DE1464669B1 - Halbleiterdiode mit stark spannungsabhaengiger Kapazitaet - Google Patents

Halbleiterdiode mit stark spannungsabhaengiger Kapazitaet

Info

Publication number
DE1464669B1
DE1464669B1 DE19621464669 DE1464669A DE1464669B1 DE 1464669 B1 DE1464669 B1 DE 1464669B1 DE 19621464669 DE19621464669 DE 19621464669 DE 1464669 A DE1464669 A DE 1464669A DE 1464669 B1 DE1464669 B1 DE 1464669B1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
zone
sub
semiconductor diode
zones
diode according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19621464669
Other languages
English (en)
Inventor
Fritz Gunter Adam
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Micronas GmbH
Original Assignee
Deutsche ITT Industries GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Deutsche ITT Industries GmbH filed Critical Deutsche ITT Industries GmbH
Publication of DE1464669B1 publication Critical patent/DE1464669B1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/92—Capacitors with potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L29/93—Variable capacitance diodes, e.g. varactors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4918—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/072—Heterojunctions

Description

Am übergang zwischen der Zone vom p-Typ und der Zone vom η-Typ einer Halbleiterdiode ist eine schmale Zone vorhanden, in der praktisch keine freien Ladungsträger existieren. Obwohl die festen Ladungen der ionisierten Donatoren und Akzeptoren einander in der ganzen Zone kompensieren, ist daher ein Überschuß von positiven oder negativen Raumladungen in jedem Teil der Zwischenzone vorhanden, die daher auch als Raumladungszone bezeichnet wird.
Wenn keine äußere Spannung an den übergang angelegt ist, hängt die Dicke der Raumladungszone von der Zusammensetzung der p-Zone und der n-Zone an jeder Seite ab. Außerdem wirkt die Raumladungszone in mancher Beziehung wie ein Kondensator mit parallelen Platten, da sie aus einer Zone besteht, welche keine freien Ladungsträger hat, die zwischen zwei Zonen angeordnet ist, welche eine große Anzahl von solchen Ladungsträgern enthalten. Wenn eine Spannung in Sperrichtung an den übergang angelegt wird, werden die freien Ladungsträger aus den benachbarten Gebieten der p-Zone und der n-Zone, welche sich an die Raumladungszone anschließen, entfernt, deren Dicke deshalb wächst, d. h., ihre Kapazität wird vermindert.
Das exakte Verhältnis zwischen der Spannung am übergang und dessen Kapazität hängt von der Verteilung der Donatoren und Akzeptoren in den Teilen der p-Zone und der n-Zone ab, die dem übergang benachbart sind.
Halbleiterdioden, deren Kapazität sich bei geringfügigen Abweichungen der Höhe der Spannung stark ändert, werden als Kapazitätsdioden bezeichnet.
Aus der britischen Patentschrift 838 512 war bereits eine Halbleiterdiode mit; stark spannungsabhängiger Kapazität eines pn-übergangs an einer Zone aus einer ersten, zweiten und dritten Teilzone bekannt, von denen die zweite Teilzone zwischen der ersten und dritten Teilzone eine niedrigere Leitfähigkeit hat als die erste und dritte Teilzone. Eine stärkere Spannungsabhängigkeit der Kapazität wird bei einer derartigen Halbleiterdiode erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß die übergänge zwischen den Teilzonen parallel zum pn-übergang verlaufen, daß am pn-übergang und an den übergängen der Teilzonen eine mindestens 50%ige Änderung der Störstellenkonzentration von einer zur anderen Zone bzw. Teilzone innerhalb eines Abstands von weniger als 10~5 cm vorhanden ist und daß die Teilzonen über ihre Dicke gleichmäßig dotiert sind.
Aus den bekanntgemachten Unterlagen zur deutsehen Patentanmeldung S 32 747 VIII c/21 g ist zwar eine Methode bekannt, um die Spannungsabhängigkeit der Kapazität in Abhängigkeit von der Störstellenkonzentration am pn-übergang zu berechnen. Diese Berechnungsmethode ist aber ohne weiteres nur auf einfache Spannungsabhängigkeiten und einfache Funktionen der Störstellenkonzentration anwendbar.
Im übrigen sind Halbleiteranordnungen mit an einem pn-übergang liegenden Zonen, welche aus unterschiedlich dotierten Teilzonen bestehen, allgemein bekannt. Beispielsweise bestehen die Basiszonen bzw. die Kollektor- oder Emitterzonen der Transistoren nach der französischen Patentschrift 1 197 044, der australischen Patentschrift 214 727, der Zeitschrift »Scientia electrica«, Bd. 5 (1959), Heft 1, S. 33 bis 36, und der deutschen Auslegeschrift 1054 587 aus Teilzonen mit unterschiedlichen Dotierungen.
Wie die nachfolgenden Berechnungen beweisen, hat die beanspruchte Halbleiterdiode infolge ihres Aufbaues den Vorteil, daß die Kapazität bei einer relativ geringen Spannungsänderung um den Faktor 10 und mehr abfällt.
Ausführungsformen der Erfindung sollen nun an Hand der Zeichnungen näher erläutert werden.
In F i g. 1 und 3 ist die Änderung der Störstellenkonzentration mit dem Abstand für zwei Halbleiterdioden gemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt.
Die F i g. 2 und 4 zeigen die Änderung der Kapazität des pn-Uberganges der Halbleiterdioden von F i g. 1 bzw. 3 mit der angelegten Spannung.
Die Änderung der Kapazität eines pn-Uberganges mit der an den übergang angelegten Spannung kann wie folgt berechnet werden für den Fall, daß die Störstellenkonzentration sich nach der Funktion JV(x) ändert, wobei χ der Abstand ist, der längs einer Achse senkrecht zur Ebene des Überganges gemessen wird:
Die dynamische Kapazität einer Raumladungszone pro Flächeneinheit kann definiert werden als
C =
dQ„
dV„
worin dßB die Ladungsänderung pro Flächeneinheit der η-Seite des pn-Uberganges bedeutet, wenn die angelegte Spannung sich von Va nach Va + d Va ändert. dQ„ wird nun an der Grenze der Raumladungszone addiert oder subtrahiert in einer Entfernung von Ln vom übergang und besteht fast vollständig aus überschüssigen Donatoren oder Akzeptoren, die in diese Zone eingeführt oder aus dieser Zone entfernt werden infolge der Änderung der Raumladungstiefe. Diese Änderung ist gegeben durch
dL„ =
dL„
~dv:
Man kann daher ausdrücken:
UQn= q N (Ln)OLn
q N(Ln) dVa dV„
dLn
(2a)
worin N(x) = ND(x) — NA(x) = Nettokonzentration der ionisierten Störstoffatome.
Wenn Gleichung (2 a) in Gleichung (1) eingesetzt wird, so erhält man für die Kapazität
C =
qN(Ln) dV„
(3)
dL„
Um die angelegte Spannung Va als Funktion von Ln auszudrücken, der Raumladungsschichtdicke auf der «-Seite, machen wir folgende Annahme:
JV(x) > 0 für χ > 0 (n-Typ),
JV(x) < 0 für χ < 0 (p-Typ).
Andererseits kann die Nettostörstellendichte JV(x) beliebig sein, aber integrierbar. Wie in Gleichung (2) vernachlässigen wir durchweg die Verteilung der
beweglichen Träger der Raumladung. Dies ist jedoch
eine gute Annäherung, mindestens so lang, als Sperr- Man kann jetzt
Spannungen Va größer als die innere Spannung F1 in Betracht gezogen werden.
Dann gilt für das Potential V in der Raumladungs- 5 zone die Poissonsche Gleichung in der einfachen Form und die innere Spannung F,- eine Konstante ist, ergibt
sich d V
irya berechnen, und da
Vn, = Va + V1 (10)
U2V
-q
Kt0
N(x).
(4) dL„
dL„
Durch einmalige Integration ergibt sich:
= ir~ (
Kt0 J
dx
Durch Differentiation der Gleichung (9) erhält man •5 d Va q
dL„
N(Ln) (Ln+Lp) . (11)
Die Randbedingungen sind:
dV dx
= 0
Tür χ = Ln,
für χ — —Lp.
(5 a) (5 b) Man erhält schließlich die Kapazität, indem die Gleichung (11) in die Gleichung (3) eingesetzt wird:
C =
(12)
Unter Verwendung von (5a) ergibt sich:
L.
Af0 J 0
Kt0
fm.
x) dx .
(6) Lp kann aus Gleichung (7) berechnet werden als Funktion von Ln und dann Ln aus Gleichung (9) als Funktion von Vn. Wenn dies in Gleichung (12) eingesetzt wird und Gleichung (10) berücksichtigt wird, so erhält man die Beziehungen zwischen der Kapazität C und der angelegten Spannung Va.
Als Alternative zur obigen Gleichung (9) kann es vorteilhaft sein, die folgende Formel zu verwenden:
Wenn man Gleichung (5b) in Gleichung (6) einsetzt, erhält man die Gesamt-Neutralitätsbedingungen für die Ladungen:
40
N(x) dx = 0
(7)
45
Eine weitere Integration von Gleichung (6) ergibt
V(X) =
J f
55
unter der Annahme, daß V = 0 für χ = 0.
Der gesamte Potentialabfail an dem in Sperrichtung belasteten übergang ist deshalb Vm =
= -i- f xN(x)dx.
-L.
Die Halbleiterdiode, deren Änderung der Störstellenkonzentration in der F i g. 1 dargestellt ist, enthält eine erste Zone aus einem Halbleitermaterial vom p-Typ mit P0 Akzeptoratomen pro Kubikzentimeter und eine zweite Zone mit η-Leitfähigkeit. Die zweite Zone besteht aus drei Teilzonen. Die erste Teilzone hat eine Breite von X0 cm und enthält N0 Donatoratome pro Kubikzentimeter. Die zweite Teilzone hat eine Dicke von (x2 — x0) cm und enthält JV2 Donatoratome pro Kubikzentimeter. Die dritte Teilzone enthält N3 Donatoratome pro Kubikzentimeter. Wie in F i g. 1 angedeutet, ist die Konzentration der Donatoratome in der zweiten Teilzone geringer als die Konzentration der Donatoratome in der ersten Teilzone.
Die Funktion N(x) für diese Ausführungsform ist daher gegeben durch:
Vn, =
V(-Lp
dx. (9) N(x)
P0 für χ < 0
N0 für 0 < χ < X0
N2 für x0 < χ < x2
N3 für χ > X2 .
Weiterhin ist JV0 > JV2 und N3 > N0 und, wenn P0 » JV0 ist, die erste Zone so stark dotiert, daß man nach Gleichung (7) Lp vernachlässigen kann.
Durch Anwendung der Gleichung (13) mit L9 = 0
ergibt sich:
T m
V*
1 / L \2
T ( —)
für 0 < L < x0
worm
V* =
Ke0
Die Beziehung zwischen der Kapazität des überganges und der angelegten Spannung wird erhalten durch Anwendung dieser Gleichungen und der Gleichung (12). Das Ergebnis ist in Fig. 2 dargestellt,
C V
in der -™ aufgetragen ist in Abhängigkeit von -r~,
worin C* =
xo
Aus F i g. 2 kann entnommen werden, daß die Kapazität des Überganges anfänglich langsam mit
X0 = 3μ X2 = 15 μ
JV0 = JV2 = N3 » JV0 steigender Sperrspannung fällt. Wenn jedoch die Spannung am übergang eine bestimmte Spannung Vs erreicht, ergibt sich ein plötzlicher Abfall der Kapazität, und für eine geringe Spannungsänderung Δ V fällt die Kapazität um den Faktor 10.
In einer Vorrichtung mit einer Störstellenverteilung, wie sie in F i g. 1 dargestellt ist, sind die Abmessungen und die Störstellenkonzentrationen der einzelnen Zonen und Teilzonen folgende:
V* 13,5 Volt
C* = 3530pF/cm2
Diese Vorrichtung hat die folgenden Eigenschaften:
K1 = 6,75 Volt C (bei 6,75 Volt) = 3530 pF/cm2 ,
Δ V = 0,16 Volt C (bei 6,91 Volt) = 706 pF/cm2 .
Eine andere Vorrichtung, die nach F i g. 1 hergestellt wurde, hatte folgende Abmessungen und Störstellenkonzentrationen :
X0 = 1 μ
X2 = 10 μ
Die Eigenschaften waren folgende:
Vs = 7,5VoIt
AV = 0,75 Volt
JV0 = 1016Cm-3 JV2 = 1013Cm-3 JV3 » JV0
C (bei 7,5 Volt) C (bei 8,25 Volt) V* = 15VoIt
C* = 10600 pF/cm2
10600 pF/cm2,
lOöOpF/cm2.
In F i g. 3 ist die Änderung der Störstellenkonzentration einer weiteren Halbleiterdiode gemäß der Erfindung dargestellt. Diese Diode hat eine erste Zone aus Material mit p-Leitung, welche P0 Akzeptoratome pro Kubikzentimeter enthält, und eine zweite Zone mit η-Leitung. Die zweite Zone besteht aus einer ersten, zweiten, dritten und vierten Teilzone mit JV0, JV2, JV3 bzw. JV1 Donatoratomen pro Kubikzentimeter. Die Konzentration der Donatoratome in der zweiten Teilzone ist geringer als die Konzentration in der ersten Teilzone und in der dritten Teilzone. Die erste, zweite und vierte Teilzone haben Dicken von (x0 — X1), (x2 — X0) bzw. X1 cm.
Die Funktion von JV(x) für diese Ausführungsform ist gegeben durch:
JV(x) =
^ ^ χ <Q
JV1 für 0 < χ < X1
N0 für X1 < χ < x0
JV2 für x0 < χ < x2
JV3 für χ > x2.
Weiter gilt JV0 > JV1, JV0 > JV2 und JV3 > JV2, und unter der Annahme, daß P0 » JV1, ist die erste Zone so stark dotiert, daß man nach Gleichung (7) Lp vernachlässigen kann.
Die Anwendung von Gleichung! 13) mit L1. = 0 ergibt:
1 Λΐ 'LVfiir υ <£.<*, L V ί -ν.
Im
Γ*
Ao V-V,
Α",
j_ [\V, / χ, \2
1 Π für χ(, < L <
,1
Wie oben wird das Verhältnis zwischen Kapazität 20 Wie im Falle von F i g. 2 ergibt sich eine bestimmte
des Überganges und der angelegten Spannung erhalten, indem diese Ergebnisse und die Gleichung (12) verwendet werden. F i g. 4 zeigt die Abhängigkeit des
C T'
Verhältnisses -^ von — .
Spannung!', in Fig. 4. bei der die Kapazität des Überganges plötzlich abfallt, und zwar um den Faktor 10 und mehr.
Eine Vorrichtung mit einer Störstellenverteilung nach F i g. 3 hatte folgende Abmessungen und Störstellenkonzentrationen :
X0 = 10a
X1 = 9 μ
X, = 30 α
Die Eigenschaften waren folgende:
Vs = 15VoIt
1 V = 0.6 Volt
A'o =
51 =
52 =
53 »
· 1013 cm"3
1012Cm"3
V* = 150VoIt
C* = 106OpF cm2
C (bei 15 Volt) = 1060 pF/cnr ,
C (bei 15.6 Volt) = 353 pF/cm2 .
45
Die schmalen Teilzonen der Dioden nach F i g. 1 und 3 können durch epitaxiales Aufwachsen hergestellt werden.

Claims (10)

Patentansprüche:
1. Halbleiterdiode mit stark spannungsabhängiger Kapazität eines pn-übergangs an einer Zone aus einer ersten, zweiten und dritten Teilzone, von denen die zweite Teilzone zwischen der ersten und dritten Teilzone eine niedrigere Leitfähigkeit hat als die erste und dritte Teilzone, dadurch gekennzeichnet, daß die übergänge zwischen den Teilzonen parallel zum pn-übergang verlaufen, daß am pn-übergang und an den übergängen der Teilzonen eine mindestens 50%ige Änderung der Störstellenkonzentration von einer zur anderen Zone bzw. Teilzone innerhalb eines Abstands von weniger als 10~5 cm vorhanden ist und daß die Teilzonen über ihre Dicke gleichmäßig dotiert sind.
2. Halbleiterdiode nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß die nicht aufgeteilte Zone aus Halbleitermaterial vom p-Typ besteht.
3. Halbleiterdiode nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Teilzone eine Dicke von 10"5 bis 2 · 10~3 cm hat.
4. Halbleiterdiode nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3. dadurch gekennzeichnet.
60
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen daß die zweite Teilzone eine Dicke zwischen 10 ~Λ und 10""1 cm hat.
5. Halbleiterdiode nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die eine aufgeteilte Zone eine vierte Teilzone enthält, die zwischen dem pn-übergang und der ersten Teilzone angeordnet ist und eine niedrigere Leitfähigkeit hat als die erste Teilzone.
6. Halbleiterdiode nach Anspruch 5. dadurch gekennzeichnet, daß die vierte Teilzone eine Dicke zwischen 10"5 und 2 · 10~3 cm hat.
7. Halbleiterdiode nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Teilzone zwischen 1015 und 101(1 Störstoffatome pro Kubikzentimeter enthält.
8. Halbleiterdiode nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Teilzone zwischen 10"5- und 10~2mal soviel Störstoffatome pro Kubikzentimeter enthält wie die erste Teilzone.
9. Halbleiterdiode nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8. dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Teilzone mehr Siörstoffatome pro Kubikzentimeter enthält als die erste Teilzone.
10. Halbleiterdiode nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilzonen der aufgeteilten Zone durch epitaxiales Wachstum erzeugt sind.
009585/103
COPY
DE19621464669 1961-03-06 1962-02-23 Halbleiterdiode mit stark spannungsabhaengiger Kapazitaet Withdrawn DE1464669B1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB808461 1961-03-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1464669B1 true DE1464669B1 (de) 1971-02-04

Family

ID=9845443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19621464669 Withdrawn DE1464669B1 (de) 1961-03-06 1962-02-23 Halbleiterdiode mit stark spannungsabhaengiger Kapazitaet

Country Status (2)

Country Link
US (1) US3201664A (de)
DE (1) DE1464669B1 (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3335337A (en) * 1962-03-31 1967-08-08 Auritsu Electronic Works Ltd Negative resistance semiconductor devices
US3334280A (en) * 1964-02-07 1967-08-01 Sperry Rand Corp Wide band semiconductor device having hyper-abrupt collector junction
US3283218A (en) * 1964-04-03 1966-11-01 Philco Corp High frequency diode having semiconductive mesa
US3493811A (en) * 1966-06-22 1970-02-03 Hewlett Packard Co Epitaxial semiconductor material on dissimilar substrate and method for producing the same
US3457471A (en) * 1966-10-10 1969-07-22 Microwave Ass Semiconductor diodes of the junction type having a heat sink at the surface nearer to the junction
US3761783A (en) * 1972-02-02 1973-09-25 Sperry Rand Corp Duel-mesa ring-shaped high frequency diode
US4326211A (en) * 1977-09-01 1982-04-20 U.S. Philips Corporation N+PP-PP-P+ Avalanche photodiode
US4226648A (en) * 1979-03-16 1980-10-07 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of making a hyperabrupt varactor diode utilizing molecular beam epitaxy
GB2104725B (en) * 1981-07-17 1986-04-09 Clarion Co Ltd Variable capacitance device
US5557140A (en) * 1995-04-12 1996-09-17 Hughes Aircraft Company Process tolerant, high-voltage, bi-level capacitance varactor diode

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE32747C (de) * CLARFELD & KÖCKLER in Iserlohn Schraubenschlüssel mit verstellbarer Maulweite
DE1054587B (de) * 1955-04-22 1959-04-09 Ibm Deutschland Transistor, hergestellt nach dem Gasdiffusionsverfahren, insbesondere fuer Schaltoperationen in datenverarbeitenden Maschinen
FR1197044A (fr) * 1957-12-23 1959-11-27 Thomson Houston Comp Francaise Dispositif à semi-conducteurs ou transistrons
GB838512A (en) * 1955-04-28 1960-06-22 Siemens Ag Improvements in or relating to voltage-dependent capacitors

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE509317A (de) * 1951-03-07 1900-01-01
US2763581A (en) * 1952-11-25 1956-09-18 Raytheon Mfg Co Process of making p-n junction crystals
US2987659A (en) * 1955-02-15 1961-06-06 Teszner Stanislas Unipolar "field effect" transistor
US2913676A (en) * 1955-04-18 1959-11-17 Rca Corp Semiconductor devices and systems
US2914715A (en) * 1956-07-02 1959-11-24 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor diode
US2980830A (en) * 1956-08-22 1961-04-18 Shockley William Junction transistor
NL276978A (de) * 1956-09-05
US2878152A (en) * 1956-11-28 1959-03-17 Texas Instruments Inc Grown junction transistors
NL240714A (de) * 1958-07-02
NL241053A (de) * 1958-07-10
FR1210880A (fr) * 1958-08-29 1960-03-11 Perfectionnements aux transistors à effet de champ
NL243218A (de) * 1958-12-24

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE32747C (de) * CLARFELD & KÖCKLER in Iserlohn Schraubenschlüssel mit verstellbarer Maulweite
DE1054587B (de) * 1955-04-22 1959-04-09 Ibm Deutschland Transistor, hergestellt nach dem Gasdiffusionsverfahren, insbesondere fuer Schaltoperationen in datenverarbeitenden Maschinen
GB838512A (en) * 1955-04-28 1960-06-22 Siemens Ag Improvements in or relating to voltage-dependent capacitors
FR1197044A (fr) * 1957-12-23 1959-11-27 Thomson Houston Comp Francaise Dispositif à semi-conducteurs ou transistrons

Also Published As

Publication number Publication date
US3201664A (en) 1965-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2805170C2 (de)
DE3136682C2 (de)
DE2841453C2 (de) Halbleiterspeicherzelle
DE2160427C3 (de)
DE2559360A1 (de) Halbleiterbauteil mit integrierten schaltkreisen
DE2159192B2 (de) Feldeffektspeichertransistor mit isolierter Gate-Elektrode
DD152875A5 (de) Verfahren zum herstellen eines hochintegrierten festwertspeichers
DE1076275B (de) Halbleiteranordnung mit mindestens einem flaechenhaften pn-UEbergang
DE2810597A1 (de) Elektrische bauelementstruktur mit einer mehrschichtigen isolierschicht
DE1564129A1 (de) Feldeffekttransistor
DE2210165A1 (de) Ladungsgekoppelte Halbleiteranordnung
DE1464669B1 (de) Halbleiterdiode mit stark spannungsabhaengiger Kapazitaet
DE2432352C3 (de) MNOS-Halbleiterspeicherelement
DE1808928A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE1764712A1 (de) Widerstandskoerper fuer eine integrierte Schaltung
DE1075745B (de) Halbleiteranordnung mit einem pn-Übergang, insbesondere zur Verwendung als spannungsabhängige Kapazität
DE2702451B2 (de) Halbleiteranordnung
DE3150059A1 (de) Kondensator mit veraenderbarer kapazitaet
DE1464669C (de) Halbleiterdiode mit stark spannungsabhängiger Kapazität
DE2710701C3 (de) Halbleiterbauelement
DE1514082C3 (de) Feldeffekt-Transistor
DE2012945C3 (de) Halbleiterbauelement
DE2833319C2 (de) Kapazitätsdiode
DE3151212A1 (de) Halbleiterelement
DE1564145C3 (de) Kapazitätsdiode

Legal Events

Date Code Title Description
E771 Valid patent as to the heymanns-index 1977, willingness to grant licences
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee