DE1018114B

DE1018114B - Modulationseinrichtung mit einem Zweispaltklystron

Info

Publication number: DE1018114B
Application number: DES48889A
Authority: DE
Inventors: Dr Johannes Labus
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1956-05-30
Filing date: 1956-05-30
Publication date: 1957-10-24

Description

DEUTSCHES

Die Erfindung betrifft eine Modulationsemrichtung mit einem Zweispaltklystron. Das Zweispaltklystron hat gegenüber dem Zweikammerklystron den Vorteil eines einzigen frequenzbestimmenden Elementes. Obwohl das Zweispaltklystron verglichen mit dem Reflexgenerator viele Vorteile aufweist, hat es als wesentlichen Nachteil verhältnismäßig geringe Werte der Modulationsempfindlichkeit.

Es ist bereits ein Zweispaltklystron bekannt, bei dem die dem Elektronenstrahl benachbarte, die Innen-Umrandung des Resonators bildende Elektrode von der die Außenumrandung des Resonators bildenden Elektrode isoliert angeordnet ist.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Einrichtung mit einem Zweispaltklystron zu schaffen, die eine größere Modulationsempfindlichkeit aufweist, als die bekannten Einrichtungen dieser Art. Erfindungsgemäß wird dazu vorgeschlagen, daß die den Laufraum umschließende Elektrode auf niedrigerem Potential liegt als eine oder beide der den Resonator bildenden Elektroden. Durch diese Maßnahme wird die Modulationsempfindlichkeit bzw. die Modulationssteilheit der Modulationseinrichtung entscheidend erhöht. An Hand der Fig. 1 und 2, in denen erfindungsgemäße Einrichtungen stark vereinfacht dargestellt sind, wird die Erfindung näher erläutert.

In Fig. 1 ist die innere Umrandung des Resonators eines Zweispaltklystrons mit 2 und die äußere Umrandung mit 1 bezeichnet. Innerhalb der Elektrode 2 ist eine den Elektronenstrahl umschließende, im wesentliehen den Laufraum bildende Elektrode 16 vorgesehen. Bei Verwendung einer solchen Elektrode hat man die Möglichkeit, sowohl die Innen- als auch die Außenumrandung des Resonators auf gleiches Gleichpotential zu legen, wie dies bei den bekannten Zweispaltklystrons der Fall ist. Der von der Kathode 3 bzw. von der Elektronenkanone ausgehende Elektronenstrahl 4 durchläuft nacheinander den Spalt 5, den Lauf raum 6, den Spalt 7 und endet auf dem Auffänger 8. Zur Auskopplung der Hochfrequenzenergie dient eine Auskoppelleitung 9. Zur Einkopplung der Modulationsspannung ist eine koaxiale Leitung vorgesehen, deren Außenleiter 10 an der Innen- und Außenelektrode des Resonators endet. Innen- und Außenelektrode des Resonators sind durch den Kurz-Schlußschieber 12 miteinander verbunden. Es ist aber durchaus möglich, Außen- und Innenelektrode des Resonators galvanisch voneinander zu trennen. Der Innenleiter 11, der an der Elektrode 16 endet, ist isoliert mittels der Glasdurchführungen 13 gelagert. Die Modulationsspannung wird von einem Generator 14 geliefert und in an sich bekannter Weise eingekoppelt. Unabhängig von dieser hochfrequenzmäßigen Ankopplung liegt an der Elektrode 16 ein von der Batterie 15 Modulationseinrichtung
mit einem Zweispaltklystron

Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,

Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2

Dr. Johannes Labus, München,
ist als Erfinder genannt worden

geliefertes niedrigeres Potential als an den Elektroden 1 und 2 oder an einer dieser Elektroden des Resonators. Dadurch ist im Lauf raum 6 die Elektronengeschwindigkeit kleiner als bei einer Anordnung, bei der die Elektroden 1, 2 und 16 auf gleichem Potential liegen wurden. Dies hat zur Folge, daß im Laufraum 6 unter Umständen eine Erhöhung der Raumladungsdichte erzielt wird.

In Fig. 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Einrichtung gezeigt. Für gleiche Teile sind dieselben Bezugszeichen wie in Fig. 1 benutzt. Diese Einrichtung weist keine den Laufraum bildende Elektrode 16 auf. Der Laufraum wird hier von der Innenelektrode 2 des Resonators gebildet. Um Innenelektrode 2 und Außenelektrode 1 an verschiedene Gleichpotentiale legen zu können, ist die zur Einkopplung der Modulationsspannung vorgesehene koaxiale Leitung so angeordnet, daß der Außenleiter 10 an der Außenelektrode 1 des Modulators liegt. Der Innenleiter 11 ist über den isoliert angeordneten Abstimmschieber 12 im Außenleiter 10 gelagert. Über die Elektrode 11 wird der Innenelektrode 2 des Resonators ein niedrigeres Gleichpotential zugeführt als der Außenelektrode 1 des Resonators. Mit einer solchen Anordnung kann man eine Erhöhung der Modulationsempfindlichkeit erzielen, die in vielen Fällen bereits ausreichend ist. Ein Einrichtung gemäß Fig. 1 dürfte jedoch in der Mehrzahl der Fälle einer Einrichtung gemäß Fig. 2 überlegen sein.

Bei einer Anordnung gemäß Fig. 1 und 2 beträgt die Erhöhung der Modulationsempfindlichkeit

2U₁

(U₂+ Vu₁U₈)(I-I)

Dabei ist U 2 die Gleichspannung an der Innenumrandung 2 bzw. an der Elektrode 16 und U1 die

709757/228

Gleichspannung an der Außenumrandung 1 bzw. an beiden Elektroden 1 und 2 des Resonators, wobei U 2 kleiner als Ul sein soll. Die Größe ξ ist der sogenannte Raumladungsparameter (f<Cl). An der Innenumrandung 2 des Resonators liegt die Modulationsspannung.

Claims

Patentansprüche:

1. Modulationseinrichtung mit einem Zweispaltklystron, bei dem die dem Elektronenstrahl be- ίο nachbarte, den Lauf raum umschließende Elektrode von den anderen Elektroden isoliert angeordnet ist und dieser Elektrode die Modulationsspannung zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die den Laufraum umschließende Elektrode auf niedrigerem Gleichpotential liegt als eine oder beide der den Resonator bildenden Elektroden.

2. Modulationseinrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine innerhalb der die Innenumrandung des Resonators bildende Elektrode angeordnete, den Lauf raum umschließende Elektrode, die von den Elektroden des Resonators isoliert angeordnet ist und an der die Modulationsspannung liegt.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Schweizerische Patentschrift Nr. 248 954;
französische Patentschrift Nr. 948 896;
britische Patentschrift Nr. 531 067;
USA.-Patentschrift Nr. 2 460 498.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen