CS254161B1 - Sposob prvého maskovania polovodičové] došky pri výrobě polovodičové] súčiastky - Google Patents

Description

3 4 254181

Vynález sa týká spósobu prvého 'masko-vania polovodičové] došky p,rl výrobě polo-vodičové] súčiastky diodového typu a riešiproblém zosúladenia polohy plošného čle-nenia polovodičové]' došky s polohou kovu,ktorý se na polovodičovú došku s plošnýmčleněním selektívne vákuovo nadeponujecez otvorý v mechanické] cloně. Súčasfou postupu výroby polovodičové]súčiastky ]e depozícia kontaktových kovovna povrch polovodičové] došky. Vrstva kovuspravidla nie je žiadúca na celom povrchupolovodičové] došky a preto sa volí buď ho-mogénna depozícia: kovu a následovně foto-litografické operácie, pri ktorých sa kovo-vá vrstva z určitých oblastí odstráni, aleboselektívna depozícia kovu, pri ktorej sa ko-vová vrstva nadeponuje len na určité ob-lasti na polovodičovej doske.

Nevýhodou homogenně] depozície kovu afotolitografického spracovania nadepono-vanej vrstvy je zložitý postup a množstvo o-perácií, pri ktorých može dfijsť k mechanic-kému alebo chemickému poškodeniu polo-vodičové] štruktúry. Selektívna depozíciakovu sa dá realizovat depozíclou kovu z roz-toku (chemicky alebo galvanicky) alebo de-pozíciou vo vákuu cez mechanickú clonu,ktorá umožní depozíciu kovu len na mies-tach, kde má mechanická clona otvory.

Nevýhodou selektívnej depozície kovu zroztoku je obmedzený sortiment použitel-ných kovov a nutnost nadeponovanú vrstvukovu ďalej tepelne a chemicky spracovávať,pričom može; dójsť k poškodeniu polovodičo-vé] štruktúry.

Selektívna depozícia kovu vo vákuu cezmechanickú clonu s otvormi je jednoduchámetoda selektívne] depozície, doteraz savšak,používá len v prípadoch, keď polovodi-čová doska nemá žiadne plošné členenie apolohu mechanické] clony nie je nutné na-stavovat do súladu s týmto členěním. Nevý-hodou selektívne] depozície kovu vo vákuucez otvory v mechanické] cloně teda je, ženie je použitelná (pre zložitosť nastaveniapolohy) na polovodičovej doske s plošnýmčleněním.

Podstata vynálezu spočívá v sposobe pr-vého maskovania polovodičové] došky privýrobě polovodičové] súčiastky diodovéhotypu, pri ktorej sa využívá selektívna vákuo-vá depozícia kovu cez otvory v mechanic-ké] cloně.

Sposob podlá vynálezu sa vyznačuje tým,že v prvom kroku postupu sa kov selektívnevákuovo nadeponuje na atrapu polovodičo-vé] došky. Táto atrapa so selektívne nade-ponovaným kovom potom slúži v druhomkroku postupu ako vzor na nastavenie po-lohy prvého maskovania funkčnej polovodi-čové] došky. V treťom kroku postupu sa vy-konává prvé maskovanie Jednotlivých funkč- ných polovodičových dosiek, pričom polohamaskovania a tým a] poloha plošného čle-nenia funkčných polovodičových dosiek zo-stáva nastavená podlá atrapy polovodičové]došky so selektívne vákuovo nadeponova-ným kovom. Výsledkom tohto postupu je, že každátakto nemaskovaná funkčná polovodičovádoska má polohu plošného členenia zhodnús polohou kovu, ktorý bol selektívne vákuo-vo nadeponovainý na atrapu polovodičové]došky. Ak sa na takúto funkčnú polovodičo-vú došku, selektívne nadeponuje kov za zhod-ných poďmienok, pri ktorých sa kov selek-tívne nadeponoval na atrapu polovodičové]došky, poloha tohoto kovu je v súlade splošným členěním funkčně] polovodičové]došky.

Teda výhodou spósobu prvého maskova-nia polovodičovej došky podlá vynálezu je,že umožňuje použil selektívnu vákuovú de-pozíciu kovu cez otvory v mechanické] clo-ně na polovodičové] doske s plošným čle-něním. V konkrétnom případe sa spracováva kře-míková doska o priemere 0 45 mm s dvomarovinnými ploškami na obvode (fazetami)zvierajúcimi uhol 90°, ktoré slúžia ako do-razové plĎšky. Atrapa polovodičové] doškymá rovnaké rozměry ako funkčná polovodi-čová doska.

Mechanická clona s otvormi je vystřihnu-tá z molybdénového plechu hrůbky 0,15 mma má rovnako ako polovodičová doska aatrapa polovodičovej došky dorazové plošky.Najskor sa atrapa polovodičové] došky za-kryje mechanickou clonou s otvormi, vo vá-kuovom naparovacom zariadení sa,spolu do-tlačia ku trom dorazovým kolíkom a napa-ří sa na ne dobré viditelný kov, napříkladhliník. Potom sa atrapa polovodičové] doš-ky vloží do fotolitografického expozičnéhozariadenia, kde sa dotlačí ku trom dorazo-vým kolíkom a poloha fotolitograficke] mas-ky sa optickou cestou zosúladí s polohouplošiek kovu napařeného na atrapě. Polohanastavené] fotolitograficke] masky sa zaare-tuje. Jednotlivé funkčně polovodičové doš-ky sa potom vkladajú do fotolitografickéhoexpozičného zariadenia, kde sa dotláčajú kutrom dorazovým kolíkom a exponujú sa ceznastavená fotolitografickú masku. Funkčněpolovodičové došky potom absolvujú ďalšietechnologické operácie, pri ktorých sa tvo-ří požadovaná štruktúra. Poloha plošnéhočlenenia daná prvým maskováním sa všakuž nemení a pri posledně] operácii, keď sana funkčnú polovodičovú došku napaří cezotvory v mechanickej cloně kontaktový kov,je poloha napařených plóšiek kovu v súlades polohou kontaktových oblastí polovodi-čovej došky.

Claims (1)

1. 5 6 254161 PREDMET Sposob prvého maskovania polovodičové]došky pri výrobě polovodičové]' súčiastkypri ktorej sa využívá selektívna vákuovádepozícia kovu vyznačujúci sa tým, že vprvom kroku sa kov selektívne vákuovo de-ponuje na trapu polovodičové] došky, v dru-hom kroku sa atrapa polovodičovej doškyso selektívne vákuovo nadeponovaným ko- VYNALEZU vom používá na nastavenie polohy prvéhomaskovania funkčnej polovodičovej doškya v treťom kroku sa vykonává prvé mas-kovanie funkčnej polovodičovej došky, pri-čom poloha maskovania je nastavená podláatrapy polovodičovej došky so selektívne vá-kuovo nadeponovaným kovom.