DE10136700B4 - Verfahren zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit und Testvorrichtung - Google Patents

Verfahren zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit und Testvorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE10136700B4
DE10136700B4 DE10136700A DE10136700A DE10136700B4 DE 10136700 B4 DE10136700 B4 DE 10136700B4 DE 10136700 A DE10136700 A DE 10136700A DE 10136700 A DE10136700 A DE 10136700A DE 10136700 B4 DE10136700 B4 DE 10136700B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
tested
circuit unit
word line
testing
test
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE10136700A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10136700A1 (de
Inventor
Manfred Pröll
Koen Van Der Zanden
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Polaris Innovations Ltd
Original Assignee
Qimonda AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qimonda AG filed Critical Qimonda AG
Priority to DE10136700A priority Critical patent/DE10136700B4/de
Priority to US10/206,785 priority patent/US7039838B2/en
Publication of DE10136700A1 publication Critical patent/DE10136700A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10136700B4 publication Critical patent/DE10136700B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/18Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits
    • G11C29/20Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits using counters or linear-feedback shift registers [LFSR]
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/18Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits
    • G11C29/30Accessing single arrays
    • G11C29/34Accessing multiple bits simultaneously

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

Verfahren zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit (101), bei dem eine Testzeit reduziert ist, mit den Schritten:
a) Einbringen der zu testenden Schaltungseinheit (101) in eine Testvorrichtung (100);
a1) Erzeugen eines vorgebbaren Testsignals (103) mit einer Testsignalerzeugungseinrichtung (109);
b) Aktivieren mindestens einer Wortleitung (102a–102N) der zu testenden Schaltungseinheit (101) durch Anlegen mindestens eines Testsignals (103) an die Wortleitung (102a–102N), wobei mindestens eine Wortleitung (102a–102N) der zu testenden Schaltungseinheit (101) mit dem Testsignal (103) über einen Ringzähler (108) angesteuert wird;
c) Deaktivieren der mindestens einen Wortleitung (102a–102N) durch Entfernen des Testsignals (103) von der Wortleitung (102a–102N), wobei der in den Schritten b) und c) durchgeführte Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklus auf der mindestens einen Wortleitung (102a–102N) auf sämtliche Schaltungsuntereinheiten (105a–105M) der zu testenden Schaltungseinheit (101) simultan wirkt;
d) Auslesen der Wortleitungen unter sämtlichen Wortleitungen (102a–102N), die nicht aktiviert und nicht deaktiviert wurden, um einen Einfluss des Aktivierens und Deaktivierens zu...

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Testen von zu testenden Schaltungseinheiten, und betrifft insbesondere ein Verfahren zum Testen von zu testenden Schaltungseinheiten, bei dem eine Testzeit reduziert ist.
  • Ein Testen von zu testenden Schaltungseinheiten, insbesondere zum Testen von zu testenden Speichereinheiten, wird beispielsweise mit einem BI-Gerät (BI = Burn In, Einbrenn-Gerät) ausgeführt, wobei ein sogenannter SPST-Test (SPST = Short Parallel Select Test) durchgeführt wird.
  • Um mit einem SPST-Test jede der N Wortleitungen einer zu testenden Schaltungseinheit bzw. einer zu testenden Speichereinheit nach einem Einschreiben eines Hintergrundes zu aktivieren und anschließend zu deaktivieren, wobei dieser Vorgang typischerweise 125000 mal durchgeführt wird, wird eine erhebliche Testzeit benötigt.
  • Während dieser Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklen wird eine möglichst große Wortleitungsspannungsänderung pro Zeiteinheit (du/dt) erforderlich, so dass ein Pumpeffekt über die auf einem Substrat angeordnete Schaltungseinheit erreicht wird, welcher die mit einem physikalischen Eins-Pegel geladenen Zellen in der Nähe einer aktivierten Wortleitung beeinträchtigt, bzw. entlädt. In umgekehrter Weise ist es möglich, dass die mit einem physikalischen Null-Pegel geladenen Zellen in der Nähe einer Wortleitung aufgeladen werden.
  • Eine typische zu testende Speichereinheit weist beispielsweise eine Größe von 4 × 64 MB = 256 MB auf, wenn diese in vier Schaltungs- bzw. Speicheruntereinheiten unterteilt ist. Für jede Schaltungsuntereinheit (64 MB) ist eine maximale Anzahl an Wortleitungen bereitgestellt, welche 8192 beträgt.
  • Bei einem herkömmlichen Verfahren zum Testen von zu testenden Schaltungseinheiten wird bei einem SPST-Test auf einem BI-Gerät mit einer Aktivierungszeit von 200 ns (Nanosekunden) und einer Deaktivierungszeit von ebenfalls 200 ns gearbeitet, wodurch sich eine Zeitdauer für einen Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklus von 400 ns ergibt. Mit der erwähnten Vorgabe zum Testen von zu testenden Schaltungseinheiten, eine Wortleitung 125000 mal zu aktivieren, berechnet sich die benötigte Testgesamtzeit nach folgender Gleichung: (200 ns (Aktivierungszeit) + 200 ns (Deaktivierungszeit)) × 8192 (Wortleitungen/Speicheruntereinheit) × 4 (typische, oben angegebene Anzahl der Speicheruntereinheiten) × 125000 (Anzahl der Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklen) = 1638,4 Sekunden
  • Es ergibt sich somit in nachteiliger Weise eine Gesamttestzeit von fast einer halben Stunde, welche für ein effizientes Testen von zu testenden Schaltungseinheiten kostenaufwändig ist. Mit einer zunehmenden Speichergröße von zu testenden Schaltungseinheiten verlängert sich die Gesamttestzeit entsprechend.
  • Unzweckmäßig ist es weiterhin, eine Verkürzung der Testzeit mit anderen Testmodi (z.B. MWLS = Multi-Wordline Select Test) durchzuführen, da aufgrund einer reduzierten Wortleitungsspannungsänderung pro Zeiteinheit (du/dt) eine Reduzierung der Testeffektivität auftritt.
  • Die DE 197 40 933 C2 offenbart einen dynamischen Speicher mit zu Blöcken zusammengefassten Speicherzellen und mit Bitlei tungen und Wortleitungen zum Selektieren der Speicherzellen. Der dynamische Speicher weist ferner wenigstens eine Blockgruppe, zu der die Blöcke zusammengefasst sind, und eine Decodereinheit auf, die in einer ersten Betriebsart je Blockgruppe nur eine Wortleitung eines ihrer Blöcke und in einer zweiten Betriebsart je Blockgruppe in mehr als einem ihrer Blöcke je eine der Wortleitungen gleichzeitig selektiert.
  • Die US 6,038,181 offenbart eine "Burn-in" Halbleiterschaltung und ein Verfahren zur Verkürzung der Burn-in Zeit durch Verwendung eines internen Oszillators.
  • Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Testen von zu testenden Schaltungseinheiten bereitzustellen, bei dem eine Testzeit reduziert ist.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch das im Patentanspruch 1 angegebene Verfahren sowie durch eine Testvorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 8 gelöst.
  • Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
  • Ein wesentlicher Gedanke der Erfindung besteht darin, einen in der zu testenden Schaltungseinheit bereitgestellten internen Oszillator einzusetzen, um reduzierte Zeitdauern für Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklen bereitzustellen.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit, bei dem eine Testzeit reduziert ist, weist im Wesentlichen die folgenden Schritte auf:
    • a) Einbringen der zu testenden Schaltungseinheit in eine Testvorrichtung;
    • a1) Erzeugen eines vorgebbaren Testsignals mit einer Testsignalerzeugungseinrichtung;
    • b) Aktivieren mindestens einer Wortleitung der zu testenden Schaltungseinheit durch Anlegen mindestens eines Testsignals an die Wortleitung, wobei mindestens eine Wortleitung der zu testenden Schaltungseinheit mit dem Testsignal über einen Ringzähler angesteuert wird;
    • c) Deaktivieren der mindestens einen Wortleitung durch Entfernen des Testsignals von der Wortleitung, wobei der in den Schritten b) und c) durchgeführte Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklus auf der mindestens einen Wortleitung auf sämtliche Schaltungsuntereinheiten der zu testenden Schaltungseinheit simultan wirkt;
    • d) Auslesen der Wortleitungen unter sämtlichen Wortleitungen, die nicht aktiviert und nicht deaktiviert wurden, um einen Einfluss des Aktivierens und Deaktivierens zu bestimmen, wobei ein Testergebnis während der Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklen als Wortleitungsspannungsänderung pro Zeiteinheit in Abhängigkeit von dem Aktivieren und Deaktivieren erhalten wird; und
    • e) Ausgeben des Testergebnisses.
  • In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des jeweiligen Gegenstandes der Erfindung.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird das Testsignal, mit welchem die mindestens eine Wortleitung aktiviert wird, aus einem internen Oszillator der zu testenden Schaltungseinheit abgeleitet.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird ein Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklus der mindestens einen Wortleitung von dem internen Oszillator der zu testenden Schaltungseinheit gesteuert, so dass in vorteilhafter Weise eine Ankopplung des Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklus an Taktzeiten der zu testenden Schaltungseinheit erreicht wird.
  • Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung entspricht der von dem internen Oszillator der zu testenden Schaltungseinheit gesteuerte Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklus der mindestens einen Wortleitung einer Zeitgebung durch einen internen Wiederauffrischungszyklus.
  • In vorteilhafter Weise wirkt der Wiederauffrischungszyklus auf sämtliche Schaltungsuntereinheiten der zu testenden Schaltungseinheit.
  • Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird der von dem internen Oszillator der zu testenden Schaltungseinheit gesteuerte Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklus auf der mindestens einen Wortleitung mit einer Frequenz durchgeführt, welche einer Frequenz des Wiederauffrischungszyklus der zu testenden Schaltungseinheit entspricht. Insbesondere ergibt sich der Vorteil, dass ein Toggeln (d.h. ein wechselweises Ein- und Ausschalten) der mindestens einen Wortleitung einem Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklus entspricht, wobei eine Frequenz eines Wiederauffrischungszyklus 1/70 ns (ns = Nanosekunden) beträgt.
  • Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird der von dem internen Oszillator der zu testenden Schaltungseinheit gesteuerte Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklus innerhalb von 70 Nanosekunden (ns) ausgeführt.
  • Die erfindungsgemäße Testvorrichtung zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit weist weiterhin auf:
    • a) einen internen Oszillator in der zu testenden Schaltungseinheit, welcher zur Ausgabe eines Taktsignals dient, mit dem ein Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklus ausgeführt wird;
    • b) eine Testsignalerzeugungseinrichtung zur Erzeugung eines vorgebbaren Testsignals, welches der zu testenden Schaltungseinheit bzw. den einzelnen Schaltungsuntereinheiten der zu testenden Schaltungseinheit zugeführt wird;
    • c) einen Ringzähler zur Ansteuerung mindestens einer Wortleitung der zu testenden Schaltungseinheit mit dem Testsignal, wobei der Ringzähler die Wortleitungen von einer Wortleitung a über Wortleitungen i bis hin zu einer Wortleitung N durchzählt (i = Laufindex); und
    • d) eine Taktsignalaufbereitungseinheit zum Anlegen des Taktsignals an den Ringzähler nach Durchlaufen einer ersten Pulserzeugungseinheit bzw. einer zweiten Pulserzeugungseinheit entsprechend einer Schaltposition der Schalteinrichtung.
  • Zeichnungen
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
  • In den Zeichnungen zeigen:
  • 1 ein Blockbild einer Testvorrichtung zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 2 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit, bei dem eine Testzeit reduziert ist; und
  • 3 ein Blockdiagramm einer Schaltungsanordnung zum Testen einer aus zu testenden Schaltungsuntereinheiten bestehenden zu testenden Schaltungseinheit mittels eines Testsignals gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • Ausführungsbeispiele
  • 1 zeigt schematisch eine Testvorrichtung 100, in welche eine zu testende Schaltungseinheit 101 eingebracht ist. Es sei darauf hingewiesen, dass in diesem veranschaulichten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung nur die wesentlichen Komponenten dargestellt sind. Insbesondere sei bemerkt, dass die zu testende Schaltungseinheit 101 in diesem Beispiel in vier Schaltungsuntereinheiten 105a, 105b, 105c und 105d unterteilt ist.
  • Beispielsweise können diese Schaltungsuntereinheiten 105a105d vier 64 MB-Speicheruntereinheiten sein, ohne dass die Erfindung darauf beschränkt ist.
  • Es ist bekannt, dass die zu testenden Speichereinheiten bzw. die zu testenden Schaltungsuntereinheiten mit Wortleitungen 102a102N verbunden sind, wobei typischerweise pro Speicheruntereinheit (64 MB) 8192 Wortleitungen bereitgestellt werden, wodurch sich, wie oben erwähnt, eine Gesamtzahl von 32768 Wortleitungen für eine Beaufschlagung sämtlicher Schaltungsuntereinheiten 105a105d mit Signalen ergibt. Erfindungsgemäß wird ein interner Oszillator 104, welcher intern innerhalb der zu testenden Schaltungseinheit 101 angeordnet ist, verwendet, um ein Taktsignal 106 bereitzustellen.
  • Das Taktsignal 106 wird einer Taktsignalaufbereitungseinheit 115 zugeführt, welche unter anderem eine erste Pulserzeugungseinheit 110, eine zweite Pulserzeugungseinheit 111, eine Schalteinrichtung 107 und eine Gattereinheit 114 umfasst, wobei die Betriebsweise der Taktsignalaufbereitungseinheit 115 untenstehend unter Bezugnahme auf 3 im Detail erklärt werden wird. Wie in 1 schematisch gezeigt, wird ein Ausgangssignal der Taktsignalaufbereitungseinheit 115 einem Ringzähler 108 zugeführt, welcher dafür sorgt, dass jeweils nur eine spezifische Wortleitung 102a102N angesprochen wird.
  • Die angesprochene Wortleitung wird mit einem aus einer Testsignalerzeugungseinrichtung 109 abgeleiteten Testsignal 103 beaufschlagt, welches beispielsweise, wie oben erwähnt, als ein Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklussignal bereitgestellt ist.
  • Ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit 101, bei dem eine Testzeit reduziert ist, ist in 2 schematisch veranschaulicht.
  • Die Verarbeitung beginnt bei einem Schritt S201, wobei eine erste Wortleitung 102a ausgewählt wird. Ein über den internen Oszillator 104 jede 70 ns (Nanosekunden) erzeugter Aktivierungs-Deaktivierungs-Puls wird auf der Wortleitung sämtlicher Schaltungsuntereinheiten 105a105d so lange wiederholt, bis eine Anzahl von vorgebbaren Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklen abgelaufen ist.
  • Nach dem Wortleitungsauswahlschritt S201 und dem Aktivierungs-Deaktivierungsschritt S202, in welchem Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklen einer vorgebbaren Anzahl durchgeführt werden, schreitet die Verarbeitung zu einem ersten Abfrageschritt S203 fort.
  • In dem Schritt S203 wird abgefragt, ob die vorgebbare Anzahl von Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklen abgearbeitet ist. Ist die vorgebbare Anzahl von Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklen nicht abgearbeitet, kehrt die Verarbeitung zu dem Schritt S202 für einen erneuten Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklus zurück.
  • Wird in dem Schritt S203 festgestellt, dass die vorgebbare Anzahl von Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklen abgearbeitet ist, schreitet die Verarbeitung zu einem Wortleitungshochzählschritt S204 fort, in welchem eine nächste Wortleitung durch den Ringzähler 108 angesprochen wird. Nach dem Wortleitungshochzählschritt S204 schreitet die Verarbeitung zu einem zweiten Abfrageschritt S205 fort, in welchem abgefragt wird, ob eine vorgebbare, maximale Anzahl von Wortleitungen einen Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklus durchlaufen hat.
  • Wird in dem zweiten Abfrageschritt S205 bestimmt, dass die vorgebbare, maximale Anzahl von Wortleitungen noch nicht erreicht wurde, so schreitet die Verarbeitung zu einem dritten Abfrageschritt S207 fort, in welchem abgefragt wird, ob eine in einem Unterregister 112b eingestellte Anzahl von vollständig einen Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklus durchlaufenen Wortleitungen seit einem Wiederauffrischungszyklus erreicht wurde, oder ob bereits die letzte Wortleitung aktiviert/deaktiviert wurde.
  • Wird in dem dritten Abfrageschritt S207 festgestellt, dass die eingestellte Anzahl von Wortleitungen erreicht wurde, findet ein Wiederauffrischungszyklus (bei 256 MB, 8192 Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklen) mit einer identischen internen Zeitgebung wie für die Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklen statt.
  • Nach einem in einem Wiederauffrischungszyklus-Zählschritt S208 ausgeführten Wiederauffrischungszyklus steht der Ringzähler 108 durch einen Überlauf wieder auf der Adresse der als nächstes zu aktivierenden/deaktivierenden Wortleitung, die bereits vor einem Wiederauffrischungszyklus gewählt war.
  • Wird in dem dritten Abfrageschritt S207 festgestellt, dass die in dem Unterregister 112 eingestellte Anzahl von vollständig aktivierten/deaktivierten Wortleitungen noch nicht erreicht ist, kehrt die Verarbeitung zu dem Aktivierungs-Deaktivierungsschritt S202 zurück.
  • Wird in dem zweiten Abfrageschritt S205 festgestellt, dass die vorgebbare, maximale Anzahl an Wortleitungen erreicht wurde, so schreitet die Verarbeitung zu einem Testendeanzeigeschritt S206 fort, wobei ein Datenleitungsausgang auf einen logischen Eins-Pegel gesetzt wird, um der Testvorrichtung 100 anzuzeigen, dass eine Steuerungs-Auslesesequenz gestartet werden kann, wobei bei dem Wortleitungsauswahlschritt S201 der Datenleitungsausgang 200 auf einen logischen Null-Pegel gesetzt war.
  • Das in 3 gezeigte Blockbild veranschaulicht eine Anordnung einer Testvorrichtung zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit 101, welche in zu testende Schaltungsuntereinheiten 105a105M unterteilt ist.
  • Allgemein werden die zu testenden Schaltungsuntereinheiten 105a105M mit dem Testsignal 103 beaufschlagt, wobei spezifische, durch den Zählerstand des Ringzählers 108 vorgebbare Wortleitungen mit dem in der Testsignalerzeugungseinrichtung 109 erzeugten Testsignal 103 beaufschlagt werden. Eine Synchronisation eines Testvorgangs wird durch den internen Oszillator 104 vorgenommen. Das Ausgangssignal des Oszillators 104 wird als ein Taktsignal 106 einem Eingangskontakt (a) der Schalteinrichtung 107 und der Testsignalerzeugungseinrichtung 109 zugeführt. Die Schalteinrichtung 107 schaltet das Taktsignal 106 gemäß einer Vorgabe einer ersten Pulserzeugungseinheit 110 und einer zweiten Pulserzeugungseinheit 111 zu einer Gattereinheit 114 weiter, welche als ein ODER-Gatter ausgebildet ist.
  • Ein Testablauf wird durch in einer Registereinheit 112 gespeicherte Werte gesteuert, wobei die Registereinheit 112 aus beispielsweise zwei Unterregistern 112a, 112b ausgebildet ist. Der in dem Unterregister 112a gespeicherte Wert dient dazu, einen in einer Schalterstellung (a–c) zu der zweiten Pulserzeugungseinheit 111 durchgeleiteten Takt zu verarbeiten, wobei ein Ausgangspuls von der zweiten Pulserzeugungseinheit 111 nach einer Anzahl von Eingangstakten ausgegeben wird, die einem Wert in dem Unterregister 112a entsprechen.
  • Der Wert in dem Unterregister 112b steuert eine dritte Pulserzeugungseinheit, die einen Puls ausgibt, wenn folgende Beziehung erfüllt ist: Wortleitungs-Modulo (Wert im Register 112b) = 0
  • Eine Schaltung der Schalteinrichtung 107 für eine Kontaktierung der Anschlüsse (a–b) wird herbeigeführt, wenn durch die erste Pulserzeugungseinheit ein Puls nach 8192 Takten bereitgestellt wird.
  • In einer Schalterstellung der Schalteinrichtung 107 (a–b) wird erreicht, dass jeder einzelne Puls des Taktsignals 106 zu der Gattereinheit 114 und damit zu dem Ringzähler 108 weitergegeben wird, welcher nacheinander Wortleitungen 102a102N anspricht.
  • Durch die durch den internen Oszillator 104 vorgebbare Aktivierungs-Deaktivierungs-Zykluszeit von 70 ns wird erreicht, dass eine Ablaufzeit für einen Test reduziert ist, d.h. eine Gesamtzeit berechnet sich zu: 70 ns × 125000 (Anzahl der Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklen, verglichen mit obigem Beispiel) × 8192 (Wortleitungen pro zu testender Schaltungsuntereinheit 105a–105M, wobei angenommen wird, dass sämtliche Schaltungsuntereinheiten simultan getestet werden) = 71,68 Sekunden
  • Gegenüber einem oben beschriebenen, herkömmlichen Verfahren zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit ergibt sich eine erhebliche Verkürzung einer Testzeit von 71 Sekunden gegenüber 1638 Sekunden, was nur mehr einem Anteil von 4,3 % einer ursprünglichen Aktivierungs-Deaktivierungs-Zykluszeit entspricht.
  • Hierdurch ergibt sich ein erheblicher wirtschaftlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit gegenüber Verfahren nach dem Stand der Technik.
  • Ein von dem internen Oszillator 104 der zu testenden Schaltungseinheit 101 gesteuerter Aktivierungs-Deaktivierungs- Zyklus der mindestens einen Wortleitung 102a102N entspricht einer Zeitgebung durch einen internen Wiederauffrischungszyklus. Weiterhin wirkt der von dem internen Oszillator 104 der zu testenden Schaltungseinheit 101 gesteuerte Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklus auf der mindestens einen Wortleitung 102a102N auf sämtliche Schaltungsuntereinheiten 105a105M der zu testenden Schaltungseinheit simultan, wodurch sich der oben beschriebene Vorteil in einer Verkürzung eines Testablaufs ergibt.
  • Der von dem internen Oszillator 104 der zu testenden Schaltungseinheit 101 gesteuerte Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklus auf der mindestens einen Wortleitung 102a102N wird weiterhin mit einer Frequenz durchgeführt, welcher einer Frequenz des Wiederauffrischungszyklus der zu testenden Schaltungseinheit entspricht.
  • Die zu testende Schaltungseinheit, die allgemein aus einer vorgebbaren Anzahl von Schaltungsuntereinheiten 105a105M gebildet ist, kann als eine Speichereinheit bzw. eine DRAM-Einheit (DRAM = dynamic random access memory, dynamischer Schreib-Lese-Speicher) ausgebildet sein.
  • In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Komponenten oder Schritte.
  • 100
    Testvorrichtung
    101
    Zu testende Schaltungseinheit
    102a–102N
    Wortleitungen
    103
    Testsignal
    104
    Interner Oszillator
    105a–105M
    Schaltungsuntereinheiten
    106
    Taktsignal
    107
    Schalteinrichtung
    108
    Ringzähler
    109
    Testsignalerzeugungseinrichtung
    110
    Erste Pulserzeugungseinheit
    111
    Zweite Pulserzeugungseinheit
    112
    Registereinheit
    112a, 112b
    Unterregister
    113
    Dritte Pulserzeugungseinheit
    114
    Gattereinheit
    115
    Taktsignalaufbereitungseinheit
    200
    Datenleitungsausgang
    S201
    Wortleitungsauswahlschritt
    S202
    Aktivierungs-Deaktivierungsschritt
    S203
    Erster Abfrageschritt
    S204
    Wortleitungshochzählschritt
    S205
    Zweiter Abfrageschritt
    S206
    Testendeanzeigeschritt
    S207
    Dritter Abfrageschritt
    S208
    Wiederauffrischungszyklus-Zählschritt

Claims (10)

  1. Verfahren zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit (101), bei dem eine Testzeit reduziert ist, mit den Schritten: a) Einbringen der zu testenden Schaltungseinheit (101) in eine Testvorrichtung (100); a1) Erzeugen eines vorgebbaren Testsignals (103) mit einer Testsignalerzeugungseinrichtung (109); b) Aktivieren mindestens einer Wortleitung (102a102N) der zu testenden Schaltungseinheit (101) durch Anlegen mindestens eines Testsignals (103) an die Wortleitung (102a102N), wobei mindestens eine Wortleitung (102a102N) der zu testenden Schaltungseinheit (101) mit dem Testsignal (103) über einen Ringzähler (108) angesteuert wird; c) Deaktivieren der mindestens einen Wortleitung (102a102N) durch Entfernen des Testsignals (103) von der Wortleitung (102a102N), wobei der in den Schritten b) und c) durchgeführte Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklus auf der mindestens einen Wortleitung (102a102N) auf sämtliche Schaltungsuntereinheiten (105a105M) der zu testenden Schaltungseinheit (101) simultan wirkt; d) Auslesen der Wortleitungen unter sämtlichen Wortleitungen (102a102N), die nicht aktiviert und nicht deaktiviert wurden, um einen Einfluss des Aktivierens und Deaktivierens zu bestimmen, wobei ein Testergebnis während der Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklen als Wortleitungsspannungsänderung pro Zeiteinheit (du/dt) in Abhängigkeit von dem Aktivieren und Deaktivieren erhalten wird; und e) Ausgeben des Testergebnisses.
  2. Verfahren zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit (101) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Testsignal (103), mit welchem die mindestens eine Wortleitung (102a102N) aktiviert wird, aus einem internen Oszillator (104) der zu testenden Schaltungseinheit abgeleitet wird.
  3. Verfahren zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit (101) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass ein Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklus der mindestens einen Wortleitung (102a102N) von dem internen Oszillator (104) der zu testenden Schaltungseinheit (101) gesteuert wird.
  4. Verfahren zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit (101) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der von dem internen Oszillator (104) der zu testenden Schaltungseinheit (101) gesteuerte Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklus der mindestens einen Wortleitung (102a102N) einer Zeitgebung durch einen internen Wiederauffrischungszyklus entspricht.
  5. Verfahren zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit (101) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der von dem internen Oszillator (104) der zu testenden Schaltungseinheit (101) gesteuerte Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklus auf der mindestens einen Wortleitung (102a102N) mit einer Frequenz durchgeführt wird, welche einer Frequenz des Wiederauffrischungszyklus der zu testenden Schaltungseinheit (101) entspricht.
  6. Verfahren zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit (101) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der von dem internen Oszillator (104) der zu testenden Schaltungseinheit (101) gesteuerte Aktivierungs-Deaktivierungs-Zyklus innerhalb von 70 Nanosekunden (ns) ausgeführt wird.
  7. Verfahren zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit (101) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass an die zu testende Schaltungseinheit (101) nach einer vorgebbaren Zeitdauer ein Wiederauffrischungszyklus angelegt wird.
  8. Testvorrichtung zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit (101), mit: a) einem internen Oszillator (104) der zu testenden Schaltungseinheit (101) zur Ausgabe eines Taktsignals (106); b) einer Testsignalerzeugungseinrichtung (109) zur Erzeugung eines vorgebbaren Testsignals (103); c) einem Ringzähler (108) zur Ansteuerung mindestens einer Wortleitung (102a102N) der zu testenden Schaltungseinheit (101) mit dem Testsignal (103); und d) einer Taktsignalaufbereitungseinheit (115) zum Anlegen des Taktsignals (106) an den Ringzähler (108).
  9. Testvorrichtung zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit (101) nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die zu testende Schaltungseinheit (101) als eine Speichereinheit ausgebildet ist.
  10. Testvorrichtung zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit (101) nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die zu testende Schaltungseinheit (101) als eine DRAM-Einheit ausgebildet ist.
DE10136700A 2001-07-27 2001-07-27 Verfahren zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit und Testvorrichtung Expired - Fee Related DE10136700B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10136700A DE10136700B4 (de) 2001-07-27 2001-07-27 Verfahren zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit und Testvorrichtung
US10/206,785 US7039838B2 (en) 2001-07-27 2002-07-26 Method for testing a circuit unit to be tested and test apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10136700A DE10136700B4 (de) 2001-07-27 2001-07-27 Verfahren zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit und Testvorrichtung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10136700A1 DE10136700A1 (de) 2003-02-13
DE10136700B4 true DE10136700B4 (de) 2008-03-27

Family

ID=7693344

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10136700A Expired - Fee Related DE10136700B4 (de) 2001-07-27 2001-07-27 Verfahren zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit und Testvorrichtung

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7039838B2 (de)
DE (1) DE10136700B4 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7409609B2 (en) * 2005-03-14 2008-08-05 Infineon Technologies Flash Gmbh & Co. Kg Integrated circuit with a control input that can be disabled

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6038181A (en) * 1998-08-18 2000-03-14 Internatioal Business Machines Corp. Efficient semiconductor burn-in circuit and method of operation
DE19740933C2 (de) * 1997-09-17 2000-05-18 Siemens Ag Dynamischer Speicher mit zwei Betriebsarten

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0206743A3 (de) * 1985-06-20 1990-04-25 Texas Instruments Incorporated Asynchroner FIFO-Puffer mit Null-Durchfallzeit und eindeutiger Leer/Voll-Angabe
IT1265136B1 (it) * 1992-06-29 1996-10-31 Fujitsu Ltd Dispositivo di memoria a semiconduttori avente una funzione di auto- ricarica
KR0171930B1 (ko) * 1993-12-15 1999-03-30 모리시다 요이치 반도체 메모리, 동화기억 메모리, 동화기억장치, 동화표시장치, 정지화기억 메모리 및 전자노트
JPH1166841A (ja) * 1997-08-22 1999-03-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US6067261A (en) * 1998-08-03 2000-05-23 International Business Machines Corporation Timing of wordline activation for DC burn-in of a DRAM with the self-refresh
JP2001076500A (ja) * 1999-06-28 2001-03-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JP4712183B2 (ja) * 2000-11-30 2011-06-29 富士通セミコンダクター株式会社 同期型半導体装置、及び試験システム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19740933C2 (de) * 1997-09-17 2000-05-18 Siemens Ag Dynamischer Speicher mit zwei Betriebsarten
US6038181A (en) * 1998-08-18 2000-03-14 Internatioal Business Machines Corp. Efficient semiconductor burn-in circuit and method of operation

Also Published As

Publication number Publication date
US7039838B2 (en) 2006-05-02
DE10136700A1 (de) 2003-02-13
US20030056162A1 (en) 2003-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69613424T2 (de) Schaltung und Verfahren zur Verminderung der Kompensation eines ferroelektrischen Kondensators durch Anlegung an die Plattenleitung von mehreren Impulsen nach einer Schreiboperation
DE10337855B4 (de) Schaltung und Verfahren zur Auswertung und Steuerung einer Auffrischungsrate von Speicherzellen eines dynamischen Speichers
DE69325119T2 (de) Taktsynchronisierter Halbleiterspeicheranordnung und Zugriffsverfahren
DE69613266T2 (de) Leseverfahren eines ferroelektrischen Speichers unter Verwendung von unterschiedlichen Lese- und Schreibespannungen
DE3587223T2 (de) Unabhängige Matrixtaktierung.
DE69229118T2 (de) Generatorarchitektur für Einzeltor RAM mit Hochleistungsfähigkeit
DE4017616C2 (de)
DE69626769T2 (de) Spannungspumpenschaltung für Halbleiterspeicheranordnung
DE69326654T2 (de) Einbrennprüfeingabeschaltung eines Halbleiterspeichergeräts und Einbrennprüfverfahren dafür
DE3022118C2 (de) Ansteuerschaltung für ein Zeichen/Graphik-Anzeigegerät
DE10049029B4 (de) Schaltung und Verfahren zur Latenzbestimmung, Pufferschaltung mit variabler Latenz und Speicherbauelement
DE69221005T2 (de) Dynamische RAM-Einrichtung mit einem Selektor für mehrere Wortleitungen, der bei einem Einbrenntest verwendet wird
DE10307244A1 (de) Automatische Vorladesteuerungsschaltung und zugehöriges Vorladesteuerungsverfahren
DE10315248A1 (de) Eingebaute Selbsttestschaltung
DE4034167C2 (de)
DE4333765A1 (de) Halbleiterspeichervorrichtung
DE69532376T2 (de) Schaltung und Verfahren zum Zugriff auf Speicherzellen einer Speicheranordnung
DE10121708B4 (de) Halbleiterspeichereinrichtung und Verfahren zum Ändern von Ausgangsdaten dieser Einrichtung
DE4236455A1 (de) Halbleiterspeichereinrichtung mit einer bitweisen Schreibfunktion im Page-Mode
DE69128978T2 (de) Dynamische Speicheranordnung und ihre Prüfungsverfahren
DE102004031451A1 (de) Halbleiterspeichervorrichtung zur Lieferung einer stabilen Hochspannung während eines Auto-Refresh-Vorgangs und Verfahren dazu
DE10136700B4 (de) Verfahren zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit und Testvorrichtung
DE10135966B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum On-Chip-Testen von Speicherzellen einer integrierten Speicherschaltung
DE10323237B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Optimierung der Funktionsweise von DRAM-Speicherelementen
DE10037706A1 (de) Schaltung zum Betreiben eines nichtflüchtigen ferroelektrischen Speichers

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

8364 No opposition during term of opposition
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE

Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE

Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE

Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 85579 NEUBIBERG, DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee