DE1018656B - Lineare Kernspeicher-Matrix - Google Patents

Lineare Kernspeicher-Matrix

Info

Publication number
DE1018656B
DE1018656B DEI11432A DEI0011432A DE1018656B DE 1018656 B DE1018656 B DE 1018656B DE I11432 A DEI11432 A DE I11432A DE I0011432 A DEI0011432 A DE I0011432A DE 1018656 B DE1018656 B DE 1018656B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
column
pulses
arrangement according
memory
word
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEI11432A
Other languages
English (en)
Inventor
Hans Bornhauser
Dr Theodor Einsele
Dr Karl Ganzhorn
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IBM Deutschland GmbH
Original Assignee
IBM Deutschland GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to IT568687D priority Critical patent/IT568687A/it
Priority to NL215280D priority patent/NL215280A/xx
Application filed by IBM Deutschland GmbH filed Critical IBM Deutschland GmbH
Priority to DEI11432A priority patent/DE1018656B/de
Priority to US642488A priority patent/US2914754A/en
Priority to FR1186867D priority patent/FR1186867A/fr
Priority to GB8777/57A priority patent/GB854380A/en
Priority to FR742723A priority patent/FR73354E/fr
Priority to GB21748/57A priority patent/GB861328A/en
Publication of DE1018656B publication Critical patent/DE1018656B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/06Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
    • G11C11/06007Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/06Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
    • G11C11/06007Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
    • G11C11/06014Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit
    • G11C11/06021Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit with destructive read-out
    • G11C11/06028Matrixes
    • G11C11/06042"word"-organised, e.g. 2D organisation or linear selection, i.e. full current selection through all the bit-cores of a word during reading
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/62Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • H03K17/6221Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors combined with selecting means
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/62Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • H03K17/6285Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors with several outputs only combined with selecting means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft einen Kernspeicher für feste Wortlängen:, bei dem gleiche Spalten aller Wörter an denselben Treiber und alle Spaltenleitungen eines Wortes an einen gemeinsamen Schalter angeschlossen sind. Jede Spaltenleitung enthält eine Diode. Der Spaltentreiber liefert nur Impulse einer Polarität. Wahlweise kann der reguläre oder komplementäre Speicherwert entnommen werden.
Die Anordnung eignet sich für Speicher nicht zu großer Kapazität und vermindert für diese den Aufwand für die Treiber und vereinfacht die Adressenwahl. Die Bezeichnung »lineare Matrix« ist abgeleitet aus der Tatsache, daß der Aufwand, d. h. die Anzahl der Schalter linear mit der Wortzahl und die Anzahl der Spaltendioden linear mit der Wortlänge zunehmen.
Zur Erläuterung des gewählten Ausführungsbeispiels benutzt die folgende Beschreibung Zeichnungen, die in
Fig. 1 das Prinzipschaltbild der linearen Matrix, in
Fig. 2 die Verdrahtung einer vollständigen Matrix, in
Fig. 3 die Hystereseschleife eines Kernwerkstoffes und in
Fig. 4 ein Impulsdiagramm zeigen.
Die in Fig. 1 gezeigte Speichermatrix ist auf den bei Lochkarten üblichen Dezimalschlüssel zugeschnitten und arbeitet nach dem Verfahren, das Ziffern serienweise und Bits parallel aufnimmt oder abgibt.
Die Speicherkerne befinden sich an den Schnittpunkten der (senkrechten) Spaltenleitungen mit den (waagerechten) Zeilenleitungen. Es sollen Speicherwerte nur in Gruppen bestimmter beim Aufbau der Anordnung festgelegter Größe, sogenannte Wörter, jeweils gleichzeitig eingeschrieben oder ausgelesen werden. Diese Wörter bestehen aus Ziffern, jede Ziffer ist durch eine Spalte dargestellt. Im Beispiel der Fig. 1 besteht ein Wort aus neun Ziffern. Die neun Spalten eines Wortes führen zu einem gemeinsamen Wortschalter; für jedes zu speichernde Wort ist ein solcher Schalter vorgesehen. Gleiche Spaltenleitungen jedes Wortes sind andererseits miteinander und mit neun Ausgängen eines Spaltentreibers verbunden, der an diesen Ausgängen zeitlich nacheinander Magnetisierungsimpulse abgibt.
An die mit 12, 11 und 0 bis 9 bezeichneten Klemmen der Zeilenverdrahtung werden die Zeilentreiber beim Schreibvorgang und Auswerteeinrichtungen bei der Entnahme angeschlossen.
Der Schreibvorgang verläuft bei der Übernahme von Daten aus einer Lochkarte folgendermaßen: Entsprechend dem gewählten Speicherplatz wird ein Wortschalter geschlossen, so daß die an den Klemmen Lineare Kernspeicher-Matrix
Anmelder:
IBM Deutschland Internationale
Büro-Maschinen Gesellschaft m.b.H.,
Sindelfingen (Württ), Böblinger Allee 49
Dr. Karl Ganzhorn, Dr. Theodor Einsele,
!5 Sindelfingen (Württ.),
und Hans Bornhauser, Böblingen (Württ.),
sind als Erfinder genannt worden
des Spaltentreibers anstehenden Impulse jetzt die neun Spalten eines Wortes passieren können. Synchron mit diesen Impulsen gelangen die Spalten der abzufühlenden Kartenstelle unter die Abfühlbürsten und liefern jeweils bei einer Lochstelle einen Impuls an die zugeordnete Zeilenklemme. Spalten- und Zeilenimpulse bewirken bei Koinzidenz das Umkippen eines Speicherkernes in den anderen, stabilen Zustand.
Beim Entnahmevorgang liefert der Spaltentreiber an die durch einen Wortschalter gewählte Spaltengruppe Impulse, die für sich allein ausreichen, einen Kern umzuschalten. Das Ausgangssignal wird über die Zeilenleitungen abgenommen.
In der durch Fig. 1 dargestellten prinzipiellen Anordnung treten die Vorzüge nicht voll zu Tage. Die Fig. 2 zeigt die weitere zweckmäßige Ausbildung der Matrix, von der nur die Spalten eines Wortes dargestellt sind.
Die vom Spaltentreiber kommenden Leitungen durchlaufen die Kerne einer Spalte in der einen Richtung und die Kerne der vorhergehenden Spalte in der anderen Richtung, ehe sie an den Wortschalter angeschlossen werden. Die erstgenannte, an den Treiber angeschlossene, ist die Lesewicklung, die zweite die (Halb-) Schreibwicklung. Zur Vermeidung von Rückströmen liegt in jeder dieser Leitungen eine Diode D.
Die Zeilenverdrahtung ist doppelt vorhanden, eine dieser Leitungsgruppen ist wie bei Fig. 1 geführt, die zweite führt an solche Ausgangsklememn, die dem Neuner-Komplement der von der Leitung durchlaufenen Zeile entsprechen. Die zusammengeschlossenen Enden jeder Zeilenverdrahtung führen an einen
. - . 709 758/215
Regulär- und Komplementärschalter. Vor den Ausgangsklemmen sind die beiden Verdrahtungen gegeneinander durch weitere Dioden D abgeriegelt.
Eine vom Gleichstrom I0 durchflossene, mit Vormagnetisierung bezeichnete Leitung durchläuft zickzackförmig alle Kerne. Sie erzeugt die Feldstärke H0 und verlagert den stabilen Ausgangspunkt der Kerne vom Schnittpunkt der Hystereseschleife mit der Ordinate des 5-f/-Achsenkreuzes in Richtung der (im Beispiel) negativen Feldstärkewerte, die als Leserichtung angenommen sei. In der Fig. 3 sind diese beiden Punkte mit »1« und »0« bezeichnet. Diese Vormagnetisierung ist sinnvoll, wenn das Auslesen nur mit einem Impuls einer Koordinate, hier dem Spaltenimpuls, geschehen kann. Bei einem Speicher, der mit Lochkarten zusammenarbeitet, ist dies immer möglich, da pro Spalte nicht mehr als zwei Kerne Speicherwerte enthalten können.
Zwei wesentliche Vorteile bringt die Vormagnetisierung: Beim Einschreiben sind einerseits die Anforderungen an die Rechteckigkeit der Hystereseschleife und die Schädigung des Speicherinhalts der nicht ausgewählten Kerne durch Halbschreibströme geringer (die den Kern sonst zum Punkt Q1 der Fig. 3 bringen würden) und die zulässige Toleranz der Schreibströme größer. Andererseits lassen sich höhere Lesespannungen erzielen. Dieses Verfahren der Vormagnetisierung von Speicherkernen ist Gegenstand einer gleichzeitigen Anmeldung der Anmelderin.
Die Reihenschaltung der Lesewicklung einer Spalte mit der Halbschreibwicklung der vorhergehenden Spalte mit verschiedenem Wickelsinn bringt den Vorteil, daß der Spaltentreiber für das Lesen und Schreiben Impulse immer gleicher Polarität liefern kann. Die Amplitude des Halbschreibimpulses (Feld-
stärke -~) wird durch die Vormagnetisierung Ji0
festgelegt; es muß etwa der Punkt Q der Fig. 3 erreicht werden. Der Zeilenhalbimpuls ergänzt den Spaltenhalbimpuls zur Bildung der Schreibfeldstärke Hs. Die Größe des Leseimpulses (Feldstärke//) ist dann noch durch entsprechende Windungszahl der Lesewicklung als ein Vielfaches des Halbschreibimpulses wählbar. Sie ist nach oben grundsätzlich nicht begrenzt.
In Fig. 4 ist das Lesen und WTiedereinsehreiben der Zahl 2100 als Impulsdiagramm gezeigt. Die Spaltenimpulse in der oberen Hälfte des Diagramms werden vom Spaltentreiber geliefert, die negativen Abschnitte der Impulse sind als Leseimpulse, die
IS
positiven als Halbschreibimpulse — wirksam. In der
unteren Hälfte des Diagramms sind die mit dem Beginn des Leseimpulses zusammenfallenden Signalspannungen auf der Zeilenverdrahtung gestrichelt, die vom Zeilentreiber kommenden, mit den Spaltenhalbimpulsen koinzidierenden und von den Signalspannungen ausgelösten Zeilenhalbimpulse — ausgezogen dargestellt. Hier wird auch verständlich, daß der Spaltentreiber einen Ausgang mehr haben muß als ein Wort Ziffern, denn nach dem Auslesen der höchsten (in Fig. 2 neunten) Stelle muß diese Stelle durch einen weiteren (zehnten) Impuls wieder eingeschrieben werden.

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Linearer Magnetkernspeicher für feste Wortlängen, dadurch gekennzeichnet, daß die Spaltenleitungen jedes Wortes zu einem gemeinsamen Schalter führen und gleichwertigen Spalten aller Wörter des Speichers gleichzeitig aus derselben Quelle Impulse zugeführt werden.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leseimpulse einer Spalte gleichzeitig als Halbschreibimpulse zum Wiedereinschreiben der vorhergehenden Spalte dienen.
3. Anordnung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß alle Kerne in Leserichtung mit einer Feldstärke kleiner als die Koerzitivkraft vormagnetisiert werden.
4. Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Auslesen nur durch Spaltenimpulse und das Einschreiben durch Spalten- und Zeilenimpulse erfolgt.
5. Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß durch doppelte Zeilenverdrahtung das wahlweise Auslesen des regulären oder komplementären Speicherwertes ermöglicht wird.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
©708758/215 10.57
DEI11432A 1956-03-17 1956-03-17 Lineare Kernspeicher-Matrix Pending DE1018656B (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT568687D IT568687A (de) 1956-03-17
NL215280D NL215280A (de) 1956-03-17
DEI11432A DE1018656B (de) 1956-03-17 1956-03-17 Lineare Kernspeicher-Matrix
US642488A US2914754A (en) 1956-03-17 1957-02-26 Memory system
FR1186867D FR1186867A (fr) 1956-03-17 1957-03-12 Matrice linéaire à noyaux magnétiques
GB8777/57A GB854380A (en) 1956-03-17 1957-03-18 Improvements in magnetic core storage matrices
FR742723A FR73354E (fr) 1956-03-17 1957-07-08 Dispositif équipé d'interrupteurs bipolaires pour commander une matrice à tores magnétiques
GB21748/57A GB861328A (en) 1956-03-17 1957-07-09 Improvements in magnetic core storage matrices

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEI11432A DE1018656B (de) 1956-03-17 1956-03-17 Lineare Kernspeicher-Matrix
DE861328X 1956-07-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1018656B true DE1018656B (de) 1957-10-31

Family

ID=25950876

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEI11432A Pending DE1018656B (de) 1956-03-17 1956-03-17 Lineare Kernspeicher-Matrix

Country Status (6)

Country Link
US (1) US2914754A (de)
DE (1) DE1018656B (de)
FR (1) FR1186867A (de)
GB (2) GB854380A (de)
IT (1) IT568687A (de)
NL (1) NL215280A (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1133162B (de) * 1960-09-29 1962-07-12 Siemens Ag Binaer-Dezimal-Addierer oder -Subtrahierer
DE1137238B (de) * 1959-04-01 1962-09-27 Merk Ag Telefonbau Friedrich Kernspeicheranordnung
DE1218518B (de) * 1961-12-15 1966-06-08 Siemens Ag Verfahren zum Speichern vorzeichenbehafteter binaerer Informationen und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3016521A (en) * 1956-08-09 1962-01-09 Bell Telephone Labor Inc Magnetic core memory matrix
CH357090A (de) * 1957-03-18 1961-09-30 Olympia Werke Ag Magnetkernspeicher
US3181127A (en) * 1957-03-21 1965-04-27 Int Standard Electric Corp Magnetic-core storage matrix
US3258584A (en) * 1957-04-09 1966-06-28 Data transfer and conversion system
GB908143A (en) * 1958-11-28 1962-10-17 Ass Elect Ind Improvements relating to ferrite core matrix type store arrangements
US3134965A (en) * 1959-03-03 1964-05-26 Ncr Co Magnetic data-storage device and matrix
US3146426A (en) * 1959-06-30 1964-08-25 Ibm Memory system
US3159828A (en) * 1959-11-24 1964-12-01 Sperry Rand Corp Binary to decimal matrix converter
US3143725A (en) * 1960-03-23 1964-08-04 Ibm Negative resistance memory systems
US3155945A (en) * 1960-04-04 1964-11-03 Sperry Rand Corp Parallel interrogation of computer memories
US3222658A (en) * 1962-08-27 1965-12-07 Ibm Matrix switching system
US3351924A (en) * 1964-11-27 1967-11-07 Burroughs Corp Current steering circuit

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1137238B (de) * 1959-04-01 1962-09-27 Merk Ag Telefonbau Friedrich Kernspeicheranordnung
DE1133162B (de) * 1960-09-29 1962-07-12 Siemens Ag Binaer-Dezimal-Addierer oder -Subtrahierer
DE1218518B (de) * 1961-12-15 1966-06-08 Siemens Ag Verfahren zum Speichern vorzeichenbehafteter binaerer Informationen und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens

Also Published As

Publication number Publication date
FR1186867A (fr) 1959-09-03
IT568687A (de)
NL215280A (de)
US2914754A (en) 1959-11-24
GB854380A (en) 1960-11-16
GB861328A (en) 1961-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1108953B (de) Anordnung zum Vergleich von Datenworten mit einem Pruefwort
DE1018656B (de) Lineare Kernspeicher-Matrix
DE2754441A1 (de) Anordnung fuer ein automatisches korrekturlesen von dokumenten
DE1168128B (de) Umschluesselungsmatrix
DE2551239A1 (de) Datenverarbeitungsanlage
DE1259387B (de) Speichermatrix
DE1619794A1 (de)
DE1103650B (de) Nach dem Koinzidenzstromprinzip arbeitende Kernspeichermatrix bzw. Speicherkette
DE2255252C3 (de) Schaltungsanordnung zur Steuerung einer Anzeigeeinheit
DE1062968B (de) Lochschriftuebersetzer
DE1260532B (de) Speicher mit Kenn-Wert-Aufruf
DE2243080A1 (de) Vorrichtung zur wiedergabe programmiert ausgewaehlter, auf magnetkarten aufgezeichneter daten
DE3016738C2 (de) Verfahren zur Übertragung eines Bitmusterfeldes in einen Speicher und Schaltungsanordnung zur Ausübung des Verfahrens
DE2057124A1 (de) Assoziativspeicher
DE2744490C2 (de) Bipolar-Halbleiterspeicher
DE1499720C (de) Elektronisches Speicherelement
AT222919B (de) Verfahren und Schaltungsanordnung zur Überprüfung und Korrektur von aus codierten Zeichen bestehenden Worten und Informationsblöcken
DE1499720B1 (de) Elektronisches Speicherelement
DE1295019B (de) Wortorganisierter Magnetkernspeicher
DE2406830C3 (de) Einrichtung zur Programmvorgabe für die numerische Steuerung einer Werkzeugmaschine
DE1069908B (de)
AT222918B (de) Selbstprüfendes Verfahren zur vorzugsweise magnetischen Speicherung von codierten Informationen und Schaltungsanordnung zu dessen Durchführung
DE2550401A1 (de) Informationsausleseeinrichtung
DE1041281B (de) Anordnung zum Betrieb eines Magnetkernspeichers
DE1170178B (de) Kernspeichermatrix fuer aus Punkten darzustellende Schriftzeichen