DE897451C - Selengleichrichter mit Wismutelektrode, insbesondere zum Messen kleiner Wechselspannungen - Google Patents

Selengleichrichter mit Wismutelektrode, insbesondere zum Messen kleiner Wechselspannungen

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DE897451C
DE897451C DE1949P0036196 DEP0036196A DE897451C DE 897451 C DE897451 C DE 897451C DE 1949P0036196 DE1949P0036196 DE 1949P0036196 DE P0036196 A DEP0036196 A DE P0036196A DE 897451 C DE897451 C DE 897451C
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DE1949P0036196
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Siegfried Dr Rer Nat Poganski
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    • H01L21/10Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
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Description

  • Selen#gleichrichter mitWismutelektro:de, insbesondere zum Messern kleiner Wechselspannungen Der Verwendung von Selengleichrichtern der bisher bekannten Art mit Wismutelektrode steht zum Messen kleiner Wechselspannungen entgegen, daß sie den Strom in Flußrichtung erst oberhalb einer verhältnismäßig hohen. Schleusenspannung von etwa o,6Volt durchlassen. Eingehende Untersuchungen führten zu dem überraschenden Ergebnis, daß die Schleusenspannung nur o,.2#5 Volt oder weniger beträgt, wenn entsprechend der Lehre der Erfindung Wismut verwendet wird, das an Silber, Kupfer und Gold einen Gehalt von höchstens io-3 Gewichtsprozent aufweist. Die erfindungsgemäßen Selengleichrichter mit Wismutelektrode eignen sich daher bedeutend besser als die bekannten Selengleichrichter zum Messen kleiner Wechselspannungen.
  • Die Herstellung der erfindungsgemäßen Selengleichrichter bereitet, abgesehen von der ungewöhnlich weit getriebenen Reinigung des Wismuts, keine Schwierigkeiten. Es empfiehlt sich, das von Silber, Kupfer und Gold bis auf einen Gehalt von höchstens io-3 Gewichtsprozent durch Reinigung befreite Wismut auf die Selenschicht aufzuspritzen.
  • Wenn das Wismut im Vakuum aufgedampft werden soll, ist es vorteilhaft, auf die Selenschicht zunächst eine Substanz, vorzugsweise Wismutoxyd oder Selendioxyd, aufzubringen, die eine Reaktion zwischen dem Selen und dem anschließend aufgedampften, bezüglich des Gehalts an Silber, Kupfer und Gold extrem gereinigten Wismut verhindert.

Claims (3)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Selengleichrichter mit Wismutelektrode, insbesondere zum Messen kleiner Wechselspanntingen, dadurch gekennzeichnet, daß das Wismut an Silber, Kupfer und Gold einen Gehalt von höchstens io#3 Gewichtsprozent aufweist. :
  2. 2. Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß von Silber, Kupfer undGold bis auf einen Gehalt von höchstens io-3 Gewichtsprozent durch Reinigung befreites Wismut auf die Selenschicht aufgespritzt wird. 3. Verfahren zum Herstellen von Setengleichrichtern nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Selenschicht zunächst eine Substanz, vorzugsweise Wismutoxyd oder Selendioxyd, aufgebracht wird, die eine Reaktion zwischen dem SeMn und dem anschließend im Vakuum aufgedampften, von Silber, Kupfer und Gold bis auf einen Gehalt von höchstens io-
  3. 3 Gewichtsprozent durch Reinigung befreiten Wismut verhindert. Angezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 5ig 161; Lg. j o os : » Naturforschung und Medicin in Deutschland«, Bd. 9 ' II. Teil. 1948, S - i o6 bis i o8; Zeitschrift für anorganische Chemie, igi6, S.:237 bis 264.
DE1949P0036196 1949-03-09 1949-03-09 Selengleichrichter mit Wismutelektrode, insbesondere zum Messen kleiner Wechselspannungen Expired DE897451C (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE976468C (de) * 1949-08-15 1963-09-19 Licentia Gmbh Verfahren zum Herstellen eines UEberschusshalbleiters aus einem Defekthalbleiter

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE519161C (de) * 1927-12-06 1931-02-25 Ernst Presser Wechselstrom-Gleichrichter mit zwischen zwei Elektroden angeordnetem Gleichrichtermaterial

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE519161C (de) * 1927-12-06 1931-02-25 Ernst Presser Wechselstrom-Gleichrichter mit zwischen zwei Elektroden angeordnetem Gleichrichtermaterial

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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