DE102004012629B4 - Speicherbauelement mit einem Feldeffekt-Halbleiterschalter und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Speicherbauelement mit einem Feldeffekt-Halbleiterschalter und Verfahren zu seiner Herstellung Download PDF

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Abstract

Speicherbauelement
mit einem Feldeffekt-Halbleiterschalter mit:
einem Substrat (10) mit einer Bauelement-Halbleiterschicht (30) an einer Oberfläche (12);
einem ersten und einem zweiten Halbleiterbereich (14, 16) in der Bauelement-Halbleiterschicht (30), die nebeneinander an der Oberfläche (12) des Substrats (10) angeordnet sind;
einer Isolierschicht (18) zwischen dem ersten Halbleiterbereich (14) und dem zweiten Halbleiterbereich (16);
einem Halbleiterstreifen (20) eines ersten Leitfähigkeitstyps auf der Oberfläche (12) des Substrats (10), der mit dem ersten Halbleiterbereich (14) und dem zweiten Halbleiterbereich (16) überlappt und an diese angrenzt;
einem Gate (24), das mit dem Halbleiterstreifen (20) zumindest oberhalb der Isolierschicht überlappt, und durch das die Leitfähigkeit des Halbleiterstreifens schaltbar ist, so dass der erste und der zweite Halbleiterbereich bei einer ersten Gate-Spannung voneinander elektrisch isoliert sind und bei einer zweiten Gate-Spannung miteinander verbunden sind; und
wobei der erste Halbleiterbereich (14) und der zweite Halbleiterbereich (16) von entgegengesetztem Leitungstyp sind und...

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Speicherbauelement mit einem Feldeffekt-Halbleiterschalter mit einem geringen Leckstrom.
  • Transistoren, insbesondere Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs; MOSFET = Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), finden zahlreiche Anwendungen in allen Bereichen der Elektronik, von der Leistungselektronik bis zu hoch integrierten Schaltkreisen, beispielsweise Speicherbauelementen.
  • Mit der zunehmenden Verringerung der Strukturgrößen bei integrierten Bauelementen und der damit verbundenen Skalierung der Feldeffekttransistoren sind verschiedene Probleme zu überwinden. Dazu zählen insbesondere die Diffusion des Source- oder Drain-Bereichs bzw. von deren Dotierstoffen in den Kanalbereich unterhalb des Gates und die Ausbildung von Raumladungsbereichen zwischen den Source- und Drain-Bereichen einerseits und dem Kanal-Bereich andererseits. Beide Effekte verringern die effektive Länge des Gates. Damit die effektive Länge des Gates einen Mindestwert aufweist, muss deshalb der Abstand zwischen dem Source- und dem Drain-Bereich eine Mindestgröße aufweisen und kann nicht im erwünschten Maß verkleinert werden. Dadurch wird die weitere Miniaturisierung verhindert oder eingeschränkt.
  • Eine graduelle Verbesserung wird herkömmlich durch so genannte Halo-Implantationen an den pn-Übergängen oder durch eine Verringerung der Implantationsdosis erreicht. Die Halo-Implantation ist aufwändig, da sie zusätzliche Verfahrensschritte erfordert. Die Verringerung der Implantationsdosis verringert die Anzahl der Freiheitsgrade beim Entwurf des Bauelements und hat insbesondere eine Verringerung der Ladungsträgerdichte und der elektrischen Leitfähigkeit zur Folge.
  • Insoweit die Verkürzung der effektiven Länge des Gates nicht verhindert oder kompensiert wird, hat sie eine Erhöhung des Leckstroms bzw. eine Verringerung des Source-Drain-Widerstands im ausgeschalteten Zustand des Feldeffekttransistors zur Folge. Wenn der Feldeffekttransistor der Auswahltransistor einer Speicherzelle einer Speicherschaltung ist, hat der erhöhte Leckstrom eine schnellere Entladung des Speicherkondensators zur Folge. Dies wiederum erfordert eine Erhöhung der Kapazität des Speicherkondensators oder eine Verkürzung der Auffrischzyklen des Speicherbauelements. Beides wirkt sich ungünstig auf den Leistungsbedarf und den Temperaturhaushalt des Elements aus.
  • Die US 2003/0034543 A1 beschreibt ein Halbleiterbauelement mit einem photolithographisch erzeugten Graben, der mit einem Dielektrikum gefüllt ist. Über diesem Isolationsgraben ist eine kristalline Siliziumschicht angeordnet. Über dieser sind eine Gate-Oxidschicht und eine Gate-Elektrode angeordnet. Diese Anordnung bildet einen Transistor.
  • Die US 2003/0230786 A1 beschreibt ein Halbleiterbauelement mit einem MOS-Transistor. Über einer in einem Graben gebildeten vertikalen Isolierschicht sind eine epiktaktische Siliziumschicht, eine Gate-Isolierschicht und eine leitfähige Gate-Schicht gebildet.
  • Die EP 0 599 506 A1 beschreibt eine Halbleiter-Speicherzelle mit einem SOI-MOSFET. Der MOSFET ist in einer einkristallinen Siliziumschicht auf einem Siliziumsubstrat gebildet und verbindet einen Kondensator in dem Siliziumsubstrat mit einer Bitleitung über dem Substrat und über dem MOSFET.
  • Die JP 09036364 A beschreibt ein Halbleiterbauelement, bei dem eine Halbleiterschicht auf einem Isolierfilm über einem Halbleitersubstrat angeordnet und an zwei gegenüber liegenden Seiten mit einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode in dem Halbleitersubstrat verbunden ist.
  • Die US 6 180 975 B1 beschreibt ein Speicherbauelement mit einem Grabenkondensator, dessen innere Polysiliziumelektrode über epiktaktisches Silizium mit einer Bitleitung verbunden ist, indem eine Oberkante eines Isolierkragens des Speicherkondensators von einem Gate-Oxid beabstandet ist. Die Leitfähigkeit des epiktaktischen Siliziums ist durch ein über dem Gate-Oxid angeordnetes Gate beeinflussbar. Ein Nachteil dieser Speicherzelle liegt darin, dass die elektrischen Schalteigenschaften empfindlich vom Abstand des oberen Randes des Isolierkragens vom Gate-Oxid abhängt.
  • DE 101 28 211 C1 beschreibt einen Speicher mit einer Speicherzelle, der einen Auswahltransistor und einen Speicherkondensator umfasst. Der Speicherkondensator ist ein Grabenkondensator. Ein Auswahltransistor wird in einer aufgewachsenen Epitaxieschicht gebildet.
  • US 4 907 047 A beschreibt ein Halbleiter-Speicherbauelement mit einem Grabenkondensator und einem Auswahltransistor, dessen Source- und Drain-Elektroden in einem Siliziumstreifen und dessen Gate-Elektrode neben dem Grabenkondensator angeordnet ist.
  • Ausgehend davon besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein Speicherbauelement und ein Verfahren zu seiner Herstellung zu schaffen, dessen elektrische Eigenschaften mit geringem Aufwand besser reproduzierbar sind.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Speicherbauelement gemäß Anspruch 1 und ein Verfahren gemäß Anspruch 8 gelöst.
  • Bevorzugte Weiterbildungen sind in den abhängige Ansprüchen definiert.
  • Die vorliegende Erfindung beruht auf der Idee, in einem Feldeffekt-Halbleiterschalter eines Speicherbauelements zwei nebeneinander liegende Halbleiterbereiche unter einer Oberfläche eines Substrats durch eine Isolierschicht voneinander elektrisch zu isolieren und einen Halbleiterstreifen auf der Oberfläche des Substrats vorzusehen, der mit jedem der beiden Halbleiterbereiche überlappt, und dessen Leitfähigkeit durch ein darüber liegendes Gate schaltbar ist.
  • Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass die lateralen Abmessungen desselben weitgehend frei gewählt werden können, da keine Rücksicht auf Diffusionslängen von Dotierstoffen oder auf Raumladungszonen genommen werden muss. Laterale Mindestabmessungen werden im Wesentlichen nur durch die Dicke der Isolierschicht zwischen den beiden Halbleiterbereichen bestimmt. Diese Isolierschicht kann jedoch ohne weiteres sehr dünn ausgeführt werden. Der erste und der zweite Halbleiterbereich sind als verschiedene Leitungstypen ausgebildet.
  • Der Feldeffekt-Halbleiterschalter des erfindungsgemäßen Speicherbauelements ist insbesondere als Feldeffekttransistor ausführbar, bei dem ein Halbleiterbereich einen Kanal-Bereich aufweist. Der Kanal-Bereich überlappt an einem Ende mit dem Halbleiterstreifen und grenzt vorzugsweise an die Isolierschicht. Das gegenüberliegende Ende des Kanal-Bereichs grenzt an eine zweite Transistorelektrode. Das Gate überlappt den Kanal-Bereich. Durch verschiedene vorbestimmte Spannungen bzw. Potenziale an dem Gate sind die elektrischen Leitfähigkeiten sowohl des Kanal-Bereichs als auch des Halbleiterstreifens schaltbar.
  • Da bei dem Feldeffekttransistor des erfindungsgemäßen Speicherbauelements im ausgeschalteten Zustand nicht nur der Kanal-Bereich sondern auch der Halbleiterstreifen verarmt ist, resultiert ein besonders hoher Source-Drain-Widerstand und damit ein besonders niedriger Leckstrom.
  • Auch wenn aufgrund einer Diffusion von Dotierstoffen von einer Transistorelektrode in den Kanal-Bereich oder aufgrund einer Raumladungszone, welche den Kanal-Bereich zu einem erheblichen Teil erfüllt, der Kanal-Bereich im ausgeschalteten Zustand einen unerwünscht niedrigen Widerstand aufweist, wird aufgrund des hohen elektrischen Widerstands des vollständig verarmten Halbleiterstreifens insgesamt ein hoher Source-Drain-Widerstand erzielt.
  • Es ist vorteilhaft den Halbleiterstreifen erst nach allen Prozessschritten, bei denen das Substrat höheren Temperaturen ausgesetzt ist, zu erzeugen. Dadurch wird eine Diffusion von Dotierstoff aus oberflächennahen Bereichen des Substrats in den Halbleiterstreifen verhindert.
  • Das erfindungsgemäße Speicherbauelement umfasst neben dem Feldeffekt-Halbleiterschalter einen Speicherkondensator, wobei einer der beiden Halbleiterbereiche des Feldeffekt-Halbleiterschalters mit einer Kondensatorelektrode des Speicherkondensators verbunden ist.
  • Vorzugsweise umfasst das Substrat eine Bauelement-Halbleiterschicht an der Oberfläche und darunter und von dieser isoliert eine leitfähige Schicht, mit der die äußere Kondensatorelektrode des Grabenkondensators verbunden ist. Das obere Ende der inneren Kondensatorelektrode des Grabenkondensators geht in einen der beiden Halbleiterbereiche des Feldeffekt-Halbleiterschalters über. Ein Isolierkragen oder Isolatorkragen, der die innere Kondensatorelektrode bzw. den Halbleiterbereich im Bereich der Bau element-Halbleiterschicht lateral umgibt und von der Bauelement-Halbleiterschicht elektrisch isoliert, bildet die Isolierschicht des Feldeffekt-Halbleiterschalters. Bei einem Array derartiger Speicherzellen aus je einem Feldeffekt-Halbleiterschalter und einem Grabenkondensator bilden entlang einer Richtung nebeneinander angeordnete Gates eine Wortleitung. Die nicht direkt mit den inneren Kondensatorelektroden verbundenen Halbleiterbereiche der entlang der dazu senkrechten Richtung nebeneinander angeordneten Feldeffekt-Halbleiterschalter sind mit einer Bitleitung verbunden.
  • Nachfolgend werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung und weitere Halbleiterschalter mit Bezug auf die beiliegenden Figur näher erläutert. Es zeigt:
  • Die Figur eine schematische Schnittdarstellung eines Speicherbauelements gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • Bei einem Speicherbauelement gemäß der vorliegenden Erfindung tritt ein Feldeffekt-Halbleiterschalter an die Stelle eines herkömmlichen Auswahltransistors. Je nach der konkreten Ausgestaltung des Feldeffekt-Halbleiterschalters und des Speicherkondensators weisen diese gemeinsame Merkmale auf, welche gleichzeitig Funktionselemente des Speicherkondensators und des Feldeffekt-Halbleiterschalters sind. Dies bewirkt eine weitere Miniaturisierung und damit eine Reduzierung des Chipflächenbedarfs und der Herstellungskosten. Ein Beispiel für ein solches Speicherbauelement wird nachfolgend anhand der Figur beschrieben.
  • Die Figur ist eine schematische Darstellung eines vertikalen Schnitts durch ein Speicherbauelement gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Ein Substrat 10 weist an seiner Oberfläche 12 eine vorzugsweise schwach dotierte Bauelement-Halbleiterschicht mit Majoritätsladungsträgern eines ersten Vorzeichens auf. Darunter weist das Substrat 10 eine vergrabene Halbleiterschicht 50 mit Majoritätsladungsträgern eines zweiten, entgegengesetzten Vorzeichens auf. In einem Bereich 52 unter der vergrabenen Halbleiterschicht 50 weist das Substrat 10 Majoritätsladungsträger des gleichen Vorzeichens auf wie in der Bauelement-Halbleiterschicht 30. Die Bauelement-Halbleiterschicht 30 und der Bereich 52 des Substrats 10 sind somit durch pn-Übergänge zwischen der Bauelement-Halbleiterschicht 30 und der vergrabenen Halbleiterschicht 50 sowie zwischen der vergrabenen Halbleiterschicht 50 und dem Bereich 52 voneinander elektrisch isoliert.
  • In dem Substrat 10 ist ein Grabenkondensator angeordnet, der sich in vertikaler Richtung von der Oberfläche 12 bis in den Bereich 52 des Substrats 10 erstreckt. Der Bereich 52 des Substrats 10 bildet die äußere Kondensatorelektrode des Grabenkondensators. Eine Isolierschicht 18 umgibt eine innere Kondensatorelektrode 16 wannenförmig im Wesentlichen vollständig und erstreckt sich insbesondere bis zu der Oberfläche 12 des Substrats 10. Die Isolierschicht 18 isoliert die innere Kondensatorelektrode 16 von dem Bereich 52 und von umgebenden Bereichen der Bauelementschicht 30. Da die Isolierschicht 18 das Dielektrikum des Grabenkondensators bildet, ist sie vorzugsweise möglichst dünn und weist eine möglichst hohe relative Permitivität bzw. Dielektrizitätskonstante auf.
  • Eine Transistorelektrode 32 ist in der Bauelement-Halbleiterschicht 30 unter der Oberfläche 12 des Substrats 10 angeordnet. Ein Kontakt 36 verbindet die Transistorelektrode 32 mit einer Bitleitung 54, welche über dem Substrat 10 beabstandet von der Oberfläche 12 und im Wesentlichen parallel zu derselben angeordnet ist.
  • Ein Halbleiterstreifen 20 auf der Oberfläche 12 überlappt jeweils zumindest teilweise die innere Kondensatorelektrode 16 und einen benachbarten ersten Halbleiterbereich 14 in der Bauelementschicht 30. Ein Gate 24 überlappt jeweils zumindest teilweise den Halbleiterstreifen 20, die innere Kondensatorelektrode 16, den ersten Halbleiterbereich 14 und die Transistorelektrode 32 und ist von diesen durch ein Gate-Dielektrikum 22 räumlich getrennt und elektrisch isoliert.
  • Das Gate 24 weist in diesem Ausführungsbeispiel eine Struktur aus drei Schichten auf, beispielsweise Polysilizium, Wolframsilizid und Wolfram. Über dem Gate 24 ist ein Isolator 38 so abgeschieden, dass das Gate 24 vollständig von dem Gate-Dielektrikum 22 und dem Isolator 38 umgeben und durch diese von seiner Umgebung isoliert ist. In einem Kanal-Bereich 40 nahe der Oberfläche 12 unter dem Gate 24 bildet sich ein leitfähiger Kanal zwischen der Transistorelektrode 32 und dem Halbleiterstreifen 20 aus, wenn ein geeignetes Potenzial an das Gate 24 angelegt wird.
  • Die innere Kondensatorelektrode 16, der Halbleiterstreifen 20, der erste Halbleiterbereich 14 mit dem Kanal-Bereich 40 und die Transistorelektrode 32 bilden einen Feldeffekt-Halbleiterschalter. Der Feldeffekt-Halbleiterschalter und der Grabenkondensator bilden eine Speicherzelle des Speicherbauelements. Vorzugsweise weist das Speicherbauelement eine Vielzahl von Speicherzellen auf, die in einer zweidimensional periodischen Struktur an der Oberfläche 12 angeordnet sind.
  • Eine Mehrzahl von Bitleitungen 54 verläuft parallel zueinander entlang einer Richtung. Jede Bitleitung 54 ist über eine Mehrzahl von Kontakten 36 mit einer Mehrzahl von unter der Bitleitung 54 angeordneten Speicherzellen verbunden. Die Gates 24 der Speicherzellen sind zu einer Mehrzahl von Wortleitungen verbunden, welche zueinander parallel und senkrecht zu den Bitleitungen 54 über der Oberfläche 12 des Substrats 10 verlaufen. Der Bereich 52 des Substrats 10 bildet die gemeinsame äußere Elektrode aller Grabenkondensatoren aller Speicherzellen.
  • Ferner sind in der Figur von Isolatoren 381, 382 und Gate-Dielektrika 221, 222 umgebene Gates 241, 242 dargestellt, welche zu benachbarten Wortleitungen gehören bzw. diese bilden. Um eine elektrostatische Kapazität zwischen dem Gate 241 der benachbarten Wortleitung und der inneren Kondensatorelektrode 16 der Speicherzelle zu verringern, ist zwischen denselben ein flacher Isolationsgraben 56 vorgesehen.
  • Eine Wortleitung wird aktiviert, indem an dieselbe und damit an alle mit der Wortleitung verbundene Gates 24 eine erste vorbestimmte Spannung angelegt wird, bei der der Halbleiterstreifen 20 und der Kanal-Bereich 40 leitfähig werden. Vorzugsweise weisen alle anderen Wortleitungen gleichzeitig eine zweite vorbestimmte Spannung auf, bei der der Halbleiterstreifen und der Kanal-Bereich elektrisch isolierend sind.
  • Dadurch wird jede Bitleitung 54 mit genau einer inneren Kondensatorelektrode 16 einer einzigen Speicherzelle verbunden. Über die Bitleitung 54 wird die Ladung des Grabenkondensators abgetastet, um die Speicherzelle auszulesen, oder aufgefrischt oder durch eine neue Ladung ersetzt, um Information in die Speicherzelle zu schreiben.
  • Die innere Kondensatorelektrode 16 ist in der Figur als homogene und bis zur Oberfläche 12 des Substrats 10 reichende Struktur dargestellt. Abweichend davon kann funktional und/oder strukturell zwischen der dem Bereich 52 unmittelbar gegenüberliegenden inneren Kondensatorelektrode und einem sich daran homogen oder inhomogen anschließenden und bis zur Oberfläche 12 und dem Halbleiterstreifen 20 erstreckenden zweiten Halbleiterbereich unterschieden werden, ohne dass dies jedoch Einfluss auf die Funktion des erfindungsgemäßen Speicherbauelements hätte.
  • Bei der Herstellung eines Speicherbauelements mit einem Feldeffekt-Halbleiterschalter gemäß der vorliegenden Erfindung werden zunächst in dem Substrat 10 an der Oberfläche 12 des Substrats 10 der erste Halbleiterbereich 14, der zweite Halbleiterbereich 16 und die Isolierschicht 18 zwischen dem ersten Halbleiterbereich 14 und dem zweiten Halbleiterbereich 16 erzeugt. Anschließend wird der Halbleiterstreifen 20 auf der Oberfläche 12 des Substrats 10 erzeugt. Darüber werden dann das Gate-Dielektrikum 22 und das Gate 24 erzeugt. Bei dem beschriebenen Verfahren werden folgende Schritte durchgeführt: Bereitstellen eines Substrats 10 mit einer Bauelement-Halbleiterschicht 30 mit einer Oberfläche 12; Erzeugen eines ersten Halbleiterbereichs 14 in dem Substrat 10 an der Oberfläche 12 des Substrats 10; Erzeugen eines zweiten Halbleiterbereichs 16 in dem Substrat 10 an der Oberfläche 12 des Substrats 10 benachbart zu dem ersten Halbleiterbereich 14, wobei der zweite Halbleiterbereich 16 mit einer Kondensatorelektrode des Speicherkondensators verbunden ist; Erzeugen einer Isolierschicht 18 zwischen dem ersten Halbleiterbereich 14 und dem zweiten Halbleiterbereich 16, wobei die Isolierschicht 18 die Dielektrikumschicht des Speicherkondensators ist; Erzeugen eines Halbleiterstreifens 20 eines ersten Leitfähigkeitstyps direkt auf dem ersten und dem zweiten Halbleiterbereich 14, 16, der mit dem ersten Halbleiterbereich 14 und dem zweiten Halbleiterbereich 16 zumindest im Bereich der Isolierschicht überlappt und an diese angrenzt, auf der Oberfläche 12 der Bauelement-Halbleiterschicht 30; und Erzeugen eines Gate-Dielektrikums 22 und eines Gates 24 über dem Halbleiterstreifen 20, wobei das Gate-Dielektrikum das Gate 24 von dem Halbleiterstreifen 20 isoliert, und wobei das Gate 24 mit dem ersten Halbleiterbereich 14 und dem zweiten Halbleiterbereich 16 jeweils zumindest teilweise überlappt.
  • Wenn das Substrat 10 während der Prozessierung getempert oder aus einem anderem Grund einer hohen Temperatur ausgesetzt wird, bei der Dotierstoffe der Halbleiterbereiche 14, 16 in nicht mehr vernachlässigbarer Weise diffundieren, wird der Halbleiterstreifen 20 vorzugsweise erst nach diesem Schritt erzeugt.

Claims (9)

  1. Speicherbauelement mit einem Feldeffekt-Halbleiterschalter mit: einem Substrat (10) mit einer Bauelement-Halbleiterschicht (30) an einer Oberfläche (12); einem ersten und einem zweiten Halbleiterbereich (14, 16) in der Bauelement-Halbleiterschicht (30), die nebeneinander an der Oberfläche (12) des Substrats (10) angeordnet sind; einer Isolierschicht (18) zwischen dem ersten Halbleiterbereich (14) und dem zweiten Halbleiterbereich (16); einem Halbleiterstreifen (20) eines ersten Leitfähigkeitstyps auf der Oberfläche (12) des Substrats (10), der mit dem ersten Halbleiterbereich (14) und dem zweiten Halbleiterbereich (16) überlappt und an diese angrenzt; einem Gate (24), das mit dem Halbleiterstreifen (20) zumindest oberhalb der Isolierschicht überlappt, und durch das die Leitfähigkeit des Halbleiterstreifens schaltbar ist, so dass der erste und der zweite Halbleiterbereich bei einer ersten Gate-Spannung voneinander elektrisch isoliert sind und bei einer zweiten Gate-Spannung miteinander verbunden sind; und wobei der erste Halbleiterbereich (14) und der zweite Halbleiterbereich (16) von entgegengesetztem Leitungstyp sind und der erste Halbleiterbereich (14) einen Kanal-Bereich (40) enthält, der an die Oberfläche (12) des Substrats (10) grenzt, wobei das Gate (24) den Kanal-Bereich (40) überlappt und der erste Halbleiterbereich (14) und der Kanal-Bereich (40) an eine Transistorelektrode (32) angrenzen, einem Gate-Dielektrikum (22), welches das Gate (24) von dem Halbleiterstreifen (20), dem ersten Halbleiterbereich (14) und dem zweiten Halbleiterbereich (16) isoliert, und mit einem Speicherkondensator (18, 52), dessen eine Kondensatorelektrode mit dem zweiten Halbleiterbereich (16) verbunden ist, wobei die Isolierschicht (18) die Dielektrikumschicht des Speicherkondensators (18, 52) ist.
  2. Speicherbauelement nach Anspruch 1, bei dem die Isolierschicht (18) bis zu der Oberfläche (12) der Bauelement-Halbleiterschicht (30) reicht.
  3. Speicherbauelement nach Anspruch 1 oder 2, bei dem das Gate (24) auch den zweiten Halbleiterbereich (16) zumindest teilweise überlappt.
  4. Speicherbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem der Halbleiterstreifen (20) eine Dicke von 50 nm oder weniger aufweist.
  5. Speicherbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Gate (24) den Kanal-Bereich (40) vollständig überlappt.
  6. Speicherbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem das Substrat (10) eine leitfähige Schicht (52), die unter der Bauelement-Halbleiterschicht (30) angeordnet und von dieser isoliert ist, aufweist, wobei die äußere Kondensatorelektrode des Speicherkondensators mit der vergrabenen leitfähigen Schicht (52) verbunden und von der Bauelement-Halbleiterschicht (30) isoliert ist.
  7. Speicherbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die Transistorelektrode (32) mit einer Bitleitung (54) und das Gate (24) mit einer Wortleitung verbunden sind.
  8. Verfahren zum Herstellen eines Speicherbauelements mit einem Feldeffekt-Halbleiterschalter, mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Substrats (10) mit einer Bauelement-Halbleiterschicht (30) mit einer Oberfläche (12); Erzeugen eines ersten Halbleiterbereichs (14) in dem Substrat (10) an der Oberfläche (12) des Substrats (10); Erzeugen eines zweiten Halbleiterbereichs (16) in dem Substrat (10) an der Oberfläche (12) des Substrats (10) benachbart zu dem ersten Halbleiterbereich (14), wobei der zweite Halbleiterbereich (16) mit einer Kondensatorelektrode des Speicherkondensators verbunden ist; Erzeugen einer Isolierschicht (18) zwischen dem ersten Halbleiterbereich (14) und dem zweiten Halbleiterbereich (16), wobei die Isolierschicht (18) die Dielektrikumschicht des Speicherkondensators ist; Erzeugen eines Halbleiterstreifens (20) eines ersten Leitfähigkeitstyps direkt auf dem ersten und dem zweiten Halbleiterbereich (14, 16), der mit dem ersten Halbleiterbereich (14) und dem zweiten Halbleiterbereich (16) zumindest im Bereich der Isolierschicht überlappt und an diese angrenzt, auf der Oberfläche (12) der Bauelement-Halbleiterschicht (30); und Erzeugen eines Gate-Dielektrikums (22) und eines Gates (24) über dem Halbleiterstreifen (20), wobei das Gate-Dielektrikum das Gate (24) von dem Halbleiterstreifen (20) isoliert, und wobei das Gate (24) mit dem ersten Halbleiterbereich (14) und dem zweiten Halbleiterbereich (16) jeweils zumindest teilweise überlappt.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, ferner mit einem Schritt des Erwärmens des Substrats (10), wobei der Halbleiterstreifen (20) nach dem Schritt des Erwärmens erzeugt wird.
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