DE10032260A1 - Schaltungsanordnung zur Verdoppelung der Spannung einer Batterie - Google Patents
Schaltungsanordnung zur Verdoppelung der Spannung einer BatterieInfo
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Abstract
Eine Schaltungsanordnung zur Verdoppelung der Spannung einer Batterie enthält eine durch die Batteriespannung gespeiste Ladungspumpe (12), die von einem Taktgenerator (10) gesteuert ist. Die Versorgungsspannung des Taktgenerators ist die von der Ladungspumpe (12) abgegebene Ausgangsspannung. In die Verbindung zwischen dem Ausgang (16) der Ladungspumpe (12) und der Batterie (26) ist die Source-Drain-Strecke eines Feldeffekttransistors (P4) eingefügt, der leitend ist, wenn seine Gate-Spannung kleiner als seine Source-Spannung ist. Mit dem Gate-Anschluß dieser Feldeffekttransistors (P4) ist der Ausgangsschaltungszweig (N2) einer Stromspiegelschaltung (32) verbunden, durch den ein begrenzter kleiner Strom von dem Gate-Anschluß nach Masse ableitbar ist. Es ist eine Hilfsladungspumpe (22) vorgesehen, die ihre Versorgungsspannung vom Ausgang (16) der Ladungspumpe (12) erhält und die ebenfalls von dem Taktgenerator (10) gesteuert ist. Die von dieser Hilfsladungspumpe (22) erzeugte Spannung ist an den Gate-Anschluß des Feldeffekttransistors (P4) gelegt, um diesen zu sperren.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur
Verdoppelung der Spannung einer Batterie mittels einer durch die
Batteriespannung gespeisten Ladungspumpe, die von einem Taktgenerator
gesteuert ist, dessen Versorgungsspannung die vom Ausgang der
Ladungspumpe abgegebene Ausgangsspannung ist.
Tragbare elektronische Geräte, beispielsweise Mobiltelefone, beziehen
ihre Versorgungsspannung aus Batterien. Um Gewicht und Platz zu
sparen, werden immer kleinere Batterien verwendet, wobei in Kauf
genommen wird, daß diese Batterien eine niedrigere Spannung zur
Verfügung stellen, als sie für den Betrieb des Gerätes benötigt wird.
Um dennoch die für die Versorgung der elektronischen Geräte
erforderliche Spannung zur Verfügung zu haben, werden
Spannungsverdopplungsschaltungen eingesetzt, bei denen es sich sich um
Spannungswandler handeln kann, die nach dem Ladungspumpenprinzip
arbeiten. Das Prinzip eines Spannungswandlers mit einer Ladungspumpe
ist beispielsweise in "Halbleiter-Schaltungstechnik" von U. Tietze und
Ch. Schenk, 9. Auflage, Springer Verlag, Seiten 570/571 beschrieben.
Mit Hilfe dieses Spannungswandlers kann aus einer Batteriespannung
eine Spannung gewonnen werden, deren Wert nahezu verdoppelt ist. Die
Ladungspumpe enthält dabei Schalter, die mit Hilfe eines
Taktgenerators mit gegenphasigen Signalen gesteuert werden. Die
Schalter sind dabei von Feldeffekttransistoren gebildet, die mit Hilfe
der Taktsignale abwechselnd periodisch in den leitenden Zustand
versetzt und gesperrt werden. Die Wirkungsweise solcher Ladungspumpen
ist bekannt, so daß hier nicht näher darauf eingegangen wird.
Eine Anwendung einer Spannungsverdopplungsschaltung der eingangs
angegebenen Art findet sich in der integrierten Schaltung TMS37121B
der Firma Texas Instruments. Diese integrierte Schaltung wird zur
Verarbeitung analoger Signale in einem Transponder eingesetzt. Fig. 2
zeigt das Prinzipschaltbild der Spannungsverdopplungsschaltung, wie
sie in dieser integrierten Schaltung angewendet wird. Der Taktgenera
tor 10 ist herkömmlich aufgebaut und liefert zwei sich nicht
überlappende Taktphasen Φ und Φ; mit diesen Taktphasen werden CMOS-
Transistoren in der Ladungspumpe 12 gesteuert, die die Funktion der
Schalter übernehmen. Die Ladungspumpe 12 erzeugt aus ihrer
Versorgungsspannung VBat eine Ausgangsspannung VA, die etwa den
doppelten Wert der Versorgungsspannung hat. Am Kondensator CL kann
diese Ausgangsspannung VA abgegriffen werden.
Die p-Kanal-Feldeffekttransistoren in der Ladungspumpe (12) können nur
dann vollständig gesperrt werden, wenn die Taktphasen Φ und Φ
zumindest den Spannungswert der Ausgangsspannung VA erreichen. Dies
ist kein Problem, wenn die Schaltung in Betrieb ist, da der Takt
generator 10 als Versorgungsspannung die Ausgangsspannung VA der
Ladungspumpe 12 erhält, die höher als die Batteriespannung VBat ist.
Bei der Inbetriebnahme der Schaltung gibt es hierbei jedoch Probleme,
da die Ladungspumpe 12 nicht "anläuft", was in anderen Worten heißt,
daß sie anfänglich keine höhere Ausgangsspannung erzeugen kann,
solange die Taktphasen Φ und Φ nicht den notwendigen Spannungswert
erreicht haben. Als Abhilfemaßnahme wird daher eine Diode D verwendet,
die dem Taktgenerator 10 zunächst als Versorgungsspannung die Batte
riespannung VBat zuführt, wodurch erreicht wird, daß die Ladungspumpe
12 ihren Betrieb aufnehmen kann. Sobald die Ladungspumpe 12 ar
beitet, erzeugt sie an ihrem Ausgang eine zunehmend größer werdende
Spannung VA, wobei dann die Diode D dafür sorgt, daß die Verbindung
zwischen Ladungspumpenausgang und der Batterie unterbrochen wird,
sobald die Ausgangsspannung VA größer als die Batteriespannung VBat
geworden ist.
Wie zu erkennen ist, nimmt die Versorgungsspannung des Taktgenerators
10 bei Beginn des Betriebs höchstens den um die Durchlaßspannung der
Diode D verminderten Wert der Batteriespannung VBat an. Wenn die
Batteriespannung aber bereits relativ niedrig und auch noch niedrige
Temperaturen von beispielsweise -40°C vorliegen, kann die Schaltung
ihren Betrieb nicht mehr aufnehmen, da aufgrund des negativen Tem
peraturkoeffizienten der Diodendurchlaßspannung und der Schwellen
spannungen der Feldeffekttransistoren im Taktgenerator die am Ausgang
der Ladungspumpe abgegebene Spannung hierfür nicht mehr ausreicht.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungs
anordnung der eingangs angegebenen Art zu schaffen, die bei niedrigen
Batteriespannungen und tiefen Temperaturen den Betrieb einwandfrei
aufnimmt.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß in die
Verbindung zwischen dem Ausgang der Ladungspumpe und der Batterie
anstatt der Diode die Source-Drain-Strecke eines Feldeffektgenerators
eingefügt ist, der leitend ist, wenn seine Gate-Spannung kleiner als
seine Source-Spannung ist, daß mit dem Gate-Anschluß dieses
Feldeffekttransistors der Ausgangsschaltungszweig einer Strom
spiegelschaltung verbunden ist, durch den ein begrenzter kleiner Strom
von dem Gate-Anschluß nach Masse ableitbar ist, und daß eine Hilfs
ladungspumpe vorgesehen ist, die ihre Versorgungsspannung vom Ausgang
der Ladungspumpe erhält und die ebenfalls von dem Taktgenerator
gesteuert ist, wobei die von dieser Hilfsladungspumpe erzeugte
Spannung an den Gate-Anschluß des Feldeffekttransistors gelegt ist.
In der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung wird durch die Verwendung
eines Feldeffekttransistors zum Anlegen der Batteriespannung an den
Ausgang der Ladungspumpe und damit an den Versorgungsspannungseingang
des Taktgenerators erreicht, daß bei Inbetriebnahme der Schaltung die
volle Batteriespannung als Versorgungsspannung zur Verfügung steht.
Der Spannungsabfall durch die beim Stand der Technik verwendete Diode
wird dadurch vermieden. Gleichzeitig wird durch die Verwendung der
Stromspiegelschaltung gewährleistet, daß der Feldeffekttransistor vor
Inbetriebnahme der Schaltung vollständig leitend ist, während die
zusätzlich benutzte Hilfsladungspumpe dafür sorgt, daß dieser Feld
effekttransistor in den gesperrten Zustand geschaltet wird, sobald der
Taktgenerator 10 einwandfrei arbeitet und die Taktphasen zur Steuerung
der Ladungspumpen liefert. Die Schaltungsanordnung kann daher auch bei
niedriger Batteriespannung und sehr niedrigen Temperaturen einwandfrei
ihren Betrieb aufnehmen.
Die Erfindung wird nun anhand der Zeichnung beispielshalber erläutert.
Darin zeigt
Fig. 1 ein Schaltbild der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung und
Fig. 2 eine Schaltungsanordnung nach dem Stand der Technik
Der Taktgenerator 10 ist mit seinem Versorgungsspannungsanschluß
14 mit dem Ausgang 16 der Ladungspumpe 12 verbunden, an der
diese die Ausgangsspannung VA abgibt. An seinen Ausgängen 18 und
20 gibt er die Taktphasen Φ bzw. Φ ab. Diese Taktphasen steuern die
Ladungspumpe 12 sowie eine Hilfsladungspumpe 22. Die Ladungspumpe
12 empfängt an ihrem Versorgungsspannungseingang 24 die von einer
Batterie 26 gelieferte Batteriespannung VBat, während die Hilfs
ladungspumpe 22 an ihrem Versorgungsspannungseingang 28 die Aus
gangsspannung VA der Ladungspumpe 12 empfängt.
Die beiden Ladungspumpen 12 und 22 sind gleichartig aufgebaut. Sie
enthalten jeweils vier Feldeffekttransistoren, deren Source-Drain-
Strecken in Serie geschaltet sind. Bei den Feldeffekttransistoren P1,
P2, P3 und P1', P2', P3' handelt es sich um p-Kanal-Feldeffekt
transistoren, während die Transistoren N und N1' n-Kanal-Transistoren
sind. Die Gate-Anschlüsse der Feldeffekttransistoren P1, P3 in der
Ladungspumpe 12 und die Feldeffekttransistoren P1', P3' in der
Hilfsladungspumpe 22 sind miteinander und mit dem Gate-Anschluß des
Feldeffekttransistors N1 bzw. N1' verbunden. In jeder Ladungspumpe
liegt parallel zu dem Feldeffekttransistoren P2, P3 bzw. P2', P3' ein
Kondensator C1 bzw. C1'. Die Versorgungsspannung wird den Ladungs
pumpen am Verbindungspunkt der Source-Drain-Strecken der Feldeffekt
transistoren P2, P3 bzw. P2', P3' zugeführt. In jeder Ladungspumpe
wird der Feldeffekttransistor P2 bzw. P2' von der Taktphase Φ
gesteuert, während die drei anderen Feldeffekttransistoren in ihrer
Ladungspumpe von der Taktphase Φ gesteuert werden.
Mit dem Ausgang 30 der Hilfsladungspumpe 22 ist der Gate-Anschluß
eines p-Kanal-Feldeffekttransistors P4 verbunden, dessen Source-Drain-
Strecke zwischen der Batterie 26 und dem Ausgang 16 der Ladungs
pumpe 12 liegt.
Die Schaltungsanordnung von Fig. 1 enthält ferner eine Stromspiegel
schaltung 32, die im Eingangszweig einen Widerstand R und einen
damit in Serie geschalteten n-Kanal-Transistor N3 enthält, während der
Ausgangszweig einen weiteren n-Kanal-Feldeffekttransistor N2 enthält.
Die Stromspiegelschaltung 32 erzeugt einen durch die Source-Drain-
Strecke des n-Kanal-Feldeffekttransistors N2 fließenden kleinen
begrenzten Strom, dessen Wert durch den Widerstand R festgelegt werden
kann, der mit einem Ende an der Batteriespannung VBat liegt.
Die in Fig. 1 dargestellte Schaltungsanordnung arbeitet wie folgt:
Wenn an die Schaltungsanordnung von Fig. 1 die Batteriespannung VBat angelegt wird, gelangt diese Spannung auch an den Versorgungs spannungseingang 24 der Ladungspumpe 12 und über den Feldeffekt transistor P4 an den Versorgungsspannungseingang 14 des Taktgenerators 10. Ebenso gelangt diese Spannung an den Versorgungsspannungseingang 28 der Hilfsladungspumpe 22. Die Stromspiegelschaltung 32 erzeugt einen begrenzten kleinen Strom, durch den Feldeffekttransistor N2, der dafür sorgt, daß der Feldeffekttransistor P4 sicher in leitenden Zustand gehalten wird und somit die volle Batteriespannung VBat an den Taktgenerator 10 gelangt. Der Taktgenerator 10 beginnt an seinen Ausgängen 18 und 20 die Taktphasen Φ und Φ zur Steuerung der Ladungspumpe 12 abzugeben. Da der Ausgang 16 der Ladungspumpe 12 mit dem Versorgungsspannungseingang 14 des Taktgenerators 10 verbunden ist, und auf dem Spannungswert VBat liegt, ist sichergestellt, daß die Spannungswerte der Taktphasen Φ und Φ nicht kleiner als die von der Ladungspumpe 12 am Ausgang 16 abgegebene Spannung sind. Die in Ladungspumpe 12 enthaltenen Feldeffekttransistoren können daher sauber vom voll leitenden in den voll gesperrten Zustand geschaltet werden, was eine Voraussetzung dafür ist, daß die Ladungspumpe 12 an ihrem Ausgang 16 eine bis auf den doppelten Wert der Batteriespannung VBat ansteigende Spannung VA abgeben kann.
Wenn an die Schaltungsanordnung von Fig. 1 die Batteriespannung VBat angelegt wird, gelangt diese Spannung auch an den Versorgungs spannungseingang 24 der Ladungspumpe 12 und über den Feldeffekt transistor P4 an den Versorgungsspannungseingang 14 des Taktgenerators 10. Ebenso gelangt diese Spannung an den Versorgungsspannungseingang 28 der Hilfsladungspumpe 22. Die Stromspiegelschaltung 32 erzeugt einen begrenzten kleinen Strom, durch den Feldeffekttransistor N2, der dafür sorgt, daß der Feldeffekttransistor P4 sicher in leitenden Zustand gehalten wird und somit die volle Batteriespannung VBat an den Taktgenerator 10 gelangt. Der Taktgenerator 10 beginnt an seinen Ausgängen 18 und 20 die Taktphasen Φ und Φ zur Steuerung der Ladungspumpe 12 abzugeben. Da der Ausgang 16 der Ladungspumpe 12 mit dem Versorgungsspannungseingang 14 des Taktgenerators 10 verbunden ist, und auf dem Spannungswert VBat liegt, ist sichergestellt, daß die Spannungswerte der Taktphasen Φ und Φ nicht kleiner als die von der Ladungspumpe 12 am Ausgang 16 abgegebene Spannung sind. Die in Ladungspumpe 12 enthaltenen Feldeffekttransistoren können daher sauber vom voll leitenden in den voll gesperrten Zustand geschaltet werden, was eine Voraussetzung dafür ist, daß die Ladungspumpe 12 an ihrem Ausgang 16 eine bis auf den doppelten Wert der Batteriespannung VBat ansteigende Spannung VA abgeben kann.
Für den weiteren Betrieb der Schaltungsanordnung ist es aber not
wendig, daß der Feldeffekttransistor P in den gesperrten Zustand über
geht, sobald die Ladungspumpe 12 ihre Ausgangsspannung VA auf einen
Wert "gepumpt" hat, der größer als die Batteriespannung VBat ist. Um
dies sicherzustellen, enthält die Schaltungsanordnung die Hilfs
ladungspumpe 22, die ebenso wie die Ladungspumpe 12 vom Taktgenerator
10 gesteuert wird. Diese Hilfsladungspumpe 22 ist wesentlich kleiner
dimensioniert, sie liefert an ihrem Ausgang 30 lediglich einen kleinen
Strom, der ausreicht, die Gate-Kapazität des Feldeffekttransistors P4
zu laden, während die entsprechende Spannung an seinem Gate-Anschluß
so weit ansteigt, daß er vollständig gesperrt wird.
Die Sperrwirkung des Feldeffekttransistors P4 tritt immer erst dann
ein, wenn der Taktgenerator 10 bereits einwandfrei arbeitet, da, wie
erwähnt, die Hilfsladungspumpe 22 von den gleichen Taktphasen wie
die Ladungspumpe 12 angesteuert wird. Das Sperren des Feldeffekt
transistors P4 setzt daher genau zum richtigen Zeitpunkt, weder zu
früh noch zu spät, ein.
Claims (1)
- Schaltungsanordnung zur Verdoppelung der Spannung einer Batterie mittels einer durch die Batteriespannung gespeisten Ladungspumpe, die von einem Taktgenerator gesteuert ist, dessen Versorgungsspannung die vom Ausgang der Ladungspumpe abgegebene Ausgangsspannung ist, dadurch gekennzeichnet, daß in die Verbindung zwischen dem Ausgang der Ladungspumpe (12) und der Batterie (26) die Source-Drain-Strecke eines Feldeffekttransistors (P4) eingefügt ist, der leitend ist, wenn seine Gate-Spannung kleiner als seine Source-Spannung ist, daß mit dem Gate- Anschluß dieses Feldeffekttransistors (P4) der Ausgangsschaltungszweig (N2) einer Stromspiegelschaltung (32) verbunden ist, durch den ein begrenzter kleiner Strom von dem Gate-Anschluß nach Masse ableitbar ist, und daß eine Hilfsladungspumpe (22) vorgesehen ist, die ihre Versorgungsspannung vom Ausgang der Ladungspumpe (12) erhält und die ebenfalls von dem Taktgenerator (10) gesteuert ist, wobei die von dieser Hilfsladungspumpe (22) erzeugte Spannung an den Gate-Anschluß des Feldeffekttransistors (P4) gelegt ist.
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Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004040831A1 (de) | 2004-08-23 | 2006-03-09 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Funketikettfähige Umverpackung |
DE102004059464A1 (de) | 2004-12-10 | 2006-06-29 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronikbauteil mit Modulator |
DE102004059465A1 (de) | 2004-12-10 | 2006-06-14 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Erkennungssystem |
DE102004063435A1 (de) * | 2004-12-23 | 2006-07-27 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organischer Gleichrichter |
DE102005009819A1 (de) | 2005-03-01 | 2006-09-07 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronikbaugruppe |
DE102005017655B4 (de) | 2005-04-15 | 2008-12-11 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion |
DE102005031448A1 (de) | 2005-07-04 | 2007-01-11 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Aktivierbare optische Schicht |
DE102005035589A1 (de) | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements |
DE102005044306A1 (de) | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen |
JP4299857B2 (ja) | 2006-12-26 | 2009-07-22 | エルピーダメモリ株式会社 | 昇圧型チャージポンプ回路 |
US20100308899A1 (en) * | 2009-06-04 | 2010-12-09 | Pericom Semiconductor Corp. | Dual-Output Triple-Vdd Charge Pump |
KR101425400B1 (ko) | 2013-08-29 | 2014-08-13 | 한국전력공사 | 초고압직류송전용 컨버터 |
CN112202234B (zh) * | 2020-11-30 | 2021-03-23 | 深圳芯邦科技股份有限公司 | 一种电源管理电路和电子设备 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1141917A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-02-12 | S I I R D Center:Kk | 電子機器 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3830016A1 (de) * | 1988-01-29 | 1989-08-10 | Philips Patentverwaltung | Schaltungsanordnung zu speisung einer last |
US5280420A (en) * | 1992-10-02 | 1994-01-18 | National Semiconductor Corporation | Charge pump which operates on a low voltage power supply |
KR0123849B1 (ko) | 1994-04-08 | 1997-11-25 | 문정환 | 반도체 디바이스의 내부 전압발생기 |
DE19520735C2 (de) * | 1995-06-07 | 1999-07-01 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zum Erfassen des Laststroms eines Leistungs-Halbleiterbauelementes mit sourceseitiger Last |
JPH1032260A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-02-03 | Yamaha Corp | 入力保護回路 |
DE19706946C2 (de) * | 1997-02-21 | 2000-06-21 | Daimler Chrysler Ag | Battierüberwachungseinheit |
US6122185A (en) * | 1997-07-22 | 2000-09-19 | Seiko Instruments R&D Center Inc. | Electronic apparatus |
JP3468675B2 (ja) * | 1997-12-09 | 2003-11-17 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 電子機器 |
-
2000
- 2000-07-03 DE DE10032260A patent/DE10032260B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-07-03 EP EP01115631A patent/EP1170851B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-03 US US09/898,343 patent/US6617828B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-03 JP JP2001239923A patent/JP2002112532A/ja not_active Abandoned
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1141917A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-02-12 | S I I R D Center:Kk | 電子機器 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JP 55-144772 (A), Pat. Abstr. of Jp., Sect.E, 1981, Vol. 5, No. 15, (E-439) Titze/Schenk, Halbleiterschaltungstechnik, 9. Aufl., S. 570/571 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6617828B2 (en) | 2003-09-09 |
EP1170851B1 (de) | 2010-02-24 |
DE10032260B4 (de) | 2004-04-29 |
EP1170851A3 (de) | 2002-11-13 |
US20030006736A1 (en) | 2003-01-09 |
JP2002112532A (ja) | 2002-04-12 |
EP1170851A2 (de) | 2002-01-09 |
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