DE1152195B - Verfahren zum Kontaktieren von mit Aluminium legierten Halbleiter-anordnungen - Google Patents
Verfahren zum Kontaktieren von mit Aluminium legierten Halbleiter-anordnungenInfo
- Publication number
- DE1152195B DE1152195B DEJ17815A DEJ0017815A DE1152195B DE 1152195 B DE1152195 B DE 1152195B DE J17815 A DEJ17815 A DE J17815A DE J0017815 A DEJ0017815 A DE J0017815A DE 1152195 B DE1152195 B DE 1152195B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- nickel
- aluminum
- semiconductor
- semiconductor body
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 61
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 29
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 9
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000009189 diving Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- 238000011369 optimal treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 235000011118 potassium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
J17815 Vmc/21g
ANMELDETAG: U. MÄRZ 1960
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UND AUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT:
DER ANMELDUNG
UND AUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT:
1. AUGUST 1963
Es ist bekannt, an einem Halbleiterkörper aus Silizium durch elektrolytisches Plattieren ohmsche
Kontakte anzubringen, welche durch Löten kontaktiert werden. Ferner ist ein Verfahren zum
Kontaktieren von Halbleiterkörpern aus Silizium bekannt, bei dem der Halbleiter mit einer solchen Ätzflüssigkeit
mit metallischen Verbindungen als Zusätzen behandelt wird, daß Fremdschichten, insbesondere
Oxydschichten, entfernt werden und gleichzeitig auf der Halbleiteroberfläche eine Metallkontaktschicht
durch Ionenaustausch niedergeschlagen wird.
Demgegenüber betrifft die vorhegende Erfindung ein Verfahren zum Kontaktieren von mit Aluminium
legierten Halbleiteranordnungen, insbesondere von Transistoren und Dioden aus Silizium. Zum Unterschied
zu den bekannten Verfahren sollen also durch das Verfahren der vorliegenden Erfindung die durch
das Einlegieren der Legierungskörper erhaltenen Aluminiumelektroden kontaktiert werden.
Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, bei denen die pn-Übergänge für die Emitter- und
Kollektorseite durch Einlegieren von Legierungskörpern aus Aluminium oder einer aluminiumhaltigen
Legierung hergestellt werden, bereitet das Anbringen der Stromzuführungsdrähte an die Aluminiumelektrode
Schwierigkeiten. Diese werden dadurch verursacht, daß sich das Aluminium bekanntlich in
einer Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre sofort mit einer Oxydschicht aus Aluminiumoxyd überzieht.
Diese Oxydschicht besitzt einen relativ hohen Schmelzpunkt, so daß sie bei Anwendung der üblichen
Lötverfahren eine Verbindung des Anschlußdrahtes mit der Aluminiumelektrode erschwert. Es
sind bereits zahlreiche Verfahren bekannt, die Aluminiumoxydhaut vor dem Kontaktieren mit dem
Anschlußdraht durch chemische oder mechanische Behandlung zu entfernen. Man hat dabei jedoch darauf
zu achten, daß sich keine neue Oxydhaut während oder kurz vor dem Lötvorgang bildet. Man
kann das beispielsweise verhindern, indem man die Oberfläche der eingelagerten Aluminiumelektrode mit
einer Nickelschicht, beispielsweise durch Plattieren, versieht. Schwierigkeiten bereitet dabei die Tatsache,
daß sich auch die Siliziumoberfläche des Halbleiterkörpers mit Nickel überzieht. Aus diesem Grunde
hat man bisher durch eine gezielte Behandlung nur die Oberfläche der Aluminiumelektrode mit Nickel
überzogen. Es ist jedoch leicht einzusehen, daß dieses Verfahren wegen der geringen Abmessungen der
Halbleiteranordnung sehr mühselig ist und hohe Anforderungen an das Arbeitspersonal stellt.
Nach der Erfindung werden Nachteile, die sich Verfahren zum Kontaktieren
von mit Aluminium legierten Halbleiteranordnungen
von mit Aluminium legierten Halbleiteranordnungen
Anmelder:
Intermetall Gesellschaft für Metallurgie
und Elektronik m. b. H.,
Freiburg (Breisgau), Hans-Bunte-Str. 19
Freiburg (Breisgau), Hans-Bunte-Str. 19
Dr. Horst Knau, Freiburg (Breisgau)-Lehen,
und Georges Calon, Freiburg (Breisgau),
sind als Erfinder genannt worden
beim gezielten Plattieren nur der Legierungselektrode ergeben, erfindungsgemäß dadurch vermieden, daß
nach dem Einlegieren der Legierungskörper aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung die gesamte
Halbleiteranordnung zunächst in einem die Oxydhaut angreifenden Ätzmittel geätzt, danach unmittelbar
in einem solchen Nickelbad stromlos mit Nickel plattiert wird, das auf der Aluminiumelektrode
einen wesentlich dickeren Nickelüberzug abscheidet als auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers,
und daß nach dem Anlöten der Zuführungsdrähte durch eine weitere Ätzbehandlung das Nickel nur
von der Oberfläche des Halbleiterkörpers entfernt wird.
Die Vorteile der Erfindung liegen darin, daß zum Plattieren der Aluminiumelektroden nicht jede einzelne
Halbleiteranordnung gesondert behandelt werden muß, sondern daß es möglich ist, zahlreiche
Halbleiteranordnungen, die aus dem Halbleiterkörper mit dem einlegierten Legierungskörper bestehen, in
ein Nickelbad zu tauchen. Es wird dabei zwar auch ein Niederschlag aus Nickel auf der Oberfläche des
Halbleitermaterials erzeugt, es hat sich jedoch überraschenderweise herausgestellt, daß es verhältnismäßig
leicht ist, diese an sich unerwünschte Nickelschicht auf dem Halbleiterkörper durch eine anschließende
Ätzbehandlung wieder zu entfernen. Die der Erfindung zugrunde hegende Erkenntnis besteht
darin, daß sich beim Eintauchen der Halbleiteranordnungen in das Nickelbad das Nickel vorzugsweise auf
der Oberfläche der einlegierten Legierungskörper aus
309 649/195
Aluminium oder einer aluminiumhaltigen Legierung niederschlägt und dort bereits ein fester, zusammenhängender
Nickelüberzug entstanden ist, während sich auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers, beispielsweise
aus Silizium, nur geringe Spuren und unzusammenhängende Schichten aus Nickel niederschlagen,
die durch ein geeignetes Ätzmittel leicht wieder entfernt werden können.
Im folgenden sollen an Hand eines Ausführungsbeispiels die Vorteile und weiteren Merkmale der Er-
findung näher erläutert werden:
Zunächst wird ein kleines Halbleiterplättchen aus Silizium in bekannter Weise mit Legierungskörpern
aus Aluminium oder einer aluminiumhaltigen Legierung, beispielsweise einer eutektischen Aluminium-
Silizium-Legierung, legiert. Bei der Herstellung von Dioden wird dazu in eine Oberfläche des Halbleiterplättchens
ein Legierungskörper einlegiert, während bei der Herstellung von Transistoren in beide Oberflächen
je ein Legierungskörper einlegiert wird. Dieses Verfahren ist bekannt, und es soll daher nicht näher
darauf eingegangen werden.
Die Halbleiteranordnung aus dem Siliziumkörper und den beiden einlegierten Legierungskörpern wird
durch Eintauchen in eine Ätzflüssigkeit gereinigt. Als Ätzflüssigkeit eignet sich beispielsweise eine 5%ige
Kalilauge, die außerdem noch erhitzt werden kann und die die Oxydhaut insbesondere auf der Oberfläche
des Legierungskörpers entfernt.
Nach Beendigung dieser Ätzbehandlung wird die Halbleiteranordnung umgehend in ein Nickelbad
gebracht. Es kann dazu irgendeine bekannte Lösung verwendet werden, die so zusammengesetzt ist, daß
sich die in ihr befindlichen Nickelionen auf der Aluminiumelektrode als metallisches Nickel abscheiden.
Es werden sich dabei gleichzeitig auch Nickelionen auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers absetzen. Die
Affinität zu dem Silizium ist jedoch nicht so groß wie zum Aluminium, so daß sich bereits eine dichte zusammenhängende
Nickelschicht auf der Oberfläche der Aluminiumelektroden gebildet hat, während erst
geringe Mengen Nickel auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers abgesetzt sind. Wenn man nun die Behandlungsdauer
so einrichtet, daß die Halbleiteranordnung sofort aus dem Nickelbad entfernt wird,
wenn sich eine genügend dichte Nickelschicht auf der Oberfläche der Aluminiumelektroden abgesetzt hat,
kann man erreichen, daß die Nickelschicht auf der Halbleiteroberfläche nur sehr dünn ist. Diese
optimale Behandlungszeit kann durch einfache Versuche leicht ermittelt werden. Die so behandelte
Halbleiteranordnung kann nun bequem mit den Anschlußdrähten versehen werden, indem man diese
an die mit Nickel plattierten Aluminiumelektroden anlötet. Anschließend kann man die Halbleiteranordnung
in bekannter Weise vervollständigen, indem man sie beispielsweise auf einen geeigneten Sockel
montiert.
Diese Halbleiteranordnung besitzt noch dünne Nickelschichten auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers
aus Silizium, die entfernt werden müssen. Zu diesem Zweck wird die Halbleiteranordnung (bei
der Massenherstellung wieder mehrere derartige Halbleiteranordnungen) einer elektrolytischen Ätzbehandlung
unterworfen. Als geeignet hat sich dafür beispielsweise eine lO°/oige Lösung von Schwefelsäure
erwiesen. Diese entfernt die dünne, nicht zusammenhängende Nickelschicht auf der Oberfläche
des Halbleiterkörpers, ohne dabei die Lötverbindung des Anschlußdrahtes mit der Aluminiumelektrode
anzugreifen. Auch dabei läßt sich wieder leicht eine optimale Ätzdauer durch Versuche ermitteln.
Die Halbleiteranordnungen können dann in bekannter Weise weiterverarbeitet und mit Umhüllungen
oder Gehäusen versehen werden.
Claims (4)
1. Verfahren zum Kontaktieren von mit Aluminium legierten Halbleiteranordnungen, insbesondere
von Transistoren und Dioden aus Silizium, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem
Einlegieren der Legierungskörper aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung die gesamte
Halbleiteranordnung zunächst in einem die Oxydhaut angreifenden Ätzmittel geätzt, danach unmittelbar
in einem solchen Nickelbad stromlos mit Nickel plattiert wird, das auf der Aluminiumelektrode
einen wesentlich dickeren Nickelüberzug abscheidet als auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers,
und daß nach dem Anlöten der Zuführungsdrähte durch eine weitere Ätzbehandlung das Nickel nur von der Oberfläche des Halbleiterkörpers
entfernt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiteranordnung so
lange in das Nickelbad eingetaucht wird, bis sich auf der Aluminiumelektrode gerade ein geschlossener
Nickelüberzug abgeschieden hat und die übrige Oberfläche der Halbleiteranordnung jedoch
noch nicht mit einem geschlossenen Überzug versehen ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Nickel nach dem Anbringen
der Zuführungsdrähte von der Oberfläche des Halbleiterkörpers durch elektrolytisches
Ätzen mit einer lO°/oigen Schwefelsäure entfernt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Ätzbehandlung so lange
durchgeführt wird, bis die Nickelschicht von der Oberfläche des Halbleiterkörpers entfernt ist,
jedoch die Lötverbindung zwischen dem Anschlußdraht und der Aluminiumelektrode noch
nicht angegriffen ist.
In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1000533;
USA.-Patentschrift Nr. 2793 420.
© 309 649/195 7.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEJ17815A DE1152195B (de) | 1960-03-11 | 1960-03-11 | Verfahren zum Kontaktieren von mit Aluminium legierten Halbleiter-anordnungen |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEJ17815A DE1152195B (de) | 1960-03-11 | 1960-03-11 | Verfahren zum Kontaktieren von mit Aluminium legierten Halbleiter-anordnungen |
| DEI0017815 | 1960-03-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1152195B true DE1152195B (de) | 1963-08-01 |
Family
ID=25981262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEJ17815A Pending DE1152195B (de) | 1960-03-11 | 1960-03-11 | Verfahren zum Kontaktieren von mit Aluminium legierten Halbleiter-anordnungen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1152195B (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3638342A1 (de) * | 1986-11-10 | 1988-05-19 | Siemens Ag | Elektrisches bauelement aus keramik mit mehrlagenmetallisierung und verfahren zu seiner herstellung |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1000533B (de) * | 1954-10-22 | 1957-01-10 | Siemens Ag | Verfahren zur Kontaktierung eines Halbleiterkoerpers |
| US2793420A (en) * | 1955-04-22 | 1957-05-28 | Bell Telephone Labor Inc | Electrical contacts to silicon |
-
1960
- 1960-03-11 DE DEJ17815A patent/DE1152195B/de active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1000533B (de) * | 1954-10-22 | 1957-01-10 | Siemens Ag | Verfahren zur Kontaktierung eines Halbleiterkoerpers |
| US2793420A (en) * | 1955-04-22 | 1957-05-28 | Bell Telephone Labor Inc | Electrical contacts to silicon |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3638342A1 (de) * | 1986-11-10 | 1988-05-19 | Siemens Ag | Elektrisches bauelement aus keramik mit mehrlagenmetallisierung und verfahren zu seiner herstellung |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2142146A1 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung | |
| DE1213921B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| DE1160547B (de) | Verfahren zum elektrolytischen AEtzen eines Halbleiterbauelementes mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkoerper und einem an die Oberflaeche tretenden pn-UEbergang | |
| DE1100178B (de) | Verfahren zur Herstellung von anlegierten Elektroden an Halbleiter-koerpern aus Silizium oder Germanium | |
| DE1152195B (de) | Verfahren zum Kontaktieren von mit Aluminium legierten Halbleiter-anordnungen | |
| DE1690224B1 (de) | Bad fuer die stromlose verkupferung von kunststoffplatten | |
| EP1082471A1 (de) | Verfahren zum überziehen von oberflächen auf kupfer oder einer kupferlegierung mit einer zinn- oder zinnlegierungsschicht | |
| DE2327878C3 (de) | Verfahren zum Ätzen von mit Elektroden versehenen Halbleiterscheiben für Halbleiterbauelemente | |
| DE1546025A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Oxydschicht auf einem Halbleiterkoerper aus Germanium oder einer AIIIBV-Verbindung | |
| DE1167726B (de) | Verfahren zur Herstellung von Kupferplattierungen auf begrenzten Flaechenbereichen keramischer Koerper | |
| DE1089892B (de) | Verfahren zur Herstellung flaechenhafter ohmscher Elektroden auf einem Siliziumhalbleiterkoerper einer Halbleiteranordnung | |
| DE1521080A1 (de) | Verfahren zur Aufbringung von metallischen Oberflaechenschichten auf Werkstuecke aus Titan | |
| DE1040135B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen aus Silicium od. dgl. durch Anwendung eines chemischen AEtzvorganges an der Stelle des p-n-UEberganges | |
| DE1496899C3 (de) | Verfahren zum Galvanisieren von Aluminium und Aluminiumlegierungen | |
| DE1464687A1 (de) | Verfahren zum AEtzen von Haibleiteranordnungen | |
| DE1521163A1 (de) | Verfahren zur stromlosen Vernickelung von Siliziumoberflaechen | |
| DE2215364C3 (de) | Verfahren zum Vergolden von Wolframoder Molybdänelektroden | |
| DE1226855B (de) | Verfahren zum stromlosen Vergolden der aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung bestehenden Elektroden einer Halbleiter-anordnung | |
| DE1913616C3 (de) | Verfahren zum Ätzen einer an einem Halter angebrachten Halbleiterscheibe | |
| DE825029C (de) | Verfahren zur Erzeugung festhaftender galvanischer UEberzuege von Blei und Bleilegierungen | |
| DE1614583C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Kontaktmetallschicht für eine mit mindestens einem pn-übergang versehene Halbleiteranordnung | |
| DE890102C (de) | Zuendeinrichtung fuer elektrische Entladungsgefaesse | |
| US2459886A (en) | Selenium rectifier | |
| DE814914C (de) | Kupferoxydulgleichrichter, insbesondere kleinster Eigenkapazitaet, fuer kleine Leistungen bei niedrigen Spannungen, vorzugsweise fuer hohe Frequenzen | |
| DE1564443C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung |