CS254161B1 - Method of semiconductor plate's first masking during semiconductor component production - Google Patents
Method of semiconductor plate's first masking during semiconductor component production Download PDFInfo
- Publication number
- CS254161B1 CS254161B1 CS855328A CS532885A CS254161B1 CS 254161 B1 CS254161 B1 CS 254161B1 CS 855328 A CS855328 A CS 855328A CS 532885 A CS532885 A CS 532885A CS 254161 B1 CS254161 B1 CS 254161B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- semiconductor
- thatch
- metal
- dummy
- masking
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 title claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000004577 thatch Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000489 vacuum metal deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003032 molecular docking Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
3 4 254181
Vynález sa týká spósobu prvého 'masko-vania polovodičové] došky p,rl výrobě polo-vodičové] súčiastky diodového typu a riešiproblém zosúladenia polohy plošného čle-nenia polovodičové]' došky s polohou kovu,ktorý se na polovodičovú došku s plošnýmčleněním selektívne vákuovo nadeponujecez otvorý v mechanické] cloně. Súčasfou postupu výroby polovodičové]súčiastky ]e depozícia kontaktových kovovna povrch polovodičové] došky. Vrstva kovuspravidla nie je žiadúca na celom povrchupolovodičové] došky a preto sa volí buď ho-mogénna depozícia: kovu a následovně foto-litografické operácie, pri ktorých sa kovo-vá vrstva z určitých oblastí odstráni, aleboselektívna depozícia kovu, pri ktorej sa ko-vová vrstva nadeponuje len na určité ob-lasti na polovodičovej doske.
Nevýhodou homogenně] depozície kovu afotolitografického spracovania nadepono-vanej vrstvy je zložitý postup a množstvo o-perácií, pri ktorých može dfijsť k mechanic-kému alebo chemickému poškodeniu polo-vodičové] štruktúry. Selektívna depozíciakovu sa dá realizovat depozíclou kovu z roz-toku (chemicky alebo galvanicky) alebo de-pozíciou vo vákuu cez mechanickú clonu,ktorá umožní depozíciu kovu len na mies-tach, kde má mechanická clona otvory.
Nevýhodou selektívnej depozície kovu zroztoku je obmedzený sortiment použitel-ných kovov a nutnost nadeponovanú vrstvukovu ďalej tepelne a chemicky spracovávať,pričom može; dójsť k poškodeniu polovodičo-vé] štruktúry.
Selektívna depozícia kovu vo vákuu cezmechanickú clonu s otvormi je jednoduchámetoda selektívne] depozície, doteraz savšak,používá len v prípadoch, keď polovodi-čová doska nemá žiadne plošné členenie apolohu mechanické] clony nie je nutné na-stavovat do súladu s týmto členěním. Nevý-hodou selektívne] depozície kovu vo vákuucez otvory v mechanické] cloně teda je, ženie je použitelná (pre zložitosť nastaveniapolohy) na polovodičovej doske s plošnýmčleněním.
Podstata vynálezu spočívá v sposobe pr-vého maskovania polovodičové] došky privýrobě polovodičové] súčiastky diodovéhotypu, pri ktorej sa využívá selektívna vákuo-vá depozícia kovu cez otvory v mechanic-ké] cloně.
Sposob podlá vynálezu sa vyznačuje tým,že v prvom kroku postupu sa kov selektívnevákuovo nadeponuje na atrapu polovodičo-vé] došky. Táto atrapa so selektívne nade-ponovaným kovom potom slúži v druhomkroku postupu ako vzor na nastavenie po-lohy prvého maskovania funkčnej polovodi-čové] došky. V treťom kroku postupu sa vy-konává prvé maskovanie Jednotlivých funkč- ných polovodičových dosiek, pričom polohamaskovania a tým a] poloha plošného čle-nenia funkčných polovodičových dosiek zo-stáva nastavená podlá atrapy polovodičové]došky so selektívne vákuovo nadeponova-ným kovom. Výsledkom tohto postupu je, že každátakto nemaskovaná funkčná polovodičovádoska má polohu plošného členenia zhodnús polohou kovu, ktorý bol selektívne vákuo-vo nadeponovainý na atrapu polovodičové]došky. Ak sa na takúto funkčnú polovodičo-vú došku, selektívne nadeponuje kov za zhod-ných poďmienok, pri ktorých sa kov selek-tívne nadeponoval na atrapu polovodičové]došky, poloha tohoto kovu je v súlade splošným členěním funkčně] polovodičové]došky.
Teda výhodou spósobu prvého maskova-nia polovodičovej došky podlá vynálezu je,že umožňuje použil selektívnu vákuovú de-pozíciu kovu cez otvory v mechanické] clo-ně na polovodičové] doske s plošným čle-něním. V konkrétnom případe sa spracováva kře-míková doska o priemere 0 45 mm s dvomarovinnými ploškami na obvode (fazetami)zvierajúcimi uhol 90°, ktoré slúžia ako do-razové plĎšky. Atrapa polovodičové] doškymá rovnaké rozměry ako funkčná polovodi-čová doska.
Mechanická clona s otvormi je vystřihnu-tá z molybdénového plechu hrůbky 0,15 mma má rovnako ako polovodičová doska aatrapa polovodičovej došky dorazové plošky.Najskor sa atrapa polovodičové] došky za-kryje mechanickou clonou s otvormi, vo vá-kuovom naparovacom zariadení sa,spolu do-tlačia ku trom dorazovým kolíkom a napa-ří sa na ne dobré viditelný kov, napříkladhliník. Potom sa atrapa polovodičové] doš-ky vloží do fotolitografického expozičnéhozariadenia, kde sa dotlačí ku trom dorazo-vým kolíkom a poloha fotolitograficke] mas-ky sa optickou cestou zosúladí s polohouplošiek kovu napařeného na atrapě. Polohanastavené] fotolitograficke] masky sa zaare-tuje. Jednotlivé funkčně polovodičové doš-ky sa potom vkladajú do fotolitografickéhoexpozičného zariadenia, kde sa dotláčajú kutrom dorazovým kolíkom a exponujú sa ceznastavená fotolitografickú masku. Funkčněpolovodičové došky potom absolvujú ďalšietechnologické operácie, pri ktorých sa tvo-ří požadovaná štruktúra. Poloha plošnéhočlenenia daná prvým maskováním sa všakuž nemení a pri posledně] operácii, keď sana funkčnú polovodičovú došku napaří cezotvory v mechanickej cloně kontaktový kov,je poloha napařených plóšiek kovu v súlades polohou kontaktových oblastí polovodi-čovej došky.
Claims (1)
- 5 6 254161 PREDMET Sposob prvého maskovania polovodičové]došky pri výrobě polovodičové]' súčiastkypri ktorej sa využívá selektívna vákuovádepozícia kovu vyznačujúci sa tým, že vprvom kroku sa kov selektívne vákuovo de-ponuje na trapu polovodičové] došky, v dru-hom kroku sa atrapa polovodičovej doškyso selektívne vákuovo nadeponovaným ko- VYNALEZU vom používá na nastavenie polohy prvéhomaskovania funkčnej polovodičovej doškya v treťom kroku sa vykonává prvé mas-kovanie funkčnej polovodičovej došky, pri-čom poloha maskovania je nastavená podláatrapy polovodičovej došky so selektívne vá-kuovo nadeponovaným kovom.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS855328A CS254161B1 (en) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | Method of semiconductor plate's first masking during semiconductor component production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS855328A CS254161B1 (en) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | Method of semiconductor plate's first masking during semiconductor component production |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS532885A1 CS532885A1 (en) | 1987-05-14 |
| CS254161B1 true CS254161B1 (en) | 1988-01-15 |
Family
ID=5397973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS855328A CS254161B1 (en) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | Method of semiconductor plate's first masking during semiconductor component production |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS254161B1 (cs) |
-
1985
- 1985-07-22 CS CS855328A patent/CS254161B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS532885A1 (en) | 1987-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69833436T2 (de) | Plasmareaktor für die passivierung eines substrates | |
| DE69918631T2 (de) | Flipchip-Metallisierung für eine elektronische Baugruppe | |
| DE69210942T2 (de) | Halbleiterherstellung | |
| US4058432A (en) | Process for producing a thin metal structure with a self-supporting frame | |
| DE19957326A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Kontaktstrukturen | |
| DE2061699A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halb leiteranordnung | |
| JPH0154878B2 (cs) | ||
| JPS6366934A (ja) | チエツクパタ−ンを用いた半導体集積回路装置の製造方法 | |
| CS254161B1 (en) | Method of semiconductor plate's first masking during semiconductor component production | |
| DE102015111002B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von Packagestrukturen | |
| EP0195315B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Photoresist-Strukturen | |
| DE102004009336A1 (de) | Verfahren zum Unterdrücken eines Lithographievorgangs am Rand einer Halbleiterscheibe | |
| DE69223708T2 (de) | Röntgenlithographische Maske und Verwendung zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| US4581316A (en) | Method of forming resist patterns in negative photoresist layer using false pattern | |
| DE112021005209T5 (de) | Vereinzeln einzelner Chips aus Wafern mit kleinen Chips und schmalen Trennkanälen | |
| JP3223581B2 (ja) | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 | |
| DE102005002550B4 (de) | Lift-Off-Verfahren | |
| JPS588129B2 (ja) | 放射感応層をｘ線に露出する方法 | |
| DE102009038674B4 (de) | Trägervorrichtung, Anordnung mit einer solchen Trägervorrichtung sowie Verfahren zur Herstellung eines mindestens eine keramische Schicht umfassenden struktururierten Schichtstapels | |
| US9340892B2 (en) | Two mask process for electroplating metal employing a negative electrophoretic photoresist | |
| EP0385447A2 (en) | Process for preparing of semiconductor device and pattern-forming coating solution used for this process | |
| KR100237671B1 (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
| JPH05291106A (ja) | 半導体ウエハーの露光方法 | |
| DE102014103448B4 (de) | Metallabscheidung auf Halbleiterwafern | |
| DE2247368A1 (de) | Verfahren zum ausbessern defekter filmmuster |