CS197943B1 - Sposob pokrývania diod s axiálnymi prívodmi dielektrickou ochrannou hmotou - Google Patents
Sposob pokrývania diod s axiálnymi prívodmi dielektrickou ochrannou hmotou Download PDFInfo
- Publication number
- CS197943B1 CS197943B1 CS431978A CS431978A CS197943B1 CS 197943 B1 CS197943 B1 CS 197943B1 CS 431978 A CS431978 A CS 431978A CS 431978 A CS431978 A CS 431978A CS 197943 B1 CS197943 B1 CS 197943B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- diodes
- soldered
- dielectric protective
- covering
- porous
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 235000008753 Papaver somniferum Nutrition 0.000 claims 2
- 240000001090 Papaver somniferum Species 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 206010025421 Macule Diseases 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
Vynález sa týká sposobu pokrývania diod s axiálnymi prívodmi dielektrickou ochrannou hmotou, vhodný najma pre diody s naspéjkovaným stípcom polovodičových systémov.
Doterajší stav techniky prevádzania tejto technologickéj operácie je: naspájkované VN stípce (rozměr 0,7 x 0,7 predstavujú 24 až 26 systémov v sérii s axiálhe prispájkovanými prívodmi á 0,6) sa pokrývájú viskóznou dielektrickou ochrannou hmotou ručně po jednom kuse tak, Že naspájkovaný VN štipec systémov s prispájkovanými axiálnymi prívodmi sa rudne pootáča po gumovéj podložke, na ktorej je nanesená vrstva viskóznej dielektrickej ochrannéj hmoty.
Tento sposob nanéšania dielektrickej ochrannéj hmoty je náročný na manuélnu zručnost, namáhavý na zrak, produktivita práce je nízká, zvýšená nepodarkovitosí zapříčiněná odlamovaním axiálnych prívodov pri ručnom otáčení za přívody.
Tieto nevýhody odstraňuje sposob pokrývania stípca polovodičových systémov s prispájkovanými axiálnymi prívodmi podía vynálezu.
Podstata tohto sposobu spočívá v tom, že štipec naspájkovaných polovodičových systémov je stlačený medzi dvorná makkými pórovitými poduškami presiaknutými viskóznou dielektrickou ochrannou hmotou. Posunutím hornej makkej pórovitej podušky voči nepohyblivej
197 $43
197 943 spodnej makkej pórovitej poduško nastane odvalenie stípca polovodičových systémov, čím sa vytvoří na štipci naspájkovaných systémov rovnoměrná vrstva dielektrickej ochrannej hmoty
Výhody podlá vynálezu sú vo vyššej produktivitě práce pri zhromadnení tejto technologické j operácie, v znížení nepodarkovitoeti v dósledku toho, Se odvalovanie naspájkovaného stípca polovodičových syetémev pri nanášení viskóznej dielektrickej ochrannej hmoty je vyvedené otáčením stípca naspájkovaných polovodičových systémov pomocou makkých pórovitých podušiek, ktoré sa dotýkajú len stípca naspájkovaných polovodičových systémov. Zníži sa námaha zraku pri tejto technologickéj operácii.
Příklad sposobu podía vynálezu je znázorněný na priloženom výkrese, ktorý představuje jednotlivé fázy pokrývania stípca naspájkovaných polovodičových systémov viskóznou dielektrickou ochrannou hmotou.
Na obr. 1 v prvej fáze je štipec 2 naspájkpvanýoh polovodičových systémov s prispájkovanými axiélnymi prívodmi položený na dolnej makkej pórovitej poduške £ presiaknutej viskóznou dielektrickou ochrannou hmotou, pričom horná mákká pórovitá poduška 1 je oddialená.
Na obr. 2 v druhej fáze je horná mákká pórovitá poduška 1 přiblížená a zatlačí štipec 2 naspájkovaných polovodičových systémov do hornej makkej pórovitej podušky 1 a dolnej makkej pórovitej podušky £.
Přitom sa pri hranách stípca 2 naspájkovaných polovodičových systémov vytvoří viskóz' ny kliň £ dielektrickej ochrannej hmoty. Posunutím hornej makkej pórovitej podušky 1 voči dolnej makkej pórovitej poduške £ presiaknutej viskóznou dielektrickou ochrannou hmotou nastane odvalenie stípca 2 naspájkovaných polovodičových systémov a viskózny kliň £ vytvo· rí na štipci 2 naspájkovaných polovodičových eyetémoch rovnoměrná vrstvu viskóznej dielek' trickej ochrannej hmoty.
Na obr. 3 v tretej fáze po oddialení hornej makkej pórovitej podušky 1 zostane na dolnej makkej pórovitej poduške £ ležel štipec 2, naspájkovaných polovodičových systémov s axiálně prispájkovanými prívodmi, pokrytý rovnoměrnou vrstvou viskóznej dielektrickej ochrannej hmoty.
Konkrétné prevedenie je možné realizoval tak, že jednotlivé štipce naspájkovaných polovodičových systémov s prispájkovanými axiálnymi prívodmi sa vložia do zásobníka, ktorý umožňuje hoře uvedená metodu zhromadnil a takto umožnil jej efektívne využitie pre sériová výrobu.
Možnosl využitia tejto metody je pri sériovej výrobě VN blokov.
Claims (1)
- PREDMET VYNÁLEZUSposob pokrývania diod s axiálnymi prívodmi dielektrickou ochrannou tasotou, vhodný najma pre diody s naspájkovaným stípcom polovodičových systémov, vyznačujúci sa tým, že štipec naspéjkovaných polovodičových systémov je stlačovaný a odvalovaný medzi hornou makkou pórovitou podufikou a dolnou makkou pórovitou poduškou presiaknutou viskóznou dielektrickou ochrannou hmotou.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS431978A CS197943B1 (sk) | 1978-06-30 | 1978-06-30 | Sposob pokrývania diod s axiálnymi prívodmi dielektrickou ochrannou hmotou |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS431978A CS197943B1 (sk) | 1978-06-30 | 1978-06-30 | Sposob pokrývania diod s axiálnymi prívodmi dielektrickou ochrannou hmotou |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS197943B1 true CS197943B1 (sk) | 1980-05-30 |
Family
ID=5385657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS431978A CS197943B1 (sk) | 1978-06-30 | 1978-06-30 | Sposob pokrývania diod s axiálnymi prívodmi dielektrickou ochrannou hmotou |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS197943B1 (sk) |
-
1978
- 1978-06-30 CS CS431978A patent/CS197943B1/sk unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69830944T3 (de) | Polierkissen mit Rillenmuster zur Verwendung in einer chemisch-mechanischen Poliervorrichtung | |
| DE60101159T2 (de) | Herstellungsmethode eines stapelchip-ic-gehäuses auf scheibenebene | |
| EP0325704A3 (en) | Process for the simultaneous manufacture of a plurality of semiconductor devices from a single wafer | |
| DE69020012D1 (de) | Herstellung einer isolierenden Schicht, zum Beispiel in einem aktiven Matrix-Bauelement. | |
| DE3865426D1 (de) | Verfahren zum verbinden einer leitenden schicht mit einer elektrodenstruktur. | |
| DE2710908C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Metall/Kunststoff-Verbundelektrode | |
| CS197943B1 (sk) | Sposob pokrývania diod s axiálnymi prívodmi dielektrickou ochrannou hmotou | |
| FR2616969B1 (fr) | Procede de fabrication d'un ensemble electrochimique comprenant une electrode et un electrolyte et ensemble ainsi realise | |
| CA2499772A1 (en) | Method for producing fully ceramic tooth elements having a pre-determined spatial form by means of electrophoresis | |
| DE102012100231B4 (de) | Halbleiterchip | |
| DK495885D0 (da) | Diffusionsisolationslag til en maskeloes belaegningsproces | |
| DE69425774T2 (de) | Verfahren zur Umhüllung von elektronischen Hybridbauteilen mittels Kugeln auf einem Substrat | |
| DE10340129B4 (de) | Elektronisches Modul mit Steckkontakten und Verfahren zur Herstellung desselben | |
| JPS5552235A (en) | Fastening of semiconductor wafer on substrate | |
| JPS57115850A (en) | Chip carrier for semiconductor ic | |
| NL186909C (nl) | Werkwijze voor het continu werken met een waskolom in tegenstroom. | |
| DE102006027283A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils | |
| DE19518027A1 (de) | Verfahren zur abstandsgenauen Umhüllung mit funktionstragenden Schichten versehener Bauelemente und danach hergestellte Bauelemente | |
| NO880734D0 (no) | Enkomponent-polyuretan-beleggingsmasse som kan paafoeres i en toerrsjikttykkelse opp til 2000 um. | |
| EP1678756B1 (de) | Halbleiterbauteil mit gehäusekunststoffmasse, halbleiterchip und schaltungsträger sowie verfahren zur herstellung desselben | |
| EP1466364B1 (de) | Nutzen für elektronische bauteile sowie verfahren zu dessen herstellung | |
| JPH0436125Y2 (sk) | ||
| RO84928A (ro) | Dispozitiv pentru scurgerea pastei la o masina de fabricat hirtie | |
| JPS551102A (en) | High-voltage-proof semiconductor device | |
| DD295500A5 (de) | Verfahren zum anfertigen von verdrahtungstraegern mit draehten |