DE10106564B4 - Bondierungsanschlussflächenanordnung - Google Patents

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Abstract

Bondierungsanschlussflächenanordnung, die bei einem Halbleitergerät (200) einsetzbar und elektrisch mit einem Signalverbindungspunkt (202) des Halbleitergeräts (200) verbunden ist, wobei die Bondierungsanschlußflächenanordnung aufweist:
eine kreisförmige Bondierungsanschlussfläche (206);
eine Dielektrikumsschicht (205), die zwischen der Bondierungsanschlussfläche (206) und dem Signalverbindungspunkt (202) angeordnet ist, wobei ein kreisringförmiger leitender Kanal (204') in der Dielektrikumsschicht (205) vorgesehen ist und der leitende Kanal zur elektrischen Verbindung des Signalverbindungspunktes (202), und der Bondierungsanschlussfläche (206) verwendet wird, wobei der Signalverbindungspunkt (202) eine kreisförmige Fläche aufweist; und
eine Schutzschicht (208), welche die Bondierungsanschlussflächenanordnung abdeckt, wobei die kreisförmige Bondierungsanschlussfläche freigelegt ist.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Bondierungsanschlußflächenanordnung und insbesondere eine derartige Bondierungsanschlußflächenanordnung, bei welcher die Bondierungsfläche eine Form aufweist, bei welcher scharfe Ecken vermieden werden, also beispielsweise die Form eines Kreises oder einer Ellipse.
  • In einer frühen Stufe eines Verfahrens zur Herstellung von Halbleitern werden Prozeduren unter Verwendung von Photomasken eingesetzt, die jeweils zur Festlegung aktiver Bereiche, von Gateanordnungen, von Kontaktanordnungen zwischen Metallschichten und Source/Drainbereichen, von Mustern mehrerer Metallverbindungen, und von Bondierungsanschlußflächen verwendet werden. Infolge von Anforderungen wie einer höheren Integrationsdichte von Halbleitergeräten und höheren Geschwindigkeiten der Funktionen oder der Datenverarbeitung werden immer mehr Signalverbindungspunkte erforderlich, und nimmt deren Anzahl signifikant zu. Mit zunehmender Anzahl von Signalverbindungspunkten nimmt auch die Anzahl von Bondierungsanschlußflächen für die jeweiligen Signalverbindungspunkte signifikant zu. Nachdem die Bondierungsanschlußflächen ausgebildet wurden, schließt sich daran ein Prozeß an, bei welchem die integrierten Schaltungen (ICs) in Gehäuse eingebracht werden. Die elektrische Verbindung des Halbleitergeräts und der Bondierungsanschlußflächen und die Verbindung von Golddrähten mit Leiterrahmen umfassen die Verwendung von sogenanntem Bondierungsdraht. Die Abmessungen des Golddrahts liegen im Bereich von etwa 20 bis 50 μm. Der Zweck des Drahtbondierens besteht darin, die Bondierungsanschlußflächen des Halbleitergeräts mit dem internen Leitungsabschnitt des Leiterrahmens zu verbinden, durch den Signale des Halbleitergeräts an ein externes Gerät übertragen werden können.
  • Bei dem Prozeß des Drahtbondierens dient die Bondierungsanschlußfläche des Halbleitergeräts als ein erster Bondierungspunkt, und dient der interne Leitungsabschnitt des Leiterrahmens als ein zweiter Bondierungspunkt. Dann wird ein Ende des Golddrahts erwärmt und zu einer kleinen Kugel geschmolzen, und wird der Abschnitt mit der kleinen Kugel auf der Bondierungsanschlußfläche durch Einwirkung von Ultraschallwellen zusammengedrückt. Der Golddraht wird mit dem internen Leitungsabschnitt des Leiterrahmens verbunden, nachdem er entlang einem vorbestimmten Weg geführt wurde, und wird dann abgebrochen.
  • Der Vorgang der Drahtbondierung wird immer wieder wiederholt, bis sämtliche Verbindungen fertiggestellt sind. Während des Drahtbondierungsprozesses werden die Ultraschallwellen dazu eingesetzt, die kleine Kugel auf der Bondierungsanschlußfläche zu komprimieren, und daher kann eine Schutzschicht oder eine Dielektrikumsschicht um die Bondierungsanschlußflächen herum leicht durch die mechanischen Spannungen reißen, die durch die Ultraschallwellen hervorgerufen werden. Nach dem Prozeß des Drahtbondierens wird das Halbleitergerät mit einem Gehäuse versehen, und können unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten (CTE) zwischen Epoxyharz und einer Schutzschicht dazu führen, daß die Schutzschicht oder die Dielektrikumsschicht an einem Punkt reißt, an dem sich die mechanischen Spannungen konzentrieren.
  • Die 1a bis 1f umfassen Aufsichten und Querschnittsansichten einer herkömmlichen Bondierungsanschlußfläche in Form eines Quadrats. In den 1a bis 1f sind Signalverbindungspunkte 102 dargestellt, die auf einem Halbleitergerät 100 liegen, und direkt oder über verschiedene Arten von Stopfen 104 elektrisch mit einer Bondierungsanschlußfläche 106 verbunden sind. Die Stopfen 104 in einer Dielektrikumsschicht 105, die in den 1a bis 1e gezeigt sind, sind dazu vorgesehen, Rauschen zu verhindern, das durch Antenneneffekte hervorgerufen wird.
  • Nach der Verbindung jeder Bondierungsanschlußfläche 106 und des zugehörigen Signalverbindungspunktes 102 wird eine Schutzschicht 108 über dem Halbleitergerät 100 ausgebildet, und wird dann durch einen Photolithographieprozeß und einen sich daran anschließenden Ätzprozeß bearbeitet, um die Bondierungsanschlußfläche 106 freizulegen. Daher werden die Bondierungsanschlußflächen 106 in dem Halbleitergerät 100 gegeneinander durch die Schutzschicht 108 isoliert. Infolge der quadratischen Form der Bondierungsanschlußflächen 106 bei dem herkömmlichen Gerät kann es einfach geschehen, daß sich die Spannungen zwischen der Bondierungsanschlußfläche 106 und der Schutzschicht 108 an den Ecken der Bondierungsanschlußfläche 106 konzentrieren, infolge des abrupten Abfalls des Querschnitts der Schutzschicht 108. Die Querschnittsfläche der Schutzschicht 108 neben der Bondierungsanschlußfläche 16 und in deren Nähe ist erheblich größer als die Querschnittsfläche der Schutzschicht 108 zwischen einem zentralen Abschnitt zweier benachbarter Bondierungsanschlußflächen 106. Der Unterschied der Querschnittsflächen der Schutzschicht 108 wird signifikant von der Ecke der Bondierungsanschlußfläche 106 zum Zentrumsabschnitt der beiden benachbarten Bondierungsanschlußflächen 106 hin verringert. Dies stellt den Grund dafür dar, daß sich die Spannungen an der Ecke der Bondierungsanschlußfläche 106 konzentrieren.
  • Die quadratisch ausgebildete Bondierungsanschlußfläche 106 verursacht das Problem, daß sich die mechanischen Spannungen zwischen der Schutzschicht 108 und der Bondierungsanschlußfläche 106 an der Ecke der Bondierungsanschlußfläche 106 konzentrieren. Bei dem späteren Drahtbondierungsprozeß wird die kleine Goldkugel auf der Bondierungsanschlußfläche 106 mit Hilfe von Ultraschallwellen komprimiert, wobei allerdings die Ultraschallwellen leicht dazu führen können, daß die Schutzschicht 108 und die Dielektrikumsschicht 105 abreißen. Nach der Prozedur der Gehäuseausbildung kann die Schutzschicht 108 oder die Dielektrikumsschicht 105 plötzlich einen Punkt aufweisen, an dem sich die mechanischen Spannungen konzentrieren, infolge des unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten bei dem Epoxyharz und dem Wafer.
  • Die quadratische Form der Bondierungsanschlußfläche kann dazu führen, daß sich die mechanischen Spannungen an der Ecke der Bondierungsanschlußfläche konzentrieren, und dann kann ein Abreißen der Schutzschicht oder der Dielektrikumsschicht bei den sich anschließenden Schritten des Drahtbondierens und der Gehäuseausbildung auftreten.
  • In der Offenlegungsschrift DE 195 31 691 A1 wird eine Kontaktierungsanschlussstruktur für eine Halbleitervorrichtung offenbart, die zwei Verdrahtungsschichten und eine dazwischenliegende Isolierschicht aufweist, wobei die Form der zweiten Verdrahtungsschicht nicht notwendigerweise rechteckig ist.
  • In der JP 05-343466 A wird eine Anschlussfläche für eine Halbleitervorrichtung offenbart, die zwei Al-Verdrahtungsschichten und eine dazwischenliegende Isolierschicht aufweist, wobei die Verdrahtungsschichten über in der Isolierschicht vorgesehene Öffnungen elektrisch miteinander verbunden sind.
  • In der JP 03-153048 A wird eine Anschlussfläche beschrieben, die eine polygone oder kreisförmige Form aufweist, um mechanische Spannungen zu reduzieren.
    •
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Bondierungsanschlußflächenanordnung in Verbindung mit einem Signalverbindungspunkt eines Halbleitergeräts zur Verfügung zu stellen, in dem insgesamt mechanische Spannungen weiter minimiert werden, insbesondere mechanische Spannungen auch an dem Signalverbindungspunkt verringert werden.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Bondierungsanschlußflächenanordnung zur Verfügung gestellt, die kreis- oder ellipsenförmig ist. Die Kreis- oder Ellipsenform der Bondierungsanschlußflächenanordnung kann eine abrupte Abnahme des Querschnitts der Schutzschicht infolge der allmählichen Änderung der Eckigkeit verhindern. Durch eine derartige Form können daher die mechanischen Spannungen besser verteilt werden, und kann das Abreißen der Schutzschicht nach den Vorgängen des Drahtbondierens und der Gehäuseausbildung verhindert werden. Insbesondere ist aber die Bondierungsanschlußfläche in der erfindungsgemäßen Anordnung elektrisch mit einem Signalverbindungspunkt verbunden, der für eine kreisförmige Bondierungsanschlußfläche ebenfalls eine kreisförmige und für eine ellipsenförmige Bondierungsanschlußfläche ebenfalls eine ellipsenförmig Fläche aufweist.
  • Es wird darauf hingewiesen, daß sowohl die voranstehende, allgemeine Beschreibung als auch die nachstehende, detaillierte Beschreibung als beispielhaft zu verstehen sind, und zum besseren Verständnis der vorliegenden Erfindung dienen sollen.
    •
  • Die Erfindung wird nachstehend anhand zeichnerisch dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert, aus denen weitere Vorteile und Merkmale hervorgehen. Es zeigt:
  • 1a bis 1f Aufsichten und Querschnittsansichten eines herkömmlichen Halbleitergeräts mit quadratischen Bondierungsanschlußflächen;
  • 2 ein Spannungskonzentrationsfaktordiagramm, welches das Verhältnis (Radius zur kleinen Entfernung, r/d) in Abhängigkeit von dem Spannungskonzentrationsfaktor K erläutert, wobei der kleine Einschub in dem Diagramm dasselbe Material an unterschiedlichen Teilen der Querschnittsfläche zeigt (D → d);
  • 3a bis 3f Aufsichten und Querschnittsansichten eines Halbleitergeräts mit kreisringförmigen Bondierungsanschlußflächen gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung; und
  • 4a bis 4f Aufsichten und Querschnittsansichten eines Halbleitergeräts mit ellipsenförmigen Bondierungsanschlußflächen gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung.
  • In 2 ist die Beziehung zwischen dem Spannungskonzentrationsfaktor K und einem Kurvenverhältnis (r/d) bei verschiedenen Querschnittsflächen (D → d) im selben Material dargestellt. Mit D ist eine größere Breite des Materials im Querschnitt bezeichnet, mit d eine kleinere Breite des Materials im Querschnitt, und mit r/d das Kurvenverhältnis von Flächen zwischen der Fläche mit der Breite D des Materials und der Fläche mit der Breite d des Materials im Querschnitt. Es sind vier unterschiedliche Werte angegeben, die eine abrupte Abnahme der Querschnittsfläche in dem Material angeben, und diese sind D/d = 1,50, D/d = 2,00, D/d = 3,00 sowie D/d = 4,00. Der Spannungskonzentrationsfaktor K nimmt nicht linear ab, wenn die Krümmung (Verhältnis des Radius zur kleinen Entfernung, r/d) zunimmt. An einer Grenzfläche zwischen einem Abschnitt des Materials mit einer größeren Querschnittsfläche und einem Abschnitt des Materials mit einer kleineren Querschnittsfläche wird daher, wenn ein besseres, nämlich größeres Kurvenverhältnis (r/d) vorgesehen wird, die abrupte Abnahme der Querschnittsfläche verringert, also verbessert.
  • Daher verringert sich der Spannungskonzentrationsfaktor K, so daß die Stärke der mechanischen Spannungen besser verteilt wird.
  • Bei der herkömmlichen Ausbildung der Bondierungsanschlußfläche 106 und der Schutzschicht 108, wie sie in den 1a bis 1f gezeigt ist, ist das Problem der Konzentration mechanischer Spannungen an der Grenzfläche zwischen einer größeren Querschnittsfläche und einer kleineren Querschnittsfläche in der Schutzschicht 108 vorhanden. Gemäß 2 ist bei der Bondierungsanschlußfläche 106 in Form eines Quadrats das Verhältnis (r/d) in der Ecke annähernd gleich Null, so daß eine maximale mechanische Spannung bei dem Prozeß der Ausbildung eines Gehäuses auftritt. Diese maximale Spannung kann zu der Schwierigkeit der Rißbildung bei dem nächsten Prozeß führen.
  • Daher stellt die vorliegende Erfindung eine Bondierungsanschlußfläche in Form eines Kreises oder einer Ellipse zur Verfügung, wodurch das Kurvenverhältnis (r/d) an der Grenzfläche einer größeren Querschnittsfläche und einer kleineren Querschnittsfläche erhöht wird. Dies bedeutet, daß ein kleinerer Spannungskonzentrationsfaktor K durch Verbesserung und Erhöhung des Kurvenverhältnisses (r/d) erzielt wird.
  • In den 3a bis 3f sind Aufsichten und Querschnittsansichten eines Halbleitergeräts 200 mit kreisringförmigen Bondierungsanschlußflächen gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung dargestellt. Die Aufsichten in den 3a bis 3f zeigen einen kreisförmigen Signalverbindungspunkt 202 auf einem Halbleitergerät 200, der elektrisch mit einer kreisringförmigen Bondierungsanschlußfläche 206 verbunden ist, entweder über Stopfen 204 mit unterschiedlicher Ausbildung, runde Leiter 204' in einer Dielektrikumsschicht 205, oder direkt.
  • In 3a sind die Stopfen 204 der Dielektrikumsschicht 205 gleichmäßig in Form einer Matrix verteilt, abgedeckt durch die kreisringförmige Bondierungsanschlußfläche 206. In 3b sind die Stopfen 204 als kreisringförmiges Feld unter der Platte der kreisringförmigen Bondierungsanschlußfläche 206 vorgesehen. In 3c sind die Stopfen 204 unter dem Zentrumsabschnitt der kreisringförmigen Bondierungsanschlußfläche 206 angeordnet. In 3d sind die Stopfen 206 in Form eines Kreuzes unter der kreisringförmigen Bondierungsanschlußfläche 206 vorgesehen.
  • Wie in 3e gezeigt ist, sind der kreisförmige Signalverbindungspunkt 202 und die kreisringförmige Bondierungsanschlußfläche 206 miteinander über den runden Leiter 204' verbunden. In 3f ist der kreisförmige Signalverbindungspunkt 202 direkt mit der kreisringförmigen Bondierungsanschlußfläche 206 verbunden. Das Herstellungsverfahren für die Stopfen 204 und den runden Leiter 204' besteht darin, die Dielektrikumsschicht 205 über dem kreisförmigen Signalverbindungspunkt 202 herzustellen, um mehrere Löcher in der Dielektrikumsschicht 205 durch Lithographie- und Ätzprozesse auszubilden, und ein leitfähiges Material in die mehreren Löcher einzufüllen, so daß der Stopfen 204 und der runde Leiter 204' ausgebildet werden. In den 3a bis 3e sind die Auswirkungen der Stopfen 204 und des runden Leiters 204' ähnlich jenen bei der herkömmlichen Konstruktion, und bestehen darin, das Rauschen zu verhindern, das durch Antenneneffekte hervorgerufen wird.
  • Nachdem jede der Bondierungsanschlußflächen 206 mit dem zugehörigen kreisförmigen Signalverbindungspunkt 202 verbunden wurde, wird eine Schutzschicht 208 über dem Halbleitergerät 200 hergestellt. Die Schutzschicht 208 wird dann durch Lithographie- und Ätzprozesse bearbeitet, um die kreisringförmigen Bondierungsanschlußflächen 206 freizulegen. Daher werden die kreisringförmigen Bondierungsanschlußflächen 206 gegeneinander durch die Schutzschicht 208 isoliert. Das Material der Schutzschicht 208 ist beispielsweise Siliziumnitrid oder Siliziumdioxid. Das Material der kreisringförmigen Bondierungsanschlußflächen 206 ist beispielsweise Aluminium (Al).
  • Wie aus den 3a bis 3f hervorgeht, sind die Bondierungsanschlußflächen 206 kreisringförmig ausgebildet, und weisen keine scharfen oder spitzen Ecken auf. Durch diese Konstruktion kann eine abrupte Abnahme des Querschnitts der Schutzschicht 208 infolge einer allmählichen Abnahme der Eckigkeit verhindert werden. Daher können die mechanischen Spannungen gleichmäßig um die kreisringförmigen Bondierungsanschlußflächen 206 und die Schutzschicht 208 herum verteilt werden.
  • Die 4a bis 4f sind Aufsichten und Querschnittsansichten eines Halbleitergeräts, das eine Bondierungsanschlußfläche in Form einer Ellipse aufweist. Die Anordnungen in den 4a bis 4f sind ansonsten ähnlich jenen, die in den 3a bis 3f gezeigt sind. Ein ellipsenförmiger Signalverbindungspunkt 302 auf einem Halbleitergerät 300 ist elektrisch mit einer ellipsenförmigen Bondierungsanschlußfläche 306 verbunden, entweder über Stopfen 304 mit unterschiedlichen Anordnungen, einen runden Leiter 304' in einer Dielektrikumsschicht 305, oder direkt. Sowohl der Stopfen 304 als auch der runde Leiter 304' sind so ausgebildet, daß hierdurch Rauschen verhindert wird, das durch Antenneneffekte hervorgerufen werden könnte. Die Verteilung der Stopfen 304 und des runden Leiters 304' sind ähnlich wie bei der Anordnung, die in den 3a bis 3f gezeigt ist. Die ellipsenförmigen Bondierungsanschlußflächen 306 sind gegeneinander durch eine Schutzschicht 308 aus einem Dielektrikumsmaterial isoliert.
  • Bei der in den 4a bis 4f dargestellten Ausführungsform weisen die Bondierungsanschlußflächen 306 die Formen von Ellipsen auf, was bedeutet, daß keine scharfen Ecken vorhanden sind. Diese Konstruktion kann daher eine abrupte Abnahme der Querschnitte der Schutzschicht 308 infolge einer allmählichen Änderung der Eckigkeit verhindern. Daher können die mechanischen Spannungen gleichmäßig um die ellipsenförmigen Bondierungsanschlußflächen 306 und die Schutzschicht 308 herum verteilt werden.
  • Bei den voranstehend geschilderten Ausführungsformen sind die Bondierungsanschlußflächen 206 oder 306 jeweils so ausgebildet, daß sie die Form eines Kreises bzw. einer Ellipse aufweisen. Mechanische Spannungen werden daher ordnungsgemäß und gleichförmig zwischen den Bondierungsanschlußflächen und der Schutzschicht verteilt. Daher wird das Problem ausgeschaltet, daß eine Konzentration der mechanischen Spannungen auftritt. Probleme im Hinblick auf eine Rißbildung beim Einsatz von Ultraschallwellen zum Komprimieren des Golddrahts auf den Bondierungsanschlußflächen werden verhindert. Aus demselben Grund, infolge der guten Verteilung der mechanischen Spannungen zwischen den Bondierungsanschlußflächen und der Schutzschicht, treten nach dem Vorgang der Gehäuseausbildung keine Probleme in Bezug auf eine Rißbildung bei der Schutzschicht 208 oder der Schutzschicht 308 infolge des unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Epoxyharz und dem Wafer auf.
  • Die vorliegende Erfindung weist einige Vorteile auf, von denen einige nachstehend im einzelnen ausgeführt sind:
    • 1. Die vorliegende Erfindung stellt eine Ausbildung einer Bondierungsanschlußfläche mit einer Form, bei welcher keine scharfen Ecken auftreten, für ein Halbleitergerät zur Verfügung. Beispielsweise wird, wie dies anhand der beiden Ausführungsformen beschrieben wurde, eine Anordnung mit Kreisform oder Ellipsenform der Bondierungsanschlußfläche zur Verfügung gestellt. Hierdurch können die mechanischen Spannungen zwischen der Schutzschicht und der Bondierungsanschlußfläche verteilt werden. Weiterhin kann verhindert werden, daß sich die mechanischen Spannungen zu stark an gewissen Punkten konzentrieren. Daher treten keine Probleme in Bezug auf eine Rißbildung auf, da eine übermäßige Konzentration mechanischer Spannungen vermieden wird.
    • 2. Die besondere Ausbildung der Bondierungsanschlußfläche mit einer Form, bei welcher keine scharfen Ecken auftreten, beispielsweise der Form eines Kreises oder der Ellipse, gemäß der vorliegenden Erfindung, kann verhindern, daß Probleme in Bezug auf eine Rißbildung bei dem sich anschließenden Prozeß auftreten. Zum Beispiel tritt bei dem folgenden Prozeß des Drahtbondierens unter Verwendung von Ultraschallwellen zum Komprimieren des dünnen Drahts auf der Bondierungsanschlußfläche kein Problem in Bezug auf eine Rißbildung auf.
    • 3. Die besondere Ausbildung der Bondierungsanschlußfläche mit einer Form, bei welcher scharfe Ecken vermieden werden, beispielsweise in Form eines Kreises oder einer Ellipse, gemäß der Erfindung, kann darüber hinaus Probleme in Bezug auf eine Rißbildung bei der Schutzschicht infolge eines unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten bei dem Epoxyharz und dem Wafer verhindern.
  • Fachleuten auf diesem Gebiet wird deutlich werden, daß sich verschiedene Abänderungen und Variationen bei der Anordnung gemäß der vorliegenden Erfindung vornehmen lassen, ohne vom Wesen und Umfang der Erfindung abzuweichen, die sich aus der Gesamtheit der vorliegenden Anmeldeunterlagen ergeben und von den beigefügten Patentansprüchen umfaßt sein sollen.

Claims (3)

  1. Bondierungsanschlussflächenanordnung, die bei einem Halbleitergerät (200) einsetzbar und elektrisch mit einem Signalverbindungspunkt (202) des Halbleitergeräts (200) verbunden ist, wobei die Bondierungsanschlußflächenanordnung aufweist: eine kreisförmige Bondierungsanschlussfläche (206); eine Dielektrikumsschicht (205), die zwischen der Bondierungsanschlussfläche (206) und dem Signalverbindungspunkt (202) angeordnet ist, wobei ein kreisringförmiger leitender Kanal (204') in der Dielektrikumsschicht (205) vorgesehen ist und der leitende Kanal zur elektrischen Verbindung des Signalverbindungspunktes (202), und der Bondierungsanschlussfläche (206) verwendet wird, wobei der Signalverbindungspunkt (202) eine kreisförmige Fläche aufweist; und eine Schutzschicht (208), welche die Bondierungsanschlussflächenanordnung abdeckt, wobei die kreisförmige Bondierungsanschlussfläche freigelegt ist.
  2. Bondierungsanschlussflächenanordnung, die bei einem Halbleitergerät (300) einsetzbar und elektrisch mit einem Signalverbindungspunkt (302) des Halbleitergeräts (300) verbunden ist, wobei die Bondierungsanschlußflächenanordnung aufweist: eine elliptische Bondierungsanschlussfläche (306); eine Dielektrikumsschicht (305), die zwischen der Bondierungsanschlussfläche (306) und dem Signalverbindungspunkt (302) angeordnet ist, wobei ein elliptischringförmiger leitender Kanal (304') in der Dielektrikumsschicht (305) vorgesehen ist und der leitende Kanal zur elektrischen Verbindung des Signalverbindungspunktes (302), und der Bondierungsanschlussfläche (306) verwendet wird, wobei der Signalverbindungspunkt (302) eine elliptische Fläche aufweist; und eine Schutzschicht (308), welche die Bondierungsanschlussflächenanordnung abdeckt, wobei die elliptische Bondierungsanschlußfläche freigelegt ist.
  3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Material der Bondierungsansschlußfläche Aluminium (Al) ist.
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