CZ20012863A3 - Substráty kondenzátorů zhotovené z těľko tavitelných nitridů kovu - Google Patents
Substráty kondenzátorů zhotovené z těľko tavitelných nitridů kovu Download PDFInfo
- Publication number
- CZ20012863A3 CZ20012863A3 CZ20012863A CZ20012863A CZ20012863A3 CZ 20012863 A3 CZ20012863 A3 CZ 20012863A3 CZ 20012863 A CZ20012863 A CZ 20012863A CZ 20012863 A CZ20012863 A CZ 20012863A CZ 20012863 A3 CZ20012863 A3 CZ 20012863A3
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- powder
- forming
- capacitance
- nitrogen
- temperature
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 title description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 31
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 14
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 95
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 51
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 47
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 39
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 30
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 25
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 23
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 15
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 12
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 11
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 7
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 6
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005501 phase interface Effects 0.000 description 5
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 4
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009740 moulding (composite fabrication) Methods 0.000 description 4
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010294 electrolyte impregnation Methods 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 102220047090 rs6152 Human genes 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004479 Ta2N Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical group [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 2
- 230000008010 sperm capacitation Effects 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- -1 NbN compound Chemical class 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I pentafluoroniobium Chemical compound F[Nb](F)(F)(F)F AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-NJFSPNSNSA-N silicon-30 atom Chemical compound [30Si] XUIMIQQOPSSXEZ-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- WTKKCYNZRWIVKL-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta+5] WTKKCYNZRWIVKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/0615—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with transition metals other than titanium, zirconium or hafnium
- C01B21/0617—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with transition metals other than titanium, zirconium or hafnium with vanadium, niobium or tantalum
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/58007—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on refractory metal nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1254—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
- H01G9/0525—Powder therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3852—Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3852—Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
- C04B2235/3886—Refractory metal nitrides, e.g. vanadium nitride, tungsten nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3895—Non-oxides with a defined oxygen content, e.g. SiOC, TiON
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5409—Particle size related information expressed by specific surface values
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
- C04B2235/608—Green bodies or pre-forms with well-defined density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
- C04B2235/721—Carbon content
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
- C04B2235/726—Sulfur content
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/79—Non-stoichiometric products, e.g. perovskites (ABO3) with an A/B-ratio other than 1
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
Substráty kondenzátorů zhotovené z těžko tavitelných nitridů kovu
Oblast techniky
Předkládaný vynález se týká prášků těžko zvláště prášků z Ta, Nb a přesněji jsou použitelné v kondenzátorech nitridů kovů, prášků, které tavitelných takových s pevným elektrolytem.
Křížové odkazy na příbuzné přihlášky
Tato prozatímní prozatímní prozatímní patentová přihlášky přihlášky přihlášky prozatímní prozatímní prozatímní přihláška uplatňuje nárok na 60/119 010, podané 8. února
60/144 961, podané 21. července
č. 60/145 553, podané 23. července č. 60/159 999, podané
18.
přihlášky přihlášky č. 60/159 998, přihlášky č. 60/171 835, podané prioritu
18. října
1999 i
1999 i
1999 j
1999 j října 1999 a prosince 1999.
Dosavadní stav techniky
Tantalové kondenzátory s pevným elektrolytem jsou založeny na substrátech z kovového tantalu s dielektrickou vrstvou složenou z anodického oxidu tantalu. Dobře známý problém této struktury je nestabilita způsobená migrací kyslíku z oxidu do substrátu kovu během cyklických změn teploty gradient nedostatku kyslíku
Předkládaný vynález používající porézní hmotu
Ta2N, NbN) jako anodové a filmu anodického oxidu se vytvoří s asociovaným profilem vodivosti.
je zaměřen na kondenzátory spékaných nitridů (zvláště TaN, nitridové prášky vhodné pro jejich zhotoveni. Prášky jsou označovány jako „substráty ve vztahu ke konverzi v tenké vrstvě „povlaku dielektrického oxidu vytvořeného na povrchu sintrovaných prášků anodové strusky (různých geometrických tvarů), když se dostanou do styku s mokrým elektrolytem za podmínek elektrolytického pokovováni. V konečném produktu mohou být póry strusky vyplněny mokrým nebo pevným elektrolytem, ale tento vynález je zvláště přínosný pro kondenzátory s pevným elektrolytem. Kondenzátory obsahující profil vodivosti mají velkou závislost kapacitance na předpětí, frekvenci a teplotě. Ačkoliv výrobci kondenzátorů vyvinuli postupy k minimalizování nebo eliminování nedostatku kyslíku a asociovaného profilu vodivosti v dielektriku, termodynamická nestabilita ve fázovém rozhraní kov-oxid kovu může přispět k vznícení a jiným poruchám tantalových kondenzátorů s pevným elektrolytem.
Práce za posledních 30 let (odkaz 2 a odkazy v něm) demonstrují, že filmy anodických oxidů vytvořené na tantalových substrátech dopovaných dusíkem jsou stabilnější vůči cyklickým změnám teploty. Jestliže obsah dusíku v tantalu přesahuje 10 atomových %j je migrace kyslíku přes fázové rozhraní tantal-oxid tantalu potlačena. Kondenzátory zhotovené při použití dusíkem dopovaného tantalového substrátu jsou významně méně senzitivní vůči účinkům cyklických změn teploty. Ve většině případů byly substráty tenké filmy připravené rozprašováním tantalu v dusíkové atmosféře. Pokovené substrátové kondenzátory se nacházejí jako mikrozařízení v integrovaných obvodech. Pokovené kondenzátory zhotovené použitím substrátu Ta2N (33 atomových % N) byly zvláště stabilní.
Podstata vynálezu
Existuje dobrý potenciál používáni TaN jako substrátu pro přípravu dvojné vrstvy vhodné pro zhotovení kondenzátorů s pevným elektrolytem. Anodický film narostlý na tomto substrátu je necitlivý vůči účinkům působení tepla, protože dusík blokuje migraci kyslíku napříč fázovým rozhraním substrátanodický film. Pokusy ukazují, že kondenzátory s pevným elektrolytem zhotovené z prášku pomocí systému TaN-anodický film mohou mít zanedbatelnou závislost kapacitance na předpětí, frekvenci a teplotě a mohou být méně náchylné k poruchám během dlouhodobého stárnutí. Tento poznatek nebyl v dosavadním stavu techniky známý až do doby posledních 20-ti let [viz odkaz 3 (kopie přiložena) a odkazech zde citovaných].
Použití dusíku k zlepšení výkonnosti tantalových kondenzátorů zhotovených použitím tantalu jako substrátu je známo. US patent č. 5 948 447, udělený 5. září 1995 H. Changovi/Cabot Corp., popisuje dopování tantalových nebo niobových práškových substrátů dusíkem (v úrovni 500 až 7000 ppm) k snížení průsaku iontů a zvažuje příznivý účinek na omezení růstu krystalů během anodizace a přínos vyšší rozpustnosti dusíku v tantalu nebo niobu (ve srovnání s kyslíkem) k snížení průsaku iontů omezením pohybu kyslíku a synergického účinku řízených kombinací obsahů dusíku a kyslíku V tantalovém nebo niobovém substrátu. T. Tripp a kol./H.C. Starek, lne., popsal v sympoziální práci 30 let trvající úsilí k zjištění účinků dopování dusíkem na tantalové substráty, převážně jako rozprašováním nanesené vrstvy tantalu nebo nitridu tantalu, ale obsahující také dusíkem dopovaný prášek a popisuje současnou práci, která potvrzuje účinek dusíku na zpomalení migrace kyslíku přes fázové rozhraní kov (Ta nebo Nb)-anodický oxid. D. J. Werder a kol./Bell Telephone Labs (Thin Solid Films, 323, 6 až 9 (1998)) poskytuje obrazy přechodů získané elektronovým mikroskopem zobrazující anodický • · · · film oxidu tantaličného vytvořený na rozprašováním naneseném TaN substrátu s bohatými inkluzemi dusíku v nižší (směrem k substrátu), části vrstvy oxidu, která se zdá být spojena se snížením dielektrické konstanty.
Většina příkladů těchto technik zahrnuje tenký film dusíkových substrátů připravený rozprašováním tantalu v dusíkové atmosféře.
Pro použití v elektrolytických kondenzátorech jsou v PCT publikované přihlášce WO 98/38660 (PCT/JP98/00832 podané 27. února 1998 K. Naitem, Y. Uchidou/Showa Denko KK) také uvedeny prášky nitridu niobu, v celkovém systému procesu a produktu zahrnujícím nitridaci práškového niobu (připraveného chemickou redukcí fluoridu niobu jako prekurzoru) pro produkci prášku nitridu niobu, spékání prášku, oxidování k vytvoření vrstvy oxidu niobičného (nebo vytvoření takové vrstvy in šitu pomocí procesu chemického usazování par z vnějšího prekurzoru) jako dielektrika, obsahujícího v pórech spékaného výlisku řadu různých elektrolytů, ale výhodně organické polovodivé systémy a přidání katody a balení k vymezení kompletního elektrolytického kondenzátoru.
Tento vynález také zahrnuje prášek niobu, který je odvozen přímo z čistého oxidu niobičného (Nb2Os) , např. redukcí oxidu niobičného parami hořčíku k vytvoření prášku niobu s extrémně nízkým obsahem kyslíkových příměsí a vůbec žádným obsahem oxidu niobičného, potom v rámci programu přivedení dusíku do reaktoru, který zabrání zpětné oxidaci niobu; program má více níže definovaných stupňů tepelného zpracování a kontroly prostředí k vytvoření práškové sloučeniny nitridu niobu bez přebytku zbývajícího dusíku a případně chlazení v inertní atmosféře a odstranění vzduchu z prášku k vytvoření pouze limitovaného oxidu při teplotě místnosti.
Jiným předmětem je substrát, který poskytuje termodynamicky stabilnější fázové rozhraní substrát-anodický film, které činí systém méně stabilním proti degradaci, která se vyskytuje v systému niob-oxid niobu (a dokonce v systému tantal-oxid tantalu) během cyklických změn teploty.
Ostatní předměty, znaky a výhody tohoto vynálezu budou zřejmé z následujícího popisu jeho výhodných ztělesnění, včetně vysvětlujících neomezujících příkladů, praxe provedení procesů a konfigurací výsledných produktů, složení a účinnosti za zkušebních podmínek.
Přehled obrázků na výkresech
Obr. 1 až 9 jsou grafy a profily výsledků testu a stavů vzorku jak jsou popsány v příkladu 7 dále.
Možnou cestou využití schopnosti dusíku stabilizovat filmy anodického oxidu vytvořené na prášcích Ta nebo Nb a použít je k zhotovení diskrétních kondenzátorů je použití nitridu tantalu nebo niobu [Ta2N (33 atomových % N) , TaN (50 atomových % N) , NbN (50 atomových % N) ] jako substrátu. Tyto sloučeniny mohou být lisovány do pelet a zpracovány za použití postupů podobných těm, které jsou uznány pro zhotovení pevných tantalových kondenzátorů a je zde možnost pro vytvoření vysoce spolehlivých, pevných kondenzátorů s dobrou volumetrickou účinností využívajících takové nitridy.
Podobné úvahy se aplikují na ostatní těžko tavitelné nitridy kovu (Ti, Zr, Hf) a jejich použití jako kondenzátory a jiné formy elektrod a jako katalyzátory, filtry a pro lékařské účely.
Příklady provedení vynálezu
Tento vynález je nyní dále popsán s odkazem na následující neomezující příklady.
Příklad 1
1A. Experimentální metody
Nitrid tantalu se připraví zahříváním 2,3 kg práškového tantalu ve třech teplotních stupních 700 °C, 850 °C a 1000 °C. Dusík se zavede ve formě plyného N2 smíchaného s argonem. Počáteční směs plynu obsahuje 20 % molárních dusíku. Při každé teplotě je prášek postupně vystaven vyšší koncentraci plynného dusíku s konečným vystavením čistému dusíku při 1000 °C po 30 minut. Výsledný černý prášek se rozdrtí a proseje.
Výchozím materiálem je primární prášek odebíraný v průběhu redukce sodíkem. Fyzikální a chemické vlastnosti tohoto prášku jsou dále uvedeny v tabulce 1, společně s údaji vyrobeného nitridu tantalu. Koncentrace dusíku 6,43 hmotnost/ % hmotnostní mění složení sloučeniny na TaNo,9o. (Když se bere v úvahu obsah kyslíku, je složení sloučeniny TaNo,90o,i.)
Pelety s hmotou 0,14 g se lisují na hustotu 5,5 g/cm3 a spékají při 1 500 °C a 1 600 °C po 20 minut. Vodicí drát je tantalový. Pelety se anodicky oxidují v 0,1 objem/% objemová H3PO4 při použití proudové hustoty 100 mA/g a době zádrže 2 hodiny pod tvářecím napětím. Tvářecí teplota je 25 °C, 60 °C, °C, 90 °C a 95 °C. Tvářecí napětí je 16 a 50 voltů.
• · ft ·
Kapacitance se měří při použiti můstku HP 4262A LCR bez nebo s aplikací anodického předpětí. Maximální předpětí je 9 V pro tvářecí napětí 16 V a. 25 V pro tvářecí napětí 50 V. Anodizované pelety se tepelně zpracovávají na vzduchu při 400 °C po 30 minut. Reformace se provádějí v 0,1 objem/% objemová H3PO4 udržované na teplotách anodické oxidace. Doba reformace je 2 hodiny.
1B. Výsledky a diskuse
Tabulka II, níže, shrnuje výsledky zkoušek kapacitance a průsaku iontů jako funkci tvářecího napětí, tvářecích teplot a teploty spékání pelet. V závislosti na podmínkách se kapacitance pohybuje od nízké 23 000 do vysoké 44 000 pFV/g. Průsak stejnosměrného proudu (DCL) je vysoký pro pelety vytvářené při 50 voltech. Pelety vytvářené do 16 voltů při 90 °C a 95 °C mají průsaky přijatelně nízké.
Tabulka III, níže, uvádí přehled kapacitancí a průsaků po tepelném zpracování. S jednou výjimkou klesá kapacitance v průměru o asi 3 %. To kontrastuje s chováním systému TaTa2Os, který po tepelném zpracování prodělává 7 až 12 %-ní zvýšení kapacitance. DCL je po termálním cyklu ve většině případů nižší.
Teplotně zpracované pelety anodizované při 90 °C se reformují při tvářecím napětí a tvářecí teplotě 2 hodiny. Výsledky kapacitance a průsaků po reformaci jsou shrnuty v tabulce IV. S jednou výjimkou se kapacitance vztažená k původní hodnotě nebo hodnotě po tepelném zpracování snížila o 2 až 3 %. Průsaky ve všech čtyřech sadách pelet jsou nízké a velmi nízké pro pelety spékané při 1600 °C a utvářené do 16 voltů. Zřetelně má proces tepelného zpracování/reformace velmi
pozitivní vliv na elektrickou kvalitu, pokud se tato kvalita měří pomocí průsaku stejnosměrného proudu.
Tabulka V, dále, shrnuje závislost kapacitance (BDC) na předpětí po různých zpracováních. Závislost kapacitance se měří jako procentická změna kapacitance mezi hodnotou naměřenou bez předpětí a hodnotou získanou při nej vyšším předpětí. Záležitostí určujícího významu je nedostatek závislosti kapacitance po tepelném zpracování. Když na tantalovém substrátu vyroste anodický film, existuje 5 až 10 %-ní závislost kapacitance na předpětí po tepelném zpracování při 400 °C. Předmětem zvláštního zájmu je skutečnost, že k závislosti kapacitance na předpětí nedochází u pelet, které jsou reformovány.
Nedostatek závislosti kapacitance na předpětí po tepelném zpracování je silným důkazem, že se v anodickém filmu nevytváří vodivý profil. Očekává se že, jestliže není kyslík extrahován z anodického filmu substrátem, a je v souladu s četnými dřívějšími pozorováními, že filmy anodického oxidu vytvořené na dusíkem dopovaných substrátech jsou odolné proti migraci kyslíku přes fázové rozhraní kov-oxid kovu (odkaz 2). Schopnost substrátu TaN vyztužovat dielektrický film, který je odolný proti degradačnímu účinku tepelného zpracování, má významný vliv na výkonnost pevných kondenzátorů zhotovených z tohoto dvouvrstvého systému. Zařízení mají nízkou závislost kapacitance na předpětí, frekvenci a teplotě a pravděpodobně jsou během zrychlených zkoušek životnosti stabilnější. Poslední předpověď se zakládá na skutečnosti, že jsou známa selhání zkoušek životnosti vyskytující se z důvodu elektrického průrazu spojeného s migrací kyslíku v rámci a skrz film anodického oxidu. Stabilnější kyslíkové prostředí ve vytvořených anodických filmech představují TaN substráty, které činí systém méně náchylným vůči mechanismu dlouhodobé degradace, jako jsou poruchy vznícením spojené s migrací kyslíku.
Odkazy
1. Smyth D. M., Shirn G. A. a Tripp T. B., J. Electrochem. Soc., 110, 1264 až 1271 (1963).
2. Tripp T. B., Shaw M. D. a Cox B., The Effects of Nitrogen on the Properties of Anodic Oxide Films in Tantalum, Proceedings of CARTS 99, v tisku.
3. Werder D. J. , Kola R. R., Microstructure of Ta2Os Films Grown by the Anodization of TaNx, 323 Thin Solid Films, 6 až 9 (1998) .
Příklad 2
2,724 kg pokusného práškového tantalu připraveného redukcí K2TaF7 pomocí Na známým způsobem (viz např. US patent č. 2 950 185, Heller a kol., 1960), se předspéká při 1320 °C po 30 minut a deoxiduje při 1000 °C po dvě hodiny při použití 2 % hořčíku, známým způsobem (viz např. US patent č.
537 641, Albrecht a kol., 1985).
0, 908 kg takového práškového Ta se smíchá s 0,75 % Mg a umístí do vaničky z nerezové oceli vyplněné tantalovou folií. Prášek se deoxiduje při 950 °C po 2 hodiny. Deoxidace se provádí k odstranění jakéhokoliv kyslíku asociovaného s tantalem, který může rušit následný nitridační proces.
Vanička obsahující takovou směs se umístí do argonu mírně vyššího tlaku než je atmosférický tlak a nechá se chladnout přes noc. Za další, vanička obsahující takovou směs se zahřívá
♦ ··· na 680 °C podle měření termočlánkem zavěšeným uvnitř žárové trubky nad vaničkou. Tlak se sníží na 80 kPa a přivádí se dusík dokud tlak nedosáhne 101,3 kPa. Teplota se postupně zvýší a tlak se udržuje mezi 94,7 a 101,3 kPa přidáváním dusíku jelikož se spotřebovává reakcí s tantalem. Když teplota dosáhne 720 °C, sníží se tlak na 61,3 kPa a systém se znovu naplní dusíkem na 101,3 kPa. Teplota se postupně zvýší na 760 °C a tlak se přidáním dusíku udržuje v rozsahu od 94,7 do 101,3 kPa. Reakce probíhá mírně jak naznačuje pomalá rychlost poklesu tlaku. V okamžiku, kdy se tlak sníží na 33,3 kPa se systém naplní dusíkem na 101,3 kPa. Reakční rychlost se zvýší, ale stále zůstává dobře řiditelná. Teplota se nechá zvýšit na 830 °C a tlak se udržuje mezi 94,7 a 101,3 kPa. Nakonec se tlak sníží na 0 kPa a systém se naplní dusíkem na 108 kPa. Teplota se zvýší tak, aby dosáhla vnitřní teploty 980 °C a prostředí se udržuje při této teplotě a za mírného přetlaku dusíku po šest hodin.
Po ochlazení na teplotu místnosti se prášek pasivuje. Zbytkový oxid hořečnatý a Mg3N2 se odstraní loužením zředěnou H2SO4 následovaným propláchnutím k odstranění zbytkové kyseliny. Vyloučený prášek se suší při 60 °C.
Prášek se analyzuje na obsah dusíku a kyslíku. Koncentrace dusíku je 38 600 ppm, což odpovídá sloučenině
Ta2N. Koncentrace kyslíku je 1650 ppm. Prášek se testuje na elektrické vlastnosti před a po tepelném zpracování a po reformaci následující po tepelném zpracování. Podmínky tepelného zpracování jsou 4 00 °C po 30 minut na vzduchu. Pelety se reformují při tvářecím napětí po 30 minut. Příprava pelet, tvářecí a testovací podmínky jsou shrnuty v tabulce VI, dále. Čtyři sady pelet odpovídající třem teplotám spékání se vytvoří společně pro každou kombinaci tvářecího napětí a
·· ·<
• · · • · ♦ · · • · ·· · • · ·· ···· ·· ·· • · · · •· · •· · • ·· ·· ··♦· teploty tvářeni. Obecně, proces anodizace probíhá hladce za všech podmínek teplot spékání, tvářecího napětí a tvářecí teploty.
Několik 4-voltových, 225 pF-ových pevných kondenzátorů se zhotoví za použití podmínek procesu pro 30 až 50 000 cV/g tantalové kondenzátory. Prášek se lisuje při 4,5 g/cm3 a spékají při 1600 °C po dvacet minut. Hmota pelet je 0,14 g. Při zpracování se neprojevily potíže. Žádný z dokončených kondenzátorů neselhal. Zrychlené stárnutí se provádí při 85 °C po 240 hodin s aplikovaným napětím 6,1 V. Všechny z těchto kondenzátorů přežily zkoušku životnosti.
Hodnoty průměrné kapacitance čtyř sad pelet jako funkce spékací teploty, tvářecího napětí a tvářecí teploty po tváření, po tepelném zpracování a po reformaci jsou shrnuty dále v tabulce VII. Kapacitance se pohybuje od vysoké 38 000 cV/g při podmínkách 1400 °C/60 °C/16 V do nízké 18 500 cV/g při podmínkách 1600 °C/90 °C/80 V. Kapacitance poklesla po tepelném zpracování od 2 do 7 % v závislosti na tvářecím napětí. Pokles kapacitance byl nejvyšší pro pelety tvářené do 16 V. Obecně pokles kapacitance byl vyšší pro pelety tvářené při 90 °C vztaženo na pelety tvářené při 60 °C. Poté co se pelety reformují nastanou pouze malé další změny kapacitance.
Průměrné průsaky čtyř sad pelet jsou shromážděny dále v tabulce VIII. Pohybují se od vysokého asi 5,72 nA/pF.V do nízkého 0,36 nA/pF.V po tváření a od 7,5 do 0,16 nA/pF.V po reformaci. Obecně pelety tvářené při 90 °C mají nižší průsak než pelety tvářené při 60 °C. Průsak se významně zvyšuje po tepelném zpracování, ale v každém případě se vrátí na hodnotu blízké hodnotě pelet po tváření, když jsou pelety anodicky reformovány.
·· • 9
Závislost kapacitance na předpětí po tvářeni, tepelném zpracováni a reformaci je uvedena dále v tabulce IX. Závislost na předpětí se počítá jako procento změny kapacitance s aplikovaným předpětím v hodnotě 50 % tvářecího napětí vztažené ke kapacitanci bez předpětí. Když je substrátem tantal, má kondenzátor po tepelném zpracování negativní závislost kapacitance na předpětí od 8 do 10 %. V předkládaném případě (substrát Ta2N) , není žádná závislost kapacitance na předpětí (nebo nejvíce malá pozitivní závislost na po tepelném zpracování. To je silný důkaz toho, vodivosti spojený s profilem nedostatku filmu neexistuje. Tato vlastnost může předpětí) že profil kyslíku značně anodickém zjednodušit poskytuje zařízení, proces zhotovení pevných kondenzátorů a která jsou za podmínek velkého tepelného stresu stabilnější.
Tabulka X, níže, shrnuje výsledky pro kapacitance pevných kondenzátorů. Je možné připravit z prášku velmi dobré 4voltové pevné kondenzátory. Zařízení během zrychleného testu své životnosti má dobrou výkonnost.
Tabulka VI
Souhrn přípravy pelet, tváření a podmínek testování
Podmínka | Hodnota(y) |
hmota pelet | 0,14 g |
hustota výlisku | 5,0 g/cn? |
teplota spékání | 1400 °C, 1500 °C, 1600 °C |
doba spékání | 20 minut |
teplota tváření | 60 °C, 90 °C |
tvářecí napětí | 16, 40, 80 V |
tvářecí proud | 100 mA/g |
doba zádrže | 2 hodiny |
tvářecí elektrolyt | 0,1 objemu/% objemové H3PO4 |
zkušební napětí DCL | 70 % Vf |
doba ohřevu DCL | 5 minut |
maximální předpěťové napětí | 50 % Vf |
Tabulka VII
Souhrn výsledných kapacitancí (pF.V/g)
Teplota spékáni
Tvářecí napětí | 1400 °C | 1500 °C | 1600 °C | ||||||
AF | AHT | AR | AF | AHT | AR | AF | AHT | AR |
teplota tvářeni 60 °C
16 | 38000 | 35700 | 35500 | 35000 | 32900 | 33300 | 27300 | 25500 | 25400 |
40 | 34700 | 33500 | '36300 | 31700 | 30700 | 33600 | 25800 | 24900 | 27000 |
80 | 27900 | 27400 | 2720CT | 26400 | 25600 | 25500 | 21500 | 21500 | 21400 |
teplota tvářeni 90 °C
16 | 34200 | 31300 | 23200 | 31700 | 29300 | 32600 | 25000 | 23300 | 24400 |
40 | 32200 | 30000 | 22500 | 29200 | 28300 | 25300 | 23300 | 22600 | 22600 |
80 | 34600 | 30200 | 22500 | 19900 | 19800 | 20100 | 18900 | 18600 | 18500 |
AF = po tvářeni
AHT = po tepelném zpracováni
AR = po reformaci
Tabulka VIII
Souhrn výsledků průsaku (nA/pF.V)
Teplota spékáni
Tvářecí napětí | 1400 °C | 1500 °C | . 1 | 600 °C | |||||
AF | AHT | AR | AF | AHT | AR | AF | AHT | AR |
teplota tvářeni 60 °C
16 | 0, 92 | 10,71 | 0, 57 | 0,83 | 4,02 | 0,73 | 0,36 | 1,02 | 0, 47 |
40 | 2,91 | 2,33 | 1,48 | 2,94 | 2,37 | 2,77 | 0,76 | 1,82 | 1,59 |
80 | 2,76 | 4,44 | 3,41 | 3,63 | 9,20 | 7,50 | 2,71 | 8,61 | 6,10 |
teplota tváření 90 °C
16 | 0,57 | 3,05 | 0,27 | 0,36 | 1,23 | 0,24 | 0,13 | 0,73 | 0,16 |
40 | 0,75 | 1,55 | 0,38 | 1,44 | 2,97 | 0, 63 | 0,47 | 2,09 | 0,43 |
80 | 2,21 | 4,69 | 0,77 | 5,72 | 11,37 | 1,83 | 3,49 | 9, 93 | 1,09 |
AF = po tvářeni
AHT = po tepelném zpracování
AR = po reformaci
Tabulka IX
Souhrn závislosti výsledných kapacitancí na předpětí (%)
Teplota spékání
Tvářecí napětí | 1400 °C | 1500 °C | 1600 °C | ||||||
AF | AHT | AR | AF | AHT | AR | AF | AHT | AR |
teplota tváření 60 °C
16 | -0,71 | 4,70 | 3,29 | 0,54 | 2,60 | 4,02 | -1, 01 | 1,71 | 1,10 |
40 | 0,79 | 0,00 | -0,34 | 0,57 | -0,05 | -0,41 | -0,43 | 0,01 | -0,83 |
80 | 0,78 | 1,09 | 0, 97 | 0,88 | 1,25 | 0,87 | 0,28 | 1,03 | 0,83 |
teplota tváření 90 °C
16 | -1,22 | 4,01 | 2,47 | -0,60 | 3, 90 | 3,79 | 2,47 | 3,7 9 | 1,54 |
40 | 0,38 | -0, 10 | 1,260 | 0,36 | -0,40 | 1,41 | -0,42 | -0, 02 | 0, 94 |
80 | -0,06 | 1,57 | 1,34 | -0,57 | 0,70 | 0,78 | -0,57 | 1,2 4 | 0, 98 |
AF = po tváření
ΑΗΤ = po tepelném zpracováni
AR = po reformaci
Tabulka X
Souhrn výsledků pevných kondenzátorů
DCL s mokrým elektrolytem | Kondenzátor s mokrým elektrolytem (pF.V/g) | DCL v pevném kondenzátorů (nA/pF.V) | Pevný kondenzátor (pF.V/g) | Obnova kapacitance | výtěžek |
0,205 | 26200 | 0,310 | 22310 | 85 % | 100 % |
Zkouška životnosti při průsaku stejnosměrného napětí (DCL) (nA/pF.V)
0 hodin a 6,1 V | 240 hodin a 6,1 V | Výtěžek | Zkraty | ||
25 °C | 85 °C | 85 °C | 25 °C | ||
0,310 | 2,249 | 2,105 | 0,279 | 100 % | 0 |
Příklad 3
Niobový prášek se připraví redukcí Nb2Os hořčíkem.
Výsledné vlastnosti prášku jsou shrnuty v tabulce XI.
Tabulka XI
Vlastnost | Hodnota |
Fisherův průměrný průměr částic, FAPD (μ) | 1,4 |
Scottova sypká hmotnost, SBD (g/cm3) | 0,99 |
Plocha povrchu (cm2/g) | 2,3 |
Uhlík | 154 |
Chrom | 34 |
Železo | 47 |
Nikl | 74 |
Dusík | 2880 |
Kyslík | 9900 |
Křemík | 30 |
Síra | 13 |
Jeden kilogram prášku se smíchá s 22 g hořčíku a vloží se do misky z nerezové oceli vyložené niobovou folií. Miska a její obsah se vloží do laboratorní žárové trubky. Trubka se promývá argonem. Teplota pece se zvýší na 950 °C a systém se na této teplotě v argonové atmosféře udržuje 2 hodiny k provedení deoxidace prášku. Pec se nechá přes noc chladnout přičemž se udržuje pomalý průtok argonu trubkou. Dále se teplota zvýší na 680 °C, což se měří termočlánkem uvnitř trubky zavěšeným nad vzorkem, a tlak se sníží na 81,3 kPa. Použitím dusíku se tlak zvýší na 101,3 kPa. Po následujících 30 minut se teplota zvýší na přibližně 750 °C a tlak se udržuje mezi 88 a 101,3 kPa přidáváním plynného dusíku k nahrazení dusíku spotřebovaného v reaktoru. V okamžiku, kdy se tlak sníží na 61,3 kPa se potom použitím dusíku zvýší na 101,3 kPa. Projeví se významné zvýšení rychlosti reakce, jak naznačuje rychlost poklesu tlaku a zvýšení teploty. Jednu hodinu po začátku procesu dosáhne teplota 900 °C a reakce pokračuje mírným tempem, jak naznačuje rychlost poklesu tlaku. Tlak se sníží na 33,3 kPa a pak se systém pomocí dusíku vrátí na 101,3 kPa. Následuje rychlý pokles tlaku a projeví se zvýšení teploty. Tlak se po příštích 15 minut udržuje přidáváním dusíku na 101,3 kPa zatímco se teplota zvýší na 960 °C. Po kompletním vyprázdnění trubky následuje přidání dusíku ke zvýšení tlaku na 101,3 kPa. Velmi malý pokles tlaku, který
* · • · • · | • 9 • • ·· | 99 • · • · | ·· • · | ·· • · | ♦ · • 9 |
• · • · | • · • · | • · · • £ | 9 | • · • · · | * • |
• · | • · | • · | ···· | • · ·♦ | • ···· |
následuje naznačuje, že reakce je v podstatě dokončena. Nakonec se tlak zvýší na 108 kPa a systém se udržuje na 1000 °C po dobu šesti hodin.
Po ochlazeni na teplotu místnosti se prášek pasivuje řízeným vystavením vzduchu. Prášek se potom k odstranění MgO, Mg2N3 a zbytkového Mg louží zředěnou kyselinou sirovou a potom vysoce čistou vodou k odstranění stop kyseliny. Obsah kyslíku a dusíku v prášku se měří použitím analyzátoru kysliku/dusíku LEČO 436. Koncentrace dusíku je 151 000 ppm a odpovídá sloučenině NbN bez přebytku dusíku. Obsah kyslíku je 4300 ppm.
Prášek se vyrábí na anodě, anodizuje se a testuje v mokrém elektrolytu na elektrické vlastnosti před a po tepelném zpracování a po reformaci při tvářecím napětí po dobu 30 minut. Podmínky přípravy pelet, tváření a zkoušení jsou shrnuty v tabulce XII.
Tabulka XII
Podmínka | Hodnota(y) |
hmota pelet | 0,14 g |
hustota výlisku | 3,5 g/cm3 |
spékací teplota(y) | 1500 °C, 1600 °C, 1700 °C |
doba spékání | 20 minut |
teplota tváření | 60 °C, 90 °C |
tvářecí napětí Vf | 16 V, 40 V |
tvářecí proud | 100 mA/g |
doba zádrže | 2 hodiny |
tvářecí elektrolyt | 0,1 objemu/% objemové H3PO4 |
zkušební napětí DCL | 70 % Vf |
doba ohřevu DCL | 5 minut |
maximální předpěťové napětí | 50 % Vf |
• ·
• · • · | 4 • 44 | ▼W 44 4 4 4 t 4 · Λ | 99 • · | • 4 9 9 |
• · • · | 4 4 4 4 | ™ 9 • · · · « *44 | 4 4 4 4 | • 4 |
• 4 | 4 4 | •4 444* | 4 · • 4 | 4 444 * |
Pelety se tepelně zpracovávají na vzduchu po 30 minut při 400 °C. Čtyři sady pelet odpovídající třem teplotám spékání se tváří společně pro každou kombinaci tvářecího napětí a tvářecí teploty. Není možné anodizovat pelety spékané při 1400 °C a pelety se nemohou anodizovat do 80 voltů při jakékoliv ze spékacích teplot.
Průměrné hodnoty kapacitance čtyř sad pelet (v pF.V/g) jako funkce teploty spékání pelet, tvářecího napětí a tvářecí teploty, po krocích tváření (AF), tepelného zpracování (AHT) a reformace (AR) jsou uvedeny v tabulce XIII.
Tabulka XIII
Tvářecí napětí | Teplota spékání (°C) | ||||||||
1500 | 1600 | 1700 | |||||||
AF | AHT | AR | AF | AHT | AR | AF | AHT | AR | |
Tváření při 60 °C | |||||||||
16 | 41000 | 38600 | 37900 | 37700 | 35800 | 35400 | 26400 | 25000 | 24700 |
40 | 40900 | 40700 | 38600 | 37400 | 36300 | 35800 | 26800 | 26700 | 25600 |
Tváření při 90 °C | |||||||||
16 | 37000 | 32100 | 30300 | 34400 | 30400 | 29200 | 24800 | 21000 | 19300 |
40 | 41700 | 35900 | 36800 | 39400 | 32900 | 33200 | 28000 | 24400 | 24100 |
Kapacitance se pohybuje od nízké hodnoty 19300 pF.V/g při podmínkách 1700 °C/90 °C/16 V do vysoké hodnoty 41700 pF.V/g při podmínkách 1500 °C/90 °C/40 V. Kapacitance se zvýši, když se tvářecí napětí zvýší z 16 na 40 V. Podobné chování se vykytuje u niobu, když se zvýší napětí při anodizaci. To je v protikladu k chování anod zhotovených s Ta substrátem, kde se kapacitance snižuje, jak se zvyšuje tvářecí napětí. Snížení kapacitance od 0,5 do 16 % po tepelném zpracování závisí na • ** «· ♦ ♦ · tvářecím napětí a tvářecí teplotě. Změna kapacitance byla vyšší pro pelety anodizované při 90 °C.
Výsledky průsaků (v nA/pF.V) jsou shrnuty v tabulce XIV.
Tabulka XIV
Tvářecí Napětí | Teplota spékání (°C) | ||||||||
1500 | 1600 | 1700 | |||||||
AF | AHT | AR | AF | AHT | AR | AF | AHT | AR | |
Tváření při 60 °C | |||||||||
16 | 0,60 | 1,31 | 0,58 | 0,29 | 0, 50 | 0,26 | 0,24 | 0, 65 | 0,27 |
40 | 0, 20 | 1,06 | 0,25 | 0, 12 | 0,77 | 0,14 | 0,08 | 0,36 | 0,12 |
Tváření při 90 °C | |||||||||
16 | 0, 93 | 2,75 | 0, 93 | 0,46 | 1, 06 | 0,50 | 0,59 | 0,63 | 0,22 |
40 | 0,27 | 1,75 | 0, 42 | 0,09 | 0, 57 | 0, 09 | 0,07 | 0,48 | 0,12 |
Nejvyšší průsak po tváření je 0,60 nA/pF.V a nejnižší je 0,09 nA/pF.V. Obecně proces tepelného zpracování/reformace snižuje průsak. Celkově pelety s nejnižším průsakem jsou anodizovány při 60 °C do 40 voltů.
Tabulka XV, dále, ukazuje (jako %) závislost kapacitance na předpětí jako funkci teploty spékání, tvářecího napětí a teploty tváření.
Tabulka XV • · : :
: i • ·
Tvářecí napětí | Teplota spékání (°C) | ||||||||
1500 | 1600 | 1700 | |||||||
AF | AHT | AR | AF | AHT | AR | AF | AHT | AR | |
Tváření při 60 °C | |||||||||
16 | -0,96 | -0,11 | -0,20 | -1, 07 | -0,14 | -0,20 | -2,06 | -0,44 | -0,22 |
40 | -2,34 | -0, 11 | -0,28 | -3,37 | -0,10 | -0,25 | -8,61 | -0, 41 | -0,31 |
Tváření při 90 °C | |||||||||
16 | -6, 80 | -4,56 | -0,28 | -6,43 | -1,79 | -0,17 | -5, 42 | -3,52 | -0,35 |
40 | -14,0 | -2,70 | -6, 03 | -16, 3 | -0,76 | -4,11 | -15,2 | -0,79 | -3,15 |
Po tváření za podmínek 90 °C/40 V mají pelety relativně velkou závislost kapacitance na předpětí. Tato závislost na předpětí se vyskytuje při aplikaci malého (asi 1,5 V) předpětí a malá dodatečná závislost se vyskytuje při aplikaci zvýšeného předpětí. To je chování podobné chování anodizovaného niobu.
Obecně tato závislost kapacitance na předpětí je nižší po tepelném zpracování pelet. Je zajímavé, že vysoká závislost na zpracování.
tepelném předpětí po anodizaci zmizí po
Necitlivost systému na tepelné zpracování je překvapivě dána skutečností, že film anodického oxidu vytvořený na niobu je těžce poškozen, když je vystaven teplotám v rozsahu 170 °C. Nedostatek závislosti kapacitance na předpětí po tepelném zpracování je shodná s modelem, kdy fázové rozhraní nitrid niobu/film anodického oxidu je stabilnější než fázové rozhraní kovový niob/film anodického oxidu.
Předcházející příklad se zahrnutou diskusí/analýzou ukazuje, že je možné získat prášek nitridu niobu a jeho anodizované spékané pelety, které slouží jako anodový základ pro kondenzátory s nízkým průsakem stejnosměrného proudu (D.C.) a odpovídají nezbytným kritériím stability, spolehlivosti, nákladů, kapacitance a konečně vyplňují mezeru velkého rozsahu mezi hliníkem a tantalem a do určité míry
»» • · ·
překonávají tantalové systémy. Nový systém založený na nitridu niobu je vhodný pro pevné kondenzátory.
Příklad 4
Podobná řada kroků přípravy prášku a kondenzátorů, jako v případě 3, se provádí (s dodatečným krokem impregnace pevného elektrolytu a aplikace běžné katody) k přípravě dvaceti 4-voltových kondenzátorů s pevným elektrolytem, přičemž prášky každého z nich obsahují spékanou porézní (póry jsou vyplněny elektrolytem oxidu manganičitého vzniklého tepelným rozkladem dusičnanu manganatého) anodu z prášků nitridu niobu s anodickým filmem jako dielektrikem. Anody jsou zhotoveny jako lisované 3,5g bloky a spékány při 1700 °C před oxidací (tvářením), impregnací a dokončením výroby kondenzátorů. Zkoušky kapacitance a průsaku se provádí v prostředí mokrého a pevného elektrolytu, zaznamenávající kapacitanci s pevným elektrolytem jako procento kapacitance s mokrým elektrolytem (obnova kapacitance, Cap. Rec.). Měří se také průsak stejnosměrného proudu v mokrém a pevném elektrolytu. Průměr dvaceti 4-voltových kondenzátorů je 26 400 cV/g kapacitance s vlhkým elektrolytem, 24 100 kapacitance s pevným elektrolytem tj. obnovení kapacitance 91,5 %, průsak stejnosměrného proudu je 0,24 nA/pF.V pro mokrý elektrolyt a 0,85 nA/pF.V pro pevný elektrolyt. Při zpracování a zkoušce skupiny dvaceti kondenzátorů se získá 100 % výtěžek. Vzorky s pevným elektrolytem se zkouší na životnost prostřednictvím 40-ti hodinové doby stárnutí.
Na počátku (při v podstatě 0 uplynulého času) je průměrný průsak 0,85 nA/pF.V při 25 °C a 6,63 nA/pF.V při 85 °C. Po 40 hodinách stárnutí při 85 °C s aplikovaným předpětím 0,1 V, je průměrný průsak při 85 °C 5,93 nA/pF.V a při 25 °C je průměrný průsak 0,81 nA/pF.V. Mezi 20 kondenzátory nedošlo ke zkratům, průrazu napětím, vzplanutím nebo jiným vybočujícím stavům. Všechny tyto údaje při 25 °C jsou pod prahem stanoveným elektrotechnickým průmyslem 2,5 nA/pF.V, ale vysoké ve srovnání s TaN systémy (studováno separátně a popsáno v další související prozatímní patentové přihlášce),osoba znalá oboru pozná, že úroveň průsaku se může pro NbN systémy podstatně snížit další optimalizací morfologie prášku, stejně jako podmínkami spékání, tváření a impregnace elektrolytu.
Výsledky vysvětlují zlepšený způsob přípravy nitridu niobu (NbN) pomocí odstranění kyslíku z niobové suroviny deoxidací hořčíkem před nitridováním. Nitrid se může použít jako substrát pro výrobu pevných elektrolytických kondenzátorů s elektrickou kvalitou srovnatelnou s kvalitou zařízení zhotovených použitím tantalu jako substrátu. Fázové rozhraní nitridu niobu-anodického filmu je termodynamicky stabilnější než fázové rozhraní niob-anodický oxid niobnatý (a vykazuje dobré srovnání proti rozhraní tantal-anodický oxid tantalu), jak dokazuje nedostatek závislosti kapacitance na předpětí po tepelném zpracování pro systém využívající substrát nitridu niobu.
Příklad 5
Práškový tantal se připraví běžnou sodíkovou redukcí prekurzoru fluorotantalátu draselného a loužením a tříděním prášku. Prášek se předspéká při 1320 °C po 20 minut a deoxiduje se použitím hořčíku k odstranění přebytečného kyslíku zavedeného během aglomerace. Výsledné vlastnosti prášku jsou shrnuty v tabulce XVI
Tabulka XVI ·· 99 * · · • ·
·« « · · • >
• o • ·
Vlastnost | Hodnota |
Fisherův průměrný průměr částic, FAPD (μ) | 2,0 |
Tok (s) | 0,34 |
Plocha povrchu (cm2/g) | 13 700 |
Scottova sypká hmotnost, SBD (g/cm3) | 25,5 |
Uhlík | 34 |
Vápník | 2 |
Chrom | 9 |
Měď | 1 |
Železo | 5 |
Draslík | 13 |
Dusík | 1840 |
Sodík | 1 |
Nikl | 11 |
Kyslík | 4130 |
Síra | 10 |
Křemík | 8 |
Přibližně jeden kilogram tohoto prášku se smíchá s 0,75 hmotnost/% hmotnostní Mg a vloží se v tantalem vyplněné misce z nerezové oceli do laboratorní žíhací trubky R & D. Žíhací trubka se vakuuje, naplní se argonem a zahřívá se na 1000 °C. Tato teplota se pro deoxidaci prášku udržuje 2 hodiny. Pec se nechá přes noc vychladnout.
Teplota se zvýší na 680 °C podle měření termočlánkem umístěným uvnitř trubky a zavěšeným nad práškem. Tlak v trubce se sníží na 81,3 kPa a systém se plní argonem dokud se tlak nevrátí na tlak atmosférický (101,3 kPa) . K udržení atmosférického tlaku se přidává další dusík, jelikož dusík se spotřebovává v reakci s tantalem. Po dvaceti minutách procesu se tlak sníží na 61,3 kPa a potom se dusíkem zvýší na 101,3 kPa. V tomto okamžiku je teplota 710 °C. Opět se tlak udržuje přídavkem dusíku na téměř atmosférickém, pokud jde o teplotu, zvýší se během příštích 25 minut na 850 °C. Tlak se sníží na
33,3 kPa a dusíkem se zvýší zpět na 101,3 kPa. Zatímco se v žíhací trubce přídavky dusíku udržuje téměř atmosférický tlak, zvýší se během časového období 50 minut teplota na 1030 °C. Tlak se potom sníží na asi 0 kPa a systém se naplní dusíkem na 108 kPa. Systém se potom 5 hodin udržuje na této teplotě a tlaku.
Pec se nechá ochladit na teplotu místnosti a prášek se pasivuje použitím pasivačního cyklu prášku s vysokou kapacitancí. Prášek se pro odstranění MgO, Mg2N3 a jakéhokoliv zbytku Mg louží zředěným roztokem H2SO4. Zbytky kyseliny se odstraní promytím vysoce čistou vodou. Prášek se suší při teplotě do 60 °C.
Prášek se analyzuje na obsah kyslíku a dusíku použitím analyzátoru kyslíku/dusíku Lečo 436. Koncentrace kyslíku je 2840 ppm a obsah dusíku je 6,99 % hmotnost/% hmotnostní (75 200 ppm) . To odpovídá sloučenině TaNo,97.
Prášky se zkouší na elektrické vlastnosti před a po tepelném zpracování a po reformaci následující po tepelném zpracování. Podmínky tepelného zpracování jsou 400 °C po dobu 30 minut na vzduchu. Pelety se reformují při tvářecím napětí 30 minut. Podmínky přípravy pelet, tváření a zkoušení jsou shrnuty v tabulce XVII.
Tabulka XVII
• · * :
Podmínka | Hodnota(y) |
hmota pelet | 0,14 g |
hustota výlisku | 5,0 g/cm3 |
spékací teplota(y) | 1500 °C, 1600 °C, 1700 °C |
doba spékání | 20 minut |
teplota tváření | 60 °C, 90 °C |
tvářecí napětí | 16 V, 40 V, 80 V |
tvářecí proud | 100 mA/g |
doba zádrže | 2 hodiny |
tvářecí elektrolyt | 0,1 objemu/% objemové H3PO4 |
zkušební napětí DCL | 70 % Vf |
doba ohřevu DCL | 5 minut |
maximální předpěťové napětí | 50 % Vf |
Čtyři sady pelet odpovídající třem teplotám spékání se tváří společně pro každou kombinaci tvářecího napětí a tvářecí teploty. Obecně proces anodizace probíhá za všech stavů daných teplotou spékání, tvářecího napětí a tvářecí teploty hladce. Průměrné hodnoty kapacitance čtyř sad pelet (v pF.V/g) jako funkce teploty spékání pelet, tvářecího napětí a tvářecí teploty, po krocích tváření (AF), tepelného zpracování (AHT) a reformace (AR) jsou uvedeny v tabulce XVIII.
• ·
Tabulka XVIII
Tvářecí napětí (V) | Teplota spékání (°C) | ||||||||
1500 | 1600 | 1700 | |||||||
AF | AHT | AR | AF | AHT | AR | AF | AHT | AR | |
Tváření při 60 °C | |||||||||
16 | 33600 | 33300 | 32900 | 28300 | 26500 | 26400 | 18100 | 17000 | 16800 |
40 | 32600 | 31800 | 31900 | 26600 | 26300 | 26100 | 17600 | 17400 | 17400 |
80 | 26700 | 26900 | 26300 | 23000 | 22900 | 22500 | 15900 | 15900 | 15800 |
Tváření při 90 °C | |||||||||
16 | 32500 | 30800 | 30500 | 26300 | 24900 | 24700 | 16600 | 15700 | 15600 |
40 | 28100 | 28100 | 27900 | 24200 | 23800 | 23800 | 15700 | 15 600 | 15700 |
80 | 20400 | 19300 | 15600 | 18000 | 17300 | 13300 | 13800 | 13600 | 13500 |
Kapacitance se pohybuje od vysoké hodnoty 35 600 pF.V/g při podmínkách 16 V/60 °C/1500 °C do nízké hodnoty 13 800 pF.V/g při podmínkách 80 V/90 °C/1700 °C. Jak u kondenzátorů s Ta2N a NbN substráty se kapacitance snižuje po tepelném zpracování a po reformaci.
Výsledky průsaku (v nA/pF.V) jsou shrnuty v tabulce IXX.
·· ··
• * Λ· • t· • ·· · · • · ·· * · ·· » ··9
Tabulka IXX
Tvářecí napětí (V) | Teplota spékání (°C) | ||||||||
1500 | 1600 | 1700 | |||||||
AF | AHT | AR | AF | AHT | AR | AF | AHT | AR | |
Tváření při 60 c | >C | ||||||||
16 | 1, 40 | 9,89 | 2,25 | 0, 33 | 0,54 | 0,31 | 0,31 | 0,70 | 0,28 |
40 | 2,06 | 3,79 | 1,09 | 1,72 | 2,11 | 0, 63 | 1,23 | 2,89 | 0, 67 |
80 | 3, 92 | 3,55 | 3,41 | 4,00 | 3,38 | 3,39 | 3,89 | 3,70 | 3,42 |
Tváření při 90 °C | |||||||||
16 | 0,39 | 6,17 | 0, 42 | 0,16 | 0,36 | 0,12 | 0,18 | 0,55 | 0,16 |
’ 40 | 0,80 | 1,92 | 0,28 | 0,79 | 1,59 | 0,71 | 0,46 | 1,61 | 0,17 |
80 | 5,72 | 12,87 | 4,84 | 8,15 | 13,47 | 6,21 | 6, 07 | 13,73 | 5,07 |
Průsaky se zvyšuji, jak se zvyšuje tvářecí napětí a snižuje teplota spékání. Při tvářecích podmínkách 16 V a 40 V se průsak snižuje, jak se zvyšuje teplota tváření. Opak se vyskytuje při podmínce 8 0 V. Obecně jsou průsaky nej nižší po reformaci. Průsaky pro kondenzátory TaN/anodický film jsou vyšší než průsaky pro kondenzátory Ta2N/ anodický film a kondenzátory NbN/film anodického oxidu (výroba a zkoušky jsou popsány v samostatné související prozatímní patentové přihlášce) při podmínkách 16 V a 40 V. Kromě nejvyšších tvářecích napětí jsou průsaky ve většině případů přijatelně nízké.
Tabulka XXV, níže, zobrazuje (jako %) závislost kapacitance na předpětí jako funkci teploty spékání, tvářecího napětí a teploty tváření.
Tabulka XXV
Tvářecí napětí (V) | Teplota spékání (°C) | ||||||||
1500 | 1600 | 1700 | |||||||
AF | AHT | AR | AF | AHT | AR | AF | AHT | AR | |
Tváření při 60 °C | |||||||||
16 | -0,31 | -0, 05 | -0,01 | -0,29 | -0,04 | -0, 09 | -0,41 | -0,04 | -0,12 |
40 | -0,18 | -0,10 | -0,07 | -0,20 | -0,09 | -0,07 | -0,19 | -0,11 | -0,05 |
80 | -0,10 | -0,10 | -0, 11 | -0,12 | -0,12 | -0,13 | -0,11 | -0,10 | -0,11 |
Tváření při 90 °C | |||||||||
16 | -0,32 | -0,05 | -0,02 | -0,32 | 0,00 | 0,08 | -0,38 | -0,08 | 0, 09 |
40 | -0,16 | -0,08 | -0,08 | -0,19 | -0,08 | -0,09 | -0,15 | -0,08 | -0,07 |
80 | -0,10 | -0,11 | -0,06 | -0,10 | -0,11 | -0,07 | -0,10 | -0, 06 | -0,05 |
Je vidět, že systém nitrid tantalu/anodický film je velice necitlivý na tepelné zpracování. TaN je lepší než Ta2N a NbN v resistenci vůči účinkům tepelného zpracování.
Předcházející příklad se zahrnutou diskusí/analýzou ukazuje, že je možné získat prášek nitridu tantalu a jeho anodicky spékané pelety, které slouží jako anodový základ pro kondenzátory s nízkým průsakem stejnosměrného proudu (D.C.) a odpovídají nezbytným kritériím stability, spolehlivosti, nákladů, kapacitance. Systém je vhodný pro pevné kondenzátory.
Příklad 6
Podobná řada kroků přípravy prášku a kondenzátorů, jako v příkladu 1, se provádí (s dodatečným krokem impregnace pevného elektrolytu a aplikace běžné katody) k přípravě dvaceti 4-voltových kondenzátorů s pevným elektrolytem, přičemž prášky každého z nich obsahují spékanou porézní(póry jsou vyplněny elektrolytem oxidu manganičitého zhotoveného tepelným rozkladem nitrátu manganatého) anodu z prášků nitridu
« ♦ · · · · niobu s oxidem niobičným jako dielektrikem. Anody jsou zhotoveny jako lisované 5,5g bloky a spékány při 1600 °C před oxidací (tvářením), impregnací a dokončením výroby kondenzátorů. Zkoušky kapacitance a průsaku se provádí v prostředí vlhkého a pevného elektrolytu, zaznamenávající kapacitanci s pevným elektrolytem jako procento kapacitance s mokrým elektrolytem (obnova kapacitance, Cap. Rec.). Měří se také průsak stejnosměrného proudu v mokrém a pevném elektrolytu. Průměr kapacitance dvaceti 4-voltových kondenzátorů s mokrým elektrolytem je 27 500 cV/g, 24 600 s pevným elektrolytem tj. obnovení kapacitance 89,6 %, průsak stejnosměrného proudu je 0,26 nA/pF.V pro mokrý a 0,14 nA/pF.V pro pevný elektrolyt. Při zpracování a zkoušce skupiny dvaceti kondenzátorů se získá 100 % výtěžek. Vzorky s pevným elektrolytem se zkouší na životnost prostřednictvím 40-ti hodinové doby stárnutí.
Na počátku (při v podstatě 0 uplynulého času) je průměrný průsak 0,14 nA/pF.V při 25 °C a 1,29 nA/pF.V při 85 °C. Po 40 hodinách stárnutí při 85 °C s aplikovaným předpětím 6,1 V je průměrný průsak 1,44 nA/pF.V a při 25 °C je průměrný průsak 0,18 nA/pF.V. Mezi 40 kondenzátory nedošlo ke zkratům, průrazu napětím, vzplanutím nebo jiným vybočujícím stavům. Všechny tyto údaje jsou pod prahem stanoveným elektrotechnickým průmyslem 2,5 nA/pF.V.
Výsledky vysvětlují zlepšený způsob přípravy nitridu tantalu (TaN) pomocí odstranění kyslíku z tantalové suroviny deoxidací hořčíkem před nitridováním. Nitrid tantalu se může použít jako substrát pro výrobu pevných elektrolytických kondenzátorů s elektrickou kvalitou srovnatelnou s kvalitou zařízení zhotovených použitím tantalu jako substrátu. Fázové rozhraní nitridu tantalu-filmu anodického oxidu tantalnatého « · je termodynamicky stabilnější než fázové rozhraní tantalanodický oxid tantalnatý jak dokazuje nedostatek závislosti kapacitance na předpětí po tepelném zpracování pro systém využívající substrát nitridu tantalu.
Příklad 7
Připojená publikovaná práce (Tripp, Creasi a Cox Tantalum Nitride: A New Substráte For Solid Electrolyte Capacitors), včetně celého jejího textu, poznámek pod čarou (a publikací a výtisků takto určených) a výkresy jsou zde zahrnuty ve formě odkazů jako myšlenky vyjádřené zde v průběhu této práce. Poznatky se zčásti kryjí s předcházejícími příklady, ale také zahrnují další informace.
Nyní je osobě znalé oboru zřejmé, že mohou být provedena jiná ztělesnění, zlepšení, detaily a použití v souhlasu s literou a duchem předchozího popisu a současně v rámci tohoto patentu, který je omezen pouze následujícími patentovými nároky, předkládán v souladu s patentovým zákonem, včetně ekvivalentů odpovídajících teorií.
Claims (8)
- PATENTOVÉ NÁROKY1. Těžko tavitelný prášek nitridu kovu, vhodný jako substrát pro elektrolytické kondenzátory a obsahující prášek vybraný z těžko tavitelných nitridů kovu a charakterizovaný schopností, že když je zkoušen nebo jinak vystaven anodovému spékání kondenzátoru a tvářeni a výrobě elektrolytického kondenzátoru a zkouškám životnosti rozhraní oxidu s práškovým substrátem, který je při takových zkušebních podmínkách v podstatě nesenzitivní na zahřívání a má sníženou závislost na frekvenci a předpěti ve srovnání s nenitridovanými analogy.
- 2. Prášek podle nároku 1, vyznačující se tím, že těžko tavitelné nitridy kovů jsou vybrány ze souboru, který v podstatě sestává z (atomový základ) TaN, TaaN a NbN.
- 3. Anoda elektrolytického kondenzátoru, vyznačující se t í m, že obsahuje prášek podle nároku 2.
- 4. Mokrý elektrolytický kondenzátor, vyznačuj ící se t í m, že obsahuje anodu podle nároku 3.
- 5. Pevný elektrolytický kondenzátor, vyznaču j ící se t í m, že obsahuje anodu podle nároku 3.
- 6. Způsob přípravy prášku z těžko tavitelného kovu pro kondenzátor, vyznačující se tím, že zahrnuje deoxidaci prášku a bezprostředně potom nitridaci prášku.• · >2 314 (upravená strana)
- 7. Způsob podle nároku 6, vyznačující se tím, že prášek těžko tavitelného kovu je vybrán ze souboru, který sestává z Ta a Nb a prášek po nitridaci je vybrán ze souboru sestávajícího v podstatě z (atomový základ) TaN, Ta2N a NbN.
- 8. Prášek připravený způsobem podle nároku 7.
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11901099P | 1999-02-08 | 1999-02-08 | |
US14496199P | 1999-07-21 | 1999-07-21 | |
US14555399P | 1999-07-23 | 1999-07-23 | |
US15999899P | 1999-10-18 | 1999-10-18 | |
US15999999P | 1999-10-18 | 1999-10-18 | |
US17183599P | 1999-12-22 | 1999-12-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CZ20012863A3 true CZ20012863A3 (cs) | 2002-05-15 |
Family
ID=27557937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CZ20012863A CZ20012863A3 (cs) | 1999-02-08 | 2000-02-08 | Substráty kondenzátorů zhotovené z těľko tavitelných nitridů kovu |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6515846B1 (cs) |
EP (1) | EP1374262B8 (cs) |
JP (1) | JP2002536828A (cs) |
CN (1) | CN1357149A (cs) |
AT (1) | ATE537543T1 (cs) |
AU (1) | AU2758300A (cs) |
BR (1) | BR0008084A (cs) |
CA (1) | CA2372254A1 (cs) |
CZ (1) | CZ20012863A3 (cs) |
MX (1) | MXPA01007947A (cs) |
PT (1) | PT1374262E (cs) |
WO (1) | WO2000046819A1 (cs) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100381234C (zh) * | 1999-03-19 | 2008-04-16 | 卡伯特公司 | 通过研磨制备铌和其它金属粉末 |
RU2246376C2 (ru) * | 2000-03-01 | 2005-02-20 | Кабот Корпорейшн | Азотированные вентильные металлы и способы их получения |
DE10030387A1 (de) * | 2000-06-21 | 2002-01-03 | Starck H C Gmbh Co Kg | Kondensatorpulver |
AU2006203068B2 (en) * | 2000-06-21 | 2009-05-14 | H.C. Starck Gmbh | Capacitor powder |
JP4738591B2 (ja) * | 2000-12-13 | 2011-08-03 | キャボットスーパーメタル株式会社 | タンタル又はニオブの化成膜の形成方法 |
WO2002075758A1 (en) * | 2001-03-16 | 2002-09-26 | Showa Denko K.K. | Niobium for capacitor and capacitor using sintered body of the niobium |
BRPI0206094B1 (pt) * | 2001-10-02 | 2016-10-25 | Showa Denko Kk | pó de nióbio, corpo sinterizado do mesmo, produto quimicamente modificado do mesmo e capacitor utilizando os mesmos |
JP4131709B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2008-08-13 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
US7142409B2 (en) | 2003-07-28 | 2006-11-28 | Cabot Corporation | Nitrided valve metal material and method of making same |
US7286336B2 (en) * | 2004-05-14 | 2007-10-23 | Greatbatch Ltd. | Plasma treatment of anodic oxides for electrolytic capacitors |
WO2006057455A1 (en) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Showa Denko K.K. | Porous anode body for solid electrolytic capacitor, production mehtod thereof and solid electrolytic capacitor |
JP5289669B2 (ja) * | 2005-06-10 | 2013-09-11 | ローム株式会社 | Nb化合物の微粉末の製造方法、Nb化合物の微粉末を用いた固体電解コンデンサの製造方法 |
US8257463B2 (en) * | 2006-01-23 | 2012-09-04 | Avx Corporation | Capacitor anode formed from flake powder |
US7823510B1 (en) | 2008-05-14 | 2010-11-02 | Pratt & Whitney Rocketdyne, Inc. | Extended range projectile |
US7891298B2 (en) * | 2008-05-14 | 2011-02-22 | Pratt & Whitney Rocketdyne, Inc. | Guided projectile |
US20100085685A1 (en) * | 2008-10-06 | 2010-04-08 | Avx Corporation | Capacitor Anode Formed From a Powder Containing Coarse Agglomerates and Fine Agglomerates |
JP2011109043A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Sanyo Electric Co Ltd | コンデンサおよびその製造方法 |
US8619410B2 (en) * | 2010-06-23 | 2013-12-31 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor for use in high voltage applications |
JP6367356B2 (ja) * | 2013-12-10 | 2018-08-01 | ニンシア オリエント タンタル インダストリー カンパニー、 リミテッド | 高窒素含有量を有するコンデンサグレードのタンタル粉末の調製方法、その方法により調製したコンデンサグレードのタンタル粉末、並びにタンタル粉末から調製したアノード及びコンデンサ |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL252366A (cs) * | 1958-06-13 | |||
US3654523A (en) * | 1970-07-17 | 1972-04-04 | Sprague Electric Co | Wet electrolytic capacitors |
US3825802A (en) * | 1973-03-12 | 1974-07-23 | Western Electric Co | Solid capacitor |
JPS5830264B2 (ja) * | 1975-10-18 | 1983-06-28 | トウホクダイガク キンゾクザイリヨウケンキユウシヨチヨウ | キンゾクチツカブツシヨウケツセイケイタイノセイゾウホウホウ |
JPS5349254A (en) * | 1976-10-15 | 1978-05-04 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing tantalum nitride electrolytic capacitor |
DE3309891A1 (de) * | 1983-03-18 | 1984-10-31 | Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin | Verfahren zur herstellung von ventilmetallanoden fuer elektrolytkondensatoren |
JPS59175763A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
US4664883A (en) * | 1986-06-17 | 1987-05-12 | Emhart Industries, Inc. | Method of making electrolytic capacitor anodes |
US5216572A (en) * | 1992-03-19 | 1993-06-01 | Ramtron International Corporation | Structure and method for increasing the dielectric constant of integrated ferroelectric capacitors |
US5754394A (en) * | 1993-03-22 | 1998-05-19 | Evans Capacitor Company Incorporated | Capacitor including a cathode having a nitride coating |
US5448447A (en) * | 1993-04-26 | 1995-09-05 | Cabot Corporation | Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom |
US5948447A (en) * | 1993-08-05 | 1999-09-07 | Huntsman Polymers Corporation | Apparatus for product recovery of polyolefings |
EP0665302B1 (en) * | 1994-01-26 | 2000-05-03 | H.C. Starck, INC. | Nitriding tantalum powder |
US5380673A (en) * | 1994-05-06 | 1995-01-10 | United Microelectronics Corporation | Dram capacitor structure |
US5993513A (en) * | 1996-04-05 | 1999-11-30 | Cabot Corporation | Method for controlling the oxygen content in valve metal materials |
US5717242A (en) * | 1996-04-17 | 1998-02-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Integrated circuit having local interconnect for reduing signal cross coupled noise |
JPH10106898A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Rohm Co Ltd | 固体電解コンデンサに使用するコンデンサ素子の構造及びコンデンサ素子におけるチップ体の固め成形方法 |
US5825611A (en) * | 1997-01-29 | 1998-10-20 | Vishay Sprague, Inc. | Doped sintered tantalum pellets with nitrogen in a capacitor |
US6185090B1 (en) * | 1997-01-29 | 2001-02-06 | Vishay Sprague, Inc. | Method for doping sintered tantalum and niobium pellets with nitrogen |
JP3254163B2 (ja) * | 1997-02-28 | 2002-02-04 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ |
US6075691A (en) * | 1997-03-06 | 2000-06-13 | Lucent Technologies Inc. | Thin film capacitors and process for making them |
US6181547B1 (en) * | 1998-08-12 | 2001-01-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Alkaline electrochemical capacitor and electrode fabrication |
US6218256B1 (en) * | 1999-04-13 | 2001-04-17 | Micron Technology, Inc. | Electrode and capacitor structure for a semiconductor device and associated methods of manufacture |
-
2000
- 2000-02-07 US US09/499,857 patent/US6515846B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-08 CA CA002372254A patent/CA2372254A1/en not_active Abandoned
- 2000-02-08 EP EP00906013A patent/EP1374262B8/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-08 MX MXPA01007947A patent/MXPA01007947A/es active IP Right Grant
- 2000-02-08 JP JP2000597815A patent/JP2002536828A/ja active Pending
- 2000-02-08 AU AU27583/00A patent/AU2758300A/en not_active Abandoned
- 2000-02-08 CN CN00804912A patent/CN1357149A/zh active Pending
- 2000-02-08 CZ CZ20012863A patent/CZ20012863A3/cs unknown
- 2000-02-08 BR BR0008084-5A patent/BR0008084A/pt not_active IP Right Cessation
- 2000-02-08 AT AT00906013T patent/ATE537543T1/de active
- 2000-02-08 PT PT00906013T patent/PT1374262E/pt unknown
- 2000-02-08 WO PCT/US2000/003256 patent/WO2000046819A1/en active Search and Examination
-
2002
- 2002-12-17 US US10/321,861 patent/US6927967B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1374262A4 (en) | 2008-04-09 |
US6515846B1 (en) | 2003-02-04 |
PT1374262E (pt) | 2012-03-05 |
EP1374262B8 (en) | 2012-03-14 |
CA2372254A1 (en) | 2000-08-10 |
WO2000046819A1 (en) | 2000-08-10 |
EP1374262B1 (en) | 2011-12-14 |
ATE537543T1 (de) | 2011-12-15 |
US6927967B2 (en) | 2005-08-09 |
US20040008472A1 (en) | 2004-01-15 |
CN1357149A (zh) | 2002-07-03 |
BR0008084A (pt) | 2001-11-06 |
AU2758300A (en) | 2000-08-25 |
EP1374262A1 (en) | 2004-01-02 |
JP2002536828A (ja) | 2002-10-29 |
MXPA01007947A (es) | 2002-04-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CZ20012863A3 (cs) | Substráty kondenzátorů zhotovené z těľko tavitelných nitridů kovu | |
KR100850386B1 (ko) | 전해 커패시터 기판용의 탄탈과 질화탄탈 분말의 혼합물 및 상기 분말 혼합물을 이용한 캐패시터, 및 그의 제조방법 | |
US6759026B2 (en) | Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides | |
US6391275B1 (en) | Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides | |
US20020114722A1 (en) | Oxygen reduced niobium oxides | |
CZ315994A3 (en) | Process for producing tantallum powder of high quality and a high-capacitance electrode with low leads produced from this powder | |
CZ301939B6 (cs) | Kondenzátorový prášek, zpusob jeho výroby, kondenzátorová anoda a elektrolytický kondenzátor | |
WO2002049965A1 (fr) | Procede de formation d'une couche d'oxyde de titane et d'un condensateur electrolytique au titane | |
WO2001093288A2 (en) | Thermal treatment process for valve metal nitride electrolytic capacitors having manganese oxide cathodes | |
US9704652B2 (en) | Method for manufacturing tungsten-based capacitor element | |
US3239436A (en) | Method of making titanium electrolytic capacitors | |
JP4088849B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP2004018966A (ja) | チタン酸化被膜の形成方法およびチタン電解コンデンサ | |
JP3157720B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP2006083425A (ja) | 多孔質ニオブ素材の製造方法および多孔質ニオブ素材とそれを備えた電解コンデンサ並びに触媒担持体 | |
JP2003147403A (ja) | コンデンサ製造用ニオブ粉末およびその製造方法 | |
JPS6257090B2 (cs) | ||
JP2008198984A (ja) | ニオブ固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP2002249865A (ja) | チタン酸化被膜の形成方法およびチタン電解コンデンサ | |
JP2002180292A (ja) | チタン酸化被膜の形成方法およびチタン電解コンデンサ | |
JPS629206B2 (cs) |