DD274923A1 - Internes selbsttest- und redundanzprogrammierungsverfahren fuer speicherschaltkreise und anordnung zur durchfuehrung des verfahrens - Google Patents

Internes selbsttest- und redundanzprogrammierungsverfahren fuer speicherschaltkreise und anordnung zur durchfuehrung des verfahrens Download PDF

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DD274923A1
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redundancy
test
self
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Stefan Weisse
Horst Elschner
Jens Knobloch
Klaus-Detlef Paesch
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Dresden Mikroelektronik
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    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
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    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/785Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with redundancy programming schemes

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0675436B1 (en) * 1994-03-31 1999-10-27 STMicroelectronics, Inc. Recoverable set associative cache
DE19963689A1 (de) 1999-12-29 2001-07-12 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung eines integrierten Halbleiterspeichers zum Speichern von Adressen fehlerhafter Speicherzellen
DE10002127B4 (de) * 2000-01-19 2012-12-27 Infineon Technologies Ag Testverfahren für einen Datenspeicher
DE10256487B4 (de) 2002-12-03 2008-12-24 Infineon Technologies Ag Integrierter Speicher und Verfahren zum Testen eines integrierten Speichers
DE102004047330B4 (de) 2004-09-29 2011-04-07 Qimonda Ag Integrierter Halbleiterspeicher

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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