DE1004294B - Verfahren zur Kontaktierung eines Halbleiterkoerpers - Google Patents

Verfahren zur Kontaktierung eines Halbleiterkoerpers

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DE1004294B
DE1004294B DES45579A DES0045579A DE1004294B DE 1004294 B DE1004294 B DE 1004294B DE S45579 A DES45579 A DE S45579A DE S0045579 A DES0045579 A DE S0045579A DE 1004294 B DE1004294 B DE 1004294B
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DE
Germany
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contacting
semiconductor
ion exchange
gold
crystals
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DES45579A
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English (en)
Inventor
Dr Gerhard Jung
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
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Description

Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Witteisbacherplatz 4
Dr. Gerhard Jung, München,
ist als Erfinder genannt worden
gen als Zusätzen behandelt wird, daß Fremdschiichten, insbesondere Oxydschichten, durch die Einwirkung der Ätzflüssigkeit entfernt werden und gleichzeitig auf der Halbleiteroberfläche eine Metallkontaktschicht durch Ionenaustausch niedergeschlagen wird, die anschließend galvanisch verstärkt wird, nach Hauptpatentanmeldung S 41303 VIIIc/21g, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst die Kontaktierung aus Gold, Platin oder Rhodium durch Ionenaustausch aufgebracht und anschließend mit einem unedleren Metall, z. B. Silber, Kupfer, Nickel, Cadmium oder Zinn, vorzugsweise Zink, galvanisch verstärkt wird.

Claims (1)

  1. In der Hauptpatentanmeldung S 41303 VIIIc/21g ist ein Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiterkörpern, beispielsweise von Siliziumkristallen, vorzugsweise Einkristallen, beschrieben, welche im wesentlichen darin besteht, daß die metallische Kontaktsehicht durch Ionenaustausch auf die Halbleiteroberfläche aufgebracht und gegebenenfalls nachträglich galvanisch verstärkt wird.
    Die Erfindung bezieht sich auf eine Verbesserung des Verfahrens gemäß dem Hauptpatent durch Auswahl besonderer Stoffe bzw. Stoffkombinationen als Kontaktierungsmaterialien. Gemäß der Erfindung wird zunächst die Kontaktierung aus Gold, Platin oder Rhodium durch Ionenaustausch aufgebracht und anschließend mit einem unedleren Metall, z. B. Silber, Kupfer, Nickel, Cadmium oder Zinn, vorzugsweise Zink, galvanisch verstärkt.
    Ausführungsbeispiel
    Ein Siliziumeinkristall wird durch Ionenaustausch mit Gold kontaktiert, welches aus Goldchlorid ausgeschieden wird, und nachträglich mit Zink galvanisch verstärkt.
    Pati-:xtansi'Iu-cii-
    Verfahren zur Kontaktierung von Halbleiterkörpern, beispielsweise von Siliziumkristallen, vorzugsweise Einkristallen, für Halbleiteranordnungen, beispielsweise Gleichrichter, Detektor, Transistor, Randsperrschicht (Schottky), Unipolartransistor, mit oder ohne Vorspannung betriebene Photozelle, Fieldistor, Heißleiter, Varistor, magnetisch und/oder elektrisch steuerbarer Widerstand u. dgl., bei dem der Halbleiter mit einer solchen Ätzflüssigkeit mit metallischen Verbindun-Verfahren zur Kontaktierung
    eines Halbleiterkörpers
    Zusatz zur Patentanmeldung S 41303 VIII c/21 g
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