DE10128570A1 - Verbesserte Anstiegsgeschwindigkeit in Verstärkerschaltungen - Google Patents
Verbesserte Anstiegsgeschwindigkeit in VerstärkerschaltungenInfo
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Abstract
Eine Verstärkerschaltung umfaßt eine Eingangsstufe, die ein Eingangssignal empfangen und verstärken kann, eine Verstärkungsstufe, die elektrisch mit der Eingangsstufe verbunden ist, die das Eingangssignal weiter verstärken kann, und eine Ausgangsstufe, die elektrisch mit der Verstärkungsstufe verbunden ist, eine eine Kapazität der Verstärkerschaltung laden und das verstärkte Eingangssignal ausgeben kann. Die Verstärkungsstufe der Verstärkerschaltung umfaßt ein Paar Verstärkungstransistoren, deren Basisanschlüsse elektrisch mit der Eingangsstufe verbunden sind, deren Kollektoranschlüsse elektrisch mit einem Pfad zur Erde verbunden sind, und deren Emitteranschlüsse elektrisch mit der Ausgangsstufe verbunden sind.
Description
Die Erfindung bezieht sich allgemein auf das Feld der elek
tronischen Schaltungen und insbesondere auf das Steigern der
Anstiegsraten in elektronischen Schaltungen, wie Verstärker
schaltungen.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf Hochge
schwindigkeitsvorrichtungen, wie Kommunikationssysteme, An
zeigen und dergleichen, wobei sich diese von Mobiltelefonen
bis zu Computeranzeigevorrichtungen erstrecken, in denen das
Großsignalverhalten des Verstärkers ein wichtiges Merkmal
darstellt. Die vorliegende Erfindung schließt eine Vielzahl
von Gestaltungen ein, die Techniken liefern können, um ein
gutes Großsignalverhalten in einer Vielzahl von Schaltungsan
ordnungen zu erzielen.
Analoge Schaltungselemente in einem System müssen einen spe
zifizierten Signalhub an das nächste Element in der Schaltung
anlegen. Das nächste Element weist oft einen für den maxima
len Dynamikbereich, wie den vollen Umfangspegel eines Analog-
Digital-Wandlers, notwendige Signalhub auf. Wenn sich Systeme
für die Verwendung mit höheren Bandbreiten entwickeln, so er
reichen analoge Schaltungselemente, insbesondere Elemente mit
einer Rückkopplung, ihre Großsignalgrenzen. Die Großsignal
leistung wird gewöhnlicherweise als Anstiegsrate gemessen,
wobei diese als die maximale Rate der Spannungsänderung, die
bei einer Schaltung an einem vorgegebenen Knoten möglich ist,
definiert wird.
Die klassische Grenze der Anstiegsrate in einem Verstärker
tritt häufig auf, wenn eine Stufe im Verstärker (gewöhnlich
erweise eine Eingangsstufe) einen festen maximalen Strom auf
weist und diese Stufe eine Kapazität laden muß. Dies ist ge
zeigt in Fig. 1, die eine Verstärkerschaltung 10, die eine
Eingangsstufe 20 und eine Ausgangsstufe 30 enthält, zeigt.
Die Eingangsstufe 20 liefert einen Strom mit einem festen Ma
ximalwert an die Ausgangsstufe 30, und dieser Strom kann an
einen Kondensator 104, der sich in der Ausgangsstufe 30 be
findet, gelegt werden.
Wie in Fig. 1 gezeigt ist, so umfaßt die Eingangsstufe 20
ein differentielles Paar von Transistoren 101 und 102, die
ein differentielles Eingangssignal 111 an ihren jeweiligen
Basisanschlüssen 110 und 112 empfangen. Das differentielle
Eingangssignal 111 steuert, wie viel Strom durch die Transi
storen 101 und 102 fließt. Ein Stromgenerator 103 ist mit den
Transistoren 101 und 102 an ihren jeweiligen Emitteranschlüs
sen 114 und 116 verbunden. Der Stromgenerator 103 liefert
eine Stromverstärkungsschaltung 10, wobei dieser Strom typi
scherweise einen festen maximalen Wert aufweist. Somit ist
der maximale Strom, den die Transistoren 101 und 102 an die
Ausgangsstufe 30 und schließlich an den Kondensator 104 anle
gen können, der Strom, der vom Stromgenerator 103 erzeugt
wird. Dies kann dann die maximale Laderate des Kondensators
104 durch die Strom-Spannungsbeziehung eines Kondensators
bestimmen:
δV/δt = I/C,
wobei δV/δt die Zeitrate der Änderung der Spannung (Anstiegs
rate), I der Strom 103 und C die Kapazität 104 ist.
Um die Schaltung der Eingangsstufe 20 zu komplettieren, um
fassen die Transistoren 101 und 102 ein Paar Kollektoran
schlüsse 118 und 120, die elektrisch mit einem Paar Wider
stände 105 und 106 verbunden sind. Die Widerstände 105 und
106 sind wiederum mit Pfad zur Erde 122 verbunden.
Die Ausgangsstufe 30 umfaßt einen Transistor 107 mit einem
Emitteranschluß 124, der elektrisch mit dem Kollektoranschluß
120 des Transistors 102 verbunden ist. Der Transistor 107
wird mit einer Referenzspannung 129, die an den Basisanschluß
126 des Transistors 107 gelegt wird, betrieben. Der Transi
stor 107 weist auch einen Kollektoranschluß 128, der mit dem
Kondensator 104 über die Ausgangsleitung 132 verbunden ist,
auf, und der Kondensator 104 ist wiederum mit einem Pfad zur
Erde 130 verbunden. Die Ausgangsleitung 132 ist typischer
weise mit einer zusätzlichen Schaltung verbunden, wobei diese
für den Zweck dieser Beschreibung keine Beziehung zur Ver
stärkerschaltung 10 aufweist und deswegen nicht dargestellt
ist.
Während eine Vielzahl von Techniken angewandt werden, um die
Anstiegsrate zu verbessern, so erzielt doch keine einzige Ge
staltung ihre Ziele, ohne die Leistung in anderen Bereichen
zu beschränken. Beispielsweise ist eine im Stand der Technik
allgemein bekannte Technik die Gegenkopplung der Eingangs
stufe. Diese Technik liefert größere Anstiegsraten, aber sie
erhöht das Rauschen und sie verschlechtert die Leerlaufver
stärkung. Eine andere übliche Technik verwendet eine Ein
gangsstufe, die keine Strombegrenzung aufweist, wobei ein
Beispiel dieser Technik im US-Patent 5,049,653, das an Smith
et al. erteilt wurde, und das hiermit durch Bezugnahme einge
schlossen wird, beschrieben ist. Diese Technik wird üblicher
weise in Verstärkern mit Stromrückkopplung verwendet und
wurde auch in Verstärkern mit Spannungsrückkopplung implemen
tiert. Der Nachteil der nicht strombegrenzten Eingangsstufe
besteht darin, daß mehr Spannung benötigt wird, um die Stufe
vorzuspannen, was sie bei Anwendungen, die mit einer niedri
gen Versorgungsspannung oder einer Batterie betrieben werden,
nicht verwendbar macht.
Zusätzlich ist es nicht ausführbar, eine nicht strombegrenzte
Eingangsstufe in Anwendungen mit einer einzigen Spannungsver
sorgung, die es erforderlich machen, daß der gemeinsame Ein
gangsbereich eine oder beide Spannungsversorgungen umfaßt, zu
verwenden. Somit wird, obwohl Lösungen für die Probleme, die
in dieser Beschreibung erwähnt wurden, existieren, von keiner
Lösung angenommen, daß sie das passende Gleichgewicht mitein
ander wetteifernden Belange in den meisten Anwendungen lie
fert, wobei sicher keine Lösung die verschiedenen Kriterien,
die nun durch die vorliegende Erfindung, insbesondere im Ge
biet niedriger Spannungen, einer einzigen Versorgung oder ei
ner Versorgung mit einer Batterie, erfüllt werden, erfüllen.
Somit besteht ein Bedürfnis nach einem verbesserten Verstär
kersystem und einem Verfahren, das die Anstiegsrate einer
Schaltung nicht begrenzt.
Die Nachteile und Probleme, die mit aktuell verwendeten Ver
stärkern, die eine strombegrenzende Stufe und ähnliche Schal
tungen aufweisen, verbunden sind, konnten unter Verwendung
der vorliegenden Erfindung behoben werden.
Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung umfaßt eine Ver
stärkerschaltung eine Eingangsstufe, die ein Eingangssignal
empfangen und verstärken kann, eine Verstärkungsstufe, die
das Eingangssignal weiter verstärken kann, wobei die Verstär
kungsstufe elektrisch mit der Eingangsstufe verbunden ist,
und eine Ausgangsstufe, die eine Kapazität der Verstärker
schaltung laden und das verstärkte Eingangssignal ausgeben
kann, wobei die Ausgangsstufe elektrisch mit der Verstär
kungsstufe verbunden ist.
Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung umfaßt die
Eingangsstufe der Verstärkungsschaltung ein differentielles
Paar von Transistoren, wobei jeder Transistor eine Basis, ei
nen Emitter und einen Kollektor aufweist, einen Stromgenera
tor, der elektrisch mit den Emitteranschlüsse des differenti
ellen Paars von Transistoren verbunden ist, ein Paar Ein
gangsleitungen, die elektrisch mit den Basisanschlüssen des
differentiellen Paars von Transistoren verbunden sind, wobei
die Eingangsleitungen konfiguriert sind, um ein Eingangssi
gnal zu führen, ein Paar Widerstände, die elektrisch mit den
Kollektoranschlüssen des differentiellen Paars von Transisto
ren verbunden sind, und einen Pfad zur Erde, der elektrisch
mit dem Paar der Widerstände verbunden ist.
Gemäß einer nochmals anderen Ausführungsform der Erfindung
umfaßt die Verstärkungsstufe der Verstärkerschaltung ein Paar
Verstärkungstransistoren, wobei jeder Verstärkungstransistor
eine Basis, einen Emitter und einen Kollektor umfaßt, wobei
die Basisanschlüsse der Verstärkungstransistoren elektrisch
mit der Eingangsstufe verbunden sind, wobei die Kollektoran
schlüsse der Verstärkungstransistoren elektrisch mit einem
Pfad zur Erde verbunden sind, und wobei die Emitteranschlüsse
der Verstärkungstransistoren elektrisch mit der Ausgangsstufe
verbunden sind.
Und gemäß einer nochmals andere Ausführungsform der Erfindung
umfaßt die Ausgangsstufe der Verstärkerschaltung ein Paar
Ausgangstransistoren, wobei jeder Ausgangstransistor eine Ba
sis, einen Emitter und einen Kollektor umfaßt, wobei die
Emitter elektrisch mit der Verstärkungsstufe verbunden sind,
eine Referenzspannungsleitung, die elektrisch mit den Basis
anschlüssen der Ausgangstransistoren verbunden ist, wobei die
Referenzspannungsleitung konfiguriert ist, um ein Referenz
spannungssignal zu führen, und ein Paar Ausgangsleitungen,
die elektrisch mit den Kollektoranschlüssen der Ausgangstran
sistoren verbunden sind.
Ein wichtiger technischer Vorteil der vorliegenden Erfindung
umfaßt das Anlegen der verstärkten Eingangssignale, die in
der Eingangsstufe einer Verstärkerschaltung produziert wer
den, an die Basisanschlüsse der Transistoren in einer Ver
stärkungsstufe einer Verstärkerschaltung. Diese Konfiguration
unterbricht die typische direkte Beziehung zwischen der Ein
gangsstufe und der Ausgangsstufe einer Verstärkerschaltung.
So kann hier, wenn die nur einen kleinen Stromwert aufweisen
den Eingangsstufensignale von der Ausgangsstufe der Verstär
kerschaltung gelöst werden, die Ausgangsstufe frei bei höhe
ren Strömen arbeiten. Das Ergebnis ist eine Erhöhung der An
stiegsrate der Verstärkerschaltung.
Für ein vollständigeres Verständnis der vorliegenden Erfin
dung und ihrer weiteren Merkmale und Vorteile wird nun auf
die folgende Beschreibung in Verbindung mit den begleitenden
Zeichnungen Bezug genommen.
Fig. 1 ist ein schematisches Diagramm einer Schaltung, die
die Quelle der Begrenzung der Anstiegsrate zeigt;
Fig. 2 ist ein Blockdiagramm, das eine Ausführungsform der
Erfindung zeigt;
Fig. 3 ist ein schematisches Diagramm einer bekannten Schal
tung, die eine Begrenzung der Anstiegsrate aufweist; und
Fig. 4 ist ein schematisches Diagramm einer Schaltung, die
gemäß einer Ausführungsform der Erfindung konstruiert ist.
Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung und ihre
Vorteile werden am besten durch Bezugnahme auf die Zeich
nungsfiguren 2 bis 4 deutlich. Gleiche Zahlen werden für
gleiche und korrespondierende Teile in den verschiedenen
Zeichnungen verwendet.
Die Erfindung umfaßt Systeme und Verfahren für das Bereit
stellen von elektronischen Schaltungen, die im Vergleich zu
bekannten Systemen eine hohe Anstiegsrate aufweisen. Zusätz
lich zu einer Erhöhung der Anstiegsrate hat die Erfindung
viele andere praktische Merkmale, wie zum Beispiel, daß sie
das Rauschen nicht erhöht, während sie die Verstärkung der
Schaltung aufrecht hält. Die Erfindung gestattet es auch, daß
der Gleichtakteingabesignalbereich eine oder beide Spannungs
versorgungen umfaßt. Die Erfindung erzeugt diese Verbesserung
der Anstiegsrate durch die Verwendung von Verstärkungsstufen,
die in eine Vielzahl elektronischer Schaltungen eingeschlos
sen werden können. Beispielsweise kann die Erfindung in Tele
kommunikationsgeräte, die Mobiltelefone oder PCS-Telefone
einschließen, mit Batterie oder einer niedrigen Spannung ver
sorgte Geräte und die meisten elektronischen Schaltungen, die
Verstärkerschaltungen verwenden, eingebaut werden.
Fig. 2 ist ein Blockdiagramm, das eine grobe Ansicht einer
Ausführungsform der Erfindung zeigt. Diese Ausführungsform
beginnt mit einem Eingangssignal 200, wobei dieses ein diffe
rentielles Eingangssignal, wie es in Fig. 1 gezeigt ist,
sein kann. Das Eingangssignal 200 wird an eine Strombegren
zungsstufe 201 angelegt, und diese Stufe ist ähnlich zur Ein
gangsstufe 20 der Fig. 1 aufgebaut. Das Eingangssignal 200
wird durch die Strombegrenzungsstufe 201 verstärkt, und das
sich ergebende verstärkte Signal wird dann an eine Hochstrom
stufe 202 angelegt. In dieser Ausführungsform wird anders als
bei der Schaltung, die in Fig. 1 gezeigt ist, das verstärkte
Signal an die Hochstromstufe 202 derart angelegt, daß die
Hochstromstufe 202 nicht durch den begrenzten Strom der Stufe
201 begrenzt wird. Die Hochstromstufe 202 weist deswegen ei
nen viel höheren maximalen Strom als die Strombegrenzungs
stufe 201 auf. Die Hochstromstufe 202 gibt dann ein höherer
Stromsignal an einen Kondensator 203 weiter, und der Konden
sator 203 kann mit einem Pfad zur Erde 204 (wie in Fig. 2
gezeigt) oder mit zusätzlichen Schaltungselementen verbunden
sein. Die Verwendung eines höheren Stromsignals kann die An
stiegsrate der gesamten Schaltung erhöhen.
Fig. 3 ist ein schematisches Diagramm einer Eingangsschal
tung 300, die gemeinhin in Verstärkern mit einer einzigen
Versorgungsspannung verwendet wird. Die Eingangsschaltung 300
umfaßt eine Eingangsstufe 312 und eine Ausgangsstufe 314. Die
Eingangsstufe 312 empfängt und verstärkt ein Eingangssignal
und gibt dann dieses verstärkte Signal an die Ausgangsstufe
314. Die Ausgangsstufe 314 kann den Strom, der von der Ein
gangsstufe 312 über das verstärkte Eingangssignal geliefert
wird, verwenden, um ein Paar Kondensatoren 306 und 307 aufzu
laden, und sie kann den Strom an die anderen Schaltungsele
mente, die sich außerhalb der Eingangsschaltung 300 befinden,
weitergeben.
Die Eingangsstufe 312 weist ein Paar Transistoren 301 und
302, die ein einfaches Differentialpaar bilden, auf. Der
Transistor 301 umfaßt einen Emitter- oder Sourceanschluß 316,
einen Basis- oder Gateanschluß 318 und einen Kollektor- oder
Drainanschluß 320. Der Transistor 302 umfaßt einen Emitteran
schluß 322, einen Basisanschluß 324 und einen Kollektoran
schluß 326. Die Transistoren 301 und 302 als auch irgendwel
che oder alle der anderen hier beschriebenen Transistoren
können Bipolartransistoren, wie pnp- oder npn-Bipolartransi
storen sein. Alternativ können die hier beschriebenen Transi
storen andere Transistoren oder Vorrichtungen, wie Feldef
fekttransistoren, umfassen. Die Transistoren können als ein
zelne Bauteile, wie sie hier beschrieben sind, ausgebildet
sein, oder sie können mehrere Vorrichtungen wie zusammenge
setzte Emitterfolger, Darlington-Schaltungen oder andere zu
sammengesetzte Transistorschaltungen umfassen.
Ein Differentialpaar ist ein Verstärker mit zwei Transisto
ren, in dem ein differentielles Eingangssignal 328 an die Ba
sisanschlüsse 318 und 324 der beiden Transistoren 301 und 302
über ein Paar Eingangsleitungen 327 und 329 angelegt wird.
Das Ausgangssignal wird dann in differentieller Weise von den
Kollektoranschlüssen 320 und 326 abgenommen. Im Differential
paar sind die Emitteranschlüsse 316 und 322 gemeinsam mit ei
nem Konstantstromgenerator 303 verbunden. Der Stromgenerator
303 liefert einen Strom an die Eingangsstufe 312 und weist
typischerweise eine festen maximalen Grenzwert auf.
Die Kollektoren 320 und 326 der Transistoren 301 und 302 sind
mit einem Paar Widerstände 304 und 305 belastet. Die Wider
stände 304 und 305 bilden einen Puffer zwischen dem Differen
tialpaar und einen Pfad zur Erde 330, ohne den der Strom in
der Eingangsstufe 312 direkt und stark nach Erde abfließen
würde, und die Schaltung somit nicht funktionieren würde. Der
Pfad zur Erde 330 kann zusätzlichen Schaltungen, die hier
nicht gezeigt sind, umfassen.
Die Ausgangsstufe 314 umfaßt ein Paar Transistoren 308 und
309, die elektrisch mit der Eingangsstufe 312 verbunden sind.
Insbesondere weisen die Transistoren 308 und 309 Emitteran
schlüsse 332 und 334 auf, die elektrisch mit den Kollektoren
320 und 326 der Transistoren 301 und 302 verbunden sind, und
die elektrisch mit dem Widerständen 304 und 305 verbunden
sind. Die Transistoren 308 und 309 umfassen auch Basisan
schlüsse 336 und 338, die mit einer Referenzspannungsein
gangsleitung 344 verbunden sind, und Kollektoranschlüsse 340
und 342, die mit Ausgangsleitungen 310 und 311 verbunden
sind. Die Transistoren 308 und 309 können über die Ausgangs
leitungen 310 und 311 ein Paar Kondensatoren 306 und 307 an
steuern (wobei diese eine Kombination aus einer parasitären
Kapazität und eine Kompensationskapazität darstellen können),
und sie können eine zusätzliche Schaltung, die nicht gezeigt
ist, ansteuern.
Die Kondensatoren 306 und 307 können mit einem Pfad zur Erde
346 (nicht gezeigt) verbunden sein, oder sie können mit ande
ren Schaltungselementen, die für die Eingangsschaltung 300 in
dieser Beschreibung nicht relevant sind, verbunden sein. Die
Referenzspannungseingangsleitung 344 trägt eine Referenzspan
nung 345, die typischerweise so eingestellt wird, daß die
Transistoren 308 und 309 dieselbe Menge des Stroms wie die
Transistoren 301 und 302 leiten, wenn sich die Eingangsschal
tung 300 in einem ausgeglichenen Ruhezustand befindet (das
heißt, ein Zustand, bei dem das differentielle Eingangssignal
328 ungefähr Null ist).
Die Transkonduktanzverstärkung der Eingangsschaltung 300 in
Fig. 3 ist für ein kleines differentielles Eingangssignal
328, das zwischen den Basisanschlüssen 318 und 324 der Tran
sistoren 301 und 302 angelegt wird, ungefähr die Transkonduk
tanz eines Differentialpaares, die sich folgendermaßen er
gibt:
Iout = gm (Vin/2)
wobei Iout die Änderung (gegenüber dem Gleichgewichtszustand)
in einem der Ströme auf den Ausgangsleitungen 310 oder 311
darstellt, Vin das differentielle Eingangssignal 328 dar
stellt, und gm die Kleinsignaltranskonduktanz der Eingangs
transistoren 301 und 302 darstellt.
Der maximale Ausgangsstrom tritt auf, wenn eine relativ große
differentielle Spannung durch das differentielle Eingangssi
gnal 328 angelegt wird. Es werde angenommen, daß das diffe
rentielle Eingangssignal 328 bis zu dem Punkt erhöht wird,
bei dem der ganze Strom vom Stromgenerator 303 durch den
Transistor 302 fließt, und bei dem kein Strom durch den Tran
sistor 301 fließt. Ein niedriges Stromsignal oder gar kein
Stromsignal wird dann an den Emitteranschluß 332 des Transi
stors 308 angelegt, und ein hohes Stromsignal wird an den
Emitteranschluß 334 des Transistors 309 angelegt. Unter die
sen Bedingungen wird der Transistor 308 durchgängig sein, da
das Referenzspannungssignal 344 einen höheren Strom am Basis
anschluß 336 als den niedrigen oder gar keinen Strom am Emit
teranschluß 332 liefert, und somit wird Strom durch den Tran
sistor 308 fließen. Der Transistor 309 wird andererseits
schließen, da das Referenzspannungssignal 344 einen Strom am
Basisanschluß 338 liefert, der geringer als das hohe Stromsi
gnal am Emitteranschluß 334 ist, und es wird dem Strom nicht
gestattet, durch den Transistor 309 zu fließen.
Das Schließen des Transistors 309 bewirkt, daß sich der Strom
auf der Ausgangsleitung 311 dem Wert Null nähert, und das
Öffnen des Transistors 308 bewirkt, daß sich der Strom auf
der Ausgangsleitung 310 verdoppelt (was somit den Strom auf
der Ausgangsleitung 310 gleich dem Strom macht, der durch den
Stromgenerator 303 erzeugt wird). Somit ist der maximale Aus
gangsstrom der Schaltung 300 in Fig. 3 auf den Eingangs
strom, der durch den Stromgenerator 303 geliefert wird, be
grenzt.
Fig. 4 ist ein schematisches Diagramm einer Eingangsschal
tung 400 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, bei der
eine Hochstromstufe, die ähnlich der Hochstromstufe 202 der
Fig. 2 ist, dem System hinzugefügt wurde. Diese Hochstrom
stufe wird hier durch eine Verstärkungsstufe 418 geliefert.
Die Eingangsschaltung 400 umfaßt auch eine Eingangsstufe 416
und eine Ausgangsstufe 420, ähnlich der Eingangsschaltung 300
der Fig. 3. Die Verstärkungsstufe 418 ist zwischen der Ein
gangsstufe 416 und der Ausgangsstufe 420 angeordnet, und sie
funktioniert als eine Zwischenschaltung, um zu verhindern,
daß der mit niedrigen Strom durchgeführte Betrieb der Ein
gangsstufe 416 den Stromfluß in der Ausgangsstufe 420 be
schränkt.
Die Eingangsstufe 416 umfaßt Transistoren 401 und 402, die
ein einfaches differentielles Paar ähnlich dem differentiel
len Paar in Fig. 3 bilden. Die Transistoren 401 und 402 um
fassen Basisanschlüsse 422 und 424, die mit den Eingangslei
tungen 426 und 428 verbunden sind, wobei die Eingangsleitun
gen 426 und 428 ein differentielles Eingangssignal 430 tra
gen. Die Transistoren 401 und 402 umfassen auch Emitteran
schlüsse 432 und 434, die mit einem Stromgenerator 403 ver
bunden sind. Wie in der Fig. 3 liefert der Stromgenerator
403 einen konstanten Strom zur Eingangsstufe 416, und er
weist typischerweise einen festen maximalen Grenzwert auf.
Schließlich umfassen die Transistoren 401 und 402 Kollektor
anschlüsse 436 und 438, die mit Widerständen 404 und 405 be
lastet sind, wobei diese wiederum mit einem Pfad zur Erde 448
verbunden sind.
Die Verstärkungsstufe 418 wird durch die Transistoren 412 und
413 gebildet. Das Hinzufügen der Transistoren 412 und 413 ge
stattet es, daß der maximale Ausgangsstrom größer als der
Strom, der durch den Stromgenerator 403 geliefert wird, ist.
Hier wird das verstärkte Eingangssignal, das durch die Ein
gangsstufe 416 erzeugt wird, primär dazu verwendet, die Tran
sistoren 412 und 413 der Verstärkungsstufe 418 zu betreiben,
und es wird nicht verwendet, um Strom in die Ausgangsstufe
420 zu liefern. Dies erfolgt durch die Verbindung der Kollek
toren 436 und 438 der Widerstände 401 und 402 mit einem Paar
Basisanschlüsse 440 und 442 auf den Transistoren 412 und 413.
Nun wird Strom, der von den Kollektoren 436 und 438 fließt,
die Transistoren 412 und 413 der Verstärkungsstufe 418 steu
ern. Die Transistoren 412 und 413 umfassen auch Kollektoran
schlüsse 444 und 446, die mit dem Pfad zur Erde 448 verbunden
sind, und Emitteranschlüsse 450 und 452, die mit der Aus
gangsstufe 420 verbunden sind.
Die Ausgangsstufe 420 ist in ähnlicher Weise wie die Aus
gangsstufe 314 der Fig. 3 konstruiert. Die Ausgangsstufe 420
umfaßt ein Paar Transistoren 408 und 409, die mit den Aus
gangsleitungen 410 und 411 verbunden sind, und sie kann ein
Paar von Kondensatoren 406 und 407 (die wiederum eine Kombi
nation einer parasitären Kapazität und einer Kompensationska
pazität darstellen können) einschließen. Die Ausgangsleitun
gen 410 und 411 können mit einer zusätzlichen Schaltung ver
bunden sein, wobei diese aber im Zuge dieser Beschreibung für
die Eingangsschaltung 400 nicht relevant ist, und deshalb
nicht gezeigt ist. Die Kondensatoren 406 und 407 sind mit
Ausgangsleitungen 410 und 411 verbunden, und sie können mit
einem Pfad zur Erde 454 (wie das gezeigt ist) oder mit einer
zusätzlichen (nicht gezeigten) Schaltung verbunden sein. Die
Transistoren 408 und 409 können Kondensatoren 406 und 407
über Ausgangsleitungen 410 und 411 ansteuern.
Die Transistoren 408 und 409 umfassen Emitteranschlüsse 456
und 458, Kollektoranschlüsse 460 und 462 und Basisanschlüsse
464 und 466. Die Emitteranschlüsse 456 und 458 sind mit der
Verstärkungsstufe 418 über Emitteranschlüsse 450 und 452 der
Transistoren 412 und 413 verbunden. Die Kollektoranschlüsse
460 und 462 sind mit den Ausgangsleitungen 410 und 411 ver
bunden. Die Basisanschlüsse 464 und 466 sind mit einer Refe
renzspannungsleitung 468, die eine Referenzspannung 470
führt, verbunden.
Die Referenzspannung 470 kann in Abhängigkeit von der gefor
derten Leistung der Eingangsschaltung 400 auf eine Vielzahl
von Arten eingestellt werden. Dieses Merkmal als auch die
Vorteile der Eingangsschaltung 400 können durch einige Bei
spiele demonstriert werden. Die folgenden Beispiele sollen
nur als Darstellungen der vorteilhaften Leistungen der Ein
gangsschaltung 400 dienen, und sie sollen nicht als eine Ein
schränkung der Erfindung aufgefaßt werden.
Im ersten Beispiel kann die Bezugsspannung 470 so eingestellt
werden, daß die Transkonduktanzverstärkung der Eingangsschal
tung 400 der Fig. 4 gleich ist der Transkonduktanzverstär
kung der Eingangsschaltung 300 der Fig. 3. Dies kann er
reicht werden, indem die Summe der Transkonduktanzen (gm) der
Transistoren 412 und 408 gleich der Inversen des Widerstands
werts des Widerstands 404 gemacht wird. In ähnlicher Weise
könnte die Summe der Transkonduktanzen der Transistoren 413
und 409 gleich der Inversen des Widerstandswert des Wider
stands 405 gemacht werden. Dies würde die Verstärkung der
Schaltungen der Fig. 3 und 4 gleich machen.
Der maximale Ausgangsstrom in Fig. 4 kann so auftreten, wie
das in Fig. 3 der Fall ist, wenn eine relativ große diffe
rentielle Spannung durch das differentielle Eingangssignal
430 angelegt wird. Man nehme an, daß das differentielle Ein
gangssignal 430 bis zum Punkt erhöht wird, bei dem der ge
samte Strom, der durch den Stromgenerator 403 geliefert wird,
durch den Transistor 402 fließt, und gar kein Strom durch den
Transistor 401 fließt. Dies kann bewirken, daß der Spannungs
abfall über dem Widerstand 405 auf das Doppelte seines Ruhe
wertes geht, und daß sich der Spannungsabfall über dem Wider
stand 404 dem Wert null nähert. Diese Spannung kann an die
Transistoren 412, 413, 408 und 409 angelegt werden, was be
wirkt, daß sich der Strom auf der Ausgangsleitung 411 dem
Wert null nähert, und der Strom auf der Ausgangsleitung 410
nicht linear zunimmt. Hier weist der Strom auf der Ausgangs
leitung 410 keine abrupte Grenze auf, wie er dies in der Ein
gangsschaltung 300 der Fig. 3 tat. Der Strom auf der Aus
gangsleitung 410 ist nur durch die Größe der angelegten Span
nung und die Transistorverstärkung bei hohen Strömen be
grenzt.
Im zweiten Beispiel wird der Vorteil der Eingangsschaltung
400 unter Verwendung numerischer Werte gezeigt. Hier kann der
Ruhewert des Spannungsabfalls über den Widerständen 404 und
405 auf 250 mV festgelegt werden. Dies ist ein typischer Wert
für eine Schaltung, die es gestattet, daß die Gleichtaktspan
nung des differentiellen Eingangssignals 430 leicht negativ
wird und dennoch eine Verstärkerfunktion aufrecht hält. Der
Widerstandswert der Widerstände 404 und 405 kann dann auf 10
kΩ eingestellt werden. Dies bedeutet, daß der Strom, der
durch den Stromgenerator 403 geliefert wird, einen Wert von
ungefähr 50 µA aufweist. Damit die Verstärkung in der Schal
tung der Fig. 4 gleich der Verstärkung in der Schaltung der
Fig. 3 wird, muß die Summe der Transkonduktanzen der Transi
storen 412 und 408 gleich dem Inversen des Widerstandswertes
des Widerstands 404 sein. Dies bestimmt den Betriebsstrom der
Transistoren 412 und 408. Bei einem bipolaren Transistor
gilt:
gm = Ic/Vt
wobei Ic der Kollektorstrom und Vt die thermische Spannung
ist, die bei 27°C ungefähr 26 mV beträgt.
Damit die Summe von gm der Transistoren 412 und 408 gleich
1/10 kΩ ist, könnte der Ruhekollektorstrom der Transistoren
412 und 408 über die Referenzspannung 470 auf den Wert 1,3 µA
eingestellt werden. Man beachte, daß dies zu einer wesentli
chen Leistungseinsparung im Vergleich zu den Transistoren 308
und 309 in Fig. 3 führt, wobei diese bei einem Kollektor
strom von 25 µA betrieben werden, wenn man annimmt, daß der
Stromgenerator 303 einen Strom von 50 µA liefert, und die
Transistoren 308 und 309 dieselben Ströme wie die Transisto
ren 301 und 302 aufweisen.
Der maximale Ausgangsstrom kann aus der Strom-Spannungs-Be
ziehung eines bipolaren Transistors berechnet werden:
Ic = Is exp(Vbe/Vt)
wobei Ic den Kollektorstrom darstellt, Is ein Stromparameter
ist, der von der Transistorkonstruktion abhängt, exp() eine
Konstante e (2,72 . . .) zur Potenz erhoben darstellt, Vbe die
Basis-Emitter-Spannung und Vt die thermische Spannung dar
stellt.
Es ist auch nützlich, die Änderung des Kollektorstroms durch
die Änderung von Vbe zu berechnen.
Ic1/Ic2 = exp ( Vbe1-Vbe2)/Vt
In diesem numerischen Beispiel kann die Änderung von Vbe bei
jedem Transistor 412 und 408 die Hälfte der Spannung über dem
Widerstand 404 betragen. Die Änderung in Vbe kann 125 mv
betragen, wenn sich der Spannungsabfall über den Widerstand
405 in Ruhestellung von 250 mv auf 500 mv verdoppelt, und
sich der Spannungsabfall über dem Widerstand 404 von 250 mv
auf null reduziert. Dies kann zu einer Zunahme des Stroms in
der Ausgangsleitung 410, die das 122-fache des Ruhestroms von
1,3 µA beträgt, führen, was zu einem maximalen Ausgangsstrom
von über 150 µA führt, was dem Dreifachen des Stroms in der
Eingangsschaltung 300 in Fig. 3 entspricht.
Es sei nochmals gesagt, daß die oben gezeigten Werte, nur als
Beispiele und zur Darstellung der Erfindung dienen sollen. Es
sind viele Werte der Impedanz und des Stroms in Abhängigkeit
von speziellen Erfordernissen der Schaltung möglich.
Somit wurden Systeme und Verfahren für das Erhöhen der An
stiegsrate einer Schaltung durch das Minimieren der Wirkung
einer Strombegrenzungsstufe beschrieben. Im Gegensatz zu frü
her entwickelten Techniken, in welchen die Strombegrenzungs
stufen eine direkte Wirkung auf die nachfolgenden Schaltungs
elemente hatten, verwendet die vorliegende Erfindung eine
Zwischenverstärkungsstufe, die das Signal von der Strombe
grenzungsstufe als ein Steuersignal und nicht als ein Strom
liefersignal verwendet. Dies führt zu einer Ausgangsstufe,
bei der der Strom, der durch sie hindurch fließt, in nicht
eingeschränkter Weise maximiert werden kann. Die vorliegende
Erfindung liefert somit ein Verfahren für das Erhöhen der An
stiegsrate einer Schaltung, ohne daß zusätzliches Rauschen
gebildet wird und ohne, daß die verfügbare Verstärkung ver
schlechtert wird, wobei sie die Möglichkeit zur Erhöhung der
Anstiegsrate in einer Schaltung liefert, während sie dennoch
einen Betrieb mit einer einzigen Spannungsversorgung mit ei
nem niedrigen Spannungspegel gestattet, und sie weitere Merk
male bietet, die durch die Beschreibung und die Zeichnungen
deutlich und verständlich werden.
Während verschiedene Ausführungsformen der Erfindung gezeigt
und beschrieben wurden, werden Fachleute erkennen, daß viele
Änderungen vorgenommen werden können, ohne von den hier dar
gestellten erfinderischen Konzepten aufzuweichen. Somit
sollte die Erfindung nur durch die folgenden Ansprüche und
ihre Äquivalente eingeschränkt werden.
Claims (18)
1. Verstärkerschaltung, umfassend:
eine Eingangsstufe, die ein Eingangssignal empfangen und verstärken kann;
eine Verstärkungsstufe, die das Eingangssignal weiter verstärken kann, wobei die Verstärkungsstufe elektrisch mit der Eingangsstufe verbunden ist; und
eine Ausgangsstufe, die eine Kapazität der Verstärkungs schaltung laden und das verstärkte Eingangssignal ausgeben kann, wobei die Ausgangsstufe elektrisch mit der Verstär kungsstufe verbunden ist.
eine Eingangsstufe, die ein Eingangssignal empfangen und verstärken kann;
eine Verstärkungsstufe, die das Eingangssignal weiter verstärken kann, wobei die Verstärkungsstufe elektrisch mit der Eingangsstufe verbunden ist; und
eine Ausgangsstufe, die eine Kapazität der Verstärkungs schaltung laden und das verstärkte Eingangssignal ausgeben kann, wobei die Ausgangsstufe elektrisch mit der Verstär kungsstufe verbunden ist.
2. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, wobei die Eingangs
stufe folgendes umfaßt:
eine differentielles Paar Transistoren, wobei jeder Transistor eine Basis, einen Emitter und einen Kollektor auf weist;
einen Stromgenerator, der elektrisch mit den Emittern des differentiellen Paars der Transistoren verbunden ist;
ein Paar Eingangsleitungen, die elektrisch mit den Basisanschlüssen des differentiellen Paars von Transistoren verbunden sind, wobei die Eingangsleitungen konfiguriert sind, um ein Eingangssignal zu führen;
ein Paar Widerstände, die elektrisch mit den Kollektoren des differentiellen Paars von Transistoren verbunden sind; und
einen Pfad zur Erde, der elektrisch mit dem Paar der Wi derstände verbunden ist.
eine differentielles Paar Transistoren, wobei jeder Transistor eine Basis, einen Emitter und einen Kollektor auf weist;
einen Stromgenerator, der elektrisch mit den Emittern des differentiellen Paars der Transistoren verbunden ist;
ein Paar Eingangsleitungen, die elektrisch mit den Basisanschlüssen des differentiellen Paars von Transistoren verbunden sind, wobei die Eingangsleitungen konfiguriert sind, um ein Eingangssignal zu führen;
ein Paar Widerstände, die elektrisch mit den Kollektoren des differentiellen Paars von Transistoren verbunden sind; und
einen Pfad zur Erde, der elektrisch mit dem Paar der Wi derstände verbunden ist.
3. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, wobei die Verstär
kungsstufe folgendes umfaßt:
ein Paar Verstärkungstransistoren, wobei jeder Verstär kungstransistor eine Basis, einen Emitter und einen Kollektor umfaßt;
wobei die Basisanschlüsse der Verstärkungstransistoren elektrisch mit der Eingangsstufe verbunden sind;
wobei die Kollektoranschlüsse der Verstärkungstransisto ren elektrisch mit einem Pfad zur Erde verbunden sind; und
wobei die Emitteranschlüsse der Verstärkungstransistoren elektrisch mit der Ausgangsstufe verbunden sind.
ein Paar Verstärkungstransistoren, wobei jeder Verstär kungstransistor eine Basis, einen Emitter und einen Kollektor umfaßt;
wobei die Basisanschlüsse der Verstärkungstransistoren elektrisch mit der Eingangsstufe verbunden sind;
wobei die Kollektoranschlüsse der Verstärkungstransisto ren elektrisch mit einem Pfad zur Erde verbunden sind; und
wobei die Emitteranschlüsse der Verstärkungstransistoren elektrisch mit der Ausgangsstufe verbunden sind.
4. Verstärkungsschaltung nach Anspruch 1, wobei die Ausgangs
stufe folgendes umfaßt:
ein Paar Ausgangstransistoren, wobei jeder Ausgangstransistor eine Basis, einen Emitter und einen Kol lektor umfaßt, wobei die Emitter elektrisch mit der Verstär kungsstufe verbunden sind;
eine Referenzspannungsleitung, die elektrisch mit den Basisanschlüssen der Ausgangstransistoren verbunden ist, wo bei die Referenzspannungsleitung ausgebildet ist, um ein Re ferenzspannungssignal zu führen; und
ein Paar Ausgangsleitungen, die elektrisch mit den Kollektoranschlüssen der Ausgangstransistoren verbunden sind.
ein Paar Ausgangstransistoren, wobei jeder Ausgangstransistor eine Basis, einen Emitter und einen Kol lektor umfaßt, wobei die Emitter elektrisch mit der Verstär kungsstufe verbunden sind;
eine Referenzspannungsleitung, die elektrisch mit den Basisanschlüssen der Ausgangstransistoren verbunden ist, wo bei die Referenzspannungsleitung ausgebildet ist, um ein Re ferenzspannungssignal zu führen; und
ein Paar Ausgangsleitungen, die elektrisch mit den Kollektoranschlüssen der Ausgangstransistoren verbunden sind.
5. Verstärkerschaltung nach Anspruch 2, wobei jeder Transi
stor des differentiellen Paars einen Transistor aufweist, der
aus der Gruppe ausgewählt wurde, die aus Bipolartransistoren
und Feldeffekttransistoren besteht.
6. Verstärkerschaltung nach Anspruch 2, wobei der Stromgene
rator konfiguriert ist, um die Verstärkerschaltung mit einem
konstanten Strom zu versorgen.
7. Verstärkerschaltung nach Anspruch 3, wobei jeder Transi
stor des Paars von Verstärkungstransistoren einen Transistor
umfaßt, der aus der Gruppe ausgewählt wurde, die aus Bipolar
transistoren und Feldeffekttransistoren besteht.
8. Verstärkerschaltung nach Anspruch 4, wobei die Ausgangs
stufe weiter einen Kondensator, der elektrisch mit den Aus
gangsleitungen verbunden ist, umfaßt.
9. Verstärkerschaltung nach Anspruch 4, wobei jeder Transi
stor des Paars von Ausgangstransistoren einen Transistor auf
weist, der aus der Gruppe ausgewählt wurde, die aus Bipolar
transistoren und Feldeffekttransistoren besteht.
10. Verstärkerschaltung nach Anspruch 4, wobei das Referenz
spannungssignal so eingestellt wird, daß die Ausgangstransi
storen dieselbe Menge des Stroms wie die Eingangsstufe lei
ten, wenn das Eingangssignal sich in der Nähe von Null befin
det.
11. Verstärkerschaltung nach Anspruch 8, wobei der Kondensa
tor eine Vielzahl von Kondensatoren umfaßt.
12. Verstärkerschaltung nach Anspruch 8, wobei der Kondensa
tor die der Verstärkerschaltung inhärente Kapazität umfaßt.
13. Verstärkerschaltung umfassend:
eine Eingangsstufe, die ein Eingangssignal empfangen und verstärken kann, umfassend:
ein differentielles Paar von Transistoren, wobei jeder Transistor eine Basis, einen Emitter und einen Kollek tor umfaßt;
einen Stromgenerator, der elektrisch mit den Emitteranschlüssen des differentiellen Paars von Transistoren verbunden ist;
ein Paar Eingangsleitungen, die elektrisch mit den Basisanschlüssen des differentiellen Paars von Transistoren verbunden sind, wobei die Eingangsleitungen konfiguriert sind, damit sie ein Eingangssignal führen;
ein Paar Widerstände, die elektrisch mit den Rollektoren des differentiellen Paars von Transistoren ver bunden sind; und
einen Pfad zur Erde, der elektrisch mit dem Paar der Widerstände verbunden ist;
eine Verstärkungsstufe, die das Eingangssignal weiter verstärken kann, umfassend:
ein Paar Verstärkungstransistoren, wobei jeder Ver stärkungstransistor eine Basis, einen Emitter und einen Kol lektor umfaßt;
wobei die Basisanschlüsse der Verstärkungstransistoren elektrisch mit den Kollektoran schlüssen des differentiellen Paars von Transistoren verbun den sind; und
wobei die Kollektoranschlüsse der Verstärkungstransistoren elektrisch mit dem Pfad zur Erde verbunden sind; und
eine Ausgangsstufe, die eine Kapazität der Verstärker schaltung laden und das verstärkte Eingangssignal ausgeben kann, umfassend:
ein Paar Ausgangstransistoren, wobei jeder Ausgangstransistor eine Basis, einen Emitter und einen Kol lektor umfaßt,
wobei die Emitteranschlüsse des Paars der Ausgangs transistoren elektrisch mit den Emitteranschlüssen der Ver stärkungstransistoren verbunden sind;
eine Referenzspannungsleitung, die elektrisch mit den Basisanschlüssen der Ausgangstransistoren verbunden ist,
wobei die Referenzspannungsleitung konfiguriert ist, um ein Referenzspannungssignal zu führen; und
ein Paar Ausgangsleitungen, die elektrisch mit den Kollektoren der Ausgangstransistoren verbunden sind.
eine Eingangsstufe, die ein Eingangssignal empfangen und verstärken kann, umfassend:
ein differentielles Paar von Transistoren, wobei jeder Transistor eine Basis, einen Emitter und einen Kollek tor umfaßt;
einen Stromgenerator, der elektrisch mit den Emitteranschlüssen des differentiellen Paars von Transistoren verbunden ist;
ein Paar Eingangsleitungen, die elektrisch mit den Basisanschlüssen des differentiellen Paars von Transistoren verbunden sind, wobei die Eingangsleitungen konfiguriert sind, damit sie ein Eingangssignal führen;
ein Paar Widerstände, die elektrisch mit den Rollektoren des differentiellen Paars von Transistoren ver bunden sind; und
einen Pfad zur Erde, der elektrisch mit dem Paar der Widerstände verbunden ist;
eine Verstärkungsstufe, die das Eingangssignal weiter verstärken kann, umfassend:
ein Paar Verstärkungstransistoren, wobei jeder Ver stärkungstransistor eine Basis, einen Emitter und einen Kol lektor umfaßt;
wobei die Basisanschlüsse der Verstärkungstransistoren elektrisch mit den Kollektoran schlüssen des differentiellen Paars von Transistoren verbun den sind; und
wobei die Kollektoranschlüsse der Verstärkungstransistoren elektrisch mit dem Pfad zur Erde verbunden sind; und
eine Ausgangsstufe, die eine Kapazität der Verstärker schaltung laden und das verstärkte Eingangssignal ausgeben kann, umfassend:
ein Paar Ausgangstransistoren, wobei jeder Ausgangstransistor eine Basis, einen Emitter und einen Kol lektor umfaßt,
wobei die Emitteranschlüsse des Paars der Ausgangs transistoren elektrisch mit den Emitteranschlüssen der Ver stärkungstransistoren verbunden sind;
eine Referenzspannungsleitung, die elektrisch mit den Basisanschlüssen der Ausgangstransistoren verbunden ist,
wobei die Referenzspannungsleitung konfiguriert ist, um ein Referenzspannungssignal zu führen; und
ein Paar Ausgangsleitungen, die elektrisch mit den Kollektoren der Ausgangstransistoren verbunden sind.
14. Verstärkerschaltung nach Anspruch 13, wobei jeder Transi
stor des differentiellen Paars einen Transistor umfaßt, der
aus der Gruppe ausgewählt wurde, die aus bipolaren Transisto
ren und Feldeffekttransistoren besteht.
15. Verstärkerschaltung nach Anspruch 13, wobei jeder Transi
stor des Paars von Verstärkungstransistoren einen Transistor
umfaßt, der aus der Gruppe ausgewählt wurde, die aus bipola
ren Transistoren und Feldeffekttransistoren besteht.
16. Verstärkerschaltung nach Anspruch 13, wobei die Ausgangs
stufe weiter einen Kondensator, der elektrisch mit den Aus
gangsleitungen verbunden ist, umfaßt.
17. Verstärkerschaltung nach Anspruch 13, wobei jeder Transi
stor des Paars von Ausgangstransistoren einen Transistor um
faßt, der aus der Gruppe ausgewählt wurde, die aus bipolaren
Transistoren und Feldeffekttransistoren besteht.
18. Verfahren zur Verstärkung eines elektrischen Differenti
alsignals, umfassend:
Empfangen eines Differentialeingangssignals;
Verstärken des Differentialeingangssignals;
Anlegen des verstärkten Differentialsignals an die Basisanschlüsse der Steuertransistoren einer Verstärkungs stufe; und
Steuern des Stroms, der in einer Ausgangsstufe fließt, unter Verwendung der Steuertransistoren.
Empfangen eines Differentialeingangssignals;
Verstärken des Differentialeingangssignals;
Anlegen des verstärkten Differentialsignals an die Basisanschlüsse der Steuertransistoren einer Verstärkungs stufe; und
Steuern des Stroms, der in einer Ausgangsstufe fließt, unter Verwendung der Steuertransistoren.
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