DE1177253B - Unsymmetrisch leitende Halbleiteranordnung aus einer Aluminiumoxydschicht und zwei Halbleiter-schichten - Google Patents

Unsymmetrisch leitende Halbleiteranordnung aus einer Aluminiumoxydschicht und zwei Halbleiter-schichten

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DE1177253B
DE1177253B DEE18653A DEE0018653A DE1177253B DE 1177253 B DE1177253 B DE 1177253B DE E18653 A DEE18653 A DE E18653A DE E0018653 A DEE0018653 A DE E0018653A DE 1177253 B DE1177253 B DE 1177253B
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aluminum oxide
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asymmetrically conductive
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Dr Zalan Bodo
Janos Katona
Dr Gyoergy Szigeti
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Egyesuelt Izzolampa es Villamossagi Rt
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Egyesuelt Izzolampa es Villamossagi Rt
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. Kl.: HOIl
Deutsche Kl.: 21g-11/02
Nummer: 1177253
Aktenzeichen:: E18653 VIII c / 211
Anmeldetag: 18. Dezember 1959
Auslegetag: 3. September 1964
Es ist bekannt, daß eine an einer Aluminiumoberfläche elektrolytisch erzeugte Aluminiumoxydschicht in schwach sauren Elektrolyten gleichrichtend wirkt. Es ist ferner ein Verfahren zum Herstellen eines Trockengleichrichters bekannt, bei dem auf eine an einer Aluminiumoberfläche elektrolytisch erzeugte Aluminiumoxydschicht eine Manganschicht aufgetragen, hierauf formiert und mit einer Zuleitungselektrode versehen wird. Ein auf diese Weise hergestellter Gleichrichter hat eine Sperrspannung von etwa 400 Volt. Des weiteren sind unsymmetrisch leitende Halbleiter- oder Gleichrichteranordnungen bekannt, die aus einer auf einer Aluminiumunterlage befindlichen Aluminiumoxydschicht und mindestens zwei weiteren, auf der Aluminiumoxydschicht befindlichen Halbleiterschichten bestehen.
Auf die letztgenannte Art unsymmetrisch leitender Halbleiteranordnungen bezieht sich die Erfindung, und ihre Auf gäbe ist es, anzugeben, wie die bekannten Anordnungen dieser Art hinsichtlich ihrer Gleichrichterleistung, insbesondere durch Erhöhung der Sperrspannung wesentlich verbessert werden können. Außerdem können die Anordnungen nach der Erfindung aus leicht zugänglichen billigen Ausgangsstoffen in verhältnismäßig einfacher Weise hergestellt werden.
Die Erfindung besteht darin, daß die der Aluminiumoxydschicht benachbarte Halbleiterschicht aus Manganoxyd oder Bleioxyd mit einem dem des Al2O3 entgegengesetzten Leitungstyp besteht und die nächstfolgende weitere Schicht in ihrem Material sowohl von dem der ersten als auch von dem der zweiten Schicht abweicht und einen dem der zweiten Schicht entgegengesetzten Leitungstyp besitzt.
Der Hauptvorteil der erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung besteht darin, daß sie aus leicht zugänglichen billigen Ausgangsstoffen und in recht einfacher Weise hergestellt werden kann und trotzdem ähnliche Gleichrichterwirkung bzw. Verstärkerwirkung aufweist wie die bekannten Germanium- oder Siliziumgleichrichter bzw. Transistoren.
Wenn auf eine Schicht des Typs η oder ρ eine Halbleiterschicht des entgegengesetzten Typs, also z. B. auf eine Schicht des Typs η eine Halbleiterschicht des Typs p, aufgetragen wird, erhält man eine unsymmetrisch leitende Halbleiteranordnung. Wenn man aber an der äußeren freien Oberfläche dieser zweiten Halbleiterschicht wieder eine Halbleiterschicht des entgegengesetzten Typs ausbildet, kann man einen Schichttransistor erhalten.
Auf die auf der Aluminiumunterlage befindliche Al2O3-Schicht wird eine weitere Halbleiterschicht aufgetragen, die aus halbleitendem Manganoxyd oder Unsymmetrisch leitende Halbleiteranordnung aus einer Aluminiumoxydschicht und zwei Halbleiterschichten ;
Anmelder: ..:-..-... .:■■■.. J :
Egyesült Izzolämpa es Villamossägi
Reszvenytärsiasäg, Budapest
Vertreter:
Dipl.-Ing. W. Meissner, Berlin 33, Herbertstr. 22, und Dipl.-Ing. H. Tischer, München 2,
Patentanwälte
Als Erfinder benannt:
Dr. György Szigeti,
Dr. Zalan Bodo,
Janos Katona, Budapest
Beanspruchte Priorität:
Ungarn vom 23. Dezember 1958 (Ee-612)
Bleioxyd besteht. Die dritte Halbleiterschicht kann eine auf einer metallischen Unterlage ausgebildete Halbleiterschicht oder eine Schicht aus einer Germanium- oder Siliziumverbindung des Typs ρ sein.
Die Herstellung dieser Halbleiteranordnung kann in verschiedener Weise erfolgen. Die »erste« Halbleiterschicht wird derart hergestellt, daß das AIuminium der Unterlage oberflächlich in einen Halbleiter umgewandelt wird, was z. B. durch elektrolytisches Oxydieren erfolgen kann. Hierzu geeignete elektrolytische Oxydierungsverfahren sind an sich bekannt. So kann z. B. diese oberflächliche Oxydation in einer wäßrigen Lösung von 5% Borsäure und 0,5 ο/α Borax mit einer Stromdichte von 2 bis 4mA/cm2 erfolgen. Hierbei erhöht man die Spannung bis etwa 500 Volt und hält sie dann konstant, bis der gewünschte Durchleitungsstrom von z. B.
0,01 μΑ/ν/μΡ eingestellt ist.
Die »zweite« Halbleiterschicht aus Manganoxyd oder Bleioxyd kann sowohl durch unmittelbares Auftragen dieser Stoffe hergestellt werden als auch durch Auftragen einer Verbindung, aus welcher diese Oxyde durch pyrolytische Zersetzung gewonnen werden. Besteht z. B. diese »zweite« Schicht aus Manganoxyd, kann dieselbe derart hergestellt werden,
409 659/314
daß auf die »erste« Halbleiterschicht zunächst Mangannitrat aufgetragen und anschließend zersetzt wird.
Es können aber auch die einzelnen Halbleiterschichten gesondert hergestellt und dann z. B. mittels einer entsprechenden Wärmebehandlung miteinander vereinigt werden. Auf diese Art kann auch die sich auf der Metallunterlage befindende Halbleiterschicht erzeugt werden.
Selbstverständlich können die erfindungsgemäßen fertigen Anordnungen in an sich bekannter Weise auch formiert werden; vorerst müssen sie aber mit den üblichen Zuleitungselektroden versehen werden, was in beliebiger bekannter Weise erfolgen kann. Die endgültige Herstellung, wie das Anordnen in einem entsprechenden Schutzgehäuse od. dgl., kann ebenfalls in bekannter Weise erfolgen.

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Unsymmetrisch leitende Halbleiteranordnung, bestehend aus einer auf einer Aluminiumunterlage ao befindlichen Aluminiumoxydschicht sowie mindestens zwei weiteren, auf der Aluminiumoxydschicht befindlichen Halbleiterschichten, dadurch gekennzeichnet, daß die der Aluminiumoxydschicht benachbarte Halbleiterschicht aus Manganoxyd oder Bleioxyd mit einem dem des Al2O3 entgegengesetzten Leitungstyp besteht und die nächstfolgende weitere Schicht in ihrem Material sowohl von dem der ersten als auch von dem der zweiten Schicht abweicht und einen dem der zweiten Schicht entgegengesetzten Leitungstyp besitzt.
    In Betracht gezogene Druckschriften:
    Deutsche Patentschriften Nr. 610 126, 918 098;
    deutsche Patentanmeldungen ρ 13513 D VIII c/21 g (bekanntgemacht am 22.2.1951), L 8455 VIII c/21 g (bekanntgemacht am 29.5.1952), S 12974VIIIc/ 21g (bekanntgemacht am 6. 11. 1952);
    belgische Patentschriften Nr. 499 802, 520 122;
    USA.-Patentschriften Nr. 2 749 489, 2 786166;
    W. Crawford Dunlap, »An Introduction to Semiconductors«, New York, 1957, S. 322/324;
    »Electronics«, 1. 11. 1957, S. 144/149;
    »Solid state physics«, Bd. 3, New York, 1956, S. 307/308 und 400/402.
    409 659/314 8.64
DEE18653A 1958-12-23 1959-12-18 Unsymmetrisch leitende Halbleiteranordnung aus einer Aluminiumoxydschicht und zwei Halbleiter-schichten Pending DE1177253B (de)

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BE (1) BE585948A (de)
DE (1) DE1177253B (de)
GB (1) GB944027A (de)
NL (1) NL246765A (de)

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Also Published As

Publication number Publication date
BE585948A (fr) 1960-06-13
NL246765A (de)
GB944027A (en) 1963-12-11

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