DE1018114B - Modulationseinrichtung mit einem Zweispaltklystron - Google Patents
Modulationseinrichtung mit einem ZweispaltklystronInfo
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- DE1018114B DE1018114B DES48889A DES0048889A DE1018114B DE 1018114 B DE1018114 B DE 1018114B DE S48889 A DES48889 A DE S48889A DE S0048889 A DES0048889 A DE S0048889A DE 1018114 B DE1018114 B DE 1018114B
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C1/00—Amplitude modulation
- H03C1/28—Amplitude modulation by means of transit-time tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J25/00—Transit-time tubes, e.g. klystrons, travelling-wave tubes, magnetrons
- H01J25/02—Tubes with electron stream modulated in velocity or density in a modulator zone and thereafter giving up energy in an inducing zone, the zones being associated with one or more resonators
- H01J25/06—Tubes having only one resonator, without reflection of the electron stream, and in which the modulation produced in the modulator zone is mainly velocity modulation, e.g. Lüdi-Klystron
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
DEUTSCHES
Die Erfindung betrifft eine Modulationsemrichtung mit einem Zweispaltklystron. Das Zweispaltklystron
hat gegenüber dem Zweikammerklystron den Vorteil eines einzigen frequenzbestimmenden Elementes. Obwohl
das Zweispaltklystron verglichen mit dem Reflexgenerator viele Vorteile aufweist, hat es als wesentlichen
Nachteil verhältnismäßig geringe Werte der Modulationsempfindlichkeit.
Es ist bereits ein Zweispaltklystron bekannt, bei dem die dem Elektronenstrahl benachbarte, die Innen-Umrandung
des Resonators bildende Elektrode von der die Außenumrandung des Resonators bildenden
Elektrode isoliert angeordnet ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Einrichtung mit einem Zweispaltklystron zu schaffen,
die eine größere Modulationsempfindlichkeit aufweist, als die bekannten Einrichtungen dieser Art. Erfindungsgemäß
wird dazu vorgeschlagen, daß die den Laufraum umschließende Elektrode auf niedrigerem
Potential liegt als eine oder beide der den Resonator bildenden Elektroden. Durch diese Maßnahme wird
die Modulationsempfindlichkeit bzw. die Modulationssteilheit der Modulationseinrichtung entscheidend erhöht.
An Hand der Fig. 1 und 2, in denen erfindungsgemäße Einrichtungen stark vereinfacht dargestellt
sind, wird die Erfindung näher erläutert.
In Fig. 1 ist die innere Umrandung des Resonators eines Zweispaltklystrons mit 2 und die äußere Umrandung
mit 1 bezeichnet. Innerhalb der Elektrode 2 ist eine den Elektronenstrahl umschließende, im wesentliehen
den Laufraum bildende Elektrode 16 vorgesehen. Bei Verwendung einer solchen Elektrode hat
man die Möglichkeit, sowohl die Innen- als auch die Außenumrandung des Resonators auf gleiches Gleichpotential
zu legen, wie dies bei den bekannten Zweispaltklystrons der Fall ist. Der von der Kathode 3
bzw. von der Elektronenkanone ausgehende Elektronenstrahl 4 durchläuft nacheinander den Spalt 5,
den Lauf raum 6, den Spalt 7 und endet auf dem Auffänger 8. Zur Auskopplung der Hochfrequenzenergie
dient eine Auskoppelleitung 9. Zur Einkopplung der Modulationsspannung ist eine koaxiale Leitung
vorgesehen, deren Außenleiter 10 an der Innen- und Außenelektrode des Resonators endet. Innen- und
Außenelektrode des Resonators sind durch den Kurz-Schlußschieber 12 miteinander verbunden. Es ist aber
durchaus möglich, Außen- und Innenelektrode des Resonators galvanisch voneinander zu trennen. Der
Innenleiter 11, der an der Elektrode 16 endet, ist isoliert mittels der Glasdurchführungen 13 gelagert. Die
Modulationsspannung wird von einem Generator 14 geliefert und in an sich bekannter Weise eingekoppelt.
Unabhängig von dieser hochfrequenzmäßigen Ankopplung liegt an der Elektrode 16 ein von der Batterie 15
Modulationseinrichtung
mit einem Zweispaltklystron
mit einem Zweispaltklystron
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2
München 2, Wittelsbacherplatz 2
Dr. Johannes Labus, München,
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
geliefertes niedrigeres Potential als an den Elektroden 1 und 2 oder an einer dieser Elektroden des
Resonators. Dadurch ist im Lauf raum 6 die Elektronengeschwindigkeit kleiner als bei einer Anordnung,
bei der die Elektroden 1, 2 und 16 auf gleichem Potential liegen wurden. Dies hat zur Folge, daß im
Laufraum 6 unter Umständen eine Erhöhung der Raumladungsdichte erzielt wird.
In Fig. 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Einrichtung gezeigt. Für gleiche
Teile sind dieselben Bezugszeichen wie in Fig. 1 benutzt. Diese Einrichtung weist keine den Laufraum
bildende Elektrode 16 auf. Der Laufraum wird hier von der Innenelektrode 2 des Resonators gebildet. Um
Innenelektrode 2 und Außenelektrode 1 an verschiedene Gleichpotentiale legen zu können, ist die zur Einkopplung
der Modulationsspannung vorgesehene koaxiale Leitung so angeordnet, daß der Außenleiter 10
an der Außenelektrode 1 des Modulators liegt. Der Innenleiter 11 ist über den isoliert angeordneten Abstimmschieber
12 im Außenleiter 10 gelagert. Über die Elektrode 11 wird der Innenelektrode 2 des Resonators
ein niedrigeres Gleichpotential zugeführt als der Außenelektrode 1 des Resonators. Mit einer
solchen Anordnung kann man eine Erhöhung der Modulationsempfindlichkeit erzielen, die in vielen
Fällen bereits ausreichend ist. Ein Einrichtung gemäß Fig. 1 dürfte jedoch in der Mehrzahl der Fälle einer
Einrichtung gemäß Fig. 2 überlegen sein.
Bei einer Anordnung gemäß Fig. 1 und 2 beträgt die Erhöhung der Modulationsempfindlichkeit
2U1
(U2+ Vu1U8)(I-I)
Dabei ist U 2 die Gleichspannung an der Innenumrandung 2 bzw. an der Elektrode 16 und U1 die
709757/228
Gleichspannung an der Außenumrandung 1 bzw. an beiden Elektroden 1 und 2 des Resonators, wobei U 2
kleiner als Ul sein soll. Die Größe ξ ist der sogenannte Raumladungsparameter (f<Cl). An der Innenumrandung
2 des Resonators liegt die Modulationsspannung.
Claims (2)
1. Modulationseinrichtung mit einem Zweispaltklystron, bei dem die dem Elektronenstrahl be- ίο
nachbarte, den Lauf raum umschließende Elektrode von den anderen Elektroden isoliert angeordnet ist
und dieser Elektrode die Modulationsspannung zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die den
Laufraum umschließende Elektrode auf niedrigerem Gleichpotential liegt als eine oder beide
der den Resonator bildenden Elektroden.
2. Modulationseinrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine innerhalb der die Innenumrandung
des Resonators bildende Elektrode angeordnete, den Lauf raum umschließende Elektrode,
die von den Elektroden des Resonators isoliert angeordnet ist und an der die Modulationsspannung
liegt.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Schweizerische Patentschrift Nr. 248 954;
französische Patentschrift Nr. 948 896;
britische Patentschrift Nr. 531 067;
USA.-Patentschrift Nr. 2 460 498.
Schweizerische Patentschrift Nr. 248 954;
französische Patentschrift Nr. 948 896;
britische Patentschrift Nr. 531 067;
USA.-Patentschrift Nr. 2 460 498.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
©709757/228 10.57
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES48889A DE1018114B (de) | 1956-05-30 | 1956-05-30 | Modulationseinrichtung mit einem Zweispaltklystron |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES48889A DE1018114B (de) | 1956-05-30 | 1956-05-30 | Modulationseinrichtung mit einem Zweispaltklystron |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1018114B true DE1018114B (de) | 1957-10-24 |
Family
ID=7487040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES48889A Pending DE1018114B (de) | 1956-05-30 | 1956-05-30 | Modulationseinrichtung mit einem Zweispaltklystron |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1018114B (de) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB531067A (en) * | 1938-04-14 | 1940-12-27 | Univ Leland Stanford Junior | Improvements in or relating to methods and apparatus for generating high frequency electro-magnetic waves |
CH248954A (de) * | 1944-02-25 | 1947-05-31 | Philips Nv | Vorrichtung zur Erzeugung von Ultrahochfrequenzschwingungen mittels Laufzeitmodulation. |
US2460498A (en) * | 1943-03-15 | 1949-02-01 | Sperry Corp | Modulation control apparatus |
FR948896A (fr) * | 1947-06-26 | 1949-08-12 | Materiel Telephonique | Résonateurs pour tubes électroniques |
-
1956
- 1956-05-30 DE DES48889A patent/DE1018114B/de active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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GB531067A (en) * | 1938-04-14 | 1940-12-27 | Univ Leland Stanford Junior | Improvements in or relating to methods and apparatus for generating high frequency electro-magnetic waves |
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FR948896A (fr) * | 1947-06-26 | 1949-08-12 | Materiel Telephonique | Résonateurs pour tubes électroniques |
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