DE1015152B - Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitergeraeten - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von HalbleitergeraetenInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 239000006187 pill Substances 0.000 claims description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 4
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 claims 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000947853 Vibrionales Species 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B30—PRESSES
- B30B—PRESSES IN GENERAL
- B30B11/00—Presses specially adapted for forming shaped articles from material in particulate or plastic state, e.g. briquetting presses, tabletting presses
- B30B11/34—Presses specially adapted for forming shaped articles from material in particulate or plastic state, e.g. briquetting presses, tabletting presses for coating articles, e.g. tablets
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Priority Applications (13)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL112438D NL112438C (enrdf_load_stackoverflow) | 1956-02-08 | ||
| NL211463D NL211463A (enrdf_load_stackoverflow) | 1956-02-08 | ||
| NL224427D NL224427A (enrdf_load_stackoverflow) | 1956-02-08 | ||
| NL106749D NL106749C (enrdf_load_stackoverflow) | 1956-02-08 | ||
| DES47394A DE1015152B (de) | 1956-02-08 | 1956-02-08 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitergeraeten |
| FR1160158D FR1160158A (fr) | 1956-02-08 | 1956-11-06 | Procédé et appareil perfectionnés pour la fabrication de dispositifs électriques à semi-conducteurs |
| US637029A US2960419A (en) | 1956-02-08 | 1957-01-29 | Method and device for producing electric semiconductor devices |
| GB3482/57A GB827762A (en) | 1956-02-08 | 1957-01-31 | Improvements in or relating to processes for the production of semi-conductor devices |
| CH350371D CH350371A (de) | 1956-02-08 | 1957-02-06 | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Halbleitergeräten |
| DES55588A DE1046198B (de) | 1956-02-08 | 1957-10-19 | Legierungs-Verfahren zur Herstellung von elektrischen Halbleitergeraeten unter Pulvereinbettung |
| GB1611/58A GB840241A (en) | 1956-02-08 | 1958-01-16 | Improvements in or relating to the production of semi-conductor devices |
| FR756395A FR73075E (fr) | 1956-02-08 | 1958-01-21 | Procédé et appareil prefectionnés pour la fabrication de dispositifs électriques à semi-conducteurs |
| CH356211D CH356211A (de) | 1956-02-08 | 1958-01-25 | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Halbleitergeräten |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES47394A DE1015152B (de) | 1956-02-08 | 1956-02-08 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitergeraeten |
| US637029A US2960419A (en) | 1956-02-08 | 1957-01-29 | Method and device for producing electric semiconductor devices |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1015152B true DE1015152B (de) | 1957-09-05 |
Family
ID=25995271
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES47394A Pending DE1015152B (de) | 1956-02-08 | 1956-02-08 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitergeraeten |
| DES55588A Pending DE1046198B (de) | 1956-02-08 | 1957-10-19 | Legierungs-Verfahren zur Herstellung von elektrischen Halbleitergeraeten unter Pulvereinbettung |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES55588A Pending DE1046198B (de) | 1956-02-08 | 1957-10-19 | Legierungs-Verfahren zur Herstellung von elektrischen Halbleitergeraeten unter Pulvereinbettung |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (2) | CH350371A (enrdf_load_stackoverflow) |
| DE (2) | DE1015152B (enrdf_load_stackoverflow) |
| FR (1) | FR1160158A (enrdf_load_stackoverflow) |
| GB (2) | GB827762A (enrdf_load_stackoverflow) |
| NL (4) | NL211463A (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1067936B (enrdf_load_stackoverflow) * | 1958-02-04 | 1959-10-29 | ||
| DE1090769B (de) | 1957-01-09 | 1960-10-13 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung von Leitfaehigkeits- oder pn-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern nach dem Aufschmelzverfahren |
| DE1125554B (de) | 1958-10-24 | 1962-03-15 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen |
| DE1130524B (de) * | 1961-02-22 | 1962-05-30 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen durch Anlegieren von Elektroden und einer Traegerplattenanordnung an einen Halbleiterkoerper und Form zur Durchfuehrung des Verfahrens |
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| DE1140650B (de) | 1960-03-11 | 1962-12-06 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen und Legierungsform zur Durchfuehrung des Verfahrens |
| DE1146206B (de) * | 1961-05-17 | 1963-03-28 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
| DE1157316B (de) | 1959-10-13 | 1963-11-14 | Transistor A G | Verfahren und Legierungsform zum Anlegieren von Elektroden an den Halbleiterkoerper eines Halbleiterbauelementes |
| DE1160549B (de) * | 1960-02-10 | 1964-01-02 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Verbindung durch Loetung bzw. Legierung an Halbleiteranordnungen |
| DE1191044B (de) | 1960-12-03 | 1965-04-15 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, wie Silizium-Flaechengleichrichter, -Transistoren oder Halbleiterstromtore |
| DE1237694B (de) * | 1961-08-10 | 1967-03-30 | Siemens Ag | Verfahren zum Legieren von elektrischen Halbleiterbauelementen |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE580254A (enrdf_load_stackoverflow) * | 1958-07-17 | |||
| DE1222167B (de) * | 1962-02-02 | 1966-08-04 | Siemens Ag | Verfahren zum Gettern oder/und Fernhalten von unerwuenschten Fremdstoffen aus bzw. von Halbleiterkoerpern beim Einlegieren von dotierenden Elektroden in einen Halbleiterkoerper |
| DE1271266B (de) * | 1965-01-25 | 1968-06-27 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Legierungsform fuer Halbleiteranordnungen |
| US8802183B2 (en) | 2005-04-28 | 2014-08-12 | Proteus Digital Health, Inc. | Communication system with enhanced partial power source and method of manufacturing same |
| JP2008539047A (ja) | 2005-04-28 | 2008-11-13 | プロテウス バイオメディカル インコーポレイテッド | ファーマインフォーマティックスシステム |
| US8912908B2 (en) | 2005-04-28 | 2014-12-16 | Proteus Digital Health, Inc. | Communication system with remote activation |
| MY154217A (en) | 2008-08-13 | 2015-05-15 | Proteus Digital Health Inc | Ingestible circuitry |
| EA201190281A1 (ru) | 2009-04-28 | 2012-04-30 | Протиус Байомедикал, Инк. | Высоконадежные проглатываемые отметчики режима и способы их применения |
| TWI679011B (zh) | 2010-04-07 | 2019-12-11 | 波提亞斯數位康健公司 | 製造微型可攝取裝置的方法 |
| US9107806B2 (en) | 2010-11-22 | 2015-08-18 | Proteus Digital Health, Inc. | Ingestible device with pharmaceutical product |
| WO2015112603A1 (en) | 2014-01-21 | 2015-07-30 | Proteus Digital Health, Inc. | Masticable ingestible product and communication system therefor |
| US9756874B2 (en) | 2011-07-11 | 2017-09-12 | Proteus Digital Health, Inc. | Masticable ingestible product and communication system therefor |
| MY182541A (en) * | 2012-07-23 | 2021-01-25 | Proteus Digital Health Inc | Techniques for manufacturing ingestible event markers comprising an ingestible component |
| TWI659994B (zh) | 2013-01-29 | 2019-05-21 | 美商普羅托斯數位健康公司 | 高度可膨脹之聚合型薄膜及包含彼之組成物 |
| JP5941240B2 (ja) | 2013-03-15 | 2016-06-29 | プロテウス デジタル ヘルス， インコーポレイテッド | 金属検出器装置、システム、および方法 |
| US9796576B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-10-24 | Proteus Digital Health, Inc. | Container with electronically controlled interlock |
| US10084880B2 (en) | 2013-11-04 | 2018-09-25 | Proteus Digital Health, Inc. | Social media networking based on physiologic information |
| CN103831439A (zh) * | 2014-02-28 | 2014-06-04 | 浙江恒成硬质合金有限公司 | 一种硬质合金压胚转移装置 |
| US11051543B2 (en) | 2015-07-21 | 2021-07-06 | Otsuka Pharmaceutical Co. Ltd. | Alginate on adhesive bilayer laminate film |
| TWI728155B (zh) | 2016-07-22 | 2021-05-21 | 日商大塚製藥股份有限公司 | 可攝食事件標示器之電磁感測及偵測 |
| US10820831B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-11-03 | Proteus Digital Health, Inc. | Methods for manufacturing capsules with ingestible event markers |
| CN111761861B (zh) * | 2020-07-07 | 2021-11-30 | 广州安卓机械科技有限公司 | 一种智能填料成型系统 |
-
0
- NL NL112438D patent/NL112438C/xx active
- NL NL224427D patent/NL224427A/xx unknown
- NL NL106749D patent/NL106749C/xx active
- NL NL211463D patent/NL211463A/xx unknown
-
1956
- 1956-02-08 DE DES47394A patent/DE1015152B/de active Pending
- 1956-11-06 FR FR1160158D patent/FR1160158A/fr not_active Expired
-
1957
- 1957-01-31 GB GB3482/57A patent/GB827762A/en not_active Expired
- 1957-02-06 CH CH350371D patent/CH350371A/de unknown
- 1957-10-19 DE DES55588A patent/DE1046198B/de active Pending
-
1958
- 1958-01-16 GB GB1611/58A patent/GB840241A/en not_active Expired
- 1958-01-25 CH CH356211D patent/CH356211A/de unknown
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| DE1067936B (enrdf_load_stackoverflow) * | 1958-02-04 | 1959-10-29 | ||
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1046198B (de) | 1958-12-11 |
| FR1160158A (fr) | 1958-07-08 |
| NL211463A (enrdf_load_stackoverflow) | |
| NL112438C (enrdf_load_stackoverflow) | |
| NL224427A (enrdf_load_stackoverflow) | |
| GB840241A (en) | 1960-07-06 |
| CH356211A (de) | 1961-08-15 |
| CH350371A (de) | 1960-11-30 |
| NL106749C (enrdf_load_stackoverflow) | |
| GB827762A (en) | 1960-02-10 |
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