CS197943B1 - Method of covering the diodes with axial leads by the dielectric protective substance - Google Patents
Method of covering the diodes with axial leads by the dielectric protective substance Download PDFInfo
- Publication number
- CS197943B1 CS197943B1 CS431978A CS431978A CS197943B1 CS 197943 B1 CS197943 B1 CS 197943B1 CS 431978 A CS431978 A CS 431978A CS 431978 A CS431978 A CS 431978A CS 197943 B1 CS197943 B1 CS 197943B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- diodes
- soldered
- dielectric protective
- covering
- porous
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 235000008753 Papaver somniferum Nutrition 0.000 claims 2
- 240000001090 Papaver somniferum Species 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 206010025421 Macule Diseases 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
ČESKOSLOVENSKÁ SOCIALISTICKÁ
REPUBLIKA * ( 19 )
POPIS VYNÁLEZU
K AUTORSKÉMU OSVEDČENIU (61) (23) Výstavná priorita (22) Přihlášené 30 06 78 (21) PV 4319-78 197 943 (11) (Bl) (51) Int el. H 01 L 21/94
ÚŘAD PRO VYNÁLEZY
A OBJEVY (40) Zverejnené 31 08 79(45) Vydané 01 6 82
Autor vynálezu ŠVORC DUŠAN mg.
BARTOVIC VLADIMÍR ing., PIEŠŤANY (54) Sposob pokrývania diod s axiálnymi prívodmi dielektrickou ochrannou hmotou 1
Vynález sa týká sposobu pokrývania diod s axiálnymi prívodmi dielektrickou ochrannouhmotou, vhodný najma pre diody s naspéjkovaným stípcom polovodičových systémov.
Doterajší stav techniky prevádzania tejto technologickéj operácie je: naspájkovanéVN stípce (rozměr 0,7 x 0,7 predstavujú 24 až 26 systémov v sérii s axiálhe prispájkova-nými prívodmi i 0,6) sa pokrývájú viskóznou dielektrickou ochrannou hmotou ručně po jed-nom kuse tak, Že naspájkovaný VN štipec systémov s prispájkovanými axiálnymi prívodmi saručně pootáča po gumovéj podložke, na ktorej je nanesená vrstva viskóznej dielektrickejochrannéj hmoty.
Tento sposob nanéšania dielektrickej ochrannéj hmoty je náročný na manuélnu zručnost,namáhavý na zrak, produktivita práce je nízká, zvýšená nepodarkovitost zapříčiněná odla-movaním axiálnych prívodov pri ručnom otáčení za přívody.
Tieto nevýhody odstraňuje sposob pokrývania stípea polovodičových systémov s pri-spájkovanými axiálnymi prívodmi pódia vynálezu.
Podstata tohto sposobu spočívá v tom, že štipec naspájkovaných polovodičových systé-mov je stlačený medzi dvoma makkými pórovitými poduškami presiaknutými viskóznou dielek-trickou ochrannou hmotou. Posunutím hornej makkej pórovitej podušky voči nepohyblivej 197 $43 2 197 943 spodněj makkej pórovitej poduške nastane odvalenie stípca polovodičových systémov, čím savytvoří na štipci naspájkovaných systémov rovnoměrná vrstva dielektrickej oehrannej hmoty Výhody podlá vynálezu sú vo vyššej produktivitě práce pri zhromadnení tejto techno-logické j operácie, v znížení nepodarkovitosti v dosledku toho, Se odvalovanie naspájkova-ného stípca polovodičových systémev pri nanááaní viskóznej dielektrickej ochrannéj hmotyje vyvedené otáčením stípca naspájkovaných polovodičových systémov pomocou makkých póro-vitých podušiek, ktoré sa dotýkajú len stípca naspájkovaných polovodičových systémov.ZníSi sa námaha zraku pri tejto technologickéj operácii. Příklad sposobu podía vynálezu je znázorněný na priloženom výkrese, ktorý představu-je jednotlivé fázy pokrývania stípca naspájkovaných polovodičových systémov viskóznoudielektrickou ochrannou hmotou.
Na obr. 1 v prvej fáze je štipec 2 naspájkpvaných polovodičových systémov s prispáj-kovanými axiálnymi prívodmi položený na dolnej makkej pórovitej poduSke 2 presiaknutejviskóznou dielektrickou ochrannou hmotou, pričom horná mákká pórovitá poduáka 1 je oddia-lená.
Na obr. 2 v druhéj fáze je horná mákká pórovitá poduáka 1 přiblížená a zatlačí šti-pec 2 naspájkovaných polovodičových systémov do homej makkej pórovitej podušky 1 a dol-nej makkej pórovitej podušky J. Přitom sa pri hranách stípca 2 naspájkovaných polovodičových systémov vytvoří viskóz'ny kliň £ dielektrickej oehrannej hmoty. Posunutím hornej makkej pórovitej podušky 1 vočidolnej makkej pórovitej poduške J presiaknutej viskóznou dielektrickou ochrannou hmotounastane odvalenie stípca 2 naspájkovaných polovodičových systémov a viskózny kliň £ vytvo·rí na štipci 2 naspájkovaných polovodičových systémech rovnoměrná vrstvu viskóznej dielek'trickej oehrannej hmoty.
Na obr. 3 v třetej fáze po oddialení hornej makkej pórovitej podušky 1 zostane nadolnej makkej pórovitej poduške 2 ležet štipec 2, naspájkovaných polovodičových systémovs axiálně prispájkovanými prívodmi, pokrytý rovnoměrnou vrstvou viskóznej dielektrickejoehrannej hmoty.
Konkrétné prevedenie je možné realizovat tak, že jednotlivé štipce naspájkovanýchpolovodičových systémov s prispájkovanými axiálnymi prívodmi sa vložia do zásobníka, kto-rý umožňuje hoře uvedená metodu zhromadnit a takto umožnit jej efektívne využitie pře sé-riová výrobu.
Možnost vy užitia tejto metody je pri sériovej výrobě VN blokov.
Claims (1)
- 3 197 943 PREDMET VYNÁLEZU Sposob pokrývania diod s axiálnymi prívodmi dielektrickou ochrannou iasotou, vhodnýnajma pre diody a naspájkovaným stípcom polovodičových systémov, vyznačujúci sa tým, žestípec naspájkovaných polovodičových systémov je stlačovaný a odvalovaný medzi hornoumakkou pórovitou podufikou a dolnou makkou pórovitou poduškou presiaknutou viskóznoudielektrickou ochrannou hmotou. > výkresy
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS431978A CS197943B1 (en) | 1978-06-30 | 1978-06-30 | Method of covering the diodes with axial leads by the dielectric protective substance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS431978A CS197943B1 (en) | 1978-06-30 | 1978-06-30 | Method of covering the diodes with axial leads by the dielectric protective substance |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS197943B1 true CS197943B1 (en) | 1980-05-30 |
Family
ID=5385657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS431978A CS197943B1 (en) | 1978-06-30 | 1978-06-30 | Method of covering the diodes with axial leads by the dielectric protective substance |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS197943B1 (cs) |
-
1978
- 1978-06-30 CS CS431978A patent/CS197943B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69830944T3 (de) | Polierkissen mit Rillenmuster zur Verwendung in einer chemisch-mechanischen Poliervorrichtung | |
| DE60101159T2 (de) | Herstellungsmethode eines stapelchip-ic-gehäuses auf scheibenebene | |
| EP0325704A3 (en) | Process for the simultaneous manufacture of a plurality of semiconductor devices from a single wafer | |
| DE69020012D1 (de) | Herstellung einer isolierenden Schicht, zum Beispiel in einem aktiven Matrix-Bauelement. | |
| DE3865426D1 (de) | Verfahren zum verbinden einer leitenden schicht mit einer elektrodenstruktur. | |
| DE2710908C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Metall/Kunststoff-Verbundelektrode | |
| CS197943B1 (en) | Method of covering the diodes with axial leads by the dielectric protective substance | |
| FR2616969B1 (fr) | Procede de fabrication d'un ensemble electrochimique comprenant une electrode et un electrolyte et ensemble ainsi realise | |
| CA2499772A1 (en) | Method for producing fully ceramic tooth elements having a pre-determined spatial form by means of electrophoresis | |
| DE102012100231B4 (de) | Halbleiterchip | |
| DK495885D0 (da) | Diffusionsisolationslag til en maskeloes belaegningsproces | |
| DE69425774T2 (de) | Verfahren zur Umhüllung von elektronischen Hybridbauteilen mittels Kugeln auf einem Substrat | |
| DE10340129B4 (de) | Elektronisches Modul mit Steckkontakten und Verfahren zur Herstellung desselben | |
| JPS5552235A (en) | Fastening of semiconductor wafer on substrate | |
| JPS57115850A (en) | Chip carrier for semiconductor ic | |
| NL186909C (nl) | Werkwijze voor het continu werken met een waskolom in tegenstroom. | |
| DE102006027283A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils | |
| DE19518027A1 (de) | Verfahren zur abstandsgenauen Umhüllung mit funktionstragenden Schichten versehener Bauelemente und danach hergestellte Bauelemente | |
| NO880734D0 (no) | Enkomponent-polyuretan-beleggingsmasse som kan paafoeres i en toerrsjikttykkelse opp til 2000 um. | |
| EP1678756B1 (de) | Halbleiterbauteil mit gehäusekunststoffmasse, halbleiterchip und schaltungsträger sowie verfahren zur herstellung desselben | |
| EP1466364B1 (de) | Nutzen für elektronische bauteile sowie verfahren zu dessen herstellung | |
| JPH0436125Y2 (cs) | ||
| RO84928A (ro) | Dispozitiv pentru scurgerea pastei la o masina de fabricat hirtie | |
| JPS551102A (en) | High-voltage-proof semiconductor device | |
| DD295500A5 (de) | Verfahren zum anfertigen von verdrahtungstraegern mit draehten |