CN85103942A - 绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法 - Google Patents
绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN85103942A CN85103942A CN 85103942 CN85103942A CN85103942A CN 85103942 A CN85103942 A CN 85103942A CN 85103942 CN85103942 CN 85103942 CN 85103942 A CN85103942 A CN 85103942A CN 85103942 A CN85103942 A CN 85103942A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sio
- polycrystalline
- layer
- laser
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
本发明是一种制备SOI材料的激光加热再结晶方法,属于半导体器件及集成电路的制造工艺。本发明采用激光加热方法使两层SiO2中间的多晶Si再结晶,从而得到良好表面质量的SOI材料,可供制造器件和集成电路。本方法与常规的集成电路工艺相容,工艺简单,而且提高了激光能量的利用率。
Description
本发明是绝缘层上多晶硅(Silicon on Insulator-SOI)的激光加热再结晶方法。属于半导体器件及集成电路的制造工艺。
绝缘层上多晶硅的激光再结晶所制备的SOI材料可用于制造高速、抗辐照器件、复合功能电路及三维结构的集成电路。它具有易于隔离,缩小电路尺寸、提高集成度,寄生电容小、提高器件速度及工作频率,抗辐照能力强、可靠性高以及与常规的集成电路工艺相容等优点,价格也比SOS(Silicon on Sapphire)材料低。
激光加热再结晶制备SOI材料是在热氧化后的Si材料上,用低压化学汽相淀积(LPCVD)多晶Si层,然后用激光束辐照加热,使多晶硅层局部熔化再结晶。由于再结晶过程是局部熔化-固化的过程,因而材料表面不易平整,使器件制造工艺发生困难。改进SOI材料的表面质量采用的方法是使激光束整形和改变激光扫描的方式。前者是改变激光束强度分布的剖面,如日本专利特开昭57-128024,59-121822及T.J.Stultz等人在Appl.Phys.Lett,39,6,498(1981)上发表的文章,通过光学系统或两台激光器使激光束的强度分布变成弯月形或双峰状等,从而得到较好的再结晶表面。但使用两台激光器投资大,光学系统的使用又导致激光功率的损失,而且效果也不理想。日本专利特开昭58-56316及美国专利US 4466179采用改变激光扫描的方式,即先后两次垂直方向的扫描以提高材料表面质量,但这种方式使效率降低一倍。另外,J.Sakurai等人通过淀积不同厚度的SiO2和Si3N4二层薄膜作保护层(Appl.Phys.Lett.,41,1,64,1982)来
改善表面质量,但对不同层的厚度要求相匹配,工艺复杂,难度比较大。
本发明的目的在于采用简单的方法,使激光加热再结晶制备的SOI材料具有良好的表面质量,可供常规的集成电路工艺线用于制造SOI器件与集成电路。
本发明是在单晶Si上用热氧化方法生长一层SiO2,然后用低压化学汽相淀积一层多晶Si,在激光加热再结晶以前,再在多晶Si上以化学汽相淀积一层SiO2,形成SiO2夹层。利用Si与SiO2的熔点不同(Si为1415℃,SiO2约为1610℃),采用连续氩离子激光器,控制氩离子激光束的功率及扫描速度,使得多晶Si层完全熔化,而SiO2不熔化,保持了局部液相区域的稳定性,限制了Si熔化时的表面张力,从而得到表面质量良好的SOI材料。
使用本发明的方法不仅可以使制得的SOI材料具有适合于半导体器件及集成电路制造的良好的表面质量,而且由于SiO2的折射率比Si低,因而多晶Si层上的SiO2层起到了光学增透膜的作用,适当选择与所用激光波长相匹配的SiO2层的厚度,可使复盖膜层的反射率为极小,从而提高了激光能量的利用率。
图1是激光再结晶制备SOI材料的样品结构,图中1是单晶Si衬底,2是热氧化的SiO2层,3是用低压化学汽相淀积的多晶Si层,4是化学汽相淀积的SiO2层。
以下是一种实施方法:
单晶Si衬底,厚度约350μm,用常规方法抛光清洗后热氧化生长SiO2层,厚度为0.1~1μm,采用低压化学汽相淀积生长多晶Si层,厚度为0.5~0.8μm,再用化学汽相淀积0.5-1.5μm的SiO2。用一般加热方法使整个样品在再结晶过程中保持温度为250~550℃,以连续氩离子激光器(多模多谱线,主要谱线5145
)进行辐照再结晶,激光功率为6-10W,经聚焦后光斑直径40-80μm,样品置于x,y两维自动扫描的工作台上,x方向扫描速度为2-10cm/秒,y方向每次步进使相邻扫描线重迭50%,再结晶过程中使局部的多晶Si层温度为1415-1600℃。最后用稀氢氟酸去除表面的SiO2层,得到的SOI材料表面光洁度在14级以上,局部不平整度小于600
。晶粒大小从激光辐照前的300-500
增大到2×20μm到10×30μm。图2是本实施例用氩离子激光加热样品时的温度场分布,其中横坐标为离开表面的距离,纵坐标为温度。Ⅰ区为表面SiO2层(即图1中4),Ⅱ区为多晶Si层(图1中3),Ⅲ区为热氧化SiO2层(图1中2),Ⅳ区为单晶Si衬底(图1中1)。
Claims (3)
1、一种制备SOI材料的激光加热再结晶方法,属于半导体器件及集成电路的制造工艺,它使用连续氩离子激光束连续扫描加热使单晶Si衬底上热氧化得到的SiO2上生长的多晶Si再结晶,制备有良好表面质量的SOI材料,其特征在于在多晶Si表面再生长一层化学汽相淀积的SiO2层,形成Si-SiO2-多晶Si-SiO2夹层结构。
2、按权利要求1所述的方法,其特征是热氧化SiO2,多晶Si及化学汽相淀积SiO2层的厚度分别是0.1-1μm,0.5~0.8μm及0.5-1.5μm。
3、按权利要求1或2所述的方法,其特征所采用的氩离子激光器功率为6-10W,光斑直径40-80μm,样品置于x、y两维自动扫描的工作台上,X方向扫描速度2-10cm/秒,y方向每次步进使相邻的扫描线重迭50%,用一般加热方法使整个样品在再结晶过程中保持在250-550℃,激光辐照加热时使局部多晶Si层的温度为1415-1600℃。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN85103942A CN85103942B (zh) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | 绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN85103942A CN85103942B (zh) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | 绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN85103942A true CN85103942A (zh) | 1986-12-24 |
CN85103942B CN85103942B (zh) | 1988-03-16 |
Family
ID=4793542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN85103942A Expired CN85103942B (zh) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | 绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN85103942B (zh) |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1299331C (zh) * | 1992-12-04 | 2007-02-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
CN1314080C (zh) * | 1993-01-18 | 2007-05-02 | 株式会社半导体能源研究所 | Mis半导体器件的制造方法 |
CN101038868B (zh) * | 2006-03-13 | 2011-11-23 | 索尼株式会社 | 结晶半导体薄膜的方法 |
CN104412361A (zh) * | 2012-06-18 | 2015-03-11 | 让-保罗·泰斯 | 用于在异体基质上制造半导体薄层的方法 |
CN104576504A (zh) * | 2014-12-24 | 2015-04-29 | 合肥协知行信息系统工程有限公司 | 一种soi晶片的制作工艺 |
CN107046086A (zh) * | 2017-05-17 | 2017-08-15 | 厦门科锐捷半导体科技有限公司 | 发光二极管 |
CN107170858A (zh) * | 2017-05-17 | 2017-09-15 | 厦门科锐捷半导体科技有限公司 | 横向结构led及其制备方法 |
CN107170859A (zh) * | 2017-05-17 | 2017-09-15 | 厦门科锐捷半导体科技有限公司 | 基于横向结构发光二极管 |
CN107221582A (zh) * | 2017-05-17 | 2017-09-29 | 厦门科锐捷半导体科技有限公司 | 一种发光二极管及其制备方法 |
CN107611003A (zh) * | 2017-08-11 | 2018-01-19 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 基于LRC的直接带隙GeSn互补型TFET器件及其制备方法 |
CN107621676A (zh) * | 2017-08-11 | 2018-01-23 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 一种光模块 |
CN107658364A (zh) * | 2017-08-11 | 2018-02-02 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 一种横向PiN结构GeSn光电探测器及其制备方法 |
CN107658365A (zh) * | 2017-08-11 | 2018-02-02 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 基于LRC工艺的横向PiNGe光电探测器及其制备方法 |
CN107785232A (zh) * | 2016-08-25 | 2018-03-09 | 西安电子科技大学 | 基于LRC工艺SiGeC选择外延致直接带隙Ge材料及其制备方法 |
CN107785408A (zh) * | 2016-08-25 | 2018-03-09 | 西安电子科技大学 | Ge/Si虚衬底材料及其制备方法 |
CN107785234A (zh) * | 2016-08-25 | 2018-03-09 | 西安电子科技大学 | 基于Si衬底的应变Ge1‑xSnx薄膜材料及其制备方法 |
CN107785451A (zh) * | 2016-08-25 | 2018-03-09 | 西藏民族大学 | 基于Ge/Si虚衬底的Ge PIN光电探测器及其制备方法 |
CN107785454A (zh) * | 2016-08-25 | 2018-03-09 | 西藏民族大学 | 基于Ge/Si虚衬底的GeSn光电探测器及其制备方法 |
CN107895688A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-04-10 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 压应变Ge材料的制备方法 |
CN108010832A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-05-08 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | SiGe材料及其制备方法 |
CN108269879A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | Ge/Si衬底的GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池及其制备方法 |
CN108269880A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 激光辅助晶化Ge/Si衬底上Ge/GaAs双结太阳能电池及其制作方法 |
CN108269881A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 激光辅助晶化Ge/Si衬底GaAs单结太阳能电池及其制备工艺 |
CN108269875A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 具有LRC-Ge/Si衬底的GaAs/AlGaAs双结太阳能电池及其制备方法 |
CN108269876A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | InGaAs/Ge双结太阳能电池及其制备方法 |
CN108269874A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池的制备方法 |
CN115172515A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-10-11 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件 |
-
1985
- 1985-05-16 CN CN85103942A patent/CN85103942B/zh not_active Expired
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1299331C (zh) * | 1992-12-04 | 2007-02-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
CN1314080C (zh) * | 1993-01-18 | 2007-05-02 | 株式会社半导体能源研究所 | Mis半导体器件的制造方法 |
CN101038868B (zh) * | 2006-03-13 | 2011-11-23 | 索尼株式会社 | 结晶半导体薄膜的方法 |
CN104412361A (zh) * | 2012-06-18 | 2015-03-11 | 让-保罗·泰斯 | 用于在异体基质上制造半导体薄层的方法 |
CN104576504A (zh) * | 2014-12-24 | 2015-04-29 | 合肥协知行信息系统工程有限公司 | 一种soi晶片的制作工艺 |
CN107785232A (zh) * | 2016-08-25 | 2018-03-09 | 西安电子科技大学 | 基于LRC工艺SiGeC选择外延致直接带隙Ge材料及其制备方法 |
CN107785454A (zh) * | 2016-08-25 | 2018-03-09 | 西藏民族大学 | 基于Ge/Si虚衬底的GeSn光电探测器及其制备方法 |
CN107785451A (zh) * | 2016-08-25 | 2018-03-09 | 西藏民族大学 | 基于Ge/Si虚衬底的Ge PIN光电探测器及其制备方法 |
CN107785234A (zh) * | 2016-08-25 | 2018-03-09 | 西安电子科技大学 | 基于Si衬底的应变Ge1‑xSnx薄膜材料及其制备方法 |
CN107785408A (zh) * | 2016-08-25 | 2018-03-09 | 西安电子科技大学 | Ge/Si虚衬底材料及其制备方法 |
CN108269880A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 激光辅助晶化Ge/Si衬底上Ge/GaAs双结太阳能电池及其制作方法 |
CN108269879A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | Ge/Si衬底的GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池及其制备方法 |
CN108269874A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池的制备方法 |
CN108269876A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | InGaAs/Ge双结太阳能电池及其制备方法 |
CN108269875A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 具有LRC-Ge/Si衬底的GaAs/AlGaAs双结太阳能电池及其制备方法 |
CN108269881A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 激光辅助晶化Ge/Si衬底GaAs单结太阳能电池及其制备工艺 |
CN107221582A (zh) * | 2017-05-17 | 2017-09-29 | 厦门科锐捷半导体科技有限公司 | 一种发光二极管及其制备方法 |
CN107170858A (zh) * | 2017-05-17 | 2017-09-15 | 厦门科锐捷半导体科技有限公司 | 横向结构led及其制备方法 |
CN107170859A (zh) * | 2017-05-17 | 2017-09-15 | 厦门科锐捷半导体科技有限公司 | 基于横向结构发光二极管 |
CN107046086A (zh) * | 2017-05-17 | 2017-08-15 | 厦门科锐捷半导体科技有限公司 | 发光二极管 |
CN107658364A (zh) * | 2017-08-11 | 2018-02-02 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 一种横向PiN结构GeSn光电探测器及其制备方法 |
CN107611003A (zh) * | 2017-08-11 | 2018-01-19 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 基于LRC的直接带隙GeSn互补型TFET器件及其制备方法 |
CN107621676A (zh) * | 2017-08-11 | 2018-01-23 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 一种光模块 |
CN107658365A (zh) * | 2017-08-11 | 2018-02-02 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 基于LRC工艺的横向PiNGe光电探测器及其制备方法 |
CN107895688A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-04-10 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 压应变Ge材料的制备方法 |
CN108010832A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-05-08 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | SiGe材料及其制备方法 |
CN108010832B (zh) * | 2017-11-30 | 2020-10-30 | 吉安品位环保科技有限公司 | SiGe材料及其制备方法 |
CN115172515A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-10-11 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件 |
CN115172515B (zh) * | 2022-06-30 | 2023-11-28 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN85103942B (zh) | 1988-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN85103942A (zh) | 绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法 | |
EP0444942B1 (en) | A bonded wafer and a method of manufacturing it | |
JP3112121B2 (ja) | 半導体基材の作製方法および半導体部材 | |
CN102829884B (zh) | 具有强吸收结构的高速snspd及其制备方法 | |
JPH03105910A (ja) | 2個の物体を一体に連結する方法 | |
US4743567A (en) | Method of forming thin, defect-free, monocrystalline layers of semiconductor materials on insulators | |
US3923486A (en) | Method of producing light-conducting glass structure | |
JPS63223712A (ja) | 光導波路およびその製造方法 | |
JPH0766940B2 (ja) | ポリシリコン サブサーフエスひずみ層を使用して基板のそりのスプリングバツクを減少するための方法 | |
CN103579405A (zh) | 具有强吸收结构的高速snspd及其制备方法 | |
US4888302A (en) | Method of reduced stress recrystallization | |
JPH05217823A (ja) | 半導体基材の作製方法 | |
JPS58500048A (ja) | 4族半導体材料を基礎とした構造の成長 | |
US5194079A (en) | Method of forming an optical channel waveguide by thermal diffusion | |
TWI459451B (zh) | 改良基板組成份及形成半導體於絕緣體元件上之方法 | |
US4555162A (en) | Method of fabricating long period optical grating | |
JPH0658934B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
EP0431685A1 (en) | Method of forming thin defect-free strips of monocrystalline silicon on insulators | |
JPS5853824A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
EP0346987A1 (en) | A method of forming thin defect-free monocrystalline strips of semiconductor materials on insulators | |
JPH02177534A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2581531B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6145202A (ja) | 光導波路 | |
JPS61232661A (ja) | シリコン結晶体の接合方法 | |
JPS59132120A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C13 | Decision | ||
GR02 | Examined patent application | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |