JPH11183286A - 半導体圧力センサウエハ及びその検査方法 - Google Patents
半導体圧力センサウエハ及びその検査方法Info
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- JPH11183286A JPH11183286A JP34954097A JP34954097A JPH11183286A JP H11183286 A JPH11183286 A JP H11183286A JP 34954097 A JP34954097 A JP 34954097A JP 34954097 A JP34954097 A JP 34954097A JP H11183286 A JPH11183286 A JP H11183286A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハ状態での特性の測定を行うことのでき
る半導体圧力センサウエハ及びその検査方法を提供す
る。 【解決手段】 半導体基板１にダイアフラム５を形成し
てなる半導体圧力センサウエハにおいて、半導体基板１
の厚膜部の裏面側にエッチングにより除去可能なシリコ
ン酸化膜あるいはアルミ配線材料等からなる薄膜層３、
１１を形成してなるようにしたので、圧力印加治具７に
より圧力を印加した状態で特性を測定した後、酸等のエ
ッチング液で薄膜層３、１１を除去することにより、半
導体圧力センサウエハを圧力印加治具７から分離するこ
とができ、ウエハ状態での特性の測定を行うことができ
る。
る半導体圧力センサウエハ及びその検査方法を提供す
る。 【解決手段】 半導体基板１にダイアフラム５を形成し
てなる半導体圧力センサウエハにおいて、半導体基板１
の厚膜部の裏面側にエッチングにより除去可能なシリコ
ン酸化膜あるいはアルミ配線材料等からなる薄膜層３、
１１を形成してなるようにしたので、圧力印加治具７に
より圧力を印加した状態で特性を測定した後、酸等のエ
ッチング液で薄膜層３、１１を除去することにより、半
導体圧力センサウエハを圧力印加治具７から分離するこ
とができ、ウエハ状態での特性の測定を行うことができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板にダイ
アフラムを形成してなる半導体圧力センサウエハ及びそ
の検査方法に関するものである。
アフラムを形成してなる半導体圧力センサウエハ及びそ
の検査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の半導体圧力センサウエハの
諸評価の内、動作特性測定や動作（信頼性）試験等の検
査については、一般的な半導体デバイスとは異なり、外
部より圧力を印加（加圧及び減圧）した状態で測定を行
う必要があり、半導体センサチップをパッケージに組み
込んだ完成品において、圧力印加治具から圧力を導入す
ることにより、測定を行う必要があった、
諸評価の内、動作特性測定や動作（信頼性）試験等の検
査については、一般的な半導体デバイスとは異なり、外
部より圧力を印加（加圧及び減圧）した状態で測定を行
う必要があり、半導体センサチップをパッケージに組み
込んだ完成品において、圧力印加治具から圧力を導入す
ることにより、測定を行う必要があった、
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような半導体圧力センサにあっては、ウエハ状態での特
性の測定を行うことはできなかった。
ような半導体圧力センサにあっては、ウエハ状態での特
性の測定を行うことはできなかった。
【０００４】本発明は、上記の点に鑑みてなしたもので
あり、その目的とするところは、ウエハ状態での特性の
測定を行うことのできる半導体圧力センサウエハ及びそ
の検査方法を提供することにある。
あり、その目的とするところは、ウエハ状態での特性の
測定を行うことのできる半導体圧力センサウエハ及びそ
の検査方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体圧
力センサウエハは、半導体基板にダイアフラムを形成し
てなる半導体圧力センサウエハにおいて、半導体基板の
厚膜部の裏面側にエッチングにより除去可能な薄膜層を
形成してなることを特徴とするものである。
力センサウエハは、半導体基板にダイアフラムを形成し
てなる半導体圧力センサウエハにおいて、半導体基板の
厚膜部の裏面側にエッチングにより除去可能な薄膜層を
形成してなることを特徴とするものである。
【０００６】請求項２記載の半導体圧力センサウエハ
は、請求項１記載の半導体圧力センサウエハにおいて、
前記薄膜層をシリコン酸化膜により形成したことを特徴
とするものである。
は、請求項１記載の半導体圧力センサウエハにおいて、
前記薄膜層をシリコン酸化膜により形成したことを特徴
とするものである。
【０００７】請求項３記載の半導体圧力センサウエハ
は、請求項１記載の半導体圧力センサウエハにおいて、
前記薄膜層をアルミ配線材料により形成したことを特徴
とするものである。
は、請求項１記載の半導体圧力センサウエハにおいて、
前記薄膜層をアルミ配線材料により形成したことを特徴
とするものである。
【０００８】請求項４記載の半導体圧力センサウエハ
は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体圧
力センサウエハにおいて、半導体圧力センサウエハ内の
スクライブレーン上に複数のセンサチップを同時に接続
する配線を形成したことを特徴とするものである。
は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体圧
力センサウエハにおいて、半導体圧力センサウエハ内の
スクライブレーン上に複数のセンサチップを同時に接続
する配線を形成したことを特徴とするものである。
【０００９】請求項５記載の半導体圧力センサウエハの
検査方法は、請求項１乃至請求項４に記載の半導体圧力
センサウエハの各チップのダイアフラムに対応した位置
に圧力導入孔を有するガラス製の圧力印加治具を前記厚
膜部に接合し、該圧力印加治具の圧力導入孔を介して、
各チップのダイアフラムに圧力を印加した状態で特性を
測定した後、酸等のエッチング液で前記薄膜層を除去す
ることにより、半導体圧力センサウエハを前記圧力印加
治具から分離するようにしたことを特徴とするものであ
る。
検査方法は、請求項１乃至請求項４に記載の半導体圧力
センサウエハの各チップのダイアフラムに対応した位置
に圧力導入孔を有するガラス製の圧力印加治具を前記厚
膜部に接合し、該圧力印加治具の圧力導入孔を介して、
各チップのダイアフラムに圧力を印加した状態で特性を
測定した後、酸等のエッチング液で前記薄膜層を除去す
ることにより、半導体圧力センサウエハを前記圧力印加
治具から分離するようにしたことを特徴とするものであ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
を図面に基づき説明する。図１は本発明の実施の形態の
一例に係る半導体圧力センサウエハの製造方法を示す工
程図である。本実施形態の半導体圧力センサウエハの製
造方法は、図１（ａ）に示すように、半導体基板として
のシリコン基板１の表面に低濃度のボロンをイオン注入
及び熱拡散処理を行うことによりピエゾ抵抗２を形成
し、その後、シリコン酸化膜３及びシリコン窒化膜４を
各々堆積する。ここで、半導体基板１の裏面のダイアフ
ラムを形成する部分のみエッチングされるようにパター
ンニングしておく。次に、シリコン酸化膜３及びシリコ
ン窒化膜４等の絶縁膜をマスクとして、ＫＯＨによりシ
リコン基板１の裏面を選択的にエッチングすることによ
り、凹部が形成され薄肉状のダイアフラム５が形成され
る。
を図面に基づき説明する。図１は本発明の実施の形態の
一例に係る半導体圧力センサウエハの製造方法を示す工
程図である。本実施形態の半導体圧力センサウエハの製
造方法は、図１（ａ）に示すように、半導体基板として
のシリコン基板１の表面に低濃度のボロンをイオン注入
及び熱拡散処理を行うことによりピエゾ抵抗２を形成
し、その後、シリコン酸化膜３及びシリコン窒化膜４を
各々堆積する。ここで、半導体基板１の裏面のダイアフ
ラムを形成する部分のみエッチングされるようにパター
ンニングしておく。次に、シリコン酸化膜３及びシリコ
ン窒化膜４等の絶縁膜をマスクとして、ＫＯＨによりシ
リコン基板１の裏面を選択的にエッチングすることによ
り、凹部が形成され薄肉状のダイアフラム５が形成され
る。
【００１１】次に、図１（ｂ）に示すように、レジスト
をパターンニングした後、表面側のシリコン窒化膜４を
熱リン酸にて配線部４ａのみエッチングする。
をパターンニングした後、表面側のシリコン窒化膜４を
熱リン酸にて配線部４ａのみエッチングする。
【００１２】次に、図１（ｃ）に示すように、残ったシ
リコン窒化膜４をマスクとしてシリコン酸化膜３をフッ
酸にて配線部３ａのみエッチングする。
リコン窒化膜４をマスクとしてシリコン酸化膜３をフッ
酸にて配線部３ａのみエッチングする。
【００１３】次に、図１（ｄ）に示すように、シリコン
基板１の表面をレジストで保護して裏面側のシリコン窒
化膜４のみを熱リン酸にてエッチングにより除去する。
次に、図１（ｅ）に示すように、シリコン基板１の表面
側にアルミ配線材料（Ａｌ−Ｓｉ）を形成し、レジスト
をパターンニングした後、不必要な部分をエッチングに
より除去し、配線６を形成する。
基板１の表面をレジストで保護して裏面側のシリコン窒
化膜４のみを熱リン酸にてエッチングにより除去する。
次に、図１（ｅ）に示すように、シリコン基板１の表面
側にアルミ配線材料（Ａｌ−Ｓｉ）を形成し、レジスト
をパターンニングした後、不必要な部分をエッチングに
より除去し、配線６を形成する。
【００１４】このようにして、シリコン基板１の厚膜部
の裏面側に薄膜層としてのシリコン酸化膜３が露出され
た状態で形成されたことになる。
の裏面側に薄膜層としてのシリコン酸化膜３が露出され
た状態で形成されたことになる。
【００１５】次に、本実施形態の半導体圧力センサウエ
ハを用いて動作特性測定及び動作（信頼性）試験を行う
方法等の検査方法について説明する。図２は検査工程を
示す断面の模式図である。７は圧力印加治具であり、パ
イレックスガラス等により中空状に形成され、半導体圧
力センサウエハ内の各チップのダイアフラム５と対応す
る位置に圧力導入孔７ａが形成されている。圧力印加治
具７には圧力発生器（図示せず）が接続されており、圧
力導入孔７ａを介して圧力の導入ができるようになって
いる。図２（ａ）に示すように、半導体圧力センサウエ
ハと圧力印加治具７とを、各チップのダイアフラム５と
圧力導入孔７ａとが対向するように位置合わせをする。
次に、図２（ｂ）に示すように、シリコン基板１の厚膜
部の裏面側と圧力印加治具７の上面側とを陽極接合によ
り接合する。ここで、陽極接合とは、内部に可動イオン
を含むガラスとシリコンあるいはガラスどうしを重ね
て、加熱状態でシリコン側（ガラスどうしの場合はどち
らか一方）を正電位となる方向に直流電界をかけて接合
を行う方法である。
ハを用いて動作特性測定及び動作（信頼性）試験を行う
方法等の検査方法について説明する。図２は検査工程を
示す断面の模式図である。７は圧力印加治具であり、パ
イレックスガラス等により中空状に形成され、半導体圧
力センサウエハ内の各チップのダイアフラム５と対応す
る位置に圧力導入孔７ａが形成されている。圧力印加治
具７には圧力発生器（図示せず）が接続されており、圧
力導入孔７ａを介して圧力の導入ができるようになって
いる。図２（ａ）に示すように、半導体圧力センサウエ
ハと圧力印加治具７とを、各チップのダイアフラム５と
圧力導入孔７ａとが対向するように位置合わせをする。
次に、図２（ｂ）に示すように、シリコン基板１の厚膜
部の裏面側と圧力印加治具７の上面側とを陽極接合によ
り接合する。ここで、陽極接合とは、内部に可動イオン
を含むガラスとシリコンあるいはガラスどうしを重ね
て、加熱状態でシリコン側（ガラスどうしの場合はどち
らか一方）を正電位となる方向に直流電界をかけて接合
を行う方法である。
【００１６】次に、図２（ｂ）に示すように、ウエハ用
ホットチャック８に圧力印加治具７を設置するととも
に、プローブカード９の測定端子９ａを各チップの配線
６に接続させる。動作特性測定の場合には、ウエハ用ホ
ットチャック８で温度コントロールした状態で、圧力発
生器によりダイアフラム５を加圧、減圧しながら、プロ
ーブカード９を介して測定器（図示せず）により電気的
特性を測定する。動作試験の場合には、同様に、ウエハ
用ホットチャック８で温度コントロールした状態で、圧
力発生器によりダイアフラム５を加圧、減圧しながら、
プローブカード９を介して電圧源、電流源により電圧ス
トレス、電流ストレスを印加する。
ホットチャック８に圧力印加治具７を設置するととも
に、プローブカード９の測定端子９ａを各チップの配線
６に接続させる。動作特性測定の場合には、ウエハ用ホ
ットチャック８で温度コントロールした状態で、圧力発
生器によりダイアフラム５を加圧、減圧しながら、プロ
ーブカード９を介して測定器（図示せず）により電気的
特性を測定する。動作試験の場合には、同様に、ウエハ
用ホットチャック８で温度コントロールした状態で、圧
力発生器によりダイアフラム５を加圧、減圧しながら、
プローブカード９を介して電圧源、電流源により電圧ス
トレス、電流ストレスを印加する。
【００１７】以上の検査が終了した段階で、半導体圧力
センサウエハ表面をレジストにより保護した後、フッ酸
にて薄膜層としてのシリコン酸化膜３をエッチング除去
すれば、圧力印加治具７を半導体圧力センサウエハから
取り除くことができる。最後に、レジストを除去すれば
半導体圧力センサウエハを分離することができる。
センサウエハ表面をレジストにより保護した後、フッ酸
にて薄膜層としてのシリコン酸化膜３をエッチング除去
すれば、圧力印加治具７を半導体圧力センサウエハから
取り除くことができる。最後に、レジストを除去すれば
半導体圧力センサウエハを分離することができる。
【００１８】以上のように、本実施形態の半導体圧力セ
ンサウエハを用いれば、ウエハ状態での動作特性特性測
定や動作試験等の検査が行えるのである。
ンサウエハを用いれば、ウエハ状態での動作特性特性測
定や動作試験等の検査が行えるのである。
【００１９】図３は本発明の他の実施の形態に係る半導
体圧力センサウエハの製造方法を示す工程図である。本
実施形態の半導体圧力センサウエハの製造方法は、図３
（ａ）に示すように、上述の実施形態と同様に、半導体
基板としてのシリコン基板１の表面に低濃度のボロンを
イオン注入及び熱拡散処理を行うことによりピエゾ抵抗
２を形成し、その後、シリコン酸化膜３及びシリコン窒
化膜４を各々堆積する。ここで、半導体基板１の裏面の
ダイアフラムを形成する部分のみエッチングされるよう
にパターンニングしておく。次に、シリコン酸化膜３及
びシリコン窒化膜４等の絶縁膜をマスクとして、ＫＯＨ
によりシリコン基板１の裏面を選択的にエッチングする
ことにより、凹部が形成され薄肉状のダイアフラム５が
形成される。
体圧力センサウエハの製造方法を示す工程図である。本
実施形態の半導体圧力センサウエハの製造方法は、図３
（ａ）に示すように、上述の実施形態と同様に、半導体
基板としてのシリコン基板１の表面に低濃度のボロンを
イオン注入及び熱拡散処理を行うことによりピエゾ抵抗
２を形成し、その後、シリコン酸化膜３及びシリコン窒
化膜４を各々堆積する。ここで、半導体基板１の裏面の
ダイアフラムを形成する部分のみエッチングされるよう
にパターンニングしておく。次に、シリコン酸化膜３及
びシリコン窒化膜４等の絶縁膜をマスクとして、ＫＯＨ
によりシリコン基板１の裏面を選択的にエッチングする
ことにより、凹部が形成され薄肉状のダイアフラム５が
形成される。
【００２０】次に、図３（ｂ）に示すように、レジスト
をパターンニングした後、表面及び裏面側のシリコン窒
化膜４を熱リン酸にてエッチングし、表面側の配線部４
ａ及び裏面全体を除去する。
をパターンニングした後、表面及び裏面側のシリコン窒
化膜４を熱リン酸にてエッチングし、表面側の配線部４
ａ及び裏面全体を除去する。
【００２１】次に、図３（ｃ）に示すように、残ったシ
リコン窒化膜４をマスクとしてシリコン酸化膜３をフッ
酸にてエッチングすることにより、表面側の配線部３ａ
及び裏面全体のシリコン酸化膜３を除去する。
リコン窒化膜４をマスクとしてシリコン酸化膜３をフッ
酸にてエッチングすることにより、表面側の配線部３ａ
及び裏面全体のシリコン酸化膜３を除去する。
【００２２】次に、図３（ｄ）に示すように、シリコン
基板１の表面及び裏面に、アルミ配線材料（Ａｌ−Ｓ
ｉ）により金属膜を形成し、レジストをパターンニング
した後、不必要な部分（配線部及びダイアフラム構造の
部分）をエッチングにより除去し、シリコン基板１の表
面側にはアルミ配線１０、裏面側には厚膜部にのみアル
ミ配線材料による薄膜層１１が形成される。
基板１の表面及び裏面に、アルミ配線材料（Ａｌ−Ｓ
ｉ）により金属膜を形成し、レジストをパターンニング
した後、不必要な部分（配線部及びダイアフラム構造の
部分）をエッチングにより除去し、シリコン基板１の表
面側にはアルミ配線１０、裏面側には厚膜部にのみアル
ミ配線材料による薄膜層１１が形成される。
【００２３】本実施形態の半導体圧力センサウエハを用
いて動作特性測定及び動作（信頼性）試験を行う方法等
の検査方法は、上述の実施形態の場合と同様であるので
説明を省略するが、本実施形態においては、検査が終了
した段階で、半導体圧力センサウエハ表面をレジストに
より保護した後、フッ酸にてアルミ配線材料による薄膜
層１１をエッチング除去することにより、圧力印加治具
７を半導体圧力センサウエハから取り除くことができ
る。
いて動作特性測定及び動作（信頼性）試験を行う方法等
の検査方法は、上述の実施形態の場合と同様であるので
説明を省略するが、本実施形態においては、検査が終了
した段階で、半導体圧力センサウエハ表面をレジストに
より保護した後、フッ酸にてアルミ配線材料による薄膜
層１１をエッチング除去することにより、圧力印加治具
７を半導体圧力センサウエハから取り除くことができ
る。
【００２４】なお、本実施形態では、アルミ配線材料と
して、Ａｌ−Ｓｉを使用したが、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕでも
構わない、また、その他の材料で構成することも可能で
ある。
して、Ａｌ−Ｓｉを使用したが、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕでも
構わない、また、その他の材料で構成することも可能で
ある。
【００２５】次に、本発明に係るシリコン基板１の表面
側に形成される配線の一例を説明する。図４は本実施形
態に係る半導体圧力センサウエハ１２及びその一部分を
拡大した状態を示す平面の模式図である。半導体圧力セ
ンサウエハ１２は複数のチップ１３からなっており、各
チップ間にはスクライブレーン１４が存在する。図５
は、アルミ配線材料による配線を、スクライブレーン１
４上に、電圧印加用の並列配線１５として形成したもの
である。また、図６は、アルミ配線材料による配線を、
スクライブレーン１４上に、電流印加用の直列配線１６
として形成したものである。
側に形成される配線の一例を説明する。図４は本実施形
態に係る半導体圧力センサウエハ１２及びその一部分を
拡大した状態を示す平面の模式図である。半導体圧力セ
ンサウエハ１２は複数のチップ１３からなっており、各
チップ間にはスクライブレーン１４が存在する。図５
は、アルミ配線材料による配線を、スクライブレーン１
４上に、電圧印加用の並列配線１５として形成したもの
である。また、図６は、アルミ配線材料による配線を、
スクライブレーン１４上に、電流印加用の直列配線１６
として形成したものである。
【００２６】このように、並列配線１５あるいは直列配
線１６を形成することにより、ウエハ状態での動作試験
において、試験実施時にプローブカードを介して組む外
部試験回路が簡単になり、多数のチップを同時に試験す
る際のプローブカードの構成が容易になる。
線１６を形成することにより、ウエハ状態での動作試験
において、試験実施時にプローブカードを介して組む外
部試験回路が簡単になり、多数のチップを同時に試験す
る際のプローブカードの構成が容易になる。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、請求項１乃至請求項３記
載の半導体圧力センサウエハ及び請求項５記載の半導体
圧力センサウエハの検査方法によれば、半導体基板にダ
イアフラムを形成してなる半導体圧力センサウエハにお
いて、半導体基板の厚膜部の裏面側にエッチングにより
除去可能なシリコン酸化膜あるいはアルミ配線材料等か
らなる薄膜層を形成してなるようにしたので、圧力印加
治具により圧力を印加した状態で特性を測定した後、酸
等のエッチング液で前記薄膜層を除去することにより、
半導体圧力センサウエハを前記圧力印加治具から分離す
ることができ、ウエハ状態での特性の測定を行うことの
できる半導体圧力センサウエハ及びその検査方法が提供
できた。
載の半導体圧力センサウエハ及び請求項５記載の半導体
圧力センサウエハの検査方法によれば、半導体基板にダ
イアフラムを形成してなる半導体圧力センサウエハにお
いて、半導体基板の厚膜部の裏面側にエッチングにより
除去可能なシリコン酸化膜あるいはアルミ配線材料等か
らなる薄膜層を形成してなるようにしたので、圧力印加
治具により圧力を印加した状態で特性を測定した後、酸
等のエッチング液で前記薄膜層を除去することにより、
半導体圧力センサウエハを前記圧力印加治具から分離す
ることができ、ウエハ状態での特性の測定を行うことの
できる半導体圧力センサウエハ及びその検査方法が提供
できた。
【００２８】請求項４記載の半導体圧力センサウエハに
よれば、半導体圧力センサウエハ内のスクライブレーン
上に複数のセンサチップを同時に接続する配線を形成し
たので、ウエハ状態での動作試験において、試験実施時
にプローブカードを介して組む外部試験回路が簡単にな
り、多数のチップを同時に試験する際のプローブカード
の構成が容易になる。
よれば、半導体圧力センサウエハ内のスクライブレーン
上に複数のセンサチップを同時に接続する配線を形成し
たので、ウエハ状態での動作試験において、試験実施時
にプローブカードを介して組む外部試験回路が簡単にな
り、多数のチップを同時に試験する際のプローブカード
の構成が容易になる。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体圧力センサウ
エハの製造工程を示す模式図である。
エハの製造工程を示す模式図である。
【図２】同上の半導体圧力センサウエハを用いた検査方
法を示す模式図である。
法を示す模式図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
ウエハの製造工程を示す模式図である。
ウエハの製造工程を示す模式図である。
【図４】本発明に係る半導体圧力センサウエハの全体及
び一部分を拡大した状態を示す平面の模式図である。
び一部分を拡大した状態を示す平面の模式図である。
【図５】本発明に係るアルミ配線の一例を示す模式図で
ある。
ある。
【図６】本発明に係るアルミ配線の他の例を示す模式図
である。
である。
１ シリコン基板 ２ ピエゾ抵抗 ３ シリコン酸化膜 ３ａ 配線部 ４ シリコン窒化膜 ４ａ 配線部 ５ ダイアフラム ６ 配線 ７ 圧力印加治具 ７ａ 圧力導入孔 ８ ホットチャック ９ プロ−ブカード ９ａ 測定端子 １０ アルミ配線 １１ アルミ配線材料による薄膜層 １２ 半導体圧力センサウエハ １３ チップ １４ スクライブレーン １５ 並列配線 １６ 直列配線
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板にダイアフラムを形成してな
る半導体圧力センサウエハにおいて、半導体基板の厚膜
部の裏面側にエッチングにより除去可能な薄膜層を形成
してなることを特徴とする半導体圧力センサウエハ。 - 【請求項２】 前記薄膜層をシリコン酸化膜により形成
したことを特徴とする請求項１記載の半導体圧力センサ
ウエハ。 - 【請求項３】 前記薄膜層をアルミ配線材料により形成
したことを特徴とする請求項１記載の半導体圧力センサ
ウエハ。 - 【請求項４】 半導体圧力センサウエハ内のスクライブ
レーン上に複数のセンサチップを同時に接続する配線を
形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいず
れかに記載の半導体圧力センサウエハ。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４に記載の半導体圧
力センサウエハを用いた検査方法において、前記半導体
圧力センサウエハの各チップのダイアフラムに対応した
位置に圧力導入孔を有するガラス製の圧力印加治具を前
記厚膜部に接合し、該圧力印加治具の圧力導入孔を介し
て、各チップのダイアフラムに圧力を印加した状態で特
性を測定した後、酸等のエッチング液で前記薄膜層を除
去することにより、半導体圧力センサウエハを前記圧力
印加治具から分離するようにしたことを特徴とする半導
体圧力センサウエハの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34954097A JPH11183286A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | 半導体圧力センサウエハ及びその検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34954097A JPH11183286A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | 半導体圧力センサウエハ及びその検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11183286A true JPH11183286A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18404418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34954097A Pending JPH11183286A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | 半導体圧力センサウエハ及びその検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11183286A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10062014A1 (de) * | 2000-12-13 | 2002-07-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Dünnen und Separieren selektierter Bereiche dünner Scheiben und scheibenförmiges Werkstück |
| JP2009180622A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Alps Electric Co Ltd | ピエゾ抵抗型物理量センサ及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-12-18 JP JP34954097A patent/JPH11183286A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10062014A1 (de) * | 2000-12-13 | 2002-07-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Dünnen und Separieren selektierter Bereiche dünner Scheiben und scheibenförmiges Werkstück |
| DE10062014B4 (de) * | 2000-12-13 | 2006-03-09 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Dünnen und Separieren selektierter Bereiche dünner Scheiben |
| JP2009180622A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Alps Electric Co Ltd | ピエゾ抵抗型物理量センサ及びその製造方法 |
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