DE897451C - Selengleichrichter mit Wismutelektrode, insbesondere zum Messen kleiner Wechselspannungen - Google Patents
Selengleichrichter mit Wismutelektrode, insbesondere zum Messen kleiner WechselspannungenInfo
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- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 13
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 title claims description 13
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 13
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims description 13
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N selenium dioxide Chemical compound O=[Se]=O JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
- H01L21/108—Provision of discrete insulating layers, i.e. non-genetic barrier layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
- Selen#gleichrichter mitWismutelektro:de, insbesondere zum Messern kleiner Wechselspannungen Der Verwendung von Selengleichrichtern der bisher bekannten Art mit Wismutelektrode steht zum Messen kleiner Wechselspannungen entgegen, daß sie den Strom in Flußrichtung erst oberhalb einer verhältnismäßig hohen. Schleusenspannung von etwa o,6Volt durchlassen. Eingehende Untersuchungen führten zu dem überraschenden Ergebnis, daß die Schleusenspannung nur o,.2#5 Volt oder weniger beträgt, wenn entsprechend der Lehre der Erfindung Wismut verwendet wird, das an Silber, Kupfer und Gold einen Gehalt von höchstens io-3 Gewichtsprozent aufweist. Die erfindungsgemäßen Selengleichrichter mit Wismutelektrode eignen sich daher bedeutend besser als die bekannten Selengleichrichter zum Messen kleiner Wechselspannungen.
- Die Herstellung der erfindungsgemäßen Selengleichrichter bereitet, abgesehen von der ungewöhnlich weit getriebenen Reinigung des Wismuts, keine Schwierigkeiten. Es empfiehlt sich, das von Silber, Kupfer und Gold bis auf einen Gehalt von höchstens io-3 Gewichtsprozent durch Reinigung befreite Wismut auf die Selenschicht aufzuspritzen.
- Wenn das Wismut im Vakuum aufgedampft werden soll, ist es vorteilhaft, auf die Selenschicht zunächst eine Substanz, vorzugsweise Wismutoxyd oder Selendioxyd, aufzubringen, die eine Reaktion zwischen dem Selen und dem anschließend aufgedampften, bezüglich des Gehalts an Silber, Kupfer und Gold extrem gereinigten Wismut verhindert.
Claims (3)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Selengleichrichter mit Wismutelektrode, insbesondere zum Messen kleiner Wechselspanntingen, dadurch gekennzeichnet, daß das Wismut an Silber, Kupfer und Gold einen Gehalt von höchstens io#3 Gewichtsprozent aufweist. :
- 2. Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß von Silber, Kupfer undGold bis auf einen Gehalt von höchstens io-3 Gewichtsprozent durch Reinigung befreites Wismut auf die Selenschicht aufgespritzt wird. 3. Verfahren zum Herstellen von Setengleichrichtern nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Selenschicht zunächst eine Substanz, vorzugsweise Wismutoxyd oder Selendioxyd, aufgebracht wird, die eine Reaktion zwischen dem SeMn und dem anschließend im Vakuum aufgedampften, von Silber, Kupfer und Gold bis auf einen Gehalt von höchstens io-
- 3 Gewichtsprozent durch Reinigung befreiten Wismut verhindert. Angezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 5ig 161; Lg. j o os : » Naturforschung und Medicin in Deutschland«, Bd. 9 ' II. Teil. 1948, S - i o6 bis i o8; Zeitschrift für anorganische Chemie, igi6, S.:237 bis 264.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1949P0036196 DE897451C (de) | 1949-03-09 | 1949-03-09 | Selengleichrichter mit Wismutelektrode, insbesondere zum Messen kleiner Wechselspannungen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1949P0036196 DE897451C (de) | 1949-03-09 | 1949-03-09 | Selengleichrichter mit Wismutelektrode, insbesondere zum Messen kleiner Wechselspannungen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE897451C true DE897451C (de) | 1953-11-23 |
Family
ID=7374616
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1949P0036196 Expired DE897451C (de) | 1949-03-09 | 1949-03-09 | Selengleichrichter mit Wismutelektrode, insbesondere zum Messen kleiner Wechselspannungen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE897451C (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE976468C (de) * | 1949-08-15 | 1963-09-19 | Licentia Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines UEberschusshalbleiters aus einem Defekthalbleiter |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE519161C (de) * | 1927-12-06 | 1931-02-25 | Ernst Presser | Wechselstrom-Gleichrichter mit zwischen zwei Elektroden angeordnetem Gleichrichtermaterial |
-
1949
- 1949-03-09 DE DE1949P0036196 patent/DE897451C/de not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE519161C (de) * | 1927-12-06 | 1931-02-25 | Ernst Presser | Wechselstrom-Gleichrichter mit zwischen zwei Elektroden angeordnetem Gleichrichtermaterial |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE976468C (de) * | 1949-08-15 | 1963-09-19 | Licentia Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines UEberschusshalbleiters aus einem Defekthalbleiter |
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