 9 zeigt im Ausführungsbeispiel nach unten und ist durch den Richtungspfeil 5 symbolisiert.
  • Auf der der Hauptabstrahlrichtung 5 abgewandten Oberseite 6 des Zwillingsrohres 9 soll ein Reflektor ausgebildet werden. Hierzu wird die Oberfläche des Zwillings rohres 9 mittels Alkohol, und anschließend zur Beseitigung anderer Oberflächenverunreinigungen, insbesondere von Alkali- und Erdalkakali-Verbdungen, in 30 %-iger Flusssäure gereinigt.
  • Danach wird der Grundschlicker auf der Oberseite 6 des Hüllrohres 1 aufgetra gen. Hierzu wird das Hüllrohr 1 auf einer Haltevorrichtung montiert und auf der Oberseite 6 wird mittels einer Sprühdüse der leichtflüssige Schlicker aufgesprüht. Der Sprühvorgang wird beendet, sobald eine gleichmäßige Belegung erreicht ist. Der Schlicker trocknet an Luft sehr rasch. Die Schichtdicke der so erzeugten Schlicker-Schicht 7 liegt bei etwa 0,5 mm.
  • Die Schlicker-Schicht 7 wird daraufhin durch Ruhen an Luft über 6 Stunden langsam trocknet. Die vollständige Trocknung erfolgt unter Einsatz eines IR-Strahlers an Luft. Die getrocknete Schlicker-Schicht 7 ist rissfrei, und sie hat eine maximale Dicke von etwa 0,4 mm.
  • Die getrocknete Schlicker-Schicht 7 wird anschließend in einem Sinterofen unter Luftatmosphäre verglast. Das Heizprofil zum Verglasen der Schlicker-Schicht 7 ist in 3 dargestellt. Es umfasst eine Heizrampe, während der die Schlicker-Schicht 7 von Raumtemperatur innerhalb von einer Stunde auf eine untere Heiztemperatur von 1000 °C erhitzt wird. Auf dieser Heiztemperatur wird das Bauteil eine Stunde lang gehalten. Anschließend erfolgt ein langsames Aufheizen während 4 Stunden auf eine Endtemperatur von 1400 °C, die zwei Stunden lang gehalten wird. Das Abkühlen erfolgt mit einer Abkühlrampe von 15 °C/min auf eine Ofentemperatur von 500 °C und danach ungeregelt bei geschlossenem Ofen.
  • Durch diese Temperaturbehandlung wird die Schlicker-Schicht vollständig gesintert und verfestigt, die resultierende SiO2-Deckschicht 7a zeigt eine hohe Dichte von etwa 2,15 g/cm3, ist jedoch im Wesentlichen noch opak. Die Opazität zeigt sich dadurch, dass die direkte spektrale Transmission im Wellenlängenbereich zwischen 190 nm und 2650 nm unterhalb von 10 % liegt. Dementsprechend ergibt sich ein hoher Reflexionsgrad um 80 % im infraroten Wellenlängenbereich. Das Zwillingsrohr 9 wird für die Herstellung eines Infrarotstrahlers verwendet, wobei sich die darauf erzeugte SiO2-Deckschicht 7a als Reflektorschicht auch für hohe Temperaturen über 1000 °C eignet.
  • Der Einsatz von Quarzglas-Bauteilen, die mit einem derartigen diffusen Reflektor in Form einer SiO2-Deckschicht versehen sind, ist nicht auf die Lampenherstellung beschränkt. Derartige Reflektoren werden auch als separate Bauteile eingesetzt, beispielsweise für Strahler in Analysesystemen oder für Heizeinrichtungen bei der Solarzellenfertigung.

Claims (18)

  1. Bauteil mit einer Reflektorschicht, umfassend einen Basiskörper aus Quarzglas, dessen Oberfläche mindestens teilweise mit einer Reflektorschicht belegt ist, dadurch gekennzeichnet, dass eine als diffuser Reflektor wirkende SiO2-Deckschicht (7a; 9) aus mindestens teilweise opakem SiO2 vorgesehen ist.
  2. Reflektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die SiO2-Deckschicht (7a; 9) in Bezug auf den Basiskörper (1; 8) aus arteigenem Material besteht.
  3. Reflektor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Basiskörper als ein zur Aufnahme eines Leuchtmittels vorgesehener Quarzglas-Hüllkörper (1) ausgebildet ist.
  4. Reflektor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die SiO2-Deckschicht (7a) auf der dem Leuchtmittel abgewandten Außenseite (6) des Quarzglas-Hüllkörpers (1) vorgesehen ist.
  5. Reflektor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die SiO2-Deckschicht (7a) auf der dem Leuchtmittel zugewandten Innenseite (6) des Quarzglas-Hüllkörpers (1) vorgesehen ist.
  6. Verfahren zur Herstellung eines Quarzglas-Bauteils mit Reflektorschicht, wobei die Oberfläche eines Basiskörpers (1; 8) aus Quarzglas mindestens teilweise mit einer Reflektorschicht (7a; 9) belegt wird, dadurch gekennzeichnet, dass ein amorphe SiO2-Teilchen enthaltender Schlicker erzeugt und auf der Oberfläche des Basiskörpers (1; 8) unter Bildung einer Schlikker-Schicht (7) aufgebracht wird, die Schlicker-Schicht (7) getrocknet und anschließend unter Bildung der SiO2-Deckschicht (7a, 9) verglast wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die SiO2-Teilchen Teilchengrößen im Bereich bis maximal 500 μm, vorzugsweise maximal 100 μm, aufweisen, wobei SiO2-Teilchen mit Teilchengrößen im Bereich zwischen 1 μm und 50 μm den größten Volumenanteil ausmachen
  8. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die SiO2-Teilchen durch Nassmahlen von SiO2-Ausgangskörnung hergestellt werden.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche des Basiskörpers (1; 8) vor dem Aufbringen des Schlickers aufgerauht wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Schlicker-Schicht (7) auf einer Oberfläche mit einer mittleren Rauhtiefe Ra von mindestens 0,5 μm aufgebracht wird.
  11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufbringen der Schlicker-Schicht (7a) durch Tauchen erfolgt.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufbringen der Schlicker-Schicht (7a) durch Sprühen erfolgt.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Verglasen der getrockneten Schlicker-Schicht (7a) durch Erhitzen auf eine Temperatur im Bereich zwischen 1000 °C und 1600 °C, vorzugsweise zwischen 1100 °C und maximal 1400 °C, erfolgt.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Verglasen der getrockneten Schlicker-Schicht (7a) in einer Wasserstoffatmosphäre erfolgt.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Verglasen der getrockneten Schlicker-Schicht (7a) unter Luft erfolgt.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Verglasen der getrockneten Schlicker-Schicht (7a) mittels einer Brennerflamme erfolgt.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die SiO2-Deckschicht (7a, 9) durch mehrmaliges Durchführen des Verfahrens nach Anspruch 5 sukzessive verstärkt wird.
  18. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass dem Schlicker Dotierstoffe in Form von Aluminium, Stickstoff oder Kohlenstoff enthaltenden Verbindungen hinzugefügt werden.
DE102004051846A 2004-08-23 2004-10-26 Bauteil mit einer Reflektorschicht sowie Verfahren für seine Herstellung Active DE102004051846B4 (de)

Priority Applications (13)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004051846A DE102004051846B4 (de) 2004-08-23 2004-10-26 Bauteil mit einer Reflektorschicht sowie Verfahren für seine Herstellung
US11/030,561 US7563512B2 (en) 2004-08-23 2005-01-06 Component with a reflector layer and method for producing the same
DE102005016732A DE102005016732A1 (de) 2004-10-26 2005-04-11 Bauteil mit einer Reflektorschicht
EP05777540A EP1784368B1 (de) 2004-08-23 2005-08-23 Bauteil mit einer reflektorschicht sowie verfahren für seine herstellung
CN2005800282168A CN101023041B (zh) 2004-08-23 2005-08-23 具有反射体层的组件及其生产方法
DE502005004213T DE502005004213D1 (de) 2004-08-23 2005-08-23 Bauteil mit einer reflektorschicht sowie verfahren für seine herstellung
AT05777540T ATE396155T1 (de) 2004-08-23 2005-08-23 Bauteil mit einer reflektorschicht sowie verfahren für seine herstellung
ES05777540T ES2306204T3 (es) 2004-08-23 2005-08-23 Componente con una capa reflectora y procedimiento para su produccion.
CA2575799A CA2575799C (en) 2004-08-23 2005-08-23 Component with a reflector layer and method for producing the same
JP2007528726A JP5008198B2 (ja) 2004-08-23 2005-08-23 反射体層を備えた部材およびその製造方法
KR1020077006657A KR101113777B1 (ko) 2004-08-23 2005-08-23 반사체 레이어를 가지는 구성 요소 및 그 제조 방법
PL05777540T PL1784368T3 (pl) 2004-08-23 2005-08-23 Element konstrukcyjny z warstwą reflektorową oraz sposób jego wytwarzania
PCT/EP2005/009074 WO2006021416A1 (de) 2004-08-23 2005-08-23 Bauteil mit einer reflektorschicht sowie verfahren für seine herstellung

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004040833 2004-08-23
DE102004040833.5 2004-08-23
DE102004051846A DE102004051846B4 (de) 2004-08-23 2004-10-26 Bauteil mit einer Reflektorschicht sowie Verfahren für seine Herstellung
DE102005016732A DE102005016732A1 (de) 2004-10-26 2005-04-11 Bauteil mit einer Reflektorschicht

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102004051846A1 true DE102004051846A1 (de) 2006-03-02
DE102004051846B4 DE102004051846B4 (de) 2009-11-05

Family

ID=35395734

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102004051846A Active DE102004051846B4 (de) 2004-08-23 2004-10-26 Bauteil mit einer Reflektorschicht sowie Verfahren für seine Herstellung
DE502005004213T Active DE502005004213D1 (de) 2004-08-23 2005-08-23 Bauteil mit einer reflektorschicht sowie verfahren für seine herstellung

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE502005004213T Active DE502005004213D1 (de) 2004-08-23 2005-08-23 Bauteil mit einer reflektorschicht sowie verfahren für seine herstellung

Country Status (9)

Country Link
EP (1) EP1784368B1 (de)
JP (1) JP5008198B2 (de)
KR (1) KR101113777B1 (de)
AT (1) ATE396155T1 (de)
CA (1) CA2575799C (de)
DE (2) DE102004051846B4 (de)
ES (1) ES2306204T3 (de)
PL (1) PL1784368T3 (de)
WO (1) WO2006021416A1 (de)

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006046619A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Streichfähiger SiO2-Schlicker für die Herstellung von Quarzglas, Verfahren zur Herstellung von Quarzglas unter Einsatz des Schlickers
DE102006055397B3 (de) * 2006-11-22 2008-05-15 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren und Vorrichtung für die Herstellung eines zylinderförmigen Profilelements aus Quarzglas sowie Verwendung desselben
DE102006062166A1 (de) * 2006-12-22 2008-06-26 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Quarzglas-Bauteil mit Reflektorschicht sowie Verfahren zur Herstellung desselben
WO2008098708A1 (de) * 2007-02-15 2008-08-21 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Quarzglas-bauteil als leitungseinheit für ein uv-entkeimungsgerät
WO2008101573A2 (de) * 2007-02-20 2008-08-28 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarotstrahler mit opakem reflektor und seine herstellung
DE102007030698A1 (de) * 2007-06-30 2009-01-02 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers aus einem Basiskörper aus opakem Quarzglas und einer dichten Versiegelunsschicht
WO2009049752A1 (de) * 2007-10-09 2009-04-23 Heraeus Noblelight Gmbh Vorrichtung für eine bestrahlungseinheit
DE102007049930A1 (de) * 2007-10-18 2009-04-23 Universität Hamburg Oberflächenmodifizierte Strukturen
DE102005058819B4 (de) * 2005-10-13 2009-04-30 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Beschichtung eines Bauteils aus hochkieselsäurehaltigem Glas, mit einer SiO2-haltigen, glasigen Schicht versehenes Bauteil, sowie Verwendung des Bauteils
DE102008063677A1 (de) 2008-12-19 2010-07-08 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarotstrahler-Anordnung für Hochtemperatur-Vakuumprozesse
DE102009049032B3 (de) * 2009-10-10 2011-03-24 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Bauteils aus Quarzglas
WO2011038826A1 (en) 2009-10-01 2011-04-07 Heraeus Noblelight Gmbh Flash lamp or gas discharge lamp with integrated reflector
WO2011082920A1 (de) 2009-12-17 2011-07-14 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Quarzglasbauteil mit opaker innenzone sowie verfahren zur herstellung desselben
DE102011012363A1 (de) 2011-02-24 2012-08-30 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarot-Flächenstrahler mit hoher Strahlungsleistung und Verfahren für seine Herstellung
DE202013000527U1 (de) * 2013-01-21 2013-08-27 Kay-Michael Bauer Infrarotstrahler in U-Form mit Keramik-Reflektorbeschichtung
DE102012025142A1 (de) * 2012-12-21 2014-06-26 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarotstrahler mit hoher Strahlungsleistung
US20140345526A1 (en) * 2013-05-23 2014-11-27 Applied Materials, Inc. Coated liner assembly for a semiconductor processing chamber
EP2878584A1 (de) 2013-11-28 2015-06-03 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Bauteils aus Quarzglas oder Quarzgut
EP3023162A1 (de) 2014-11-24 2016-05-25 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung eines mit einer Funktionsschicht versehenen Bauteils aus Glas sowie Vorrichtung zur Herstellung einer derartigen Schicht
DE102020128337A1 (de) 2020-10-28 2022-04-28 Heraeus Noblelight Gmbh Strahlerbauteil mit einer Reflektorschicht sowie Verfahren für seine Herstellung
DE102020131324A1 (de) 2020-11-26 2022-06-02 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarotstrahler und Infrarotstrahlung emittierendes Bauelement
WO2023217486A1 (de) 2022-05-12 2023-11-16 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarot-Strahler mit einer auf eine Reflektorschicht aus Metall aufgebrachten emissiven Schicht und Verwendung der emissiven Schicht

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090308315A1 (en) * 2008-06-13 2009-12-17 Asm International N.V. Semiconductor processing apparatus with improved thermal characteristics and method for providing the same
DE102008028233A1 (de) 2008-06-16 2009-12-17 Heraeus Noblelight Gmbh Kompaktes UV-Bestrahlungsmodul
JP5441243B2 (ja) * 2009-02-24 2014-03-12 信越石英株式会社 赤外線透過性部材の熱処理用石英ガラス治具
DE102015104932B3 (de) * 2015-03-31 2016-06-02 Heraeus Noblelight Gmbh Vorrichtung zur Wärmebehandlung
DE102015119763A1 (de) 2015-11-16 2017-05-18 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Infrarotstrahler
US11492285B2 (en) 2015-12-18 2022-11-08 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Preparation of quartz glass bodies from silicon dioxide granulate
TWI720090B (zh) 2015-12-18 2021-03-01 德商何瑞斯廓格拉斯公司 於石英玻璃之製備中作為中間物之經碳摻雜二氧化矽顆粒的製備
US11236002B2 (en) 2015-12-18 2022-02-01 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Preparation of an opaque quartz glass body
JP7048053B2 (ja) 2015-12-18 2022-04-05 ヘレウス クワルツグラス ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー マルチチャンバ炉内での石英ガラス体の調製
CN108698885A (zh) 2015-12-18 2018-10-23 贺利氏石英玻璃有限两合公司 石英玻璃制备中硅含量的提升
US10618833B2 (en) 2015-12-18 2020-04-14 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Preparation of a synthetic quartz glass grain
WO2017103153A1 (de) 2015-12-18 2017-06-22 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Glasfasern und vorformen aus quarzglas mit geringem oh-, cl- und al-gehalt
KR20180095622A (ko) 2015-12-18 2018-08-27 헤래우스 크바르츠글라스 게엠베하 ＆ 컴파니 케이지 내화성 금속으로 제조된 용융 도가니에서 실리카 유리 제품의 제조
TWI813534B (zh) 2015-12-18 2023-09-01 德商何瑞斯廓格拉斯公司 利用露點監測在熔融烘箱中製備石英玻璃體
EP3390304B1 (de) 2015-12-18 2023-09-13 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Sprühgranulieren von siliziumdioxid bei der herstellung von quarzglas
EP3185057A1 (de) * 2015-12-22 2017-06-28 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Faseroptische streueinrichtung und herstellungsverfahren dafür
DE102016111234B4 (de) 2016-06-20 2018-01-25 Heraeus Noblelight Gmbh Vorrichtung für die thermische Behandlung eines Substrats sowie Trägerhorde und Substrat-Trägerelement dafür
DE102016113815A1 (de) 2016-07-27 2018-02-01 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarotflächenstrahler und Verfahren zur Herstellung des Infrarotflächenstrahlers
EP3428132B1 (de) * 2017-07-10 2023-08-30 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Quarzglasbauteil mit hoher thermischer stabilität, halbzeug dafür und verfahren zur herstellung desselben

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE587715C (de) * 1932-10-14 1933-11-07 Patra Patent Treuhand Elektrische Gluehlampe oder Leuchtroehre mit einem fuer sichtbare und auch ultraviolette Strahlen durchlaessigen Glasgefaess
JPS56158090U (de) * 1980-04-25 1981-11-25
JPS6268101U (de) * 1985-10-17 1987-04-28
US5045751A (en) * 1988-10-25 1991-09-03 Asahi Glass Company Ltd. Cathode ray tube of improved breakdown voltage characteristic
KR900007740A (ko) * 1988-11-04 1990-06-01 후루모또 지로 유리보강법과 그에 사용되는 필름 형성 합성물 및 그 강화 유리제품
EP0436741B1 (de) * 1989-08-01 1996-06-26 Asahi Glass Company Ltd. Verfahren zur Herstellung von Schichten auf basis von Siliziumdioxyd mittels DC Sputtern und Target dafür
DE4022100C1 (de) * 1990-07-11 1991-10-24 Heraeus Quarzglas Gmbh, 6450 Hanau, De
DE4338807C1 (de) * 1993-11-12 1995-01-26 Heraeus Quarzglas Formkörper mit hohem Gehalt an Siliziumdioxid und Verfahren zur Herstellung solcher Formkörper
DE4417405A1 (de) * 1994-05-18 1995-11-23 Inst Neue Mat Gemein Gmbh Verfahren zur Herstellung von strukturierten anorganischen Schichten
JPH08315965A (ja) * 1994-09-29 1996-11-29 Tokyo Electron Ltd 加熱装置及びその製造方法、並びに処理装置
JP4185194B2 (ja) * 1997-07-31 2008-11-26 コバレントマテリアル株式会社 カーボンヒータ
GB9722020D0 (en) * 1997-10-17 1997-12-17 Tsl Group Plc Production of quartz glass articles having high surface purity
DE19822829A1 (de) * 1998-05-20 1999-11-25 Heraeus Noblelight Gmbh Kurzwelliger Infrarot-Flächenstrahler
DE19962451C1 (de) * 1999-12-22 2001-08-30 Heraeus Quarzglas Verfahren für die Herstellung von opakem Quarzglas und für die Durchführung des Verfahrens geeignetes Si0¶2¶-Granulat
GB0011964D0 (en) * 2000-05-18 2000-07-05 Suyal N Thick glass films with controlled refractive indices and their applications
DE10211249B4 (de) * 2002-03-13 2004-06-17 Heraeus Noblelight Gmbh Verwendung eines Glanzedelmetallpräparats
DE10243954B3 (de) * 2002-09-20 2004-07-08 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren für die Herstellung eines opaken Quarzglas-Kompositwerkstoffs sowie Verwendung desselben
JP4444559B2 (ja) * 2002-10-09 2010-03-31 ジャパンスーパークォーツ株式会社 石英ガラスルツボの強化方法とシリコン単結晶の引き上げ方法
DE10253582B3 (de) * 2002-11-15 2004-07-15 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarotstrahler, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung

Cited By (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005058819B4 (de) * 2005-10-13 2009-04-30 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Beschichtung eines Bauteils aus hochkieselsäurehaltigem Glas, mit einer SiO2-haltigen, glasigen Schicht versehenes Bauteil, sowie Verwendung des Bauteils
WO2008040615A1 (de) 2006-09-29 2008-04-10 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg SiO2-SCHLICKER FÜR DIE HERSTELLUNG VON QUARZGLAS SOWIE VERWENDUNG DES SCHLICKERS
US8158542B2 (en) 2006-09-29 2012-04-17 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg SiO2 slurry for the production of quartz glass as well as the application of the slurry
US20120114847A1 (en) * 2006-09-29 2012-05-10 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg SiO2 SLURRY FOR THE PRODUCTION OF QUARTZ GLASS AS WELL AS THE APPLICATION OF THE SLURRY
US8209998B2 (en) 2006-09-29 2012-07-03 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg SiO2 slurry for the production of quartz glass as well as the application of the slurry
DE102006046619A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Streichfähiger SiO2-Schlicker für die Herstellung von Quarzglas, Verfahren zur Herstellung von Quarzglas unter Einsatz des Schlickers
DE102006055397B3 (de) * 2006-11-22 2008-05-15 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren und Vorrichtung für die Herstellung eines zylinderförmigen Profilelements aus Quarzglas sowie Verwendung desselben
DE102006062166A1 (de) * 2006-12-22 2008-06-26 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Quarzglas-Bauteil mit Reflektorschicht sowie Verfahren zur Herstellung desselben
WO2008077807A1 (de) * 2006-12-22 2008-07-03 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Quarzglas-bauteil mit reflektorschicht sowie verfahren zur herstellung desselben
US7947335B2 (en) 2006-12-22 2011-05-24 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Quartz glass component with reflector layer and method for producing the same
KR101111659B1 (ko) * 2006-12-22 2012-02-14 헤래우스 크바르츠글라스 게엠베하 ＆ 컴파니 케이지 반사체층을 갖는 석영 유리 구성요소 및 그 제조방법
DE102006062166B4 (de) * 2006-12-22 2009-05-14 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Quarzglas-Bauteil mit Reflektorschicht sowie Verfahren zur Herstellung desselben
WO2008098708A1 (de) * 2007-02-15 2008-08-21 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Quarzglas-bauteil als leitungseinheit für ein uv-entkeimungsgerät
US8210889B2 (en) 2007-02-20 2012-07-03 Heraeus Noblelight Gmbh Infrared emitter comprising an opaque reflector and production thereof
WO2008101573A3 (de) * 2007-02-20 2008-12-31 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarotstrahler mit opakem reflektor und seine herstellung
DE102007008696B3 (de) * 2007-02-20 2008-10-02 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarotstrahler mit opakem Reflektor und seine Herstellung
WO2008101573A2 (de) * 2007-02-20 2008-08-28 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarotstrahler mit opakem reflektor und seine herstellung
DE102007030698B4 (de) * 2007-06-30 2009-06-10 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers aus einem Basiskörper aus opakem Quarzglas und einer dichten Versiegelungsschicht sowie Verwendung des Verbundkörpers
DE102007030698A1 (de) * 2007-06-30 2009-01-02 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers aus einem Basiskörper aus opakem Quarzglas und einer dichten Versiegelunsschicht
WO2009049752A1 (de) * 2007-10-09 2009-04-23 Heraeus Noblelight Gmbh Vorrichtung für eine bestrahlungseinheit
DE102007049930A1 (de) * 2007-10-18 2009-04-23 Universität Hamburg Oberflächenmodifizierte Strukturen
DE102007049930B4 (de) * 2007-10-18 2011-04-28 Universität Hamburg Oberflächenmodifizierte Hohlraumstrukturen, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung
DE102008063677A1 (de) 2008-12-19 2010-07-08 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarotstrahler-Anordnung für Hochtemperatur-Vakuumprozesse
DE102008063677B4 (de) * 2008-12-19 2012-10-04 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarotstrahler und Verwendung des Infrarotstrahlers in einer Prozesskammer
US8436523B2 (en) 2008-12-19 2013-05-07 Heraeus Noblelight Gmbh Infrared emitter arrangement for high-temperature vacuum processes
WO2011038826A1 (en) 2009-10-01 2011-04-07 Heraeus Noblelight Gmbh Flash lamp or gas discharge lamp with integrated reflector
WO2011042262A2 (de) 2009-10-10 2011-04-14 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren zur herstellung eines beschichteten bauteils aus quarzglas
DE102009049032B3 (de) * 2009-10-10 2011-03-24 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Bauteils aus Quarzglas
DE102009059015A1 (de) 2009-12-17 2012-03-01 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Quarzglasbauteil mit opaker Innenzone sowie Verfahren zur Herstellung desselben
WO2011082920A1 (de) 2009-12-17 2011-07-14 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Quarzglasbauteil mit opaker innenzone sowie verfahren zur herstellung desselben
DE102011012363A1 (de) 2011-02-24 2012-08-30 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarot-Flächenstrahler mit hoher Strahlungsleistung und Verfahren für seine Herstellung
DE102012025142A1 (de) * 2012-12-21 2014-06-26 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarotstrahler mit hoher Strahlungsleistung
DE202013000527U1 (de) * 2013-01-21 2013-08-27 Kay-Michael Bauer Infrarotstrahler in U-Form mit Keramik-Reflektorbeschichtung
US20140345526A1 (en) * 2013-05-23 2014-11-27 Applied Materials, Inc. Coated liner assembly for a semiconductor processing chamber
EP2878584A1 (de) 2013-11-28 2015-06-03 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Bauteils aus Quarzglas oder Quarzgut
KR20150062143A (ko) 2013-11-28 2015-06-05 헤래우스 크바르츠글라스 게엠베하 ＆ 컴파니 케이지 투명한 또는 불투명한 용융 실리카의 코팅된 성분을 제조하는 방법
US9680360B2 (en) 2013-11-28 2017-06-13 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Method for producing a coated component of transparent or opaque fused silica
EP3023162A1 (de) 2014-11-24 2016-05-25 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung eines mit einer Funktionsschicht versehenen Bauteils aus Glas sowie Vorrichtung zur Herstellung einer derartigen Schicht
DE102020128337A1 (de) 2020-10-28 2022-04-28 Heraeus Noblelight Gmbh Strahlerbauteil mit einer Reflektorschicht sowie Verfahren für seine Herstellung
WO2022090134A1 (de) 2020-10-28 2022-05-05 Heraeus Noblelight Gmbh Strahlerbauteil mit einer reflektorschicht sowie verfahren für seine herstellung
DE102020131324A1 (de) 2020-11-26 2022-06-02 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarotstrahler und Infrarotstrahlung emittierendes Bauelement
WO2022112306A1 (de) 2020-11-26 2022-06-02 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarotstrahler und infrarotstrahlung emittierendes bauelement
WO2023217486A1 (de) 2022-05-12 2023-11-16 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarot-Strahler mit einer auf eine Reflektorschicht aus Metall aufgebrachten emissiven Schicht und Verwendung der emissiven Schicht
DE102022111985A1 (de) 2022-05-12 2023-11-16 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarot-Strahler mit einer auf eine Reflektorschicht aus Metall aufgebrachten emissiven Schicht und Verwendung der emissiven Schicht

Also Published As

Publication number Publication date
ES2306204T3 (es) 2008-11-01
EP1784368B1 (de) 2008-05-21
WO2006021416A1 (de) 2006-03-02
JP5008198B2 (ja) 2012-08-22
JP2008510677A (ja) 2008-04-10
KR101113777B1 (ko) 2012-02-27
KR20070054686A (ko) 2007-05-29
ATE396155T1 (de) 2008-06-15
CA2575799C (en) 2013-01-08
DE502005004213D1 (de) 2008-07-03
EP1784368A1 (de) 2007-05-16
PL1784368T3 (pl) 2008-10-31
CA2575799A1 (en) 2006-03-02
DE102004051846B4 (de) 2009-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102004051846B4 (de) Bauteil mit einer Reflektorschicht sowie Verfahren für seine Herstellung
DE102006062166B4 (de) Quarzglas-Bauteil mit Reflektorschicht sowie Verfahren zur Herstellung desselben
DE102005016732A1 (de) Bauteil mit einer Reflektorschicht
EP1789370B1 (de) Beschichtetes bauteil aus quarzglas sowie verfahren zur herstellung des bauteils
EP2069244B1 (de) SiO2-SCHLICKER FÜR DIE HERSTELLUNG VON QUARZGLAS SOWIE VERWENDUNG DES SCHLICKERS
EP1791796B1 (de) Verfahren zum verbinden von bauteilen aus hochkieselsäurehaltigem werkstoff unter einsatz eines fügemittels, sowie nach dem verfahren erhaltener bauteil-verbund
DE10324518B4 (de) Keramischer Formkörper mit photokatalytischer Beschichtung und Verfahren zur Herstellung desselben
EP2173673B1 (de) Verfahren zur herstellung eines verbundkörpers aus einem basiskörper aus opakem quarzglas und einer dichten versiegelungsschicht
WO2006114321A1 (de) Entspiegelungsschicht und verfahren zu deren aufbringung
DE102009049032B3 (de) Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Bauteils aus Quarzglas
EP2231539A1 (de) Substrat mit einer sol-gel-schicht und verfahren zur herstellung eines verbundmaterials
WO2012084440A1 (de) Herstellung von leuchtstoffschichten unter verwendung von alkalisilikaten
DE102005058819A1 (de) Verfahren zur Beschichtung eines Bauteils aus hochkieselsäurehaltigem Glas sowie mit einer SiO2-haltigen, glasigen Schicht versehenes Bauteil
DE102007058927A1 (de) Substrat mit einer Sol-Gel-Schicht und Verfahren zur Herstellung eines Verbundmaterials
DE102007058926B4 (de) Solarglas und Verfahren zur Herstellung eines Solarglases sowie dessen Verwendung
DE4128645A1 (de) Solarspiegel, verfahren zu dessen herstellung und seine verwendung
DE102011012363A1 (de) Infrarot-Flächenstrahler mit hoher Strahlungsleistung und Verfahren für seine Herstellung
EP1222481B1 (de) Verfahren zur herstellung einer dielektrischen mehrschichtverspiegelung
EP3038988B1 (de) Lichtstreuender kolben für eine halbleiter-retrofitlampe
EP2217540B1 (de) Verfahren zur herstellung einer erhabenen markierung auf einem glasgegenstand
EP2327482A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Oberfläche
WO2023217486A1 (de) Infrarot-Strahler mit einer auf eine Reflektorschicht aus Metall aufgebrachten emissiven Schicht und Verwendung der emissiven Schicht
DE3713704A1 (de) Wasserstoff-entladungslampe und verfahren zu ihrer herstellung
DE2341647C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Wärmefilters, insbesondere für Lichtquellen mit starken kurzwelligem Infrarotanteil

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
AG Has addition no.

Ref document number: 102005016732

Country of ref document: DE

Kind code of ref document: P

8364 No opposition during term of opposition