DE1009312B - Verfahren zur Herstellung einer Tellurschicht auf einem aus Cadmiumtellurid bestehenden, halbleitenden Koerper - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Tellurschicht auf einem aus Cadmiumtellurid bestehenden, halbleitenden Koerper

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DE1009312B
DE1009312B DEN11516A DEN0011516A DE1009312B DE 1009312 B DE1009312 B DE 1009312B DE N11516 A DEN11516 A DE N11516A DE N0011516 A DEN0011516 A DE N0011516A DE 1009312 B DE1009312 B DE 1009312B
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DE
Germany
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layer
tellurium
cadmium telluride
semiconducting body
producing
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Pending
Application number
DEN11516A
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English (en)
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Dirk De Nobel
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Publication date
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
deutsches mmm< Patentamt
kl. 21g 11/02
INTERNAT. KL. H 01 1
AUSLEGESCHRIFT 1009 312
N 11516 VIII c/21g ANMELDE TA G: 3 0. NOVEMBER 19 5 5
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UND AUSGABE DER
AÜSLEGESCHRIFT: 29. MAI 1957
Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung einer Tellurschicht auf einem aus Cadmiumtellurid bestehenden, halbleitenden Körper.
Tellurschichten auf Cadmiumtellurid, wenn dieses p-leitfähig ist, ergeben einen ohmschen Kontakt, während sie bei n-leitfähigem Material eine gleichrichtende oder eine photoempfindliche Wirkung haben.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß auf Cadmiumtellurid auf einfache Weise dadurch eine Tellurschicht hergestellt werden kann, daß das Cadmiumtellurid oberflächlich durch nasse Oxydation in Tellur umgewandelt wird.
Gemäß der Erfindung wird der halbleitende Körper dazu mit einer oxydierenden Lösung derart behandelt, daß eine oberflächliche Umwandlung in Tellur unter Vermeidung von Telluroxydbildung stattfindet. Ist die Behandlungslösung zu schwach oxydierend, so erfolgt keine Reaktion. Bei einer zu starken oxydierenden Wirkung wird das Cadmiumtellurid teilweise in Telluroxyd umgewandelt,-wobei Cadmium gelöst wird. In den dazwischenliegenden Oxydationsverhältnissen wird auf dem Cadmiumtellurid eine Tellurschicht gebildet.
Die Oxydationsverhältnisse können nicht nur durch die Wahl des oxydierenden Stoffes, sondern auch durch die Konzentration der Lösung dieses Stoffes, die Temperatur der Lösung und die Behandlungszeit des Halbleiters beeinflußt werden. In einem stark sauren Milieu verläuft die Reaktion bei niedrigerer Temperatur, und die Bildung von Telluroxyd ist weniger Verfahren zur Herstellung
einer Tellurschicht auf einem aus
Cadmiumtellurid bestehenden,
halbleitenden Körper
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt, Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität: Niederlande vom 4. Dezember 1954
Dirk de Nobel, Eindhoven (Niederlande), ist als Erfinder genannt worden
hinderlich. Die zur Oxydation geeigneten Verhältnisse können einfach an Hand einiger Versuche festgestellt werden, wie dies in der nachfolgenden Tabelle angegeben ist.
Tabelle
Oxydationsmittel Konzentration
in °/o		 Temperatur
in 0C		 Zeit in Minuten Konzentration
H Cl in °/o		 Resultat
L 0,05 η 40 keine Reaktion
J2 0,05 η 70 3 Te-Schicht
0,1η 70 3 Te-Schicht + Oxyd
0,05 η 20 3 20,2 Te-Schicht
0,15 η 20 3 20,2 Te-Schicht
FeCl, 0,3 70 5 Te-Schicht
2 40 keine Reaktion
2 70 3 Te-Schicht mit Oxyd
flecken
12,5 20 einige haftender schwarzer
Sekunden Niederschlag mit
freiem Te
1 20 10 20,2 Te-Schicht
1 20 20 10,1 Te-Schicht
1 20 5,05 keine Reaktion
1 40 10 5,05 Te-Schicht
1 20 2,02 keine Reaktion
1 60 10 2,02 Te + Oxydflecken
709 546/355
3 Oxydationsmittel Konzentration
in°/o		 Temperatur
Jn0C		 Zeit in Minuten 4 Resultat
H2O2 1
3
0,5
0,5
0,5
0,5
22
22
12
6
3
3
1		 20
20
20
20
30
40 bis 50
20
40
30 bis 50
20
20
40
30 bis 40		 3
10
10
3
3
3
3
3
3
3
3
1		 Konzentration
H Cl in »/o		 Te-Schicht
schwarzer Nieder
schlag
Te-Schicht etwas Oxyd
Te-Schicht etwas Oxyd
Te-Schicht
Te-Schicht + Oxyd
flecken
Te-Schicht
Te-Schicht + Oxyd
Te-Schicht
Te-Schicht
keine Reaktion
Te-Schicht
Te-Schicht
HNO0 20,2
20,2
20,2
10,1
10,1
8
20,2
20,2
20,2
20
Ce(SOJ2
Zur Ansäuerung der Lösungen wird vorzugsweise HCl gewählt, da Säuren wie H2SO4, HNO3 und H Cl O4 bereits eine oxydierende Wirkung haben und Säuren wie HF, HBr und HJ weniger gut zu verarbeiten sind.
Beispiel 1 a5
Eine Platte aus p-leitfähigem CdTe wird z. B. mit einer Lösung von 0,3% FeCl3 während 5 Minuten bei einer Temperatur von 70° C behandelt. Die oberflächlich entstandene Tellurschicht bildet mit dem CdTe einen ohmschen Kontakt.
Beispiel 2
Eine n-leitfähige CdTe-Kristallplatte mit etwa 3,1017 Ladungsträgern pro cm3 wird durch Behandlung bei 40° C mit einer Lösung von 20,2% HCl und 3% HNO3 mit einer Tellurschicht versehen. Die Tellurschicht wird auf einer Seite z. B. durch Abscheuern entfernt. Auf dieser Seite wird ein ohmscher Kontakt durch Aufschmelzen von Indium bei 500° in einem Gemisch aus Stickstoff und 10% Wasserstoff angebracht. Der durch die Tellurschicht erhaltene Gleichrichter hat eine Strom-Spannungs-Kennlinie nach Fig. 1.
Bei Belichtung mit etwa 2700 Lux mittels einer Wolframbandlampe (Farbtemperatur 2800° K) ergibt die Tellurschicht eine Photo-EMK und/oder einen Photostrom. Der Kurzschlußstrom beträgt 150 μΑ, und die Spannung bei einem unendlichen Außenwiderstand beträgt 500 mV.
Wie aus Fig. 2 ersichtlich ist, in der der Verlauf der Photo-EMK über der Wellenlänge aufgetragen ist, liegt die maximale Empfindlichkeit bei einer Wellenlänge von 8250 A.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH:
    Verfahren zur Herstellung einer Tellurschicht auf einem aus Cadmiumtellurid bestehenden, halbleitenden Körper, dadurch gekennzeichnet, daß der halbleitende Körper mit einer oxydierenden Lösung derart behandelt wird, daß eine oberflächliche Umwandlung in Tellur unter Vermeidung von Telluroxydbildung stattfindet.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
    © 709 5W355 5.57
DEN11516A 1954-12-04 1955-11-30 Verfahren zur Herstellung einer Tellurschicht auf einem aus Cadmiumtellurid bestehenden, halbleitenden Koerper Pending DE1009312B (de)

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