DE10062014A1 - Verfahren zum Dünnen und Separieren selektierter Bereiche dünner Scheiben und scheibenförmiges Werkstück - Google Patents
Verfahren zum Dünnen und Separieren selektierter Bereiche dünner Scheiben und scheibenförmiges WerkstückInfo
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Abstract
Bei flachen Werkstücken in Scheibenform, beispielsweise bei Halbleiterwafern, stellen sich häufig die Probleme einer exakten Trennung einzelner Bereiche, beispielsweise integrierter Schaltkreise auf den dünnen Scheiben beziehungsweise der weiteren Dünnung der Scheiben in selektierten Bereichen. Konventionell übliche Verfahren des Sägens beziehungsweise Fräsens solcher Werkstückscheiben stoßen mit abnehmender Dicke der zu bearbeitenden Werkstücke auf zunehmende technische Probleme. Die Erfindung ist daher gerichtet auf ein Verfahren zum Dünnen von selektierten Bereichen von dünnen Scheiben (1) mit einer Basisdicke, wobei die Scheibe eine erste (1b) und eine zweite (1a) Oberfläche aufweist, mit folgenden Schritten: - Aufbringen einer ätzfesten Abdeckung (2) auf zumindest einen Stegbereich (3) der ersten Oberfläche (1b) der Scheibe (1), der nicht gedünnt werden soll und - Wegätzen von nicht abgedeckten, derart selektierten Bereichen (4) von der ersten Oberfläche (1b) bis zu einer Tiefe, bei der die Scheibe (1) in den selektierten Bereichen eine vorgegebene Zieldicke aufweist, die geringer ist als die Basisdicke, während der zumindest eine Stegbereich (3) mit der Basisdicke und die diese Stegbereiche (3) mit den selektierten Bereichen (4) verbindenden Seitenwände (5) erhalten bleiben. Das Verfahren kann die weiteren Schritte aufweisen: - Entfernen der Abdeckung (2); - Abdecken der zur zweiten Oberfläche im wesentlichen parallelen Bereiche der ersten Oberfläche (1b) der ...
Description
Verfahren zum Dünnen und Separieren selektierter Bereiche
dünner Scheiben und scheibenförmiges Werkstück
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Dünnen selektierter
Bereiche von dünnen Werkstückscheiben und ein Verfahren zum
Separieren von Bereichen einer dünnen Werkstückscheibe.
Bei flachen Werkstücken in Scheibenform, beispielsweise bei
Halbleiterwafern, stellen sich häufig die Probleme einer
exakten Trennung einzelner Bereiche, beispielsweise
integrierter Schaltkreise auf den dünnen Scheiben
beziehungsweise der weiteren Dünnung der Scheiben in
selektierten Bereichen. Konventionell übliche Verfahren des
Sägens beziehungsweise Fräsens solcher Werkstückscheiben
stoßen mit abnehmender Dicke der zu bearbeitenden Werkstücke
auf zunehmende technische Probleme. Gerade im Laufe des
Herstellungsprozesses von Halbleiterbausteinen, die zunehmend
dünner hergestellt werden, treten solche Probleme zutage.
Üblicherweise werden die Siliziumscheiben am Ende des
Herstellungsprozesses dünn geschliffen, eventuell durch ein
gleichmäßiges Naß- oder Trockenätzen weiter gedünnt und dann
in die Einzelchips zersägt. Die Siliziumscheibe ist dabei auf
eine Kunststoffolie in einem sogenannten Sägerahmen
aufgeklebt. Die integrierten Halbleiter werden nach dem Sägen
von der Folie einzeln abgenommen. Dieses Verfahren
funktioniert jedoch nur bis zu gewissen Scheibendicken, wobei
die Grenze bei etwa 70 µm Scheibendicke anzusehen ist. Aus
Kostengründen sowie für spezielle Anwendungen, beispielsweise
Chipkarten, besteht jedoch ein starker und wachsender Bedarf
an immer dünneren integrierten Halbleitern, so daß die
bisherigen Verfahren hier an ihre Grenzen gestoßen sind.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, Verfahren
bereitzustellen, mit denen dünne Werkstücke einerseits
erzeugt und andererseits voneinander getrennt werden können.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die
Bereitstellung eines Verfahrens zum Dünnen von selektierten
Bereichen dünner Werkstückscheiben gemäß dem unabhängigen
Patentanspruch 1, ein Verfahren zum Separieren von Bereichen
einer dünnen Werkstückscheibe gemäß dem unabhängigen
Patentanspruch 14, sowie eines scheibenförmigen Werkstücks
gemäß dem unabhängigen Patentanspruch 17. Weitere
vorteilhafte Ausgestaltungen, Aspekte und Details der
vorliegenden Erfindung ergeben sich aus den abhängigen
Patentansprüchen, der Beschreibung und der beigefügten
Zeichnung.
Der Erfindung liegt die Idee zugrunde, zunächst die
scheibenförmigen Werkstücke in selektierten Bereichen gezielt
auf eine Zieldicke zu dünnen und sodann in einem
selbstjustierten Ätz-Trennschritt die einzelnen Bereiche der
Scheibe zu vereinzeln.
Dementsprechend ist die Erfindung gerichtet auf ein Verfahren
zum Dünnen von selektierten Bereichen dünner Scheiben mit
einer Basisdicke, wobei die Scheibe eine erste und eine
zweite Oberfläche aufweist, mit folgenden Schritten:
- - Aufbringen einer ätzfesten Abdeckung auf zumindest einen Stegbereich der ersten Oberfläche der Scheibe, der nicht gedünnt werden soll; und
- - Wegätzen der nicht abgedeckten, derart selektierten Bereiche von der ersten Oberfläche bis zu einer Tiefe, bei der die Scheibe in den selektierten Bereichen eine vorgegebene Zieldicke aufweist, die geringer ist als die Basisdicke, während die Stegbereiche und die diese Bereiche mit den selektierten Bereichen verbindenden Seitenwände erhalten bleiben.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren ist es also möglich,
mittels einer Abdeckung bestimmte Bereiche eines flachen
Werkstücks von einem nachfolgenden Verdünnungsätzschritts
auszunehmen und muldenförmige Bereiche zu erzeugen, welche
die gewünschte Zieldicke aufweisen.
Die sogenannten Stegbereiche, welche abgedeckt sind, können
dabei durch das verwendete Ätzverfahren nicht weggeätzt
werden und bleiben im wesentlichen auf der Basisdicke. Je
nach verwendetem Ätzverfahren kann es allerdings sein, daß
der Ätzvorgang bis unter die Abdeckung erfolgt, so daß sich
der Stegbereich verschmälert. Die selektierten Bereiche
können dabei eine beliebige Form aufweisen, da diese
lediglich von dem Muster der Abdeckung bestimmt wird. So
können diese geometrische Formen, wie Vierecke, Dreiecke,
Kreise etc. sein, aber auch unregelmäßig geformte Umrisse,
wie Buchstaben, Figuren oder Formteile.
Das Wegätzen kann vorzugsweise durch ein isotropes Ätzen
erfolgen. Hierfür können übliche, dem Fachmann geläufige
Ätztechniken verwendet werden, die ein isotropes Ätzen
ermöglichen, beispielsweise solche, wie sie aus der
Halbleiterherstellung bekannt sind. Die verwendete Ätztechnik
muß dem Material, aus dem die zu dünnende Scheibe hergestellt
ist, angepaßt sein.
Die Abdeckung kann vorzugsweise aus einem Photolack bestehen
beziehungsweise diesen als einen Bestandteil enthalten.
Geeignete Photolacke sind beispielsweise dem Fachmann auf dem
Gebiet der Halbleiterherstellung bekannt.
In einer besonders bevorzugten Ausführungsform findet die
vorliegende Erfindung auf dem Gebiet der
Halbleiterherstellung Verwendung, so daß die dünne Scheibe
vorzugsweise ein Wafer ist.
Bei Verwendung eines Wafers ist die zweite Oberfläche der
Scheibe vorzugsweise die Strukturoberfläche des Wafers mit
den Schaltungsbereichen und die erste Oberfläche eine
rückwärtige Oberfläche.
Das Verfahren ist besonders geeignet zum Trennen der
einzelnen integrierten Halbleiter, welche auf einem Wafer
angeordnet sind. Auf der Strukturseite des Wafers werden
zwischen den einzelnen integrierten Halbleitern Abstände
gelassen, in denen keine Funktionsstrukturen enthalten sind,
beziehungsweise in denen zu Testzwecken später zu entfernende
Funktionalitäten mit untergebracht sind. Die Vereinzelung der
Wafer erfolgt konventionell durch Sägen dieser
Zwischenbereiche (sogenannter Kerfstrukturen), wobei auf
Grund der Breite des Sägeblatts die Strukturen gleichzeitig
entfernt werden. Die exakte Herstellung der Strukturen
erfolgt mittels einer üblichen Maske.
In einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung wird diese für das Aufbringen der Umgrenzung der
Schaltungsbereiche auf der Strukturoberfläche verwendeten
Maske auch zum Aufbringen der Abdeckung verwendet. Auf diese
Weise ist sichergestellt, daß die Abdeckungsstruktur exakt
der Struktur der Zwischenbereiche auf der Strukturoberfläche
des Wafers entspricht.
Vorzugsweise wird diese Maske mittels eines
Justierungsschritts so auf der rückwärtigen Oberfläche des
Wafers positioniert, daß die Abdeckung exakt auf die
rückwärtige Oberfläche des Wafers in den Bereichen
aufgebracht werden kann, auf denen auf der Strukturoberfläche
die Zwischenbereiche liegen.
Diese Justierung kann beispielsweise mittels eines dem
Fachmann geläufigen, sogenannten Rückseitenmikroskops
erfolgen.
Vor dem Aufbringen der Abdeckung kann der folgende Schritt
ausgeführt werden:
- - Verringern der Dicke der Scheibe bis zu der Basisdicke. Dieser Schritt kann notwendig werden, wenn beispielsweise die Scheibe noch nicht die gewünschte Basisdicke hat oder wenn sie Unregelmäßigkeiten aufweist, die über die Basisdicke hinausragen. Insbesondere im Halbleiterherstellungsprozeß kann es wünschenswert sein, mittels eines abrasiven Verfahrens, wie Abschleifen, die Dicke zunächst bis zu einer noch erreichbaren Basisdicke schnell zu verringern, bevor das erfindungsgemäße Dünnen der selektierten Bereiche erfolgt.
Wenn nicht nur gedünnte selektierte Bereiche einer Scheibe
hergestellt werden sollen, sondern die selektierten Bereiche
an den Stegbereichen voneinander getrennt werden sollen, kann
das Verfahren folgende weitere Schritte aufweisen:
- - Entfernen der Abdeckung;
- - Abdecken der zur zweiten Oberfläche im wesentlichen parallelen Bereiche der ersten Oberfläche der Stege und der selektierten Bereiche mit einer weiteren ätzfesten Abdeckung, so daß die Seitenwände unbedeckt bleiben; und
- - Separieren der selektierten Bereiche durch Wegätzen von im wesentlichen unter den Stegbereichen befindlichem Material der Scheibe.
Diese weitere Abdeckung bedeckt also alle ursprünglich
abgedeckten sowie die planparallel zur zweiten Oberfläche
geätzten Bereiche der ersten Oberfläche der Scheibe, nicht
hingegen die Bereiche, welche diese beiden miteinander
verbinden und die als Seitenwände bezeichnet werden. Diese
Seitenwände können eine Neigung aufweisen oder orthogonal zu
den anderen Oberflächen ausgestaltet sein. Die Abdeckung
erfolgt also mit Hilfe eines Verfahrens, das gezielt nur
diese zur zweiten Oberfläche parallelen Bereiche abdeckt. Zu
diesem Zweck kann beispielsweise ein planarisierender
Photolack verwendet werden, welcher selbstjustiert, das heißt
ohne eine weitere Maske, die gewünschten Bereiche abdeckt.
Um den Ätzschritt zum Separieren weiter zu vereinfachen, kann
es desweiteren bevorzugt werden, die weitere ätzfeste
Abdeckung vor- bzw. anzustrippen, um einen gewissen Abtrag
dieser Abdeckung auf den Stegbereichen und evtl. noch
mitabgedeckten Bereichen der Seitenwände zu erzielen. Dieses
Anstrippen kann beispielsweise mittels eines
Sauerstoffplasmas erfolgen. Es ist sogar möglich, die
Abdeckung auf den Stegbereichen vollständig zu entfernen, da
diese von vornherein dünner ist als die Abdeckung auf den
selektierten Bereichen.
Alternativ zu dieser Variante ist es auch möglich, die erste
Abdeckung nicht zu entfernen, sondern eine weitere
hinzuzufügen. Diese geschieht durch die weiteren Schritte:
- - Abdecken der zur zweiten Oberfläche im wesentlichen parallelen Bereiche der nicht von der ersten Abdeckung abgedeckten selektierten Bereiche der ersten Oberfläche, so daß die Seitenwände der Stege unbedeckt bleiben; und
- - Separieren der selektierten Bereiche durch Wegätzen von im wesentlichen unter den Stegbereichen befindlichem Material der Scheibe.
Auch bei dieser Ausführungsform kann ein selbstjustierender
Lack verwendet werden.
Schließlich ist es auch möglich, die Scheibe vorab mit einer
Schutzschicht zu versehen, auf die die erste Abdeckung
aufgebracht wird und die im ersten Ätzschritt zwar entfernt
werden kann, die jedoch durch das zweite Ätzmittel nicht
angegriffen werden kann. Die Stegbereiche, welche durch die
erste Abdeckung geschützt waren, tragen daher weiterhin diese
Beschichtung, so daß lediglich die gedünnten selektierten
Bereiche in weiteren Verfahren geschützt werden müssen, indem
dort eine weitere Abdeckung aufgebracht wird.
Vorzugsweise wird vor dem Wegätzen der Stegbereiche auf der
zweiten Oberfläche der Scheibe eine Stabilisatorfolie
angebracht, welche die Gesamtstruktur beim Ätzvorgang
stabilisieren soll. Nach Wegätzen des unter dem Stegbereich
befindlichen Materials der Scheibe liegen die vereinzelten
selektierten Bereiche der Scheibe auf der Stabilisatorfolie
auf und können von dieser einzeln abgenommen werden
In einem weiteren Aspekt der Erfindung ist diese gerichtet
auf ein Verfahren zum Separieren von Bereichen einer dünnen
Scheibe, welche Bereiche mit einer ersten Dicke, Bereiche mit
einer zweiten Dicke, welche geringer ist als die erste Dicke,
und diese Bereichen verbindende Seitenwände aufweist, wobei
das Verfahren folgende Schritte aufweist:
- - Abdecken der Bereiche mit der ersten Dicke und der Bereiche mit der zweiten Dicke mit einer ätzfesten Abdeckung, so daß die Seitenwände unbedeckt bleiben; und
- - Separieren der selektierten Bereiche durch Wegätzen von im wesentlichen unter den Bereichen erster Dicke befindlichem Material der Scheibe, wobei das Ätzen von den Seitenwänden aus erfolgt.
Auch hier erfolgt die Abdeckung vorzugsweise mit einem
planarisierenden Lack, der wahlweise vorgestrippt werden
kann.
Die dünne Scheibe ist vorzugsweise ein Wafer, wobei das
Abdecken und Ätzen auf der der Strukturoberfläche abgewandten
rückwärtigen Oberfläche des Wafers erfolgen sollte. Durch
dieses Verfahren lassen Scheiben, welche beispielsweise
mittels eines anderen als des erfindungsgemäßen Verfahrens
selektierte gedünnte Bereiche aufweisen, erfindungsgemäß
vereinzeln, das heißt voneinander separieren.
Schließlich ist die Erfindung gerichtet auf ein
scheibenförmiges Werkstück geringer Dicke, welches verdickte
Stegbereiche einer Basisdicke aufweist, längs derer eine
Vereinzelung jeweils zusammenhängender, nicht verdickter
Bereiche der Scheibe erfolgen kann. Diese neuartige Struktur
des Werkstücks ermöglicht die Herstellung einer großen Zahl
kleinerer, dünner, flächenförmiger Produkte, ohne daß die
Stabilität der Ausgangsscheibe zu stark beeinträchtigt würde.
Die Vereinzelung der Produkte kann dann an den Stegbereichen
mittels des oben beschriebenen Ätzverfahrens oder auch durch
Sägen geschehen. Vorzugsweise ist dieses scheibenförmige
Werkstück geringer Dicke ein besonders dünner Wafer.
Im folgenden soll die Erfindung anhand eines
Ausführungsbeispiels erläutert werden, wobei auf die
beigefügte Zeichnung Bezug genommen wird.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren kann zunächst die
Scheibendicke von einer Anfangsdicke auf eine Basisdicke
reduziert werden. Anschließend wird die Scheibe in einem
Teilbereich durch zusätzliches Dünnen auf eine Zieldicke
gebracht, die geringer ist als die Basisdicke, wobei Teile
des Scheibenbereichs mit der Basisdicke bestehen bleiben
(Stegbereiche) und damit die mechanische Stabilität erhöhen.
Fig. 1 zeigt die Vorgänge zur Ausdünnung im Detail. In Fig.
1a ist eine dünne Scheibe 1 mit einer ersten Oberfläche 1b
und einer zweiten Oberfläche 1a gezeigt, auf die eine
Abdeckung 2 aufgebracht worden ist, welche Stegbereiche 3
abdeckt und selektierte Bereiche 4 frei läßt.
Abdeckung 2 kann beispielsweise ein Photolack sein, der mit
Hilfe einer Maske, welche auch für die Herstellung
entsprechender Strukturen auf der Vorderseite Verwendung
gefunden hat, mittels eines Rückseitenmikroskops exakt
justiert werden kann.
Fig. 1b zeigt die dünne Scheibe 1 nach dem erfolgten
Ätzschritt. Die selektierten Bereiche 4 haben ihre Zieldicke,
welche geringer ist als die Basisdicke, erreicht und bilden
Wannen, deren Seitenwände 5 die Verbindung zu den
Stegbereichen 3 herstellen. Auf dem Bild sind die
Stegbereiche schmaler als ursprünglich, da der Ätzvorgang
auch unter die Abdeckung erfolgt ist. In Fig. 1c ist der
Zustand der dünnen Scheibe 1 nach Entfernung der Abdeckung 2
gezeigt. Danach werden über einen planarisierenden Lack 6
selbstjustiert, das heißt ohne zusätzliche Phototechnik, die
tiefer liegenden selektierten Bereiche 4 und die Stegbereiche
3 abgedeckt, während die steil verlaufenden Übergangsbereiche
die Seitenwände 5 (sogenannte Ätzkanten) freigelegt werden.
Der planarisierende Lack ist auf den Stegbereichen dünner als
in den Wannen der selektierten Bereiche und kann durch
Vorstrippen, beispielsweise mittels eines O2-Plasmas, weiter
verdünnt oder ganz entfernt werden. Zur Vereinzelung der
selektierten Bereiche, beispielsweise von integrierten
Halbleitern, wird dann mit einem isotropen Ätzverfahren, wie
beispielsweise einem Plasmaätzen, durch die freiliegenden
Seitenwände 5 hindurch das Scheibenmaterial bis zur zuvor
aufgeklebten Trägerfolie 7 durchgeätzt, wobei je nach
Ausgangsbreite der Stegbereiche diese mit entfernt werden.
Wie in Fig. 1e gezeigt ist, kann danach der Restlack 6
beispielsweise mittels eines O2-haltigen Plasmas entfernt
werden.
Im vorliegenden Fall sind rechtwinklige Bereiche der
ursprünglichen Scheibe vereinzelt worden. Es ist jedoch
möglich, beliebige Formen der vereinzelten Bereiche zu
erzeugen. Dies ist beispielsweise mittels konventioneller
Sägetechnik nicht möglich.
Vorteile des Verfahrens sind die erstmalige Möglichkeit der
Herstellung ultradünner Siliziumscheiben oder von Scheiben
aus anderen Materialien, die Erhaltung der mechanischen
Stabilität der Scheibe durch die Stegbereiche und das
Vereinzeln der selektierten Bereiche ohne mechanische
Belastung oder ohne Beschädigung der Kanten der Bereiche wie
sie beim Sägen auftreten können.
Claims (20)
1. Verfahren zum Dünnen von selektierten Bereichen von dünnen
Scheiben (1) mit einer Basisdicke, wobei die Scheibe eine
erste (1b) und eine zweite (1a) Oberfläche aufweist, mit
folgenden Schritten:
- - Aufbringen einer ätzfesten Abdeckung (2) auf zumindest einen Stegbereich (3) der ersten Oberfläche (1b) der Scheibe (1), der nicht gedünnt werden soll; und
- - Wegätzen von nicht abgedeckten, derart selektierten Bereichen (4) von der ersten Oberfläche (1b) bis zu einer Tiefe, bei der die Scheibe (1) in den selektierten Bereichen eine vorgegebene Zieldicke aufweist, die geringer ist als die Basisdicke, während der zumindest eine Stegbereich (3) mit der Basisdicke und die diese Stegbereiche (3) mit den selektierten Bereichen (4) verbindenden Seitenwände (5) erhalten bleiben.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
Wegätzen durch ein isotropes Ätzen geschieht.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Abdeckung (2) ein Photolack ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die dünne Scheibe (1) ein Wafer ist.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die
zweite Oberfläche (1a) eine Strukturoberfläche mit
Schaltungsbereichen und die erste Oberfläche (1b) eine
rückwärtige Oberfläche ist.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 oder 5, dadurch
gekennzeichnet, daß das Aufbringen der Abdeckung (2) mittels
einer Maske durchgeführt wird, welche auch für die Umgrenzung
der Schaltungsbereiche auf der Strukturoberfläche verwendet
wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Justierung der Maske durchgeführt wird, so daß die
abzudeckenden Bereiche (3) der rückwärtigen Oberfläche den
Umgrenzungen der Schaltungsbereiche gegenüberliegen.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die
Justierung mit einem Rückseitenmikroskop erfolgt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, daß vor dem Aufbringen der Abdeckung der
folgende Schritt ausgeführt wird:
- - Verringern der Dicke der Scheibe (1) bis zu der Basisdicke.
10. Verfahren nach einem der Anspüche 1 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß es die weiteren Schritte aufweist:
- - Entfernen der Abdeckung (2);
- - Abdecken der zur zweiten Oberfläche im wesentlichen parallelen Bereiche der ersten Oberfläche (1b) der Stegbereiche (3) und der selektierten Bereiche (4) mit einer weiteren ätzfesten Abdeckung (6), so daß die Seitenwände (5) unbedeckt bleiben; und
- - Separieren der selektierten Bereiche (4) durch Wegätzen von im wesentlichen unter den Stegbereichen (3) befindlichen Material (8) der Scheibe (1).
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß
vor dem Separieren die weitere ätzfeste Abdeckung vor- bzw.
angestrippt wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß es die weiteren Schritte aufweist:
- - Abdecken der zur zweiten Oberfläche (1a) im wesentlichen parallelen Bereiche der nicht von der ersten Abdeckung abgedeckten selektierten Bereiche (4) der ersten Oberfläche (1b) mit einer weiteren ätzfesten Abdeckung (6), so daß die Seitenwände (5) unbedeckt bleiben; und
- - Separieren der selektierten Bereiche (4) durch Wegätzen von im wesentlichen unter den Stegbereichen (3) befindlichen Material (8) der Scheibe (1).
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch
gekennzeichnet, daß die weitere ätzfeste Abdeckung (6) ein
planarisierender Lack ist.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch
gekennzeichnet, daß vor dem Wegätzen der Stegbereiche (3) auf
der zweiten Oberfläche (1a) der Scheibe (1) eine
Stabilisatorfolie (7) angebracht wird.
15. Verfahren zum Separieren von Bereichen einer dünnen
Scheibe (1), welche Bereiche (3) mit einer ersten Dicke,
Bereiche (4) mit einer zweiten Dicke, welche geringer als die
erste Dicke ist, und beide Arten von Bereichen (3, 4)
verbindende Seitenwände (5) aufweist, mit folgenden
Schritten:
- - Abdecken der Bereiche (3) mit der ersten Dicke und der Bereiche (4) mit der zweiten Dicke mit einer ätzfesten Abdeckung, so daß die Seitenwände unbedeckt bleiben; und
- - Separieren der selektierten Bereiche durch Wegätzen der Seitenwände und von im wesentlichen unter den Bereichen erster Dicke befindlichen Material der dünnen Scheibe (1).
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß
vor dem Separieren die ätzfeste Abdeckung vor- bzw.
angestrippt wird.
17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, dadurch
gekennzeichnet, daß die dünne Scheibe (1) ein Wafer ist,
wobei das Abdecken und Ätzen auf der der Strukturoberfläche
abgewandten rückwärtigen Oberfläche (1b) des Wafers erfolgt.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch
gekennzeichnet, daß die ätzfeste Abdeckung (6) ein
planarisierender Lack ist.
18. Scheibenförmiges Werkstück (1), welches verdickte
Stegbereiche (3) einer Basisdicke aufweist, längs derer eine
Vereinzelung jeweils zusammenhängender, nicht verdickter
Bereiche (4) der Scheibe erfolgen kann.
19. Scheibenförmiges Werkstück (1) nach Anspruch 18, dadurch
gekennzeichnet, daß es ein Wafer ist.
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DE (1) | DE10062014B4 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE10129346B4 (de) * | 2001-06-19 | 2006-08-31 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes |
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2000
- 2000-12-13 DE DE2000162014 patent/DE10062014B4/de not_active Expired - Fee Related
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