DE19536880A1 - Laseranordnung und Verfahren zur Skalierung von frequenzverdoppelten Lasern - Google Patents
Laseranordnung und Verfahren zur Skalierung von frequenzverdoppelten LasernInfo
- Publication number
- DE19536880A1 DE19536880A1 DE19536880A DE19536880A DE19536880A1 DE 19536880 A1 DE19536880 A1 DE 19536880A1 DE 19536880 A DE19536880 A DE 19536880A DE 19536880 A DE19536880 A DE 19536880A DE 19536880 A1 DE19536880 A1 DE 19536880A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- laser
- arrangement according
- laser arrangement
- harmonic
- oscillators
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
- H01S3/2383—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
- H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
- H01S3/0604—Crystal lasers or glass lasers in the form of a plate or disc
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0619—Coatings, e.g. AR, HR, passivation layer
- H01S3/0621—Coatings on the end-faces, e.g. input/output surfaces of the laser light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08059—Constructional details of the reflector, e.g. shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/0813—Configuration of resonator
- H01S3/0816—Configuration of resonator having 4 reflectors, e.g. Z-shaped resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/083—Ring lasers
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Laseranordnung mit mindestens zwei einzel
nen Laseroszillatoren, wobei die Laserstrahlung der Oszillatoren mittels optischer
Komponenten gebündelt wird. Weiterhin bezieht sich die Erfindung auf ein Verfah
ren zur Leistungsskalierung von frequenzverdoppelten Lasern.
Der Einsatz von Laseranordnungen und Laserstrahlquellen in Bezug auf die unter
schiedlichsten Anwendungen erfordert zum einen eine Skalierung der Laserlei
stung, zum anderen eine Anpassung der Frequenz gemäß den Spezifikationen.
In Bezug auf die Laserskalierung der Laseranordnung zu höheren Leistungen hin ist
zu beachten, daß eine hohe Strahlqualität beibehalten wird. Es besteht zum einen
die Möglichkeit, die Laserleistung durch Skalierung des Oszillatorvolumens vorzu
nehmen. Eine Randbedingung, die hierbei beachtet werden muß, ist die Relation
zwischen den axialen Dimensionen (Resonatorlänge) und der radialen Dimensio
nen, die, um eine hohe Strahlqualität zu erzielen, derart in Relation stehen müssen,
daß die Fresnell-Zahl des Oszillators nicht wesentlich größer als 1 wird. Werden
diese Randbedingungen nicht erfüllt, so wird dadurch die Strahlqualität von Hochlei
stungslasern erheblich beeinträchtigt. Eine andere Maßnahme, um die Laserstrahl
leistung zu skalieren, ist der Einsatz von Oszillator-Verstärkern. Diese Verstärker
werden dazu verwendet, die Strahlung eines Laseroszillators mit geringer Leistung
und hoher Strahlqualität zu einer hohen Leistung zu verstärken. Dieses Vorgehen
besitzt jedoch seine Grenzen insbesondere in Verbindung mit kontinuierlich betrie
benen Lasern. Schließlich werden, um eine Laserstrahlquelle zu skalieren, Laser-
Arrays bzw. -Feldanordnungen aufgebaut. In solchen Arrays werden mehrere La
seroszillatoren räumlich nebeneinander angeordnet und parallel betrieben. Die Lei
stung der einzelnen Laseroszillatoren summiert sich zu einer Gesamtlaserleistung
eines solchen Laser-Arrays. Ein Problem, das einem solchen Laser-Array anhaftet,
ist die kohärente Kopplung der Oszillatoren miteinander. Um die Strahlen der Ein
zelstrahlquellen des Arrays in einem gemeinsamen Fokussierungspunkt zu bündeln,
müssen entsprechende optische Maßnahmen zur Strahlführung vorgenommen wer
den. Weiterhin führen Abbildungsfehler bei freier Ausbreitung der Strahlung der La
seroszillatoren zu Verlusten, was sich wiederum durch einen geringen Wirkungs
grad auswirkt. Um darüberhinaus die Frequenz der Laseroszillatoren zu konvertie
ren und sie so den bestimmten Anwendungsgebieten und den Spezifikationen anzu
passen, müssen zusätzliche Maßnahmen ergriffen werden, die die vorstehend kurz
erläuterte Problematik der Leistungsskalierung von Laseranordnungen noch kompli
zierter gestaltet.
Ausgehend von der vorstehend geschilderten Problematik und den nach dem Stand
der Technik bekannten Maßnahmen liegt der vorliegenden Erfindung nun die Aufga
be zugrunde, eine Laseranordnung sowie ein Verfahren anzugeben, mit dem die
Leistung von mindestens zwei einzelnen Laseroszillatoren skaliert und die Fre
quenz geändert werden kann, und zwar mit einfachem optischen Aufbau unter Er
zielung einer hohen Strahlqualität.
Diese Aufgabe wird, ausgehend von einer Laseranordnung mit mindestens zwei
einzelnen Oszillatoren, dadurch gelöst, daß die Grundwellenstrahlung des jeweili
gen Oszillators durch ein nichtlineares Kristall in der Frequenz verdoppelt wird und
daß die jeweilige Strahlung mittels einer optischen, dichroitischen Komponenten
sich koaxial überlagernd zusammengeführt wird. Verfahrensgemäß wird eine Lei
stungsskalierung von frequenzverdoppelnden Lasern dadurch vorgenommen, daß
mindestens zwei Laseroszillatoren nebeneinander angeordnet werden und deren
Grundwelle jeweils in der Frequenz verdoppelt wird und daß die verdoppelte Strah
lung koaxial zusammengeführt wird. Um eine solche Laseranordnung in der Lei
stung zu skalieren, sind im wesentlichen zwei Komponenten erforderlich, d. h. zum
einen ein nichtlineare(s) oder mehrere Kristall(e), das (die) zur Frequenzverdopp
lung der Grundwelle, die von dem einzelnen Laseroszillator abgegeben wird, dient
(dienen), während das zweite Element in Form einer optischen, dichroitischen Kom
ponenten die Strahlung der jeweiligen Laseroszillatoren koaxial überlagert, so daß
aufgrund dieser Oberlagerung die Leistungen der einzelnen Laseroszillatoren ad
diert werden. Mit einem solchen Aufbau kann die Leistung beliebig zu höheren Lei
stungen hin skaliert werden, indem weitere Komponenten in Form von einzelnen La
seroszillatoren zu dem System hinzugefügt werden. Dies gilt insbesondere auch für
kontinuierlich betriebene Laser.
Um die Anordnung weiterhin in Bezug auf die Anzahl der erforderlichen Komponen
ten zu vereinfachen, wird in einer bevorzugten Ausführungsform die dichroitische
Komponente so ausgebildet, daß sie auch die Funktion des frequenzverdoppelnden
Kristalls übernimmt. Aus dem gleichen Grund der Reduzierung der Anzahl der ein
zelnen Bauteile und damit der Vereinfachung des Aufbaus wird den Laseroszillato
ren ein gemeinsames, nichtlineares Kristall zugeordnet, in das die Grundwellen
strahlung der jeweiligen Oszillatoren eingestrahlt wird.
Insbesondere dann, wenn die einzelnen Laseroszillatoren derart in einer Anordnung
angeordnet werden, daß die Achsen deren Strahlung parallel zueinander verlaufen,
wird ein nichtlineares Kristall eingesetzt, das zwei parallele Flächen aufweist, die
die Eintritts-, Austritts- und/oder Reflexionsflächen für die Strahlung bilden. Mit ei
nem solchen Kristall werden zur Zusammenführung der Strahlung gleiche Versätze
der jeweiligen benachbarten Strahlen zueinander erzielt, so daß sich eine einfache
Geometrie ergibt.
Um hohe Stabilitäten zu erzielen, können die einzelnen Laseroszillatoren als Rin
gresonatoren aufgebaut werden. Weiterhin besteht die Möglichkeit, in den einzel
nen Faltungsstrecken der Laseroszillatoren zum einen die aktiven Medien zu posi
tionieren oder auch aufzuteilen, zum anderen besteht die Möglichkeit, in die einzel
nen Faltungsstrecken das nichtlineare Kristall und die dichroitische Komponente
einzubauen. Ein weiterer, bevorzugter Aufbau kann dann erzielt werden, wenn dem
Kristallin den Ringresonatoren eine die Strahlung umlenkende Funktion zugeordnet
wird. Hierbei sollte das Kristall eine Eintritts- und eine Reflexionsfläche aufweisen,
wobei die Eintrittsfläche für die Grundwelle (ω) antireflektierend beschichtet ist und
für die zweite Harmonische (2ω) hochreflektierend beschichtet ist und wobei die Re
flexionsfläche für die Grundwelle (ω) und die zweite Harmonische (2ω) hochreflek
tierend ist. Mit einer solchen Beschichtung wird erreicht, daß die jeweiligen Grund
wellen (ω) an der Reflexionsfläche reflektiert bzw. zu dem nächsten Element des
Ringresonators umgelenkt werden, während die zweite Harmonische (2ω) an den
gegenüberliegenden Flächen reflektiert und mit einem Versatz zu dem Eintrittsstrahl
aus der ersten Fläche wieder austritt. Der Versatz wird dann so gewählt, daß sich
die zweite Harmonische (2ω) mit der zweiten Harmonischen (2ω) des benachbarten
Oszillators überlagert.
Innerhalb der Eintrittsfläche oder der Reflexionsfläche des nichtlinearen Kristalls
wird eine Auskoppelfläche für die zweite Harmonische (2ω) vorgesehen, um diesen
Strahlungsanteil aus dem nichtlinearen Kristall nach Zusammenführung sämtlicher
Einzeloszillatoren als Ausgangsstrahl auszukoppeln.
Der Aufbau der Laseranordnung, wie er vorstehend angegeben ist, ist insbesondere
in Bezug auf Festkörperlaser bevorzugt, darüberhinaus für solche Festkörperlaser,
die mittels Diodenlaserstrahlung longitudinal gepumpt werden. In Verbindung mit
Festkörperlasern besteht die Möglichkeit, die einzelnen Festkörpermedien der ein
zelnen Laseroszillatoren voneinander zu trennen; bevorzugt ist allerdings eine Aus
gestaltung, bei der den Laseroszillatoren ein gemeinsames Festköpermedium zuge
ordnet wird, so daß für eine solche Laseranordnung aus Festkörperlasern ein mini
males Volumen für das aktive Medium in Anspruch genommen wird. Darüberhinaus
ergibt sich ein kompakter Aufbau in Bezug auf Festkörperlaser mit Ringresonatoren
dann, wenn das Festkörpermedium als Prisma ausgebildet ist, wobei mindestens
zwei Flächen Reflexionsflächen des Ringresonators bilden. Alternativ kann das
Festkörpermedium als Etalon ausgebildet werden, wobei eine Fläche eine antire
flektierende Beschichtung für die Grundwelle (ω) aufweist und die andere Fläche ei
ne hochreflektierende Beschichtung für die Grundwelle (ω) aufweist. Mit diesem
Aufbau wird in dem Festkörpermedium selbst, als Etalon ausgebildet, eine Zusam
menführung der jeweiligen Resonatorstrahlung erzielt, wobei die hochreflektierende
Beschichtung für die Grundwelle (ω) des Festkörpermediums in dieser Anordnung
gleichzeitig im Rahmen eines Ringresonators als Faltungselement eingesetzt wird.
Falls die thermische Belastung des Festkörpermediums zu hoch wird, gerade im
Hinblick auf eine Skalierung des Lasers zu relativ hohen Leistungen, sollte aller
dings jedem Laseroszillator ein separates Festkörpermedium zugeordnet werden.
Während vorstehend bevorzugte Aufbauten der Laseranordnung in Form von Rin
gresonatoren angegeben sind, ist, basierend auf dem erfindungsgemäßen Prinzip,
auch der Aufbau einer Laseranordnung mit parallel zueinander angeordneten La
seroszillatoren möglich.
Die Laseranordnung in Form von einzelnen Ringresonatoren unter Zusammenfüh
rung der jeweiligen Strahlung der Einzeloszillatoren mittels einer optischen, dichroi
tischen Komponenten derart, daß sie koaxial überlagert werden, ist immer dann zu
bevorzugen, wenn Stabilität und ein Monomode-Betrieb erforderlich ist.
Der Aufbau der Laseranordnung derart, daß die Laseroszillatoren jeweils einen li
nearen Resonator bilden, deren Strahlung mittels einer optischen, dichroitischen
Komponenten sich koaxial überlagernd zusammengeführt wird, unter Verdopplung
der Grundwellenstrahlung des jeweiligen Oszillators durch ein nichtlineares Kristall,
ist dann zu bevorzugen, wenn eine flexible Gestaltung der Laseranordnung und ei
ne effektive Kühlung Vorrang hat.
Eine bevorzugte Ausführung in Bezug auf den linearen Aufbau ergibt sich dann,
wenn das nichtlineare, die Grundwellenstrahlung jedes Oszillators verdoppelnde
Kristall eine erste Fläche und eine gegenüberliegende zweite Fläche aufweist, die
beide für die Grundwelle (ω) antireflektierend beschichtet sind und für zweite Har
monische (2ω) hochreflektierend beschichtet sind, so daß die Grundwellenstrah
lung (2ω) jeweils von beiden außenflächen des nichtlinearen Kristalls in dieses ein
treten kann, während die zweite Harmonische (2ω) innerhalb des Kristalls durch Re
flexionen und zu einem entsprechenden Auskoppelbereich, der für die zweite Har
monische (2ω) antireflektierend ausgebildet ist, geführt wird, um die zweite Harmo
nische (2ω) aus dem nichtlinearen Kristall auszukoppeln. Es wird verständlich wer
den, daß das lineare Kristall in den Strahlengang der einzelnen Laseroszillatoren so
unter einem Einfallswinkel der Strahlung angeordnet wird, daß innerhalb des Kri
stalls die Strahlungsanteile gebrochen und so geführt werdend daß sich die verdop
pelte Strahlung (zweite Harmonische (2ω)) der einzelnen Laseroszillatoren addiert
und als zusammengeführte Gesamtstrahlung (2ω) aus dem nichtlinearen Verdopp
ler-Kristall ausgeblendet wird.
Aufgrund der mechanischen Komponenten, die zum Aufbau, und insbesondere zur
Justage, der einzelnen Laseroszillatoren erforderlich sind, können die Abstände der
Strahlungen benachbarter Oszillatoren eingangsseitig der dichroitischen Kompo
nenten relativ groß sein. Um die Abmessungen der dichroitischen Komponenten ge
ring zu halten, ist eine optische Anordnung von Vorteil, die eingangsseitig der
dichroitischen Komponenten in den Strahlengang eingesetzt wird. Mit dieser opti
schen Anordnung wird, vorzugsweise über Reflexionsflächen, der Abstand der
Strahlen der einzelnen Laseroszillatoren in gewünschter Weise angenähert. Für ei
nen einfachen Aufbau sind treppenstufenartige Spiegelelemente von Vorteil, die
mindestens einmal den Strahl umlenken und somit die Strahlen zueinander annä
hern. Außerdem kann mit solchen treppenstufenartigen Elementen durch geeignete
Neigung der Reflexionsflächen auch eine nicht gegebene Parallelität der Strahlung
der einzelnen Laseroszillatoren erreicht werden.
Weitere bevorzugte, verfahrensgemäße Maßnahmen sind in den Unteransprüchen
33 und 35 angegeben.
In der Zeichnung zeigt
Fig. 1 eine erste Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Laseranordnung mit
drei einzelnen Laseroszillatoren mit Ringresonator unter Einsatz eines
Etalons zur Zusammenführung bzw. koaxialen Überlagerung der zweiten
Harmonischen,
Fig. 2 eine Laseranordnung gemäß einer zweiten Ausführungsform, ähnlich der Fig.
1, wobei das Etalon gleichzeitig die Funktion eines Verdoppler-Kristalls
übernimmt,
Fig. 3 eine dritte Ausführungsform mit einem gegenüber Fig. 2 zusätzlichen Etalon,
das mittels Diodenlaser gepumpt wird und als aktives Medium wirkt,
Fig. 4 eine gegenüber Fig. 3 geänderte, vierte Ausführungsform, bei der anstelle
des etalonförmigen, aktiven Mediums der Fig. 3 ein prismenförmiges, aktives
Medium eingesetzt wird,
Fig. 5 eine fünfte Ausführungsform mit einem viereckigen Prisma als Lasermedium,
Fig. 6 und 7 eine siebte Ausführungsform einer Laseranordnung, die beispielhaft
zwei lineare Resonatoren mit ethalonförmigem Verdoppler zeigen, wobei die
Ausführungsform 7 gegenüber der Ausführungsform der Fig. 6 zwei zusätzli
che λ/4-Platten beidseitig des aktiven Mediums aufweist,
Fig. 8 einen weiteren, linearen Resonator, bei dem das Verdoppler-Kristall, wie es in
den Fig. 6 und 7 dargestellt ist, in einzelne Segmente unterteilt ist, wobei
die Segmente zueinander versetzt sind,
Fig. 9 ein einzelnes Segment des Verdopplers der Fig. 8, wobei die Austrittsfläche
gekrümmt ist, und
Fig. 10 schematisch einen Aufbau eines linearen Oszillators mit einer optischen Anord
nung zur Strahlungsabstandsannäherung zweier benachbarter
Laseroszillatoren.
Die Fig. 1 zeigt eine Anordnung aus drei einzelnen Laseroszillatoren 1 mit einem
aktiven Medium 2, die mittels Diodenlaserstrahlung 3, durch Pfeile angedeutet, lon
gitudinal gepumpt werden. Bei den aktiven Medien handelt es sich vorzugsweise
um Festkörper, die, wie in der Fig. 1 angedeutet ist, zu einem gemeinsamen Fest
körper zusammengefaßt werden können. Die einzelnen Laseroszillatoren 1 weisen
einen Ringresonator auf mit drei Umlenkspiegeln 4, 5 und 6 sowie einer ersten Flä
che 7 eines Etalons 8, das als dichroitische Komponente zur axialen Überlagerung
der Strahlung der einzelnen Laseroszillatoren 1 dient. Die Umlenkspiegel 4, 5 und 6
sind jeweils für die Grundwelle (ω) sowie für die zweite Harmonische (2ω) hoch
transparent beschichtet. Darüberhinaus ist der Umlenkspiegel 4 für die Pumpstrah
lung (Grundwelle (ω)) hochtransparent bzw. antireflektierend. Das Etalon 8 ist an
seiner ersten Fläche 7 für die Grundwelle (ω) hochreflektierend beschichtet, wäh
rend die Beschichtung der ersten Fläche 7 für die zweite Harmonische (2ω) hoch
transparent ist. Die gegenüberliegende, zweite, zu der ersten Fläche 7 parallele
Fläche 9 des Etalons ist für die zweite Harmonische mit einer hochreflektierenden
Beschichtung versehen. Die von den Lasermedien abgegebenen Grundwellen
durch die Diodenlaser-Pumpstrahlung angeregt, werden mittels eines nichtlinearen
Verdoppler-Kristalls 10, das zwischen dem Umlenkspiegel 6 und dem Etalon 8 in
den Strahlengang eingefügt ist, resonatorintern frequenzverdoppelt (zweite Harmo
nische 2ω). Aufgrund dieses Aufbaus ergeben sich drei Ringoszillatoren, die jeweils
durch die Strahlenverläufe a₁-a₂-a₃-a₄-a₁, b₁-b₂-b₃-b₄-b₁ und c₁-c₂-c₃-c₄-c₁ für die
Grundwelle gegeben sind. Die Buchstaben a, b, c sind den jeweiligen Oszillatoren
zugeordnet, während die Indizes 1, 2, 3, 4 den jeweiligen Umlenkspiegeln 4, 5, 6
sowie dem Etalon 8 zugeordnet sind, wobei die Angaben die jeweiligen Umlenk
punkte an den jeweiligen Elementen für die Strahlung des jeweiligen Ringoszillators
angeben. Die im Ringoszillator a₁ . . . a₃ . . . a₁ im Verdoppler-Kristall erzeugte zweite
Harmonische (2ω) tritt an dem Punkt a₄ ausgangsseitig des Verdoppler-Kristalls 10
über die erste Fläche 7, für die zweite Harmonische (2ω) antireflektierend beschich
tet, in das Etalon 8 ein und folgt dort dem Weg a₅-b₄, tritt aus der ersten Fläche 7
des Etalons 8 aus und nimmt den weiteren Weg b₁-b₂-b₃-b₄, tritt an der ersten Flä
che 7 des Etalons 8 wieder in das Etalon ein, folgt dem Weg b₅-c₄ und dann ent
sprechend weiter dem Weg c₁-c₂-c₃-c₄-c₆-d₁ und wird dann an der Stelle d₁
ausgekoppelt und zu einem Umlenkspiegel 11, der für die zweite Harmonische (2ω)
hochreflektierend ist, hin geführt und an einem Punkt d₂ umgelenkt. Ähnlich verlau
fen die in den weiteren zwei Ringoszillatoren 1 erzeugten zweiten Harmonischen
(2ω) und werden an der Stelle d₁ aus dem Etalon 8 ausgekoppelt. Auf diese Weise
werden die in den verschiedenen Ringoszillatoren erzeugen zweiten Harmonischen
(2ω) mittels des Etalons zusammengeführt und derart ausgekoppelt, daß sich die
zweiten Harmonischen (2ω) koaxial überlagern, so daß ein frequenzverdoppelter
Ausgangsstrahl 12 erzeugt wird, dessen Leistung sich aus den Einzelleistungen der
drei Ringoszillatoren additiv zusammensetzt. Es wird ersichtlich, daß die Leistung in
Bezug auf die zweite Harmonische (2ω) dieser Laseranordnung durch die Anzahl
der Ringoszillatoren in einfacher Weise skaliert werden kann. Um die Leistung zu
erhöhen, werden weitere Ringoszillatoren der Anordnung hinzugefügt.
Soweit in den Figuren das Zeichen "ω" aufgeführt ist, so deutet dieses auf die
Grundwelle (ω) hin, während das Zeichen "2ω" auf die zweite Harmonische (2ω) hin
weist. Weiterhin bedeutet der Hinweis an Flächen "HRω" hochreflektierend für die
Grundwelle (ω), "HR2ω" hochreflektierend für die zweite Harmonische (2ω) und
"HTω" hochtransmittierend bzw. antireflektierend für die Grundwelle (ω) und "HTω"
hochtransmittierend für die Pumpstrahlung (ω).
Wie aus Fig. 1 ersichtlich wird, ist in die Ringoszillatoren zwischen den Umlenk
spiegeln 5 und 6 ein Faraday-Rotator 13 für den unidirektionellen Betrieb eingefügt.
Die Laseranordnung der ersten Ausführungsform, wie sie in der Fig. 1 dargestellt
ist, kann dadurch vereinfacht werden, daß das in Fig. 2 mit dem Bezugszeichen 19
bezeichnete Etalon aus einem nichtlinearen Material besteht und somit neben der
Zusammenführung der Strahlung der einzelnen Laseroszillatoren 1 dazu dient, die
Grundwellenstrahlung (ω) zu verdoppeln (2ω). In diesem Fall werden die Ringreso
natoren a₁-a₂-a₃-a₄-a₅-a₆-a₁, b₁-b₂-b₃-b₄-b₅-b₆b₁ und c₁-c₂-c₃-c₄-c₅-c₆-c₁ nebeneinan
der angeordnet. Innerhalb des als Etalon ausgebildeten Verdopplers 19 wird die
zweite Harmonische (2ω) erzeugt. Die innerhalb des Oszillators a₁ . . . a₄ . . . a₁ generier
te zweite Harmonische (2ω) wird innerhalb des Etalons 19 durch Mehrfachoszillation
zu der Auskoppelstelle d geführt, die in dem dargestellten zweiten Ausführungs
beispiel der Fig. 2 im Bereich der zweiten Fläche 8 vorgesehen ist, indem dieser
Flächenbereich 14 für die zweite Harmonische (2ω) antireflektierend beschichtet ist.
Ähnliches gilt für die von den beiden anderen Ringoszillatoren 1 erzeugten zweiten
Harmonischen (2ω), die ebenfalls innerhalb des Verdoppler-Etalons 19 zu der Aus
koppelstelle d geführt werden, so daß die jeweiligen Strahlungsanteile der drei La
seroszillatoren 1 zu einem gemeinsamen Ausgangsstrahl 12 koaxial überlagert wer
den. Somit setzt sich die Leistung dieses Ausgangsstrahls 12 aus den Einzelleistun
gen der Laseroszillatoren 3 additiv zusammen. Wie sich anhand des Aufbaus, wie
er in Fig. 2 dargestellt ist, ergibt, läuft die zweite Harmonische (2ω) nicht durch das
aktive Lasermedium 2. Aus diesem Grund müssen die Umlenkspiegel 4, 5 und 6 nur
für die Grundwelle (ω) hochreflektierend beschichtet sein.
Soweit in Fig. 2 Bauteile mit den entsprechenden Bezugsziffern und Bezugszei
chen bezeichnet sind, die auch bei der ersten Ausführungsform der Fig. 1 verwen
det sind, können die entsprechenden Ausführungen, die in Bezug auf die Fig. 1
vorgenommen wurden, auf die zweite Ausführungsform der Fig. 2 übertragen wer
den. Entsprechendes gilt für die nachfolgend anhand der Fig. 3 bis 9 erläuterten
Ausführungsformen.
In der dritten Ausführungsform, die in Fig. 3 dargestellt ist, wird neben dem fre
quenzverdoppelnden Etalon 19 ein weiteres Etalon 22 eingesetzt, wobei das Etalon
19, das Etalon 22 sowie die Umlenkspiegel 5 und 6 den Resonator festlegen. Das
weitere Etalon 22, das gleichzeitig das aktive Medium ist, wird mittels Diodenlaser
strahlung 3 über seine äußere Oberfläche 17, die für die Grundwelle (ω) hochreflek
tierend ist, gepumpt. Aufgrund der Pumpstrahlungen ergeben sich drei nebeneinan
derstehende Ringoszillatoren mit den gezeigten Verläufen. Die zweite Harmonische
(2ω) wird resonatorintern und innerhalb des Verdoppler-Etalons 19 erzeugt und zur
Auskoppelstelle d (Flächenbereich 14) geführt. Sowohl das Verdoppler-Etalon 19
als auch das Festkörper-Etalon 22 führen die Strahlen jeweils zusammen. Wie an
hand der Fig. 3 dargestellt ist, verbleibt die zweite Harmonische (2ω) bis zur Aus
koppelstelle d nur innerhalb des Verdoppler-Etalons 19. Weiterhin hat der Aufbau
gemäß der dritten Ausführungsform, die in Fig. 3 dargestellt ist, den Vorteil, daß
beispielsweise nur ein Festkörpermedium benötigt wird.
Eine vierte Ausführungsform ist in der Fig. 4 dargestellt, die als Abwandlung der
dritten Ausführungsform gemäß Fig. 3 angesehen werden kann. Im Gegensatz zu
der Ausführungsform der Fig. 3 wird anstelle des etalonförmigen, aktiven Mediums
22 ein Laserprisma 32 als aktives Medium verwendet, das wiederum mittels drei Di
odenlasern, durch die Strahlungspfeile 3 angedeutet, von der Außenseite gepumpt
wird. Der Basisfläche 33 des Laserprismas 32 ist ein weiteres, für die Grundwellen
strahlung (ω) transparentes Strahlungsführungsprisma 34 zugeordnet, dessen in
Fig. 4 rechts liegender Fläche ein Verdoppler-Etalon 19, vergleichbar mit dem Ver
doppler-Etalon der Fig. 3, zugeordnet ist. Sowohl die Basisfläche 33 des Laser
prismas 32 als auch die Basisfläche 35 des Strahlungsführungsprismas 34 sind für
die Grundwellenstrahlung (ω) antireflektierend ausgebildet. Innerhalb des aktiven
Mediums 32 und des Strahlungsführungsprismas 34 entstehen, angeregt durch die
Diodenlaserstrahlung 3, drei Ringoszillatoren 1. Auch in diesem Fall wird an der in
nenliegenden, ersten Fläche 7 des Verdoppler-Etalons 19 die Grundwelle (ω) hin
durchgelassen, die verdoppelt wird (zweite Harmonische (2ω)), wobei dann auf
grund der hochreflektierenden Beschichtung der ersten Fläche 7 und der zweiten
Fläche 8 des Etalons 19 die zweite Harmonische (2ω) zu dem für die zweite Harmo
nische transparenten Flächenbereich 14 geführt wird. Dieser Aufbau besitzt den be
sonderen Vorteil, daß die extrem hohe Reflektivität der internen Totalreflexion ge
nutzt werden kann.
Eine fünfte Ausführungsform zeigt die Fig. 5′ bei der das aktive Lasermedium in
Form eines viereckigen Prismas 42 gebildet ist. Das aktive Medium 42 wird durch
die Strahlung 3 von drei Diodenlasern angeregt, so daß drei nebeneinanderliegen
de Oszillatoren (Grundwelle (ω)) mit linearen Ringresonatoren entstehen. Drei der
Flächen des viereckigen Prismas 42 sind hochreflektierend für die Grundwelle (ω)
ausgebildet, während die in Fig. 5 untere, rechte Stirnfläche, vergleichbar mit der
entsprechenden Stirnfläche des Strahlungsführungsprismas 34 der Fig. 4, für die
Grundwelle (ω) antireflektierend beschichtet ist. Dieser Stirnfläche ist ein Verdopp
ler-Etalon 19 zugeordnet, dessen erste Fläche 7 für die Grundwelle (ω) antireflek
tierend beschichtet ist, während sie für die zweite Harmonische (2ω), ebenso wie
die gegenüberliegende, parallel verlaufende zweite Fläche 9, hochreflektierend be
schichtet ist. Die zweite Harmonische (2ω) wird an dem Flächenbereich 14 wieder
um ausgekoppelt, so daß ein Ausgangsstrahl 12 gebildet wird, dessen Leistung sich
aus der Leistung der drei einzelnen Laseroszillatoren 1 zusammensetzt. Im wesent
lichen sind für diese Anordnung nur zwei Bauteile, neben dem Diodenlaser zum op
tischen Pumpen, in Form des aktiven Mediums 42 (Laserprisma) und des Verdopp
ler-Etalons 19 erforderlich. Für eine höhere Skalierung können weitere Oszillatoren
mittels weiterer Diodenpumplaser erzeugt werden, deren Strahlung mittels des Ver
doppler-Etalons 19 der Strahlung der drei in Fig. 5 gezeigten Laseroszillatoren 1
hinzugefügt wird.
Während die Fig. 1 bis 5 fünf Ausführungsformen mit Ringoszillatoren darstel
len, zeigen die Fig. 6, 7 und 8 Aufbauten verschiedener linearer Oszillatoren, in
denen der erfindungsgemäße Aufbau umgesetzt ist.
Die linearen Resonatoren, wie sie die Fig. 6, 7 und 8 zeigen, besitzen zwei Re
sonatorendspiegel 44, zwischen denen ein aktives Medium 52 angeordnet ist. Wei
terhin ist zwischen dem aktiven Medium 52 und dem rechtsseitigen Resonatorend
spiegel 44 ein Verdoppler-Etalon 48 in dem Strahlengang positioniert. Über den lin
ken Resonatorendspiegel 44, der für die Grundwelle (ω) hochreflektierend ist, wird
mittels Pumpstrahlen, bei denen es sich wiederum um Diodenlaserstrahlung 3 han
delt, gepumpt. Das mittels der Punktstrahlung 3 angeregte aktive Medium gibt drei
Grundwellen (ω) ab, so daß drei lineare Oszillatoren 11 zwischen den Resonato
rendspiegeln 44 nebeneinanderstehen. In dem Verdoppler-Etalon 48, das mit seiner
ersten Fläche 7 und seiner zweiten Fläche 9 unter einem geeigneten Winkel zu der
Grundwellenstrahlung (ω) positioniert ist, wird die zweite Harmonische (2ω) in den
zwei Propagationsrichtungen, durch die jeweiligen Doppelpfeile innerhalb des Eta
lons 48 angedeutet, erzeugt. Das Verdoppler-Etalon 48 ist so ausgebildet, daß die
von der links laufenden Grundwelle (ω) erzeugte zweite Harmonische (2ω) in die an
dere Propagationsrichtung reflektiert wird, so daß in der Fig. 6 im oberen Bereich
des Etalons 48 der ersten Fläche 7 an dem Flächenbereich 14, der für die zweite
Harmonische (2ω) antireflektierend ausgebildet ist, während die erste und die
zweite Fläche 7 und 9 für die Grundwelle (ω) antireflektierend und für die zweite
Harmonische hochreflektierend beschichtet sind, als Ausgangsstrahl 12 ausgekop
pelt wird. Wiederum setzt sich die Leistung des Ausgangsstrahls 12 additiv aus den
Leistungen der drei linearen Einzelresonatoren 21 zusammen. Da die zweite Har
monische (2ω) innerhalb des Verdoppler-Etalons 48 in zwei Richtungen erzeugt
wird, ist es von Vorteil, die untere Stirnfläche 49 des Etalons 48 abzuschrägen und
so zu der ersten und der zweiten Fläche 7, 9 zu orientieren, daß die zweite Harmo
nische (2ω), die zu dieser Fläche hin reflektiert wird, mit nur einer Reflexion zurück
reflektiert wird, um sie zu dem Auskoppel-Flächenbereich 14 hin zu führen. Hier
durch können die Reflexionen und damit die Reflexionsverluste in diesem Bereich
des Etalons 48 gering gehalten werden.
Es wird wiederum deutlich, daß durch einfache Hinzufügung weiterer linearer Oszil
latoren 21 die Leistung der Laseranordnung, d. h. die Leistung des Ausgangsstrahls
12, der frequenzverdoppelt ist, nach oben skaliert werden kann.
Die siebte Ausführungsform, wie sie in Fig. 7 dargestellt ist, zeigt den grundsätzli
chen Aufbau, wie er anhand der Fig. 6 beschrieben wurde. Zusätzlich zu der Aus
führungsform der Fig. 6 ist beidseitig des aktiven Mediums 52 eine λ/4-Platte 45
eingefügt. Durch diese λ/4-Platten 45 werden die Polarisationen der nach links und
nach rechts laufenden Grundwellen (ω) so gelegt, daß die Polarisationen dieser ge
genläufigen, nach links und nach rechts laufenden Grundwellen (ω) senkrecht zu
einander stehen. Wenn nun der etalonförmige Verdoppler 48 phasenangepaßt und
für die rechtslaufende Welle bestimmt ist, so wird die Phasenanpassungsbedingung
für die linkslaufende Welle nicht erfüllt. Damit wird nur durch die rechtslaufende
Grundwelle (ω) eine zweite Harmonische (2ω), aber nicht für die linkslaufende
Grundwelle (ω), wie dies durch die jeweils in eine Richtung verlaufenden Pfeile in
nerhalb des Verdoppler-Etalons 48 der Fig. 7 angedeutet ist, erzeugt. Die erzeugte
zweite Harmonische (2ω) der einzelnen Laseroszillatoren 21 wird mittels des Eta
lons 48, dessen erste Fläche 7 und zweite Fläche 9 wiederum für die Grundwelle
(ω)antireflektierend, allerdings für die zweite Harmonische (2ω) hochreflektierend,
beschichtet sind, zusammengeführt und ein Ausgangsstrahl 12 (2ω) über den
Flächenbereich 14 ausgekoppelt. Diese Ausführungsform mit sogenanntem "twisted
mode" führt weiterhin zur Vermeidung des räumlichen, sogenannten "hole-burning",
wodurch die Leistungsstabilität erhöht wird.
Anhand der Ausführungsformen der Fig. 1 bis 7 wurden Verdoppler-Kristalle ge
zeigt, bei denen es sich jeweils um ein einstückiges Etalon handelt. In der achten
Ausführungsform nach der Fig. 8, die im wesentlichen einen linearen Resonator
darstellt, wie er auch in der Fig. 7 gezeigt ist, ist jedem linearen Oszillator 21 ein
jeweiliges Verdoppler-Kristall 50 zugeordnet. Jedes dieser Verdoppler-Kristalle 50
weist wiederum eine erste Fläche 7 und eine zweite Fläche 8 auf, die jeweils für die
Grundwellenstrahlung (ω) antireflektierend und für die zweite Harmonische (2ω)
hochreflektierend beschichtet sind. Durch geeignete Dimensionierung, Positionie
rung und Orientierung, wie dies schematisch in Fig. 8 dargestellt ist, werden die in
den Verdoppler-Kristallen 50 erzeugten zweiten Harmonischen (2ω) geformt und an
der zweiten Fläche 9 jeweils zu dem benachbarten Verdoppler-Kristall 50 hin reflek
tiert, wo sie aus der seitlichen Stirnfläche 53, die für die zweite Harmonische (2ω)
antireflektierend beschichtet ist, austreten und in die entsprechende, seitliche Stirn
fläche 54 des benachbarten Verdoppler-Kristalls 50, die ebenfalls für die zweite
Harmonische antireflektierend beschichtet ist, eintreten, auf die entsprechende er
ste Fläche 7 auftreffen, von dort zu der zweiten Fläche 9 hin reflektiert werden und
von dort wiederum zu der Stirnfläche 53 gerichtet werden, dort austreten und in das
jeweils nächste Verdoppler-Kristall 50 eintreten. Im Bereich des letzten Verdoppler-
Kristalls 50, in Fig. 8 das obere Verdoppler-Kristall, wird dann der Ausgangsstrahl
12 über die Stirnfläche 53 ausgekoppelt. Diese Ausführungsform hat den Vorteil,
daß gerade dann, wenn jedem Laseroszillator ein aktives Medium 52 zugeordnet
wird, wie dies die Fig. 8 zeigt, so daß die einzelnen linearen Resonatoren 21 in ei
nem größeren Abstand voneinander beabstandet sind, als dies beispielsweise bei
der Ausführungsform der Fig. 7 der Fall ist, mittels der einzelnen Verdoppler-Kri
stalle 50 ein größerer Versatz zueinander erzeugt werden kann, um die Strahlungs
anteile in Form der zweiten Harmonischen (2ω) der jeweiligen linearen Oszillatoren
21 additiv zusammenzuführen.
In der Fig. 9 ist ein einzelnes Verdoppler-Kristall 50, wie es in der Anordnung der
Fig. 8 eingesetzt ist, dargestellt, wobei, im Gegensatz zu der Darstellung der Fig.
8, die austrittsseitige Stirnfläche 53 gewölbt ist. Eine solche Maßnahme kann nicht
nur an der Austrittsfläche 53, sondern auch an den jeweiligen Eintrittsflächen 54 von
Vorteil sein, um die Kaustiken der in den jeweiligen Laseroszillatoren 21 erzeugten
zweiten Harmonischen (2ω) aufeinander anzupassen. Der Einsatz der jedem linea
ren Oszillator 21 zugeordneten Verdoppler-Kristalle 50 kann in analoger Weise bei
den in den Ausführungsformen der Fig. 1 bis 6 gezeigten und beschriebenen
Ringoszillatoren eingesetzt werden.
Wie sich aus der vorstehenden Beschreibung, insbesondere anhand der verschie
denen Ausführungsbeispiele, ergibt, sind mit den erfindungsgemäßen Maßnahmen
die Vorteile einer geringen thermischen Belastung der optischen Komponenten und
der einfachen und quasi unbegrenzten Skalierbarkeit der Laseranordnungen in Be
zug auf frequenzverdoppelte Strahlung gegeben.
Aufgrund mechanischer Aufbauten, die für die einzelnen Laseroszillatoren 1 bzw.
die Feldanordnung erforderlich sind, können die Abstände sehr groß sein, wie dies
schematisch in Fig. 10 mit dem Abstand "D" dargestellt ist. Um die Strahlen in ih
rem Abstand näher zueinander zu bringen und das Etalon 48 in seinen Abmessun
gen auf akzeptablen Maßen halten zu können, wird eine optische Anordnung 60
eingesetzt, die aus einem ersten Umlenkelement 61 und einem zweiten Umlenkele
ment 61 aufgebaut ist, die jeweils treppenförmige Spiegelflächen 63 besitzen, die so
abgestuft sind bzw. in unterschiedlichen Abständen zu den Laseroszillatoren 1 an
geordnet sind, daß ausgangsseitig des zweiten Umlenkelements 62 der Abstand
zwischen den zwei Strahlen, mit "d" bezeichnet, angenähert wird. Die zweifache
Umlenkung kann so ausgelegt werden, daß gleiche Resonatorlängen der einzelnen
Laserresonatoren bei gleichzeitiger Annäherung (oder Entfernung) erreicht werden.
Claims (34)
1. Laseranordnung mit mindestens zwei einzelnen Laseroszillatoren, wobei die
Strahlung der Laseroszillatoren mittels optischer Komponenten gebündelt wird, da
durch gekennzeichnet, daß die Grundwellenstrahlung des jeweiligen Oszillators
durch ein nichtlineares Kristall in der Frequenz verdoppelt wird und daß die jeweili
ge Strahlung mittels einer optischen, dichroitischen Komponenten sich koaxial
überlagernd zusammengeführt wird.
2. Laseranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dichroitische
Komponente das frequenzverdoppelnde Kristall ist.
3. Laseranordnung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
den Laseroszillatoren ein gemeinsames, nichtlineares Kristall zugeordnet ist.
4. Laseranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß
das nichtlineare Kristall zwei parallele Flächen aufweist, die Eintritts-, Austritts
und/oder Reflexionsflächen für die Strahlung bilden.
5. Laseranordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen La
seroszillatoren jeweils einen Ringresonator aufweisen.
6. Laseranordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß dem Kristall eine
die Strahlung umlenkende Funktion zugeordnet ist.
7. Laseranordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Kristall eine
Eintritts- und eine Reflexionsfläche aufweist, wobei die Eintrittsfläche für die
Grundwelle (ω) antireflektierend beschichtet ist und für die zweite Harmonische
(2ω) hochreflektierend ist und wobei die Reflexionsfläche für die Grundwelle (ω)
und die zweite Harmonische (2ω) hochreflektierend ist.
8. Laseranordnung nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß
die Eintrittsfläche oder die Reflexionsfläche eine Auskoppelfläche für die zweite
Harmonische (2ω) aufweist.
9. Laseranordnung nach Anspruch 7 oder Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß
die Eintrittsfläche und die Reflexionsfläche parallel zueinander gebildet sind.
10. Laseranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß
den Laseroszillatoren ein gemeinsames Festkörpermedium zugeordnet ist.
11. Laseranordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Festkörper
medium als Prisma ausgebildet ist, wobei mindestens zwei Flächen Reflexionsflä
chen des Ringresonators bilden.
12. Laseranordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Festkörper
medium als Etalon ausgebildet ist, wobei die eine Fläche eine antireflektierende
Beschichtung für die Grundwelle (ω) aufweist und die andere Fläche eine hochre
flektierende Beschichtung für die Grundwelle (ω) aufweist.
13. Laseranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet,
daß jeder Laseroszillator ein separates Festkörpermedium aufweist.
14. Laseranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß
die Laseroszillatoren jeweils einen linearen Resonator bilden.
15. Laseranordnung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Laseroszil
latoren parallel zueinander angeordnet sind.
16. Laseranordnung nach Anspruch 14 oder Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet,
daß das Kristall eine erste Fläche und eine gegenüberliegende zweite Fläche auf
weist, wobei beide Flächen für die Grundwelle (ω) antireflektierend beschichtet
sind und für die zweite Harmonische (2ω) hochreflektierend beschichtet sind.
17. Laseranordnung nach Anspruch 14 oder Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet,
daß das Kristall eine erste Fläche und eine gegenüberliegende zweite Fläche auf
weist, wobei die erste Fläche für die Grundwelle (ω) antireflektierend beschichtet
ist und für die zweite Harmonische (2ω) hochreflektierend beschichtet ist und wo
bei die zweite Fläche für die Grundwelle (ω) und die zweite Harmonische (2ω)
hochreflektierend beschichtet ist.
18. Laseranordnung nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet,
daß eine der beiden Flächen eine Auskoppelfläche für die zweite Harmonische
(2ω) aufweist.
19. Laseranordnung nach einem der Ansprüche 14 bis 18, dadurch gekennzeichnet,
daß die beiden Flächen parallel zueinander gebildet sind.
20. Laseranordnung nach einem der Ansprüche 14 bis 19, dadurch gekennzeichnet,
daß den Laseroszillatoren ein gemeinsames Festkörpermedium zugeordnet ist.
21. Laseranordnung nach einem der Ansprüche 14 bis 20, dadurch gekennzeichnet,
daß jeder Laseroszillator ein separates Festköpermedium aufweist.
22. Laseranordnung nach einem der Ansprüche 14 bis 20, dadurch gekennzeichnet,
daß innerhalb des Resonators beidseitig des Festkörpermediums jeweils eine
λ/4-Platte eingesetzt ist.
23. Laseranordnung nach einem der Ansprüche 16 bis 21, dadurch gekennzeichnet,
daß das Kristall eine dritte Fläche aufweist, die für die zweite Harmonische (2ω)
hochreflektierend ist und die von der nach links laufenden Grundwelle (ω) erzeugte
zweite Harmonische (2ω) zurückreflektiert.
24. Laseranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dichroitische
Komponente eine erste Fläche und eine gegenüberliegende zweite Fläche auf
weist, wobei die erste Fläche für die Grundwelle (ω) hochreflektierend ist und für
die zweite Harmonische (2ω) antireflektierend ist.
25. Laseranordnung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen
Laseroszillatoren jeweils einen Ringresonator aufweisen.
26. Laseranordnung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß die Laseroszil
latoren jeweils einen linearen Resonator bilden.
27. Laseranordnung nach einem der Ansprüche 24 bis 26, dadurch gekennzeichnet,
daß den Laseroszillatoren ein gemeinsames, nichtlineares Kristall zugeordnet ist.
28. Laseranordnung nach einem der Ansprüche 23 bis 27, dadurch gekennzeichnet,
daß den Laseroszillatoren ein gemeinsames Festkörpermedium zugeordnet ist.
29. Laseranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 28, dadurch gekennzeichnet,
daß das nichtlineare Kristall und/oder die dichroitische Komponente in einzelne
Segmente, die mit Abstand zueinander angeordnet sind, unterteilt ist (sind), wobei
jedes Segment eine Austrittsfläche und/oder eine Eintrittsfläche aufweist, die für
die zweite Harmonische (2ω) antireflektierend sind.
30. Laseranordnung nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß die Eintritts- und/oder
Austrittsfläche(n) eine Krümmung aufweisen derart, daß die Kaustiken der
in dem jeweiligen Laseroszillator erzeugten zweiten Harmonischen (2ω) aufeinan
der angepaßt werden.
31. Laseranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 30, dadurch gekennzeichnet,
daß in den Strahlengang mindestens eines Laseroszillators im Strahlengang zwi
schen der dichroitischen Komponenten und dem aktiven Medium eine optische An
ordnung eingesetzt ist, die die Abstände zwischen dem mindestens einen Laseros
zillator zu mindestens einem anderen der Laseroszillatoren verändert.
32. Verfahren zur Leistungsskalierung von frequenzverdoppelten Lasern, dadurch ge
kennzeichnet, daß mindestens zwei Laseroszillatoren nebeneinander angeordnet
werden und deren Grundwelle jeweils in der Frequenz verdoppelt wird und daß die
verdoppelte Strahlung koaxial zusammengeführt wird.
33. Verfahren nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, daß die Laseroszillatoren
entkoppelt betrieben werden.
34. Verfahren nach Anspruch 32 oder Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, daß die
einzelnen Laseroszillatoren mit zueinander geringfügig unterschiedlicher Fre
quenz der Grundwelle betrieben werden.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19536880A DE19536880B4 (de) | 1995-09-01 | 1995-10-04 | Laseranordnung zur Skalierung von frequenzverdoppelten Lasern |
PCT/EP1996/003767 WO1997009759A1 (de) | 1995-09-01 | 1996-08-27 | Laseranordnung und verfahren zur skalierung von frequenzverdoppelten lasern |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19532335.1 | 1995-09-01 | ||
DE19532335 | 1995-09-01 | ||
DE19536880A DE19536880B4 (de) | 1995-09-01 | 1995-10-04 | Laseranordnung zur Skalierung von frequenzverdoppelten Lasern |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19536880A1 true DE19536880A1 (de) | 1997-03-06 |
DE19536880B4 DE19536880B4 (de) | 2006-08-24 |
Family
ID=7771051
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19536880A Expired - Lifetime DE19536880B4 (de) | 1995-09-01 | 1995-10-04 | Laseranordnung zur Skalierung von frequenzverdoppelten Lasern |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19536880B4 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19832647C1 (de) * | 1998-07-13 | 2000-03-30 | Las Laser Analytical Systems G | Verfahren zur Erzeugung Gaußscher Intensitätsverteilungen im Strahlprofil einer durch Frequenzverdopplung erzeugten Strahlung |
EP1090323A1 (de) * | 1998-04-09 | 2001-04-11 | CeramOptec GmbH | System zur frequenzumwandlung und bündelung für laserdioden |
DE10327260A1 (de) * | 2003-06-17 | 2005-01-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Optische Verstärkeranordnung |
DE102004050118A1 (de) * | 2004-07-30 | 2006-03-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaserbauelement, optische Vorrichtung für ein Halbleiterlaserbauelement und Verfahren zur Herstellung einer optischen Vorrichtung |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2603427A1 (fr) * | 1986-08-29 | 1988-03-04 | B M Ind Sa | Configuration optique pour le multiplexage d'impulsions laser |
US4866720A (en) * | 1988-08-15 | 1989-09-12 | Rockwell International Corporation | Multicolored laser source |
DE3829812A1 (de) * | 1988-09-02 | 1990-03-15 | Fraunhofer Ges Forschung | Festkoerperlaser |
US4953166A (en) * | 1988-02-02 | 1990-08-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Microchip laser |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1292270B (de) * | 1964-07-22 | 1969-04-10 | Siemens Ag | Optischer Sender oder Verstaerker |
US4648092A (en) * | 1985-09-25 | 1987-03-03 | Rockwell International Corporation | Phase coupling multiple lasers |
-
1995
- 1995-10-04 DE DE19536880A patent/DE19536880B4/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2603427A1 (fr) * | 1986-08-29 | 1988-03-04 | B M Ind Sa | Configuration optique pour le multiplexage d'impulsions laser |
US4953166A (en) * | 1988-02-02 | 1990-08-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Microchip laser |
US4866720A (en) * | 1988-08-15 | 1989-09-12 | Rockwell International Corporation | Multicolored laser source |
DE3829812A1 (de) * | 1988-09-02 | 1990-03-15 | Fraunhofer Ges Forschung | Festkoerperlaser |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1090323A1 (de) * | 1998-04-09 | 2001-04-11 | CeramOptec GmbH | System zur frequenzumwandlung und bündelung für laserdioden |
EP1090323A4 (de) * | 1998-04-09 | 2005-09-21 | Ceramoptec Gmbh | System zur frequenzumwandlung und bündelung für laserdioden |
DE19832647C1 (de) * | 1998-07-13 | 2000-03-30 | Las Laser Analytical Systems G | Verfahren zur Erzeugung Gaußscher Intensitätsverteilungen im Strahlprofil einer durch Frequenzverdopplung erzeugten Strahlung |
US6424453B1 (en) | 1998-07-13 | 2002-07-23 | Las Laser Analytical Systems, Gmbh | Method for the production of Gaussian intensity distributions in the beam profile of radiation generated by non-linear optical processes |
DE10327260A1 (de) * | 2003-06-17 | 2005-01-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Optische Verstärkeranordnung |
DE102004050118A1 (de) * | 2004-07-30 | 2006-03-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaserbauelement, optische Vorrichtung für ein Halbleiterlaserbauelement und Verfahren zur Herstellung einer optischen Vorrichtung |
US7860144B2 (en) | 2004-07-30 | 2010-12-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor laser component, optical device for a semiconductor laser component, and method for producing an optical device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19536880B4 (de) | 2006-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0474683B1 (de) | Frequenzverdoppelter laser | |
EP2973899B1 (de) | Vorrichtung zur wellenlängenkopplung von laserstrahlen | |
EP1145390B1 (de) | Laserverstärkersystem | |
EP1896893B1 (de) | Vorrichtung zur strahlformung | |
EP1181754B1 (de) | Optische verstärker-anordnung für festkörperlaser | |
DE3144396A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur frequenzverdoppelung eines laserstrahles | |
DE112015006769T5 (de) | Halbleiterlaservorrichtung | |
DE102008052475A1 (de) | Polarisationskoppler | |
EP0977328B1 (de) | Rauscharmer frequenzvervielfachter Laser mit Strahlseparator | |
DE19512984C2 (de) | Abstimmbarer optischer parametrischer Oszillator | |
DE3114815C2 (de) | Laservorrichtung | |
EP1601072B1 (de) | Strahlformungsoptik und -modul für eine Diodenlaseranordnung | |
EP0961152B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Formung eines kollimierten Lichtstrahls aus den Emissionen mehrerer Lichtquellen | |
DE4008225C2 (de) | Laserdiodengepumpter Festkörperlaser | |
DE4304178C2 (de) | Aktives gefaltetes Resonatorsystem | |
DE19536880A1 (de) | Laseranordnung und Verfahren zur Skalierung von frequenzverdoppelten Lasern | |
WO1992004751A1 (de) | Laserresonator für laser-medien mit ringförmigem querschnitt | |
WO1997009759A1 (de) | Laseranordnung und verfahren zur skalierung von frequenzverdoppelten lasern | |
EP0360165B1 (de) | Laseranordnung mit ein- und ausschaltbarer Frequenzkonversion | |
EP0152570B1 (de) | Gaslaser insbesondere TE-Laser | |
DE10305268B4 (de) | Laseranordnung mit resonatorinterner Frequenzkonvertierung | |
DE4446026C1 (de) | Laserresonator | |
DE19506608C2 (de) | Verfahren und Anordnung zur Erzeugung der dritten Harmonischen der Grundwellenstrahlung eines optisch angeregten Neodym enthaltenden Laserkristalls | |
DE102020109422B4 (de) | Transformationsvorrichtung für Laserstrahlung und Laservorrichtung | |
DE10118793B4 (de) | UV-Festkörperlaser |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8120 | Willingness to grant licences paragraph 23 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R071 | Expiry of right |