DE1018554B - Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, in der eine halbleitende Oberflaechenschicht der p-Leitungsart vorkommt - Google Patents
Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, in der eine halbleitende Oberflaechenschicht der p-Leitungsart vorkommtInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1099887X | 1953-05-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1018554B true DE1018554B (de) | 1957-10-31 |
Family
ID=19869115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEN8842A Pending DE1018554B (de) | 1953-05-07 | 1954-05-03 | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, in der eine halbleitende Oberflaechenschicht der p-Leitungsart vorkommt |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1018554B (2) |
| FR (1) | FR1099887A (2) |
| NL (2) | NL178164C (2) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1118362B (de) * | 1958-07-17 | 1961-11-30 | Siemens Edison Swan Ltd | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterflaechendiode mit geringer Kapazitaet |
| DE1144403B (de) * | 1959-05-13 | 1963-02-28 | Ass Elect Ind | Leistungstransistor |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE554033A (2) * | 1956-01-09 | |||
| US3157937A (en) * | 1960-09-30 | 1964-11-24 | Honeywell Inc | Method of making a semiconductor device |
-
0
- NL NL102310D patent/NL102310C/xx active
- NL NLAANVRAGE8102472,A patent/NL178164C/xx active
-
1954
- 1954-05-03 DE DEN8842A patent/DE1018554B/de active Pending
- 1954-05-05 FR FR1099887D patent/FR1099887A/fr not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1118362B (de) * | 1958-07-17 | 1961-11-30 | Siemens Edison Swan Ltd | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterflaechendiode mit geringer Kapazitaet |
| DE1144403B (de) * | 1959-05-13 | 1963-02-28 | Ass Elect Ind | Leistungstransistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL178164C (nl) | |
| FR1099887A (fr) | 1955-09-12 |
| NL102310C (2) |
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