DE102004050118A1 - Halbleiterlaserbauelement, optische Vorrichtung für ein Halbleiterlaserbauelement und Verfahren zur Herstellung einer optischen Vorrichtung - Google Patents

Halbleiterlaserbauelement, optische Vorrichtung für ein Halbleiterlaserbauelement und Verfahren zur Herstellung einer optischen Vorrichtung Download PDF

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US11/659,065 US7860144B2 (en) 2004-07-30 2005-06-24 Semiconductor laser component, optical device for a semiconductor laser component, and method for producing an optical device
EP05759656.1A EP1771926B1 (de) 2004-07-30 2005-06-24 Halbleiterlaserbauelement, optische vorrichtung für ein halbleiterlaserbauelement und verfahren zur herstellung einer optischen vorrichtung
PCT/DE2005/001122 WO2006012819A1 (de) 2004-07-30 2005-06-24 Halbleiterlaserbauelement, optische vorrichtung für ein halbleiterlaserbauelement und verfahren zur herstellung einer optischen vorrichtung
JP2007522906A JP4886686B2 (ja) 2004-07-30 2005-06-24 半導体レーザモジュール、半導体レーザモジュールのための光学装置および光学装置の製造方法
KR1020077004813A KR101156808B1 (ko) 2004-07-30 2005-06-24 반도체 레이저 부품, 반도체 레이저 부품의 광학소자 및광학소자 제조방법
TW094125358A TWI292246B (en) 2004-07-30 2005-07-27 Semiconductor-laser component, optical device for a semiconductor-laser component and method for the production of an optical device

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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006017294A1 (de) * 2005-12-30 2007-07-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisch pumpbare Halbleitervorrichtung
DE102006017293A1 (de) * 2005-12-30 2007-07-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer optisch pumpbaren Halbleitervorrichtung
DE102006042195A1 (de) * 2006-09-08 2008-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Etalon und optoelektronische Halbleitervorrichtung
DE102008010297A1 (de) * 2008-02-21 2009-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Frequenz-Konversions-Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Frequenz-Konversions-Vorrichtung
DE102008052376A1 (de) * 2008-10-20 2010-04-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laseranordnung
DE102012205513A1 (de) * 2012-04-04 2013-10-10 Osram Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Strahlungsanordnung und Strahlungsanordnung
US8585257B2 (en) 2007-12-21 2013-11-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Compact housing
DE102016107499A1 (de) * 2016-04-22 2017-10-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Frequenzverdoppler sowie Verfahren zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung
DE102008030818B4 (de) 2008-06-30 2022-03-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenemittierender Halbleiterlaser mit mehreren aktiven Zonen

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT503027B1 (de) * 2006-05-08 2007-07-15 Austria Tech & System Tech Leiterplattenelement mit optoelektronischem bauelement und licht-wellenleiter
DE102006040263A1 (de) * 2006-08-28 2008-03-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Element, optoelektronische Halbleitervorrichtung sowie Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements
DE102007004302A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
JP2008198980A (ja) * 2007-01-15 2008-08-28 Seiko Epson Corp レーザ光源装置、照明装置、画像表示装置、及びモニタ装置
JP5024088B2 (ja) * 2008-02-05 2012-09-12 セイコーエプソン株式会社 レーザ光源装置、照明装置、画像表示装置及びモニタ装置
JP2009192873A (ja) * 2008-02-15 2009-08-27 Seiko Epson Corp 光源装置、画像表示装置及びモニタ装置
US7669366B2 (en) * 2008-04-12 2010-03-02 Felknor Ventures Llc Plant retainer for retaining a plant for growth from the side or bottom of a planter
KR101978013B1 (ko) * 2012-01-20 2019-05-13 엑살로스 아게 Oct를 위한 그리즘을 갖춘 파장-가변형 외부 캐비티 레이저 다이오드
US10043615B2 (en) * 2012-10-08 2018-08-07 Maxwell Technologies, Inc. Electrode porosity for three-volt ultracapacitor
US10270224B2 (en) * 2015-06-04 2019-04-23 Nlight, Inc. Angled DBR-grating laser/amplifier with one or more mode-hopping regions
EP3130950A1 (de) 2015-08-10 2017-02-15 Multiphoton Optics Gmbh Strahlumlenkelement sowie optisches bauelement mit strahlumlenkelement
DE102016107715A1 (de) * 2016-04-26 2017-10-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lasermodul mit einem optischen Bauteil
US10263391B2 (en) * 2017-09-07 2019-04-16 Apple Inc. Horizontal external-cavity laser geometry
EP4033621B1 (en) 2019-09-20 2023-11-01 Nichia Corporation Light source device and method of manufacturing the same
DE102019215098A1 (de) * 2019-10-01 2021-04-01 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisch-optisches Bauteil und Herstellungsverfahren

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19536880A1 (de) * 1995-09-01 1997-03-06 Fraunhofer Ges Forschung Laseranordnung und Verfahren zur Skalierung von frequenzverdoppelten Lasern
US6002695A (en) * 1996-05-31 1999-12-14 Dpss Lasers, Inc. High efficiency high repetition rate, intra-cavity tripled diode pumped solid state laser
DE19929878A1 (de) * 1999-06-29 2001-01-04 Bosch Gmbh Robert Träger zur Montage optoelektronischer Bauteile und Verfahren zur Herstellung
US20040022286A1 (en) * 2002-03-28 2004-02-05 Werner Spath Optically pumpable surface-emitting semiconductor laser device
US6711203B1 (en) * 2000-09-22 2004-03-23 Blueleaf, Inc. Optical transmitter comprising a stepwise tunable laser

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU659270B2 (en) * 1992-02-20 1995-05-11 Sony Corporation Laser light beam generating apparatus
WO1997009759A1 (de) 1995-09-01 1997-03-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Laseranordnung und verfahren zur skalierung von frequenzverdoppelten lasern
DE19548647C2 (de) 1995-12-14 2003-01-23 Manfred Gabbert Durchstimmbare, justierstabile Halbleiterlaserlichtquelle sowie ein Verfahren zur optisch stabilen, weitgehend kontinuierlichen Durchstimmung von Halbleiterlasern
GB2325334B (en) 1998-07-10 1999-04-14 Bookham Technology Ltd External cavity laser
EP1513006B1 (en) 1999-10-28 2010-12-15 FUJIFILM Corporation Light wavelength converting system
JP2001230492A (ja) * 2000-02-21 2001-08-24 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体発光装置
US6862301B2 (en) * 2001-12-31 2005-03-01 Finisar Corporation Tunable laser assembly
DE10241192A1 (de) * 2002-09-05 2004-03-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisch gepumpte strahlungsemittierende Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE10253907A1 (de) 2002-09-20 2004-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optischer Abtastkopf und Verfahren zur Herstellung desselben
JP2004221321A (ja) * 2003-01-15 2004-08-05 Mitsubishi Electric Corp 波長可変半導体光装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19536880A1 (de) * 1995-09-01 1997-03-06 Fraunhofer Ges Forschung Laseranordnung und Verfahren zur Skalierung von frequenzverdoppelten Lasern
US6002695A (en) * 1996-05-31 1999-12-14 Dpss Lasers, Inc. High efficiency high repetition rate, intra-cavity tripled diode pumped solid state laser
DE19929878A1 (de) * 1999-06-29 2001-01-04 Bosch Gmbh Robert Träger zur Montage optoelektronischer Bauteile und Verfahren zur Herstellung
US6711203B1 (en) * 2000-09-22 2004-03-23 Blueleaf, Inc. Optical transmitter comprising a stepwise tunable laser
US20040022286A1 (en) * 2002-03-28 2004-02-05 Werner Spath Optically pumpable surface-emitting semiconductor laser device

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8396092B2 (en) 2005-12-30 2013-03-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vertically emitting, optically pumped semiconductor comprising an external resonator and frequency doubling on a separate substrate
DE102006017293A1 (de) * 2005-12-30 2007-07-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer optisch pumpbaren Halbleitervorrichtung
DE102006017294A1 (de) * 2005-12-30 2007-07-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisch pumpbare Halbleitervorrichtung
US8076166B2 (en) 2005-12-30 2011-12-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for fabricating an optically pumped semiconductor apparatus
DE102006042195A1 (de) * 2006-09-08 2008-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Etalon und optoelektronische Halbleitervorrichtung
US8585257B2 (en) 2007-12-21 2013-11-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Compact housing
DE102008010297A1 (de) * 2008-02-21 2009-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Frequenz-Konversions-Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Frequenz-Konversions-Vorrichtung
DE102008030818B4 (de) 2008-06-30 2022-03-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenemittierender Halbleiterlaser mit mehreren aktiven Zonen
DE102008052376A1 (de) * 2008-10-20 2010-04-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laseranordnung
DE102012205513A1 (de) * 2012-04-04 2013-10-10 Osram Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Strahlungsanordnung und Strahlungsanordnung
US9509116B2 (en) 2012-04-04 2016-11-29 Osram Gmbh Light emitter and method for manufacturing the same
DE102012205513B4 (de) 2012-04-04 2021-12-09 Osram Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Strahlungsanordnung und Strahlungsanordnung
DE102016107499A1 (de) * 2016-04-22 2017-10-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Frequenzverdoppler sowie Verfahren zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung

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Publication number Publication date
US7860144B2 (en) 2010-12-28
US20090225797A1 (en) 2009-09-10
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EP1771926A1 (de) 2007-04-11
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